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審決分類 審判 査定不服 2項進歩性 特許、登録しない。 H01L
審判 査定不服 5項独立特許用件 特許、登録しない。 H01L
管理番号 1231997
審判番号 不服2008-12514  
総通号数 136 
発行国 日本国特許庁(JP) 
公報種別 特許審決公報 
発行日 2011-04-28 
種別 拒絶査定不服の審決 
審判請求日 2008-05-15 
確定日 2011-02-10 
事件の表示 特願2001-256977「半導体装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成15年 3月20日出願公開、特開2003- 86505〕について、次のとおり審決する。 
結論 本件審判の請求は、成り立たない。 
理由 第1 手続の経緯
本願は、平成13年8月27日の出願(国内優先権主張、 平成12年8月25日)であって、平成18年12月25日に手続補正書が提出され、平成20年4月7日付けで拒絶査定がされ、それに対して、同年5月15日に審判が請求されるとともに、同年6月16日に手続補正書が提出され、その後、平成22年7月7日付けで審尋がされ、同年9月10日に回答書が提出されたものである。


第2 平成20年6月16日に提出された手続補正書による補正(以下「本件補正」という。)についての補正の却下の決定

【補正の却下の決定の結論】

本件補正を却下する。

【理由】
1 補正の内容
本件補正のうち、特許請求の範囲についてする補正は、次のとおりである。
ア 請求項1、2、3及び4について、同項中に、「基板」とあるのを、「ガラス基板」と限定すること。
イ 請求項1、2及び3について、同項中に、「周平回路領域」とあるのを、「周辺回路領域」と誤記の訂正をすること。
ウ 請求項11について、同項中に、「前記名副ビーム」とあるのを、「前記各副ビーム」と誤記の訂正をすること。

2 補正の目的の適否
上記補正アは、補正前の請求項に規定されている技術的事項をより限定をするものであるから、平成18年法律55号改正附則第3条第1によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第17条の2第4項第2号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当し、また、上記補正イ及びウは、同法第17条の2第4項第3号に掲げる誤記の訂正を目的とするものに該当するから、同特許法第17条の2第4項柱書きに規定する目的要件を満たす。

以上のとおり、本件補正は、特許法第17条の2第4項第2号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むものであるから、補正後の特許請求の範囲の請求項1に係る発明(以下「本願補正発明」という。)が、独立特許要件を満たすものであるか否かについて、更に検討する。

3 独立特許要件(進歩性)についての検討
(1)本願補正発明
本件補正による補正後の請求項1?12に係る発明のうち、請求項1に係る発明(以下「本願補正発明」という。)は、次のとおりである。

「【請求項1】 ガラス基板上に、各々複数の薄膜トランジスタを有する画素領域及びその周辺回路領域が設けられてなる半導体装置の製造方法であって、
前記画素領域及び前記周辺回路領域のうち、少なくとも前記周辺回路領域に形成された半導体薄膜を時間に対して連続的にエネルギーを出力するエネルギービームにより結晶化し、前記各薄膜トランジスタの動作半導体薄膜とするものであり、
前記エネルギービームとして半導体励起の固体レーザ光を用い、
前記エネルギービームの出力不安定性が±1%/hより小値であることを特徴とする半導体装置の製造方法。」

(2)引用例の記載と引用発明
(2-1)引用例とその記載内容
原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である特公平5-9794号公報(以下「引用例」という。)には、「液晶表示装置」(発明の名称)について、第1?3図とともに、次の記載がある(下線は当審で付加。以下同じ。)。

