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審決分類 審判 査定不服 特36条6項1、2号及び3号 請求の範囲の記載不備 取り消して特許、登録 B82B
審判 査定不服 2項進歩性 取り消して特許、登録 B82B
管理番号 1313509
審判番号 不服2014-26092  
総通号数 198 
発行国 日本国特許庁(JP) 
公報種別 特許審決公報 
発行日 2016-06-24 
種別 拒絶査定不服の審決 
審判請求日 2014-12-22 
確定日 2016-05-06 
事件の表示 特願2009-503124「ソフトリソグラフィーを使用するナノスケールの特徴形体の生成方法」拒絶査定不服審判事件〔平成19年10月18日国際公開、WO2007/117808、平成21年 9月 3日国内公表、特表2009-531193、請求項の数(9)〕について、次のとおり審決する。 
結論 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 
理由 第1 手続の経緯
本願は、2007年(平成19年)3月9日(優先権主張外国庁受理 2006年3月29日 米国)を国際出願日とする出願であって、平成24年4月24日付けで拒絶理由が通知され、同年7月26日付けで意見書が提出されるとともに手続補正がされ、平成25年5月16日付けで最後の拒絶理由が通知され、同年8月19日付けで意見書が提出されるとともに手続補正がされ、平成26年3月12日付けで、再度、最後の拒絶理由が通知され、同年7月14日付けで意見書が提出されるとともに手続補正がされ、同年8月11日付けで、同年7月14日付けの手続補正書でした補正が却下され、同日付けで拒絶査定がされ、これに対し、同年12月22日に拒絶査定不服審判が請求され、平成27年11月4日付けで、当審より拒絶理由が通知され、平成28年1月27日付けで、意見書が提出されるとともに手続補正がされたものである。

第2 本願発明
本願発明は、平成28年1月27日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項1?9に記載された事項により特定される次のとおりのものである(以下、それぞれ、「本願発明1」?「本願発明9」といい、まとめて「本願発明」という。)。
「【請求項1】
ソフトリソグラフィによる、装置を製造する方法であって、
基板上に、複数のマイクロスケールの特徴形体及び少なくとも1つのナノスケールの特徴形体を形成するステップであって、前記少なくとも1つのマイクロスケールの特徴形体は前記ナノスケールの特徴形体の少なくとも1つに近接するように形成する、ステップ、
成形性ポリマー組成物を前記基板に注型するステップ、
前記成形性ポリマー組成物を少なくとも部分的に硬化するステップ、
前記少なくとも部分的に硬化された成形性ポリマー組成物を基板から除去して、前記ナノスケールの特徴形体に対応する形体を含む分子膜、ならびに前記マイクロスケールの特徴形体に対応する複数のマイクロチャネルを含み、流体が前記マイクロチャネルの少なくとも1つから前記ナノスケールの特徴形体に対応する形体の少なくとも1つに流れるようなパターンが形成されているモールドを作成するステップ、
1つまたは2つ以上の出入りウィンドウを前記マイクロチャネルの1つまたは2つ以上の部分上に開けるステップ、ならびに
前記モールドを、表面に配置するステップ
を含む、装置を製造する方法。
【請求項2】
前記少なくとも1つのナノスケールの特徴形体を基板上に生成するステップが、前記基板上に少なくとも1本の単層カーボンナノチューブを生成することを含む、請求項1に記載の方法。
【請求項3】
前記成形性ポリマー組成物を前記基板に注型するステップが、第1の硬化性組成物を前記基板に注型することを含む、請求項1に記載の方法。
【請求項4】
前記第1の硬化性組成物を基板に注型するステップが、シロキサンを含む前記第1の硬化性組成物を前記基板に注型することを含む、請求項3に記載の方法。
【請求項5】
前記成形性ポリマー組成物を少なくとも部分的に硬化するステップが、前記第1の硬化性組成物を少なくとも部分的に硬化させることを含む、請求項3に記載の方法。
【請求項6】
前記成形性ポリマー組成物を前記基板に注型するステップが、前記少なくとも部分的に硬化した第1の硬化性組成物に第2の硬化性組成物を注型することをさらに含む、請求項3に記載の方法。
【請求項7】
前記少なくとも部分的に硬化した第1の硬化性組成物に前記第2の硬化性組成物を注型するステップが、前記少なくとも部分的に硬化した第1の硬化性組成物に、シロキサンを含む前記第2の硬化性組成物を注型することを含む、請求項6に記載の方法。
【請求項8】
前記第2の硬化性組成物を硬化させることを含む、請求項6に記載の方法。
【請求項9】
前記モールドを表面に設置して、流体が前記パターン内を実質的に強制的に流動するようにすることを含む、請求項1に記載の方法。」

