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| 審決分類 |
審判 査定不服 特17 条の２ 、４ 項補正目的 取り消して特許、登録 H01L 審判 査定不服 2項進歩性 取り消して特許、登録 H01L |
|---|---|
| 管理番号 | 1285694 |
| 審判番号 | 不服2013-15416 |
| 総通号数 | 173 |
| 発行国 | 日本国特許庁(JP) |
| 公報種別 | 特許審決公報 |
| 発行日 | 2014-05-30 |
| 種別 | 拒絶査定不服の審決 |
| 審判請求日 | 2013-08-09 |
| 確定日 | 2014-04-01 |
| 事件の表示 | 特願2008-119212「ナノ領域埋め込み誘電体層、その層を含むメモリ装置及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成21年 6月18日出願公開,特開2009-135404,請求項の数(15)〕について,次のとおり審決する。 |
| 結論 | 原査定を取り消す。 本願の発明は,特許すべきものとする。 |
| 理由 |
第1 手続の経緯 本願は,平成20年4月30日(パリ条約に基づく優先権主張 2007年4月30日,大韓民国)の出願であって,平成25年1月11日付けで拒絶理由が通知され,これに対して,同年4月3日に意見書及び手続補正書が提出されたが,同年4月19日付けで拒絶査定がされたところ,これに対して,同年8月9日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに,同日付けで手続補正がされ,その後同年10月11日付けで審尋がされ,それに対して平成26年2月17日に回答書が提出されたものである。 第2 補正の却下の決定 [補正の却下の決定の結論] 平成25年8月9日付けの手続補正を却下する。 [理由] 1 本件補正の内容 平成25年8月9日付けの手続補正(以下「本件補正」という。)は,補正前の特許請求の範囲の請求項1?6,7?13,14?15の内,請求項1?6,7?13を削除し,請求項14?15を補正後の請求項1,2とするとともに,新たに補正後の請求項1を引用する請求項3?6及び補正後の請求項6を引用する請求項7を加入するものである。 2 補正の目的の適否について 新たな請求項3?7を加入することを含む本件補正は,特許法第17条の2第5項第1号の請求項の削除,同法第17条の2第5項第2号の請求項の限定的減縮,同法第17条の2第5項第3号の誤記の訂正,同法第17条の2第5項第4号の明りょうでない記載の釈明のいずれを目的とするものでもない。 3 補正の却下の決定についてのむすび 以上のとおり,本件補正は,特許法第17条の2第5項において準用する同法第126条第5項の規定に適合しないものであるから,特許法第159条第1項で読み替えて準用する同法第53条第1項の規定により却下されるべきものである。 第3 本願発明 本件補正は上記のとおり却下されたので,本願の請求項1?15に係る発明は,平成25年4月3日付けの手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて,その特許請求の範囲1?15に記載されている事項により特定されるとおりのものである。 そして,本願については,原査定の理由を検討してもその理由によって拒絶すべきものとすることはできない。 また,他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。 よって,結論のとおり審決する。 |
| 審決日 | 2014-03-18 |
| 出願番号 | 特願2008-119212(P2008-119212) |
| 審決分類 |
P
1
8・
57-
WY
(H01L)
P 1 8・ 121- WY (H01L) |
| 最終処分 | 成立 |
| 前審関与審査官 | 井出 和水 |
| 特許庁審判長 |
池渕 立 |
| 特許庁審判官 |
小野田 誠 西脇 博志 |
| 発明の名称 | ナノ領域埋め込み誘電体層、その層を含むメモリ装置及びその製造方法 |
| 代理人 | 服部 雅紀 |