ア 産業上の利用分野
「[産業上の利用分野]
本発明のソーダガラス、ホウケイ酸ガラス、あるいは石英等の透明基板上に少なくとも多結晶シリコンあるいはアモルフアイスシリコンを主構成部材としてなるアクテイブマトリクス基板に関するものである。」(1欄15行?20行)
イ 実施例等
「[発明が解決しようとする問題点]
しかしながら、同一のガラス基板上に表示部と周辺駆動回路のトランジスタを非単結晶シリコン薄膜で形成し、これらの全ての薄膜トランジスタをレーザーアニールした場合には、レーザーアニールが基板の全面におよぶので、製造工程のスループツトが非常に悪くなり、実用的ではない。
また、表示部の薄膜トランジスタはレーザーアニールすることによつてキヤリアの移動度が高くなつてしまうので、光によるリーク電流が多くなつてしまう。
そこで、本発明は一対の基板内に液晶が封入され、該基板上にはマトリクス状に配置された画素電極、該画素電極に接続されたトランジスタから構成される表示部を有する液晶表示装置において、 該基板はガラス基板からなり、該基板上の該表示部の外周には該表示部のスイツチングトランジスタを駆動してなる周辺駆動回路が配置されてなり、該表示部および該周辺駆動回路部のトランジスタは非単結晶シリコンからなる薄膜トランジスタで形成されてなり、該周辺駆動回路部の非単結晶シリコン薄膜トランジスタのみがレーザーアニールされてなるように構成することによつて、上述の問題点を解決したものである。
[実施例]
次に本発明を下記に記す実施例に基づいて詳細に説明する。
(実施例 1)
第1図は本発明によるアクテイブマトリクス基板であり、ホウケイ酸ガラス基板1上にアクテイブマトリクス回路2を中心部に周辺駆動回路3を外周部に配置したものである。
第2図a?cは本発明のアクテイブマトリクス基板の製造過程を説明するための基板断面図である。まず第2図aの如くホウケイ酸ガラス基板1上に625℃の減圧雰囲気中にて5000Aの第1の多結晶シリコン膜4を形成後該多結晶シリコン膜4をホトエツチングし部分的に開孔せしめる。次に基板上の周辺部すなわち第1図の周辺駆動回路3の領域内のみ第3図aの如くCW励起YAGレーザーを光源としたビーム径200μm、線速度50cm/Secでビームを左右の方向にスキヤンさせながら、しかも1?4の順序にてレーザーアニール加工を行なつた。次に第2図bの如くに全面にCVD-Sio2膜5を2000A堆積した後、前記第1の多結晶シリコン膜と同一形成方法で第2の多結晶シリコン膜6を形成した後、多結晶シリコン膜6のソースドレイン部の開孔をホトエツチングにて行なう。
次に基板主面に1×10 /cm^(2)のリンイオンを照射し550℃1Hのフオーミングガス中にてアニールを行ない拡散層を形成する。次に第2図cの如くCVD-Sio2膜7を形成した後コンタクトホールを開孔し引き続き電極8の形成を行ないアクテイブマトリクス基板の形成を終了する。本実施例にもちいたアクテイブマトリクス回路のゲート及びデータ線のライン数は各々200本であり、本基板を用いてデーター線は約1KMHZ、又ゲート線も25KMHZでの動作が確認され液晶表示デイスプレーとして充分な性能を有することが確認されている。又レーザーアニール加工の効果としてアニールのスループツトは従来に較べて数倍以上の向上を見せており、さらに移動度はアクテイブマトリクス回路中では約10cm/V-secであり、周辺駆動回路部では約100cm/V-secが得えられている。」(3欄1行?4欄23行)

(2-2)引用発明
上記ア及びイによれば、引用例には、次の発明が記載されているといえる(以下、この発明を「引用発明」という。)。

「ガラス基板上に、マトリクス状に配置された画素電極、該画素電極に接続されたトランジスタから構成される表示部を有する液晶表示装置において、
該基板上の該表示部の外周には該表示部のスイツチングトランジスタを駆動してなる周辺駆動回路が配置され、該表示部および該周辺駆動回路部のトランジスタは多結晶シリコン膜からなる薄膜トランジスタで形成され、
該周辺駆動回路部の多結晶シリコン薄膜トランジスタのみがCW励起YAGレーザーを光源としてレーザーアニールされてなる液晶表示装置の製造方法」

(3)対比
(3-1)本願補正発明と引用発明とを対比すると、
ア 引用発明の、「ガラス基板」、「液晶表示装置」及び「薄膜トランジスタ」は、それぞれ、本願補正発明の、「ガラス基板」、「半導体装置」及び「トランジスタ」に相当する。
イ 引用発明は、「マトリクス状に配置された画素電極、該画素電極に接続されたトランジスタから構成される表示部を有」し、「表示部の外周には該表示部のスイツチングトランジスタを駆動してなる周辺駆動回路が配置」されていることから、引用発明においても、「各々複数の薄膜トランジスタを有する画素領域及びその周辺回路領域が設けられ」ていることは、明らかである。
ウ 引用発明でも、レーザーアニールにより、多結晶シリコンは結晶化するものであることから、引用発明の「該表示部および該周辺駆動回路部のトランジスタは多結晶シリコン膜からなる薄膜トランジスタで形成されてなり、該周辺駆動回路部の多結晶シリコン薄膜トランジスタのみがレーザーアニールされて」いるとの構成は、本願補正発明の「前記画素領域及び前記周辺回路領域のうち、少なくとも前記周辺回路領域に形成された半導体薄膜を」「エネルギービームにより結晶化し、前記各薄膜トランジスタの動作半導体薄膜とする」ことに相当する。
エ 引用発明の「CW励起YAGレーザー」が、連続波励起固体レーザに相当することは、当業者にとって自明である。

