• ポートフォリオ機能


ポートフォリオを新規に作成して保存
既存のポートフォリオに追加保存

  • この表をプリントする
PDF PDFをダウンロード
審決分類 審判 査定不服 5項独立特許用件 特許、登録しない。 H01L
審判 査定不服 1項3号刊行物記載 特許、登録しない。 H01L
管理番号 1291871
審判番号 不服2013-8723  
総通号数 179 
発行国 日本国特許庁(JP) 
公報種別 特許審決公報 
発行日 2014-11-28 
種別 拒絶査定不服の審決 
審判請求日 2013-05-13 
確定日 2014-09-10 
事件の表示 特願2008-508843「2元のIII族窒化物をベースとする高電子移動度トランジスタおよびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成18年11月 9日国際公開,WO2006/118670,平成20年11月13日国内公表,特表2008-539587〕について,次のとおり審決する。 
結論 本件審判の請求は,成り立たない。 
理由 第1 手続の経緯
本願は,2006年3月15日(パリ条約による優先権主張外国庁受理2005年4月29日,米国)を国際出願日とする出願であって,平成24年1月31日付けで拒絶理由が通知され,同年8月3日に手続補正がされ,平成25年1月8日に拒絶査定がされ,これに対して同年5月13日に審判請求がされるとともに同日に手続補正がされたものである。
その後,同年8月13日付けで審尋がされ,平成26年2月17日に回答書が提出された。

