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| 審決分類 |
審判 査定不服 2項進歩性 特許、登録しない(前置又は当審拒絶理由) H01L |
|---|---|
| 管理番号 | 1293445 |
| 審判番号 | 不服2012-20025 |
| 総通号数 | 180 |
| 発行国 | 日本国特許庁(JP) |
| 公報種別 | 特許審決公報 |
| 発行日 | 2014-12-26 |
| 種別 | 拒絶査定不服の審決 |
| 審判請求日 | 2012-10-11 |
| 確定日 | 2014-10-29 |
| 事件の表示 | 特願2007-557202「フリップ・チップ・デバイスを形成するための構造および方法」拒絶査定不服審判事件〔平成18年 8月31日国際公開、WO2006/091856、平成20年 8月14日国内公表、特表2008-532292〕について、次のとおり審決する。 |
| 結論 | 本件審判の請求は、成り立たない。 |
| 理由 |
1.手続の経緯、本願発明 本願は、2006年2月24日(パリ条約による優先権主張外国庁受理 2005年2月24日 (US)アメリカ合衆国)を国際出願日とする出願であって、平成24年6月6日付けで拒絶査定がされ、これに対し、平成24年10月11日に拒絶査定に対する不服の審判が請求されると同時に手続補正がされ、その後当審において平成25年8月19日付けで拒絶の理由を通知したところ、平成26年2月19日付けで特許請求の範囲を対象とする手続補正がなされるとともに意見書が提出された。 そして、本願の各請求項に係る発明は、平成26年2月19日付けで補正された特許請求の範囲の請求項1?17に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、そのうちの請求項1に係る発明(以下、「本願発明」という。)は、次のとおりである。 「【請求項1】 はんだバンプを形成するための方法であって、 半導体基板に形成されたトレンチ内に第1の導電パッドを形成する工程と、前記第1の導電パッドは露出上表面を有し、 前記上表面の上に保護層を形成する工程と、 前記第1の導電パッドの上表面を露出するために前記保護層内に開口部を形成する工程と、 前記第1の導電パッドの前記上表面と接触して前記開口部を通して、前記開口部に近接する前記保護層の領域に延在する第2の導電パッドを形成する工程と、 前記第2の導電パッドの露出表面上にバンプ下地金属構造部を形成する工程と、 前記バンプ下地金属構造部の上表面上に前記はんだバンプを形成する工程とを有し、 前記バンプ下地金属構造部は、前記第2の導電パッドの露出上表面及び露出側面上に形成される 方法。」 2.引用文献及びその記載事項 (1) 当審の拒絶の理由に引用され、本願優先日前に頒布された刊行物である国際公開第2004/059708号(以下、「引用文献1」という。)には、図面とともに次の事項が記載されている。 ア 「[0015] Beginning in Figure 5, there is illustrated one prior art process for forming an aluminum layer and solder bumps for a copper interconnect structure, including the aforementioned copper oxide cleaning step. A copper bond pad 200 is formed within a trench or opening of a substrate 201 as shown. As described above, the substrate 201 comprises multiple alternating layers of dielectric and interconnects overlying a semiconductor substrate comprising doped regions. [0016] A passivation stack 202 (typically a stack of dielectric material layers comprising silicon dioxide and/ or silicon nitride) is formed over the bond pad 200. A photoresist layer (not shown in Figure 5) is deposited, masked, patterned and developed to create an opening therein. An opening 204 is then formed in the passivation stack 202 according to the pattern in the photoresist layer. See Figure 6. [0017] Copper oxide on a surface 206 of the copper pad 200 is removed during a sputter clean process (also referred to as a back sputter process) wherein energetic argon ions (produced in a radio-frequency back sputter tool) represented by arrowheads 208 in Figure 6, impinge upon the copper pad 200 through the opening 204. [0018] An aluminum layer is deposited and etched according to a mask pattern (not shown), forming an aluminum