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| 審決分類 |
審判 査定不服 2項進歩性 特許、登録しない。 B81C 審判 査定不服 5項独立特許用件 特許、登録しない。 B81C |
|---|---|
| 管理番号 | 1306140 |
| 審判番号 | 不服2014-4304 |
| 総通号数 | 191 |
| 発行国 | 日本国特許庁(JP) |
| 公報種別 | 特許審決公報 |
| 発行日 | 2015-11-27 |
| 種別 | 拒絶査定不服の審決 |
| 審判請求日 | 2014-03-05 |
| 確定日 | 2015-09-30 |
| 事件の表示 | 特願2007-532387「インサイチュ嵌込み構造物形成方法」拒絶査定不服審判事件〔平成18年 3月30日国際公開、WO2006/033872、平成20年 5月 1日国内公表、特表2008-513229〕について、次のとおり審決する。 |
| 結論 | 本件審判の請求は、成り立たない。 |
| 理由 |
第1 手続の経緯 本願は、2005年(平成17年)9月12日(パリ条約による優先権主張外国庁受理2004年9月21日、米国)を国際出願日とする出願であって、その手続の経緯は以下のとおりである。 平成23年 9月 6日付け 拒絶理由の通知 平成24年 3月13日 意見書及び手続補正書の提出 平成24年 9月27日付け 拒絶理由の通知(最後) 平成25年 4月 9日 意見書及び手続補正書の提出 平成25年10月21日付け 平成25年4月9日付け手続補正についての補正の却下の決定及び拒絶査定 平成26年 3月 5日 本件審判請求書及び手続補正書の提出 第2 平成26年3月5日付け手続補正についての補正の却下の決定 [補正の却下の決定の結論] 平成26年3月5日付け手続補正(以下、「本件補正」という。)を却下する。 [理由] 1. 本件補正の内容 本件補正は、願書に添付された特許請求の範囲及び明細書を補正するもので、特許請求の範囲の請求項1に関する補正を含むところ、本件補正前後の請求項1の記載は、補正箇所に下線を付して示すと、以下のとおりである。 (1) 補正前 「【請求項1】 平面性乱れを有する基板のパターニング方法であって、 前記基板上に、複数の突起を含む初期パターンを有するパターン層を形成するステップであって、前記突起のサブセットは底面から伸びて頂上面で終わりそれらの間の高さを決める、前記形成するステップと、 前記パターン層上に、前記複数の突起の前記頂上面から距離をおいた平滑または平らな表面を形成するエッチング差層を配置するステップであって、前記複数の突起にわたる頂上面と前記平滑または平らな表面の間の距離の変化は前記高さの1/2未満の範囲内である、前記配置するステップと、 前記基板上に、前記初期パターンに対応する記録パターンを転写するステップと を含むパターニング方法。」 (2) 補正後 「【請求項1】 平面性乱れを有する基板のパターニング方法であって、 前記基板上に、複数の突起を含む初期パターンを有するパターン層を形成するステップであって、前記突起のサブセットは底面から伸びて頂上面で終わりそれらの間の高さを決める、前記形成するステップと、 前記パターン層上に、前記複数の突起の前記頂上面から距離をおいた平滑または平らな表面を形成するエッチング差層を配置するステップであって、前記複数の突起にわたる頂上面と前記平滑または平らな表面の間の距離の変化は前記高さの1/2未満の範囲内である、前記配置するステップと、 前記基板上に、前記初期パターンに対応する記録パターンを転写するステップと を含み、 前記記録パターンの形成中に生ずる歪みは、前記基板の平面性乱れとは無関係であることを特徴とするパターニング方法。」 2. 補正の適否 本件補正のうち、請求項1に関するものは、本件補正前の「記録パターン」について、「記録パターンの形成中に生じる歪みは、前記基板の平板性乱れとは無関係であること」を付加して限定するものであるから、平成18年法律第55号改正附則第3条第1項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の旧特許法(以下、「平成18年改正前特許法」という。)