第2 補正の却下の決定

[補正の却下の決定の結論]
平成25年5月13日にされた手続補正(以下「本件補正」という。)を却下する。

[理由]
1 本件補正の内容
本件補正は,特許請求の範囲を補正するものであり,本件補正の前後で特許請求の範囲は以下のとおりである。

〈補正前〉
「【請求項1】
第1の2元のIII族窒化物バリヤ層と,
前記第1のバリヤ層の上の2元のIII族窒化物チャネル層と,
前記チャネル層上の第2の2元のIII族窒化物バリヤ層と,
を備えた高電子移動度トランジスタ(HEMT)であって,
前記第1のバリヤ層は,第1のドープした2元のIII族窒化物領域を備えており,
前記HEMTが,前記第1のドープした2元のIII族窒化物領域と前記チャネル層との間に配置される,第1のアンドープ2元のIII族窒化物層を更に備えたことを特徴とするHEMT。
【請求項2】
前記第2のバリヤ層が,前記2元のIII族窒化物チャネル層に隣接して,第1のドープした2元のIII族窒化物領域を備えたことを特徴とする,請求項1に記載のHEMT。
【請求項3】
前記第1のドープした2元のIII族窒化物領域と前記チャネル層との間に配置される,アンドープ2元のIII族窒化物層を更に備えたことを特徴とする,請求項2に記載のHEMT。
【請求項4】
前記第2のバリヤ層は,前記2元のIII族窒化物チャネル層に隣接して,第2のドープした2元のIII族窒化物領域を備えたことを特徴とする,請求項1に記載のHEMT。
【請求項5】
前記第2のドープした2元のIII族窒化物領域と前記チャネル層との間に配置される,第2のアンドープ2元のIII族窒化物層を更に備えたことを特徴とする請求項4に記載のHEMT。
【請求項6】
前記第1のバリヤ層がAlN層を含み,前記チャネル層がGaN層を含み,前記第2のバリヤ層がAlN層を含んで構成されることを特徴とする請求項1に記載のHEMT。
【請求項7】
前記第1のバリヤ層は1nmから1mmの範囲の厚さをもち,前記チャネル層は0.3nmから10nmの範囲の厚さをもち,前記第2のバリヤ層は0.5nmから50nmの範囲の厚さをもつことを特徴とする請求項6に記載のHEMT。
【請求項8】
前記第1のAlNバリヤ層と前記GaNチャネル層との間に配置される,第1のドープしたAlN層を更に備えたことを特徴とする請求項6に記載のHEMT。
【請求項9】
前記第1のドープしたAlN層は,SiドープしたAlN層を含んで構成されることを特徴とする請求項8に記載のHEMT。
【請求項10】
前記第1のドープしたAlN層は,0.2nmから10nmの範囲の厚さをもつことを特徴とする請求項8に記載のHEMT。
【請求項11】
前記第1のドープしたAlN層は,1×10^(17)cm^(-3)から1×10^(21)cm^(-3)の範囲のドーパント濃度をもつことを特徴とする請求項8に記載のHEMT。
【請求項12】
前記第1のドープしたAlN層と前記GaNチャネル層との間に配置される,第1のアンドープAlN層を更に備えたことを特徴とする請求項8に記載のHEMT。
【請求項13】
前記第1のアンドープAlN層は,0.3nmから5nmの範囲の厚さをもつことを特徴とする請求項12に記載のHEMT。
【請求項14】
前記第2のAlNバリヤ層と前記GaNチャネル層との間に配置される,第2のドープしたAlN層を更に備えたことを特徴とする請求項8に記載のHEMT。
【請求項15】
前記第2のドープしたAlN層は,SiドープしたAlN層を含んで構成されたことを特徴とする請求項14に記載のHEMT。
【請求項16】
前記第2のドープしたAlN層は,0.2nmから10nmの範囲の厚さをもつことを特徴とする請求項14に記載のHEMT。
【請求項17】
前記第2のドープしたAlN層は,1×10^(17)cm^(-3)から1×10^(21)cm^(-3)の範囲のドーパント濃度をもつことを特徴とする請求項14に記載のHEMT。
【請求項18】
前記第2のドープしたAlN層と前記GaNチャネル層との間に配置される,第2のアンドープAlN層を更に備えたことを特徴とする請求項14に記載のHEMT。
【請求項19】
前記第2のアンドープAlN層は,0.3nmから5nmの範囲の厚さをもつことを特徴とする請求項18に記載のHEMT。
【請求項20】
前記第2のAlNバリヤ層と前記GaNチャネル層との間に配置される,ドープしたAlN層を更に備えたことを特徴とする請求項6に記載のHEMT。
【請求項21】
前記ドープしたAlN層は,SiドープしたAlN層を含んで構成されることを特徴とする請求項20に記載のHEMT。
【請求項22】
前記ドープしたAlN層は,0.2nmから10nmの範囲の厚さをもつことを特徴とする請求項20に記載のHEMT。
【請求項23】
前記ドープしたAlN層は,1×10^(17)cm^(-3)から1×10^(21)cm^(-3)の範囲のドーパント濃度をもつことを特徴とする請求項20に記載のHEMT。
【請求項24】
前記ドープしたAlN層と前記GaNチャネル層との間に配置される,アンドープAlN層を更に備えたことを特徴とする請求項20に記載のHEMT。
【請求項25】
前記アンドープAlN層は,0.3nmから5nmの範囲の厚さをもつことを特徴とする請求項24に記載のHEMT。
【請求項26】
前記GaNチャネル層の反対側の前記第2のAlNバリヤ層上にGaN層を更に備えたことを特徴とする請求項6に記載のHEMT。
【請求項27】
前記GaNチャネル層の反対側の前記第2のAlNバリヤ層上の前記GaN層は,0.3nmから10nmの範囲の厚さをもつことを特徴とする請求項26に記載のHEMT。
【請求項28】
前記第1の2元のIII族窒化物バリヤ層がAlNを含み,前記第1のバリヤ層上の前記2元のIII族窒化物チャネル層がInNを含み,前記チャネル層上の前記第2の2元のIII族窒化物バリヤ層がAlNを含んで構成されることを特徴とする請求項1に記載のHEMT。
【請求項29】
前記第1の2元のIII族窒化物バリヤ層がGaNを含み,前記第1のバリヤ層上の前記2元のIII族窒化物チャネル層がInNを含み,前記チャネル層上の前記第2の2元のIII族窒化物バリヤ層がGaNを含んで構成されることを特徴とする請求項1に記載のHEMT。
【請求項30】
前記第1の2元のIII族窒化物バリヤ層がGaNを含み,前記第1のバリヤ層上の前記2元のIII族窒化物チャネル層がInNを含み,前記チャネル層上の前記第2の2元のIII族窒化物バリヤ層がAlNを含んで構成されることを特徴とする請求項1に記載のHEMT。
【請求項31】
前記第1の2元のIII族窒化物バリヤ層がAlNを含み,前記第1のバリヤ層上の前記2元のIII族窒化物チャネル層がInNを含み,前記チャネル層上の前記第2の2元のIII族窒化物バリヤ層がGaNを含んで構成されることを特徴とする請求項1に記載のHEMT。
【請求項32】
HEMTの活性領域は,2元のIII族窒化物層だけを含むことを特徴とする請求項1に記載のHEMT。
【請求項33】
第1の2元のIII族窒化物バリヤ層を形成するステップと,
前記第1のバリヤ層の上の2元のIII族窒化物チャネル層を形成するステップと,