pad 212 as illustrated in Figure 7. This step represents a first one of the two required additional mask layers referred to above. At the interface between the copper pad 200 and the aluminum pad 212, intermetallic compounds can be formed as metal atoms of one material diffuse into the other material. Such intermetallic compounds may be brittle and susceptible to cracking, causing irregularities in the interface conductivity and degrading device performance. To avoid the formation of the intermetallic layer, a barrier layer (not shown in Figure 7) is formed between the aluminum pad 212 and the copper pad 200. Exemplary materials comprising the barrier layer include: tantalum, tantalum-nitride and titanium nitride. [0019] A passivation layer 214 (see Figure 8) is formed and patterned, defining an opening 216 according to a patterned photoresist layer (not shown in Figure 8). This photoresist step represents a second of the two required additional mask layers. [0020] Hence, either the semiconductor fabrication facility or the bumping house forms aluminum pads over the copper bond pads, as described above. The wafer is delivered for solder bump formation with exposed aluminum pads. The first process performed in a bump-bonding packaging operation is cleaning of the aluminum pad 212. In this cleaning step argon ions, represented by arrowheads 217 in Figure 8, are produced in a radio-frequency (RF) back-sputtering tool and impinge upon the almr-inum pad 212 to reduce any alurninum oxide formed thereon. This oxide removal step is typically carried out in the same sputter deposition tool where the under-bump metallization (UBM) material is deposited, as described below. [0021] Prior to formation of the UBM layer, sometimes the bumping house prefers to deposit an additional aluminum layer on the aluminum pad 212 to present a clean surface for the UBM layer. Another mask step is required to form this aluminum layer, thus increasing the cost and process cycle time. [0022] An under-bump metallization layer 218 (see Figure 9) is formed and patterned according to a mask layer pattern not shown in Figure 9. Exemplary compounds for the UBM layer 218 comprise: titanium-nickel-vanadium or copper-chromium-nickel. A solder bump 220 is formed by conventional techniques overlying the under-bond metallization layer 218 as shown in Figure 10.」(第4ページ第31行?第6ページ第11行) ｛[0015]図5以下は、銅相互接続構造のためのアルミニウム層およびはんだバンプを形成するための従来技術によるプロセスの1つを示したもので、前述の銅酸化物浄化工程が含まれている。図に示すように、基板201のトレンチすなわち開口内に銅ボンドパッド200が形成される。上で説明したように、基板201は、複数の交番する誘電体層およびドープ領域を備えた半導体基板を覆っている相互接続を備えている。 [0016]パッシベーションスタック202(通常、二酸化ケイ素および/または窒化ケイ素からなる誘電体材料層のスタック)がボンドパッド200の上に形成される。