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審決分類 審判 査定不服 2項進歩性 特許、登録しない。 B24B
管理番号 1307345
審判番号 不服2014-18674  
総通号数 192 
発行国 日本国特許庁(JP) 
公報種別 特許審決公報 
発行日 2015-12-25 
種別 拒絶査定不服の審決 
審判請求日 2014-09-18 
確定日 2015-11-04 
事件の表示 特願2012-100094「基板を処理する方法及び装置」拒絶査定不服審判事件〔平成24年9月27日出願公開、特開2012-183637〕について、次のとおり審決する。 
結論 本件審判の請求は、成り立たない。 
理由 第1 手続の経緯
本願は,2006(平成18)年12月7日(パリ条約による優先権主張外国庁受理2005年12月9日,2005年12月9日,アメリカ合衆国,を国際出願日とする特願2008-544516号(以下「原出願」という)の一部を新たな出願として平成24年4月25日に出願したものであって,同年5月25日付けで手続補正がなされ,平成25年8月23日付けで拒絶理由が通知され,同年12月3日付けで手続補正がなされたが,平成26年5月15日付けで拒絶査定がなされ,これに対し,同年9月18日に拒絶査定不服審判の請求がなされると同時に手続補正がなされたものである。

第2 平成26年9月18日付けの手続補正についての補正の却下の決定

[補正の却下の決定の結論]
平成26年9月18日付けの手続補正を却下する。

[理由]
1 補正後の発明
平成26年9月18日付けの手続補正(以下「本件補正」という)は,平成25年12月3日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項3を,

「【請求項3】
基板の縁を研磨するように構成された装置において、
基板に輪郭が合うように構成された複数の柔軟な研磨膜と、
スプールの間の各柔軟な研磨膜の少なくとも第1の長さに沿って複数の柔軟な研磨膜のそれぞれに張力をかけるように構成された少なくとも1つのフレームであって、上記各柔軟な研磨膜の第1の長さが基板との接触に先んじて第1の面を成す、フレームと、
少なくとも1つの上記柔軟な研磨膜の第1の長さの一部分に対して基板を回転させるように構成された基板回転駆動装置であって、それにより、上記基板が上記第1の面内に延び、且つ上記基板に接触する柔軟な研磨膜がいずれも、上記基板に対する上記柔軟な研磨膜の裏側に対して圧力を付与させることなく、上記基板に圧力を付与し、上記基板の縁に輪郭が合い、及び、上記基板が回転されるときに上記縁を研磨する、基板回転駆動装置と、
を備え、
上記基板の縁が上記基板回転駆動装置を越えて延び、
上記少なくとも1つのフレームが更に、上記柔軟な研磨膜を上記基板の縁の周りで角度を付けて並進移動させるように構成されている、装置。」

と補正することを含むものである。(下線は補正箇所を示す)

そうすると,本件補正は,補正前の請求項3に係る発明の特定事項である「柔軟な研磨膜」について「スプールの間の」及び「上記基板に対する上記柔軟な研磨膜の裏側に対して圧力を付与させることなく」との限定を追加するものであるから,平成18年法律第55号改正附則第3条第1項によりなお従前の例とされる同法による改正前の特許法(以下「平成18年改正前特許法」という)第17条の2第4項第2号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
そこで,本件補正後の請求項3に係る発明(以下「補正発明」という)が,特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか(平成18年改正前特許法第17条の2第5項において準用する同法第126条第5項の規定に適合するか)について以下に検討する。

2 引用刊行物

(1)原出願優先日前の2005(平成17)年9月1日に頒布され,原査定の拒絶の理由に引用された刊行物である国際公開第2005/081301号(以下「刊行物1」という)には,「POLISHING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS」について,図1?11とともに次の事項が記載されている。(訳文は,当審で付した。また,下線は理解の便のため当審にて付した。)

(1-ア)
「Technical Field
The present invention relates to a polishing apparatus and a substrate processing apparatus, and more particularly to a polishing apparatus for removing surface roughness produced at a peripheral portion (a bevel portion and an edge portion) of a substrate such as a semiconductor wafer, or for removing a film formed on a peripheral portion of a substrate, and to a substrate processing apparatus having such a polishing apparatus.」(明細書1頁5?11行)(技術分野 本発明は、研磨装置及び基板処理装置に係り、特に半導体ウェハなどの基板の周縁部(ベベル部及びエッジ部)に形成された表面荒れや、基板の周縁部に形成された膜を除去する研磨装置、及び該研磨装置を備えた基板処理装置に関するものである。)

