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| 審決分類 |
審判 査定不服 2項進歩性 特許、登録しない。 G11B |
|---|---|
| 管理番号 | 1250228 |
| 審判番号 | 不服2008-28531 |
| 総通号数 | 147 |
| 発行国 | 日本国特許庁(JP) |
| 公報種別 | 特許審決公報 |
| 発行日 | 2012-03-30 |
| 種別 | 拒絶査定不服の審決 |
| 審判請求日 | 2008-11-06 |
| 確定日 | 2011-12-14 |
| 事件の表示 | 特願2006-528738「垂直磁気記録ディスク及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成18年 1月12日国際公開、WO2006/003922〕について、次のとおり審決する。 |
| 結論 | 本件審判の請求は、成り立たない。 |
| 理由 |
1.手続の経緯 本願は、平成17年6月29日(優先権主張 平成16年6月30日、日本国)を国際出願日とする出願であって、平成20年10月1日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年11月6日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同年11月7日付けで手続補正がなされたものである。 その後、平成22年11月30日付けで前置報告に基づく審尋がなされ、平成23年1月31日付けで回答書が提出されたものである。 2.本願発明 本願の請求項1及び2に係る発明は、平成20年11月7日付けの手続補正書の特許請求の範囲の請求項1及び2に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項1に記載された発明(以下、「本願発明」という。)は次のとおりである。 「【請求項1】 垂直磁気記録に用いる磁気ディスクであって、 基板と、該基板上に形成されたグラニュラー構造を有する、CｏPｔCｒ系磁性材料にSiO2を添加してなる強磁性層と、該強磁性層上に形成してなるコバルト(Cｏ)またはCｏ合金を含む第1層とパラジウム(Pd)または白金(Pｔ)を含む第2層との積層と、前記強磁性層と前記積層との間に形成してなる、前記強磁性層と前記積層との間の交換結合を制御可能な膜厚2nm以下のスペーサ層と、を有し、前記強磁性層中のSiO2の含有量が6原子%以上であり、前記強磁性層の膜厚をA、前記積層の膜厚をBとした場合、A/B(B分のA)は2?5の範囲であり、前記スペーサ層は、前記積層の第2層と同じ材料を用いることを特徴とする垂直磁気記録ディスク。」 3.引用例 これに対して、原査定の拒絶理由において引用された本願の優先権主張の日前に頒布された刊行物である特開2004-39033号公報(公開日 平成16年2月5日。以下、「引用例1」という。)には図面とともに次の事項が記載されている。なお、下線は当審で付した。 ア) 「【0052】 本発明の好ましい磁気記録媒体のさらに他の例は、非磁性基板、非磁性基板上に設けられた第1の磁気記録層、及び第1の磁気記録層上に設けられた第2の磁気記録層を有し、第1及び第2の磁気記録層は、互いに磁化の方向を反平行に揃える相互作用を及ぼし、その磁化容易軸が各々磁気記録層の面方向に対し垂直方向であり、第2の磁気記録層と第1の磁気記録層との間に第1の中間層M1が設けられ、かつこの第1の中間層M1の厚さが2nm以下である垂直磁気記録媒体である。 【0053】 第2の磁気記録層と第1の磁気記録層との間に上記中間層M1を挿入することにより、大きな反強磁性交換結合エネルギー面密度が得られる。」 イ) 「【0107】 実施例1-1 以下、実施例を示し、本発明を具体的に説明する。 