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審決分類 審判 査定不服 2項進歩性 特許、登録しない。 H01J
審判 査定不服 1項3号刊行物記載 特許、登録しない。 H01J
審判 査定不服 特17条の2、3項新規事項追加の補正 特許、登録しない。 H01J
管理番号 1282069
審判番号 不服2012-14994  
総通号数 169 
発行国 日本国特許庁(JP) 
公報種別 特許審決公報 
発行日 2014-01-31 
種別 拒絶査定不服の審決 
審判請求日 2012-08-03 
確定日 2013-11-28 
事件の表示 特願2008- 12494「炭素膜」拒絶査定不服審判事件〔平成21年 8月 6日出願公開、特開2009-176509〕について、次のとおり審決する。 
結論 本件審判の請求は、成り立たない。 
理由 第1.手続の経緯
特許出願: 平成20年1月23日
手続補正: 平成24年4月13日(以下、「補正1」という。)
拒絶査定: 平成24年4月26日(送達日:同年5月8日)
拒絶査定不服審判の請求: 平成24年8月3日
手続補正: 平成24年8月3日(以下、「本件補正」という。)
審尋 : 平成25年5月10日(発送日:同年5月14日)
審尋に対する回答書: 平成25年7月12日


第2.補正却下の決定

[補正却下の決定の結論]
本件補正(平成24年8月3日付け手続補正)を却下する。

[理由]
1.補正の内容
本件補正によって、特許請求の範囲の請求項1及び明細書の発明の詳細な説明の段落【0010】は、以下のように補正された。

(補正前)
「 【請求項1】
電界電子放出用材料としての炭素膜であって、基板上に曲線状に繋がる壁が電子放出点の配置間隔を制約する壁として網目状に成膜され、この網目状の壁に囲まれた領域内に先端が電子放出点となるカーボンナノチューブを上記網目状の壁の高さよりも高く成膜されており、
上記カーボンナノチューブには、その膜下部から膜先端近傍に至りまとわる形態で広がるように壁状の膜が成膜され、この壁状の膜により上記カーボンナノチューブが基板上に支持されかつ該電極基板との電気的コンタクトをとっている、炭素膜。」

「 【0010】
本発明による炭素膜は、電界電子放出用材料としての炭素膜であって、基板上に曲線状に繋がる壁が電子放出点の配置間隔を制約する壁として網目状に成膜され、この網目状の壁に囲まれた領域内に先端が電子放出点となるカーボンナノチューブを上記網目状の壁の高さよりも高く成膜されており、上記カーボンナノチューブには、その膜下部から膜先端近傍に至りまとわる形態で広がるように壁状の膜が成膜され、この壁状の膜により上記カーボンナノチューブが基板上に支持されかつ該電極基板との電気的コンタクトをとっているものである。」

(補正後)
「 【請求項1】
電界電子放出用材料としての炭素膜であって、基板上に曲線状に繋がる壁が電子放出点の配置間隔を制約する壁として網目状に成膜され、この網目状の壁に囲まれた領域内に先端が電子放出点となるカーボンナノチューブを上記網目状の壁の高さよりも高く成膜されており、
上記カーボンナノチューブには、その膜下部から膜先端に至りまとわる形態で広がるように壁状の膜が成膜され、この壁状の膜により上記カーボンナノチューブが基板上に支持されかつ該電極基板との電気的コンタクトをとっている、炭素膜。」(下線は補正箇所)

「 【0010】
本発明による炭素膜は、電界電子放出用材料としての炭素膜であって、基板上に曲線状に繋がる壁が電子放出点の配置間隔を制約する壁として網目状に成膜され、この網目状の壁に囲まれた領域内に先端が電子放出点となるカーボンナノチューブを上記網目状の壁の高さよりも高く成膜されており、上記カーボンナノチューブには、その膜下部から膜先端に至りまとわる形態で広がるように壁状の膜が成膜され、この壁状の膜により上記カーボンナノチューブが基板上に支持されかつ該電極基板との電気的コンタクトをとっているものである。」(下線は補正箇所)

