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審決分類 |
審判 査定不服 2項進歩性 特許、登録しない(前置又は当審拒絶理由) G21K |
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管理番号 | 1279803 |
審判番号 | 不服2012-17833 |
総通号数 | 167 |
発行国 | 日本国特許庁(JP) |
公報種別 | 特許審決公報 |
発行日 | 2013-11-29 |
種別 | 拒絶査定不服の審決 |
審判請求日 | 2012-09-12 |
確定日 | 2013-10-03 |
事件の表示 | 特願2006- 46350「電子線照射装置」拒絶査定不服審判事件〔平成19年 3月 1日出願公開、特開2007- 51996〕について、次のとおり審決する。 |
結論 | 本件審判の請求は、成り立たない。 |
理由 |
第1 手続きの経緯 本願は、平成18年2月23日(パリ条約による優先権主張、2005年8月19日、米国)の出願であって、平成24年6月12日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年9月12日に審判請求がなされ、同時に手続補正がなされたものである。その後、平成25年5月20日付けで当審による拒絶理由の通知がなされ、それに対して同年7月5日に意見書及び手続補正書が提出された。 第2 本願発明 本願の請求項1に係る発明(以下「本願発明」という。)は、平成25年7月5日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項1に記載された事項により特定される、次のとおりのものと認める。 「真空状態に保持されたチャンバと、前記チャンバの内部に配設された電子線を発生させ放出する電子放出素子とを備え、前記電子放出素子から放出された前記電子線を被照射物である多孔質のシリコン酸化膜が形成されたウェハに照射する電子線照射装置であって、 前記電子放出素子が、面状の電子放出面を有し、前記電子線を前記被照射物に面状に照射することが可能な面状電子放出素子であり、 前記被照射物が、前記チャンバの内部に配設されるとともに、前記チャンバ内における真空中において、前記面状電子放出素子から放出される前記電子線によって、直接、照射されるように構成され、 前記被照射物の前記チャンバ内における位置決めを行う位置決め手段をさらに備え、 前記面状電子放出素子が、誘電体で構成されたエミッタ部と、電子を放出するための駆動電圧が印加される第1の電極及び第2の電極と、を有し、前記第1の電極は、前記エミッタ部の第1の面に形成され、前記第2の電極は、前記エミッタ部の第2の面に形成され、少なくとも前記第1の電極は、前記エミッタ部が露出される複数の貫通孔を有し、前記貫通孔の平均径が、0.01?100μmで、且つ前記貫通孔の平均開孔率が、5?60%であり、前記第1の電極のうち、前記貫通孔の周部における前記エミッタ部と対向する面が、前記エミッタ部から離間しており、少なくとも前記エミッタ部の第1の面から前記貫通孔を通じて電子線を放出するように構成された電子線照射装置。」 第3 引用刊行物 1.引用文献1 当審の拒絶理由に引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である、特表2005-524983号公報(以下「引用文献1」という。)には、以下の事項が記載されている。 (1)「【0001】 [0001]発明の分野 [0002]本発明の実施形態は、集積回路の製造に関する。更に詳細には、本発明の実施形態は、基板上に誘電体層を堆積するためのプロセスに関する。」 (2)「【0005】 ・・・ 発明の概要 [0008]本発明の実施形態は、一般的には、基板上に低誘電率膜を堆積する方法に関する。本方法は、化学気相堆積チャンバ内でケイ素、炭素、酸素、水素を備えている低誘電率膜を堆積させること含んでいる。本方法は、更に、低誘電率膜の硬度を高めるのに十分な条件で低誘電率膜を電子ビームに晒すことを含んでいる。」 (3)「【0034】 [0044]本明細書に記載される実施形態のいずれにおいても、低誘電率膜が堆積された後、好ましくは電子ビーム(eビーム)で膜が処理される。電子ビーム処理の線量は、典型的には約1?20キロエレクトロンボルト(KeV)で約50?約2000マイクロクーロン/平方センチメートル(μc/cm^(2))である。eビーム処理は、典型的にはほぼ室温から約450℃の間の温度で約1?約15分間、例えば、約2分間作動させる。好ましくは、eビーム処理は、約400℃で約2分間行われる。一態様においては、eビーム処理条件は、400℃で4.5kV、1.5mA、500μc/cm^(2)を含んでいる。アルゴン又は水素は、電子ビーム処理の間存在してもよい。あらゆるeビームデバイスを用いることができるが、具体的な一デバイスはアプライドマテリアルズ社から入手できるEBKチャンバである。低誘電率膜が堆積された後に電子ビームで低誘電率膜を処理すると、膜中の有機基の少なくとも一部を揮発し、膜中にボイドを形成する。揮発することができる有機基は、本明細書に記載される前駆物質の有機成分、例えば、炭化水素成分が不飽和炭素-炭素結合を1つ以上有する有機ケイ素化合物、又は本明細書に記載される脂肪族炭化水素の炭化水素成分に由来する。膜中にボイドを形成すると膜の誘電率を低下させると考えられる。好ましくは、高い温度が揮発する有機基を膜の中へ十分に組込むことを防止すると考えられるので、150℃より高い温度で膜を堆積しない。 【0035】 [0045]具体的なeビームチャンバとプロセスの詳細を、更に本明細書に記載する。基板は、真空破壊、又は真空中、即ち、いかなる真空破壊も含まずに搬送することができる。図2は、本発明の実施形態のeビームチャンバ200を示す図である。eビームチャンバ200は、真空チャンバ220、大面積カソード222、フィールドフリー領域238に位置するターゲット面230、ターゲット面230と大面積カソード222間に位置するグリッドアノード226を含んでいる。eビームチャンバ200は、更に、大面積カソード222からグリッドアノード226を絶縁する高電圧絶縁体224、真空チャンバ220の外側に位置するカソードカバー絶縁体228、真空チャンバ220内部の圧力を制御する可変リークバルブ232、大面積カソード222に接続される可変高圧電源229、グリッドアノード226に接続された可変低圧電源231を含んでいる。」 (4)「【0038】 [0048]動作中、電子ビーム(図示されていない)に晒される基板は、ターゲット面230上に載置される。真空チャンバ220は、大気圧から約1mTorr?約200mTorrの範囲の圧力までポンプで送られる。正確な圧力は、可変量リークバルブ232によって制御され、これは約0.1mTorrまで圧力を制御することができる。電子ビームは、一般的には、十分な高電圧で生成され、高圧電源229によって大面積カソード222に加えられる。電圧は、約-500ボルト?約30,000ボルト以上の範囲にあってもよい。高圧電源229は、ニューヨーク州ヒックビルのBertanから製造されたBertanモデル#SL30N-1200X 258、又はニューヨーク州HauppaugeのSpellman High Voltage Electron Corp.から製造されたSpellmanモデル#SL30N-1200X 258であってもよい。可変低圧電源231は、大面積カソード222に加えられた電圧に相対して正のグリッドアノード226に電圧を加える。この電圧は、大面積カソード222からの電子放出を制御するために用いられる。可変低圧電源231は、ペンシルバニア州イーストンのAcopainから入手できるAcopianモデル#150PT12電源であってもよい。 【0039】 [0049]電子放出を開始するために、グリッドアノード226とターゲット面30の間のフィールドフリー領域238内ガスはイオン化されなければならず、天然に存在するガンマ線の結果として起こってもよい。電子放出は、高電圧スパークギャップにより真空チャンバ220の内部に人工的に開始することができる。