(1-イ)
「As shown in FIGS. 1 and 2, the polishing apparatus comprises a rotational table 1 for holding and rotating a semiconductor wafer W, an upper housing 3 having a polishing chamber 2 formed therein, a lower housing 4 disposed below the upper housing 3, a side housing 4A provided next to the upper housing 3 and the lower housing 4, and a polishing tape supply mechanism 6 for supplying a polishing tape 5 to the polishing chamber 2 and taking up the polishing tape 5 which has been supplied to the polishing chamber 2. A first equipment room 15A is formed in the side housing 4A, and the polishing tape supply mechanism 6 is disposed in this first equipment room 15A. The polishing chamber 2 is defined by the upper housing 3, and the rotational table 1 is disposed in the polishing chamber 2. The polishing chamber 2 may be a hermetic chamber having only an upper opening. A rotational drive shaft 7 is coupled to a lower portion of the rotational table 1 and rotatably supported by bearings 8, 8 fixed to an inner circumferential surface of a cylindrical support member 12. The rotational drive shaft 7 has a pulley 9 fixed to the lower end portion thereof. This pulley 9 is coupled to a pulley 10 by a belt 11 and the pulley 10 is coupled to a motor 14. With this arrangement, the rotational drive shaft 7 is rotated by the motor 14 through the pulleys 9, 10 and the belt 11, thereby rotating the rotational table 1. The rotating mechanism including the pulleys 9, 10, the belt 11, and the motor 14 is disposed in a second equipment room 15B defined in the lower housing 4. The polishing tape supply mechanism 6 may be disposed in the second equipment room 15B. 」(明細書6頁30行?7頁17行)
(図1及び図2に示すように、研磨装置は、半導体ウェハWを保持して回転させる回転テーブル1と、内部に研磨室2が形成される上部ハウジング3と、上部ハウジング3の下方に配置された下部ハウジング4と、上部ハウジング3及び下部ハウジング4の側面に設けられた側部ハウジング4Aと、研磨室2に研磨テープ5を繰り出して巻き取る研磨テープ繰り出し巻き取り機構6とを備えている。側部ハウジング4Aの内部には第1の機械室15Aが形成され、この第1の機械室15Aの内部に研磨テープ繰り出し巻き取り機構6が配置されている。研磨室2は上部ハウジング3によって画成され、この研磨室2の内部に回転テーブル1が配置されている。研磨室2は、上部開口部のみを有する密閉室としてもよい。回転テーブル1の下部には回転駆動軸7が連結されており、回転駆動軸7は、円筒状の支持体12の内周面に固定された軸受8,8によって回転自在に支持されている。回転駆動軸7の下端部にはプーリ9が固定されており、このプーリ9は、ベルト11によってプーリ10に接続され、プーリ10はモータ14に連結されている。このような構成により、モータ14を駆動させると、プーリ9,10及びベルト11を介して回転駆動軸7が回転し、これによって回転テーブル1が回転する。プーリ9,10、ベルト11、及びモータ14などの回転駆動機構は、下部ハウジング4の内部に形成された第2の機械室15Bに配置されている。なお、研磨テープ繰り出し巻き取り機構6は第2の機械室15B内に配置されてもよい。)



(1-ウ)
「A through-hole 7a is formed so as to extend through the rotational table 1 and the rotational drive shaft 7, and an upper open end of the through-hole 7a is located at an upper surface of the rotational table 1. A lower open end of the through-hole 7a is connected to a non-illustrated vacuum source through a rotary connector 18 provided on the lower end portion of the rotational drive shaft 7. The vacuum source produces a vacuum in the through-hole 7a, and the semiconductor wafer W is thus attracted to the upper surface of the rotational table 1. In this manner, the rotational table 1 can rotate the semiconductor wafer W while holding the semiconductor wafer W.」(明細書8頁5?12行)
(回転テーブル1及び回転駆動軸7の内部には通孔7aが形成されており、この通孔7aの上端開口部は回転テーブル1の上面に位置している。通孔7aの下端開口部は、回転駆動軸7の下端に設けられたロータリーコネクタ18を介して図示しない真空源に接続されている。そして、真空源によって通孔7aに真空が形成され、回転テーブル1の上面に配置された半導体ウェハWが回転テーブル1の上面に真空吸着される。このように、回転テーブル1は半導体ウェハWを保持した状態で半導体ウェハWを回転させることが可能となっている。)

(1-エ)
「The polishing tape supply mechanism 6 is installed on the sidewall of the upper housing 3 and disposed in the first equipment room 15A located outside the polishing chamber 2. The polishing tape supply mechanism 6 comprises a supply reel 6A for supplying the polishing tape 5 into the polishing chamber 2, a take-up reel 6B for taking up the polishing tape 5 which has been supplied to the polishing chamber 2, and a motor 6C for rotating the take-up reel 6B. The sidewall of the upper housing 3 has two slits 3b, 3c through which the polishing tape 5 passes. These slits 3b, 3c are located near the supply reel 6A and the take-up reel 6B, respectively. The polishing tape 5 from the supply reel 6 A passes through the upper slit 3b into the polishing chamber 2, and the polishing tape 5 from the polishing chamber 2 passes through the lower slit 3c and is taken up by the take-up reel 6B.」(明細書9頁6?16行)
(研磨テープ繰り出し巻き取り機構6は、上部ハウジング3の側面に取付けられており、研磨室2の外側に位置する第1の機械室15A内に配置されている。研磨テープ繰り出し巻き取り機構6は、研磨テープ5を研磨室2内に繰り出す繰り出しリール6Aと、研磨室2内に繰り出された研磨テープ5を巻き取る巻き取りリール6Bと、巻き取りリール6Bを回転させるモータ6Cとを備えている。上部ハウジング3の側部には研磨テープ5が挿通される2つのスリット3b,3cが形成されており、これらのスリット3b,3cはそれぞれ繰り出しリール6A及び巻き取りリール6Bの近傍に位置している。繰り出しリール6Aからの研磨テープ5は上方のスリット3bを通って研磨室2内に繰り出され、研磨室2からの研磨テープ5は下方のスリット3cを通って巻き取りリール6Bによって巻き取られる。)