第17条の2第4項第2号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。 そこで、本件補正後の請求項1に記載された発明(以下、「補正発明」という。)が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか(平成18年改正前特許法第17条の2第5項において準用する同法第126条第5項の規定に適合するか)について以下に検討する。 (1) 引用刊行物 原査定の拒絶の理由に記載された本願優先日前に頒布された刊行物である特開昭60-214532号公報(以下、「刊行物」という。)には、それぞれ図面とともに以下の記載がある。なお、下線は理解の便のため当審で付した。 ア. 刊行物に記載の事項 (ア) 「〔発明の利用分野〕 本発明は、半導体装置の製作における微細なレジストパターンの形成方法に関するものである。」(1ページ右下欄12ないし14行) (イ) 「まず第1点として、基板表面凹凸の問題がある。従来の方法では基板上にただ一層のレジスト膜を塗布し、塗布膜厚などのレジスト膜条件に応じた最適な露光・現像条件を選んで露光・現像を行うことにより所定のパターンを形成していたが、 LSI回路のように極めて細かく多数の凹凸を有する基板上では場所により膜厚が変化したり膜表面に凹凸を生じたりするため、露光・現像の最適条件が場所により異なってしまい微細パターンを基板全面にわたって均一に高精度に形成するのが困難であるという問題点があった。」(2ページ左上欄5ないし15行) (ウ) 「〔発明の概要〕 本発明を概説すれば、基板上に複数種の材料からなる多層レジストを積層し、そのうち少なくとも一層に露光処理などによって凹凸からなる原パターンを形成したのち、この上にドライエッチング耐性の大きな材料膜を堆積して、その一部、少なくとも原パターンの凸部上の膜をエッチング等の適宜な方法により取り除くことによって原パターンに相補的な反転マスクパターンを形成し、これをマスクに原パターン層以下のレジスト層を選択的に除去して所望の多層レジストパターンを得ることを特徴としたパターン形成方法に関するものである。」(3ページ右上欄18行ないし左下欄10行) (エ) 「実施例1 第2図(a)?(f)は本発明の第1の実施例における工程図を示すものである。第2図に示した工程(a)において、段差を有する基板1上に第1のレジスト膜としてクロロメチル化ポリスチレン(CMS)層2を、その表面が平坦となるようやや厚めに回転塗布法により形成した。これを200℃にて25分ベークし、さらにCF_(4)プラズマ処理により表面を硬化させた後、第2のレジスト膜としてFBM-G層3を約0.7μmの厚さに回転塗布した。次に工程(b)において、電子ビーム4により所定のパターン部を選択的に露光し、感光領域5を形成した。しかる後、工程(c)において、所定の現像液を用いてこの感光領域を溶解除去し、露光パターンに対応した凹部5′を形成した。この工程(c)を示す図において凹部5′の深さは場所により異なっており、層2と層3との境界まで達している部分とそうでない部分とがあるが、これは露光量の多少に対応するものであり、本発明の効果には影響が無い。次に工程(d)でシリコーン樹脂から成る塗布膜8を、回転塗布法により約0.8μmの厚さで付着し、平坦な表面を得た。この塗布膜8を十分乾燥させた後、工程(e)においてCF_(4)-O_(2)(20%)の混合ガスプラズマ中で2分エッチングし、FBM-Gパターン層3の凸部表面9を露出させることにより、原パターンに相補的な反転パターン8を形成した。この反転パターン8をマスクとして、工程(f)で、酸素RIE法により露出したFBM-G/CMSの二層レジスト膜をエッチング除去することによりパターンを転写し、原パターンの凹部5′と相補的な反転多層レジストパターン10を形成した。 本実施例の方法によれば、原パターンを露光する第2のレジスト膜をマスクにして下部の膜をドライエッチングする必要は無いから、エッチング耐性の低いレジスト材料でも第2のレジスト膜として用いることが出来る。