一旦この最初のイオン化が起こると、正イオン342(図3に示される)がグリッドアノード226に加えられた弱い負電圧によって、即ち、約0?約-200ボルト程度でグリッドアノード226に引きつけられる。大面積カソード222とグリッドアノード226の間に配置された加速電界領域236にこれらの正イオン342が進み、大面積カソード222に加えられる高電圧の結果として大面積カソード222に向かって加速する。大面積カソード222にぶつかる際に、これらの高エネルギーイオンは、二次電子344を生じ、グリッドアノード226と逆に加速する。カソード表面にほぼ垂直進むこれらの電子344の一部は、グリッドアノード226にぶつかるが、これらの電子344の多くはグリッドアノード226を通過し、ターゲット面230へ進む。グリッドアノード226は、好ましくは大面積カソード222によって放出された電子の平均自由行程未満の距離に位置する。例えば、グリッドアノード226は、好ましくは大面積カソード222から約4mm未満に位置している。グリッドアノード226と大面積カソード222との間の短い距離のために、全くないか、あっても最小限のイオン化が、グリッドアノード226と大面積カソード222の間の加速電界領域236に起こる。」 (5)「【図2】 ![]() 」 (6)「【図3】 ![]() 」 これらの記載事項を含む引用文献1全体の記載及び当業者の技術常識を総合すれば、引用文献1には、以下の発明(以下「引用発明」という。)が記載されているものと認められる。 「真空チャンバ(220)内に配置されたターゲット面(230)上に載置される、上面に低誘電率膜を堆積した基板を電子ビームに晒す装置であって、 大面積カソード(222)とグリッドアノード(226)を有し、大面積カソードから生じた二次電子(344)がグリッドアノードを通過し、ターゲット面へ進む構成の装置 。」 2.引用文献2 同じく、当審の拒絶理由に引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である、特開2005-142134号公報(以下「引用文献2」という。)には、以下の事項が記載されている。 (1)「【0041】 以上説明したように、本発明に係る電子放出素子によれば、高い電界集中を容易に発生させることができ、しかも、電子放出箇所を多くすることができ、電子放出について高出力、高効率を図ることができ、低電圧駆動(低消費電力)も可能となる。」 (2)「【0044】 先ず、本実施の形態に係る電子放出装置は、ディスプレイとしての用途のほか、電子線照射装置、光源、LEDの代替用途、電子部品製造装置、電子回路部品に適用することができる。 【0045】 電子線照射装置における電子線は、現在普及している紫外線照射装置における紫外線に比べ、高エネルギーで吸収性能に優れる。適用例としては、半導体装置では、ウェハーを重ねる際における絶縁膜を固化する用途、印刷の乾燥では、印刷インキをむらなく硬化する用途や、医療機器をパッケージに入れたまま殺菌する用途等がある。」 (3)「【0050】 先ず、第1の実施の形態に係る電子放出素子10Aは、図1に示すように、誘電体で構成された板状のエミッタ部(エミッタとなる物質)12と、該エミッタ部12の第1の面(例えば上面)に形成された第1の電極(例えば上部電極)14と、エミッタ部12の第2の面(例えば下面)に形成された第2の電極(例えば下部電極)16と、上部電極14と下部電極16との間に、駆動電圧Vaを印加するパルス発生源18とを有する。 【0051】 上部電極14は、エミッタ部12が露出される複数の貫通部20を有する。特に、エミッタ部12の表面は、誘電体の粒界による凹凸22が形成されており、上部電極14の貫通部20は、前記誘電体の粒界における凹部24に対応した部分に形成されている。図1の例では、1つの凹部24に対応して1つの貫通部20が形成される場合を示しているが、複数の凹部24に対応して1つの貫通部20が形成される場合もある。エミッタ部12を構成する誘電体の粒径は、0.1μm?10μmが好ましく、さらに好ましくは2μm?7μmである。図1の例では、誘電体の粒径を3μmとしている。 