前記チャネル層上に第2の2元のIII族窒化物バリヤ層を形成するステップと,
を備えた高電子移動度トランジスタ(HEMT)を作製する方法であって,
前記第1のバリヤ層は,第1のドープした2元のIII族窒化物領域を備え,
前記方法が,前記第1のドープした2元のIII族窒化物領域と前記チャネル層との間に配置される,アンドープ2元のIII族窒化物層を形成するステップを更に備えたことを特徴とする方法。
【請求項34】
前記第2のバリヤ層が,前記2元のIII族窒化物チャネル層に隣接して,第2のドープした2元のIII族窒化物領域を備えたことを特徴とする請求項33に記載の方法。
【請求項35】
前記第2のドープした2元のIII族窒化物領域と前記チャネル層との間に配置される,第2のアンドープ2元のIII族窒化物層を形成するステップを更に備えたことを特徴とする請求項34に記載の方法。
【請求項36】
前記第2のバリヤ層は,前記2元のIII族窒化物チャネル層に隣接して,第2のドープした2元のIII族窒化物領域を備えたことを特徴とする請求項33に記載の方法。
【請求項37】
前記第2のドープした2元のIII族窒化物領域と前記チャネル層との間に配置される,第2のアンドープ2元のIII族窒化物層を形成するステップを更に備えたことを特徴とする請求項36に記載の方法。
【請求項38】
前記第1のバリヤ層がAlN層を含み,前記チャネル層がGaN層を含み,前記第2のバリヤ層がAlN層を含んで構成されることを特徴とする,請求項33に記載の方法。
【請求項39】
前記第1のバリヤ層は1nmから1mmの範囲の厚さをもち,前記チャネル層は0.3nmから10nmの範囲の厚さをもち,前記第2のバリヤ層は0.5nmから50nmの範囲の厚さをもつことを特徴とする請求項38に記載の方法。
【請求項40】
前記第1のAlNバリヤ層と前記GaNチャネル層との間に配置される,第1のドープしたAlN層を形成するステップを更に備えたことを特徴とする請求項38に記載の方法。
【請求項41】
前記第1のドープしたAlN層は,SiドープしたAlN層を含んで構成されることを特徴とする請求項40に記載の方法。
【請求項42】
前記第1のドープしたAlN層は,0.2nmから10nmの範囲の厚さをもつことを特徴とする請求項40に記載の方法。
【請求項43】
前記第1のドープしたAlN層は,1×10^(17)cm^(-3)から1×10^(21)cm^(-3)の範囲のドーパント濃度をもつことを特徴とする請求項40に記載の方法。
【請求項44】
前記第1のドープしたAlN層と前記GaNチャネル層との間に配置される,第1のアンドープAlN層を形成するステップを更に備えたことを特徴とする請求項40に記載の方法。
【請求項45】
前記第1のアンドープAlN層は,0.3nmから5nmの範囲の厚さをもつことを特徴とする請求項44に記載の方法。
【請求項46】
前記第2のAlNバリヤ層と前記GaNチャネル層との間に配置される,第2のドープしたAlN層を形成するステップを更に備えたことを特徴とする請求項40に記載の方法。
【請求項47】
前記第2のドープしたAlN層は,SiドープしたAlN層を含んで構成されることを特徴とする請求項46に記載の方法。
【請求項48】
前記第2のドープしたAlN層は,0.2nmから10nmの範囲の厚さをもつことを特徴とする請求項46に記載の方法。
【請求項49】
前記第2のドープしたAlN層は,1×10^(17)cm^(-3)から1×10^(21)cm^(-3)の範囲のドーパント濃度をもつことを特徴とする請求項46に記載の方法。
【請求項50】
前記第2のドープしたAlN層と前記GaNチャネル層との間に配置される,第2のアンドープAlN層を形成するステップを更に備えたことを特徴とする請求項46に記載の方法。
【請求項51】
前記第2のアンドープAlN層は,0.3nmから5nmの範囲の厚さをもつことを特徴とする請求項50に記載の方法。
【請求項52】
前記第2のAlNバリヤ層と前記GaNチャネル層との間に配置される,ドープしたAlN層を形成するステップを更に備えたことを特徴とする請求項38に記載の方法。
【請求項53】
前記ドープしたAlN層は,SiドープしたAlN層を含んで構成されることを特徴とする請求項52に記載の方法。
【請求項54】
前記ドープしたAlN層は,0.2nmから10nmの範囲の厚さをもつことを特徴とする請求項52に記載の方法。
【請求項55】
前記ドープしたAlN層は,1×10^(17)cm^(-3)から1×10^(21)cm^(-3)の範囲のドーパント濃度をもつことを特徴とする請求項52に記載の方法。
【請求項56】
前記ドープしたAlN層と前記GaNチャネル層との間に配置される,アンドープAlN層を形成するステップを更に備えたことを特徴とする請求項52に記載の方法。
【請求項57】
前記アンドープAlN層は,0.3nmから5nmの範囲の厚さをもつことを特徴とする請求項56に記載の方法。
【請求項58】
前記GaNチャネル層の反対側の前記第2のAlNバリヤ層上にGaN層を形成するステップを更に備えたことを特徴とする請求項38に記載の方法。
【請求項59】
前記GaNチャネル層の反対側の前記第2のAlNバリヤ層上の前記GaN層は,0.
3nmから10nmの範囲の厚さをもつことを特徴とする請求項58に記載の方法。
【請求項60】
前記第1の2元のIII族窒化物バリヤ層がAlNを含み,前記第1のバリヤ層上の前記2元のIII族窒化物チャネル層がInNを含み,前記チャネル層上の前記第2の2元のIII族窒化物バリヤ層がAlNを含んで構成されることを特徴とする請求項33に記載の方法。
【請求項61】
前記第1の2元のIII族窒化物バリヤ層がGaNを含み,前記第1のバリヤ層上の前記2元のIII族窒化物チャネル層がInNを含み,前記チャネル層上の前記第2の2元のIII族窒化物バリヤ層がGaNを含んで構成されることを特徴とする請求項33に記載の方法。
【請求項62】
前記第1の2元のIII族窒化物バリヤ層がGaNを含み,前記第1のバリヤ層上の前記2元のIII族窒化物チャネル層がInNを含み,前記チャネル層上の前記第2の2元のIII族窒化物バリヤ層がAlNを含んで構成されることを特徴とする請求項33に記載の方法。
【請求項63】
前記第1の2元のIII族窒化物バリヤ層がAlNを含み,前記第1のバリヤ層上の前記2元のIII族窒化物チャネル層がInNを含み,前記チャネル層上の前記第2の2元のIII族窒化物バリヤ層がGaNを含んで構成されることを特徴とする請求項33に記載の方法。
【請求項64】
前記HEMTの活性領域は,2元のIII族窒化物層だけを含むことを特徴とする請求項33に記載の方法。
【請求項65】
前記GaNチャネル層の反対側の前記第2のAlNバリヤ層上の前記GaN層は,前記GaN層と前記第2のAlN層の界面でドーピング,またはデルタドーピングされることを特徴とする請求項26に記載のHEMT。
【請求項66】
GaN,InNおよびAlN層は歪が均衡していることを特徴とする請求項30に記載のHEMT。
【請求項67】
前記AlN層上にGaNキャップ層を備えていることを特徴とする請求項66に記載のHEMT。」

