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審決分類 審判 査定不服 2項進歩性 取り消して特許、登録 H01L
審判 査定不服 特36条6項1、2号及び3号 請求の範囲の記載不備 取り消して特許、登録 H01L
管理番号 1333797
審判番号 不服2016-8062  
総通号数 216 
発行国 日本国特許庁(JP) 
公報種別 特許審決公報 
発行日 2017-12-28 
種別 拒絶査定不服の審決 
審判請求日 2016-06-01 
確定日 2017-11-13 
事件の表示 特願2013-255612「基板処理構成部品からの残留物の除去」拒絶査定不服審判事件〔平成26年 5月29日出願公開、特開2014- 99619、請求項の数(4)〕について、次のとおり審決する。 
結論 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 
理由 第1 手続の経緯
本願は、平成19年10月15日(パリ条約による優先権主張外国庁受理2006年10月19日、米国)に国際出願した特願2009-533334号の一部を平成24年5月31日に新たな特許出願とした特願2012-124612号の、さらにその一部を平成25年12月11日に新たな特許出願としたものであって、その手続の経緯は以下のとおりである。

平成25年12月12日 手続補正書の提出
平成26年11月13日 拒絶理由通知(起案日)
平成27年 5月18日 意見書及び手続補正書の提出
平成28年 1月27日 拒絶査定(起案日)
平成28年 6月 1日 審判請求
平成29年 3月24日 当審拒絶理由通知(起案日)
平成29年 9月26日 意見書及び補正書の提出


第2 原査定の概要
1 拒絶理由通知
平成28年1月27日付けの拒絶査定(以下、「原査定」という。)の根拠となった平成26年11月13日付けの拒絶理由通知の概要は次のとおりである。

「1.この出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第29条第2項の規定により特許を受けることができない。
……(中略)……
記 (引用文献等については引用文献等一覧参照)
・理由 1
・請求項 1,6
・引用文献等 1?3
・備考
引用文献1(第【0014】,【0016】,【0045】段落の記載および図5を参照。)には,基板処理構成部品の表面から接着剤を洗浄等により完全に除去することが記載されている。
そして,引用文献2(第【0022】-【0024】,【0043】段落の記載および図1を参照。)には,接着剤が付着している部材表面にレーザのパルスビームを照射し接着剤を除去する技術が開示されており,引用文献3(第【0042】,【0017】段落の記載を参照。)に記載されているように,接着剤層にレーザ光を照射してアブレ-ションを起こすことにより剥離する技術は周知技術である。
引用文献1に記載された構成において,接着剤を除去する手段として引用文献2および3に記載された技術を採用して本願発明の構成とすることは当業者が容易に想到し得るものと認められる。

・理由 1
・請求項 2,5
・引用文献等 1?4
・備考
引用文献4の第【0029】段落に記載されているように,ポリマーコーティングをレーザーにより除去することはすでに知られた技術である。また,除去した後に新たにポリマー層を形成することは当業者が必要に応じて行う設計事項である。

・理由 1
・請求項 3
・引用文献等 1?3
・備考
スクライブする工程は当業者にとって周知技術であり,スクライブする工程を付加することは当業者が必要に応じて設ける設計事項である。

・理由 1
・請求項 4
・引用文献等 1?3,5
・備考
引用文献5(第【0008】,【0022】-【0064】段落の記載および図1,2,7を参照。)には,ウエハ保持部材をリングフレームと粘着シートと両面テープにより構成することが開示されている。
……(中略)……
引 用 文 献 等 一 覧
1.特開平11-297805号公報
2.特開平07-074135号公報
3.特開2003-203886号公報
4.特表2006-519400号公報
5.特開2004-193237号公報」

2 拒絶査定
原査定の概要は次のとおりである。

「この出願については、平成26年11月13日付け拒絶理由通知書に記載した理由1によって、拒絶をすべきものです。
なお、意見書及び手続補正書の内容を検討しましたが、拒絶理由を覆すに足りる根拠が見いだせません。