(1-オ)
「Inside the polishing chamber 2, there are disposed two main guide rollers 32 and two auxiliary guide rollers 33A, 33B for guiding the polishing tape 5. These main guide rollers 32 extend in parallel with the upper surface of the rotational table 1 and are disposed in parallel with each other. Further, these main guide rollers 32 are arranged vertically (i.e., along a direction of the rotational axis of the rotational table 1) in such a position that the semiconductor wafer W is located at a midpoint between the two main guide rollers 32. With such an arrangement, the polishing tape 5 guided by the main guide rollers 32 moves vertically near the bevel portion of the semiconductor wafer W The auxiliary guide rollers 33A, 33B are disposed downwardly of the main guide rollers 32 with respect to a moving direction of the polishing tape 5. The auxiliary guide roller 33A is loaded upwardly by a non-illustrated spring, and the auxiliary guide roller 33B is fixed in position.
In the polishing chamber 2, there are also provided a polishing head 35, and a pusher cylinder 36 for moving the polishing head 35 toward the semiconductor wafer W. FIG. 3A is an enlarged cross-sectional view showing the polishing head shown in FIG. 1. As shown in FIG. 3A, the polishing head 35 has two projecting portions 35a projecting toward the semiconductor wafer W. These projecting portions 35a are arranged vertically and disposed such that the bevel portion of the semiconductor wafer W is positioned between the projecting portions 35a. The polishing head 35 is fixed to a rod 36a of the pusher cylinder 36 and disposed so as to face a rear surface (i.e., a surface at an opposite side of the polishing surface) of the polishing tape 5. With this structure, when the polishing head 35 is moved by the pusher cylinder 36 toward the semiconductor wafer W, the polishing surface of the polishing tape 5 is pressed against the bevel portion of the semiconductor wafer W by the polishing head 35. At this time, the polishing tape 5 is deformed so as to fit the bevel portion of the semiconductor wafer W. 」(明細書9頁23行?10頁15行)
(研磨室2の内部には、研磨テープ5を案内する2つのメインローラガイド32及び2つの補助ローラガイド33A,33Bが配置されている。これらのメインローラガイド32は、回転テーブル1の上面と平行に延び、互いに平行に配置されている。また、これらのメインローラガイド32は、上下方向(回転テーブル1の回転軸方向)に沿って配列され、半導体ウェハWは2つのメインローラガイド32の中間に位置している。このような配置により、メインローラガイド32によって案内される研磨テープ5は、半導体ウェハWのベベル部の近傍を上下方向に沿って移動される。補助ローラガイド33A,33Bは、研磨テープ5の移動方向においてメインローラガイド32の下流側に配置されている。補助ローラガイド33Aは図示しないスプリングによって上方に付勢され、補助ローラガイド33Bは、その位置が固定されている。
また、研磨室2には、研磨ヘッド35と、研磨ヘッド35を半導体ウェハWに向かって移動させるプッシャシリンダ36とが設けられている。図3Aは図1に示す研磨ヘッドを示す拡大断面図である。図3Aに示すように、研磨ヘッド35は、半導体ウェハWに向かって突出する2つの突出部35aを有している。これらの突出部35aは上下方向に配列され、半導体ウェハWのベベル部が突出部35aの間に位置するように配置されている。研磨ヘッド35はプッシャシリンダ36のロッド36aに固定され、研磨テープ5の裏面(すなわち研磨面の反対側の面)に対向するように配置される。このような構成により、研磨ヘッド35がプッシャシリンダ36によって半導体ウェハWに向かって移動されると、研磨ヘッド35によって研磨テープ5の研磨面が半導体ウェハWのベベル部に押圧される。このとき、研磨テープ5は半導体ウェハWのベベル部に沿うように変形する。)

(1-カ)
「Here, the polishing tape 5 may be formed by a thin polishing film. Further, a polishing tape made of a material having a high flexibility may be used. Since a thin polishing film is used as a polishing tape, the polishing tape is not folded or bent on the surface of the semiconductor wafer W, particularly at a peripheral portion (the bevel portion and the edge portion). Therefore, the polishing tape 5 can reliably fit a curved shape of the peripheral portion of the semiconductor wafer W, and hence it is possible to uniformly polish the peripheral portion of the semiconductor wafer W. As a result, needle-like projections formed on the surface of the semiconductor wafer W or an unwanted film attached to the surface of the semiconductor wafer W can be removed uniformly and stably by polishing. Here, "a polishing tape" means a polishing tool in the form of a tape, and such a polishing tape includes a polishing film having a base film onto which polishing abrasive particles are applied, and a polishing cloth in the form of a tape.
As shown in FIG 2, the pusher cylinder 36 is coupled to an oscillation mechanism 40 through a crank 37. The oscillation mechanism 40 comprises a pulley 40A fixed to a crankshaft 37a of the crank 37, a pulley 40B connected to the pulley 40A through a belt 40C, and a motor 40D coupled to the pulley 40B. The motor 40D is operable to rotate the pulley 40B in a normal direction and an opposite direction repetitively at a predetermined cycle. Therefore, the pusher cylinder 36 and the polishing head 35 are oscillated vertically by the oscillation mechanism 40 through the crank 37. In this embodiment, the crankshaft 37a extends in a tangential direction of the semiconductor wafer W on the rotational table 1, and hence the polishing head 35 is swung (pivoted or tilted) vertically about the bevel portion of the semiconductor wafer W. Therefore, the polishing tape 5 is brought into contact not only with the bevel portion but also with the edge portion of the semiconductor wafer W.」(明細書10頁31行?11頁22行)
(ここで、上記研磨テープ5を薄膜研磨フィルムにより形成してもよい。また、高い柔軟性を有する材質からなる研磨テープを用いることもできる。このように、研磨テープとして薄膜研磨フィルムを用いることにより、半導体ウェハWの表面、特に周縁部(ベベル部及びエッジ部)において研磨テープが折れ,あるいは曲がってしまうことがない。従って、研磨テープ5を半導体ウェハWの周縁部の曲面形状に確実に沿わせることができるので、半導体ウェハWの周縁部を均等に研磨することが可能となる。この結果、半導体ウェハWの表面に形成された針状突起や半導体ウェハWの表面に付着した不要な膜を研磨により効果的にかつ確実に除去することが可能となる。ここで、「研磨テープ」はテープ状の研磨工具を意味しており、この研磨テープには、基材フィルム上に研磨砥粒を塗布した研磨フィルム及び帯状の研磨布の双方が含まれる。
図2に示すように、プッシャシリンダ36は、クランク部材37を介して揺動機構40に連結されている。この揺動機構40は、クランク部材37のクランク軸37aに固定されたプーリ40Aと、このプーリ40Aにベルト40Cを介して接続されたプーリ40Bと、プーリ40Bに連結されたモータ40Dとを備えている。モータ40Dはプーリ40Bを一定の周期で繰り返し正転及び反転させるように駆動可能となっている。したがって、プッシャシリンダ36及び研磨ヘッド35はクランク部材37を介して揺動機構40により上下方向に揺動する。本実施形態では、クランク軸37aは、回転テーブル1上の半導体ウェハWの接線方向に延びており、これにより研磨ヘッド35は半導体ウェハWのベベル部を中心として揺動(旋回動作あるいは傾動)する。したがって、研磨テープ5は半導体ウェハWのベベル部のみならずエッジ部にも接触する。)



