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| 審決分類 |
審判 査定不服 2項進歩性 特許、登録しない。 H05B |
|---|---|
| 管理番号 | 1289063 |
| 審判番号 | 不服2013-3522 |
| 総通号数 | 176 |
| 発行国 | 日本国特許庁(JP) |
| 公報種別 | 特許審決公報 |
| 発行日 | 2014-08-29 |
| 種別 | 拒絶査定不服の審決 |
| 審判請求日 | 2013-02-25 |
| 確定日 | 2014-06-18 |
| 事件の表示 | 特願2007-538032「半導体ナノクリスタルを含む発光デバイス」拒絶査定不服審判事件〔平成18年12月21日国際公開、WO2006/135435、平成20年 5月29日国内公表、特表2008-518401〕について、次のとおり審決する。 |
| 結論 | 本件審判の請求は、成り立たない。 |
| 理由 |
第1 手続の経緯 本願は、平成17年10月21日(パリ条約による優先権主張2004年10月22日、2004年11月22日、米国)を国際出願日とする出願であって、平成24年3月12日に手続補正がなされたが、同年10月4日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成25年2月25日に拒絶査定に対する審判請求がなされたものである。 第2 本願発明の特許性 1.本願発明 本願の請求項1に係る発明(以下「本願発明」という。)は、平成24年3月12日付けの手続補正で補正された、特許請求の範囲の請求項1に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。 「アプリケータの表面上に複数のコロイド成長させた半導体ナノクリスタルを付置するステップと、 前記アプリケータの前記表面を、第一電極を含む基板に接触させ、それにより前記複数のコロイド成長させた半導体ナノクリスタルの少なくとも一部を前記基板に転写するステップと、 前記第一電極に向かい合わせて第二電極を配置するステップと を含む、発光デバイス形成方法。」 2.引用刊行物及び該刊行物に記載の発明 (1)引用文献1 原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である、国際公開第2003/084292号(以下「引用文献1」という。)には、以下の事項が記載されている。 なお、原査定の拒絶理由では、引用文献1を国際公開第2003/084192号と誤記しているが、拒絶理由において、引用文献1の日本語ファミリー文献である特表2005-522005号公報を参考として併記し、記載内容の引用も当該ファミリー文献から行っていること、及び、審判請求書の記載によれば、請求人が当該誤記を認識するとともに、上記ファミリー文献の記載に基づいて反論していることから、引用文献1を上記のとおりの文献と認定し、以下の記載内容は上記ファミリー文献の記載を援用した。 (a)「【請求項49】 層を形成するようにマトリックスを配置すること; 第一電極の上に、複数の半導体ナノクリスタルを配置すること;及び 該複数の半導体ナノクリスタルの上に、第二電極を配置することを含む、発光デバイスの製造方法。」 (b)「【請求項61】 該半導体ナノクリスタルが、ZnS、ZnSe、ZnTe、CdS、CdSe、CdTe、HgS、HgSe、HgTe、AlN、AlP、AlAs、AlSb、GaN、GaP、GaAs、GaSb、GaSe、InN、InP、InAs、InSb、TlN、TlP、TlAs、TlSb、PbS、PbSe、及びPbTeからなる群から選択される、少なくとも一種の物質を含む、請求項49に記載の方法。」 (c)「【0004】 本発明は、半導体ナノクリスタルを含む、発光デバイスを提供する。」 (d)「【0013】 発光デバイスは、図1に示すような構造である、第一電極2、該電極2に接触している第一層3、該層3に接触している第二層4、及び該第二層に接触している第二電極5を有することができる。第一層3を、正孔輸送層とすることができ、かつ第二層4を、電子輸送層とすることができる。少なくとも一つの層を、非重合性とすることができる。代わりに、分離した発光層(図1には示していない。)を、該正孔輸送層と該電子輸送層との間に含ませることができる。該構造の電極の一つが、基板1に接触している。各電極を、該構造に渡って電圧を供給するように電源と接触させることができる。ヘテロ構造に渡って、適切な極性の電圧を印加させる場合、該へテロ構造の発光層により、エレクトロルミネッセンスを生じさせることができる。第一層3は、複数の半導体ナノクリスタル(例えば、ナノクリスタルの実質的な単分散集団)を含むことができる。代わりに、分離した発光層は、該複数のナノクリスタルを含むことができる。ナノクリスタルを含む層を、ナノクリスタルの単層とすることができる。」 (e)「【0018】 該ナノクリスタルを形成する半導体には、II-VI族の化合物、II-V族の化合物、III-VI族の化合物、III-V族の化合物、IV-VI族の化合物、I-III-VI族の化合物、II-IV-VI族の化合物、及びII-IV-V族の化合物、例えば、ZnS、ZnSe、ZnTe、CdS、CdSe、CdTe、HgS、HgSe、HgTe、AlN、AlP、AlAs、AlSb、GaN、GaP、GaAs、GaSb、GaSe、InN、InP、InAs、InSb、TlN、TlP、TlAs、TlSb、PbS、PbSe、PbTe、又はこれらの混合物がある。 【0019】 単分散半導体ナノクリスタルの調製方法は、高温の配位溶媒に注入される、ジメチルカドニウムのような有機金属試薬の熱分解を含む。これにより、不連続な核形成を減少させ、かつナノクリスタルを顕微鏡的な量に制御された成長をもたらす。ナノクリスタルの調製、及び操作は、例えば、米国特許第6,322,901号(その全体を引用により取り込んでいる。)に記載されている。ナノクリスタルの該製造方法は、コロイド成長プロセスである。コロイドの成長は、高温の配位溶媒中に、Mドナー、及びXドナーを迅速に注入することによって生じる。該注入は、ナノクリスタルを形成するように、制御された様式で成長され得る核を生成する。該反応混合物は、該ナノクリスタルを成長、及びアニールさせるように、穏やかに加熱することができる。一のサンプル中において、該ナノクリスタルの平均サイズ、及びサイズ分布の双方は、成長温度に依存する。安定した成長を維持するために必要な該成長温度は、平均結晶サイズの増加に伴って、増加する。該ナノクリスタルは、ナノクリスタルの集団のメンバーである。不連続な核形成、及び制御された成長の結果として、得られたナノクリスタルの該集団は、直径の狭い単分散分布を有する。該直径の該単分散分布を、また、サイズと呼ぶことができる。核形成に続く、該配位溶媒中での該ナノクリスタルの制御された成長、及びアニーリングのプロセスは、また、均一の表面誘導、及び規則的なコア構造を生じさせることができる。該サイズ分布が鋭くなるにつれて、該温度を、安定した成長を維持するために引き上げることができる。より多くのMドナー、又はXドナーを添加することにより、該成長期間を短縮することができる。」 (f)「【0037】 半導体ナノクリスタルを含む、電気的に励起される分子有機構造は、効果的なエレクトロルミネッセンスを示す、有機発光デバイスを形成することができる。図3中に示されているトリオクチルホスフィンオキシド(TOPO)キャップで不動態化された、コア-シェル型ナノクリスタルの概略図とともに、発光デバイスの図を図2Aに示す。Murrayらの合成的技法(J. Am. Chem. Soc. 115, 8706 (1993)(その全体を引用により取り込んでいる。))により、調製することができるナノクリスタル溶液は、548 nmの吸収極大を有し、562 nmのピークの発光スペクトルを有する。該CdSeコアの直径は、約38 Åであり、かつZnSの1.5単分子層でオーバーコーティングされている。このデバイス調製において使用する、該ナノクリスタルの溶液の光ルミネッセンス効率は、30 %である。該オーバーコーティングの厚さを、1から6単分子層に増加することにより、直径48 ÅのCdSeコアナノクリスタルのエレクトロルミネッセンス効率は、ほとんど2つの要因により増加し、該ナノクリスタル溶液の光ルミネッセンス効率の増加よりも大きい。従って、該放射する半導体ナノクリスタル中の励起子の移動は、一旦、該ナノクリスタルが励起されると、発光効率の増加とともに、タンデムで増加しているようである。この結果は、これらのデバイスにおいて、支配的なナノクリスタル励起機構が、隣接する有機分子からの励起子エネルギー移動であることを示している。該ナノクリスタルを、N,N'-ジフェニル-N,N'-ビス(3-メチルフェニル)-(1,1'-ビフェニル)-4,4'-ジアミン(TPD)のクロロホルム溶液に、様々な濃度で混合し、次いで、ITOで覆われたきれいなガラス基板上にスピン-コートし、40 nm厚の膜を得る。次いで、Tris(8-ヒドロキシキノリン)アルミニウム(Alq_(3))の40 nm厚の膜を、該TPD:ナノクリスタルの層上に、熱的に蒸着させ、かつ50 nmのAgキャップを有する、直径1mm、厚さ75 nmのMg:Ag陰極(質量10:1)でキャップする。成長の間、スピン-コーティング、及びデバイスの取扱いを、湿気、及び酸素の含有量が5 ppm未満のである乾燥窒素環境下で行う。すべての測定を、空気中で行う。」 (g)「【図1】  」 これらの記載事項を含む引用文献1全体の記載及び当業者の技術常識を総合すれば、引用文献1には、以下の発明が記載されている。 