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| 審決分類 |
審判 査定不服 5項独立特許用件 特許、登録しない。 H01L 審判 査定不服 2項進歩性 特許、登録しない。 H01L |
|---|---|
| 管理番号 | 1266386 |
| 審判番号 | 不服2011-5384 |
| 総通号数 | 157 |
| 発行国 | 日本国特許庁(JP) |
| 公報種別 | 特許審決公報 |
| 発行日 | 2013-01-25 |
| 種別 | 拒絶査定不服の審決 |
| 審判請求日 | 2011-03-09 |
| 確定日 | 2012-11-14 |
| 事件の表示 | 特願2006-508615号「多層フォトレジストのドライ現像のための方法及び装置」拒絶査定不服審判事件〔平成16年11月 4日国際公開、WO2004/095551、平成18年 9月28日国内公表、特表2006-522480号〕について、次のとおり審決する。 |
| 結論 | 本件審判の請求は、成り立たない。 |
| 理由 |
1.手続の経緯 本願は、2004年1月21日(パリ条約による優先権主張2003年3月31日、米国、2003年5月5日、米国、2003年8月14日、米国)を国際出願日とする出願であって、平成22年3月24日付けで手続補正がなされた後、平成22年11月2日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、平成23年3月9日に拒絶査定不服審判の請求がなされ、同時に手続補正がなされたものである。 2.平成23年3月9日付けの手続補正(以下「本件補正」という。)についての補正の却下の決定 [補正の却下の決定の結論] 平成23年3月9日付けの手続補正を却下する。 [理由] (1)本件補正後の本願発明 本件補正により、明細書の特許請求の範囲の請求項1は、 「プラズマ処理システム内で基板上の反射防止膜(ARC)をエッチングする方法であって、 アンモニア(NH_(3))及びパッシベーションガスを集合的に含有する1つ以上のガスを含んでいるプロセスガスを導入することと、 前記プラズマ処理システム内で、前記プロセスガスからプラズマを形成することと、 前記基板を前記プラズマにさらすこととを具備し、 前記パッシベーションガスは、C_(2)H_(4)、C_(2)H_(2)、C_(2)H_(6)、C_(3)H_(4)、C_(3)H_(6)、C_(3)H_(8)、C_(4)H_(6)、C_(4)H_(8)、C_(4)H_(10)、C_(5)H_(8)、C_(5)H_(10)、C_(6)H_(6)、C_(6)H_(10)及びC_(6)H_(12)のうちの少なくとも1つを含んでおり、 前記プロセスガスは、Oをガス分子に含む酸素含有ガスを除くガスである、方法。」 と補正された。 本件補正は、本件補正前の請求項1に記載した発明を特定するために必要な事項である「プロセスガス」について「プロセスガスは、Oをガス分子に含む酸素含有ガスを除くガスである」と限定するものであり、この補正は、平成18年法律第55号改正附則第3条第1項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第17条の2(以下単に「特許法第17条の2」という。)第4項第2号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とする補正に該当する。 そこで、本件補正後の請求項1に係る発明(以下「本願補正発明」という。)が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか(特許法第17条の2第5項において準用する同法第126条第5項の規定に違反しないか)について検討する。 (2)引用例 原査定の拒絶理由に引用された特開2001-345380号公報(以下「引用例1」という。)及び特開2003-51495号公報(以下「引用例2」という。)には、以下の技術事項が記載されている。(後述する引用発明の認定に関連する箇所に下線を付した。) a.引用例1 記載事項ア. 