備考

●理由1(特許法第29条第2項)について

・請求項 1
・引用文献等 1-5
出願人は、意見書において、引用文献1から5のいずれも、補正後の請求項1に記載の「前記接着剤残留物をアブレーションするために十分に高いエネルギ密度で、前記基板処理構成部品の前記表面にわたってレーザビームを走査させると共に、前記表面をテクスチャ加工して(i)複数の周期的に離間された溝、及び、(ii)複数の周期的に離間されたノブの少なくとも一方を前記表面に形成するために前記表面の一部にわたってレーザビームを走査させるステップ」について何ら開示ないし示唆していない旨,主張している。
しかし、引用文献3(特に段落[0009]-[0014]を参照されたい。)には,クリーニングと表面の粗面化をレーザの照射によって同時に行うことが開示されており,引用文献4(特に段落[0013]を参照されたい。)には,レーザを用いて接着剤を溶断すると同時に溝状に削り取ることが開示されている。このように,構成部品の表面上の不必要な物質をレーザにより除去すると共にレーザービームを走査して溝などテクスチャを形成することは周知技術である。この際にどのようテクスチャを形成するかは当業者が実施に当たり適宜設計する設計事項である。
そして,引用文献1(特に段落[0014],[0016],[0045]を参照されたい。)には,セラミック絶縁板および電極層から接着剤を完全に除去することが記載されており,この接着剤を除去する手段として引用文献2(特に段落[0022]-[0024],[0043]を参照されたい。)に記載されたレーザにより接着剤を除去する周知技術を適用し,さらに引用文献3,4に記載されたレーザにより不必要な物質を除去すると共にテクスチャ加工を行う周知技術を採用して本願発明の構成とすることは,当業者が容易に想到し得るものと認められる。
なお,出願人は意見書において,引用文献のいずれも、基板処理オペレーションにおいて用いられる構成部品の表面のフレーキングおよびピーリングにより残留物を汚染するという問題を認識してそれについて取り組んだものではない旨,主張しているが,構成部品の表面のフレーキングおよびピーリングにより残留物を汚染することは特許請求の範囲には記載されておらず、その主張は採用できない。
さらに,出願人は意見書において,引用文献のいずれも、残留物の付着を改善するために上記の構成部品にテクスチャ加工特徴部を形成するレーザアブレーション(又はいずれかの他の技術)の利用について何ら開示ないし示唆していない旨,主張している。しかし,引用文献5の段落[0013]に記載されているように装置表面に凹凸を形成したことにより塵埃の捕集効率を向上させることは周知技術であり,当該凹凸をどのような手段で形成するかは当業者が実施に当たり適宜選択する設計事項と認められ,周知技術のレーザアブレーションにより形成することは当業者が容易に想到し得るものと認められる。
したがって,本願発明は引用文献1?5に基づいて当業者が容易に発明し得たものと認められる。

・請求項 2
・引用文献等 1-6
引用文献6の第【0029】段落に記載されているように,ポリマーコーティング
をレーザーにより除去することはすでに知られた技術である。

・請求項 3
・引用文献等 1-5
基板処理構成部品のうち,どの構成部品に対してアブレーションするかは,当業者が適宜選択する設計事項である。

・請求項 4
・引用文献等 1-5
どのような特性のレーザを用いてアブレーションするかは,当業者が実施に当たり適宜設定する設計事項である。


<引用文献等一覧>
1.特開平11-297805号公報
2.特開平07-074135号公報(周知技術を示す文献)
3.特開2003-031953号公報(新たに引用された文献)(周知技術を示す文献)
4.特開2001-076569号公報(新たに引用された文献)(周知技術を示す文献)
5.特開2000-138275号公報(新たに引用された文献)(周知技術を示す文献)
6.特表2006-519400号公報」


第3 当審拒絶理由通知の概要
平成29年3月24日付けで当審より通知した拒絶理由通知の概要は次のとおりである。

「1.この出願は、特許請求の範囲の記載が下記の点で、特許法第36条第6項第1号に規定する要件を満たしていない。



(1)請求項2に、「前記ポリマーコーティングおよびアクリルコーティングをアブレーションする工程を備える」と記載されている。
しかしながら、本願明細書には、段落【0038】に「アクリル接着剤残留物」という記載は存在するものの、「アクリルコーティングをアブレーションする」ことは記載されておらず、さらに、「コーティング」が「アクリル」樹脂から形成されることも何ら記載されていない。
したがって、請求項2に係る発明は、発明の詳細な説明に記載したものでない。

