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審決分類 審判 査定不服 2項進歩性 特許、登録しない。 G11B
審判 査定不服 特36条6項1、2号及び3号 請求の範囲の記載不備 特許、登録しない。 G11B
審判 査定不服 5項独立特許用件 特許、登録しない。 G11B
管理番号 1309542
審判番号 不服2014-20581  
総通号数 194 
発行国 日本国特許庁(JP) 
公報種別 特許審決公報 
発行日 2016-02-26 
種別 拒絶査定不服の審決 
審判請求日 2014-10-10 
確定日 2016-01-04 
事件の表示 特願2010-136170「トンネル磁気抵抗再生素子」拒絶査定不服審判事件〔平成23年 2月 3日出願公開、特開2011- 23096〕について、次のとおり審決する。 
結論 本件審判の請求は、成り立たない。 
理由 第1 手続の経緯
本願は、平成22年6月15日(パリ条約に基づく優先権主張 平成21年7月13日 米国(US))の出願であって、平成22年10月20日付けで手続補正がなされ、平成24年5月17日付け拒絶理由通知に対する応答時、同年11月13日付けで手続補正がなされ、平成25年6月6日付け最後の拒絶理由通知に対する応答時、同年11月8日付けで意見書が提出されたが、平成26年6月6日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年10月10日付けで拒絶査定不服審判の請求及び手続補正がなされたものである。

第2 平成26年10月10日付けの手続補正についての補正却下の決定
[補正却下の決定の結論]
平成26年10月10日付けの手続補正を却下する。
[理由]
1.補正後の本願発明
平成26年10月10日付けの手続補正(以下「本件補正」という。)により、特許請求の範囲の請求項1は、
「【請求項1】
トンネル磁気抵抗再生素子であって、
上部磁気シールドを下部磁気シールドから隔てるセンサスタックを含み、
前記センサスタックは、基準磁化配向方向を有する基準磁気要素と、膜面垂直異方性を有するとともに前記基準磁化配向方向に対して実質的に垂直な自由磁化配向方向を有する自由磁気要素と、前記自由磁気要素から前記基準磁気要素を隔てるスペーサ層とを含み、
前記スペーサ層は非磁性であり、
前記自由磁気要素は第1の層および第2の層のみから成り、前記第1の層は前記スペーサ層と前記第2の層との間にあり、
前記トンネル磁気抵抗再生素子はさらに、
前記上部磁気シールドと前記下部磁気シールドとの間に配置された第1のサイド磁気シールドおよび第2のサイド磁気シールドを含み、
前記センサスタックは前記第1のサイド磁気シールドと前記第2のサイド磁気シールドとの間にあり、
前記第1のサイド磁気シールドおよび前記第2のサイド磁気シールドは、前記上部磁気シールドを前記下部磁気シールドから電気的に絶縁する電気絶縁層を含み、
前記第1のサイド磁気シールドおよび前記第2のサイド磁気シールドは、非磁性スペーサ層によって隔てられた複数の磁性層を含み、さらに、前記非磁性スペーサ層は電気絶縁性である、トンネル磁気抵抗再生素子。」
と補正された。

上記補正は、請求項1に記載された発明を特定するために必要な事項である「自由磁気要素」について、「第1の層および第2の層のみから成り、前記第1の層は前記スペーサ層と前記第2の層との間にあり」との限定を付加するものである。
したがって、本件補正は、特許法第17条の2第5項第2号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。

そこで、本件補正後の上記請求項1に係る発明(以下「本願補正発明」という。)が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか(特許法第17条の2第6項において準用する同法第126条第7項に規定する要件を満たすか)否かについて、以下検討する。

2.独立特許要件について
2-1.特許法第29条第2項
(1)引用例
(1-1)引用例1
原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先権主張の日前に頒布された刊行物である特開2007-5803号公報(以下「引用例1」という。)には、「磁気抵抗素子」について、図面とともに以下の各記載がある(なお、下線は当審で付与した。)
ア.「【特許請求の範囲】
【請求項1】
磁気抵抗素子であって、
第1の自由副層と、前記第1の自由副層より低い垂直磁気異方性を有するとともに前記第1の自由副層と前記第2の自由副層が第1のスペーサによって分離された第2の自由副層とを含み、外部磁界に応じて調整可能な磁化方向を有する自由層と、
固定された磁化方向を有し、第2のスペーサによって前記自由層から分離されたピン層と、を含み、
前記第2の自由副層が前記第1のスペーサと前記第2のスペーサの間にある磁気抵抗素子。」