2.判断
上記補正は、カーボンナノチューブに、「膜下部から膜先端近傍に至りまとわる形態で広がるように壁状の膜が成膜され」ていた構成を、「膜下部から膜先端に至りまとわる形態で広がるように壁状の膜が成膜され」ると変更するものであって、その下部から先端近傍まで壁状の膜が設けられるとしていたカーボンナノチューブに対し、更に、先端近傍から先端部までにわたる壁状の膜を追加するようにした補正であるといえる。
しかしながら、カーボンナノチューブの先端近傍から先端部までにわたって、まとわる形態で広がるように壁状の膜が成膜された構成は、本願の出願当初の明細書、特許請求の範囲及び図面(以下、「当初明細書等」という。)には記載も示唆もされていない。
当初明細書等に記載されているものは、「その膜下部から膜先端近傍に至りまとわる形態で広がるように壁状の膜が成膜され」たカーボンナノチューブであり、これは当初明細書等の段落【0014】において、

「膜下部から膜中途において、・・・膜中途とは、カーボンナノチューブの先端近傍にまで含むことができるものであり、また、カーボンナノチューブの半分以下の高さも含むことができるものであり、具体的に限定されるものではない。この膜下部から膜中途とは本発明を実施するうえで、本発明が意図する効果を達成することができる位置を含むものである。」

と明記されているとおりである。
この点について、請求人は審判請求書において、

「請求項1の「膜下部から膜先端に至り」の補正の根拠は[0014]、図9です。」

「また、引用文献1の[0007]には、「膜中途とは針状の膜の先端近傍にまで含むことができるものであり」との記載があります。しかしながら、針状の膜の先端近傍にまでとの記載があるのみで、図9の炭素膜の電子顕微鏡写真からも明らかなように、壁状の膜は針状の膜の先端にまでは達して成膜されておりません。
これに対して、本願の図9の炭素膜の電子顕微鏡写真には、壁状の膜がカーボンナノチューブの先端にまで達して成膜されており、引用文献1とは構成が相違しております。」

と主張している。
しかしながら、まず、上記補正の根拠としている段落【0014】の記載は、「膜中途とは、カーボンナノチューブの先端近傍にまで含むことができるものであり」というものであって、カーボンナノチューブの先端部にまで壁状の膜を設けることを何ら開示するものではない。また、当初明細書等の図9に示された電子顕微鏡写真によれば、カーボンナノチューブの先端が、壁状の膜から突出していない(すなわち、壁状の膜がカーボンナノチューブの最先端にまで達して成膜されている)ようにも見えるが、この点は、顕微鏡写真の倍率に依存するから、この図9に示された電子顕微鏡写真をもって、壁状の膜がカーボンナノチューブの最先端にまで達して成膜されていることの根拠とはならない。上記引用文献1の図9に示された電子顕微鏡写真には確かに、壁状の膜から突出している先端が見て取れるが、当初明細書等の図9に示された顕微鏡写真に比べ、明らかに倍率が大きいから、両者を単純に比較することは妥当でない。
そして、

a.壁状の膜の形成領域に関する、当初明細書等の記載(上記の段落【0014】や図9の説明である段落【0037】、及び図1ないし図4)のいずれもが、カーボンナノチューブの先端までではなく、先端近傍までの壁状の膜の形成を示していること、

b.当初明細書等の図9を拡大してよくみると、その先端部の二股形状のうち、向かって左側のものには、先端に細い突出部が形成されているようにも見える白い筋が観察できること、

c.そもそも、電子放出源としてカーボンナノチューブを採用する理由の一つは、高いアスペクト比形状によって電界集中が得られるとの特性を活かすものであり、事実、当初明細書等においてもそのように記載されている(段落【0006】「特に、炭素膜の電子放出源としての重要な性能の一つに電界集中があり、そのため、アスペクト比が高いカーボンナノチューブ等のカーボンファイバを・・・」、段落【0008】「・・・アスペクト比が高く1つの電子放出特性が高いにもかかわらず、」、段落【0020】「本発明の場合では、カーボンナノチューブの直径が極めて細く、かつ、アスペクト比が大きく、・・・電界集中は上記カーボンナノチューブに起こるようになっている。」)ところ、本件補正のように、そのカーボンナノチューブの最先端部を、導体である壁状の膜により覆うような構造をとることは、技術常識に反するものであること、