(1-キ)
「Next, operation of the polishing apparatus of this embodiment will be described.
The air cylinder 31 is activated to lift the shutter 30, thereby opening the entrance aperture 3a. The semiconductor wafer W to be polished is transferred into the polishing chamber 2 through the entrance aperture 3a by the non-illustrated transfer robot. The semiconductor wafer W is transferred until it reaches a position right above the rotational table 1, and is then held by the arms 21 of the positioning mechanism 20. At this time, the positioning, i.e., the centering, of the semiconductor wafer W is performed. The arms 21 are lowered while holding the semiconductor wafer W and then place the semiconductor wafer W onto the upper surface of the rotational table 1. In this state, the vacuum source produces a vacuum in the through-hole 7a to thereby attract the semiconductor wafer W to the upper surface of the rotational table 1. The arms 21 are further lowered and then wait at a predetermined waiting position. Then, the motor 14 is energized to rotate the semiconductor wafer W together with the rotational table 1.
Thereafter, the motor 6C of the polishing tape supply mechanism 6 is driven to supply the polishing tape 5 into the polishing chamber 2 at a low speed. The polishing head 35 is moved by the pusher cylinder 36 toward the semiconductor wafer W, and the polishing surface of the polishing tape 5 is brought into contact with the bevel portion of the semiconductor wafer W by the polishing head 35, thereby polishing the semiconductor wafer W. At this time, the oscillation mechanism 40 and the relative movement mechanism 41 are driven so that the polishing head 35 oscillates vertically and is reciprocated in the tangential direction of the semiconductor wafer W. Accordingly, both the bevel portion and the edge portion of the semiconductor wafer W are polished simultaneously. Instead of reciprocating the polishing head 35, the rotational table 1 may be reciprocated in the extending direction of the crankshaft 37a.
During the polishing, the pressing force, which is produced by the tension of the polishing tape 5, is applied to the peripheral portion of the semiconductor wafer W This pressing force is kept constant even when the portion of contact between the polishing tape 5 and the semiconductor wafer W is shifted from the bevel portion to the edge portion. Therefore, it is possible to achieve a constant polishing rate (removal rate) and a constant polishing profile at all times without depending on shape or dimensional variation of the semiconductor wafer W. 」(明細書13頁8行?14頁7行)
(次に、本実施形態に係る研磨装置の動作について説明する。
まず、エアシリンダ31を作動させてシャッター30を上昇させ、出入口3aを開く。研磨すべき半導体ウェハWは図示しない搬送ロボットによって出入口3aを介して研磨室2に搬入される。半導体ウェハWは回転テーブル1の上方に搬送され、そして位置決め機構20のアーム21により半導体ウェハWが把持される。このとき、半導体ウェハWの位置決め、即ちセンタリングが行われる。半導体ウェハWを把持したアーム21が下降し、半導体ウェハWは回転テーブル1の上面に載置される。この状態で、真空源により通孔7aに真空を形成することで回転テーブル1の上面に半導体ウェハWを真空吸着させる。アーム21は更に下降し、所定の待機位置で待機する。そして、モータ14を駆動させて回転テーブル1とともに半導体ウェハWを回転させる。
次いで、研磨テープ繰り出し巻き取り機構6の巻き取り側モータ6Cを駆動させ、研磨テープ5を低速で研磨室2に繰り出す。そして、プッシャシリンダ36により研磨ヘッド35を半導体ウェハWに向けて移動させ、研磨ヘッド35により研磨テープ5の研磨面を半導体ウェハWのベベル部に摺接させて半導体ウェハWを研磨する。このとき、揺動機構40及び相対移動機構41を駆動させ、研磨ヘッド35を上下方向に揺動させるとともに半導体ウェハWの接線方向に沿って往復移動させる。これによって、半導体ウェハWのベベル部のみならずエッジ部も同時に研磨される。なお、研磨ヘッド35を往復移動させる代わりに、回転テーブル1をクランク軸37aの延びる方向に往復移動させてもよい。
研磨中、半導体ウェハの周縁部に対して研磨テープ5の張力による押圧力が作用する。この押圧力はベベル部からエッジ部へと研磨テープ5及び半導体ウェハWの接触箇所が変化しても一定に維持される。したがって、半導体ウェハWの形状や寸法誤差によらず、常に一定の研磨レート(除去レート)と研磨プロファイルが得られる。)

(1-ク)
上記記載事項(1-ア)からみて,刊行物1には「半導体ウェハの周縁部を研磨するように構成された装置」が記載されているといえる。

(1-ケ)
上記記載事項(1-オ)の「・・・研磨テープ5は半導体ウェハWのベベル部に沿うように変形する。」及び同(1-カ)の「・・・高い柔軟性を有する材質からなる研磨テープを用いることもできる。・・・従って、研磨テープ5を半導体ウェハWの周縁部の曲面形状に確実に沿わせることができるので、半導体ウェハWの周縁部を均等に研磨することが可能となる。・・・」からみて,刊行物1には「半導体ウェハに輪郭が合うように構成された柔軟な研磨テープ」が記載されているといえる。