イ.「【請求項6】
前記第2のスペーサが、(a)トンネル磁気抵抗(TMR)型スピンバルブの場合は絶縁体、(b)巨大磁気抵抗(GMR)型スピンバルブの場合は導体、および(c)弾道磁気抵抗(BMR)型スピンバルブの場合は少なくとも1つの導電性ナノコンタクトを有する絶縁体のうちの1つである請求項1に記載の磁気抵抗素子。」

ウ.「【0020】
本発明は、本明細書で説明する例示的かつ非限定的な実施形態による、平面外磁化を有する交換結合型自由層ならびに当業者によって理解されるようなその等価物を含む磁気抵抗素子である。限定ではない例として、磁気抵抗素子は、読み取りヘッドおよびメモリ(例えば、MRAMであるがこれに限定されない)、センサ、あるいは当業者によって理解されるような磁気抵抗効果を利用する他の従来技術の装置に使用される。限定ではない例として、センサは、遺伝子および微生物検出用のバイオセンサなどとして使用される。」

エ.「【0021】
図4は、スピンバルブの例示的かつ非限定的な実施形態を示す。合成自由層101は、外部磁界に応じて調整可能な磁化方向を有する。より具体的には、合成自由層101は、高い垂直磁気異方性と低いスピン分極を有する第1の自由副層111と、非磁性自由副層スペーサ109(「第1のスペーサ」とも呼ばれる)と、低い垂直磁気異方性と高分極を有する第2の自由副層113とを有する。」

オ.「【0023】
第1の自由副層111と第2の自由副層113の間の交換結合によって、第2の自由副層の磁化方向が、平面内の方向から平面と垂直な方向(すなわち約90度)に変更される。その結果、2つの層がそれぞれ低い異方性と高い異方性を有するので、自由層の全垂直磁気異方性エネルギーを全体として実質的に減少させることができる。」

カ.「【0025】
自由層101は、スペーサ103(「第2のスペーサ」とも呼ばれる)によってピン層105(すなわち、実質的に固定された磁化方向を有する)から分離される。」

キ.「【0031】
バッファ層132は、下部シールド135上に配置される。スピンバルブと下部シールド135の上側面に対して横方向に絶縁体141aが提供される。絶縁体141a上に、隣りのトラックの磁界からセンサを保護する側面シールド143が提供される。側面シールド143上には、センス電流が側面シールドに流れるのを有効に防ぐためのさらに別の絶縁体141bが付着される。必要に応じて、絶縁体141aが別の絶縁体141bと接触してもよく、あるいは、それらの2つの層141a、141bが、側面シールド143によって完全に分離されてもよい。」

ク.「【0032】
このシールド構造は、スピンバルブの左側と右側の側面に沿って存在する。これにより、図4の多層自由層構造が、図5のボトム型スピンバルブ内に提供される。より具体的には、第1の自由副層145は、自由層121内で自由副層スペーサ149(「第1のスペーサ」)によって第2の自由副層147から分離される。その結果、ボトム型スピンバルブにおいて前述の利点が得られる。」

・上記引用例1に記載の「磁気抵抗素子」は、上記「ア.」、「エ.」、「カ.」の記載事項、及び図4によれば、第1の自由副層111と、第1の自由副層111と非磁性自由副層スペーサ109によって分離された第2の自由副層113とを含み、外部磁界に応じて調整可能な磁化方向を有する合成自由層101と、固定された磁化方向を有し、スペーサ103によって合成自由層101から分離されたピン層105と、からなるスピンバルブを含む磁気抵抗素子に関するものである。
・上記「イ.」の記載事項によれば、トンネル磁気抵抗型スピンバルブの場合、スペーサ103は絶縁体であり、非磁性であることは自明といえることである。
・上記「キ.」の記載事項、及び図5によれば、磁気抵抗素子は、スピンバルブの上下に上部シールド137と下部シールド135とを有する。
・上記「オ.」の記載事項によれば、第1の自由副層と第2の自由副層の間の交換結合によって、第2の自由副層の磁化方向が、平面内の方向から平面と垂直な方向に変更されている。
・上記「キ.」の記載事項によれば、スピンバルブと下部シールド上側面にに絶縁体141aが設けられ、絶縁体141a上に隣りのトラックの磁界からセンサを保護する側面シールド143が設けられ、側面シールド143上にセンス電流が側面シールド143に流れるのを有効に防ぐためのさらに別の絶縁体141bが付着されている。
・上記「ク.」の記載事項によれば、側面シールド143はスピンバルブの左側と右側の側面に存在している。