【0108】 2.5インチのガラス基板を用意し、その上に、スパッタ法により、Tiシード層10nm、及びPｔ下地層20nmを形成した。得られたPｔ下地層上に、スパッタリングにより、Cｏ 0.32nm/ Pｔ 0.78nmを1ユニットとして、スパッタ法を5回繰り返して行い、第1の磁気記録層を得た。得られた第1の磁気記録層上に、表面状態を改質することにより、第2の磁気記録層との間に反磁性結合を働かせる目的で、0.5PaのAｒ+N2雰囲気中でRF 100Wのスパッタエッチング処理を施した。次に、(Cｏ_(80)Pｔ_(20))Ta_(5)-SiO_(2)を材料として第2の磁気記録層を10nm、さらに、C保護層3nmを、順次スパッタ法にて積層した。その後、C保護層上に潤滑剤を塗布し、潤滑層を形成して、磁気記録媒体を得た。第1の磁気記録層はいわゆる人工格子である 【0109】 得られた磁気記録媒体について、その第2の磁気記録層の微細構造をTEMを用いて調べたところ、主にCｏPｔからなる柱状で、約9nmの直径を有する磁性結晶粒子が、主にアモルファスのSiO_(2)からなる非磁性部分で分断されている構造となっていた。Taの分析はできなかった。」 ウ) 「【0121】 実施例2-1 第1の磁気記録層と第2の磁気記録層との間にIｒ中間層M1を0.2nmないし2.8nmの範囲で変化させて形成した以外は、実施例1-1と同様にして磁気記録媒体を作製した。 【0122】 得られた磁気記録媒体のM-Hループを図17に示す。得られたヒステリシスループのH1とH2の値、及び各層の飽和磁化Mｓの値から交換結合エネルギー面密度Jを求めた。マイナーループが取れる方の層のシフト磁界をHｗ(Hc1+H2)とすると、交換結合エネルギー面密度Jは、下記式 J=Hｗ×Mｓ×ｔ で求められる。ここでｔは反転した方の層の膜厚である。Iｒ厚さに対するJの依存性は図18に示すようになった。 【0123】 Jの符号は反強磁性結合の場合に負とした。膜厚が0.5nmよりも薄いところでは強磁性結合するが、それより厚いと反強磁性結合となり、約0.8nmでピークを持った後、再び強磁性結合に戻るという振動的な挙動が見られた。 同様な傾向は中間層M1として、Rｕ、Re、Rh、Tc、Aｕ、Ag、Cｕ、Si、Fe、Ni、Pｔ、Pd、Cｒ、Mn、またはAlを用いた場合においても見られた。各元素で反強磁性結合のJの値とピークが得られる膜厚が異なっていた。反強磁性結合となるには、少なくともこれらの元素を含む中間層を設けることが好適であることがわかった。また、さらに他の元素、例えばTa, W, B,及び Nb等から選択される元素を添加しても効果が得られた。」 エ) 図18には、Iｒ中間層の厚さに対する交換結合エネルギー面密度Jの依存性を表すグラフ図が示されており、特にIｒ中間層の厚さ0.2nmないし2.8nmのうち、約2nm以下の場合に交換結合エネルギー面密度Jが正負の値となり交換結合となることが示されている。 前掲ア)ないしエ)の記載事項及び図面の記載を総合的に勘案すると、引用例1には、次の発明(以下、「引用発明」という。)が記載されているものと認められる。 「非磁性基板、非磁性基板上に設けられた第1の磁気記録層、及び第1の磁気記録層上に設けられた第2の磁気記録層を有し、第1及び第2の磁気記録層は、互いに磁化の方向を反平行に揃える相互作用を及ぼし、その磁化容易軸が各々磁気記録層の面方向に対し垂直方向であり、第2の磁気記録層と第1の磁気記録層との間に第1の中間層M1が設けられ、かつこの第1の中間層M1の厚さが2nm以下である垂直磁気記録媒体であって、 前記第1の磁気記録層はCｏ 0.32nm/ Pｔ 0.78nmを1ユニットとして、スパッタ法を5回繰り返して行って積層されており、 前記第2の磁気記録層は(Cｏ_(80)Pｔ_(20))Ta_(5)-SiO_(2)を材料として10nm積層されており、その微細構造は、主にCｏPｔからなる柱状で、約9nmの直径を有する磁性結晶粒子が、主にアモルファスのSiO_(2)からなる非磁性部分で分断されている構造となっており、 前記第1の中間層M1はIｒであり、交換結合エネルギー面密度JがIｒの厚さに依存するものであってIｒ中間層の厚さが2nm以下で交換結合となる 垂直磁気記録媒体。」 