「【請求項31】所望の形状に表面加工を施された半導体基板上に、第1の低誘電率絶縁膜を形成する工程と、 前記第1の低誘電率絶縁膜上に第2の低誘電率絶縁膜を形成する工程と、 前記第2の低誘電率絶縁膜の上に第1のレジスト膜を形成し、露光・現像処理を施して第1のレジストパターンを形成する工程と、 前記第1のレジストパターンをマスクとして用いて前記第2の低誘電率絶縁膜に所望のヴィアホールを形成する工程と、 前記ヴィアホールが形成された第2の低誘電率絶縁膜上に、第3の低誘電率絶縁膜および第4の低誘電率絶縁膜を順次形成する工程と、 前記第4の低誘電率絶縁膜の上に第2のレジスト膜を形成し、露光・現像処理を施して第2のレジストパターンを形成する工程と、 前記第2のレジストパターンをマスクとして用いて、前記第3の低誘電率絶縁膜および前記第4の低誘電率絶縁膜に配線用溝を形成する工程と、 前記ヴィアホールが形成された前記第2の低誘電率絶縁膜をマスクとして用いて、前記第1の低誘電率絶縁膜にヴィアホールを形成する工程と、 前記ヴィアホールおよび前記配線用溝に金属を埋め込む工程と、 前記金属を研磨して埋め込み金属配線を形成する工程とを具備し、 前記第1、第2、第3および第4の低誘電率絶縁膜のうち、隣接する2つの低誘電率絶縁膜の材質は異なり、 前記第1の低誘電率絶縁膜および前記第2の低誘電率絶縁膜の少なくとも一方は、前記第1のレジストパターンを形成する際の露光波長に対して反射防止性を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 【請求項32】前記第1の低誘電率絶縁膜および第3の低誘電率絶縁膜は、第1および第2のレジストパターンを形成する露光波長に対して反射防止性を有することを特徴とする請求項31に記載の半導体装置の製造方法。」 記載事項イ. 「【0001】 【発明の属する技術分野】本発明は、積層配線の構造および形成方法に係り、特に低誘電率層間絶縁膜を用いた多層配線を有する半導体装置およびその製造方法に関する。」 記載事項ウ. 「【0086】(実施例II-1)図8および図9を参照して、本実施例について説明する。 【0087】まず、図8(a)に示すように、予め配線構造81が形成された下地基板80上に、ポリアリルエーテル樹脂(PAE樹脂)とメチルポリシロキサン膜とを塗布法により順次積層して、第1の低誘電率絶縁膜83と第2の低誘電率絶縁膜84とを形成する。その際の下地基板においては、図示するように、金属配線領域以外の領域にメチルポリシロキサン膜82が形成されている。 【0088】ここで、第1の低誘電率絶縁膜84(当審注:「83」の誤記と認められる。)を構成するPAE樹脂は、後の工程でヴィアパターンを形成するフォトレジストマスクの露光波長、例えば、AｒF露光装置では、193nmの波長に対して反射防止性を有している。すなわち、第1の低誘電率絶縁膜84(当審注:「83」の誤記と認められる。)は、露光波長に対して所望の屈折率、吸収率を有するように着色されている。したがって、本発明の方法においては、従来のように反射防止膜を別途形成する必要はない。 【0089】第2の低誘電率絶縁膜84上には、所望のレジストパターン85を形成する。レジストパターン85の形成に当たっては、まず、フォトレジスト膜を第2の低誘電率絶縁膜84上に形成し、所定の露光マスクを介して露光を施す。次いで、露光後のフォトレジスト膜に現像処理を施すことによって、所定のパターンを有するレジストパターン85が形成される。上述したように、第2の低誘電率絶縁膜は露光波長に対して反射防止性を有しているので、反射防止膜を形成することなく、微細なレジストパターンを形成することができる。したがって、反射防止膜を形成しない分だけ、工程を短縮することが可能となる。 【0090】次いで、このレジストパターン85をマスクとして用いて、C_(4)F_(8)/CO/Aｒ/O_(2)などの混合ガス系を用いたRIEにより、図8(b)に示すように第2の低誘電率絶縁膜84にヴィアホール86を形成する。その後、レジストパターン85を除去する。この際、第2の低誘電率絶縁膜84の下層に位置する第1の低誘電率誘電膜(PAE樹脂膜)83のサイドエッチングを抑制するために、RIE法によるレジスト剥離が効果的であった。 【0091】本実施例においては、レジストパターン85をマスクとして用いて加工されるのは、薄い第2の低誘電率絶縁膜84のみである。具体的には、この第2の低誘電率絶縁膜84の膜厚は、50?200nm程度であるので、レジストパターン85自体も200nm程度の薄さで形成することが可能である。 【0092】さらに、図8(c)に示すように、ヴィアホール86が形成された第2の低誘電率絶縁膜84上に、ポリアリルエーテル樹脂(PAE樹脂)とメチルポリシロキサン膜とを塗布法により順次積層して、第3の低誘電率絶縁膜87および第4の低誘電率絶縁膜88を形成する。