(1-コ)
上記記載事項(1-エ)の「・・・繰り出しリール6Aからの研磨テープ5は上方のスリット3bを通って研磨室2内に繰り出され、研磨室2からの研磨テープ5は下方のスリット3cを通って巻き取りリール6Bによって巻き取られる。」,同(1-オ)の「・・・メインローラガイド32によって案内される研磨テープ5は、半導体ウェハWのベベル部の近傍を上下方向に沿って移動される。・・・研磨ヘッド35は、半導体ウェハWに向かって突出する2つの突出部35aを有している。これらの突出部35aは上下方向に配列され、半導体ウェハWのベベル部が突出部35aの間に位置するように配置されている。研磨ヘッド35はプッシャシリンダ36のロッド36aに固定され、研磨テープ5の裏面(すなわち研磨面の反対側の面)に対向するように配置される。このような構成により、研磨ヘッド35がプッシャシリンダ36によって半導体ウェハWに向かって移動されると、研磨ヘッド35によって研磨テープ5の研磨面が半導体ウェハWのベベル部に押圧される。このとき、研磨テープ5は半導体ウェハWのベベル部に沿うように変形する。」,同(1-キ)の「・・・研磨中、半導体ウェハの周縁部に対して研磨テープ5の張力による押圧力が作用する。・・・」及び図1からみて,刊行物1には「繰り出しリールと巻き取りリールの間の柔軟な研磨テープの2つの突出部間の長さに沿って柔軟な研磨テープに張力をかけるように構成されたプッシャシリンダ及び研磨ヘッドであって,上記柔軟な研磨テープの2つの突出部間の長さが半導体ウェハとの接触の前には平坦な面を成す,プッシャシリンダ及び研磨ヘッド」が記載されているといえる。

(1-サ)
上記記載事項(1-イ)の「・・・回転テーブル1の下部には回転駆動軸7が連結されており、回転駆動軸7は、円筒状の支持体12の内周面に固定された軸受8,8によって回転自在に支持されている。回転駆動軸7の下端部にはプーリ9が固定されており、このプーリ9は、ベルト11によってプーリ10に接続され、プーリ10はモータ14に連結されている。このような構成により、モータ14を駆動させると、プーリ9,10及びベルト11を介して回転駆動軸7が回転し、これによって回転テーブル1が回転する。・・・」,同(1-キ)の「・・・そして、モータ14を駆動させて回転テーブル1とともに半導体ウェハWを回転させる。次いで、研磨テープ繰り出し巻き取り機構6の巻き取り側モータ6Cを駆動させ、研磨テープ5を低速で研磨室2に繰り出す。そして、プッシャシリンダ36により研磨ヘッド35を半導体ウェハWに向けて移動させ、研磨ヘッド35により研磨テープ5の研磨面を半導体ウェハWのベベル部に摺接させて半導体ウェハWを研磨する。・・・」及び図1からみて,刊行物1には「柔軟な研磨テープの2つの突出部間の長さの一部分に対して半導体ウェハを回転させるように構成された半導体ウェハ回転駆動機構であって,及び、上記半導体ウェハが回転されるときに半導体ウェハの周縁部を研磨する,半導体ウェハ回転駆動機構」が記載されているといえる。

(1-シ)
上記記載事項(1-カ)の「・・・図2に示すように、プッシャシリンダ36は、クランク部材37を介して揺動機構40に連結されている。・・・したがって、プッシャシリンダ36及び研磨ヘッド35はクランク部材37を介して揺動機構40により上下方向に揺動する。本実施形態では、クランク軸37aは、回転テーブル1上の半導体ウェハWの接線方向に延びており、これにより研磨ヘッド35は半導体ウェハWのベベル部を中心として揺動(旋回動作あるいは傾動)する。」,同(1-キ)の「・・・揺動機構40及び相対移動機構41を駆動させ、研磨ヘッド35を上下方向に揺動させるとともに半導体ウェハWの接線方向に沿って往復移動させる。」及び図2からみて,刊行物1には「プッシャシリンダ及び研磨ヘッドが,柔軟な研磨テープを半導体ウェハの縁の周りで揺動させるように構成される」ことが記載されているといえる。

(1-ス)
以上の記載事項(1-ア)?(1-キ),認定事項(1-ク)?(1-シ)並びに図1及び2の記載を総合すると,刊行物1には以下の発明が記載されていると認められる。

「半導体ウェハの周縁部を研磨するように構成された装置において,
半導体ウェハに輪郭が合うように構成された柔軟な研磨テープと,
繰り出しリールと巻き取りリールの間の柔軟な研磨テープの2つの突出部間の長さに沿って柔軟な研磨テープに張力をかけるように構成されたプッシャシリンダ及び研磨ヘッドであって,上記柔軟な研磨テープの2つの突出部間の長さが半導体ウェハとの接触の前には平坦な面を成す,プッシャシリンダ及び研磨ヘッドと,
上記柔軟な研磨テープの2つの突出部間の長さの一部分に対して半導体ウェハを回転させるように構成された半導体ウェハ回転駆動機構であって,上記半導体ウェハが回転されるときに半導体ウェハの周縁部を研磨する,半導体ウェハ回転駆動機構と,
上記プッシャシリンダ及び研磨ヘッドが更に,上記柔軟な研磨テープを上記半導体ウェハの周縁部の周りで揺動させるように構成される,
装置。」(以下「引用発明」という)

(2)原出願優先日前に頒布され,原査定の拒絶の理由に引用された刊行物である特開2002-208572号公報(以下「刊行物2」という)には,「研磨装置」について,図1?13とともに次の事項が記載されている。(下線は当審にて付与する。)