フォトレジスト層(図5には示されていない)が蒸着され、マスクされ、パターン化され、かつ、現像され、それによりフォトレジスト層に開口が生成される。次に、フォトレジスト層のパターンに従ってパッシベーションスタック202の中に開口204が形成される。図6参照。 [0017]図6に矢印208で示す高エネルギーアルゴンイオン(無線周波数バックスパッタツール内に生成される)が開口204を通って銅パッド200に衝突するスパッタ浄化プロセス(バックスパッタプロセスとも呼ばれる)の間に、銅パッド200の表面206の銅酸化物が除去される。 [0018]図7に示すように、マスクパターン(図示せず)に従ってアルミニウム層が蒸着され、かつ、エッチングされ、それによりアルミニウムパッド212が形成される。この工程は、上で参照した必要な2つの追加マスク層のうちの最初の1つを表している。銅パッド200とアルミニウムパッド212の間の界面には、1つの材料の金属原子が他の材料に拡散する際に金属間化合物が形成される。このような金属間化合物は、脆く、かつ、ひび割れを生じやすく、界面導電率に不規則性をもたらし、デバイスの性能を低下させる。金属間化合物層の形成を回避するために、アルミニウムパッド212と銅パッド200の間に障壁層(図7には示されていない)が形成される。障壁層を構成する例示的材料には、タンタル、窒化タンタルおよび窒化チタンがある。 [0019]パターン化されたフォトレジスト層(図8には示されていない)に従って、パッシベーション層214(図8参照)が形成され、かつ、パターン化され、それにより開口216が画定される。このフォトレジスト工程は、必要な2つの追加マスク層のうちの第2のマスク層を表している。 [0020]したがって、上で説明したように、半導体製造設備もしくはバンピングハウスのいずれかによって、銅ボンドパッドの上にアルミニウムパッドが形成される。ウェハは、アルミニウムパッドが露出した状態で引き渡され、はんだバンプが形成される。バンプボンディング実装操作で実施される第1のプロセスは、アルミニウムパッド212を浄化することである。この浄化工程では、図8に矢印217で示すアルゴンイオンが無線周波数(RF)バックスパッタリングツール内に生成され、アルミニウムパッド212に衝突して、アルミニウムパッド212上に形成されているあらゆるアルミニウム酸化物が還元される。この酸化物除去工程は、通常、以下で説明するように、アンダーバンプメタライゼーション(UBM)材料が蒸着される同じスパッタ蒸着ツール内で実施される。 [0021]バンピングハウスは、場合によっては、UBM層に清浄な表面を提供するために、UBM層の形成に先立って、アルミニウムパッド212に追加アルミニウム層を蒸着させることが好ましい。このアルミニウム層を形成するためには、もう1つのマスク工程が必要であり、したがってコストが高くなり、かつ、プロセスサイクル時間が長くなる。 [0022]マスク層のパターン(図9には示されていない)に従ってアンダーバンプメタライゼーション層218(図9参照)が形成され、かつ、パターン化される。UBM層218のための例示的化合物は、チタン-ニッケル-バナジウムあるいは銅-クロム-ニッケルからなっている。図10に示すように、従来の技法を使用して、アンダーボンドメタライゼーション層218を覆ってはんだバンプ220が形成される。｝ (｛｝内は、当審による翻訳文。なお、翻訳文作成にあたり、引用文献1に対応する国内公表である特表2006-511938号公報を参照した。) イ 図6?10を参照すると、ボンドパッド200の開口204部分の上と、パッシベーションスタック202の上記開口204の周辺部分の上とに、アルミニウムパッド212が形成されている。 また、アルミニウムパッド212上にパッシベーション層214が設けられ、該パッシベーション層214に開口216が画定され、アルミニウムパッド212の上記開口216の部分の上からパッシベーション層214の上記開口216の周辺部分の上にかけて、アンダーバンプメタライゼーション層218が形成されているといえる。 上記の記載事項及び図面の記載を総合すると、引用文献1には次の発明(以下「引用発明」という。)が実質的に記載されている。 「基板201のトレンチにボンドパッド200が形成され、 二酸化ケイ素および/または窒化ケイ素からなるパッシベーションスタック202がボンドパッド200の上に形成され、 フォトレジスト層が蒸着され、マスクされ、パターン化され、かつ、現像され、それによりフォトレジスト層に開口が生成され、フォトレジスト層のパターンに従ってパッシベーションスタック202の中に開口204が形成され、 マスクパターンに従ってアルミニウム層が蒸着され、かつ、エッチングされ、それにより、ボンドパッド200の開口204部分の上と、パッシベーションスタック202の上記開口204の周辺部分の上とに、アルミニウムパッド212が形成されており、 アルミニウムパッド212上にパッシベーション層214が設けられ、該パッシベーション層214に開口216が画定され、アルミニウムパッド212の上記開口216の部分の上からパッシベーション層214の上記開口216の周辺部分の上にかけて、アンダーバンプメタライゼーション層218が形成され、 アンダーバンプメタライゼーション層218を覆ってはんだバンプ220を形成する、 方法。」 (2) 当審の拒絶の理由に引用され、本願優先日前に頒布された刊行物である米国特許公開第2003/0216039号明細書(以下、「引用文献2」という。)には、図面とともに次の事項が記載されている。 ウ 「[0010] It is another object of invention to provide aluminum cap protection without using silicon nitride (SiN) passivation or benzocyclobutene (BCB), or polyimide (P1) repassivation, to prevent damage or undercut by etching solutions. 