第3 拒絶理由の概要
1.原査定の拒絶理由の概要
原査定の拒絶理由の概要は、概ね次のとおりである。
「[理由1]
本願発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明であるから、特許法第29条第1項第3号に該当し、特許を受けることができない。

[理由2]
本願発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第29条第2項の規定により特許を受けることができない。



引用文献1:特開2004-45357号公報
引用文献2:国際公開第2005/101466号
引用文献3:国際公開第2005/104756号

[理由3]
この出願は、特許請求の範囲の記載が下記の点で、特許法第36条第6項第2号に規定する要件を満たしていない。



(平成26年7月14日付け手続補正書の特許請求の範囲に記載された)請求項19に係る発明は明確でない。
(平成26年7月14日付け手続補正書の特許請求の範囲に記載された)請求項21、29、31に係る発明についても同様である。」

2.当審の拒絶理由の概要
当審の拒絶理由の概要は、概ね次のとおりである。
「(1)この出願は、特許請求の範囲の記載が下記の点で、特許法第36条第6項第2号に規定する要件を満たしていない。



・(平成26年12月22日付け手続補正書の特許請求の範囲に記載された)請求項1?9について
請求項1の記載では、「分子膜」及び「分子膜に近接して生成された複数のマイクロチャネル」のそれぞれが、「基板上」のどの「特徴形体」によって生成されるのか明確ではない。

したがって、本願発明1及び本願発明1を直接的又は間接的に引用する本願発明2?9は明確でない。

・(平成26年12月22日付け手続補正書の特許請求の範囲に記載された)請求項10?16について
本願発明10は、「装置」という物の発明であるが、「成形性ポリマー組成物を基板に注型し、該成形性ポリマー組成物を少なくとも部分的に硬化してモールド中に生成された複製されたパターン」との記載は、製造に関して技術的な特徴や条件が付された記載がある場合に該当するため、当該請求項にはその物の製造方法が記載されているといえる。
したがって、本願発明10及び本願発明10を直接的又は間接的に引用する本願発明11?16は明確でない。」

第4 当審の判断
1.原査定の拒絶理由1、2について
(1)引用文献の記載
ア 引用文献1
引用例1には、「分離装置およびその製造方法」(発明の名称)について、次の記載がある(注:下線は、当審により付与した。)。
「【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、試料を分離する装置および方法に関し、さらに詳細には、微小スケールで様々なサイズの核酸断片をはじめとする物質、例えば細胞、核酸断片、あるいは、アミノ酸・ペプチド・タンパク質などの有機分子、金属イオン、コロイド、ラテックスビーズなどを分離する際などに用いて好適な分離装置および分離方法に関する。」
「【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、試料の通る流路と、当該流路中に設けられた試料分離領域とを備える分離装置であって、上記試料分離領域は、複数の柱状体が配設された柱状体配設部を含むことを特徴とする分離装置が提供される。」
「【0119】
【実施例】
実施例1
(分離装置の作製)
本発明に係る分離装置を、以下に示す手順で作製した。工程の詳細について図11?15を参照して説明する。
【0120】
まず、図11(a)に示すように、シリコン基板201上にシリコン酸化膜202、カリックスアレーン電子ビームネガレジスト203(55nm)をこの順で形成する。シリコン酸化膜202、カリックスアレーン電子ビームネガレジスト203の膜厚は、35nm、55nmとする。次に、電子ビーム(EB)を用い、試料の流路となるアレー領域を露光する。現像はキシレンを用いて行い、イソプロピルアルコールによりリンスする。この工程により、図11(b)に示すように、パターニングされたレジスト204が得られる。
【0121】
つづいて全面にポジフォトレジスト205を塗布する(図11(c))。膜厚は1.8μmとする。その後、アレー領域が露光するようにマスク露光をし、現像を行う(図11(d))。
【0122】
次に、シリコン酸化膜202をCF_(4)、CHF_(3)の混合ガスを用いてRIEエッチングする。エッチング後の膜厚を35nmとする(図12(a))。レジストをアセトン、アルコール、水の混合液を用いた有機洗浄により除去した後、酸化プラズマ処理をする(図12(b))。つづいて、シリコン基板201をHBrガスを用いてECRエッチングする。エッチング後のシリコン基板の膜厚を400nmとする(図12(c))。つづいてBHFバッファードフッ酸でウェットエッチングを行い、シリコン酸化膜を除去する(図12(d))。
【0123】
次に、シリコン基板201上にCVDシリコン酸化膜206を堆積する(図13(a))。膜厚は100nmとする。つづいて全面にポジフォトレジスト207を塗布する(図13(b))。膜厚は1.8μmとする。つづいて図13(c)のように、流路領域をマスク露光し(アレー領域を保護)、現像する。その後、CVDシリコン酸化膜206をバッファードフッ酸でウェットエッチングした(図13(d))。その後、有機洗浄によりポジフォトレジストを除去した後(図14(a))、TMAH(テトラメチルアンモニウムハイドロキサイド)を用いてシリコン基板201をウェットエッチングする(図14(b))。つづいてCVDシリコン酸化膜206をバッファードフッ酸でウェットエッチングして除去する(図14(c))。この状態の基板を炉に入れてシリコン熱酸化膜209を形成する(図14(d))。酸化膜の膜厚が20nmとなるように熱処理条件を選択する。このような膜を形成することにより、分離装置内に緩衝液を導入する際の困難を解消することができる。その後、ガラス210で静電接合を行いシーリングして分離装置を完成する(図15)。」
図11

