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審決分類 審判 査定不服 2項進歩性 特許、登録しない。 C30B
審判 査定不服 5項独立特許用件 特許、登録しない。 C30B
管理番号 1260709
審判番号 不服2010-28803  
総通号数 153 
発行国 日本国特許庁(JP) 
公報種別 特許審決公報 
発行日 2012-09-28 
種別 拒絶査定不服の審決 
審判請求日 2010-12-21 
確定日 2012-07-26 
事件の表示 特願2006-110533「気相成長装置及び気相成長方法」拒絶査定不服審判事件〔平成19年 8月23日出願公開、特開2007-210875〕について、次のとおり審決する。 
結論 本件審判の請求は、成り立たない。 
理由 第1 手続の経緯
本願は、平成18年4月13日(特許法第41条に基づく優先権主張 平成17年7月29日、平成18年1月13日)の出願であって、平成22年1月22日付けの拒絶理由通知に対して、同年3月25日付けで手続補正がされるとともに意見書が提出され、同年9月28日付けの拒絶査定に対して、同年12月21日に拒絶査定不服審判の請求がされるとともに同日付けで手続補正がされ、平成24年2月29日付けで特許法第164条第3項で規定する報告書を引用した審尋がなされたところ、同年4月27日付けで回答書が提出されたものである。

第2 平成22年12月21日付けの手続補正についての補正却下の決定
1 補正却下の決定の結論
平成22年12月21日付けの手続補正を却下する。

2 理由
(1) 補正の内容
平成22年12月21日付けの手続補正(以下、「本件補正」という。)は、補正前の特許請求の範囲の請求項8の記載を、補正後の特許請求の範囲の請求項7に、以下のAからBとする補正事項を含む(下線は補正部分を示す。)。

A:「チャンバ内には、支持台上に載置された基板が収容され、前記チャンバには成膜するためのガスを供給する第1の流路及びガスを排気する第2の流路が接続された気相成長装置において、
前記支持台には、凹み有する第1の凹部と、前記第1の凹部の底部にさらに凹みを有する第2の凹部が設けられ、前記第2の凹部の深さは、前記基板の厚さ分より浅く構成され、
前記支持台は、前記第2の凹部の底面で前記基板の裏面と接触して前記基板を支持すると共に前記基板面の中心線を軸に回転し、
前記支持台が前記基板面の中心線を軸に回転している状態で前記第2の凹部の底面で支持された前記基板上にシリコンエピタキシャル膜が形成されることを特徴とする気相成長装置。」

B:「チャンバ内には、支持台上に載置された基板が収容され、前記チャンバには成膜するためのガスを供給する第1の流路及びガスを排気する第2の流路が接続された気相成長装置において、
前記支持台には、凹み有する第1の凹部と、前記第1の凹部の底部にさらに凹みを有する第2の凹部が設けられ、前記第2の凹部の深さは、前記基板の厚さ分より浅く構成され、
前記支持台は、前記第2の凹部の底面で前記基板の裏面と接触して前記基板を支持すると共に前記基板面の中心線を軸に回転し、
前記支持台が前記基板面の中心線を軸に回転している状態で前記第2の凹部の底面で支持された前記基板上にシリコンエピタキシャル膜が形成され、
前記第2の凹部の底面には、滑りとめ加工が施されていることを特徴とする気相成長装置。」

(2) 補正の目的
上記の補正事項は、支持台に設けられる第2の凹部の底面に関して、「滑りとめ加工が施されている」ことを限定するものであるから、上記の補正事項を含む本件補正は、平成18年法律第55号改正附則第3条第1項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第17条の2第4項第2号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
そこで、本件補正により特許請求の範囲が減縮された補正後の請求項7に記載された発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか(特許法第17条の2第5項において準用する同法第126条第5項の規定に適合するか)について、以下に検討する。

(3) 独立特許要件
ア 本願補正発明
本件補正後の請求項7に記載された発明(以下、「本願補正発明」という。)は、上記Bに記載された事項により特定されるとおりのものである。

イ 引用文献及びその記載事項
原審における拒絶査定(以下、「原査定」という。)の拒絶理由において引用した特開2004-327761号公報(以下、「引用文献1」という。)には、以下の事項が記載されている。