〈補正後〉
「【請求項1】
第1の2元のIII族窒化物バリヤ層であって,第1のドープした2元のIII族窒化物領域を備える第1のバリヤ層と,
前記第1のバリヤ層の上の2元のIII族窒化物チャネル層と,
前記チャネル層上の第2の2元のIII族窒化物バリヤ層であって,第2のドープした2元のIII族窒化物領域を備える第2のバリヤ層と,
前記第1のドープした2元のIII族窒化物領域と前記チャネル層との間に配置される,第1のアンドープ2元のIII族窒化物層と,
前記第2のドープした2元のIII族窒化物領域と前記チャネル層との間に配置される,第2のアンドープ2元のIII族窒化物層とを備えたことを特徴とする高電子移動度トランジスタ(HEMT)。
【請求項2】
前記第1のバリヤ層がAlN層を含み,前記チャネル層がGaN層を含み,前記第2のバリヤ層がAlN層を含んで構成されることを特徴とする請求項1に記載のHEMT。
【請求項3】
前記第1のバリヤ層は1nmから1mmの範囲の厚さをもち,前記チャネル層は0.3nmから10nmの範囲の厚さをもち,前記第2のバリヤ層は0.5nmから50nmの範囲の厚さをもつことを特徴とする請求項2に記載のHEMT。
【請求項4】
前記第1のAlNバリヤ層と前記GaNチャネル層との間に配置される,第1のドープしたAlN層を更に備えたことを特徴とする請求項2に記載のHEMT。
【請求項5】
前記第1のドープしたAlN層は,SiドープしたAlN層を含んで構成されることを特徴とする請求項4に記載のHEMT。
【請求項6】
前記第1のドープしたAlN層は,0.2nmから10nmの範囲の厚さをもつことを特徴とする請求項4に記載のHEMT。
【請求項7】
前記第1のドープしたAlN層は,1×10^(17)cm^(-3)から1×10^(21)cm^(-3)の範囲のドーパント濃度をもつことを特徴とする請求項4に記載のHEMT。
【請求項8】
前記第1のアンドープ2元のIII族窒化物層は,前記第1のドープしたAlN層と前記GaNチャネル層との間に配置される,第1のアンドープAlN層を備えたことを特徴とする請求項4に記載のHEMT。
【請求項9】
前記第1のアンドープAlN層は,0.3nmから5nmの範囲の厚さをもつことを特徴とする請求項8に記載のHEMT。
【請求項10】
前記第2のAlNバリヤ層と前記GaNチャネル層との間に配置される,第2のドープしたAlN層を更に備えたことを特徴とする請求項4に記載のHEMT。
【請求項11】
前記第2のドープしたAlN層は,SiドープしたAlN層を含んで構成されたことを特徴とする請求項10に記載のHEMT。
【請求項12】
前記第2のドープしたAlN層は,0.2nmから10nmの範囲の厚さをもつことを特徴とする請求項10に記載のHEMT。
【請求項13】
前記第2のドープしたAlN層は,1×10^(17)cm^(-3)から1×10^(21)cm^(-3)の範囲のドーパント濃度をもつことを特徴とする請求項10に記載のHEMT。
【請求項14】
前記第2のアンドープ2元のIII族窒化物層は,前記第2のドープしたAlN層と前記GaNチャネル層との間に配置される,第2のアンドープAlN層を備えたことを特徴とする請求項10に記載のHEMT。
【請求項15】
前記第2のアンドープAlN層は,0.3nmから5nmの範囲の厚さをもつことを特徴とする請求項14に記載のHEMT。
【請求項16】
前記第2のAlNバリヤ層と前記GaNチャネル層との間に配置される,ドープしたAlN層を更に備えたことを特徴とする請求項2に記載のHEMT。
【請求項17】
前記ドープしたAlN層は,SiドープしたAlN層を含んで構成されることを特徴とする請求項16に記載のHEMT。
【請求項18】
前記ドープしたAlN層は,0.2nmから10nmの範囲の厚さをもつことを特徴とする請求項16に記載のHEMT。
【請求項19】
前記ドープしたAlN層は,1×10^(17)cm^(-3)から1×10^(21)cm^(-3)の範囲のドーパント濃度をもつことを特徴とする請求項16に記載のHEMT。
【請求項20】
前記第2のアンドープ2元のIII族窒化物層は,前記ドープしたAlN層と前記GaNチャネル層との間に配置される,アンドープAlN層を備えたことを特徴とする請求項16に記載のHEMT。
【請求項21】
前記アンドープAlN層は,0.3nmから5nmの範囲の厚さをもつことを特徴とする請求項20に記載のHEMT。
【請求項22】
前記GaNチャネル層の反対側の前記第2のAlNバリヤ層上にGaN層を更に備えたことを特徴とする請求項2に記載のHEMT。
【請求項23】
前記GaNチャネル層の反対側の前記第2のAlNバリヤ層上の前記GaN層は,0.3nmから10nmの範囲の厚さをもつことを特徴とする請求項22に記載のHEMT。
【請求項24】
前記第1の2元のIII族窒化物バリヤ層がAlNを含み,前記第1のバリヤ層上の前記2元のIII族窒化物チャネル層がInNを含み,前記チャネル層上の前記第2の2元のIII族窒化物バリヤ層がAlNを含んで構成されることを特徴とする請求項1に記載のHEMT。
【請求項25】
前記第1の2元のIII族窒化物バリヤ層がGaNを含み,前記第1のバリヤ層上の前記2元のIII族窒化物チャネル層がInNを含み,前記チャネル層上の前記第2の2元のIII族窒化物バリヤ層がGaNを含んで構成されることを特徴とする請求項1に記載のHEMT。
【請求項26】
前記第1の2元のIII族窒化物バリヤ層がGaNを含み,前記第1のバリヤ層上の前記2元のIII族窒化物チャネル層がInNを含み,前記チャネル層上の前記第2の2元のIII族窒化物バリヤ層がAlNを含んで構成されることを特徴とする請求項1に記載のHEMT。
【請求項27】
前記第1の2元のIII族窒化物バリヤ層がAlNを含み,前記第1のバリヤ層上の前記2元のIII族窒化物チャネル層がInNを含み,前記チャネル層上の前記第2の2元のIII族窒化物バリヤ層がGaNを含んで構成されることを特徴とする請求項1に記載のHEMT。
【請求項28】
HEMTの活性領域は,2元のIII族窒化物層だけを含むことを特徴とする請求項1に記載のHEMT。
【請求項29】
第1のドープした2元のIII族窒化物領域を備える第1の2元のIII族窒化物バリヤ層を形成するステップと,
前記第1のバリヤ層の上に,2元のIII族窒化物チャネル層を形成するステップと,
前記チャネル層の上に,第2のドープした2元のIII族窒化物領域を備える第2の2元のIII族窒化物バリヤ層を形成するステップと,
前記第1のドープした2元のIII族窒化物領域と前記チャネル層との間に配置される,第1のアンドープ2元のIII族窒化物層を形成するステップと,
前記第2のドープした2元のIII族窒化物領域と前記チャネル層との間に配置される,第2のアンドープ2元のIII族窒化物層を形成するステップと
を備えた高電子移動度トランジスタ(HEMT)を作製する方法。
【請求項30】
前記第1のバリヤ層がAlN層を含み,前記チャネル層がGaN層を含み,前記第2のバリヤ層がAlN層を含んで構成されることを特徴とする,請求項29に記載の方法。
【請求項31】
前記第1のバリヤ層は1nmから1mmの範囲の厚さをもち,前記チャネル層は0.3nmから10nmの範囲の厚さをもち,前記第2のバリヤ層は0.5nmから50nmの範囲の厚さをもつことを特徴とする請求項30に記載の方法。
【請求項32】
前記第1のAlNバリヤ層と前記GaNチャネル層との間に配置される,第1のドープしたAlN層を形成するステップを更に備えたことを特徴とする請求項30に記載の方法。
【請求項33】
前記第1のドープしたAlN層は,SiドープしたAlN層を含んで構成されることを特徴とする請求項32に記載の方法。
【請求項34】
前記第1のドープしたAlN層は,0.2nmから10nmの範囲の厚さをもつことを特徴とする請求項32に記載の方法。
【請求項35】
前記第1のドープしたAlN層は,1×10^(17)cm^(-3)から1×10^(21)cm^(-3)の範囲のドーパント濃度をもつことを特徴とする請求項32に記載の方法。
【請求項36】
前記,第1のアンドープ2元のIII族窒化物層を形成するステップは,前記第1のドープしたAlN層と前記GaNチャネル層との間に配置される,第1のアンドープAlN層を形成するステップを備えたことを特徴とする請求項32に記載の方法。
【請求項37】
前記第1のアンドープAlN層は,0.3nmから5nmの範囲の厚さをもつことを特徴とする請求項36に記載の方法。
【請求項38】
前記第2のAlNバリヤ層と前記GaNチャネル層との間に配置される,第2のドープしたAlN層を形成するステップを更に備えたことを特徴とする請求項32に記載の方法。
【請求項39】
前記第2のドープしたAlN層は,SiドープしたAlN層を含んで構成されることを特徴とする請求項38に記載の方法。
【請求項40】
前記第2のドープしたAlN層は,0.2nmから10nmの範囲の厚さをもつことを特徴とする請求項38に記載の方法。
【請求項41】
前記第2のドープしたAlN層は,1×10^(17)cm^(-3)から1×10^(21)cm^(-3)の範囲のドーパント濃度をもつことを特徴とする請求項38に記載の方法。
【請求項42】
前記第2のアンドープ2元のIII族窒化物層を形成するステップは,前記第2のドープしたAlN層と前記GaNチャネル層との間に配置される,第2のアンドープAlN層を形成するステップを備えたことを特徴とする請求項38に記載の方法。
【請求項43】
前記第2のアンドープAlN層は,0.3nmから5nmの範囲の厚さをもつことを特徴とする請求項42に記載の方法。
【請求項44】
前記第2のAlNバリヤ層と前記GaNチャネル層との間に配置される,ドープしたAlN層を形成するステップを更に備えたことを特徴とする請求項30に記載の方法。
【請求項45】
前記ドープしたAlN層は,SiドープしたAlN層を含んで構成されることを特徴とする請求項44に記載の方法。
【請求項46】
前記ドープしたAlN層は,0.2nmから10nmの範囲の厚さをもつことを特徴とする請求項44に記載の方法。
【請求項47】
前記ドープしたAlN層は,1×10^(17)cm^(-3)から1×10^(21)cm^(-3)の範囲のドーパント濃度をもつことを特徴とする請求項44に記載の方法。
【請求項48】
前記第2のアンドープ2元のIII族窒化物層を形成するステップは,前記ドープしたAlN層と前記GaNチャネル層との間に配置される,アンドープAlN層を形成するステップを備えたことを特徴とする請求項44に記載の方法。
【請求項49】
前記アンドープAlN層は,0.3nmから5nmの範囲の厚さをもつことを特徴とする請求項48に記載の方法。
【請求項50】
前記GaNチャネル層の反対側の前記第2のAlNバリヤ層上にGaN層を形成するステップを更に備えたことを特徴とする請求項30に記載の方法。
【請求項51】
前記GaNチャネル層の反対側の前記第2のAlNバリヤ層上の前記GaN層は,0.3nmから10nmの範囲の厚さをもつことを特徴とする請求項50に記載の方法。
【請求項52】
前記第1の2元のIII族窒化物バリヤ層がAlNを含み,前記第1のバリヤ層上の前記2元のIII族窒化物チャネル層がInNを含み,前記チャネル層上の前記第2の2元のIII族窒化物バリヤ層がAlNを含んで構成されることを特徴とする請求項29に記載の方法。
【請求項53】
前記第1の2元のIII族窒化物バリヤ層がGaNを含み,前記第1のバリヤ層上の前記2元のIII族窒化物チャネル層がInNを含み,前記チャネル層上の前記第2の2元のIII族窒化物バリヤ層がGaNを含んで構成されることを特徴とする請求項29に記載の方法。
【請求項54】
前記第1の2元のIII族窒化物バリヤ層がGaNを含み,前記第1のバリヤ層上の前記2元のIII族窒化物チャネル層がInNを含み,前記チャネル層上の前記第2の2元のIII族窒化物バリヤ層がAlNを含んで構成されることを特徴とする請求項29に記載の方法。
【請求項55】
前記第1の2元のIII族窒化物バリヤ層がAlNを含み,前記第1のバリヤ層上の前記2元のIII族窒化物チャネル層がInNを含み,前記チャネル層上の前記第2の2元のIII族窒化物バリヤ層がGaNを含んで構成されることを特徴とする請求項29に記載の方法。
【請求項56】
前記HEMTの活性領域は,2元のIII族窒化物層だけを含むことを特徴とする請求項29に記載の方法。
【請求項57】
前記GaNチャネル層の反対側の前記第2のAlNバリヤ層上の前記GaN層は,前記GaN層と前記第2のAlN層の界面でドーピング,またはデルタドーピングされることを特徴とする請求項22に記載のHEMT。
【請求項58】
GaN,InNおよびAlN層は歪が均衡していることを特徴とする請求項26に記載のHEMT。
【請求項59】
前記AlN層上にGaNキャップ層を備えていることを特徴とする請求項58に記載のHEMT。」