また、同じく原査定の拒絶理由において引用された本願の優先権主張の日前に頒布された刊行物である特開2002-342908号公報(以下、「引用例2」という。)には図面とともに次の事項が記載されている。なお、下線は当審で付した。 オ) 「【0023】本発明に係る磁気記録媒体は、基板上に強磁性体であるCｏ-Pｔ-Cｒを主体とした磁性薄膜が形成されてなる金属薄膜型の磁気記録媒体である。図1に示すように、磁気記録媒体1は、基板2と、基板2上に形成された下地層3と、下地層3上に形成された中間層4と、中間層4上に形成された磁性層5と、磁性層5上に形成された保護層6とを有している。 【0024】磁性層5は、Cｏ-Pｔ-Cｒを主体とし、Si酸化物(SiO_(ｘ)(ｘ:1以上、2以下))を含有している。そして、磁性層5におけるSi酸化物の含有量は、当該酸化物を構成する構成元素Siの比率がCｏ-Pｔ-Cｒに対して、8原子%以上、16原子%以下となるような量とされている。また、磁性層5の厚さは10nm以上、25nm以下とされている。 【0025】この磁性層5は、磁性層5を構成するCｏ-Pｔ-Cｒの結晶粒間に、Si酸化物(SiO_(ｘ)(ｘ:1以上、2以下))が島状に分散せしめられた構造となっている。即ち、Cｏ-Pｔ-Cｒの結晶粒がSi酸化物によって囲まれ孤立化し、当該結晶粒の結晶間相互作用が分断される。これによって、磁化遷移部分の磁化のばらつきに起因するノイズを低減することが出来る。それと共に、各結晶粒が磁気的に孤立することによって磁化の回転が一斉回転型になるため、保磁力が大きくなる。即ち、磁気記録媒体1は高S/N比、および高保磁力を持つ媒体となることが可能になる。ただし、本発明は上記した磁性層5の微細構造に拘束されるものではない。 【0026】磁性層におけるSi酸化物含有量が、Cｏ-Pｔ-Cｒに対するSi酸化物を構成する構成元素Siの比率として換算したときに、当該構成元素Siが、8原子%未満とされるような量である場合、Cｏ-Pｔ-Cｒの結晶粒を囲んで孤立化させる効果が不十分となり、高S/N比、および高保磁力が得られない。 【0027】一方、磁性層におけるSi酸化物の含有量がCｏ-Pｔ-Cｒに対するSi酸化物を構成する構成元素Siの比率として換算した場合、構成元素Siが16原子%を上回るような量である場合、磁性層中のCｏ-Pｔ-Cｒの含有量が相対的に減少するため、逆にS/N比、および保磁力は小さくなってしまう。 【0028】従って、磁性層5におけるSi酸化物(SiO_(ｘ)(ｘ:1以上、2以下))の含有量が、当該酸化物を構成する構成元素Siの比率としてCｏ-Pｔ-Cｒに対して、8原子%以上、16原子%以下となるような量とされることによって、Cｏ-Pｔ-Cｒの結晶粒と、当該結晶粒を囲むSi酸化物との比率が適正となる。これによって、Cｏ-Pｔ-Cｒの結晶粒の結晶間相互作用が効率良く分断され、高S/N比、および高保磁力を得ることが出来る。」 4.対比 本願発明と引用発明とを対比する。 (1)引用発明の「垂直磁気記録媒体」、「非磁性基板」は、それぞれ本願発明の「垂直磁気記録に用いる磁気ディスク」、「基板」に相当する。 (2)引用発明の「第2の磁気記録層」は、非磁性基板上に形成されたものであって(Cｏ_(80)Pｔ_(20))Ta_(5)-SiO_(2)を材料としていることから、CｏPｔ系磁性材料にSiO_(2)を添加してなる強磁性材料であるといえ、本願発明と引用発明とは「基板上に形成された」「CｏPｔ系磁性材料にSiO_(2)を添加してなる強磁性層」を有している点で共通している。 