図12

図13

図14

図15


イ 引用文献2
引用文献2には、「METHODS FOR FABRICATING ISOLATED MICRO- AND NANO- STRUCTURES USING SOFT OR IMPRINT LITHOGRAPHY(当審仮訳:ソフト又はインプリントリソグラフィを用いた、分離されたマイクロ構造物又はナノ構造物の製造方法)」(発明の名称)についての記載がある。

ウ 引用文献3
引用文献3には、「COMPOSITE PATTERNING DEVICES FOR SOFT LITHOGRAPHY(当審仮訳:ソフトリソグラフィ用複合パターニングデバイス)」(発明の名称)についての記載がある。

(2)引用発明の認定
引用文献1の【0119】?【0123】の記載と、図11?14を参照すると、引用文献1の実施例1の図15には、シリコン熱酸化膜209を表面に有するシリコン基板201の柱状体配設部の流路に、ガラス210が接合された分離装置が記載されていると認められる。

そうすると、引用文献1には、
「試料の通る流路と、当該流路中に設けられた試料分離領域とを備える分離装置であって、上記試料分離領域は、複数の柱状体が配設された柱状体配設部を含む分離装置の製造方法であって、
該複数の柱状体が配設された柱状体配設部は、
シリコン基板201上に、シリコン酸化膜202、カリックスアレーン電子ビームネガレジスト203(55nm)をこの順で形成し、
電子ビーム(EB)を用い、試料の流路となるアレー領域を露光し、現像して、パターニングされたレジスト204を得て、
全面にポジフォトレジスト205を塗布し、アレー領域が露光するようにマスク露光をし、現像を行い、
シリコン酸化膜202をエッチングし、
酸化プラズマ処理をして、シリコン基板201をエッチングし、
ウェットエッチングによってシリコン酸化膜202を除去し、
シリコン基板201上にCVDシリコン酸化膜206を堆積し、
全面にポジフォトレジスト207を塗布し、流路領域をマスク露光し、現像を行い、
CVDシリコン酸化膜206をウェットエッチングし、
ポジフォトレジスト207を除去し、
シリコン基板201をウェットエッチングし、
CVDシリコン酸化膜206をウェットエッチングで除去し、
シリコン熱酸化膜209を形成することで形成され、
該複数の柱状体が配設された柱状体配設部を備えたシリコン基板201に、ガラス210で静電接合を行いシーリングして、
シリコン熱酸化膜209を表面に有するシリコン基板201の柱状体配設部の流路に、ガラス210が接合された分離装置を製造する分離装置の製造方法。」(以下、「引用発明」という。)が記載されていると認められる。

(3)対比
本願発明1と引用発明とを対比する。
引用発明の「分離装置の製造方法」は、本願発明1の「装置を製造する方法」に相当する。
引用発明の「シリコン基板201」及び「ガラス210」は、本願発明1の「モールド」及び「表面」にそれぞれ相当し、引用発明の「シリコン基板201に、ガラス210で静電接合を行いシーリング」することは、本願発明1の「モールドを、表面に配置するステップ」に相当する。
また、引用発明の「試料分離領域」は、本願発明1の「分子膜」と、流体を分離する部材である点で共通する。

そうすると、本願発明1と引用発明とは、「装置を製造する方法であって、
モールドに流体を分離する部材を作成するステップと、
モールドを、表面に配置するステップを含む、装置を製造する方法。」である点で一致し、次の点で相違する。