2 補正事項の整理
本件補正を整理すると以下のとおりとなる。
〈補正事項1〉
補正前の請求項1の「第1の2元のIII族窒化物バリヤ層と, 前記第1のバリヤ層の上の2元のIII族窒化物チャネル層と, 前記チャネル層上の第2の2元のIII族窒化物バリヤ層と, を備えた高電子移動度トランジスタ(HEMT)であって, 前記第1のバリヤ層は,第1のドープした2元のIII族窒化物領域を備えており, 前記HEMTが,」を,補正後の請求項1の「第1の2元のIII族窒化物バリヤ層であって,第1のドープした2元のIII族窒化物領域を備える第1のバリヤ層と, 前記第1のバリヤ層の上の2元のIII族窒化物チャネル層と, 前記チャネル層上の第2の2元のIII族窒化物バリヤ層であって,第2のドープした2元のIII族窒化物領域を備える第2のバリヤ層と,」と補正すること。
〈補正事項2〉
補正前の請求項1の「前記第1のドープした2元のIII族窒化物領域と前記チャネル層との間に配置される,第1のアンドープ2元のIII族窒化物層を更に備えたことを特徴とするHEMT」を,補正後の請求項1の「前記第1のドープした2元のIII族窒化物領域と前記チャネル層との間に配置される,第1のアンドープ2元のIII族窒化物層と, 前記第2のドープした2元のIII族窒化物領域と前記チャネル層との間に配置される,第2のアンドープ2元のIII族窒化物層とを備えたことを特徴とする高電子移動度トランジスタ(HEMT)」と補正すること。
〈補正事項3〉
補正前の請求項2?5及び補正前の請求項34?37を削除するとともに,補正前の請求項6?33,38?67の請求項番号を補正後の請求項2?29,30?59とし,併せて,従属形式で記載された各請求項において引用する請求項番号を変更すること。
〈補正事項4〉
補正前の請求項12の「前記第1のドープしたAlN層と前記GaNチャネル層との間に配置される,第1のアンドープAlN層を更に備えた」を,補正後の請求項8の「前記第1のアンドープ2元のIII族窒化物層は,前記第1のドープしたAlN層と前記GaNチャネル層との間に配置される,第1のアンドープAlN層を備えた」と補正したこと。
〈補正事項5〉
補正前の請求項18の「前記第2のドープしたAlN層と前記GaNチャネル層との間に配置される,第2のアンドープAlN層を更に備えた」を,補正後の請求項14の「前記第2のアンドープ2元のIII族窒化物層は,前記第2のドープしたAlN層と前記GaNチャネル層との間に配置される,第2のアンドープAlN層を備えた」と補正したこと。
〈補正事項6〉
補正前の請求項24の「前記ドープしたAlN層と前記GaNチャネル層との間に配置される,アンドープAlN層を更に備えた」を,補正後の請求項20の「前記第2のアンドープ2元のIII族窒化物層は,前記ドープしたAlN層と前記GaNチャネル層との間に配置される,アンドープAlN層を備えた」と補正したこと。
〈補正事項7〉
補正前の請求項33の「第1の2元のIII族窒化物バリヤ層を形成するステップと, 前記第1のバリヤ層の上の2元のIII族窒化物チャネル層を形成するステップと, 前記チャネル層上に第2の2元のIII族窒化物バリヤ層を形成するステップと, を備えた高電子移動度トランジスタ(HEMT)を作製する方法であって, 前記第1のバリヤ層は,第1のドープした2元のIII族窒化物領域を備え,前記方法が,」を,補正後の請求項29の「第1のドープした2元のIII族窒化物領域を備える第1の2元のIII族窒化物バリヤ層を形成するステップと, 前記第1のバリヤ層の上に,2元のIII族窒化物チャネル層を形成するステップと, 前記チャネル層の上に,第2のドープした2元のIII族窒化物領域を備える第2の2元のIII族窒化物バリヤ層を形成するステップと,」と補正すること。
〈補正事項8〉
補正前の請求項33の「前記第1のドープした2元のIII族窒化物領域と前記チャネル層との間に配置される,アンドープ2元のIII族窒化物層を形成するステップを更に備えたことを特徴とする方法」を,補正後の請求項29の「前記第1のドープした2元のIII族窒化物領域と前記チャネル層との間に配置される,第1のアンドープ2元のIII族窒化物層を形成するステップと, 前記第2のドープした2元のIII族窒化物領域と前記チャネル層との間に配置される,第2のアンドープ2元のIII族窒化物層を形成するステップと を備えた高電子移動度トランジスタ(HEMT)を作製する方法」と補正すること。
〈補正事項9〉
補正前の請求項44の「前記第1のドープしたAlN層と前記GaNチャネル層との間に配置される,第1のアンドープAlN層を形成するステップを更に備えた」を,補正後の請求項36の「前記,第1のアンドープ2元のIII族窒化物層を形成するステップは,前記第1のドープしたAlN層と前記GaNチャネル層との間に配置される,第1のアンドープAlN層を形成するステップを備えた」と補正すること。
〈補正事項10〉
補正前の請求項50の「前記第2のドープしたAlN層と前記GaNチャネル層との間に配置される,第2のアンドープAlN層を形成するステップを更に備えた」を,補正後の請求項42の「前記第2のアンドープ2元のIII族窒化物層を形成するステップは,前記第2のドープしたAlN層と前記GaNチャネル層との間に配置される,第2のアンドープAlN層を形成するステップを備えた」と補正すること。
〈補正事項11〉
補正前の請求項56の「前記ドープしたAlN層と前記GaNチャネル層との間に配置される,アンドープAlN層を形成するステップを更に備えた」を,補正後の請求項48の「前記第2のアンドープ2元のIII族窒化物層を形成するステップは,前記ドープしたAlN層と前記GaNチャネル層との間に配置される,アンドープAlN層を形成するステップを備えた」と補正すること。

