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審決分類 審判 査定不服 1項3号刊行物記載 取り消して特許、登録(定型) H01L
審判 査定不服 特36条6項1、2号及び3号 請求の範囲の記載不備 取り消して特許、登録(定型) H01L
審判 査定不服 2項進歩性 取り消して特許、登録(定型) H01L
審判 査定不服 6項4号請求の範囲の記載形式不備 取り消して特許、登録(定型) H01L
管理番号 1317837
審判番号 不服2014-15523  
総通号数 201 
発行国 日本国特許庁(JP) 
公報種別 特許審決公報 
発行日 2016-09-30 
種別 拒絶査定不服の審決 
審判請求日 2014-08-06 
確定日 2016-08-30 
事件の表示 特願2012- 37716「III/V族半導体材料を形成する方法及びそのような方法を用いて形成された半導体構造体」拒絶査定不服審判事件〔平成24年 9月20日出願公開、特開2012-182452、請求項の数(7)〕について、次のとおり審決する。 
結論 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 
理由 本願は、平成24年 2月23日(パリ条約による優先権主張 2011年 3月 2日 (US)アメリカ合衆国 2011年 3月14日 (FR)フランス共和国)の出願であって、その請求項に係る発明は、特許請求の範囲の請求項に記載された事項により特定されるとおりのものであると認める。
そして、本願については、原査定の拒絶理由を検討してもその理由によって拒絶すべきものとすることはできない。
また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
よって、結論のとおり審決する。
 
別掲
 
審決日 2016-08-15 
出願番号 特願2012-37716(P2012-37716)
審決分類 P 1 8・ 537- WYF (H01L)
P 1 8・ 121- WYF (H01L)
P 1 8・ 538- WYF (H01L)
P 1 8・ 113- WYF (H01L)
最終処分 成立  
前審関与審査官 柴山 将隆  
特許庁審判長 河口 雅英
特許庁審判官 鈴木 匡明
加藤 浩一
発明の名称 III/V族半導体材料を形成する方法及びそのような方法を用いて形成された半導体構造体  
代理人 特許業務法人 谷・阿部特許事務所  

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