従って、微細パターンの形成に適した高解像・高感度レジストを適用出来る。また、反転パターン材料のシリコーン樹脂は通常レジスト膜のエッチングに使われる酸素RIEやアッシャ-処理では殆どエッチングされないので、これをマスクとして第1のレジスト膜層にドライエッチング法を用いてパターンを転写する際も、十分なエッチング選択性を得ることが容易である。このため、更に、第1のレジスト層として比較的エッチング耐性の高いCMSやAZ-1350〔シプレー(ｓhiｐleｙ)社製〕などを使うことが出来るので、最終的に得られた反転多層レジストパターンをマスクとして下地の基板や素子形成用材料膜の加工をする上でも有利である。 以上述べたように本発明の方法によって従来法における問題点を除去されるが、本発明の効果はこれだけにとどまらない。すなわち、上記実施例で示されたように第2のレジスト膜に形成される原パターンは、完全に第1のレジスト膜層に達する程深くまで露光・現像されている必要は必ずしも無い。凹部を埋めた状態で残される反転パターンの膜厚が以降のパターン転写のマスクとして十分な厚さであれば良いからである。ポジ形レジストの場合、現像で除去される膜厚は露光量に応じて増減するから、原パターンの露光量は最小限の値で良く露光時間を短縮出来る。また一般に、所定の膜厚のレジストに所望の寸法のパターンを現像で抜ききるための最適露光・現像条件は寸法によって変化するが、本方法では膜厚分全部を抜く必要は無いから、最適露光・現像条件の設定は従来法に比べて著しく容易になる。」(3ページ左下欄12行ないし4ページ右上欄17行) (オ) 第2図 a. 第2図(c)には、「第2レジスト層3」に形成された「凹部5′」以外の箇所が、「第2レジスト層3」の底面から頂上面で終わるように突起状に上下に伸び、それらに対して前記底面から前記頂上面との間の高さを決定することができることが図示されている。 b. 第2図(b)ないし(f)には、「凹部5′」に対応するように、工程(f)で「反転多層レジストパターン10」が形成されていく推移が図示されている。 c. 第2図の(f)には、「反転多層レジストパターン10」が、「基板1」の高さに関係なく同じ高さに形成されていることが図示されている。  (カ) 上記摘記事項(イ)の「基板表面凹凸の問題がある。」との記載、摘記事項(ウ)の「基板上に複数種の材料からなる多層レジストを積層し、そのうち少なくとも一層に露光処理などによって凹凸からなる原パターンを形成したのち、この上にドライエッチング耐性の大きな材料膜を堆積して、その一部、少なくとも原パターンの凸部上の膜をエッチング等の適宜な方法により取り除くことによって原パターンに相補的な反転マスクパターンを形成し、これをマスクに原パターン層以下のレジスト層を選択的に除去して所望の多層レジストパターンを得る」との記載及び摘記事項(エ)の「以上述べたように本発明の方法によって従来法における問題点を除去される」との記載から、刊行物1には、基板表面に凹凸のある基板に対するパターニング方法が記載されている。ここで、平面とは、通常は凹凸がない状態をいうものであるから、凹凸を有することは、平面の状態から逸脱した乱れたものと表現することもできるから、刊行物1に記載されたパターニング方法は、「平面性乱れを有する基板のパターニング方法」であるといえる。 (キ) 上記摘記事項(エ)には、「工程(c)において、所定の現像液を用いてこの感光領域を溶解除去し、露光パターンに対応した凹部5′を形成した。」との記載があり、上記(オ)a.の、「第2レジスト層3」に形成された「凹部5′」以外の箇所が、「第2レジスト層3」の底面から頂上面で終わるように突起状に上下に伸び、それらに対して前記底面から前記頂上面との間の高さを決定することができるとの図示事項から、刊行物1には、「基板上に、複数の突起を含むパターンを有する第2レジスト層を形成する工程(c)であって、前記突起のサブセットは底面から伸びて頂上面で終わりそれらの間の高さを決める、前記工程(c)」が記載されているといえる。 (ク) 上記摘記事項(エ)には「工程(f)で、酸素RIE法により露出したFBM-G/CMSの二層レジスト膜をエッチング除去することによりパターンを転写し、原パターンの凹部5′と相補的な反転多層レジストパターン10を形成した。」との記載があり、上記(オ)b.の、「凹部5′」に対応するように、工程(f)で「反転多層レジストパターン10」が形成されていく推移との図示事項から、「原パターン」と相補的な「パターン」も、「原パターン」の形状に対応して形成されることは明らかであるから、刊行物1に記載されたものは、「基板」上に、「原パターン」に対応する「反転多層レジストパターン10」を転写するステップが記載されているといえる。 イ. 刊行物記載の発明 上記摘記事項(ア)ないし(エ)、図示事項(オ)a.ないしc.及び認定事項(カ)ないし(ク)から、技術常識を考慮しながら補正発明に照らして整理すると、刊行物には、以下の発明(以下、「引用発明」という。)が記載されていると認められる。 「平面性乱れを有する基板のパターニング方法であって、 前記基板上に、複数の突起を含む原パターンを有する第2レジスト層を形成する工程(c)であって、前記突起のサブセットは底面から伸びて頂上面で終わりそれらの間の高さを決める、前記形成する工程(c)と、 前記第2レジスト層上に、前記複数の突起の前記頂上面から距離をおいた平坦な表面を形成する塗布膜を配置する工程(d)と、 前記基板上に、前記原パターンに対応する反転多層レジストパターン10を転写する工程(e)及び(f)とを含む パターニング方法。」 (2) 対比 補正発明と引用発明とを対比する。 引用発明の「工程」は、補正発明の「ステップ」に対応する。 引用発明の「原パターン」、「第2レジスト層」、「塗布膜」、「反転多層レジストパターン10」及び「平坦」は、その機能・構成からみて、補正発明の「初期パターン」、「パターン層」、「エッチング差層」、「記録パターン」及び「平滑または平らな」にそれぞれ相当する。 そうすると、両者は、以下の点で一致しかつ相違する。 ＜一致点＞ 「平面性乱れを有する基板のパターニング方法であって、 前記基板上に、複数の突起を含む初期パターンを有するパターン層を形成するステップであって、前記突起のサブセットは底面から伸びて頂上面で終わりそれらの間の高さを決める、前記形成するステップと、 前記パターン層上に、前記複数の突起の前記頂上面から距離をおいた平滑または平らな表面を形成するエッチング差層を配置するステップと、 前記基板上に、前記初期パターンに対応する記録パターンを転写するステップと を含むパターニング方法。」 ＜相違点＞ ・相違点1 補正発明の「エッチング差層を配置するステップ」は、「前記複数の突起にわたる頂上面と前記平滑または平らな表面の間の距離の変化は前記高さの1/2未満の範囲内である」ようにするものであるのに対し、引用発明は、そのようなものであるか明らかではない点。 ・相違点2 補正発明は、「前記記録パターンの形成中に生ずる歪みは、前記基板の平面性乱れとは無関係である」のに対し、引用発明がそのようなものであるか明らかではない点。 (3) 相違点に対する判断 ア. 相違点1について 上記(1)の摘記事項(エ)の「工程(d)でシリコーン樹脂から成る塗布膜8を、回転塗布法により約0.8μmの厚さで付着し、平坦な表面を得た。この塗布膜8を十分乾燥させた後、工程(e)においてCF_(4)-O_(2)(20%)の混合ガスプラズマ中で2分エッチングし、FBM-Gパターン層3の凸部表面9を露出させることにより、原パターンに相補的な反転パターン8を形成した。」との記載及び(オ)第2図(d)及び(e)の記載から、工程(d)で形成された「平坦な表面」を有する「塗布膜8」をエッチングによって複数形成された「凸部表面9」を露出させるから、複数の「凸部表面9」のそれぞれから「平坦な表面」までの距離の差が少ない方が、エッチングによって除去しなければならない「塗布膜8」等が薄くなり望ましいことは明らかである。 そうすると、引用発明において、「複数の凸部表面9と塗布膜8の平坦な表面の間の距離の変化を小さくする」ことは、当業者にとって格別困難なことではない。