[1a]「【0005】
・・・エピタキシャル成長を用いるウエーハの用途として、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transister )に代表されるパワーデバイスがある。パワーデバイス向けエピタキシャルウエーハの製造では、エピタキシャル成長膜の厚みが厚く、100μm程度に達することも少なくない。このような厚膜形成では、サセプタ上のウエーハが凹部内に収容されているにもかかわらず、サセプタ内周面とウエーハ外周面との間が、ブリッジと呼ばれる両者に跨がった析出物によりスティックする現象が発生しやすい。この現象が生じると、エピタキシャル成長後にサセプタからウエーハを取り出すときに、スティック部分の成長膜を剥がさなければならず、その際にウエーハの外周部分に相当の力が付加されるために、しばしばウエーハにクラックが発生し、割れに至ることもある。
・・・
【0010】
後で詳しく述べるが、水平円盤型サセプタにおけるスティッキングの原因の一つは、サセプタの凹部内でウエーハが径方向にスライドすることによりウエーハの外周面が凹部の内周面に局部的に接触し、その接触部でブリッジが形成されやすくなることである。
・・・
【0012】
本発明の目的は、凹部内に水平に収容されたウエーハのスティッキングを効果的に防止できるエピタキシャル成長用サセプタを提供することにある。」

[1b]「【0020】
ここにおけるエピタキシャル成長装置は、シリコンウエーハのエピタキシャル成長に使用される横型装置である。この装置は、図1及び図2に示すように、チャンバー1内に水平に設置された横型の反応管2を有している。反応管2内には、水平円盤型のサセプタ3が長手方向の中央部に位置して設けられると共に、サセプタ3を長手方向の前後から挟むようにして水平な仕切り板6,6が設けられている。
【0021】
サセプタ3は、反応管2内に下方から挿入された支持軸4により水平に支持されており、支持軸4の回転により中心部の垂直軸回りに回転駆動される。・・・仕切り板6,6はサセプタ3と共同して反応管2内をサセプタ2より上側の空間と下側の空間とに区画し、上側の空間に原料ガスを一端部から他端部へかけて流通させる。
【0022】
サセプタ3の上面には、座ぐりと呼ばれる複数の凹部7,7・・が設けられている。複数の凹部7,7・・は、ウエーハ8を水平に収容する構成になっており・・・。各凹部7の底面外周部には、図3(a)(b)に示すように、環状の凸部9が設けられている。凸部9は、その内側の正規レベルの水平な底面10から上方へ直角に突出している。凸部9の外周側は、凹部7の内周面11と一体化している。
【0023】
凸部9の内径Dはウエーハ8の直径以上、(凹部7の内径-1mm)以下に設定されており、その深さdはウエーハ8の厚みの0.2?0.4倍に設定されている。」

[1c]「【0035】
また、上述の実施形態では、水平円盤型のサセプタ3は上面に複数の凹部7を有しているが、1つの凹部7を有するものであってもよい。即ち、本発明は1の凹部を有する水平円盤型のサセプタにも適用可能である。」

ウ 引用文献1に記載された発明
引用文献1には、[1b]の【0020】、【0022】によれば、シリコンウエーハのエピタキシャル成長に使用される横型装置において、チャンバー内にサセプタが設けられ、前記サセプタに設けられた複数の凹部にウエーハを収容することが記載され、[1b]の【0021】によれば、チャンバー内の反応管上側の空間に原料ガスを一端部から他端部へかけて流通させることが記載され、[1b]の【0022】、【0023】によれば、サセプタの凹部の底面外周部に環状の凸部が設けられていること、当該凸部の内径がウエーハの直径以上であり、その深さがウエーハの厚みの0.2?0.4倍に設定されていることが記載され、[1b]の【0021】によれば、サセプタが回転駆動されることが記載されている。
ここで、反応管上側の空間に原料ガスを一端部から他端部へかけて流通させるために、原料ガスを供給する第1の流路とガスを廃棄する第2の流路がチャンバに接続されていることが明らかであるから、以上の記載及び認定を本願補正発明の記載ぶりに沿って整理すると、引用文献1には以下の発明が記載されていると認められる。

「チャンバー内には、サセプタ上に載置されたウエーハが収容され、前記チャンバーには成膜するための原料ガスを供給する第1の流路及びガスを排気する第2の流路が接続されたシリコンウエーハのエピタキシャル成長に使用される横型装置において、
前記サセプタには、凹部と、前記凹部の底面外周部に環状の凸部が設けられ、前記環状の凸部の深さは、前記ウエーハの厚みの0.2?0.4倍に構成され、
前記サセプタは、前記凸部の内径がウエーハの直径以上であると共に回転し、
前記サセプタが回転している状態で前記ウエーハ上にエピタキシャル膜が形成される、
シリコンウエーハのエピタキシャル成長に使用される横型装置。」(以下、「引用発明」という。)

