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審決分類 |
審判 訂正 ただし書き1号特許請求の範囲の減縮 訂正する H01L |
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管理番号 | 1321472 |
審判番号 | 訂正2016-390093 |
総通号数 | 205 |
発行国 | 日本国特許庁(JP) |
公報種別 | 特許審決公報 |
発行日 | 2017-01-27 |
種別 | 訂正の審決 |
審判請求日 | 2016-07-12 |
確定日 | 2016-10-07 |
訂正明細書 | 有 |
事件の表示 | 特許第5333241号に関する訂正審判事件について、次のとおり審決する。 |
結論 | 特許第5333241号の特許請求の範囲を本件審判請求書に添付された特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項1について訂正することを認める。 |
理由 |
第1 手続の経緯 本件特許第5333241号(以下、「本件特許」という。)は、平成11年11月26日を出願日とする出願である特願平11-336130号を原出願とする特許法第44条第1項の規定による新たな特許出願として、平成22年1月8日に特願2010-2485号として特許出願され、平成25年8月9日に特許権の設定登録がされ、その後、平成28年7月12日に本件訂正審判が請求されたものである。 第2 請求の趣旨 本件訂正審判の請求の趣旨は、本件特許の特許請求の範囲を本件審判請求書に添付した訂正特許請求の範囲のとおり訂正することを認める、との審決を求めるものである。 第3 訂正事項 本件特許請求の範囲の請求項1に「第1導電型」とあるのを「n型」と訂正する。 第4 当審の判断 1.訂正事項1について (1)訂正の目的の適否について(なお、下線は、当審において付与した。以下、同じ。) 訂正事項1は、本件訂正前の請求項1における、「第1導電型低不純物濃度のドリフト層を形成する第1導電型低不純物濃度のFZ基板を用い」ること、および、「前記第2主面から前記高不純物濃度層と前記FZ基板の前記第1導電型低不純物濃度のドリフト層との境界までの前記高不純物濃度層を形成すること」を、「n型低不純物濃度のドリフト層を形成するn型低不純物濃度のFZ基板を用い」ること、および、「前記第2主面から前記高不純物濃度層と前記FZ基板の前記n型低不純物濃度のドリフト層との境界までの前記高不純物濃度層を形成すること」とするものであり、「第1導電型抵不純物」と「n型抵不純物」とは技術常識に照らして、上位概念と下位概念の関係にあることが明らかであるから、訂正事項1は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。 したがって、当該訂正事項1は、許法第126条第1項ただし書第1号に掲げる「特許請求の範囲の限縮」を目的とするものである。 (2)訂正が本件特許明細書、特許請求の範囲または図面に記載した事項の範囲内のものであるか否かについて 願書に添付した明細書の段落【0022】には、「次に、本発明の各実施形態を添付図面に基づいて説明する。図1は本発明の実施形態1に係る縦形ダイオードの断面構造を示す一部断面図である。本実施形態の縦形ダイオードは1200V耐圧ダイオードであって、n^(-)ドリフト層3bを形成するn型低不純物濃度のFZウェハを用いて製造される。FZウェハの表面側には素子活性領域及びアルミニウムのアノード電極8が形成されている。ここで、ダイオードの素子活性領域(核心部)とは、p^(+)アノード層4とn^(-)ドリフト層3bとのpn接合を意味する。FZウェハの裏面最表側にはn^(+)カソード層1bが形成されており、そのn^(+)カソード層1b上にはアルミニウムのカソード電極9が被着されている。」と記載されているから、「FZ基板」は、「n型抵不純物濃度」の「FZ基板」が記載されているといえる。 したがって、当該訂正事項1は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第126条第5項の規定に適合するものである。 (3)訂正が実質上特許請求の範囲を拡張し、または変更するものであるか否かについて 訂正事項1は、上記「(1)」で述べたとおり、本件訂正前の請求項1に記載された「第1導電型抵不純物」を「n型抵不純物」に限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。 そして、当該訂正事項1は、カテゴリーや対象、目的を変更するものではないから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当せず、特許法第126条第6項の規定に適合するものである。 (4)訂正後における特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるか否かについて 本件訂正後の特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができないとする理由を発見しない。 したがって、訂正事項1は、特許法第126条第7項の規定に適合する。 第5 むすび 以上のとおり、本件訂正審判の請求に係る訂正事項1は、同条第1項ただし書第1号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ同条第5?7項の規定に適合するものである。 よって、結論のとおり審決する。 |
発明の名称 |
(57)【特許請求の範囲】 【請求項1】 n型低不純物濃度のドリフト層を形成するn型低不純物濃度のFZ基板を用い、該FZ基板の第1主面側に形成された素子活性領域及びその第1電極と、前記FZ基板の第2主面の最表側に形成された高不純物濃度層及びその第2電極とを備えた半導体装置の製造方法において、前記FZ基板の前記第1主面側に前記素子活性領域及び前記第1電極を形成し、前記FZ基板の前記第2主面側を所定の厚さまで削り落とした後、前記第2主面から燐又は砒素イオンを1MeV以下の照射エネルギーで1×10^(13)cm^(-2)以上から1×10^(16)cm^(-2)以下のドーズ量で粒子線照射を行い、前記第1主面側を冷却しながら前記第2主面に対し光又はレーザーを照射してアニール処理を施して前記第2主面から前記高不純物濃度層と前記FZ基板の前記n型低不純物濃度のドリフト層との境界までの前記高不純物濃度層を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。 |
訂正の要旨 |
審決(決定)の【理由】欄参照。 |
審理終結日 | 2016-09-07 |
結審通知日 | 2016-09-12 |
審決日 | 2016-09-26 |
出願番号 | 特願2010-2485(P2010-2485) |
審決分類 |
P
1
41・
851-
Y
(H01L)
|
最終処分 | 成立 |
前審関与審査官 | 岩本 勉 |
特許庁審判長 |
深沢 正志 |
特許庁審判官 |
小田 浩 加藤 浩一 |
登録日 | 2013-08-09 |
登録番号 | 特許第5333241号(P5333241) |
発明の名称 | 半導体装置の製造方法 |
代理人 | 鈴木 信彦 |
代理人 | 辻居 幸一 |
代理人 | 辻居 幸一 |
代理人 | 高石 秀樹 |
代理人 | 鈴木 信彦 |
代理人 | 高石 秀樹 |