」(段落[0010]) ｛[0010]発明の別の目的として、窒化ケイ素(SiN)のパッシベーションや、ベンゾシクロブテン(BCB)や、ポリイミド(P1)の再パッシベーションを使用せずに、エッチング液によるダメージやアンダーカットから、アルミニウムキャップを保護することである。｝(｛｝内は、当審による翻訳文。以下、同様。) エ 「[0027] Bonding pad 12 is preferably comprised of copper or aluminum. Passivation layer 14 is preferably comprised of SiN. Layer 16 cap of bonding pad 12 is preferably comprised of aluminum. [0028] FIG. 2 illustrates a cross-sectional representation of a Prior Art under bump metal (UBM) layer 18 / 20 formed over aluminum cap layer 16 . UBM layer 18 / 20 is preferably 1000 to 6000 Å thick. UBM layer 18 / 20 is preferably comprised of sublayer 18 formed of titanium (Ti) or chrome (Cr), and upper metallization layer 20 comprised of NiVor Cr/Cu, Cu. [0029] FIG. 3 shows a cross-sectional view of a Prior Art approach illustrating an organic repassivation layer 22 comprising of polyimide (PI) or benzocyclobutene (BCB) or equivalent high temperature polymer. [0030] FIG. 4 is a cross-sectional view of the preferred structure of the invention. In a key feature of the invention, aluminum cap 16 as shown is protected without requiring passivation layer 14 (SiN) or repassivation layer 22 (e.g., PI or BCB). Passivation layer 24 is preferably comprised of Si_( 3) N _(4 ), SiO_( 2) , Si _(3) N _(4) /SiO_( 2 ) and is more preferably comprised of Si _(3) N _(4) /SiO_( 2 ). [0031] Key Steps of the Invention [0032] The process of the invention may be understood with respect to FIGS. 1 and 4 . Beginning with the structure of FIG. 1 , seed layer 18 , comprised of Ti or Cr, is deposited by, for example, sputtering. Subsequently, upper metallization layer 20 comprised of NiVor Cr/Cu, Cu, is also deposited. An initial patterning of top layer 20 is performed, by methods known in the art, using a bump-based size mask, with the resultant width of layer 20 shown in FIG. 4 . Subsequently, in a key step of the invention, a second, larger, mask is used to pattern seed layer 18 , also as shown in FIG. 4 . This second patterning step prevent damage to the aluminum pad 16 , and has other advantages as described below. [0033] Advantages of the Present Invention [0034] The advantages of the present invention include: [0035] 1. Elimination of the PI/BCB/SiN passivation process steps reduces cost and exposure to yield detractors, such as, interfacial delamination and reliability issues. [0036] 2. UBM etching solution damage to aluminum cap and copper pad is prevented. [0037] 3. UBM acid etching undercut prevention leads to the formation of a robust UBM structure. 」(段落[0027]?