したがって、特に磁気抵抗素子がトンネル磁気抵抗型スピンバルブであり、読み取りヘッドに使用される場合に着目し、上記記載事項及び図面を総合勘案すると、引用例1には次の発明(以下「引用発明」という。)が記載されている。
「読み取りヘッドに使用される磁気抵抗素子であって、
トンネル磁気抵抗型スピンバルブと、その上下にそれぞれ設けられた上部シールドと下部シールドとを含み、
前記トンネル磁気抵抗型スピンバルブは、固定された磁化方向を有するピン層と、外部磁界に応じて調整可能な磁化方向を有する自由層と、前記ピン層から前記自由層を分離する非磁性絶縁体のスペーサとを含み、
前記自由層は、垂直異方性を有する第1の自由副層と、当該第1の自由副層111と非磁性自由副層スペーサによって分離された第2の自由副層とを含み、前記第1の自由副層と前記第2の自由副層の間の交換結合によって、前記第2の自由副層の磁化方向が、平面と垂直な方向に変更され、
当該磁気抵抗素子はさらに、
前記トンネル磁気抵抗型スピンバルブと前記下部シールドの上側面に絶縁体141aが設けられ、
前記絶縁体141a上に隣りのトラックの磁界からセンサを保護する側面シールドが提供され、
前記側面シールド上にセンス電流が側面シールドに流れるのを有効に防ぐためのさらに別の絶縁体141bが付着され、
前記側面シールドは、前記トンネル磁気抵抗型スピンバルブの左側と右側の側面に存在する、磁気抵抗素子。」

(1-2)引用例2
本願の優先権主張の日前に頒布された刊行物である特開2003-229612号公報(以下「引用例2」という。)には、「磁気抵抗効果センサ」について、図面とともに以下の技術事項が記載されている。

ク.「【0044】
この磁気抵抗効果膜15は、媒体磁束に応じて磁化方向が変化する磁化自由層151と、非磁性中間層152と、磁化固着層153と、反強磁性層からなる磁化固定層154と、保護層155を順に積層した構造を有する。磁化固着層153は面内磁気異方性を有する強磁性材料で形成され、反強磁性層からなる磁化固定層154によって磁化が膜面内に(媒体面に向いて)固着されている。磁化自由層151は、たとえばCoを主成分とした金属を含んだ垂直磁気異方性を有する強磁性材料で形成され、媒体磁束がない状態では磁化が膜面に対してほぼ垂直に配向している。図1では、非磁性中間層152はCuを含む金属などの導電性非磁性材料で形成されているが、Al-Oなどの非導電性非磁性材料で形成してもよい。」

ケ.「【0052】
図3に示す磁気抵抗効果センサーは、磁気抵抗効果膜15の磁化自由層151に接して硬磁性層31を設けている以外は、図1に示す磁気抵抗効果センサーと同様の構成を有する。この硬磁性層31は、膜面に対してほぼ垂直に磁化され、磁化自由層151の膜面にほぼ垂直なバイアス磁界を印加し、その結果、磁化自由層151の磁化は膜面にほぼ垂直に配向している。以下、図3を参照して、この磁気抵抗効果センサーをより詳細に説明する。」

コ.「【0060】
図4に示す磁気抵抗効果センサーは、硬磁性層31と磁気抵抗効果膜15の磁化自由層151との間に非磁性層32を設けている以外は、図3に示す磁気抵抗効果センサーと同様の構成を有する。」

(2)対比
本願補正発明と引用発明とを対比する。
ア.引用発明における「上部シールド」、「下部シールド」、「トンネル磁気抵抗型スピンバルブ」は、それぞれ本願補正発明における「上部磁気シールド」、「下部磁気シールド」、「センサスタック」に相当し、そして、トンネル磁気抵抗型スピンバルブは、上部シールドと下部シールドの間に配置されてなるものであるから、
本願補正発明と引用発明とは、「上部磁気シールドを下部磁気シールドから隔てるセンサスタックを含み」の点で一致する。