(2)請求項4に、「(i)前記ビームが、約9.6×10^(6)W/cm^(2)?約8.6×10^(7)W/cm^(2)のワット数を提供すること」、「(v)前記ビームが、約100ワット?約5000ワットの出力領域を有すること」、「のうちの少なくとも1つを有する」とそれぞれ記載されている。
これに対して、本願明細書には、段落【0037】に「適切なレーザ400は、約100?約5000ワットの範囲にある出力レベルを有するレーザについては、例えば、9.6×10^(6)W/cm^(2)?8.6×10^(7)W/cm^(2)の出力密度を提供する。」と記載されている。
したがって、
ア 本願明細書において、「9.6×10^(6)W/cm^(2)?8.6×10^(7)W/cm^(2)」であるのは、レーザの「出力密度」であって、「ワット数」ではない。
イ 本願明細書において、「約100ワット?約5000ワット」であるのは、レーザの「出力レベル」であって、「出力領域」ではない。
ウ 本願明細書に記載された「出力密度」は、「9.6×10^(6)W/cm^(2)?8.6×10^(7)W/cm^(2)」の範囲内にあり、請求項4の上記の記載にように、「ワット数」の下限が「約9.6×10^(6)W/cm_(2)」とみなせる値をとり、上限が「約8.6×10^(7)W/cm^(2)」とみなせる値をとることは、記載されていない。すなわち、請求項4の上記の記載は、本願明細書に記載された「出力密度」の範囲を、本願明細書に記載されていない範囲にまで拡張するものである。
エ 本願明細書には、「約100?約5000ワットの範囲にある出力レベルを有するレーザ」については「9.6×10^(6)W/cm^(2)?8.6×10^(7)W/cm^(2)の出力密度を提供する」ことが記載されているのであって、請求項4の上記の記載にように、「(i)前記ビームが、約9.6×10^(6)W/cm^(2)?約8.6×10^(7)W/cm^(2)のワット数を提供すること」と「(v)前記ビームが、約100ワット?約5000ワットの出力領域を有すること」の「うちの少なくとも1つを有する」こと、すなわち、前記「(i)」の条件と前記「(v)」の条件のどちらか一方が満たされれば足りることは、記載されていない。
以上から、請求項4に係る発明は、発明の詳細な説明に記載したものでない。


2.この出願は、特許請求の範囲の記載が下記の点で、特許法第36条第6項第2号に規定する要件を満たしていない。



(1)請求項2に、「前記基板処理構成部品がアクリル残留物より下にポリマーコーティングを備え、前記ステップ(a)が、前記接着剤残留物をアブレーションする工程に加えて、前記ポリマーコーティングおよびアクリルコーティングをアブレーションする工程を備える」と記載されている。
しかしながら、上記記載では、
ア 「アクリル残留物」と「前記接着剤残留物」とは、同じものを指すのか、異なるものを指すのか、不明である。(同じものを指すのであれば、用語を統一されたい。)
イ 「前記ポリマーコーティングおよびアクリルコーティングをアブレーションする」という記載から、「アクリルコーティング」は「ポリマーコーティング」とは別の物を指すと認められる。そうすると、前記「アクリルコーティング」と、「基板処理構成部品」、「アクリル残留物」ないしは「前記接着剤残留物」との位置関係が、同項、及び、同項が引用する請求項1の記載からでは不明である。
以上から、請求項2に係る発明は明確でない。

(2)請求項4の「(i)前記ビームが、約9.6×10^(6)W/cm^(2)?約8.6×10^(7)W/cm^(2)のワット数を提供すること」及び「(v)前記ビームが、約100ワット?約5000ワットの出力領域を有すること」の記載は、「約」が付加されていることで、請求項4に係る発明の技術的範囲を不明りょうにするものである。
よって、請求項4に係る発明は明確でない。」


第4 本願発明
本願の請求項1-4に係る発明(以下、それぞれ「本願発明1」-「本願発明4」という。)は、平成29年9月26日に提出された手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項1-4に記載された事項により特定される以下のとおりの発明である。