3 補正の目的の適否及び新規事項の追加の有無についての検討

〈補正事項1について〉
補正前の「第1の2元のIII族窒化物バリヤ層と,」と「前記第1のバリヤ層は,第1のドープした2元のIII族窒化物領域を備えており,」を合わせて補正後の「第1の2元のIII族窒化物バリヤ層であって,第1のドープした2元のIII族窒化物領域を備える第1のバリヤ層と,」とすること,並びに,補正前の「を備えた高電子移動度トランジスタ(HEMT)であって,」及び「 前記HEMTが,」を削除することは,特許法第17条の2第4項(平成18年法律第55号改正附則第3条第1項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第17条の2第4項をいう。以下同じ。)第4号に掲げる明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
また,補正前の「前記チャネル層上の第2の2元のIII族窒化物バリヤ層」を補正後の「前記チャネル層上の第2の2元のIII族窒化物バリヤ層であって,第2のドープした2元のIII族窒化物領域を備える第2のバリヤ層」とすることは,「第2の2元のIII族窒化物バリヤ層」について「第2のドープした2元のIII族窒化物領域を備える」としてその構成を限定するものであるから,特許法第17条の2第4項第2号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
また,「第2のドープした2元のIII族窒化物領域を備える第2のバリヤ層」は,本願の願書に最初に添付した明細書,特許請求の範囲又は図面(以下「当初明細書等」という。)の段落【0039】に記載されているから,補正事項1は,特許法第17条の2第3項(平成18年法律第55号改正附則第3条第1項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第17条の2第3項をいう。以下同じ。)に規定する要件を満たすものである。
〈補正事項2について〉
補正前の「更に備えたことを特徴とするHEMT」を,補正後の「備えたことを特徴とする高電子移動度トランジスタ(HEMT)」とすることは,特許法第17条の2第4項第4号に掲げる明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
また,補正後の「前記第2のドープした2元のIII族窒化物領域と前記チャネル層との間に配置される,第2のアンドープ2元のIII族窒化物層とを備えた」とすることは,補正前の「第2の2元のIII族窒化物バリヤ層」と「チャネル層」から成る構造について,それら「の間に配置される,第2のアンドープ2元のIII族窒化物層とを備えた」として構成を限定するものであるから,特許法第17条の2第4項第2号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
また,「前記第2のドープした2元のIII族窒化物領域と前記チャネル層との間に配置される,第2のアンドープ2元のIII族窒化物層とを備えた」ことは,当初明細書等の段落【0039】に記載されているから,補正事項1は,特許法第17条の2第3項に規定する要件を満たすものである。
〈補正事項3について〉
補正事項3は,請求項を削除するとともに,請求項番号の整合を図るものであるから,特許法第17条の2第4項第1号に掲げる請求項の削除を目的とするものである。
また,補正事項3が,特許法第17条の2第3項に規定する要件を満たすことは明らかである。
〈補正事項4?6について〉
補正事項4?6は,補正後の請求項1との整合を図るために,補正後の各請求項の冒頭において「前記第1のアンドープ2元のIII族窒化物層は,」または「前記第2のアンドープ2元のIII族窒化物層は,」を加入するとともに,補正前の「更に備えた」を補正後の「備えた」にするものであるから,特許法第17条の2第4項第4号に掲げる明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
また,補正事項4?6が,特許法第17条の2第3項に規定する要件を満たすことは明らかである。
〈補正事項7について〉
補正前の「第1の2元のIII族窒化物バリヤ層を形成するステップと,」と「前記第1のバリヤ層は,第1のドープした2元のIII族窒化物領域を備え,」を合わせて補正後の「第1のドープした2元のIII族窒化物領域を備える第1の2元のIII族窒化物バリヤ層を形成するステップと,」とすること,並びに,補正前の「を備えた高電子移動度トランジスタ(HEMT)を作製する方法であって,」及び「前記方法が,」を削除することは,特許法第17条の2第4項第4号に掲げる明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
また,補正前の「前記チャネル層上に第2の2元のIII族窒化物バリヤ層を形成するステップと,」を,補正後の「前記チャネル層の上に,第2のドープした2元のIII族窒化物領域を備える第2の2元のIII族窒化物バリヤ層を形成するステップと,」と補正することは,「第2の2元のIII族窒化物バリヤ層を形成するステップ」について「第2の2元のIII族窒化物バリヤ層」が「第2のドープした2元のIII族窒化物領域を備える」としてその構成を限定するものであるから,特許法第17条の2第4項第2号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
また,「前記チャネル層の上に,第2のドープした2元のIII族窒化物領域を備える第2の2元のIII族窒化物バリヤ層を形成するステップ」は,当初明細書等の段落【0027】及び【0039】に記載されているから,補正事項1は,特許法第17条の2第3項に規定する要件を満たすものである。
〈補正事項8について〉
補正前の「更に備えたことを特徴とする方法」を,補正後の「備えた高電子移動度トランジスタ(HEMT)を作製する方法」とすること,及び,補正前の「前記第1のドープした2元のIII族窒化物領域と前記チャネル層との間に配置される,アンドープ2元のIII族窒化物層を形成するステップ」を,補正後の「前記第1のドープした2元のIII族窒化物領域と前記チャネル層との間に配置される,第1のアンドープ2元のIII族窒化物層を形成するステップ」とすることは,特許法第17条の2第4項第4号に掲げる明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
また,補正後の「前記第2のドープした2元のIII族窒化物領域と前記チャネル層との間に配置される,第2のアンドープ2元のIII族窒化物層を形成するステップ」を備えるとすることは,「前記第2のドープした2元のIII族窒化物領域と前記チャネル層」を形成する各ステップについて,それら「の間に配置される,第2のアンドープ2元のIII族窒化物層を形成するステップ」を備えるとして,構成を限定するものであるから,特許法第17条の2第4項第2号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
また,「前記第2のドープした2元のIII族窒化物領域と前記チャネル層との間に配置される,第2のアンドープ2元のIII族窒化物層を形成するステップ」を備えることは,当初明細書等の段落【0027】及び【0039】に記載されているから,補正事項1は,特許法第17条の2第3項に規定する要件を満たすものである。
〈補正事項9?11について〉
補正事項9?11は,補正後の請求項29との整合を図るために,補正後の各請求項の冒頭において「前記第1のアンドープ2元のIII族窒化物層を形成するステップは,」または「前記第2のアンドープ2元のIII族窒化物層を形成するステップは,」を加入するとともに,補正前の「更に備えた」を補正後の「備えた」にするものであるから,特許法第17条の2第4項第4号に掲げる明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
また,補正事項4?6が,特許法第17条の2第3項に規定する要件を満たすことは明らかである。

上記のとおり,本件補正は,特許請求の範囲の減縮を目的とするものを含むから,以下,本件補正後の特許請求の範囲に記載された発明が,特許出願の際独立して特許を受けることができるものか(平成18年法律第55号改正附則3条1項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法17条の2第5項において準用する同法126条5項に規定する独立特許要件を満たすか)どうかを,補正後の請求項1に係る発明について検討する。