イ.引用発明における「ピン層」は、本願補正発明の「基準磁気要素」に相当し、そして、引用発明の「ピン層」は、「固定された磁化方向を有する」ものであるから、
本願補正発明と引用発明とは、「基準磁化配向方向を有する基準磁気要素と」を含む点で一致する。

ウ.引用発明における「自由層」は、本願補正発明における「自由磁気要素」に相当し、そして、引用発明の「自由層」は、「平面と垂直な方向」に垂直異方性を有するものであるから、膜面垂直異方性を有し、また、「ピン層」と実質的に垂直な自由磁化配向方向を有しているといえる。
したがって、本願補正発明と引用発明とは、「膜面垂直異方性を有するとともに前記基準磁化配向方向に対して実質的に垂直な自由磁化配向方向を有する自由磁気要素と」を含む点で一致する。

エ.引用発明における「スペーサ」は、本願補正発明における「スペーサ層」に相当し、そして、引用発明の「スペーサ」は、「非磁性絶縁体」であるから、
本願補正発明と引用発明とは、「前記スペーサ層は非磁性であり」の点で一致する。

オ.引用発明における「第2の自由副層」、「第1の自由副層」は、それぞれ本願補正発明における「第1の層」、「第2の層」にそれぞれ相当し、そして、引用発明の「自由層」は、「第1の自由副層」と「第2の自由副層」とを含み、「第2の自由副層」は、スペーサと第1の自由副層との間に位置している(図4を参照)ことから、
本願補正発明と引用発明とは、「前記自由磁気要素は第1の層および第2の層」「から成り、前記第1の層は前記スペーサ層と前記第2の層との間にあり」の点で共通する。
ただし、引用発明では、第1の自由副層と第2の自由副層の間に非磁性自由副層スペーサを有し、第1の自由副層および第2の自由副層「のみ」から成るものではない点で本願補正発明と相違する。

カ.引用発明における「側面シールド」は、「前記トンネル磁気抵抗型スピンバルブの左側と右側の側面に存在する」ものであり、本願補正発明における「第1のサイド磁気シールド」及び「第2のサイド磁気シールド」に相当し、また、「側面シールド」は、上部シールドと下部シールドの間との間に配置されている(図5を参照)から、
本願補正発明と引用発明とは、「前記上部磁気シールドと前記下部磁気シールドとの間に配置された第1のサイド磁気シールドおよび第2のサイド磁気シールドを含み、前記センサスタックは前記第1のサイド磁気シールドと前記第2のサイド磁気シールドとの間にあ」る点で一致する。

キ.引用発明における「絶縁体141a」は、本願補正発明における「電気絶縁層」に相当し、そして、引用発明の「絶縁体141a」は、「前記トンネル磁気抵抗型スピンバルブと下部シールドの上側面に」配置され、また、「前記絶縁体141a」上に「側面シールド」が配置されるものであるから、
本願補正発明と引用発明とは、「前記第1のサイド磁気シールドおよび前記第2のサイド磁気シールドは、前記上部磁気シールドを前記下部磁気シールドから電気的に絶縁する電気絶縁層を含」む点で一致する。

ク.そして、引用発明における「磁気抵抗素子」は、トンネル磁気抵抗型スピンバルブからなり、読み取りヘッドに使用されるものであるから、本願補正発明における「トンネル磁気抵抗再生素子」に相当する。

よって、本願補正発明と引用発明とは、
「トンネル磁気抵抗再生素子であって、
上部磁気シールドを下部磁気シールドから隔てるセンサスタックを含み、
前記センサスタックは、基準磁化配向方向を有する基準磁気要素と、膜面垂直異方性を有するとともに前記基準磁化配向方向に対して実質的に垂直な自由磁化配向方向を有する自由磁気要素と、前記自由磁気要素から前記基準磁気要素を隔てるスペーサ層とを含み、
前記スペーサ層は非磁性であり、
前記自由磁気要素は第1の層および第2の層から成り、前記第1の層は前記スペーサ層と前記第2の層との間にあり、
前記トンネル磁気抵抗再生素子はさらに、
前記上部磁気シールドと前記下部磁気シールドとの間に配置された第1のサイド磁気シールドおよび第2のサイド磁気シールドを含み、
前記センサスタックは前記第1のサイド磁気シールドと前記第2のサイド磁気シールドとの間にあり、
前記第1のサイド磁気シールドおよび前記第2のサイド磁気シールドは、前記上部磁気シールドを前記下部磁気シールドから電気的に絶縁する電気絶縁層を含む、トンネル磁気抵抗再生素子。」
である点で一致し、次の点で相違する。

