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審決分類 審判 査定不服 2項進歩性 特許、登録しない。 H01L
審判 査定不服 1項3号刊行物記載 特許、登録しない。 H01L
管理番号 1319872
審判番号 不服2015-3581  
総通号数 203 
発行国 日本国特許庁(JP) 
公報種別 特許審決公報 
発行日 2016-11-25 
種別 拒絶査定不服の審決 
審判請求日 2015-02-25 
確定日 2016-09-29 
事件の表示 特願2012- 2123「プラズマ処理方法,記憶媒体及びプラズマ処理装置」拒絶査定不服審判事件〔平成24年 6月21日出願公開,特開2012-119699〕について,次のとおり審決する。 
結論 本件審判の請求は,成り立たない。 
理由 第1 手続の経緯
本願は,2006年(平成18年)6月14日(パリ条約による優先権主張 外国庁受理2005年12月13日,米国)を出願日とする特願2006-165014号(以下「原出願」という。)の一部を,平成24年1月10日に新たな特許出願としたものであって,その手続の経緯は以下のとおりである。
平成24年 2月 9日 審査請求・上申書
平成24年10月 5日 手続補正書
平成25年 5月31日 拒絶理由通知
平成25年 8月 5日 応対記録・意見書・手続補正書
平成26年 4月23日 拒絶理由通知
平成26年 6月25日 意見書・手続補正書
平成26年11月28日 拒絶査定
平成27年 2月25日 審判請求・手続補正書

第2 補正の却下の決定
[補正却下の決定の結論]
平成27年2月25日付けの手続補正(以下「本件補正」という。)を却下する。
[理由]
1 本件補正の内容
本件補正は,特許請求の範囲を補正するものであって,本件補正前の特許請求の範囲の請求項7については,本件補正の前後で以下のとおりである。
・補正前
「【請求項7】
コンデンサの誘電体部分としての高誘電率絶縁膜が形成された基板に処理ガスのプラズマを用いてエッチング処理を施すプラズマ処理方法であって,
前記処理ガスはハロゲン化合物ガス,キセノンガス,前記キセノンガス以外の希ガス,及び還元ガスを含み,
前記高誘電率絶縁膜へ施される前記エッチング処理では,前記処理ガスに添加された前記キセノンガスが,前記ハロゲン化合物ガスからのハロゲンの解離を促進させ,前記解離したハロゲンによって前記高誘電率絶縁膜が高いエッチレートでエッチングされることを特徴とするプラズマ処理方法。」
・補正後
「【請求項7】
コンデンサの誘電体部分としての高誘電率絶縁膜が形成された基板に処理ガスのプラズマを用いてエッチング処理を施すプラズマ処理方法であって,
前記処理ガスはハロゲン化合物ガス,キセノンガス,前記キセノンガス以外の希ガス,及び還元ガスを必ず含み,
前記高誘電率絶縁膜へ施される前記エッチング処理では,前記処理ガスに添加された前記キセノンガスが,前記ハロゲン化合物ガスからのハロゲンの解離を促進させ,前記解離したハロゲンによって前記高誘電率絶縁膜が高いエッチレートでエッチングされることを特徴とするプラズマ処理方法。」

2 補正事項の整理
本件補正による,本件補正前の特許請求の範囲の請求項7についての補正を整理すると次のとおりとなる。(当審注.下線は補正箇所を示し,当審で付加したもの。)
・補正事項1
本件補正前の請求項7の「前記処理ガスはハロゲン化合物ガス,キセノンガス,前記キセノンガス以外の希ガス,及び還元ガスを含み,」を,「前記処理ガスはハロゲン化合物ガス,キセノンガス,前記キセノンガス以外の希ガス,及び還元ガスを必ず含み,」に補正すること。

3 本件補正の適否について
(1)目的外補正について
本件補正前の請求項7に記載の「前記処理ガスはハロゲン化合物ガス,キセノンガス,前記キセノンガス以外の希ガス,及び還元ガスを含み,」との発明特定事項は,「処理ガス」が「ハロゲン化合物ガス,キセノンガス,前記キセノンガス以外の希ガス,及び還元ガス」を必ず含むことを特定したものと解される。
してみれば,本件補正前の請求項7における上記の発明特定事項と,本件補正後の請求項7に記載の「前記処理ガスはハロゲン化合物ガス,キセノンガス,前記キセノンガス以外の希ガス,及び還元ガスを必ず含み,」との発明特定事項の間に,意味内容の上で実質的な相違があるとは認められないから,補正事項1による補正は,特許請求の範囲を減縮するものとは認められない。
そして,補正事項1による補正は,請求項の削除,誤記の訂正,及び明りょうでない記載の釈明(拒絶理由通知に係る拒絶の理由についてするものに限る。)のいずれであるとも認められない。
そうすると,補正事項1による補正は,特許法第17条の2第5項第1号ないし第4号に掲げる,いずれの事項を目的としたものとも認められない。
以上から,補正事項1による補正を含む本件補正は,特許法第17条の2第5項の規定に違反する。

(2)独立特許要件について
ア 検討の前提
上記(1)で検討したとおり,本件補正における,本件補正前の請求項7についての補正(補正事項1による補正)は,特許法第17条の2第5項第1号ないし第4号に掲げる,いずれの事項を目的としたものとも認められないが,仮に上記補正事項1による補正が,同法第17条の2第5項第2号に掲げる,特許請求の範囲の減縮を目的としたものと認められるとした場合,本件補正後の特許請求の範囲の請求項7に記載された事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かについて,以下検討する。