(2-ア)
「【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、研磨装置、特に半導体ウェハなどの研磨対象物の表面を研磨する研磨装置に関するものである。」

(2-イ)
「【0042】図7は本実施形態における第1洗浄ユニット21aの構成を概略的に示す平面図、図8は本実施形態におけるテープ研磨装置の研磨カートリッジを示す横断面図である。図7に示すように、本実施形態の第1洗浄ユニット21aには2つのテープ研磨装置7が設けられている。・・・
【0043】この研磨カートリッジ8は、ローラ54?57に加えて、更に2つのローラ70,71を備えている。また、研磨カートリッジ8の凹部58には、研磨テープ51を基板の側面に押圧する押圧部材73が、圧縮バネ72によって付勢された状態で配置されており、この押圧部材73及び研磨テープ51は研磨カートリッジ8の側面から基板W側に突出している。・・・
【0044】基板Wの側面を研磨する場合には、上記研磨カートリッジ8の側面から突出した押圧部材73及び研磨テープ51を基板Wの側面に接触させ、この状態でカートリッジ保持部のモータを駆動させる。・・・」

(2-ウ)
「【0049】また、上述の実施形態における第1洗浄ユニット21aでは、基板Wを保持するためにローラ30を用いたが、上述のようにテープ研磨装置を基板Wの下方に配置して基板Wの下面を研磨する場合には、図10に示すような真空チャック80によって基板Wに与える荷重の反力を受けることとしてもよい。即ち、真空ポンプ等の真空源Vacに接続される真空チャック80によって基板Wの上面を真空吸着して基板Wを保持し、この真空チャック80の下方にテープ研磨装置7を配置してもよい。この場合において、図11に示すように、複数のテープ研磨装置7a,7bを配置することとしてもよい。例えば、テープ研磨装置7aにおいて上述の3M社製のインペリアルラッピングフィルムの#20000の研磨テープを仕上げ研磨用として用い、テープ研磨装置7bにおいて#4000の研磨テープを初期研磨用として用いるなど、研磨テープの種類を変えて使用することも可能である。・・・」

3 当審の判断

(1)対比
補正発明と引用発明とを比較する。
ア 引用発明の「半導体ウェハ」,「周縁部」,「研磨テープ」及び「繰り出しリールと巻き取りリール」は,その機能からみて,それぞれ,補正発明の「基板」,「縁」,「研磨膜」及び「スプール」に相当するといえる。

イ 引用発明の「半導体ウェハに輪郭が合うように構成された柔軟な研磨テープ」と,補正発明の「基板に輪郭が合うように構成された複数の柔軟な研磨膜」とは,「基板に輪郭が合うように構成された柔軟な研磨膜」の点で共通するといえる。

ウ 引用発明の「プッシャシリンダ及び研磨ヘッド」及び補正発明の「フレーム」は,それぞれ,「研磨テープ」あるいは「研磨膜」に張力をかける「機構」であるから,引用発明の「繰り出しリールと巻き取りリールの間の柔軟な研磨テープの2つの突出部間の長さに沿って柔軟な研磨テープに張力をかけるように構成されたプッシャシリンダ及び研磨ヘッドであって,上記柔軟な研磨テープの2つの突出部間の長さが半導体ウェハとの接触の前には平坦な面を成す,プッシャシリンダ及び研磨ヘッド」と,補正発明の「スプールの間の各柔軟な研磨膜の少なくとも第1の長さに沿って複数の柔軟な研磨膜のそれぞれに張力をかけるように構成された少なくとも1つのフレームであって、上記各柔軟な研磨膜の第1の長さが基板との接触に先んじて第1の面を成す、フレーム」とは,「スプールの間の柔軟な研磨膜の少なくとも第1の長さに沿って複数の柔軟な研磨膜のそれぞれに張力をかけるように構成された少なくとも1つの機構であって,上記各柔軟な研磨膜の第1の長さが基板との接触に先んじて第1の面を成す,機構」の点で共通するといえる。

エ 引用発明の「上記柔軟な研磨テープの2つの突出部間の長さの一部分に対して半導体ウェハを回転させるように構成された半導体ウェハ回転駆動機構であって,上記半導体ウェハが回転されるときに半導体ウェハの周縁部を研磨する,半導体ウェハ回転駆動機構」と,補正発明の「少なくとも1つの上記柔軟な研磨膜の第1の長さの一部分に対して基板を回転させるように構成された基板回転駆動装置であって、それにより、上記基板が上記第1の面内に延び、且つ上記基板に接触する柔軟な研磨膜がいずれも、上記基板に対する上記柔軟な研磨膜の裏側に対して圧力を付与させることなく、上記基板に圧力を付与し、上記基板の縁に輪郭が合い、及び、上記基板が回転されるときに上記縁を研磨する、基板回転駆動装置」とは,「少なくとも1つの上記柔軟な研磨膜の第1の長さの一部分に対して基板を回転させるように構成された基板回転駆動装置であって,上記基板が回転されるときに上記縁を研磨する,基板回転駆動装置」の点で共通するといえる。

オ 引用発明の「半導体ウェハの周縁部の周りで揺動させる」は,「半導体ウェハの周縁部」の周りで「揺動」させると,「研磨テープ」は当該「周縁部」に対して角度をなして並進運動することは明らかであるから,引用発明の「上記プッシャシリンダ及び研磨ヘッドが更に,上記柔軟な研磨テープを上記半導体ウェハの周縁部の周りで揺動させるように構成される」と,補正発明の「上記少なくとも1つのフレームが更に、上記柔軟な研磨膜を上記基板の縁の周りで角度を付けて並進移動させるように構成されている」とは,「上記少なくとも1つの機構が更に,上記柔軟な研磨膜を上記基板の縁の周りで角度を付けて並進移動させるように構成されている」の点で共通するといえる。