その際、PAE樹脂はヴィアホール86内部に完全に充填されている必要はない。内部にボイドが形成されていても、あるいは図8(c)に示されるように100%完全に充填されていても、効果に大きな違いは見られなかった。 【0093】第4の低誘電率絶縁膜88上には、配線溝パターンを有するフォトレジストパターン89を形成する。上述したように、第3の低誘電率絶縁膜を構成しているPAE樹脂は、露光波長に対して反射防止性を有している。このため、反射防止膜を形成せずに所望の微細なレジストパターン89を形成でき、ここでも工程を短縮することができる。 【0094】次いで、このレジストパターン89をマスクとして用いて、図9(a)に示すような配線用溝90をRIEにより第4の低誘電率絶縁膜88に形成する。ここでのRIEの条件は、ヴィアホール86を加工した際のものと同様とすることができる。 【0095】その後、配線用溝90が形成された第4の低誘電率絶縁膜88をマスクとして用いて、第3の低誘電率絶縁膜87に配線用溝90をRIEにより形成し、さらに、ヴィアホール86が形成された第2の低誘電率絶縁膜84をマスクとして用いて、第1の低誘電率絶縁膜83にヴィアホール86をRIEにより形成する。ここでのエッチングガスとしては、O_(2)/N_(2)の混合ガス系を用いて、第1および第3の低誘電率絶縁膜83および87の加工と同時に、フォトレジストマスク89を剥離した。このガス系では、第1および第3の低誘電率絶縁膜83および87を構成するPAE樹脂と、第2および第4の低誘電率絶縁膜84および88を構成するメチルポリシロキサンとのエッチング選択比(エッチング速度比)は100倍以上あった。これら2種類の材料のエッチング選択比が、少なくとも5倍以上あれば、所望の寸法精度で第1および第3の低誘電率絶縁膜83および87を加工することが可能である。 【0096】さらに、金属を配線用溝90およびヴィアホール86に埋め込んだ後、CMPにより平坦化することによって、図9(c)に示すような1層分に対応する層間構造91が形成される。 【0097】以上説明したように、本実施例においては、着色された低誘電率絶縁膜を用いるので、レジストパターンを形成するための反射防止膜を形成する必要がない。このため、工程を短縮化することができる。しかも、レジストパターンをマスクとして加工される材料は、薄い低誘電率絶縁膜のみであるので、レジストマスク自体も薄膜化することができる。」 記載事項エ. 「【0102】また、第1および第3の低誘電率絶縁膜であるPAE樹脂のエッチングガスとしては、N_(2)/O_(2)ガスの混合ガスを用いたが、O_(2)、N_(2)、H_(2)、CH_(4)、SO_(2)、およびNH_(3)から選択された少なくとも2種類のガスが含まれているガス系であれば、同様の効果が得られる。」 記載事項オ. 【図8】本発明の半導体装置の製造方法を表わす工程断面図。  記載事項カ. 【図9】本発明の半導体装置の製造方法を表わす工程断面図。  記載事項ア.?カ.の記載内容からして、引用例1には、 「予め配線構造81が形成された下地基板80上に、ポリアリルエーテル樹脂(PAE樹脂)の第1の低誘電率絶縁膜83とメチルポリシロキサンの第2の低誘電率絶縁膜84とを形成し、第1の低誘電率絶縁膜83を構成するPAE樹脂は、後の工程でヴィアパターンを形成するフォトレジストマスクの露光波長に対して反射防止性を有するように着色されており、第2の低誘電率絶縁膜84上には、所望のレジストパターン85を形成し、このレジストパターン85をマスクとして用いて、RIEにより第2の低誘電率絶縁膜84にヴィアホール86を形成し、その後、レジストパターン85を除去し、ヴィアホール86が形成された第2の低誘電率絶縁膜84上に、露光波長に対して反射防止性を有しているポリアリルエーテル樹脂(PAE樹脂)の第3の低誘電率絶縁膜87とメチルポリシロキサンの第4の低誘電率絶縁膜88を形成し、第4の低誘電率絶縁膜88上には、配線溝パターンを有するフォトレジストパターン89を形成し、このレジストパターン89をマスクとして用いて、配線用溝90をRIEにより第4の低誘電率絶縁膜88に形成し、配線用溝90が形成された第4の低誘電率絶縁膜88をマスクとして用いて、第3の低誘電率絶縁膜87に配線用溝90をRIEにより形成し、ヴィアホール86が形成された第2の低誘電率絶縁膜84をマスクとして用いて、第1の低誘電率絶縁膜83にヴィアホール86をRIEにより形成する、低誘電率層間絶縁膜を用いた多層配線を有する半導体装置の製造方法において、第1および第3の低誘電率絶縁膜であるPAE樹脂のエッチングガスとしてO_(2)、N_(2)、H_(2)、CH_(4)、SO_(2)、およびNH_(3)から選択された少なくとも2種類のガスが含まれているガス系を用いる、第3の低誘電率絶縁膜87に配線用溝90を、第1の低誘電率絶縁膜83にヴィアホール86をRIEにより形成する方法。」 