イ 本願補正発明
(ア)本件補正後の特許請求の範囲の請求項7の記載は,次のとおりである。(再掲)
「【請求項7】
コンデンサの誘電体部分としての高誘電率絶縁膜が形成された基板に処理ガスのプラズマを用いてエッチング処理を施すプラズマ処理方法であって,
前記処理ガスはハロゲン化合物ガス,キセノンガス,前記キセノンガス以外の希ガス,及び還元ガスを必ず含み,
前記高誘電率絶縁膜へ施される前記エッチング処理では,前記処理ガスに添加された前記キセノンガスが,前記ハロゲン化合物ガスからのハロゲンの解離を促進させ,前記解離したハロゲンによって前記高誘電率絶縁膜が高いエッチレートでエッチングされることを特徴とするプラズマ処理方法。」
(イ)本件補正後の請求項7に記載の「還元ガス」との用語について,その意味内容を一義的に理解することは困難であるので,本願明細書の発明の詳細な説明の記載を参酌して,その意味内容を理解すると,上記の用語について,本願明細書の発明の詳細な説明には,以下の記載がある。(当審注.下線は当審において付加した。以下同じ。)
・「【発明の効果】
【0022】
本発明によれば,コンデンサの誘電体部分としての高誘電率絶縁膜が形成された基板にハロゲンガス,希ガス,及び還元ガスを含む処理ガスのプラズマを用いてプラズマ処理が施される。希ガスはハロゲンガスからのハロゲンの解離を促進するため,解離したハロゲンによる高誘電率絶縁膜のエッチングの進行が促進される。また,還元ガスはハロゲン化物の還元を行う。したがって,低スパッタのエッチング処理装置であっても,要求されるエッチレートを実現することができ,これにより,高誘電率絶縁膜のエッチング制御性を向上することができる。」
・「【発明を実施するための形態】
【0025】
本発明者は,上記目的を達成すべく鋭意検討を行った結果,コンデンサの誘電体部分としての高誘電率絶縁膜が形成された基板に処理ガスのプラズマを用いてエッチング処理を施す場合,処理ガスがハロゲンガス,希ガス,及び還元ガスを含むとき,好ましくは,処理ガスがフッ素化合物のガス,一酸化炭素ガス,及びキセノンガスを少なくとも含むときには,キセノンガスはフッ素化合物からのフッ素の解離を促進するため,解離したフッ素による高誘電率絶縁膜の効率のよいエッチングが実現され,一酸化炭素はフッ素化合物の還元を行う。したがって,低スパッタのエッチング処理装置であっても,要求されるエッチレートを実現することができ,これにより,高誘電率絶縁膜のエッチング制御性を確実に向上することができることを見出した。」
・「【0042】
本実施の形態に係るプラズマ処理方法は,これに鑑みて,C_(4)F_(8)ガス,一酸化炭素ガス,アルゴンガス及びキセノンガスが所定の流量比で混合された処理ガスのプラズマによって高誘電率絶縁膜をエッチングする。このとき,一酸化炭素はC_(4)F_(8)からのフッ素の還元を行い,アルゴン及びキセノンはC_(4)F_(8)からのフッ素の解離を促進する。ここでキセノンはハロゲン化合物の解離力がアルゴンよりも大きいため,該キセノンはC_(4)F_(8)からのフッ素の解離をより促進し,これにより,解離したフッ素による高誘電率絶縁膜のエッチングの進行が促進される。したがって,本実施の形態に係るプラズマ処理方法は,アルゴンのプラズマのみによる高誘電率絶縁膜のエッチングよりも高いエッチレートで高誘電率絶縁膜をエッチングする。
【0043】
本実施の形態に係るプラズマ処理方法によれば,半導体デバイスに形成されたコンデンサの誘電体部分としての高誘電率絶縁膜が形成されたウエハWに,C_(4)F_(8)ガス,一酸化炭素ガス,アルゴンガス及びキセノンガスが所定の流量比で混合された処理ガスのプラズマを用いてエッチング処理が施されるので,アルゴンのプラズマのみによる高誘電率絶縁膜のエッチングよりも高いエッチレートで高誘電率絶縁膜をエッチングすることができ,もって,低スパッタのエッチング処理装置であっても,要求されるエッチレートを確実に実現することができ,これにより,高誘電率絶縁膜のエッチング制御性を確実に向上することができる。
・・・
【0045】
上述した本実施の形態に係るプラズマ処理方法では,C_(4)F_(8)ガス,一酸化炭素ガス,アルゴンガス及びキセノンガスの混合ガスが用いられたが,混合ガスはこれに限られない。例えば,上述した混合ガスには希ガスとしてアルゴンガス及びキセノンガスが混合されているが,混合される希ガスはヘリウムガス,ネオンガス,アルゴンガス,クリプトンガス,及びキセノンガスから選択された1つであってもよく,また,これらから選択された2種類以上のガスを組み合わせたものであってもよい。また,上述した混合ガスには還元ガスとして一酸化炭素ガスが混合されているが,混合される還元ガスは水素ガス又はメタンガスでもよく,水素ガス,一酸化炭素ガス,及びメタンガスから選択された2種類以上のガスを組み合わせたものであってもよい。さらに,上述した混合ガスにはハロゲン化合物のガスとしてC_(4)F_(8)ガスが混合されているが,混合されるハロゲン化合物のガスは他のフッ化物のガス,塩化物のガス,及び臭化物のガスから選択された1つであってもよく,また,これらから選択された2種類以上のガスを組み合わせたものであってもよい。上述したガスはいずれも容易に入手することができ,もって,当該エッチング処理を容易に行うことができる。」
・「【0061】
次に,本発明の実施例を具体的に説明する。
【0062】
実施例1
まず,エッチング処理が施されるウエハとして,ハフニウム酸化膜のブランケットウエハ(Blanket wafer)(毛布のように形成されたハフニウム酸化膜を表面上に有するウエハ)を準備した。次いで,該ブランケットウエハをプラズマ処理装置10のチャンバ11内に搬入し,該チャンバ11内の処理空間Sに処理ガスとしてC_(4)F_(8)ガス,一酸化炭素ガス,アルゴンガス及びキセノンガスを流量比27/300/540/60ｓccmで供給した。すなわち,キセノンの添加量は希ガス全体に対する流量比で10%であった。次いで,処理空間Sに高周波電力を印加して供給された処理ガスからプラズマを発生させ,該ブランケットウエハをエッチングした。そして,このときのエッチレートを計測し,該計測されたエッチレートを図2のグラフに示した。
【0063】
実施例2
まず,実施例1と同様に,ハフニウム酸化膜のブランケットウエハを準備した。次いで,実施例1と同様の方法で該ブランケットウエハをエッチングした。このとき,処理空間SにはC_(4)F_(8)ガス,一酸化炭素ガス,アルゴンガス及びキセノンガスを流量比27/300/480/120ｓccmで供給した。すなわち,キセノンの添加量は希ガス全体に対する流量比で20%であった。そして,計測されたエッチレートを図2のグラフに示した。」

そして,本願明細書の発明の詳細な説明における上記の記載より,ハロゲンガス,希ガス,及び還元ガスを含む処理ガスのプラズマを用いてプラズマ処理が施されるときに,「還元ガスによるハロゲン化物の還元を行う」こと,例えば,上記還元ガスが一酸化炭素で上記ハロゲンガスがC_(4)F_(8)の場合に,一酸化炭素がC_(4)F_(8)からのフッ素の還元を行うことが記載されていると認められる。
また,本願明細書の発明の詳細な説明における上記の記載より,ハロゲンガス,希ガス,及び還元ガスを含む処理ガスのプラズマを用いてプラズマ処理が施されるときに,還元ガスは,水素ガス,一酸化炭素ガス及びメタンガスのいずれか,又はこれらから選択された2種類以上のガスを組み合わせたものでよいことが記載されていると認められる。
ところで,本願明細書の発明の詳細な説明に記載された「還元ガスによるハロゲン化物の還元」について,その機序は,本願明細書の発明の詳細な説明に具体的な説明は記載されておらず,また,当該技術分野における技術常識を参酌しても自明であるとはいえない。
してみれば,本願明細書の発明の詳細な説明に記載の「還元ガスによるハロゲン化物の還元を行う」との文言の意味内容は明確とは認められず,本願明細書の発明の詳細な説明における「還元ガスによるハロゲン化物の還元を行う」との記載を参酌しても,本件補正後の請求項7記載された「還元ガス」との用語の意味内容を一義的に理解できるとはいえない。
しかし,本願明細書の発明の詳細な説明の記載からは,ハロゲンガス,希ガス,及び還元ガスを含む処理ガスのプラズマを用いてプラズマ処理が施されるときに,還元ガスとして,水素ガス,一酸化炭素ガス及びメタンガスのいずれか,又はこれらから選択された2種類以上のガスを組み合わせたものが使用されることは理解できる。
そうすると,本願明細書の記載を参酌すれば,本件補正後の請求項7記載された「還元ガス」との用語は,水素ガス,一酸化炭素ガス及びメタンガスのいずれか,又はこれらから選択された2種類以上のガスを組み合わせたガスを含み得るものと解するのが相当といえる。
(ウ)以上から,本件補正後の請求項7に係る発明(以下「本願補正発明」という。)は,その発明特定事項である「還元ガス」との用語を,水素ガス,一酸化炭素ガス及びメタンガスのいずれか,又はこれらから選択された2種類以上のガスを組み合わせたガスを含み得るものと解したうえで,本件補正後の特許請求の範囲の請求項7に記載したとおりのものと認める。