そして、引用発明の「第2の磁気記録層」の微細構造は、CｏPｔからなる柱状の磁性結晶粒子が、アモルファスのSiO_(2)からなる非磁性部分で分断されている構造となっていることから、グラニュラー構造となっていることは明らかであり、本願発明の「強磁性層」と引用発明の「第2の磁気記録層」とは「グラニュラー構造を有する」点で共通している。 (3)引用発明の「第1の磁気記録層」は、Cｏ 0.32nm/ Pｔ 0.78nmを1ユニットとしてスパッタ法を5回繰り返して積層したものであり、前記「Cｏ」は「Cｏを含む第1層」といえ、前記「Pｔ」は「Pｔを含む第2層」といえる。 よって、引用発明の「第1の磁気記録層」は、本願発明の「コバルト(Cｏ)またはCｏ合金を含む第1層とパラジウム(Pd)または白金(Pｔ)を含む第2層との積層」のうち「コバルト(Cｏ)を含む第1層と白金(Pｔ)を含む第2層との積層」に相当する。 (4)引用発明の「第1の中間層M1」は、第1の磁気記録層と第2の磁気記録層との間に形成され、第1の磁気記録層と第2の磁気記録層の交換結合エネルギー密度Jに影響を及ぼすものであるから、交換結合を制御可能なものであるといえ、その厚さが2nm以下であるから、本願発明の「前記強磁性層と前記積層との間に形成してなる、前記強磁性層と前記積層との間の交換結合を制御可能な膜厚2nm以下のスペーサ層」に相当する 以上のことからすると、本願発明と引用発明とは、次の点で一致する。 ＜一致点＞ 「垂直磁気記録に用いる磁気ディスクであって、 基板と、該基板上に形成されたグラニュラー構造を有する、CｏPｔ系磁性材料にSiO_(2)を添加してなる強磁性層と、コバルト(Cｏ)を含む第1層と白金(Pｔ)を含む第2層との積層と、前記強磁性層と前記積層との間に形成してなる、前記強磁性層と前記積層との間の交換結合を制御可能な膜厚2nm以下のスペーサ層と、を有する垂直磁気記録ディスク。」 そして、次の＜相違点1＞ないし＜相違点3＞で相違する。 ＜相違点1＞ 強磁性層の材料に関して、本願発明では、「CｏPｔCｒ系磁性材料」であり「強磁性層中のSiO_(2)の含有量が6原子%以上」であるのに対して、引用発明では、CｏPｔTa-SiO_(2)であり、かつSiO_(2)の含有量を特定していない点。 ＜相違点2＞ 積層と強磁性層の関係に関して、本願発明では、積層が「強磁性層上に形成」されており「前記強磁性層の膜厚をA、前記積層の膜厚をBとした場合、A/B(B分のA)は2?5の範囲」であるのに対して、引用発明では、第1の磁気記録層(積層)が第2の磁気記録層(強磁性層)下に形成されており、第2の磁気記録層(強磁性層)の膜厚Aが10nm、第1の磁気記録層(積層)の膜厚Bが(0.32nm+0.78nm)×5回=5.5nmであることから、A/B(B分のA)は10/5.5=1.8である点。 ＜相違点3＞ スペーサ層の材料に関して、本願発明では、「積層の第2層と同じ材料を用いる」のに対して、引用発明では、Iｒを用いており、積層の第2層と同じ材料を用いるとはしていない点。 5.当審の判断 上記相違点について検討する。 ＜相違点1＞について 引用例2には、磁気記録媒体に用いられる強磁性層の材料として、Cｏ-Pｔ-CｒにSi酸化物(SiO_(ｘ)(ｘ:1以上、2以下))を含有させることにより、Cｏ-Pｔ-Cｒの結晶粒間にSi酸化物が島状に分散せしめられた構造、すなわちグラニュラー構造とした強磁性材料を用いることが開示されており、特に、磁磁性層におけるSi酸化物の含有量について、Siの比率がCｏ-Pｔ-Cｒに対して、8原子%以上とすることにより、高S/N比、および高保磁力が得られることが開示されている。 