を併せ考慮すると、当初明細書等の図9の記載を根拠に、本件補正に係る「カーボンナノチューブには、その膜下部から膜先端に至りまとわる形態で広がるように壁状の膜が成膜され」ている構成を読み取ることができるとは到底認められない。
してみると、本件補正は、当初明細書等の記載を総合することによって導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入するものである。
したがって、本件補正は、願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものとはいえない。

3.結語
以上のとおり、本件補正は、特許法第17条の2第3項の規定に違反するものであるから、同法第159条第1項において読み替えて準用する特許法第53条第1項の規定により却下されるべきものである。


第3.本願について
1.本願発明
本件補正は前記のとおり却下されたので、本願の請求項1に係る発明は、補正1によって補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項1に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、その請求項1に係る発明は次のとおりである。

「 【請求項1】
電界電子放出用材料としての炭素膜であって、基板上に曲線状に繋がる壁が電子放出点の配置間隔を制約する壁として網目状に成膜され、この網目状の壁に囲まれた領域内に先端が電子放出点となるカーボンナノチューブを上記網目状の壁の高さよりも高く成膜されており、
上記カーボンナノチューブには、その膜下部から膜先端近傍に至りまとわる形態で広がるように壁状の膜が成膜され、この壁状の膜により上記カーボンナノチューブが基板上に支持されかつ該電極基板との電気的コンタクトをとっている、炭素膜。」(以下「本願発明」という。)

2.原査定の拒絶理由
原査定の拒絶の理由1は、本願発明は、その出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開2007-48603号公報(以下、「引用例」という。)に記載された発明であるから、特許法第29条第1項第3号に該当し、特許を受けることができない、というものである。

3.引用例記載の事項・引用発明
これに対して引用例には、「炭素膜、電子放出源およびフィールドエミッション型の照明ランプ」(発明の名称)に関し、次の事項(a)ないし(c)が図面とともに記載されている。

(a)
「【0002】
・・・このフィールドエミッション型の照明ランプは、陽極と陰極との間に電界を印加して陰極から電子を放出しこの放出した電子を陽極側の蛍光体に衝突させて該蛍光体を励起発光させる照明ランプである。この種の照明ランプとしては、陰極に電子放出源として炭素膜を用いたものがあるが、・・・この炭素膜にはバックライトとして電力消費を低く抑えることができる一方で要求される輝度レベルを充足することができる電子放出特性を備えた炭素膜を得ることができるには至っていない。」

(b)
「【0007】
膜下部から膜中途において、・・・膜中途とは、針状の膜の先端近傍にまで含むことができるものであり、また、針状の膜の半分以下の高さも含むことができるものであり、具体的に限定されるものではない。この膜下部から膜中途とは本発明を実施するうえで、本発明が意図する効果を達成することができる位置を含むものである。」