(相違点)
「装置の製造」について、本願発明1は、「ソフトリソグラフィによる」ものであり、「流体を分離する部材」が「分子膜」であるのに対し、引用発明は、「装置の製造」について、「レジスト」の「露光」、「現像」、「エッチング」等によるもので、「ソフトリソグラフィ」ではなく、「流体を分離する部材」が「複数の柱状体が配設された柱状体配設部」を含むものであって、「分子膜」ではない点。
さらに、「モールドに流体を分離する部材を作成するステップ」について、本願発明1は、
「基板上に、複数のマイクロスケールの特徴形体及び少なくとも1つのナノスケールの特徴形体を形成するステップであって、前記少なくとも1つのマイクロスケールの特徴形体は前記ナノスケールの特徴形体の少なくとも1つに近接するように形成する、ステップ、
成形性ポリマー組成物を前記基板に注型するステップ、
前記成形性ポリマー組成物を少なくとも部分的に硬化するステップ、
前記少なくとも部分的に硬化された成形性ポリマー組成物を基板から除去して、前記ナノスケールの特徴形体に対応する形体を含む分子膜、ならびに前記マイクロスケールの特徴形体に対応する複数のマイクロチャネルを含み、流体が前記マイクロチャネルの少なくとも1つから前記ナノスケールの特徴形体に対応する形体の少なくとも1つに流れるようなパターンが形成されているモールドを作成するステップ、
1つまたは2つ以上の出入りウィンドウを前記マイクロチャネルの1つまたは2つ以上の部分上に開けるステップを含む」(以下、「本願発明1のモールドに流体を分離する部材を作成するステップ」という。)のに対し、引用発明1の「複数の柱状体が配設された柱状体配設部」は、
「シリコン基板201上に、シリコン酸化膜202、カリックスアレーン電子ビームネガレジスト203(55nm)をこの順で形成し、
電子ビーム(EB)を用い、試料の流路となるアレー領域を露光し、現像して、パターニングされたレジスト204を得て、
全面にポジフォトレジスト205を塗布し、アレー領域が露光するようにマスク露光をし、現像を行い、
シリコン酸化膜202をエッチングし、
酸化プラズマ処理をして、シリコン基板201をエッチングし、
ウェットエッチングによってシリコン酸化膜202を除去し、
シリコン基板201上にCVDシリコン酸化膜206を堆積し、
全面にポジフォトレジスト207を塗布し、流路領域をマスク露光し、現像を行い、
CVDシリコン酸化膜206をウェットエッチングし、
ポジフォトレジスト207を除去し、
シリコン基板201をウェットエッチングし、
CVDシリコン酸化膜206をウェットエッチングで除去し、
シリコン熱酸化膜209を形成することで形成され」(以下、「引用発明のモールドに流体を分離する部材を作成するステップ」という。)る点。

ここで、相違点について検討する。
引用文献2、3には、「ソフトリソグラフィ」について開示されていると認められるところ、引用発明の「複数の柱状体が配設された柱状体配設部」は「柱状体」であって、該「柱状体」の形成に「ソフトリソグラフィ」を適用したとしても、「分子膜」が得られることはない。
また、仮に、該「柱状体」が「分子膜」と同等の機能を有し、置換可能だとしても、上記「本願発明1のモールドに流体を分離する部材を作成するステップ」によって「分子膜」を得ることは、引用文献2、3には開示されていないし、しかも、当業者にとって周知ないし技術常識とも認められないことから、引用発明において、上記「引用発明のモールドに流体を分離する部材を作成するステップ」に代えて、上記「本願発明1のモールドに流体を分離する部材を作成するステップ」を採用すること、すなわち、引用発明において、本願発明1の上記相違点に係る構成を備えることを、当業者が容易に想到し得たとすることはできない。

したがって、本願発明1は、引用発明と同一ではないし、引用発明及び引用文献2、3の記載事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものともいえない。


(5)本願発明2?9について
本願発明2?9は、本願発明1を直接的又は間接的に引用するものであって、本願発明1の発明特定事項を全て含むものであるから、本願発明1と同様な理由から、引用発明と同一ではないし、引用発明及び引用文献2、3の記載事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。

2.原査定の拒絶理由3について
平成26年7月14日付け手続補正書の特許請求の範囲に記載された請求項19、21、29、31は削除されたので、原査定の拒絶理由3は解消した。

3.当審の拒絶理由について
「分子膜」及び「分子膜に近接して生成された複数のマイクロチャネル」のそれぞれが、「基板上」のどの「特徴形体」によって生成されるのかは、補正により明確となった。
また、請求項10?16は削除された。
よって、当審の拒絶理由は解消した。

第5 むすび
以上のとおり、原査定の拒絶理由及び当審の拒絶理由によっては、本願を拒絶することはできない。
また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
よって、結論のとおり審決する。
 
審決日 2016-04-20 
出願番号 特願2009-503124(P2009-503124)
審決分類 P 1 8・ 121- WY (B82B)
P 1 8・ 537- WY (B82B)
最終処分 成立  
前審関与審査官 渡邊 吉喜佐々木 祐秋田 将行  
特許庁審判長 森林 克郎
特許庁審判官 川端 修
井口 猶二
発明の名称 ソフトリソグラフィーを使用するナノスケールの特徴形体の生成方法  
代理人 特許業務法人浅村特許事務所  

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