の発明(以下「引用発明」という。)が記載されていると認められる。 b.引用例2 記載事項キ. 「【請求項1】半導体素子の製造方法において、 所定工程が完了された基板上に被エッチング層を形成する第1ステップと、 前記被エッチング層上に低誘電率の犠牲膜およびハードマスクを順に形成する第2ステップと、 前記ハードマスク上に非反射膜およびフッ化アルゴンリソグラフィを利用して、フォトレジストパターンを順に形成する第3ステップと、 前記非反射膜および前記ハードマスクを選択的にエッチングして、前記ハードマスクエッチングの際にフォトレジストパターンを同時に除去する第4ステップと、 前記ハードマスクをマスクにして前記低誘電率の犠牲膜および被エッチング層をエッチングして、前記基板表面を露出させるコンタクト孔を形成する第5ステップと、 前記ハードマスクおよび低誘電率の犠牲膜を除去する第6ステップとを含んでなるコンタクト孔の形成方法。」 記載事項ク. 「【0001】 【発明の属する技術分野】この発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に、半導体装置におけるコンタクト孔の形成方法に関するものであって、低誘電率の犠牲膜を利用したフッ化アルゴン(AｒF)リソグラフィによるセルフアラインコンタクト孔の形成方法に関する。」 記載事項ケ. 「【0026】また、低誘電率の犠牲膜32は、FLARE(米国 Allied Signal Inc.により製造販売される商標名)、SILK(米国 Dｏｗ Chemical Cｏmｐanｙ により製造販売される商標名)、VELOX(米国 Schｕmacheｒ Cｏ.により製造販売される商標名)、BCB(ベンゾシクロブテン、benｚｏcｙclｏbｕｔene)、CYTOP(日本国の旭硝子(株)により製造販売される商標名)もしくは FLOWFILL(米国 PMT-Elecｔｒｏｔech 社により製造販売される商標名)などの低誘電率の有機物質、またはSiCなどを利用し、ハードマスク33は、5nm(50Å)?100nm(1000Å)の厚さの酸化膜系列の物質膜を用いる。それらの誘電体膜の比誘電率は、概ね2?3程度である。」 記載事項コ. 「【0035】次いで、図3に示すように、パターンがリソグラフィ処理されたハードマスク33をマスクにして低誘電率の犠牲膜32をエッチングすることによって、被エッチング層31の表面を露出させる。具体的には、低誘電率の犠牲膜32をエッチングする時、ハードマスク33に対して高いエッチング選択比を有するように、O_(2)、NO_(2)、NO、CO、CO_(2)、SO_(2)またはO_(2)などを単独または適切に混合したガスを主ガスとしてプラズマエッチングを行うが、エッチング時にエッチング断面を改善するため、NH_(3)、N_(2)H_(2)、C_(2)H_(2)またはC_(2)H_(4)などを適切に混合する。」 記載事項サ. 【図3】この発明の一実施例に係る半導体素子のコンタクト形成工程を示す断面図  (3)対比 本願補正発明と引用発明を対比する。 (a)引用発明の「予め配線構造81が形成された下地基板80」は、本願補正発明の「基板」に相当する。 引用発明の「下地基板80上に」「形成」された「フォトレジストマスクの露光波長に対して反射防止性を有するように着色されて」いる「ポリアリルエーテル樹脂(PAE樹脂)の第1の低誘電率絶縁膜83」及び「露光波長に対して反射防止性を有しているポリアリルエーテル樹脂(PAE樹脂)の第3の低誘電率絶縁膜87」は、本願補正発明の「基板上の反射防止膜(ARC)」に相当する。 そして、引用発明の「第3の低誘電率絶縁膜87」に形成される「配線用溝90」及び「第1の低誘電率絶縁膜83」に形成される「ヴィアホール86」は「RIE」により形成されるが、「RIE」とは反応性イオンエッチング(リアクティブイオンエッチング)のことであり、反応室内でエッチングガスをプラズマ化してエッチングを行うもの、すなわちプラズマ処理システム内でエッチングするものであることは明らかである。 