(c)
「【0021】
これらの図において、基板2上に成膜技術、例えば、直流プラズマCVD法により、曲線状に繋がって連続した、網目状の壁(膜)4が成膜される。この基板2にはシリコンウエハ、石英ガラス、等の基板がある。この基板2では基板表面に金属膜あるいは導電性膜を設けたものでもよい。あるいは、基板2はアルミニウム等の金属製の基板でもよい。基板2には矩形あるいは円形等の各種形状を備えた基板あるいはワイヤ状の基板でもよい。この炭素膜の用途には、種々あり、炭素膜が有する強度を利用した補強材料、炭素膜の導電性を利用した電気配線等に用いる電気材料、炭素膜の電子放出特性を利用した電子エミッタ等に用いる電子材料がある。そのうち、電子エミッタは不純物が混入されないことが好ましい。電子エミッタは、直径や長さ、および性能を制御可能であることが重要である。
【0022】
基板2に連続的に成膜してなる壁4は、平面方向から見た場合、全体がほぼ網目状になっている。この壁4の高さ(h)はほぼ10nm以下の程度であり、この壁4の幅(W)は4nmないし8nm程度である。この壁4で囲まれた基板2上の領域6は、針状に伸びその先端が電界集中して電子を放出する電子放出点となる炭素膜8が成膜される領域となる。この領域6は、壁4で囲まれていることにより、各領域6内それぞれに成膜される電子放出点の相互の間隔を制約ないしは規定することができるようになっている。
【0023】
この領域6には、成膜技術、例えば、直流プラズマCVD法により、先端が電子放出点となる針状の膜8が成膜される。この針状の膜8は、上記網目状の壁4の高さ(h)よりも高い高さ(H)、例えば、60μm程度に成膜される。この針状の膜8は、平行に対向する平行平板電極間において一方の電極上に配置された矩形基板に対して該矩形基板に垂直ないしはほぼ垂直に均等に電界を印加して成膜したり、あるいは、円筒形のコイルの中心に該コイルの長手方向に沿って配置された断面円形をなす導電性ワイヤに対して該導電性ワイヤの外周面全周に均等に電界を印加して成膜するものであるから、矩形基板の基板面にはほぼ垂直に配向することができ、導電性ワイヤの外周面には半径方向に配向することができる。
【0024】
この針状の膜8には、成膜技術、例えば、直流プラズマCVD法により、その膜下部から膜中途に至りまとわる形態で広がるように壁状の膜10が成膜される。この壁状の膜10は、針状の膜8を基板2上に支持するとともに基板2との電気的コンタクトをとることができるものである。この壁状の膜10の側面から見た形状は概ね裾広がりの形状をなしている。この形状は、例えば、円錐形状になっている。ただし、後記するSEM写真で示すように、幾何学的に完全な円錐形を意味するものではなく、理解し易い表現として説明していて、実際はSEM写真に示すように壁状の膜10は横広がり状態、螺旋状態、等の各種の形状となっている。いずれにしても、この壁状の膜10は、基板2に対して広い底面積で接触することにより、針状の膜8を基板2に機械的に強固に支持することができるとともに、基板2に対する針状の膜8の電気的コンタクトを十分に確保することができる。」

上記記載(a)ないし(c)、及び図面の図1ないし4の記載から、引用例には、次の発明が記載されていると認められる。

「陽極との間に電界を印加して電子を放出する陰極としての炭素膜であって、基板上に曲線状に繋がる壁が電子放出点の相互の間隔を制約する壁として網目状に成膜され、この網目状の壁に囲まれた領域内に先端が電子放出点となる針状の膜を上記網目状の壁の高さよりも高く成膜されており、
上記針状の膜には、その膜下部から膜先端近傍に至りまとわる形態で広がるように壁状の膜が成膜され、この壁状の膜は上記針状の膜を基板上に支持することができるとともに、該基板との電気的コンタクトを確保することができる、炭素膜」(以下「引用発明」という。)

4.対比・判断
本願発明と引用発明とを、主たる構成要件毎に、順次対比する。

まず、引用発明における「陽極との間に電界を印加して電子を放出する陰極としての炭素膜」は、本願発明における「電界電子放出用材料としての炭素膜」に相当し、引用発明における「電子放出点の相互の間隔」は、本願発明における「電子放出点の配置間隔」に相当する。
また、引用例には「この基板2では基板表面に金属膜あるいは導電性膜を設けたものでもよい。」とあるから、引用発明における「基板」は、本願発明における「基板」又は「電極基板」に相当する。
次に、引用発明における「針状の膜」なる用語について検討する。引用例には、この「針状の膜」に関し、背景技術として次の記載がある。