4 独立特許要件についての検討
(1)本願補正発明
本件補正後の請求項1に係る発明は,本件補正により補正された明細書,特許請求の範囲及び図面の記載から見て,その請求項1に記載された事項により特定される以下のとおりのものである。(再掲。以下「本願補正発明」という。)
「【請求項1】
第1の2元のIII族窒化物バリヤ層であって,第1のドープした2元のIII族窒化物領域を備える第1のバリヤ層と,
前記第1のバリヤ層の上の2元のIII族窒化物チャネル層と,
前記チャネル層上の第2の2元のIII族窒化物バリヤ層であって,第2のドープした2元のIII族窒化物領域を備える第2のバリヤ層と,
前記第1のドープした2元のIII族窒化物領域と前記チャネル層との間に配置される,第1のアンドープ2元のIII族窒化物層と,
前記第2のドープした2元のIII族窒化物領域と前記チャネル層との間に配置される,第2のアンドープ2元のIII族窒化物層とを備えたことを特徴とする高電子移動度トランジスタ(HEMT)。」

(2)刊行物に記載された発明
ア 引用例: 特開平10-294452号公報
原査定の拒絶の理由に引用され,本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である,特開平10-294452号公報(以下「引用例」という。)には,図1とともに,以下の記載がある。(下線は当審において付加。以下同様。)

(ア)
「【0007】本発明者は,GaN系FETにおいて構造の最適化を図るべく種々検討を行った結果,図1に示すような,いわばMIS(Metal-Insulator-Semiconductor)構造およびHEMT構造を併有するGaN系FETを案出した。ここで,図1はフラットバンド条件におけるエネルギーバンド図,特に伝導帯を示す。
【0008】図1に示すように,このGaN系FETにおいては,基層としてのAl_(x )Ga_(1-x )N層1(ただし,1≧x≧0),バリア層としてのAl_(y )Ga_(1-y )N層2(ただし,1≧y>0),電子供給層としてのn型Al_(z )Ga_(1-z )N層3(ただし,1≧z≧0),スペーサ層としてのアンドープAl_(z )Ga_(1-z )N層4(ただし,1≧z≧0),電子走行層としてのアンドープGa_(1-u )In_(u )N層5(ただし,1≧u≧0),スペーサ層としてのアンドープAl_(z )Ga_(1-z )N層6(ただし,1≧z≧0),電子供給層としてのn型Al_(z )Ga_(1-z )N層7(ただし,1≧z≧0)およびゲート絶縁膜としてのAl_(v )Ga_(1-v )N層8(ただし,1≧v>0)が順次積層されている。ここで,電子供給層としてのn型Al_(z )Ga_(1-z )N層3,7から,電子走行層としてのアンドープGa_(1-u )In_(u )N層5に電子が供給され,2次元電子ガス(2DEG)が形成される。これらの層の伝導帯には,そのヘテロ接合界面に,図1に示すような不連続が存在する。」

ここで,上記段落【0007】の記載から,上記段落【0008】とともに図1に記載された各層を備えるMIS構造およびHEMT構造を併有するGaN系FETが明らかである。
段落【0008】に記載された各層における組成比であるx,y,z,u,vは,その値としていずれも1をとりうるものであり,さらに,組成比x,z,uについてはその値として0をとりうるものである。そうすると,基層としてのAl_(x )Ga_(1-x )N層1(ただし,1≧x≧0)はx=1であるAlNからなるものも含み,バリア層としてのAl_(y )Ga_(1-y )N層2(ただし,1≧y>0)はy=1であるAlNからなるものも含み,電子供給層としてのn型Al_(z )Ga_(1-z )N層3(ただし,1≧z≧0)はz=1であるAlNからなるものも含み,スペーサ層としてのアンドープAl_(z )Ga_(1-z )N層4(ただし,1≧z≧0)はz=1であるAlNからなるものも含み,電子走行層としてのアンドープGa_(1-u )In_(u )N層5(ただし,1≧u≧0)はu=0であるGaNからなるものも含み,スペーサ層としてのアンドープAl_(z )Ga_(1-z )N層6(ただし,1≧z≧0)はz=1であるAlNからなるものも含み,電子供給層としてのn型Al_(z )Ga_(1-z )N層7(ただし,1≧z≧0)はz=1であるAlNからなるものも含み,ゲート絶縁膜としてのAl_(v )Ga_(1-v )N層8(ただし,1≧v>0)はv=1であるAlNからなるものも含むことは明らかである。

以上を総合すると,引用例には以下の発明(以下「引用発明」という。)が記載されているものと認められる。
「HEMT構造を併有するGaN系FETであって,基層としてのAlN層1,バリア層としてのAlN層2,電子供給層としてのn型AlN層3,スペーサ層としてのアンドープAlN層4,電子走行層としてのアンドープGaN層5,スペーサ層としてのアンドープAlN層6,電子供給層としてのn型AlN層7およびゲート絶縁膜としてのAlN層8が順次積層され,電子供給層としてのn型AlN層3,7から,電子走行層としてのアンドープGaN層5に電子が供給され,2次元電子ガス(2DEG)が形成されるものである,GaN系FET。」

(3)対比
本願補正発明と引用発明とを比較する。

・引用発明の「GaN系FET」は,「HEMT構造を併有」し,「電子供給層としてのn型AlN層3,7から,電子走行層としてのアンドープGaN層5に電子が供給され,2次元電子ガス(2DEG)が形成されるものである」から,本願補正発明の「高電子移動度トランジスタ(HEMT)」に相当する。

・引用発明においては「基層としてのAlN層1」ないし「ゲート絶縁膜としてのAlN層8」「が順次積層され」るから,引用発明に係る「GaN系FET」は,「基層としてのAlN層1」を最下層として,その上に「バリア層としてのAlN層2」ないし「ゲート絶縁膜としてのAlN層8」が順に積層された構造を有することは明らかである。

・引用発明における各層を構成する「AlN」及び「GaN」が,いずれも2元のIII族窒化物であることは明らかである。

・引用発明の「電子供給層としてのn型AlN層3」は「n型」であるから,n型にドープされた領域からなる層であることは明らかである。そうすると,引用発明の「電子供給層としてのn型AlN層3」と,本願補正発明の「第1の2元のIII族窒化物バリヤ層であって,第1のドープした2元のIII族窒化物領域を備える第1のバリヤ層」とは,「第1の2元のIII族窒化物層であって,第1のドープした2元のIII族窒化物領域を備える第1の層」である点で一致する。

・引用発明の「電子走行層としてのアンドープGaN層5」は,「電子供給層としてのn型AlN層3」よりも上に設けられたものであり,また,キャリアが流れる層であるから,本願補正発明の「前記第1のバリヤ層の上の2元のIII族窒化物チャネル層」とは,「前記第1の層の上の2元のIII族窒化物チャネル層」である点で一致する。

・引用発明の「電子供給層としてのn型AlN層7」は,「電子走行層としてのアンドープGaN層5」よりも上に設けられたものであり,また,「n型」であるから,n型にドープされた領域からなる層であることは明らかである。そうすると,引用発明の「電子供給層としてのn型AlN層7」と,本願補正発明の「前記チャネル層上の第2の2元のIII族窒化物バリヤ層であって,第2のドープした2元のIII族窒化物領域を備える第2のバリヤ層」とは,「前記チャネル層上の第2の2元のIII族窒化物層であって,第2のドープした2元のIII族窒化物領域を備える第2の層」である点で一致する。