エ 本願補正発明と引用発明との対比
引用発明の「チャンバー」、「サセプタ」、「ウエーハ」及び「シリコンウエーハのエピタキシャル成長に使用される横型装置」は、それらの機能を考慮すれば、それぞれ本願補正発明の「チャンバ」、「支持台」、「基板」及び「気相成長装置」に相当する。
また、引用発明のサセプタに関する、「凹部と、前記凹部の底面外周部に環状の凸部が設けられ」る構造は、本願補正発明の「凹み有する第1の凹部と、前記第1の凹部の底部にさらに凹みを有する第2の凹部が設けられ」る構造に相当するし、引用発明の「前記環状の凸部の深さは、前記ウエーハの厚みの0.2?0.4倍に構成され」ることは、本願補正発明の「前記第2の凹部の深さは、前記基板の厚さ分より浅く構成され」ることに相当する。
そして、引用発明において、「凸部の内径がウエーハの直径以上である」ことは、本願補正発明の「第2の凹部」の内径が基板の直径以上であることを意味しているから、当該第2の凹部の底面で基板の裏面と接触して前記基板を支持していることは明らかである。
そうすると、両者は、
「チャンバ内には、支持台上に載置された基板が収容され、前記チャンバには成膜するためのガスを供給する第1の流路及びガスを排気する第2の流路が接続された気相成長装置において、
前記支持台には、凹み有する第1の凹部と、前記第1の凹部の底部にさらに凹みを有する第2の凹部が設けられ、前記第2の凹部の深さは、前記基板の厚さ分より浅く構成され、
前記支持台は、前記第2の凹部の底面で前記基板の裏面と接触して前記基板を支持すると共に回転し、
前記支持台が回転している状態で前記第2の凹部の底面で支持された前記基板上にエピタキシャル膜が形成される、
気相成長装置。」である点で一致し、次の点で相違する。

相違点1:
本願補正発明は、支持台が基板面の中心線を軸に回転するのに対して、引用発明は、支持台が基板面の中心線を軸に回転することが特定されていない点。

相違点2:
本願補正発明は、エピタキシャル膜材料がシリコンであるのに対して、引用発明は、エピタキシャル膜材料が特定されていない点。

相違点3:
本願補正発明は、第2の凹部の底面に滑りとめ加工が施されているのに対して、引用発明は、第2の凹部の底面性状が特定されていない点。

オ 相違点についての判断
(ア) 相違点1について
引用文献1の[1c]には、「1つの凹部7を有するものであってもよい」と記載されており、これはサセプタ、すなわち支持台の上面に設けられる凹部が1つであってもよいことを意味するから、この場合、支持台上に載置される基板は1枚となる。そして、1枚の基板にエピタキシャル膜を形成する気相成長装置において、支持台の回転軸を基板面の中心線とすることは、例えば、特開平9-194296号公報の【0011】、【図1】、特開平10-163117号公報の【0006】、【図8】に記載されているようにごく一般的な態様にすぎないから、引用発明において、支持台の回転軸を基板面の中心線とすることに格別の困難性は見いだせない。
したがって、引用発明において上記一般的な態様を勘案することで、相違点1に係る本願発明の特定事項に想到することは、当業者の容易に推考し得るところということができる。

(イ) 相違点2について
引用発明はシリコンウエーハのエピタキシャル成長に使用される横型装置に関する発明であり、シリコンウエーハ上に形成されるエピタキシャル膜としてシリコンのエピタキシャル膜はごく一般的に用いられている膜である。
また、引用文献1の[1a]には、エピタキシャル成長を用いるウエーハの用途として、IGBTが例示されているところ、シリコンウエーハ上にシリコンのエピタキシャル膜を形成したエピタキシャルウエーハをIGBTに用いることは、例えば、特開2001-196308号公報の請求項1?6に記載されているように本願の優先日前周知の技術である点も併せて考えれば、引用発明においてエピタキシャル膜をシリコンエピタキシャル膜とすることで、相違点2に係る本願発明の特定事項に想到することは、当業者が容易になし得るものである。

(ウ) 相違点3について
気相成長装置において、基板の滑りを防止するべく支持台の基板載置部に滑りとめ加工を施すことは、例えば、特開2002-57209号公報の【0035】、【0049】、特開平8-8198号公報の【0001】、【0006】に記載されているように、本願の優先日前周知の技術である。ここで、引用発明は[1a]の【0010】、【0012】に記載されているように、基板が径方向にスライドすることでサセプタの凹部に接触してスティッキングが生じることを防止することを課題とするものであるから、当該課題をより効果的に解決するために、引用発明において上記周知の技術を適用することで、相違点3に係る本願発明の特定事項に想到することは、当業者が容易になし得るものである。

そして、上記相違点1?3に基づく本願発明の奏する作用効果も、引用文献1の記載事項と周知技術から予測できる範囲のものであり、格別なものではない。

カ 小括
以上のとおりであるから、本願補正発明は、引用文献1に記載された発明、及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第29条第2項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。

(4) まとめ
以上のとおりであるから、本件補正は、特許法第17条の2第5項で準用する同法第126条第5項の規定に違反するものであり、同法第159条第1項において読み替えて準用する同法第53条第1項の規定により却下すべきものである。