そうすると,両者は,
(一致点)
「基板の縁を研磨するように構成された装置において,
基板に輪郭が合うように構成された柔軟な研磨膜と,
スプールの間の柔軟な研磨膜の少なくとも第1の長さに沿って複数の柔軟な研磨膜のそれぞれに張力をかけるように構成された少なくとも1つの機構であって,上記各柔軟な研磨膜の第1の長さが基板との接触に先んじて第1の面を成す,機構と,
少なくとも1つの上記柔軟な研磨膜の第1の長さの一部分に対して基板を回転させるように構成された基板回転駆動装置であって,上記基板が回転されるときに上記縁を研磨する,基板回転駆動装置と,
を備え,
上記少なくとも1つの機構が更に,上記柔軟な研磨膜を上記基板の縁の周りで角度を付けて並進移動させるように構成されている,装置。」
である点で一致し,以下の点で相違する。

(相違点1)
「柔軟な研磨膜」について,補正発明では「複数」であるのに対して,引用発明の「研磨テープ」が複数であるか明らかではない点。

(相違点2)
補正発明では「上記基板が上記第1の面内に延び、且つ上記基板に接触する柔軟な研磨膜がいずれも、上記基板に対する上記柔軟な研磨膜の裏側に対して圧力を付与させることなく、上記基板に圧力を付与し、上記基板の縁に輪郭が合」うのに対して,引用発明がそのようなものであるか明らかではない点。

(相違点3)
「基板の縁」について,補正発明では「上記基板回転駆動装置を越えて延び」るのに対して,引用発明がそのようなものであるか明らかではない点。

(相違点4)
「柔軟な研磨膜を上記基板の縁の周りで角度を付けて並進移動させるように構成されている」のが,補正発明では「上記少なくとも1つのフレーム」であるのに対して,引用発明では「プッシャシリンダ及び研磨ヘッド」である点。

(2)相違点1について
上記記載事項(2-ア)及び(2-イ)からみて,刊行物2には「半導体ウェハなどの研磨対象物の側面を研磨する研磨装置において,2つのテープ研磨装置を備える」ことが記載されており,該「2つの研磨装置を備える」が補正発明の「複数の柔軟な研磨膜を備える」に対応するといえる。
引用発明と刊行物2記載の「研磨装置」は,両者とも帯状の「研磨テープ」を研磨対象物である半導体ウェハの側面に対して移動させることにより研磨する研磨装置である点で共通する。そうすると,引用発明の「柔軟な研磨テープ」に,上記刊行物2の記載事項を適用して,「複数の柔軟な研磨膜を備える」とすることは,当業者とって十分動機付けが存在し,何ら困難性・阻害要因が存在しない範囲の事項であるといえる。
してみると,引用発明において,相違点1に係る補正発明の構成とすることは,当業者ならば容易に想到し得る事項であるといえる。

(3)相違点2及び4について
そもそも,特開昭61-209457号公報の3頁左上欄13?15行に「研磨テープ3の押しつけ圧は基体1と研磨装置2との相対位置およびトルクモータ8に連結されたテンションローラ7によって調節され」(第1図a参照)と記載されているように,研磨の技術分野において,「柔軟な研磨テープの裏側に対して圧力を付与させることなく,被研磨体に圧力を付与する」ことは,原出願優先日前周知の技術事項であるといえる。そして,該「研磨テープ」及び「テンションローラ等を支持する研磨装置」が,補正発明の「研磨膜」及び「フレーム」に対応することは明らかである
そうすると,「構造を簡略化する」ことは,研磨の技術分野において一般的な課題であるといえるから,引用発明において,その構造を簡略化するために,「プッシャシリンダ及び研磨ヘッド」の代わりに上記周知の技術事項を採用することは,当業者とって十分動機付けが存在し,何ら困難性・阻害要因が存在しないといえる。さらに,引用発明において「上記柔軟な研磨テープを上記半導体ウェハの縁の周りで揺動させるように構成される」との作用を奏するものが「プッシャシリンダ及び研磨ヘッド」であるところ,上記周知の技術事項を採用することで,「プッシャシリンダ及び研磨ヘッド」に代えて「研磨テープ」に張力を付与するローラを支持する「フレーム」が上記作用を奏するようにすべきことは,当業者にとって自明である。
してみると,引用発明において,相違点2及び4に係る補正発明の構成とすることは,当業者ならば容易に想到し得る事項であると云わざるを得ない。

