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審決分類 審判 査定不服 特17条の2、3項新規事項追加の補正 取り消して特許、登録(定型) H01L
管理番号 1259557
審判番号 不服2010-9207  
総通号数 152 
発行国 日本国特許庁(JP) 
公報種別 特許審決公報 
発行日 2012-08-31 
種別 拒絶査定不服の審決 
審判請求日 2010-04-28 
確定日 2012-07-24 
事件の表示 特願2004-203759「半導体装置のための、SiまたはSiC上に厚い酸化物を形成する方法」拒絶査定不服審判事件〔平成17年 2月24日出願公開、特開2005- 51225、請求項の数(2)〕について、次のとおり審決する。 
結論 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 
理由 本願は、平成16年 7月 9日(パリ条約による優先権主張 2003年 7月10日 (US)アメリカ合衆国 2003年 8月 8日 (US)アメリカ合衆国 2004年 7月 6日 (US)アメリカ合衆国)の出願であって、その請求項に係る発明は、特許請求の範囲の請求項に記載された事項により特定されるとおりのものであると認める。
そして、本願については、原査定の拒絶理由を検討してもその理由によって拒絶すべきものとすることはできない。
また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
よって、結論のとおり審決する。
 
別掲
 
審決日 2012-07-11 
出願番号 特願2004-203759(P2004-203759)
審決分類 P 1 8・ 561- WYF (H01L)
最終処分 成立  
前審関与審査官 後谷 陽一安田 雅彦  
特許庁審判長 鈴木 匡明
特許庁審判官 近藤 幸浩
西脇 博志
発明の名称 半導体装置のための、SiまたはSiC上に厚い酸化物を形成する方法  
代理人 杉村 憲司  
代理人 澤田 達也  
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