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審決分類 審判 査定不服 2項進歩性 取り消して特許、登録(定型) H01L
管理番号 1233565
審判番号 不服2009-18421  
総通号数 137 
発行国 日本国特許庁(JP) 
公報種別 特許審決公報 
発行日 2011-05-27 
種別 拒絶査定不服の審決 
審判請求日 2009-09-30 
確定日 2011-03-29 
事件の表示 特願2002-211017「Ga窒化物半導体用基板及びその製造方法、Ga窒化物半導体及びその製造方法、並びに該Ga窒化物半導体を用いた発光ダイオード」拒絶査定不服審判事件〔平成16年 2月19日出願公開、特開2004- 55811、請求項の数(7)〕について、次のとおり審決する。 
結論 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 
理由 本願は、平成14年 7月19日の出願であって、その請求項1-7に係る発明は、平成21年 9月30日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項1-7に記載された事項により特定されるとおりのものであると認める。
そして、本願については、原査定の拒絶理由を検討してもその理由によって拒絶すべきものとすることはできない。
また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
よって、結論のとおり審決する。
 
審決日 2011-03-10 
出願番号 特願2002-211017(P2002-211017)
審決分類 P 1 8・ 121- WYF (H01L)
最終処分 成立  
前審関与審査官 山本 雄一  
特許庁審判長 寺本 光生
特許庁審判官 鈴木 正紀
川端 修
発明の名称 Ga窒化物半導体用基板及びその製造方法、Ga窒化物半導体及びその製造方法、並びに該Ga窒化物半導体を用いた発光ダイオード  
代理人 小林 良平  
代理人 特許業務法人京都国際特許事務所  
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