ウ 引用文献1の記載と引用発明1
(ア)引用文献1
原査定の拒絶の理由に引用文献1として引用された,原出願の優先権主張日(以下「原出願の優先日」という。)前に日本国内において頒布された刊行物である,特開平6-151383号公報(以下「引用文献1」という。)には,図面とともに,次の記載がある。
a「【0001】
【産業上の利用分野】本発明は高誘電率を有する多元系酸化物膜(以下,多元系酸化物高誘電率膜と称する),高融点金属膜または高融点金属化合物膜のエッチング方法,エッチングの後処理方法及び薄膜キャパシタ素子の製造方法,またそれらの方法を実施するための装置に関する。」
b「【0018】本発明の第一の目的は,高速,高精度かつ生産性の優れた有機系レジストマスクを使用し,当該マスクとの選択性の高い多元系酸化物高誘電率膜及び高融点金属または高融点金属化合物の加工を行なうことのできるエッチング方法を提供することであり,本発明の第二の目的は上記エッチング後の被処理膜表面の劣化を回復する後処理方法を提供することにある。また本発明の第三の目的は,そのようなエッチング方法を用いた薄膜キャパシタ素子の製造方法を提供することにあり,本発明の第四の目的は本エッチング方法及び後処理方法に適したエッチング装置を提供することにある。
・・・
【0021】この発明の第2の局面に従って高誘電率を有する多元系酸化物膜をエッチングする方法は,炭化水素,アルコール,ケトン,一酸化炭素,二酸化炭素および水素からなる群より選ばれた少なくとも1種を含む第1のガスと,ハロゲン,ハロゲン化合物および希ガスからなる群より選ばれた少なくとも1種を含む第2のガスとの混合ガスをエッチングガスとして用いて多元系酸化物膜をエッチングする方法である。
【0022】上記エッチング方法において,ハロゲンはフッ素,塩素,臭素および沃素からなる群より選ばれた少なくとも1種を含むガスであり,ハロゲン化合物はHF,BF_(3),CF_(4),C_(2)F_(4),C_(2)F_(6),C_(3)F_(8),C_(4)F_(10),CHF_(3),COF_(2),NF_(3),SiF_(4),SF_(6),S_(2)F_(2),XeF_(2),HCl,BCl_(3),CCl_(4),CF_(ｘ)Cl_(4-ｘ),CH_(ｘ)Cl_(4-ｘ),CHFCl_(2),COCl_(2),NOCl,SiCl_(4),S_(2)Cl_(2),ClF_(3),PCl_(3),HBｒ,BBｒ_(3),CBｒ_(4) ,CF_(ｘ)Bｒ_(4-ｘ) ,CCl_(ｘ)Bｒ_(4-ｘ),CHFBｒ_(2),S_(2)Bｒ_(2),BｒF_(3),BｒF_(5),HI,CF_(3)I,CH_(ｘ)I_(4-ｘ),IBｒ(但しｘは4以下の整数)からなる群より選ばれた少なくとも1種を含むガスである。
【0023】希ガスは,ヘリウム,ネオン,アルゴン,クリプトンおよびキセノンからなる群より選ばれた少なくとも1種を含むガスである。」
c「【0063】
【実施例】
実施例1.本発明の一実施例について説明する。図1に本実施例で用いたエッチング試料を示す。シリコン基板(ウエハ)1の表面を酸化してシリコン酸化膜2を200nmの厚みで形成した後,その表面に白金などの高融点金属膜(今回の実施例では白金膜)18をスパッタ法により約50nmの厚みで形成し,その後,その上にゾルゲル法により厚さ200nmの多元系酸化物高誘電率膜のPbLaZｒTiO_(3)(溶液組成;Pb:La:Zｒ:Ti=95:5:52:48)膜3を形成した。比誘電率は約1000である。加工用のマスクとしては有機系レジスト膜4(厚さ1000nm)を用いた。このエッチング試料を図2に示すエッチング装置で処理した。
【0064】図2において,処理室5には,エッチング処理に用いるガスを供給するガス供給装置(図示せず)と接続された少なくとも1個のガス導入口6を設け,また処理室5の内部を所定の圧力に排気する真空排気装置(図示せず)に接続された少なくとも1個の真空排気口7が設置されている。この処理室5の内部には,被処理膜3を形成したウエハ1を配置するために高周波(カソード)電極8が設置されている。高周波電極8は処理室5とは絶縁物21で絶縁されている。高周波(カソード)電極8には整合回路9を介して高周波(RF)電源10が接続されている。また処理室5の外部には磁界を発生させるためにコイル11とコイル駆動電源(図示せず)が配置されている。・・・」
d「【0078】
・・・
実施例8.次にエッチングガスとして炭化水素系ガス(例としてメタン)とハロゲン系ガス(例として塩素)を混合したガスを用いてPLZT膜をエッチングした実験例について説明する。実験に使用した装置は図2の装置である。次にエッチング方法について説明する。図2を参照して,処理室5内に炭化水素系ガスであるメタン(CH_(4))を毎分10cc及び塩素ガスを毎分40ccで供給し,ガス圧力を3mTｏｒｒとした。高周波電源10より13.56MHｚの高周波を1000Wの電力で印加し,またコイル11に電流を流し200ガウスの磁界を発生させ,両者によりマグネトロン放電を発生させてプラズマを形成した。当該プラズマによりPLZT膜3をエッチングした。この際,電極温度は50℃の一定温度に制御し,ウエハ温度はエッチング終了直前で161℃であった。エッチング結果は以下の通りである。
【0079】
PLZTエッチング速度:130nm/min
対レジスト選択比 :約2.0
エッチング終了後のPLZT膜3をSEMで観察した結果,PLZT膜3は異方的に残渣無くエッチングされ,レジスト膜4上には保護膜51の堆積が見られなかった。これらの結果は実施例1から7での炭化水素系ガス単独によるエッチング結果と比べて,PLZT膜3のエッチング速度は約2倍以上速く,高速エッチングが可能である。また対レジスト選択比は低下するが,この値は生産性の高いレジストマスクで高精度の微細加工が可能な値である。同様の条件で塩素ガス(毎分50cc)のみでエッチングを行なうと,PLZTエッチングは110nm/min,対レジスト選択比は1.2であった。またエッチング後のシリコン酸化膜の表面には微小な残渣が見られ,それは,オージェ電子分光の結果,ランタンの塩化物を主成分とする物質であることが判明した。
【0080】本実施例では炭化水素系ガスの例としてメタンガスを用い,またハロゲンガスまたはハロゲン基を含むガスの例として塩素ガスを用いてエッチング方法の説明を行なったが,上記実施例8に加え,炭化水素系ガスの例としてエタン,プロパン,ペンタン,またハロゲンまたはハロゲン基を含むガスの例としてハロゲン系ガスとしては,フッ素,臭素,沃素,またハロゲン基を含むガスとしては,以下のフッ素系ガス,塩素系ガス,臭素系ガス,沃素系ガスが挙げられる。フッ素系ガスとしては,HF,BF_(3),CF_(4),C_(2)F_(4),C_(2)F_(6),C_(3)F_(8),C_(4)F_(10),CHF_(3),COF_(2),NF_(3),SiF_(4),SF_(6),S_(2)F_(2),XeF_(2),塩素系ガスとしては,HCl,BCl_(3),CCl_(4),CF_(ｘ)Cl_(4-ｘ),CH_(ｘ)Cl_(4-ｘ),CHFCl_(2),COCl_(2),NOCl,SiCl_(4),S_(2)Cl_(2),ClF_(3),PCl_(3),(但しｘは4迄の整数),臭素系ガスとしては,HBｒ,BBｒ_(3),CBｒ_(4) ,CF_(ｘ)Bｒ_(4-ｘ) ,CCl_(ｘ)Bｒ_(4-ｘ),CHFBｒ_(2),S_(2)Bｒ_(2),BｒF_(3),BｒF_(5),(但しｘは4迄の整数),沃素系ガスとしては,HI,CF_(3)I,CH_(ｘ)I_(4-ｘ),IBｒ(但しｘは4迄の整数)等が用いられる。いずれの組み合わせの混合ガスを用いる場合も,PLZTのエッチング速度は炭化水素系単独の場合に比べ上昇し,対レジスト選択比は減少するが,この値は生産性の高いレジストマスクで高精度の微細加工が可能な値である。
【0081】また本実施例ではコイル11を用いて磁場を印加してマグネトロンプラズマを生成させたが,コイル11のない装置においてもガス圧力50mTｏｒｒでエッチングを実施することにより実用的に充分なエッチング方法であることを確認した。
【0082】以下にこれらの実施例のうち1例を記す。
実施例9.炭化水素系ガスの例としてメタンと,ハロゲン基を含むガスの例として臭化水素とを混合したガスを用いてPLZTをエッチングした実施例について説明する。実験装置,実験条件は実施例8と同じである。エッチングガスはメタン(CH_(4))を毎分10cc及び臭化水素ガスを毎分40ccで供給した。エッチング結果は以下の通りである。
【0083】
PLZTエッチング速度:108nm/min
対レジスト選択比 :約2.5
エッチング終了後の被処理膜をSEMで観察した結果,PLZT膜3は異方的に残渣無くエッチングされ,レジスト膜4上には保護膜51の堆積が見られなかった。」
e「【0088】
・・・
実施例14.本実施例は水素ガスとハロゲンまたはハロゲン基を含むガスの例として塩素とを用いてPLZT膜をエッチングした実施例を示す。実験に用いた装置,実験条件は実施例8と同じである。エッチングガスの流量は水素ガスが毎分20cc,塩素ガスが毎分30ccである。エッチング結果は以下の通りである。
【0089】
PLZTエッチング速度:115nm/min
対レジスト選択比 :約2.0
エッチング終了後の被処理膜をSEMで観察した結果,PLZT膜は異方的に残渣無くエッチングされ,レジスト膜4上には保護膜51の堆積が見られなかった。実施例8と比べエッチング速度はやや低下するが,対レジスト選択比は同等であった。また水素含有量(全ガス流量は毎分50cc一定)を5%から70%まで変化させても上記実施例14の傾向に変化はなく,水素含有量50%の時にPLZTエッチング速度は変化せず,対レジスト選択比2.2を得た。また以上の実施例に加え,水素の替わりに一酸化炭素,二酸化炭素を用いても上記実施例14と同様の結果を得た。
実施例15.本実施例は炭化水素系ガスの例としてメタンガスと希ガスの例としてアルゴンを用いてPLZT膜をエッチングした実施例を示す。実験に用いた装置,実験条件は実施例8と同じである。エッチングガスの流量はメタンガスが毎分10cc,アルゴンガスが毎分40ccである。エッチング結果は以下の通りである。
【0090】
PLZTエッチング速度:42nm/min
対レジスト選択比 :約1.0
エッチング終了後の被処理膜をSEMで観察した結果,PLZT膜は異方的に残渣無くエッチングされ,レジスト膜4上には保護膜51の堆積が見られなかった。またアルゴン単独で同様の実験を行なうとエッチング速度は27nmであり,実施例1のメタン単独のエッチング速度は35nmであることから,PLZTのエッチングは単なる物理的スパッタで進行するのではなく,メタンとの反応,つまり還元反応,有機金属の生成が寄与していると推定できる。またメタン単独よりもアルゴンを添加した方がエッチング速度が上昇し,メタンからの堆積物がアルゴンイオンのスパッタ作用で除去されていることが推定できる。」
(イ)引用発明1
上記(ア)より,引用文献1には,次の発明(以下「引用発明1」という。)が記載されていると認められる。
「薄膜キャパシタ素子の製造において,シリコン基板1の表面にシリコン酸化膜2及び高融点金属膜18をそれぞれ形成した後,多元系酸化物高誘電率膜のPLZT(PbLaZｒTiO_(3))膜3を形成し,処理室5の内部にPLZT膜3を形成したシリコン基板1を配置し,エッチングガスを処理室5内に供給し,マグネトロン放電を発生させてプラズマを形成して,当該プラズマによりPLZT膜3をエッチングする方法であって,
上記エッチングガスは,メタン(CH_(4)),水素ガス,一酸化炭素,又は二酸化炭素のいずれかのガスと,CF_(4),C_(2)F_(4),C_(2)F_(6),C_(3)F_(8),C_(4)F_(10)等のフッ素系ガス,塩素系ガス,臭素系ガス又は沃素系ガスであるハロゲン基を含むガスとを混合したガスである,プラズマによりPLZT膜3をエッチングする方法。」

