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| 審決分類 |
審判 査定不服 特36条6項1、2号及び3号 請求の範囲の記載不備 取り消して特許、登録(定型) H01L 審判 査定不服 1項3号刊行物記載 取り消して特許、登録(定型) H01L 審判 査定不服 2項進歩性 取り消して特許、登録(定型) H01L |
|---|---|
| 管理番号 | 1298977 |
| 審判番号 | 不服2013-9351 |
| 総通号数 | 185 |
| 発行国 | 日本国特許庁(JP) |
| 公報種別 | 特許審決公報 |
| 発行日 | 2015-05-29 |
| 種別 | 拒絶査定不服の審決 |
| 審判請求日 | 2013-05-22 |
| 確定日 | 2015-04-06 |
| 事件の表示 | 特願2008-514810「半極性(Ga,Al,In,B)N薄膜、ヘテロ構造およびデバイスの成長と作製のための方法及び装置」拒絶査定不服審判事件〔平成18年12月 7日国際公開、WO2006/130696、平成20年11月27日国内公表、特表2008-543089、請求項の数(28)〕について、次のとおり審決する。 |
| 結論 | 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 |
| 理由 |
本願は、平成18年 6月 1日(パリ条約による優先権主張 2005年 6月 1日 (US)アメリカ合衆国)の出願であって、その請求項に係る発明は、特許請求の範囲の請求項に記載された事項により特定されるとおりのものであると認める。 そして、本願については、原査定の拒絶理由を検討してもその理由によって拒絶すべきものとすることはできない。 また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり審決する。 |
| 別掲 |
|
| 審決日 | 2015-02-25 |
| 出願番号 | 特願2008-514810(P2008-514810) |
| 審決分類 |
P
1
8・
113-
WYF
(H01L)
P 1 8・ 537- WYF (H01L) P 1 8・ 121- WYF (H01L) |
| 最終処分 | 成立 |
| 前審関与審査官 | 山本 雄一 |
| 特許庁審判長 |
松本 貢 |
| 特許庁審判官 |
加藤 浩一 小野田 誠 |
| 発明の名称 | 半極性(Ga,Al,In,B)N薄膜、ヘテロ構造およびデバイスの成長と作製のための方法及び装置 |
| 代理人 | 清水 守 |
| 代理人 | 清水 守 |