そうすると、引用発明の「第3の低誘電率絶縁膜87に配線用溝90を、第1の低誘電率絶縁膜83にヴィアホール86をRIEにより形成する方法」は、本願補正発明の「プラズマ処理システム内で基板上の反射防止膜(ARC)をエッチングする方法」に相当するといえる。 (b)引用発明は、第1および第3の低誘電率絶縁膜であるPAE樹脂のエッチングガスとして「NH_(3)」が含まれ、かつNH_(3)以外の「O_(2)、N_(2)、H_(2)、CH_(4)、SO_(2)」から選択された少なくとも1種類のガスが含まれているガス系を用いる態様を包含しており、この引用発明の「NH_(3)」が含まれ、かつNH_(3)以外の「O_(2)、N_(2)、H_(2)、CH_(4)、SO_(2)」から選択された少なくとも1種類のガスが含まれているガス系を用いることと、本願補正発明の「アンモニア(NH_(3))及びパッシベーションガスを集合的に含有する1つ以上のガスを含んでいるプロセスガスを導入する」ことでは、「アンモニア(NH_(3))及びその他のガスを含有する1つ以上のガスを含んでいるプロセスガスを導入する」点で共通する。 そして、上記(a)で検討したように、引用発明の「RIE」とは反応性イオンエッチング(リアクティブイオンエッチング)のことであり、反応室内でエッチングガスをプラズマ化してエッチングを行うもの、すなわちプラズマ処理システム内でエッチングするものであることは明らかであり、エッチングの際に下地基板がプラズマにさらされることも明らかであるから、引用発明の「第3の低誘電率絶縁膜87に配線用溝90を、第1の低誘電率絶縁膜83にヴィアホール86をRIEにより形成する」ことは、本願補正発明の「前記プラズマ処理システム内で、前記プロセスガスからプラズマを形成することと、前記基板を前記プラズマにさらすこと」に相当する。 上記(a)、(b)に記載したことからして、本願補正発明と引用発明は、 「プラズマ処理システム内で基板上の反射防止膜(ARC)をエッチングする方法であって、アンモニア(NH_(3))及びその他のガスを含有する1つ以上のガスを含んでいるプロセスガスを導入することと、前記プラズマ処理システム内で、前記プロセスガスからプラズマを形成することと、前記基板を前記プラズマにさらすこととを具備する方法。」 である点で一致し、次の点で相違する。 相違点 アンモニア(NH_(3))及びその他のガスを含有する1つ以上のガスを含んでいるプロセスガスが、本願補正発明は、パッシベーションガスを含有しており、前記パッシベーションガスは、C_(2)H_(4)、C_(2)H_(2)、C_(2)H_(6)、C_(3)H_(4)、C_(3)H_(6)、C_(3)H_(8)、C_(4)H_(6)、C_(4)H_(8)、C_(4)H_(10)、C_(5)H_(8)、C_(5)H_(10)、C_(6)H_(6)、C_(6)H_(10)及びC_(6)H_(12)のうちの少なくとも1つを含んでおり、前記プロセスガスは、Oをガス分子に含む酸素含有ガスを除くガスであるのに対して、引用発明は、パッシベーションガスを含有しているのかどうかが明確でなく、Oをガス分子に含む酸素含有ガスを除くガスであるのかどうかも明確でない点。 (4)当審の判断 上記相違点について検討する。 上記「(3)対比」、「(b)」で述べたように、引用発明は、第1および第3の低誘電率絶縁膜であるPAE樹脂のエッチングガスとして「NH_(3)」が含まれ、かつNH_(3)以外の「O_(2)、N_(2)、H_(2)、CH_(4)、SO_(2)」から選択された少なくとも1種類のガスが含まれているガス系を用いる態様を包含している。そして、NH_(3)以外のガスとしてOをガス分子に含まないN_(2)、H_(2)、CH_(4)を選択することは当業者が適宜なし得ることである。また、引用例2には、半導体素子の製造方法において、低誘電率の有機物質からなる犠牲膜をエッチングする時に、エッチング断面を改善するため、主ガスにC_(2)H_(2)やC_(2)H_(4)などを適切に混合することが記載(記載事項ケ.及びコ.参照)されており、しかも、引用発明と引用例2に記載された発明は、いずれも有機物質からなる低誘電率の膜をエッチングする点で技術的に共通するものである。