エ 引用文献2の記載と当該文献記載の技術的事項
(ア)引用文献2
原査定の拒絶の理由に引用文献4として引用された,原出願の優先日前に日本国内において頒布された刊行物である,特開平10-144663号公報(以下「引用文献2」という。)には,図面とともに,次の記載がある。
・「【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は,高圧非反応性希釈ガス高含有高プラズマイオン密度プラズマ酸化物エッチングプロセスに関するものである。」
・「【0054】本発明の一実施形態においてチャンバに供給されるガスは,次の通りである。すなわち,エッチングに好適なエッチャント/ポリマ前駆物質としての90標準立方センチメートル毎分(SCCM)のCHF_(3),重合に好適なエッチング/ポリマ前駆物質としての10SCCMのC_(4)F_(8),エッチストップ抑制剤(etch stop inhibitor)としての16SCCMのCO_(2),およびチャンバポンプ速度を大きく低下させることなくチャンバ圧力を(70?100mTの範囲内で)高めるために加えられる非反応種としての450SCCMのアルゴンである。一般に,非反応種のチャンバ内へのガス流量は,チャンバに入る全てのガスの全流量の約2分の1よりも大きい。他の実施形態(必ずしも好適ではない)では,非反応種の流量は,チャンバに入る全ガスの全流量の約0.3よりも大きい。別の実施形態では,非反応種の流量は,チャンバに入る全ガスの全流量の0.7である。
【0055】上述の親出願で開示されているプラズマリアクタでプロセスが実行されることが好ましい。これは,多重ソレノイドコイルアンテナという特徴が,プラズマイオン分布のより高い均一性をもたらすからである。しかしながら,炭素-フッ素化学において高い比率の非反応性希釈ガスを用いて高圧で誘導結合高密度RFプラズマを生成する同じプロセスは,他のリアクタ,例えば誘電性天井を覆う平面コイルアンテナを備えたリアクタ,で実行することもできる。
・・・
【0057】本発明のプロセスは,非反応性希釈ガスをより高い又はより低い原子量のガスに変えることによって調節することができる。例えば,ヘリウムやネオンは,キセノンよりもイオン化に多くのプラズマ電子エネルギを必要とするので,キセノンを用いると,より低い平均電子温度とより高い電子密度を有するプラズマが生じ,より多くのエッチング前駆種と,より高いエッチング速度が得られる。この結果,キセノンを用いると,エッチング速度は極めて高くなり,酸化物-フォトレジスト間のエッチング選択比は悪くなる。逆に,ヘリウムやネオンを用いると,エッチング速度は低くなる(これは,欠点となる可能性もある)が,エッチング選択比は優れている。理想的なバランスは,良好なエッチング速度と良好なエッチング選択比の双方を与えるアルゴン等の中間原子量不活性ガスを用いることで得られる。しかしながら,ヘリウム,ネオン,アルゴンまたはキセノン,あるいは他の比較的非反応性のガスを希釈ガスとして用いることは可能である。当業者は,希釈種のガス流量を反応種のガス流量に対して調節して,エッチング速度およびエッチング選択比を最適化することができる。一般に,ポリマ前駆ガスに対する非反応性ガスの割合を高くすると,少ないエッチング停止で一定の圧力でエッチング選択比が低減されるようにプロセスが調節される。」
(イ)引用文献2記載の技術的事項
上記(ア)より,引用文献2には,次の技術的事項が記載されていると認められる。
「チャンバにガスを供給し,プラズマを形成して,当該プラズマにより酸化物をエッチングするプロセスにおいて,エッチャント/ポリマ前駆物質であるフッ素系ガスと,非反応性希釈ガスとを混合して上記チャンバに供給する際に,上記非反応性希釈ガスとしてキセノンを用いると,より多くのエッチング前駆種,すなわちフッ素が得られ,エッチング速度は極めて高くなるが,酸化物-フォトレジスト間のエッチング選択比は悪くなり,アルゴンを用いると良好なエッチング速度と良好なエッチング選択比の双方を与えることができること,及び非反応性希釈ガスのガス流量をエッチャント/ポリマ前駆物質のガス流量に対して調節することで,エッチング速度およびエッチング選択比を最適化できること。」