[相違点1]
第1の層および第2の層から成る自由磁気要素について、本願補正発明では、第1の層および第2の層「のみ」から成ると特定するのに対し、引用発明では、第1の自由副層と第2の自由副層の間に非磁性自由副層スペーサを有し、第1の自由副層および第2の自由副層「のみ」から成るものではない点。

[相違点2]
本願補正発明では、「前記第1のサイド磁気シールドおよび前記第2のサイド磁気シールドは、非磁性スペーサ層によって隔てられた複数の磁性層を含み、さらに、前記非磁性スペーサ層は電気絶縁性である」と特定するのに対し、引用発明では、そのような特定を有していない点。

(3)判断
上記相違点について検討する。
[相違点1]について
引用例2(上記「(1-2)」を参照)には、磁化自由層と、非磁性中間層と、磁化固着層とを有する磁気抵抗効果膜において、磁化自由層が垂直異方性を有する強磁性材料で形成され、膜面に対して垂直に配向しているものが記載され(上記「ク.」)、そして、磁化自由層に接して硬磁性層を設けた磁気抵抗効果膜が記載されている(上記「ケ.」、図3)。また、磁化自由層と硬磁性層との間に非磁性層を設けた磁気抵抗効果膜も記載されている(上記「コ.」、図4)。ここで、引用例2に記載された「磁化固着層」、「非磁性中間層」、「磁化自由層」及び「硬磁性層」は、それぞれ本願補正発明における「基準磁気要素」、「スペーサ層」、「第1の層」及び「第2の層」に相当している。
ところで、引用発明における自由層は、第1の自由副層と第2の自由副層の間に非磁性自由副層スペーサを有しており、引用例2の図4の例に対応するものであるが、引用例2の図3の例のように非磁性層である非磁性自由副層スペーサを省き、第1の自由副層と第2の自由副層とからなる自由層の構成として、第1の自由副層と第2の自由副層「のみ」から成るものとし、相違点1に係る構成とすることは引用例2の上記記載事項から当業者が容易になし得ることである。

[相違点2]について
本願明細書段落【0028】の記載によれば、非磁性の絶縁体である「非磁性スペーサ層」は、電気絶縁層が上部磁気シールドを下部磁気シールドから電気的に絶縁するのを助けるためのものである。
一方、引用発明は、側面シールド上にセンス電流が側面シールドに流れるのを有効に防ぐためのさらに別の「絶縁体141b」を付着させたものであり、引用発明の「絶縁体141b」についても、上記のように、センス電流が側面シールドに流れるのを有効に防ぐためのもの、換言すれば、絶縁体141aが上部シールドを下部シールドから絶縁するのを助けるものであり、本願補正発明の「非磁性スペーサ層」と引用発明の「絶縁体141b」とは技術的に目的を共通にしているといえる。
そうすると、引用発明において、上部シールドを下部シールドから絶縁するのを助けるために「絶縁体141a」とは別の「絶縁体141b」を設けるものであるところ、当該「絶縁体141b」の配置位置は適宜選択し得るものであり、側面シールド上に配置することに代えて側面シールド内に配置すること、すなわち相違点2のように、「前記第1のサイド磁気シールドおよび前記第2のサイド磁気シールドは、スペーサ層によって隔てられた複数の磁性層を含み、さらに、前記スペーサ層は電気絶縁性である」とする構成は、当業者であれば容易になし得ることである。
なお、「絶縁体141b」や「絶縁体141a」は電気的絶縁を目的とするのであり、Al_(2)O_(3)などの「非磁性」の無機酸化物を用いるのが普通である(例えば、原査定の拒絶の理由に引用された特開2009-32382号公報の段落【0021】及び図2A、さらには特開2003-264324号公報の段落【0057】?【0059】及び図1を参照)。