[0037]) ｛[0027]ボンディングパッド12は、好ましくは銅またはアルミニウムで構成される。パッシベーション層14は、好ましくはSiNで構成される。ボンディングパッド12のキャップとなる層16は、好ましくはアルミニウムで構成される。 [0028]図2は、先行技術の断面図で、アルミニウムキャップ層16の上に、アンダーバンプメタル(UBM)層18/20が形成されている。UBM層18/20は、1000?6000Åの厚さである。UBM層18/20は、チタニウム(Ti)またはクロム(Cｒ)からなるサブ層18と、NiV、Cｒ/Cｕ、またはCｕからなる上部金属被覆層20から構成される。 [0029]図3は、先行技術の断面図で、有機的な再パッシベーション層22は、ポリイミド(PI)、ベンゾシクロブテン(BCB)、または等価な耐熱ポリマーから構成される。 [0030]図4は、発明の好ましい構造の断面図である。発明の重要な特徴として、図示されるようなアルミニウムキャップ16は、パッシベーション層14(SiN)または再パッシベーション層22(例えば、PIまたはBCB)がなくとも保護される。パッシベーション層24は、Si_(3)N_(4)、SiO_(2)、Si_(3)N_(4)/SiO_(2)、より好ましくはSi_(3)N_(4)/SiO_(2)で構成される。 [0031]発明の重要なステップ [0032]発明のプロセスは図1、4を参照することにより理解できる。図1に示すように、TiまたはCｒからなるシード層18は、例えばスパッタリングにより堆積される。続いて、NiV、Cｒ/Cｕ、またはCｕからなる上部金属被覆層20が堆積される。上部層20のパターン形成は、公知の方法を用いて、図4に示す層20の幅で、バンプベースのサイズのマスクを用いて行われる。図4に示すように、発明の重要なステップとして、シード層18のパターン形成に大きなマスクが使用される。このパターンのステップは、アルミニウムパッド16へのダメージを防ぎ、また、下記のような利点もある。 [0033]発明の利点。 [0034]本発明の利点は次のとおりである。 [0035]1.PI/BCB/SiNのパッシベーションプロセスの除去により、コストを下げ、界面剥離や信頼性の問題を減らす。 [0036]2.UBMエッチング液によるアルミニウムキャップと銅のパッドが損傷することを防止する。 [0037]3.UBMエッチング液によるアンダーカットを防止することにより、強固なUBM構造を形成する。｝ オ 図3及び上記記載を参照すると、先行技術として、アルミニウムキャップ16上に再パッシベーション層22が設けられ、該パッシベーション層22に開口が設けられ、アルミニウムキャップ16の上記開口の部分から再パッシベーション層22の上記開口の周辺部分の上にかけて、シード層18が形成され、更に、その上に上部金属被覆層20が設けられている。 カ 図4及び上記記載を参照すると、ボンディングパッド12は、Si_(3)N_(4)、SiO_(2)、Si_(3)N_(4)/SiO_(2)からなるパッシベーション層24により覆われ、該パッシベーション層24に開口が設けられており、その上に、アルミニウムキャップ16が設けられている。 また、シード層18のパターンに大きなマスクを使用しており、これによって、アルミニウムキャップ16の上面及び側面は、シード層18により覆われており、シード層の上に、バンプベースのサイズのマスクを使用して、上部金属被覆層20が設けられている。 3.対比 本願発明と引用発明とを対比する。 引用発明の「はんだバンプ220」は、本願発明の「はんだバンプ」に相当する。 以下、同様に「基板201」は「半導体基板」に、「トレンチ」は「トレンチ」に、「ボンドパッド200」は「第1の導電パッド」に、「二酸化ケイ素および/または窒化ケイ素からなるパッシベーションスタック202」は「保護層」に、「開口204」は「開口部」に、「アルミニウムパッド212」は「第2の導電パッド」に、「アンダーバンプメタライゼーション層218」は「バンプ下地金属構造部」に、それぞれ相当する。 引用発明では、最終的にはんだバンプ220を形成しているから、引用発明は本願発明の「はんだバンプを形成するための方法」との構成を備える。 引用発明では、「基板201のトレンチにボンドパッド200が形成され」ているから、引用発明は本願発明の「半導体基板に形成されたトレンチ内に第1の導電パッドを形成する工程」との構成を備える。 引用発明では、「二酸化ケイ素および/または窒化ケイ素からなるパッシベーションスタック202がボンドパッド200の上に形成され」ているところ、この形成する時の「ボンドパッド200の上」は本願発明の「第1の導電パッド」の「露出上表面」に相当するから、引用発明は本願発明の「前記第1の導電パッドは露出上表面を有し、前記上表面の上に保護層を形成する工程」の構成を備える。 引用発明では、「フォトレジスト層が蒸着され、マスクされ、パターン化され、かつ、現像され、それによりフォトレジスト層に開口が生成され、フォトレジスト層のパターンに従ってパッシベーションスタック202の中に開口204が形成され」ているから、引用発明は本願発明の「前記第1の導電パッドの上表面を露出するために前記保護層内に開口部を形成する工程」の構成を備える。 引用発明では、「マスクパターンに従ってアルミニウム層が蒸着され、かつ、エッチングされ、それにより、ボンドパッド200の開口204部分の上と、パッシベーションスタック202の上記開口204の周辺部分の上とに、アルミニウムパッド212が形成されて」いるから、引用発明は本願発明の「前記第1の導電パッドの前記上表面と接触して前記開口部を通して、前記開口部に近接する前記保護層の領域に延在する第2の導電パッドを形成する工程」の構成を備える。 引用発明では、「アルミニウムパッド212上にパッシベーション層214が設けられ、該パッシベーション層214に開口216が画定され、アルミニウムパッド212の上記開口216の部分の上からパッシベーション層214の上記開口216の周辺部分の上にかけて、アンダーバンプメタライゼーション層218が形成され」ているところ、ここで、上記「アルミニウムパッド212の上記開口216の部分」は、本願発明の「第2の導電パッドの露出表面」に相当するから、引用発明は本願発明の「前記第2の導電パッドの露出表面上にバンプ下地金属構造部を形成する工程」の構成を備える。 