• ポートフォリオ機能


ポートフォリオを新規に作成して保存
既存のポートフォリオに追加保存

  • この表をプリントする
PDF PDFをダウンロード
審決分類 審判 査定不服 2項進歩性 取り消して特許、登録(定型) H01S
管理番号 1252329
審判番号 不服2011-4817  
総通号数 148 
発行国 日本国特許庁(JP) 
公報種別 特許審決公報 
発行日 2012-04-27 
種別 拒絶査定不服の審決 
審判請求日 2011-03-02 
確定日 2012-03-06 
事件の表示 特願2004-300292「III-V族GaN系半導体素子及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成17年 5月12日出願公開、特開2005-123623、請求項の数(12)〕について、次のとおり審決する。 
結論 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 
理由 本願は、平成16年10月14日(パリ条約による優先権主張 2003年10月17日 (KR)大韓民国)の出願であって、その請求項に係る発明は、特許請求の範囲の請求項に記載された事項により特定されるとおりのものであると認める。
そして、本願については、原査定の拒絶理由を検討してもその理由によって拒絶すべきものとすることはできない。
また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
よって、結論のとおり審決する。
 
別掲
 
審決日 2012-02-20 
出願番号 特願2004-300292(P2004-300292)
審決分類 P 1 8・ 121- WYF (H01S)
最終処分 成立  
前審関与審査官 百瀬 正之  
特許庁審判長 吉野 公夫
特許庁審判官 松川 直樹
北川 創
発明の名称 III-V族GaN系半導体素子及びその製造方法  
代理人 八田国際特許業務法人  
  • この表をプリントする

プライバシーポリシー   セキュリティーポリシー   運営会社概要   サービスに関しての問い合わせ