・引用発明の「スペーサ層としてのアンドープAlN層4」は,「電子供給層としてのn型AlN層3」と「電子走行層としてのアンドープGaN層5」との間に設けられたものである。また,前記のとおり「電子供給層としてのn型AlN層3」はn型にドープされた領域からなるものである。それゆえ,引用発明の「スペーサ層としてのアンドープAlN層4」は,本願補正発明の「前記第1のドープした2元のIII族窒化物領域と前記チャネル層との間に配置される,第1のアンドープ2元のIII族窒化物層」に相当する。

・引用発明の「スペーサ層としてのアンドープAlN層6」は,「電子走行層としてのアンドープGaN層5」と「電子供給層としてのn型AlN層7」との間に設けられたものである。また,前記のとおり「電子供給層としてのn型AlN層7」はn型にドープされた領域からなるものである。それゆえ,引用発明の「スペーサ層としてのアンドープAlN層6」は,本願補正発明の「前記第2のドープした2元のIII族窒化物領域と前記チャネル層との間に配置される,第2のアンドープ2元のIII族窒化物層」に相当する。

従って,引用発明と本願補正発明とは,
「第1の2元のIII族窒化物層であって,第1のドープした2元のIII族窒化物領域を備える第1の層と,
前記第1の層の上の2元のIII族窒化物チャネル層と,
前記チャネル層上の第2の2元のIII族窒化物層であって,第2のドープした2元のIII族窒化物領域を備える第2の層と,
前記第1のドープした2元のIII族窒化物領域と前記チャネル層との間に配置される,第1のアンドープ2元のIII族窒化物層と,
前記第2のドープした2元のIII族窒化物領域と前記チャネル層との間に配置される,第2のアンドープ2元のIII族窒化物層とを備えたことを特徴とする高電子移動度トランジスタ(HEMT)。」
である点で一致する。

一方両者は,以下の点で相違する。
《相違点》
本願補正発明は,「第1の2元のIII族窒化物バリヤ層であって,第1のドープした2元のIII族窒化物領域を備える第1のバリヤ層」及び「前記チャネル層上の第2の2元のIII族窒化物バリヤ層であって,第2のドープした2元のIII族窒化物領域を備える第2のバリヤ層」を備えるのに対して,引用発明は,「第1の2元のIII族窒化物層であって,第1のドープした2元のIII族窒化物領域を備える第1の層」及び「前記チャネル層上の第2の2元のIII族窒化物層であって,第2のドープした2元のIII族窒化物領域を備える第2の層」に対応する構成を備えるものの,それらが各々「バリア層」である点が明らかではない点。

(4)判断
上記相違点について検討する。
引用発明においては,「バリア層としてのAlN層2」が設けられており,「第1の2元のIII族窒化物層であって,第1のドープした2元のIII族窒化物領域を備える第1の層」に対応する「n型AlN層3」は「電子供給層として」設けられてはいる。しかしながら,「電子供給層としてのn型AlN層3」は,「バリア層としてのAlN層2」と同じく「AlN」から構成されるものであるから,「電子走行層としてのアンドープGaN層5」を走行する電子に対してバリアを構成する層として作用することは明らかである。
また,同様に,引用発明の「電子供給層としてのn型AlN層7」が,「電子走行層としてのアンドープGaN層5」を走行する電子に対してバリアを構成する層として作用することも明らかである。
それゆえ,引用発明における「電子供給層としてのn型AlN層3」及び「電子供給層としてのn型AlN層7」は,バリア層であるということもできるから,前記相違点に係る構成をおのずと備えるものある。
よって,前記相違点は実質的なものではない。

(5)小括
よって,本願補正発明は,引用発明と同一であるから,特許法第29条第1項第3号に該当し,特許を受けることができない。
よって,本願補正発明は,特許出願の際独立して特許を受けることができない。

6 まとめ
以上のとおり,本願補正発明は,特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから,本件補正は,平成18年法律第55号改正附則第3条第1項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第17条の2第5項において準用する特許法第126条第5項の規定に違反するので,同法第159条第1項において読み替えて準用する同法第53条第1項の規定により却下すべきものである。

第3 本願発明について
1 本願発明
平成25年5月13日にされた手続補正は,上記のとおり却下されたので,本願の請求項1に係る発明は,平成24年8月3日にされた手続補正により補正された明細書,特許請求の範囲及び図面の記載から見て,その請求項1に記載された事項により特定される以下のとおりのものである。(以下「本願発明」という。)

「【請求項1】
第1の2元のIII族窒化物バリヤ層と,
前記第1のバリヤ層の上の2元のIII族窒化物チャネル層と,
前記チャネル層上の第2の2元のIII族窒化物バリヤ層と,
を備えた高電子移動度トランジスタ(HEMT)であって,
前記第1のバリヤ層は,第1のドープした2元のIII族窒化物領域を備えており,
前記HEMTが,前記第1のドープした2元のIII族窒化物領域と前記チャネル層との間に配置される,第1のアンドープ2元のIII族窒化物層を更に備えたことを特徴とするHEMT。」

2 引用発明
引用発明は,前記第2 4「(2)刊行物に記載された発明」に記載したとおりのものである。

3 対比・判断

前記第2「1 本件補正の内容」?第2「3 補正の目的の適否及び新規事項の追加の有無についての検討」において記したように,本願補正発明は,補正前の請求項1における発明特定事項である「第2の2元のIII族窒化物バリヤ層」について「第2のドープした2元のIII族窒化物領域を備える」としてその構成を限定し,また,補正前の請求項1における発明特定事項である「第2の2元のIII族窒化物バリヤ層」と「チャネル層」から成る構造について,それら「の間に配置される,第2のアンドープ2元のIII族窒化物層とを備えた」として構成を限定したものである。
言い換えると,本願発明は,本願補正発明から前記各限定を除いたものである。
そうすると,本願発明の構成要件をすべて含み,これをより限定したものである本願補正発明が,前記第2 4「(3)対比」?第2 4「(5)小括」において検討したとおり,引用発明と同一であるから,本願発明も同様の理由により,引用発明と同一である。
よって,本願発明は,特許法第29条第1項第3号に該当し,特許を受けることができない。

第4 むすび
以上のとおりであるから,本願は,他の請求項に係る発明について検討するまでもなく,拒絶すべきものである。
よって,結論のとおり審決する。
 
審理終結日 2014-04-14 
結審通知日 2014-04-15 
審決日 2014-05-01 
出願番号 特願2008-508843(P2008-508843)
審決分類 P 1 8・ 113- Z (H01L)
P 1 8・ 575- Z (H01L)
最終処分 不成立  
前審関与審査官 行武 哲太郎  
特許庁審判長 松本 貢
特許庁審判官 西脇 博志
近藤 幸浩
発明の名称 2元のIII族窒化物をベースとする高電子移動度トランジスタおよびその製造方法  
代理人 特許業務法人浅村特許事務所  
  • この表をプリントする

プライバシーポリシー   セキュリティーポリシー   運営会社概要   サービスに関しての問い合わせ