引用発明では、「アンダーバンプメタライゼーション層218を覆ってはんだバンプ220が形成され」ているからは、引用発明は本願発明の「前記バンプ下地金属構造部の上表面上に前記はんだバンプを形成する工程」の構成を備える。 以上のことから、本願発明と引用発明とは次の点で一致する。 「はんだバンプを形成するための方法であって、 半導体基板に形成されたトレンチ内に第1の導電パッドを形成する工程と、前記第1の導電パッドは露出上表面を有し、 前記上表面の上に保護層を形成する工程と、 前記第1の導電パッドの上表面を露出するために前記保護層内に開口部を形成する工程と、 前記第1の導電パッドの前記上表面と接触して前記開口部を通して、前記開口部に近接する前記保護層の領域に延在する第2の導電パッドを形成する工程と、 前記第2の導電パッドの露出表面上にバンプ下地金属構造部を形成する工程と、 前記バンプ下地金属構造部の上表面上に前記はんだバンプを形成する工程とを有する方法。」 一方で、両者は次の点で相違する。 [相違点] 本願発明では、「バンプ下地金属構造部は、前記第2の導電パッドの露出上表面及び露出側面上」に形成されているのに対して、引用発明では、「アルミニウムパッド212の上記開口216の部分の上からパッシベーション層214の上記開口216の周辺部分の上にかけて、アンダーバンプメタライゼーション層218が形成」されていることから、アンダーバンプメタライゼーション層218は、アルミニウムパッド212の、「露出上表面」に形成されてはいるものの、「露出側面上」には形成されていない点。 4.判断 上記相違点について検討する。 引用文献2の前記記載事項「ウ」?「カ」から、引用文献2には、図3に示すような、窒化ケイ素(SiN)のパッシベーションや、ベンゾシクロブテン(BCB)や、ポリイミド(P1)のパッシベーションのプロセスを使用せずに行うこと、及び、そのために、図4に示すように、シード層18のパターン形成に大きなマスクを使用して、アルミニウムキャップ16の上面及び側面をシード層18により覆い、シード層18の上に上部金属被覆層20を形成し、シード層18と上部金属被覆層20からなるUBM層とし、これによって、コストを下げ、界面剥離や信頼性の問題を減らし、エッチング液によるダメージやアンダーカットから、アルミニウムキャップを保護することが記載されているといえる。 ここで、引用文献2の「アルミニウムキャップ16」は、本願発明の「第2の導電パッド」(引用発明の「アルミニウムパッド212」)に相当し、同様に、引用文献2の「シード層18」及び「上部金属被覆層20」からなるUBM層は、「アルミニウムキャップ16」の上に形成され、かつ、その上面に、はんだバンプが形成されるものであるから、本願発明の「バンプ下地金属構造部」(引用発明の「アンダーバンプメタライゼーション層218」)に相当する。 また、引用文献2の「シード層18」は、アルミニウムキャップ16の上面及び側面を覆っているから、引用文献2では、「バンプ下地金属構造部は、第2の導電パッドの露出上表面及び露出側面上」に形成されているといえる。 したがって、引用文献2には、窒化ケイ素(SiN)のパッシベーションや、ベンゾシクロブテン(BCB)や、ポリイミド(P1)のパッシベーションを使用せずに、「バンプ下地金属構造部は、第2の導電パッドの露出上表面及び露出側面上」に形成することにより、コストを下げ、界面剥離や信頼性の問題を減らし、エッチング液によるダメージやアンダーカットから、第2の導電パッドを保護することが記載されているといえる。 ところで、引用文献2における「窒化ケイ素(SiN)のパッシベーションや、ベンゾシクロブテン(BCB)や、ポリイミド(P1)のパッシベーションを使用せず」に行うことは、引用発明において、パッシベーション層214を使用しないようにすることに相当するものである。 すると、引用発明において、パッシベーション層214を使用しないで、「バンプ下地金属構造部」(引用発明の「アンダーバンプメタライゼーション層218」)として、「バンプ下地金属構造部は、第2の導電パッドの露出上表面及び露出側面上」に形成するものとなすことにより、本願発明の上記相違点に係る構成とすることは、引用文献2記載の事項から当業者が容易になし得たものといえる。 そして、本願発明により得られる作用効果も、引用発明及び引用文献2記載の事項から当業者であれば予測できる程度のものであって、格別のものとはいえない。 以上のことから、本願発明は、引用発明及び引用文献2記載の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。 5.むすび 以上のとおり、本願発明(請求項1に係る発明)は、引用発明及び引用文献2記載の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第29条第2項の規定により特許を受けることができないから、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。 よって、結論のとおり審決する。 |
| 審理終結日 | 2014-06-03 |
| 結審通知日 | 2014-06-05 |
| 審決日 | 2014-06-17 |
| 出願番号 | 特願2007-557202(P2007-557202) |
| 審決分類 |
P
1
8・
121-
WZ
(H01L)
|
| 最終処分 | 不成立 |
| 前審関与審査官 | 今井 拓也 |
| 特許庁審判長 |
丸山 英行 |
| 特許庁審判官 |
平田 信勝 小関 峰夫 |
| 発明の名称 | フリップ・チップ・デバイスを形成するための構造および方法 |
| 代理人 | 岡部 讓 |
| 代理人 | 吉澤 弘司 |