オ 本願補正発明と引用発明1との対比
(ア)「多元系酸化物高誘電率膜のPLZT(PbLaZｒTiO_(3))膜3」は,「シリコン基板1」に形成されたものであり,また,引用発明1が「薄膜キャパシタ素子の製造」におけるものであることに鑑みれば,「薄膜キャパシタ素子」の誘電体部分であることは明らかである。
してみれば,引用発明1における「薄膜キャパシタ素子の製造において,シリコン基板1の表面にシリコン酸化膜2及び高融点金属膜18をそれぞれ形成した後,多元系酸化物高誘電率膜のPLZT(PbLaZｒTiO_(3))膜3を形成」することは,本願補正発明の「コンデンサの誘電体部分としての高誘電率絶縁膜が形成された基板」を備えることに相当するといえる。
そして,後述する相違点に係る構成を除き,引用発明1における「エッチングガス」は,本願補正発明の「処理ガス」に相当するということができ,引用発明1における「処理室5の内部にPLZT膜3を形成したシリコン基板1を配置し,エッチングガスを処理室5内に供給し,マグネトロン放電を発生させてプラズマを形成して,当該プラズマによりPLZT膜3をエッチングする」ことは,本願補正発明の「処理ガスのプラズマを用いてエッチング処理を施す」ことに相当するといえる。
また,引用発明1における「当該プラズマによりPLZT膜3をエッチングする方法」は,本願補正発明の「プラズマ処理方法」に相当するといえる。
そうすると,引用発明1における「薄膜キャパシタ素子の製造において,シリコン基板1の表面にシリコン酸化膜2及び高融点金属膜18をそれぞれ形成した後,多元系酸化物高誘電率膜のPLZT(PbLaZｒTiO_(3))膜3を形成し,処理室5の内部にPLZT膜3を形成したシリコン基板1を配置し,エッチングガスを処理室5内に供給し,マグネトロン放電を発生させてプラズマを形成して,当該プラズマによりPLZT膜3をエッチングする方法」は,本願補正発明の「コンデンサの誘電体部分としての高誘電率絶縁膜が形成された基板に処理ガスのプラズマを用いてエッチング処理を施すプラズマ処理方法」に相当するといえる。
(イ)引用発明1における「CF_(4),C_(2)F_(4),C_(2)F_(6),C_(3)F_(8),C_(4)F_(10)等のフッ素系ガス,塩素系ガス,臭素系ガス又は沃素系ガスであるハロゲン基を含むガス」は,本願補正発明の「ハロゲン化合物ガス」に相当するといえる。
また,本願補正発明の「還元ガス」と,引用発明1における「メタン(CH_(4)),水素ガス,一酸化炭素,又は二酸化炭素のいずれかのガス」とは,ハロゲン化合物ガス及び希ガス以外のガスである点で共通するといえる。
そして,引用発明1における「エッチングガス」が,「メタン(CH_(4)),水素ガス,一酸化炭素,又は二酸化炭素のいずれかのガス」,及び「CF_(4),C_(2)F_(4),C_(2)F_(6),C_(3)F_(8),C_(4)F_(10)等のフッ素系ガス,塩素系ガス,臭素系ガス又は沃素系ガスであるハロゲン基を含むガス」を必ず含むことは明らかであるから,引用発明1における「混合した」は,本願補正発明における「必ず含み」に相当するといえる。
そうすると,本願補正発明と引用発明1とは,処理ガスはハロゲン化合物ガスと,ハロゲン化合物ガス及び希ガス以外のガスとを必ず含む点で共通するということができる。
(ウ)以上から,本願補正発明と引用発明1とは,下記aの点で一致し,下記bの点で相違すると認める。
a 一致点
「コンデンサの誘電体部分としての高誘電率絶縁膜が形成された基板に処理ガスのプラズマを用いてエッチング処理を施すプラズマ処理方法であって,
前記処理ガスはハロゲン化合物ガスと,ハロゲン化合物ガス及び希ガス以外のガスとを必ず含む,プラズマ処理方法。」
b 相違点
・相違点1
一致点における「ハロゲン化合物ガス及び希ガス以外のガス」が,本願補正発明では「還元ガス」であるのに対し,引用発明1は,メタン(CH_(4)),水素ガス,一酸化炭素,又は二酸化炭素のいずれかのガスであること。
・相違点2
本願補正発明は,「処理ガス」に「キセノンガス,前記キセノンガス以外の希ガス」を必ず含み,「前記高誘電率絶縁膜へ施される前記エッチング処理では,前記処理ガスに添加された前記キセノンガスが,前記ハロゲン化合物ガスからのハロゲンの解離を促進させ,前記解離したハロゲンによって前記高誘電率絶縁膜が高いエッチレートでエッチングされる」のに対し,引用発明1におけるエッチングガス(本願補正発明の「処理ガス」に相当。)は,「キセノンガス,前記キセノンガス以外の希ガス」を含んでおらず,本願補正発明の上記の構成を備えていない点。