そして、上記相違点を総合的に判断しても、本願補正発明が奏する効果は引用例1,2から当業者が予測できたものであって格別なものとはいえない。

(4)むすび
以上のとおり、本願補正発明は、引用例1,2に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第29条第2項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。

2-2.特許法第36条第6項第2号違反
請求項1において、「前記自由磁気要素は第1の層および第2の層のみから成り、前記第1の層は前記スペーサ層と前記第2の層との間にあり」とあるが、「第1の層」と「第2の層」との違いが不明であり、そのため、自由磁気要素を第1の層と第2の層の2層としたことの技術的意味も明らかでなく、この点において請求項1に係る発明は明確なものでない。

よって、本件出願は、特許請求の範囲の記載が特許法第36条第6項第2号に規定する要件を満たしていないから、本願補正発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。

3.本件補正についてのむすび
以上のとおり、本件補正は、特許法第17条の2第6項において準用する同法第126条第7項の規定に違反するものであるから、同法第159条第1項で読み替えて準用する同法第53条第1項の規定により却下すべきものである。

第3 本願発明について
1.本願発明
平成26年10月10日付けの手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項1に係る発明(以下「本願発明」という。)は、平成24年11月13日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項1に記載された、次のとおりのものである。
「【請求項1】
トンネル磁気抵抗再生素子であって、
上部磁気シールドを下部磁気シールドから隔てるセンサスタックを含み、前記センサスタックは、基準磁化配向方向を有する基準磁気要素と、膜面垂

直異方性を有するとともに前記基準磁化配向方向に対して実質的に垂直な自由磁化配向方向を有する自由磁気要素と、前記自由磁気要素から前記基準磁気要素を隔てるスペーサ層とを含み、前記スペーサ層は非磁性であり、前記トンネル磁気抵抗再生素子はさらに、
前記上部磁気シールドと前記下部磁気シールドとの間に配置された第1のサイド磁気シールドおよび第2のサイド磁気シールドを含み、前記センサスタックは前記第1のサイド磁気シールドと前記第2のサイド磁気シールドとの間にあり、前記第1のサイド磁気シールドおよび前記第2のサイド磁気シールドは、前記上部磁気シールドを前記下部磁気シールドから電気的に絶縁する電気絶縁層を含み、
前記第1のサイド磁気シールドおよび前記第2のサイド磁気シールドは、非磁性スペーサ層によって隔てられた複数の磁性層を含み、さらに、前記非磁性スペーサ層は電気絶縁性である、トンネル磁気抵抗再生素子。」

2.引用例
原査定の拒絶の理由で引用された引用例及びその記載事項は、上記「第2 2-1.(1)」に記載したとおりである。

3.対比・判断
本願発明は、上記「第2 2-1.」で検討した本願補正発明の発明特定事項である「自由磁気要素」について、「第1の層および第2の層のみから成り、前記第1の層は前記スペーサ層と前記第2の層との間にあり」との限定を省いたものに相当する。
そうすると、本願発明の発明特定事項を全て含み、更に他の限定事項(上記相違点1に係る構成)を付加したものに相当する本願補正発明が上記「第2 2-1.(3)」に記載したとおり、引用発明及び引用例2に記載の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願補正発明から上記他の限定事項(上記相違点1に係る構成)を省いたものである本願発明も、同様の理由により、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。

4.むすび
以上のとおり、本願の請求項1に係る発明は、特許法第29条第2項の規定により特許を受けることができないものであるから、その余の請求項について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
よって、結論のとおり審決する。
 
審理終結日 2015-07-30 
結審通知日 2015-08-04 
審決日 2015-08-17 
出願番号 特願2010-136170(P2010-136170)
審決分類 P 1 8・ 575- Z (G11B)
P 1 8・ 121- Z (G11B)
P 1 8・ 537- Z (G11B)
最終処分 不成立  
前審関与審査官 斎藤 眞  
特許庁審判長 森川 幸俊
特許庁審判官 関谷 隆一
井上 信一
発明の名称 トンネル磁気抵抗再生素子  
代理人 深見 久郎  
代理人 仲村 義平  
代理人 荒川 伸夫  
代理人 堀井 豊  
代理人 森田 俊雄  
代理人 佐々木 眞人  

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