さらに、上記「距離の変化」を「突起のサブセットは底面から伸びて超上面で終わりそれらの間の高さ」の1/2未満の範囲内とした点は、「塗布膜8」が全ての「凸部表面9」を覆わなくてはならないことに鑑みて、当該「距離の変化」を当該「高さ」との関係として定めようとして採用することができた設計上の事項である。 イ. 相違点2について 基板上に形成させるパターンの歪みは、形成されるパターンの高さが変動し、露光時に光源からの距離が変化することにより生じることは、技術常識である。ここで、上記(2)ア.(オ)c.の図示から、「反転多層レジストパターン10」表面の高さ方向の形成位置は、直下の「基板1」の高さに関係なく同じであるから、当該表面の上方に位置する光源からの距離も等しいといえ、したがって、引用発明においては「基板1」の高さに関係してパターンの歪みが生じないことは明らかである。引用発明の「反転多層レジストパターン10」の形成中に生ずる歪みは、「基板1」の平面性乱れとは無関係であるといえるから、相違点2は、実質的なものではない。 ウ. 作用・効果について 補正発明が奏する作用及び効果について、引用発明から当業者が予測し得る以上のものであると認められない。 エ. 小括 以上のとおりであるから、、補正発明は引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第29条第2項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 (4) 補正の却下についてのまとめ 上記(3)で検討したように、補正発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 したがって、本件補正は、平成18年改正前特許法第17条の2第5項において準用する同法第126条第5項の規定に違反するので、同法第159条第1項の規定において読み替えて準用する同法第53条第1項の規定により却下すべきものである。 よって、上記[補正の却下の決定の結論]のとおり、決定する。 第3 本願発明 1. 本願発明 本件補正は、上記のとおり却下されたので、本願の特許請求の範囲の請求項1ないし10は、平成24年3月13日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項1ないし10に記載された事項により特定されるとおりのものであると認めるところ、本願の請求項1に係る発明(以下、「本願発明」という。)は、上記第2の1.(1)に記載された事項により特定されるとおりのものと認める。 2. 引用発明 上記刊行物には、上記第2の2.(1)イの引用発明が記載されている。 3. 当審の判断 上記第2の2.に示したように、本件補正は、本願発明の「記録パターン」について、「記録パターンの形成中に生じる歪みは、前記基板の平面性乱れとは無関係であること」を付加して限定するものである。 そして、本願発明の構成を全て備えてさらに限定した補正発明が、上記第2の2.(3)に示したとおり、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。 第4 まとめ 以上のとおり、本願発明は、特許法第29条第2項の規定により特許を受けることができないから、その他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶をすべきものである。 よって、結論のとおり審決する。 |
| 審理終結日 | 2015-04-30 |
| 結審通知日 | 2015-05-07 |
| 審決日 | 2015-05-19 |
| 出願番号 | 特願2007-532387(P2007-532387) |
| 審決分類 |
P
1
8・
121-
Z
(B81C)
P 1 8・ 575- Z (B81C) |
| 最終処分 | 不成立 |
| 前審関与審査官 | 八木 敬太 |
| 特許庁審判長 |
栗田 雅弘 |
| 特許庁審判官 |
久保 克彦 刈間 宏信 |
| 発明の名称 | インサイチュ嵌込み構造物形成方法 |
| 代理人 | 山川 政樹 |
| 代理人 | 山川 茂樹 |