そして、引用発明に引用例2に記載されるエッチング断面を改善する技術を適用することに格別の阻害要因はないから、引用発明のプロセスガスにC_(2)H_(2)またはC_(2)H_(4)などを混合する技術を適用することは当業者であれば容易になし得ることである。したがって、上記相違点に係る本願補正発明の発明特定事項を得ることは当業者であれば容易になし得ることである。 また、本願補正発明の効果も、引用発明、引用例2に記載された発明から予測し得る範囲内のものであり、格別のものとは認め難い。 よって、本願補正発明は、引用発明及び引用例2に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第29条第2項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。 (5)むすび 以上のとおり、本件補正は、特許法第17条の2第5項において準用する同法第126条第5項の規定に違反するものであるから、同法第159条第1項において読み替えて準用する同法第53条第1項の規定により却下すべきものである。 3.本願発明について 平成23年3月9日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項1に係る発明は、平成22年3月24日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項1に記載された以下のとおりのものである。(以下同項記載の発明を「本願発明」という。) 「プラズマ処理システム内で基板上の反射防止膜(ARC)をエッチングする方法であって、 アンモニア(NH_(3))及びパッシベーションガスを集合的に含有する1つ以上のガスを含んでいるプロセスガスを導入することと、 前記プラズマ処理システム内で、前記プロセスガスからプラズマを形成することと、 前記基板を前記プラズマにさらすこととを具備し、 前記パッシベーションガスは、C_(2)H_(4)、C_(2)H_(2)、C_(2)H_(6)、C_(3)H_(4)、C_(3)H_(6)、C_(3)H_(8)、C_(4)H_(6)、C_(4)H_(8)、C_(4)H_(10)、C_(5)H_(8)、C_(5)H_(10)、C_(6)H_(6)、C_(6)H_(10)及びC_(6)H_(12)のうちの少なくとも1つを含んでいる方法。」 4.引用例 原査定の拒絶の理由に引用された引用例1、2の記載事項は、上記「2.」「(2)」に記載したとおりである。 5.対比・判断 本願発明は、上記「2.」で検討した本願補正発明から「プロセスガス」の限定事項である「プロセスガスは、Oをガス分子に含む酸素含有ガスを除くガスである」という事項を省いたものである。 そうすると、本願発明の発明特定事項を全て含み、さらに限定したものに相当する本願補正発明が、上記「2.」「(4)」に記載したとおり、引用発明及び引用例2に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用発明及び引用例2に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。 6.むすび 以上のとおり、本願発明は、引用発明及び引用例2に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第29条第2項の規定により特許を受けることができない。 よって、結論のとおり審決する。 |
| 審理終結日 | 2012-06-13 |
| 結審通知日 | 2012-06-19 |
| 審決日 | 2012-07-02 |
| 出願番号 | 特願2006-508615(P2006-508615) |
| 審決分類 |
P
1
8・
575-
Z
(H01L)
P 1 8・ 121- Z (H01L) |
| 最終処分 | 不成立 |
| 前審関与審査官 | 久保田 創 |
| 特許庁審判長 |
北川 清伸 |
| 特許庁審判官 |
吉川 陽吾 神 悦彦 |
| 発明の名称 | 多層フォトレジストのドライ現像のための方法及び装置 |
| 代理人 | 福原 淑弘 |
| 代理人 | 中村 誠 |
| 代理人 | 村松 貞男 |
| 代理人 | 福原 淑弘 |
| 代理人 | 白根 俊郎 |
| 代理人 | 河野 哲 |
| 代理人 | 村松 貞男 |
| 代理人 | 蔵田 昌俊 |
| 代理人 | 中村 誠 |
| 代理人 | 蔵田 昌俊 |
| 代理人 | 河野 哲 |
| 代理人 | 白根 俊郎 |