第3 本願発明について
1 本願発明
平成22年12月21日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の発明は、平成22年3月25日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項1?8に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、その請求項8に係る発明は、上記「第2 2 (1)」のAに示したとおりのものであり、以下、これを「本願発明」という。

2 原査定の拒絶理由の概要
原査定の理由の一つは、本願発明は、その優先日前に日本国内又は外国において頒布された引用文献1に記載された発明に基いて、その優先日前にその発明に属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第29条第2項の規定により特許を受けることができないとするものである。

3 引用文献1の記載事項及び引用発明
引用文献1の記載事項は、上記「第2 2 (3) イ」に示したとおりであり、引用文献1に記載された引用発明は、上記「第2 2 (3) ウ」に示したとおりのものである。

4 本願発明と引用発明との対比・判断
本願発明は、上記「第2 2 (3)」においてその独立特許要件を検討した本願補正発明に対して、「第2の凹部の底面には、滑りとめ加工が施されている」との発明特定事項が除外されたものであるから、本願発明と引用発明とを対比すると、両者は上記「第2 2 (3) エ」に示した相違点1、相違点2においてのみ相違し、その余の点で一致する。
そして、上記相違点1、相違点2についての判断は「第2 2 (3) オ」で述べたとおりであるから、本願発明も本願補正発明と同様に、引用文献1に記載された発明、及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。

第4 補足 - 審判請求人の主張について
審判請求人は、平成24年2月29日付けの審尋に対する同年4月27日付けの回答書の(3)において、審判請求時の補正後の請求項1、7を基に、独立項となる請求項1、7の内容に「第1の凹部の深さと第2の凹部の深さとを合わせた深さが、基板の厚さよりも小さい」と限定する補正をしたい旨主張し、以下の補正案を提示している。

(補正案)
【請求項1】 ? 【請求項6】 (略)
【請求項7】
チャンバ内には、支持台上に載置された基板が収容され、前記チャンバには成膜するためのガスを供給する第1の流路及びガスを排気する第2の流路が接続された気相成長装置において、
前記支持台には、凹み有する第1の凹部と、前記第1の凹部の底部にさらに凹みを有する第2の凹部が設けられ、前記第2の凹部の深さは、前記基板の厚さ分より浅く構成され、
前記支持台は、前記第2の凹部の底面で前記基板の裏面と接触して前記基板を支持すると共に前記基板面の中心線を軸に回転し、
前記支持台が前記基板面の中心線を軸に回転している状態で前記第2の凹部の底面で支持された前記基板上にシリコンエピタキシャル膜が形成され、
前記第2の凹部の底面には、滑りとめ加工が施され、
第1の凹部の深さと第2の凹部の深さとを合わせた深さが、基板の厚さよりも小さいことを特徴とする気相成長装置。

しかしながら、審尋は拒絶理由通知ではないから補正を行うことはできず、補正ができるのは原査定が維持できず、新たに拒絶理由が通知された場合に限られるところ、本件において原査定が維持できず、新たな拒絶理由を通知すべき事情を見出すことができない。
したがって本件について、さらなる補正の機会を与えることは相当でないといわざるをえない。
なお付言するに、仮に回答書に示す補正案を採用した場合でも、引用文献1には凹部の深さ(補正案における第1の凹部の深さと第2の凹部の深さとを合わせた深さ)と基板の厚さとの関係についての記載がなく、当該凹部の深さが基板の厚さよりも小さい場合を排除するものでなく、また、上記「第2 2 (3) オ (ア)」において例示した特開平10-163117号公報の【0006】、【図8】には、凹部の深さを基板の厚さよりも小さくする従来技術が記載されている点も考慮すれば、補正案の請求項7に係る発明が一見して特許性を有することが明白であるともいえない。
以上のとおりであるから、上記審判請求人の主張は採用できない。

第5 むすび
以上のとおり、本願発明は、引用文献1に記載された発明、及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第29条第2項の規定により特許を受けることができない。
したがって、その他の請求項に係る発明について検討するまでもなく本願は拒絶すべきものである。
よって、結論のとおり審決する。
 
審理終結日 2012-05-25 
結審通知日 2012-05-29 
審決日 2012-06-11 
出願番号 特願2006-110533(P2006-110533)
審決分類 P 1 8・ 121- Z (C30B)
P 1 8・ 575- Z (C30B)
最終処分 不成立  
前審関与審査官 伊藤 光貴  
特許庁審判長 松本 貢
特許庁審判官 中澤 登
田中 則充
発明の名称 気相成長装置及び気相成長方法  
代理人 須藤 章  
代理人 松山 允之  
代理人 池上 徹真  

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