(4)相違点3について
補正発明の「基板の縁が,上記基板回転駆動装置を越えて延び」に関して,本願明細書の段落【0020】の「図5に示すように、別の例示的縁研磨装置500は、ヘッド504を含むベース又はフレーム502を備え、ヘッド504は、スプール208、210間に引っ張られてパッド206により更に支持された研磨膜204を支持する。図示されたように、パッド206は、アクチュエータ506(例えば、空気圧スライド、液圧ラム、サーボモータ駆動プッシャー、等)を介してヘッド504に装着することができる。図5の縁研磨装置500は、駆動装置510(例えば、モータ、ギア、ベルト、チェーン、等)に結合された真空チャック508も含むことができる。図5に示す実施形態の効果は、装置500が、研磨されている縁104に接触する必要がないことである。従って、粒子が駆動ローラに累積したり縁104に再堆積したりする可能性が排除される。ローラをきれいにする必要性も排除される。更に、ローラが縁にダメージを及ぼしたりひっかき傷をつけたりする可能性も排除される。基板を真空チャックに保持することにより、振動のない高速回転を得ることができる。」との記載及び図5からみて,「駆動装置のモータの出力軸が基板の回転軸と同軸である」ものにおいて,「平面視において,基板の縁(外縁)が,基板回転駆動装置の外周より外側である」構成を含んでいるといえる。
一方,基板の研磨装置の分野において,「駆動装置のモータの出力軸が基板の回転軸と同軸である」ものにおいて「平面視において,基板の縁(外縁)が,基板回転駆動装置の外周より外側である」構成としたものは,原出願優先日前において周知技術事項であるといえる。例えば,特許第3707025号公報の段落【0022】には「・・・・・また、下側のウェーハ保持板16の裏面中央部は、このウェーハWの回転駆動源である回転モータ17の出力軸17aに固着されている。出力軸17aが回転すると、ウェーハ保持板16を介してシリコンウェーハWが、そのウェーハ中心を軸にして、水平面内で回転する。・・・・・」(図1?4参照)と記載され,特許第3377024号公報の段落【0009】には「前記吸着テーブル12は円盤状に形成され、その下面にモータ18の出力軸20が吸着テーブル12の中心軸と同軸上に取り付けられている。この吸着テーブル12は、モータ18の駆動力によって図中矢印A方向に回転される。・・・・・」(図1参照)と記載され,特許第3137730号公報の段落【0012】には「なお、上面にウエハー2を吸着した回転ステージ6を、ウエハー駆動モータ10により回転・・・・・」(図1(b)参照)と記載され,特開2001-44147号公報の段落【0016】には「・・・・・ウェーハ保持板11は、プラズマエッチング装置13のチャック兼用電極を兼務する水平な板であり、回転モータ14の出力軸の先端に固着されて、所定の回転速度で所定方向へ回転するように構成されている。・・・・・」(図1,2参照)と記載され,特開平9-17759号公報の段落【0014】には「上記吸着テーブル2及び砥石3は、各軸にモータ7及びモータ8を備えているため、各モータ7,8を作動させることにより吸着テーブル2及び砥石3を矢印の方向に回転させることができる。・・・・・」(図1参照)と記載されている。
そうすると,「構造を簡略化する」ことは,研磨の技術分野において一般的な課題であるといえるから,引用発明において,その構造を簡略化するために,その「半導体ウェハ回転駆動機構」に上記周知の技術事項を適用することは,当業者とって十分動機付けが存在し,何ら困難性・阻害要因が存在しないといえる。
してみると,引用発明において,相違点3に係る補正発明の構成とすることは,当業者ならば容易に想到し得る事項であると云わざるを得ない。

(5)効果について
補正発明により得られる効果は,引用発明,刊行物2記載の事項及び従来周知の技術事項から当業者が予測し得る範囲内のものに過ぎず,格別顕著なものとはいえない。

(6)小括
したがって,補正発明は,引用発明,刊行物2記載の事項及び従来周知の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり,特許法第29条第2項の規定により,特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。

4 補正の却下の決定についてのまとめ
以上のとおりであるから,本件補正は,平成18年改正前特許法第17条の2第5項において準用する同法第126条第5項の規定に適合しないので,同法第159条第1項の規定において読み替えて準用する同法第53条第1項の規定により,却下すべきものである。
よって,上記[補正の却下の決定の結論]のとおり,決定する。

第3 本願発明について

1 本願発明
本件補正は,上記のとおり却下されることとなるので,本願の請求項1?14に係る発明は,平成25年12月3日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項1?14に記載された事項により特定されたものであると認められる。

「【請求項3】
基板の縁を研磨するように構成された装置において、
基板に輪郭が合うように構成された複数の柔軟な研磨膜と、
各柔軟な研磨膜の少なくとも第1の長さに沿って複数の柔軟な研磨膜のそれぞれに張力をかけるように構成された少なくとも1つのフレームであって、上記各柔軟な研磨膜の第1の長さが基板との接触に先んじて第1の面を成す、フレームと、
少なくとも1つの上記柔軟な研磨膜の第1の長さの一部分に対して基板を回転させるように構成された基板回転駆動装置であって、それにより、上記基板が上記第1の面内に延び、且つ上記基板に接触する柔軟な研磨膜がいずれも、基板に圧力を付与し、上記基板の縁に輪郭が合い、及び、上記基板が回転されるときに上記縁を研磨する、基板回転駆動装置と、
を備え、
上記基板の縁が上記基板回転駆動装置を越えて延び、
上記少なくとも1つのフレームが更に、上記柔軟な研磨膜を上記基板の縁
の周りで角度を付けて並進移動させるように構成されている、装置。」
(以下「本願発明」という)

2 引用刊行物
原出願優先日前に頒布された刊行物1及び2に記載された発明及び事項は,上記「第2 2」に記載したとおりである。

3 当審の判断
本願発明は,補正発明の特定事項である「柔軟な研磨膜」について,「スプールの間の」及び「上記基板に対する上記柔軟な研磨膜の裏側に対して圧力を付与させることなく」との限定を除いたものである。
そして,本願発明の構成を全て備えた補正発明が,上記「第2 3 当審の判断」にて検討したとおり,引用発明,刊行物2記載の事項及び従来周知の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから,本願発明も,引用発明,刊行物2記載の事項及び従来周知の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるというべきである。

第4 むすび
以上のとおり,本願発明は,特許法第29条第2項の規定により特許を受けることができないから,その他の請求項について言及するまでもなく,本願は拒絶されるべきものである。
よって,結論のとおり審決する。
 
審理終結日 2015-06-03 
結審通知日 2015-06-09 
審決日 2015-06-22 
出願番号 特願2012-100094(P2012-100094)
審決分類 P 1 8・ 121- Z (B24B)
最終処分 不成立  
前審関与審査官 矢澤 周一郎、八木 敬太  
特許庁審判長 栗田 雅弘
特許庁審判官 久保 克彦
石川 好文
発明の名称 基板を処理する方法及び装置  
代理人 小林 義教  
代理人 園田 吉隆  

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