「【0002】
・・・しかしながら、カーボンナノチューブでは、アスペクト比が極めて大きいために基板上に機械的に支持しにくく、かつ、基板上で倒れ込み易いために照明ランプの電子放出源としての安定性が低く、また、カーボンナノチューブに電流を流し込むために必要な基板との電気的コンタクトがとりにくいために照明ランプの電子放出源として必要な電子放出特性を得難く、さらに、カーボンナノチューブが多数密集すると、アスペクト比が高く1つの電子放出特性が高いにもかかわらず、全体としては電界集中が起こりにくく、電子放出特性が損なわれ易い。」

以上の記載からみて、引用発明における「針状の膜」が、カーボンナノチューブを意味するものであることが明らかである。
したがって、引用発明における「この網目状の壁に囲まれた領域内に先端が電子放出点となる針状の膜を上記網目状の壁の高さよりも高く成膜されており、上記針状の膜には、その膜下部から膜先端近傍に至りまとわる形態で広がるように壁状の膜が成膜され、この壁状の膜は上記針状の膜を基板上に支持することができるとともに、該基板との電気的コンタクトを確保することができる」という構成は、本願発明における「この網目状の壁に囲まれた領域内に先端が電子放出点となるカーボンナノチューブを上記網目状の壁の高さよりも高く成膜されており、上記カーボンナノチューブには、その膜下部から膜先端近傍に至りまとわる形態で広がるように壁状の膜が成膜され、この壁状の膜により上記カーボンナノチューブが基板上に支持されかつ該電極基板との電気的コンタクトをとっている」という構成に相当する。

してみると、本願発明と引用発明との間に実質的な相違点はなく、本願発明は、引用例に記載された発明である。

5.請求人の主張について
審判請求人は、審判請求書及び審尋に対する回答書において、概略、以下のように主張しているので、検討する。

(1)請求人の主張の概要
「本願請求項1のように、膜の成膜がカーボンナノチューブの膜先端まで至る構成とすることで、上記の効果がより顕著なものとなります。
すなわち、カーボンナノチューブの基板上での姿勢がより一層安定化し、電子を安定して放出することができ、また複数のカーボンナノチューブそれぞれの成膜方向がより一層揃い易くなり、この面からも複数のカーボンナノチューブそれぞれからの電子放出量が基板全体にわたり均一にすることができ、フィールドエミッション型の照明ランプ全体において蛍光体を励起発光させる電子量が均一になって発光輝度を照明ランプ全体で均一化し、輝度むらをより一層低減することができます。」

(2)当審による検討
請求人の上記主張は、却下された本件補正の請求項1の記載に基づくものであって、これを採用する余地はない。
また、カーボンナノチューブの最先端部に膜を追加することによって、上記主張のように、「カーボンナノチューブの基板上での姿勢がより一層安定化」したり、その「成膜方向がより一層揃い易く」なったりするものとも認められない。
したがって、審判請求人の主張は採用できない。

6.むすび
以上のとおり、本願発明は、引用例に記載された発明であるから、特許法第29条第1項第3号に該当し、特許を受けることができず、したがって、本願は拒絶すべきものである。

よって、結論のとおり審決する。
 
審理終結日 2013-09-24 
結審通知日 2013-10-01 
審決日 2013-10-15 
出願番号 特願2008-12494(P2008-12494)
審決分類 P 1 8・ 113- Z (H01J)
P 1 8・ 121- Z (H01J)
P 1 8・ 561- Z (H01J)
最終処分 不成立  
前審関与審査官 山口 剛  
特許庁審判長 飯野 茂
特許庁審判官 中塚 直樹
関根 洋之
発明の名称 炭素膜  
代理人 岡田 和秀  
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