引用発明も引用例2に開示された発明も、CｏPｔ系磁性材料にSi酸化物を添加したグラニュラー構造を有する強磁性層を用いている点で共通するものであって、磁気記録媒体において高S/N比、および高保磁力を図ることは自明な共通の課題であるから、引用発明の強磁性層の材料として、引用例2に記載された、CｏPｔCｒ系磁性材料にSi酸化物を8原子%以上含有した強磁性材料を採用し、「CｏPｔCｒ系磁性材料」を用い「磁性層中のSiO2の含有量を6%以上」とすることは、当業者であれば容易に為しうるものである。 ＜相違点2＞について 積層と強磁性層がスペーサ層を介して交換結合する磁気記録媒体において、積層を「強磁性層上に形成」し、「強磁性層の膜厚をA、前記積層の膜厚をBとした場合、A/B(B分のA)は2?5の範囲」とすることは、出願人が本願明細書において先行技術文献として開示している米国特許6468670号公報(特に、第2欄第8行ないし第23行、第3欄第25行ないし第30行、図1等参照。CｏCｒ強磁性層の膜厚Aを50nm、Cｏ/Pｔ積層の膜厚を14nmとしているので、A/B(B分のA)は50/14=3.6となる。)に示されるように周知技術である。 よって、引用発明において、第1の磁気記録層(積層)を「第2の磁気記録層(強磁性層)上に形成」し、「強磁性層の膜厚をA、前記積層の膜厚をBとした場合、A/B(B分のA)は2?5の範囲」とすることは、前記周知技術に基づいて当業者であれば適宜為しうる事項である。 ＜相違点3＞について 積層と強磁性層がスペーサ層を介して交換結合する磁気記録媒体において、スペーサ層の材料として「積層の第2層と同じ材料を用いる」ことは、出願人が本願明細書において先行技術文献として開示している米国特許6468670号公報(特に、第2欄第8行ないし第23行、図1等参照。スペーサ層であるinｔeｒface laｙeｒの材料として、ｐlaｔinｕmとｐalladinｕmを例示し、どちらの材料を用いるかは、積層がCｏ/PｔであるかCｏ/Pdであるかに依存するとしている。)に示されるように周知技術である。 一方、引用発明においても、前掲ウ)の【0123】には、第1の中間層M1(スペーサ層)の材料としてPｔを用いること、すなわち、第1の磁気記録層(積層)の第2層である白金(Pｔ)と同じ材料を用いることが例示されているところ、前記周知技術に基づいて「第1の磁気記録層(積層)の第2層と同じ材料を用いる」とすることは、当業者であれば適宜為しうる事項である。 そして、上記相違点を総合的に判断しても、本願発明の効果は、引用例1、2に記載された発明及び周知技術から当業者が十分に予測しうる程度のものにすぎず、格別顕著なものがあるとはいえない。 以上のとおりであるから、本願発明は、引用例1、2に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。 6. むすび 以上のとおり、本願の請求項1に係る発明は、引用例1、2に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第29条2項の規定により特許を受けることができない。 したがって、その余の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。 よって、結論のとおり審決する。 |
| 審理終結日 | 2011-07-14 |
| 結審通知日 | 2011-07-19 |
| 審決日 | 2011-08-01 |
| 出願番号 | 特願2006-528738(P2006-528738) |
| 審決分類 |
P
1
8・
121-
Z
(G11B)
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| 最終処分 | 不成立 |
| 前審関与審査官 | 山下 達也、蔵野 雅昭 |
| 特許庁審判長 |
山田 洋一 |
| 特許庁審判官 |
月野 洋一郎 小松 正 |
| 発明の名称 | 垂直磁気記録ディスク及びその製造方法 |
| 代理人 | 大塚 武史 |