カ 相違点についての検討
(ア)相違点1について
上記イのとおり,本願補正発明における「還元ガス」は,水素ガス,一酸化炭素ガス及びメタンガスのいずれか,又はこれらから選択された2種類以上のガスを組み合わせたガスを含み得るものと解されるから,引用発明1のエッチングガスに含まれるメタン(CH_(4)),水素ガス,一酸化炭素,又は二酸化炭素のいずれかのガスとの間に実質的な相違があるとは認められない。
そして,本願補正発明において,水素ガス,一酸化炭素ガス及びメタンガスのいずれか,又はこれらから選択された2種類以上のガスを組み合わせたガスが,その機序は明確でないにしても,「還元ガス」としてハロゲン化物の還元を行うというのであれば,引用発明1においても,メタン(CH_(4)),水素ガス,一酸化炭素,又は二酸化炭素のいずれかのガスと,CF_(4),C_(2)F_(4),C_(2)F_(6),C_(3)F_(8),C_(4)F_(10)等のフッ素系ガス,塩素系ガス,臭素系ガス又は沃素系ガスであるハロゲン基を含むガスとを混合したエッチングガスを用いることで,本願補正発明と同様に,メタン(CH_(4)),水素ガス,一酸化炭素,又は二酸化炭素のいずれかのガスによるハロゲン化物の還元が行われると認められる。
そうすると,本願補正発明の「還元ガス」と引用発明1のエッチングガスに含まれるメタン(CH_(4)),水素ガス,一酸化炭素,又は二酸化炭素のいずれかのガスとの間に実質的な相違があるとは認められないから,相違点1は,本願補正発明と引用発明1との実質的な相違点とはいえない。
(イ)相違点2について
上記ウ(ア)bによれば,引用発明1は,マスクとの選択性の高い多元系酸化物高誘電率膜の加工を行なうことのできるエッチング方法を提供することを目的とする(【0018】)ものであるが,上記ウ(ア)dより,引用文献1には,多元系酸化物高誘電率膜(PLZT膜)のエッチング速度を上昇させ,マスクとの選択性が低下しないよう調整すること(【0078】ないし【0080】)も記載されていると認められる。
また,上記ウ(ア)bより,引用文献1には,引用発明1におけるエッチングガスに,ヘリウム,ネオン,アルゴン,クリプトン,及びキセノンからなる群より選ばれた少なくとも1種を含む希ガスを添加したものを使用することが示唆(【0021】ないし【0023】)されていると認められ,また,上記ウ(ア)eによれば,引用文献1には,希ガスを添加した方がエッチング速度が上昇すること(【0089】及び【0090】)が記載されている。
してみれば,引用発明1において,多元系酸化物高誘電率膜のエッチング速度を上昇させるために,エッチングガスに,ヘリウム,ネオン,アルゴン,クリプトン,及びキセノンからなる群より選ばれた少なくとも1種を含む希ガスを添加することは,引用文献1の記載に接した当業者が普通に行い得るものと認められる。
そして,上記エ(イ)のとおり,引用文献2には,「チャンバにガスを供給し,プラズマを形成して,当該プラズマにより酸化物をエッチングするプロセスにおいて,エッチャント/ポリマ前駆物質であるフッ素系ガスと,非反応性希釈ガスとを混合して上記チャンバに供給する際に,上記非反応性希釈ガスとしてキセノンを用いると,より多くのエッチング前駆種,すなわちフッ素が得られ,エッチング速度は極めて高くなるが,酸化物-フォトレジスト間のエッチング選択比は悪くなり,アルゴンを用いると良好なエッチング速度と良好なエッチング選択比の双方を与えることができること,及び非反応性希釈ガスのガス流量をエッチャント/ポリマ前駆物質のガス流量に対して調節することで,エッチング速度およびエッチング選択比を最適化できること。」(引用文献2記載の技術的事項)が記載されていると認められる。
そうすると,引用発明1において,多元系酸化物高誘電率膜のエッチング速度を上昇させるために,エッチングガスに,ヘリウム,ネオン,アルゴン,クリプトン,及びキセノンからなる群より選ばれた少なくとも1種を含む希ガスを添加する際に,上記の希ガスの中から,エッチング速度が極めて高くなるキセノンと,良好なエッチング速度と良好なエッチング選択比の双方が得られるアルゴンとを選択し,エッチング速度とエッチング選択比とを考慮のうえ,両者のガス流量を調節してエッチングガスに添加することは,引用文献2記載の技術的事項に基づいて,当業者が容易に想到し得るものと認める。
そして,その結果,引用発明1において,エッチングガスに添加されたキセノンガスが,CF_(4),C_(2)F_(4),C_(2)F_(6),C_(3)F_(8),C_(4)F_(10)等のフッ素系ガスからのフッ素の解離のように,ハロゲン基を含むガスからのハロゲンの解離を促進させ,この解離したハロゲンによって多元系酸化物高誘電率膜が高いエッチレートでエッチングされることも,引用文献2記載の技術的事項から,当業者が容易に予測し得るものと認められる。
以上によれば,引用発明1において,エッチングガスが,キセノンガス,及びキセノンガス以外の希ガスを必ず含むようにし,多元系酸化物高誘電率膜へ施されるエッチング処理では,上記エッチングガスに添加された上記キセノンガスが,ハロゲン基を含むガスからのハロゲンの解離を促進させ,この解離したハロゲンによって上記多元系酸化物高誘電率膜が高いエッチレートでエッチングされるようにすること(相違点2に係る構成とすること)は,引用文献2記載の技術的事項に基づいて,当業者が容易に想到し得るものである。