【0052】 さらに、この第1の実施の形態では、図2に示すように、上部電極14のうち、貫通部20の周部26におけるエミッタ部12と対向する面26aが、エミッタ部12から離間している。つまり、上部電極14のうち、貫通部20の周部26におけるエミッタ部12と対向する面26aとエミッタ部12との間にギャップ28が形成され、上部電極14における貫通部20の周部26が庇状(フランジ状)に形成された形となっている。」 (4)「【0054】 さらに、この第1の実施の形態では、貫通部20の形状、特に、図3に示すように、上面から見た形状は孔32の形状であって、例えば円形状、楕円形状、トラック状のように、曲線部分を含むものや、四角形や三角形のように多角形状のものがある。図3の例では、孔32の形状として円形状の場合を示している。 【0055】 この場合、孔32の平均径は、0.1μm以上、10μm以下としている。この平均径は、孔32の中心を通るそれぞれ異なる複数の線分の長さの平均を示す。」 (5)「【0093】 なお、孔32の平均径が0.1μm未満の場合、電子を蓄積する領域が狭くなり、放出される電子の量が少なくなる。もちろん、孔32を多数設けることも考えられるが、困難性を伴い、製造コストが高くなるという懸念がある。孔32の平均径が10μmを超えると、エミッタ部12の前記貫通部20から露出した部分のうち、電子放出に寄与する部分(第2の部分)42の割合(占有率)が小さくなり、電子の放出効率が低下する。」 (6)「【図1】 ![]() 」 (7)「【図2】 ![]() 」 (8)「【図3】 ![]() 」 第4 対比・判断 1.対比 本願発明と、引用発明を比較する。 (1)引用発明の「真空チャンバ」、「電子ビーム」、「大面積カソードとグリッドアノード」、「基板」及び「電子ビームに晒す装置」は、それぞれ本願発明の「真空状態に保持されたチャンバ」、「電子線」、「電子線を発生させ放出する電子放出素子」、「被照射物」及び「電子線照射装置」に相当する。 (2)引用発明の「大面積カソードとグリッドアノード」が「面状の電子放出面を有し、電子線を被照射物に面状に照射することが可能」であることは自明であり、また、引用発明が、真空チャンバ内における真空中において、大面積カソードとグリッドアノードから放出される電子線によって、基板が直接照射されるように構成されていることも自明である。 (3)引用発明において、ターゲット面上に基板を載置する際に位置決めを行う必要があることは当業者の技術常識であり、引用発明が基板の位置決め手段を備えることは自明である。 したがって両者は、 「真空状態に保持されたチャンバと、前記チャンバの内部に配設された電子線を発生させ放出する電子放出素子とを備え、前記電子放出素子から放出された前記電子線を被照射物に照射する電子線照射装置であって、 前記電子放出素子が、面状の電子放出面を有し、前記電子線を前記被照射物に面状に照射することが可能な面状電子放出素子であり、 前記被照射物が、前記チャンバの内部に配設されるとともに、前記チャンバ内における真空中において、前記面状電子放出素子から放出される前記電子線によって、直接、照射されるように構成され、 前記被照射物の前記チャンバ内における位置決めを行う位置決め手段をさらに備える、 電子線照射装置 。」 の点で一致し、以下の各点で相違している。 (相違点1) 被照射物が、本願発明では「多孔質のシリコン酸化膜が形成されたウェハ」であるのに対して、引用発明では「上面に低誘電率膜を堆積した基板」である点。 (相違点2) 電子放出素子が、本願発明では「誘電体で構成されたエミッタ部と、電子を放出するための駆動電圧が印加される第1の電極及び第2の電極と、を有し、前記第1の電極は、前記エミッタ部の第1の面に形成され、前記第2の電極は、前記エミッタ部の第2の面に形成され、少なくとも前記第1の電極は、前記エミッタ部が露出される複数の貫通孔を有し、前記貫通孔の平均径が、0.01?100μmで、且つ前記貫通孔の平均開孔率が、5?60%であり、前記第1の電極のうち、前記貫通孔の周部における前記エミッタ部と対向する面が、前記エミッタ部から離間しており、少なくとも前記エミッタ部の第1の面から前記貫通孔を通じて電子線を放出するように構成された」のに対して、引用発明では「大面積カソードとグリッドアノード」で構成されている点。 