「第一電極の上に、複数の半導体ナノクリスタルを配置すること;及び 該複数の半導体ナノクリスタルの上に、第二電極を配置することを含む、発光デバイスの製造方法であって、 該ナノクリスタルの製造方法は、コロイド成長プロセスであり、 該ナノクリスタルを、N,N'-ジフェニル-N,N'-ビス(3-メチルフェニル)-(1,1'-ビフェニル)-4,4'-ジアミン(TPD)のクロロホルム溶液に混合し、次いで、第一電極であるITOで覆われたきれいなガラス基板上にスピン-コートし、次いで、Tris(8-ヒドロキシキノリン)アルミニウム(Alq_(3))の膜を、該TPD:ナノクリスタルの層上に熱的に蒸着させ、かつ第二電極であるMg:Ag陰極でキャップする、 発光デバイスの製造方法。」(以下「引用発明」という。) (2)引用文献2 同じく、原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である、特開2001-76873号公報(以下「引用文献2」という。)には、以下の事項が記載されている。 (a)「【0001】 【発明の属する技術分野】本発明は半導体素子(半導体薄膜を用いた素子、代表的には薄膜トランジスタ)を基板上に作り込んで形成されたEL(エレクトロルミネッセンス)表示装置に代表される電気光学装置及びその電気光学装置を表示ディスプレイとして有する電子装置(電子機器)に関する。特にそれらの作製方法に関する。」 (b)「【0005】上記EL層の形成方法としては様々な方法が提案されている。例えば、真空蒸着法、スパッタ法、スピンコート法、ロールコート法、キャスト法、LB法、イオンプレーティング法、ディッピング法、インクジェット法などが挙げられる。 【0006】 【発明が解決しようとする課題】本発明は、EL層の製造コストを低減することを課題とし、安価なEL表示装置を提供することを課題とする。そして、それを表示用ディスプレイとして有する電子装置(電子機器)の製品コストを低減することを課題とする。 【0007】 【課題を解決するための手段】上記課題を達成するために、本発明ではEL層を印刷法により形成することを特徴とする。印刷法としては、凸版印刷法又はスクリーン印刷法を用いることができるが、特に凸版印刷法が好ましい。ここで本発明において凸版印刷法を用いる場合について図1を用いて説明する。 【0008】図1に示したのは、本発明で用いる凸版印刷用装置の一部である。図1において、110はアニロックスロール、111はドクターバー(ドクターブレードともいう)であり、ドクターバー111によりEL材料と溶媒との混合物(以下、EL形成物という)112がアニロックスロール110の表面付近に溜められている。なお、ここでいうEL材料とは蛍光性有機化合物であり、一般的に正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層もしくは電子注入層と呼ばれている有機化合物を指す。 【0009】アニロックスロール110の表面には図1(B)に示すようにメッシュ状の溝(以下、メッシュという)110aが設けられており、矢印Aの方向に回転することでメッシュ110aがEL形成物112を表面に保持していく。なお、アニロックスロール110の表面に図示された点線はEL形成物が保持されていることを意味している。 【0010】そして、113は印刷ロール、114は凸版であり、凸版114はエッチング等により表面に凹凸が形成されている。この様子を図1(C)に示す。図1(C)の場合、1枚の基板上に複数枚のEL表示装置を作製するために凸版114には画素部用パターン114aが複数箇所に形成されている。さらに、画素部用パターン114aを拡大すると、複数の画素に対応する位置に凸部114bが形成されている。 【0011】前述のアニロックスロール110は回転しながらメッシュ110aにEL形成物112を保持し続ける。一方、印刷ロール113は矢印Bの方向に回転し、凸版114の凸部114bのみがメッシュ110aと接触する。この時、凸部114bの表面にEL形成物112が塗布される。 【0012】そして、印刷ロール113と同じ速度で水平移動(矢印Cの方向)する基板115と凸部114bが接した箇所にEL形成物112が印刷される。これにより基板115上にはEL形成物112がマトリクス状に配列された状態で印刷されることになる。」 (c)「【0067】但し、以上の例は本発明のEL材料として用いることのできる有機EL材料の一例であって、これに限定する必要はまったくない。本発明ではEL材料と溶媒との混合物を印刷して、溶媒を気化させて除去することによりEL層を形成する。従って、溶媒を気化させる際にEL層のガラス転移温度を超えない組み合わせであれば如何なるEL材料を用いても良い。 【0068】代表的には溶媒としてクロロフォルム、ジクロロメタン、γブチルラクトン、ブチルセルソルブ又はNMP(N-メチル-2-ピロリドン)といった有機溶媒を用いても良いし、水を用いても良い。また、EL形成物の粘度を上げるための添加剤を加えることも有効である。」 (d)「【0200】〔実施例10〕 実施例1ではEL層として有機EL材料を用いることが好ましいとしたが、本発明は無機EL材料を用いても実施できる。但し、現在の無機EL材料は非常に駆動電圧が高いため、アナログ駆動を行う場合には、そのような駆動電圧に耐えうる耐圧特性を有するTFTを用いなければならない。」 (e)「【図1】  」 3.対比 本願発明と引用発明を対比する。 (1)引用発明の「第一電極」及び「第二電極」は、それぞれ本願発明の「第一電極」及び「第二電極」に相当する。 したがって、引用発明の「第一電極であるITOで覆われたきれいなガラス基板」は本願発明の「第一電極を含む基板」に相当する。 (2)引用発明の「半導体ナノクリスタル」はコロイド成長プロセスで製造されているから、本願発明の「コロイド成長させた半導体ナノクリスタル」に相当する。 (3)引用発明が本願発明の「第一電極に向かい合わせて第二電極を配置するステップ」に相当するステップを有することは自明である。 (4)引用発明の「該ナノクリスタルを、N,N'-ジフェニル-N,N'-ビス(3-メチルフェニル)-(1,1'-ビフェニル)-4,4'-ジアミン(TPD)のクロロホルム溶液に混合し、次いで、第一電極であるITOで覆われたきれいなガラス基板上にスピン-コート」するステップと、本願発明の「アプリケータの表面を、第一電極を含む基板に接触させ、それにより複数のコロイド成長させた半導体ナノクリスタルの少なくとも一部を基板に転写するステップ」は、ともに「第一電極を含む基板に複数のコロイド成長させた半導体ナノクリスタルの少なくとも一部を形成するステップ」で共通する。 (6)引用発明の「発光デバイスの製造方法」は本願の発明の「発光デバイス形成方法」に相当する。 そうすると、両者は、 「第一電極を含む基板に複数のコロイド成長させた半導体ナノクリスタルの少なくとも一部を形成するステップと、 前記第一電極に向かい合わせて第二電極を配置するステップと を含む、発光デバイス形成方法。」 の点で一致し、次の点で相違している。 (相違点) 第一電極を含む基板に複数のコロイド成長させた半導体ナノクリスタルの少なくとも一部を形成するステップが、本願発明では「アプリケータの表面上に複数のコロイド成長させた半導体ナノクリスタルを付置するステップと、前記アプリケータの前記表面を、第一電極を含む基板に接触させ、それにより前記複数のコロイド成長させた半導体ナノクリスタルの少なくとも一部を前記基板に転写するステップ」からなるのに対して、引用発明では「ナノクリスタルを、N,N'-ジフェニル-N,N'-ビス(3-メチルフェニル)-(1,1'-ビフェニル)-4,4'-ジアミン(TPD)のクロロホルム溶液に混合し、次いで、第一電極であるITOで覆われたきれいなガラス基板上にスピン-コートするステップ」からなる点。 4.判断 上記相違点について検討する。 引用文献2を参照すれば、本願の優先日時点で、エレクトロルミネッセンス成分を挟んで対向するように配置した電極間に電圧を印加することによって発光する構造の発光デバイスの形成方法において、製造コスト低減のために、従来のスピンコート法に代えて、アプリケータの表面上に付置したエレクトロルミネッセンス成分を該アプリケータの表面を基板に接触させることにより基板に転写する方法は、周知技術である(上記摘記事項(2)(b)、(e)参照)。 当該転写する方法も、従来のスピンコート法も、ともにその工程で同様の溶媒を用いる技術(上記摘記事項(1)(f)及び(2)(c)参照)であり、しかも、引用文献2に示唆されている(上記摘記事項(2)(d)参照)とおり、当該転写する方法は無機ELにも適用可能なものである。 そして、本願発明の「半導体ナノクリスタル」の一例として記載されている「ZnS」が無機ELのエレクトロルミネッセンス成分として用いられることは、当業者の技術常識である。 これらの事実を総合的に勘案すれば、引用発明に上記周知技術の転写する方法を用いることによって、上記相違点2に係る構成を採用することは、当業者が容易になしうる事項である。 また、本願発明全体の効果も、引用発明及び周知技術から当業者が予測し得る範囲のものであって格別なものではない。 したがって、本願発明は、引用発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。 第3 むすび 以上のとおり、本願発明は、引用発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第29条第2項の規定により特許を受けることができないから、本願は、拒絶されるべきものである。 よって、結論のとおり審決する。 |
| 審理終結日 | 2014-01-08 |
| 結審通知日 | 2014-01-14 |
| 審決日 | 2014-01-27 |
| 出願番号 | 特願2007-538032(P2007-538032) |
| 審決分類 |
P
1
8・
121-
Z
(H05B)
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| 最終処分 | 不成立 |
| 前審関与審査官 | 素川 慎司 |
| 特許庁審判長 |
神 悦彦 |
| 特許庁審判官 |
北川 清伸 土屋 知久 |
| 発明の名称 | 半導体ナノクリスタルを含む発光デバイス |
| 代理人 | 石川 徹 |