キ 本願補正発明の作用効果について
本願明細書の記載により,本願補正発明は,コンデンサの誘電体部分としての高誘電率絶縁膜が形成された基板にプラズマ処理を施す際に,高誘電率絶縁膜のエッチング制御性を向上することができるとの作用効果を奏するものと認められる。
しかし,上記カ(イ)のとおり,引用発明1において,キセノン及びアルゴンを,エッチング速度とエッチング選択比とを考慮のうえ,両者のガス流量を調節してエッチングガスに添加することは,引用文献2記載の技術的事項に基づいて,当業者が容易に想到し得るものと認められ,その結果,引用発明1における多元系酸化物高誘電率膜のエッチング制御性を向上できるとの作用効果が得られることは,当業者には自明な事項というべきである。
そうすると,本願補正発明が奏する作用効果は,引用発明1において,引用文献2記載の技術的事項に基づいて,当業者が容易に予測し得るものと認められ,格別のものとはいえない。

ク まとめ
本件補正後の請求項7に係る発明(本願補正発明)は,引用文献1記載の発明(引用発明1),及び引用文献2記載の技術的事項に基づいて,当業者が容易に発明をすることができたものであるから,特許法第29条第2項の規定により,特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
以上から,本件補正は,特許法第17条の2第6項において準用する同法第126条第7項の規定に違反する。

(3)むすび
したがって,本件補正は,上記(1)の理由により,特許法第17条の2第5項の規定に違反し,仮にそうでないとしても,上記(2)の理由により,特許法第17条の2第6項において準用する同法第126条第7項の規定に違反するので,同法第159条第1項の規定において読み替えて準用する同法第53条第1項の規定により却下すべきものである。

第3 本願発明の特許性の有無について

1 本願発明について
平成27年2月25日に提出された手続補正書による手続補正は前記のとおり却下された。
そして,本願の請求項1に係る発明は,平成26年6月25日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項1に記載された,次のとおりのものと認める。
「【請求項1】
処理容器内で高誘電率絶縁膜,並びにSiO_(2)膜を有する基板において,処理ガスのプラズマを用いて前記高誘電率絶縁膜をエッチングするプラズマ処理方法であって,
前記処理容器内に前記基板を搬入し,
前記処理容器内にハロゲン化合物ガス,還元ガス,キセノンガス及び前記キセノンガス以外の希ガスを含む前記処理ガスを供給し,
前記処理容器内で前記処理ガスから前記プラズマを生成し,前記プラズマにより前記高誘電率絶縁膜をエッチングし,
前記高誘電率絶縁膜のエッチングでは,前記処理ガスに添加された前記キセノンガスが,前記ハロゲン化合物ガスからのハロゲンの解離を促進させ,前記解離したハロゲンによって前記高誘電率絶縁膜が高いエッチレートでエッチングされることを特徴とするプラズマ処理方法。」
また,本願の請求項7に係る発明(以下「本願発明」という。)は,平成26年6月25日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項7に記載された,次のとおりのものと認める。(再掲)
「【請求項7】
コンデンサの誘電体部分としての高誘電率絶縁膜が形成された基板に処理ガスのプラズマを用いてエッチング処理を施すプラズマ処理方法であって,
前記処理ガスはハロゲン化合物ガス,キセノンガス,前記キセノンガス以外の希ガス,及び還元ガスを含み,
前記高誘電率絶縁膜へ施される前記エッチング処理では,前記処理ガスに添加された前記キセノンガスが,前記ハロゲン化合物ガスからのハロゲンの解離を促進させ,前記解離したハロゲンによって前記高誘電率絶縁膜が高いエッチレートでエッチングされることを特徴とするプラズマ処理方法。」

2 分割要件について
本願の特許請求の範囲の請求項1に記載の「処理容器内で高誘電率絶縁膜,並びにSiO_(2)膜を有する基板において,処理ガスのプラズマを用いて前記高誘電率絶縁膜をエッチングするプラズマ処理方法であって,前記処理容器内に前記基板を搬入し,前記処理容器内にハロゲン化合物ガス,還元ガス,キセノンガス及び前記キセノンガス以外の希ガスを含む前記処理ガスを供給し,前記処理容器内で前記処理ガスから前記プラズマを生成し,前記プラズマにより前記高誘電率絶縁膜をエッチングし,」との記載は,SiO_(2)膜の上に形成される高誘電率絶縁膜を有する基板において,ハロゲン化合物ガス,還元ガス,キセノンガス及び前記キセノンガス以外の希ガスを含む処理ガスから生成したプラズマにより,上記高誘電率絶縁膜をエッチングすることだけでなく,高誘電率絶縁膜の上に形成されるマスクとなるSiO_(2)膜をを有する基板において,上記処理ガスから生成したプラズマにより,上記高誘電率絶縁膜をエッチングすることも含まれ得ると認められる。
ここで,原出願の願書に最初に添付した明細書,特許請求の範囲又は図面(以下「原出願の当初明細書等」という。)には,本願の特許請求の範囲の請求項1に記載の「高誘電率絶縁膜,並びにSiO_(2)膜を有する基板」について,以下の記載がある。
・「【0047】
ここで上述したように,高誘電率絶縁膜は希ガス系の混合ガス,例えば,アルゴンガスが混合された混合ガスのプラズマによってエッチングすることが可能であるが,低スパッタのエッチング処理装置ではアルゴンのプラズマによるスパッタ力が小さいため,エッチレートが低く,要求されるエッチレートを実現することができない。また,高誘電率絶縁膜はその用途に応じてSiO_(2)層の上に形成される場合があるが,低スパッタのエッチング処理装置では高誘電率絶縁膜の削り残し(残滓)がSiO_(2)層の上に発生する。該発生した高誘電率絶縁膜の残滓はSiO_(2)層のエッチングの際にマスクとして機能するため,SiO_(2)層には針状の突起が形成される。すなわち,円滑なSiO_(2)層の表面を形成することができない。」
・「【0050】
また,本実施の形態に係るプラズマ処理方法は高いエッチレートで高誘電率絶縁膜をエッチングすることができるため,高誘電率絶縁膜の残滓の発生を防止することができる。その結果,SiO_(2)層に針状の突起が形成されるのを抑制し,もって,円滑なSiO_(2)層の表面を形成することができる。」
・「【0069】
実施例2
まず,実施例1と同様に,ハフニウム酸化膜のブランケットウエハを準備した。次いで,実施例1と同様の方法で該ブランケットウエハをエッチングした。このとき,処理空間SにはC4F8ガス,一酸化炭素ガス,アルゴンガス及びキセノンガスを流量比27/300/480/120ｓccmで供給した。すなわち,キセノンの添加量は希ガス全体に対する流量比で20%であった。そして,計測されたエッチレートを図2のグラフに示した。
【0070】
また,本実施例2のエッチング条件でハフニウム酸化物の膜がSiO_(2)層を介してSi層の上又は直接的にSi層の上に形成されたウエハにエッチング処理を施し,該エッチング処理が施されたウエハの表面形状を計測し,計測された形状を図3(B)の断面図に示した。」

そして,原出願の当初明細書等の記載によれば,ハロゲン化合物ガス,還元ガス,キセノンガス及び前記キセノンガス以外の希ガスを含む処理ガスから生成したプラズマにより,上記高誘電率絶縁膜をエッチングすることは,原出願の当初明細書等に記載されているが,高誘電率絶縁膜の上に形成されるマスクとなるSiO_(2)膜をを有する基板において,上記処理ガスから生成したプラズマにより,上記高誘電率絶縁膜をエッチングすることは,原出願の当初明細書等に記載されておらず,また,当該技術分野における技術常識を参酌しても,原出願の当初明細書等の記載から自明とは認められない。
そうすると,本願の特許請求の範囲の請求項1に記載された発明は,原出願の当初明細書等に記載されたものとは認められないから,本願は,分割要件を満たしているとはいえない。
以上によれば,本願は適法な分割出願であるとはいえないから,出願日の遡及を認めることはできず,本願の出願日は,現実の出願日である平成24年1月10日と認める。