2.判断 上記各相違点について検討する。 (相違点1について) 引用発明は集積回路の製造に関するものであり、特に基板上の低誘電率膜の硬度を高める発明である(上記摘記事項1.(1)、(2)参照)。また、本願の優先日時点において、集積回路基板として「多孔質のシリコン酸化膜が形成されたウェハ」は周知のものであって、しかも当該基板を、膜の硬度を高めるために電子線照射に晒すこともよく知られた周知技術である(特開2005-64516号公報参照)。これらのことを考慮すれば、引用発明の「上面に低誘電率膜を堆積した基板」として「多孔質のシリコン酸化膜が形成されたウェハ」を選択することにより、上記相違点1に係る構成を採用することは当業者が容易になしうる事項である。 (相違点2について) 上記引用文献2の記載事項(上記摘記事項2.参照)及び当業者の技術常識を総合すれば、上記引用文献2には、 「誘電体で構成されたエミッタ部と、電子を放出するための駆動電圧が印加される第1の電極及び第2の電極と、を有し、前記第1の電極は、前記エミッタ部の第1の面に形成され、前記第2の電極は、前記エミッタ部の第2の面に形成され、少なくとも前記第1の電極は、前記エミッタ部が露出される複数の貫通孔を有し、前記貫通孔の平均径が0.1μm以上、10μm以下であり、前記第1の電極のうち、前記貫通孔の周部における前記エミッタ部と対向する面が、前記エミッタ部から離間しており、少なくとも前記エミッタ部の第1の面から前記貫通孔を通じて電子線を放出するように構成された電子放出素子。」(以下「引用2発明」という。)が記載されている。 引用発明の電子放出素子として、大面積カソードとグリッドアノードに代えて公知の上記引用2発明の電子放出素子を用いることに格別の技術的困難性も阻害要因もない。 そして、引用2発明の「貫通孔の平均径が0.1μm以上、10μm以下であり」という事項と本願発明の「貫通孔の平均径が、0.01?100μm」という事項は、引用2発明の範囲で一致している。 また、その平均開孔率をどの程度に設定するかは、必要な電子流の大きさや密度、放出効率や製造コスト等の種々の要因を総合的に勘案して当業者が適宜決定しうる事項である。 しかも、引用文献2の各図面を含む全体の記載を参酌すると、引用2発明の当該平均開孔率を5?60%とすることに、格別の困難性も阻害要因も見当たらない。 さらに、本願明細書又は図面の記載を参酌しても、平均開孔率が5?60%であることが、従来のものと比べて格別のものであるとする根拠もない。 してみると、引用発明に引用2発明を適用し、上記相違点2に係る構成を採用することは、当業者が容易になしうる事項である。 (作用・効果) そして、本願発明の作用・効果も、引用発明、引用2発明及び周知技術に基き、当業者が予測しうる範囲のものであって、格別なものではない。 したがって、本願発明は、引用発明、引用2発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。 第5 むすび 以上のとおり、本願発明は、引用発明、引用2発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第29条第2項の規定により特許を受けることができないから、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は、拒絶されるべきものである。 よって、結論のとおり審決する。 |
審理終結日 | 2013-08-01 |
結審通知日 | 2013-08-06 |
審決日 | 2013-08-19 |
出願番号 | 特願2006-46350(P2006-46350) |
審決分類 |
P
1
8・
121-
WZ
(G21K)
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最終処分 | 不成立 |
前審関与審査官 | 村川 雄一 |
特許庁審判長 |
神 悦彦 |
特許庁審判官 |
伊藤 昌哉 土屋 知久 |
発明の名称 | 電子線照射装置 |
代理人 | 渡邉 一平 |