(3-2)したがって、本願補正発明と引用発明との一致点及び相違点は、次のとおりとなる。

〈一致点〉
「ガラス基板上に、各々複数の薄膜トランジスタを有する画素領域及びその周辺回路領域が設けられてなる半導体装置の製造方法であって、前記画素領域及び前記周辺回路領域のうち、少なくとも前記周辺回路領域に形成された半導体薄膜をエネルギービームにより結晶化し、前記各薄膜トランジスタの動作半導体薄膜とするものであり、前記エネルギービームとして固体レーザ光を用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。」

〈相違点〉
相違点1
本願補正発明では、固体レーザ光のエネルギービームが、「連続的にエネルギーを出力する」ものであるのに対し、引用発明では、固体レーザであるが、連続的にエネルギーを出力するものか否かについて明示がない点
相違点2
本願補正発明では、固体レーザ光が、「半導体励起の固体レーザ光」であって、その「エネルギービームの出力不安定性が±1%/hより小値である」のに対し、引用発明では、励起の手段について開示がなく、また、エネルギービームの出力不安定性についても言及がない点

(4)相違点についての検討
(4-1)相違点1について
本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である以下の周知例1にも記載されているように、固体レーザにおいて、連続波を励起用レーザ光として採用することにより連続波発振させることは、当業者にとって周知の技術である。
本願補正発明の連続波励起の固体レーザにおいて、連続波発振させ、連続的にエネルギーを出力するものとすることは、当業者が適宜選択し得る設計上の事項にすぎない。

(周知例1:特開平8-118057号公報、原査定の拒絶の理由で引用)
上記周知例1には、図1とともに、次の記載がある(段落【0015】)。
「【0015】
【実施例】以下、本発明の好ましい実施例について、図面を参照しながら説明する。図1は、本発明に係るレーザ加工装置の斜視図である。この実施例に示すレーザ加工装置においては、UVレーザ光源1から280nm以下の紫外線域の連続波を発振する。このUVレーザ光源1は、後述するように、半導体レーザ素子からの励起用レーザ光を用いる半導体励起YAGレーザにSHG素子、即ち第2高調波発生素子を組合せ、4倍高調波を連続波として発振するレーザ光源である。」

(4-2)相違点2について
半導体レーザ励起固体レーザを用いて、エネルギービームの出力不安定性を1%以内に設定することは、以下の周知例2、3に記載のとおり、本願の優先権主張の日前において当業者に周知の技術である。
したがって、本願補正発明の固体レーザに半導体レーザ励起のものを採用し、エネルギービームの出力不安定性を1%以内に設定することは、当業者が容易になし得たことといえる。

(周知例2:特開平7-30171号公報)
上記周知例2には、図1、3とともに、次の記載がある(段落【0001】、段落【0002】、段落【0014】、段落【0019】)。
「【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、固体レーザ装置に係わり、特に固体レーザ光出力変動を低減した半導体レーザ励起固体レーザ装置に関する。」
「【0002】
【従来の技術】半導体レーザ励起固体レーザ装置(以下固体レーザ装置という)は、半導体レーザ光により固体レーザ媒質を励起してレーザ発振を行わせるものであり、小型、軽量、長寿命、電気一光変換効率が高い、動作が安定等の特長を有し、種々の産業分野において利用が拡大している。また近年、非線形光学素子と固体レーザを組み合わせ、可視域のグリーンレーザやブルーレーザを実現する試みが盛んである。」
「【0014】
【実施例】図1は、本発明による固体レーザ装置の一実施例を示す図で、半導体レーザチップ11、金属ブロック12、光学筐体13、電子冷却素子17、コリメートレンズとフォーカスレンズからなる集光レンズ18、固体レーザ媒質19、出力ミラー20、ヒートシンク21、放熱フィン22、断熱材23から構成されている。」
「【0019】図3は、固体レーザ光出力時間変動を示す図である。半導体レーザチップ11を載せた金属ブロック12の温度と、光学筐体13の温度の差(ΔT、実線33)を変化させたときの本実施例による固体レーザ装置の光出力の時間変化(実線31)を示す。前述の空気層を断熱層とした本実施例による固体レーザ装置の光出力の時間変化は極めて小さく1%以内の出力変動である。一方、従来例による固体レーザ装置の光出力の時間変化(点線32)は、金属ブロック12の温度と光学筐体13の温度の差(ΔT)を変化の影響を受けて10%の光出力の変動がある。」