3 引用文献1の記載と引用発明1
引用文献1の記載は,前記第2の3(2)ウ(ア)のとおりであり,引用発明1は,前記第2の3(2)ウ(イ)で認定したとおりである。

4 引用文献2の記載と当該文献記載の技術的事項
引用文献2の記載は,前記第2の3(2)エ(ア)のとおりであり,引用文献2記載の技術的事項は,前記第2の3(2)エ(イ)で認定したとおりである。

5 引用文献3の記載と引用発明2
ア 本願の原査定の拒絶の理由に引用文献5として引用された,本願の出願日前に日本国内において頒布された刊行物である,特開2007-165827号公報(当審注.原出願の公開特許公報である。以下「引用文献3」という。)には,図面とともに,次の記載がある。
「【0048】
本実施の形態に係るプラズマ処理方法は,これに鑑みて,C_(4)F_(8)ガス,一酸化炭素ガス,アルゴンガス及びキセノンガスが所定の流量比で混合された処理ガスのプラズマによって高誘電率絶縁膜をエッチングする。このとき,一酸化炭素はC_(4)F_(8)からのフッ素の還元を行い,アルゴン及びキセノンはC_(4)F_(8)からのフッ素の解離を促進する。ここでキセノンはハロゲン化合物の解離力がアルゴンよりも大きいため,該キセノンはC_(4)F_(8)からのフッ素の解離をより促進し,これにより,解離したフッ素による高誘電率絶縁膜のエッチングの進行が促進される。したがって,本実施の形態に係るプラズマ処理方法は,アルゴンのプラズマのみによる高誘電率絶縁膜のエッチングよりも高いエッチレートで高誘電率絶縁膜をエッチングする。
【0049】
本実施の形態に係るプラズマ処理方法によれば,半導体デバイスに形成されたコンデンサの誘電体部分としての高誘電率絶縁膜が形成されたウエハWに,C_(4)F_(8)ガス,一酸化炭素ガス,アルゴンガス及びキセノンガスが所定の流量比で混合された処理ガスのプラズマを用いてエッチング処理が施されるので,アルゴンのプラズマのみによる高誘電率絶縁
膜のエッチングよりも高いエッチレートで高誘電率絶縁膜をエッチングすることができ,もって,低スパッタのエッチング処理装置であっても,要求されるエッチレートを確実に実現することができ,これにより,高誘電率絶縁膜のエッチング制御性を確実に向上することができる。」
イ 当該技術分野における技術常識を参酌すれば,上記アより,引用文献3には,次の発明(以下「引用発明2」という。)が記載されていると認められる。
「コンデンサの誘電体部分としての高誘電率絶縁膜が形成された基板に処理ガスのプラズマを用いてエッチング処理を施すプラズマ処理方法であって,
前記処理ガスはC_(4)F_(8)ガス,キセノンガス,アルゴンガス,及び一酸化炭素ガスを含み,
前記高誘電率絶縁膜へ施される前記エッチング処理では,前記処理ガスに添加された前記キセノンガスが,前記ハロゲン化合物ガスからのハロゲンの解離を促進させ,前記解離したハロゲンによって前記高誘電率絶縁膜が高いエッチレートでエッチングされることを特徴とするプラズマ処理方法。」

3 本願発明と引用発明1との対比及び判断
(1)対比
前記第2の3(1)及び(2)アから明らかなように,本願発明は,本願補正発明と実質的に同一の内容であるか,又は平成27年2月25日に提出された手続補正書による補正事項1に係る限定(前記第2の2)を取り除いたものである。
そして,上記のいずれの場合でも,本願発明と引用発明1とを対比すると,両者は,本願補正発明と引用発明1との相違点1及び2(前記第2の3(2)オ(ウ))の点で相違し,その余の点で一致すると認められる。

(2)判断
本願発明と引用発明1との相違点1は,前記第2の3(2)カ(ア)のとおり,実質的な相違点であるとは認められない。
そして,本願発明と引用発明1との相違点2は,前記第2の3(2)カ(イ)のとおり,引用発明1において,引用文献2記載の技術的事項に基づいて,当業者が容易に想到し得たものと認められる。
また,前記第2の3(2)キのとおり,本願発明が奏する作用効果は,引用発明1において,引用文献2記載の技術的事項に基づいて,当業者が容易に予測し得るものと認められ,格別のものとはいえない。
そうすると,本願発明は,引用発明1において,引用文献2記載の技術的事項に基づいて,当業者が容易に想到し得たものと認められる。
以上から,本願発明は,特許法第29条第2項の規定により,特許を受けることができないものである。

4 本願発明と引用発明2との対比及び判断
引用発明2における「C_(4)F_(8)ガス」,「アルゴンガス」,及び「一酸化炭素ガス」は,それぞれ,本願発明の「ハロゲン化合物ガス」,「前記キセノンガス以外の希ガス」,及び「還元ガス」に相当するといえるから,本願発明と引用発明2とは,
「コンデンサの誘電体部分としての高誘電率絶縁膜が形成された基板に処理ガスのプラズマを用いてエッチング処理を施すプラズマ処理方法であって,
前記処理ガスはC_(4)F_(8)ガス,キセノンガス,アルゴンガス,及び一酸化炭素ガスを含み,
前記高誘電率絶縁膜へ施される前記エッチング処理では,前記処理ガスに添加された前記キセノンガスが,前記ハロゲン化合物ガスからのハロゲンの解離を促進させ,前記解離したハロゲンによって前記高誘電率絶縁膜が高いエッチレートでエッチングされることを特徴とするプラズマ処理方法。」
である点で一致し,両者の間に相違点があるとは認められない。
そうすると,本願発明は,引用発明2と同一であると認められ,また,引用発明2に基づいて,当業者が容易に想到し得たものとも認められる。
以上から,本願発明は,特許法第29条第1項第3号の規定,及び同法第29条第2項の規定により,特許を受けることができないものである。

第4 結言

したがって,本願の請求項7に係る発明は,特許法第29条第1項第3号の規定,及び同法第29条第2項の規定により特許を受けることができないから,その余の請求項について検討するまでもなく,本願は拒絶されるべきものである。

よって,結論のとおり審決する。
 
審理終結日 2016-07-19 
結審通知日 2016-07-26 
審決日 2016-08-12 
出願番号 特願2012-2123(P2012-2123)
審決分類 P 1 8・ 113- Z (H01L)
P 1 8・ 121- Z (H01L)
最終処分 不成立  
前審関与審査官 宮崎 園子  
特許庁審判長 鈴木 匡明
特許庁審判官 加藤 浩一
河口 雅英
発明の名称 プラズマ処理方法、記憶媒体及びプラズマ処理装置  
代理人 別役 重尚  

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