(周知例3:特開平9-232665号公報)
上記周知例3には、図2、4とともに、次の記載がある(段落【0001】、段落【0002】、段落【0011】、段落【0012】)。
「【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体レーザ励起固体レーザ共振器内に第二高調波発生(以下「SHG」という;Second Hamonic Generation)素子を配したレーザ光源の出力安定化に関する。」
「【0002】
【従来の技術】従来、SHG光源として、図3に示す様な、固体レーザと非線形光学結晶(以下、SHGに用いるために「SHG結晶」という)の組み合わせで固体レーザ光の半分の波長のSHGレーザ光を得る方法がある。その発振方法は半導体レーザ(LD)と集光レンズの組み合わせ(図示せず)により励起光31を固体レーザ結晶301に入射して固体レーザから放射された基本波光32をSHG結晶303により基本波の半分の波長のSHG光33に変換して発振させるものである。その共振器は固体レーザ結晶にはNd:YAG結晶、SHG結晶にKTiOPO4(KTP)結晶を用い、Nd:YAG結晶の半導体レーザ側の端面にはレーザ発振光に対して高反射コーティング302が施されており、出力ミラー304と間で光共振器を形成している。」
「【0011】(実施例2)図2は本発明の他の実施例を説明するための図である。半導体レーザおよび集光光学系からなる励起光学系は実施例1と同様(図示せず)で励起光31を入射している。本実施例では各結晶の位置を変えて、SHG結晶28内に共振器ビームのビームウエストを持つことでビーム断面積を小さくしてエネルギー密度を高めSHG変換効率を高くすることができる構成である。・・・」
「【0012】誘電体フィルタの膜202はその膜構成を変化させることで分離光37の光強度を調整できる。図4にフィルタの反射率を変えてSHG出力の安定性を測定した結果を示す。図4より反射率が1%以上であれば出力変動幅3%以内を実現できることがわかる。また、反射率10%以上と大きくすることで出力変動は1%以下となり高安定であるが、それほど大きな向上はしない。このため誘電体フィルタの反射率は1?10%の範囲であればよいことがわかる。また、誘電体フィルタ201のもう一面にはSHG光に対して無反射コーティング203を施している。共振器内の波長制御素子25からの反射光38を光検出器で受光し、この反射光におけるフィードバック制御を行ったが安定に制御できなかった。この原因として、SHG出力33と方向が逆のSHG出力の分離光であるため、SHG出力33の特性を反映していないためと考えられる。」

(5)小括
以上検討したとおり、本願補正発明と引用発明との相違点は、周知技術を勘案することにより、当業者が容易に想到し得たものであるから、本願補正発明は、引用発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものである。

(6)独立特許要件についてのまとめと補正却下の結び
以上のとおり、本願補正発明は、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法29条2項の規定により、特許を受けることができない。

よって、本願補正発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができるものではないから、本件補正は、平成18年法律第55号改正附則第3条第1項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法17条の2第5項において準用する同法126条5項の規定に違反するので、同法159条1項において読み替えて準用する同法53条1項の規定により却下すべきものである。


第3 本願発明
1 以上のとおり、本件補正は却下されたので、本願の請求項1に係る発明(以下「本願発明」という。)は、平成18年12月25日付け手続補正書により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項1に記載された、次のとおりのものである。

「【請求項1】 基板上に、各々複数の薄膜トランジスタを有する画素領域及びその周平回路領域が設けられてなる半導体装置の製造方法であって、
前記画素領域及び前記周辺回路領域のうち、少なくとも前記周辺回路領域に形成された半導体薄膜を時間に対して連続的にエネルギーを出力するエネルギービームにより結晶化し、前記各薄膜トランジスタの動作半導体薄膜とするものであり、
前記エネルギービームとして半導体励起の固体レーザ光を用い、
前記エネルギービームの出力不安定性が±1%/hより小値であることを特徴とする半導体装置の製造方法。」

2 引用例の記載と引用発明
引用例の記載と引用発明については、前記第2の3(2)で認定したとおりのものである。

3 対比・判断
前記第2の1及び2で検討したように、本願補正発明は、補正前の請求項1を限定した(「基板」とあるのを「ガラス基板」とした)ものである。逆に言えば、本願発明(補正前の請求項1に係る発明)は、本願補正発明から、このような限定をなくしたものである。
そうすると、本願発明の構成要件をすべて含み、これより限定したものである本願補正発明が、前記第2の3で検討したとおり、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も同様の理由により、当業者が容易に発明をすることができたものということができる。

第4 結言
以上のとおり、本願発明は、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第29条第2項の規定により特許を受けることができない。
したがって、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶をすべきものである。

よって、結論のとおり審決する。
 
審理終結日 2010-12-07 
結審通知日 2010-12-14 
審決日 2010-12-28 
出願番号 特願2001-256977(P2001-256977)
審決分類 P 1 8・ 575- Z (H01L)
P 1 8・ 121- Z (H01L)
最終処分 不成立  
前審関与審査官 北島 健次宮崎 園子河口 雅英  
特許庁審判長 相田 義明
特許庁審判官 近藤 幸浩
松田 成正

発明の名称 半導体装置の製造方法  
代理人 國分 孝悦  
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