「 【請求項1】
基板処理構成部品の表面から接着剤残留物をアブレーションする(ablating)方法であって、
(a)前記接着剤残留物をアブレーションするために十分に高いエネルギ密度で、前記基板処理構成部品の前記表面にわたってレーザビームを走査させると共に、前記表面をテクスチャ加工して(i)複数の周期的に離間された溝、及び、(ii)複数の周期的に離間されたノブの少なくとも一方を前記表面に形成するために前記表面の一部にわたってレーザビームを走査させるステップを含む方法。
【請求項2】
前記基板処理構成部品がアクリル接着剤からなる前記接着剤残留物より下にポリマーコーティングを備え、前記ステップ(a)が、前記接着剤残留物をアブレーションする工程に加えて、前記ポリマーコーティングをアブレーションする工程を備える、請求項1に記載の方法。
【請求項3】
前記基板処理構成部品が保持リングまたはガス分配板を備える、請求項1に記載の方法。
【請求項4】
前記レーザビームが、以下の特性、
(i)前記ビームが、100ワット?5000ワットの範囲にある出力レベルを有するとともに、9.6×10^(6)W/cm^(2)?8.6×10^(7)W/cm^(2)の出力密度を提供すること、
(ii)前記ビームがパルス波ビームであること、
(iii)前記ビームが連続波ビームであること、
(iv)前記ビームが、CO_(2)レーザ、Nd-YAGレーザ、Er:Nd-YAGレーザ、アルゴンレーザ、高出力ダイオードレーザまたは他の固体レーザによって生成されること、
のうちの少なくとも1つを有する、請求項1に記載の方法。」


第5 引用された文献及び引用発明
1 引用文献1について
(1)引用文献1の記載事項
原査定で引用され、原査定の根拠となった平成26年11月13日付けの拒絶理由通知に引用された刊行物である特開平11-297805号公報(以下、「引用文献1」という。)には、「静電チャック装置、静電チャック用積層シート、および静電チャック用接着剤」(発明の名称)について、図1?図7とともに次の事項が記載されている(下線は参考のため当審において付したもの。以下同様である。)。
ア 「【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、ウエハ等の導電体または半導体を静電気力で吸着固定するための静電チャック装置および静電チャック用積層シートに関する。
【0002】
【従来の技術】半導体ウエハを加工する工程においては、半導体ウエハを加工機の所定部位に固定するためにチャック装置が使用される。チャック装置としては、機械式、真空式、および静電式の装置が存在するが、静電チャック装置は、平坦でないウエハであっても吸着でき、取り扱いが簡単で、真空中でも使用できる利点を有している。」

イ 「【0038】次に、本発明に係る静電チャック装置の他の実施形態について図2を用いて説明する。この静電チャック装置は、円盤形をなす金属基盤10、絶縁性および応力緩和性に優れた第1接着剤層30、円板状をなすセラミック絶縁板32、第2接着剤層36、および絶縁性フィルム38が順に形成されたものであり、セラミック絶縁板32の上面には、一定のパターンをなす電極層34が埋設状態で形成されている。すなわち、電極層34の上面は、セラミック絶縁板32の上面と同一面上にある。金属基盤10内には前記実施形態と同様に熱媒流路12が形成されている。
【0039】図5はこの実施形態のより具体的な構成を示すものであり、この実施形態の装置にも、図4の実施形態と同様、ウエハを昇降するための貫通孔24、および電極層34に給電するための要素25?28が形成されている。電極層34の平面形状も図3に示した電極層20と同様でよいが、限定はされない。前記実施形態と同様にガス通路(図示略)が形成されていてもよい。
【0040】電極層34の材質は前記実施形態と同様でよい。電極層34は打ち抜き形成された金属箔でもよいし、導電性ペーストを焼成して形成した導電体であってもよいし、セラミック絶縁板32の上面に蒸着および/またはメッキされた金属蒸着膜または金属メッキ膜であってもよい。特に、銀、白金、パラジウム、モリブデン、マグネシウム、タングステンおよびこれらの合金は、ペースト状または粉末状で扱えるため加工性、印刷容易性に優れ好ましく、その中でもパラジウム合金は導電性および加工性が良好である。電極層34が厚い場合には、セラミック絶縁板32の上面に電極層34のパターンを有する凹部を形成した上で、その内部に電極層34が形成される。凹部を形成した場合、セラミック絶縁板32と電極層34との間に段差があると、ウエハWの密着性が悪化するため、電極層34を形成した後に、セラミック絶縁板32および電極層34の上面を研磨等により平滑にすることが好ましい。
【0041】電極層34の厚さは限定はされないが、この実施形態では比較的厚くてもよく、0.05?2mmであることが好ましく、より好ましくは0.05?1mmとされる。電極層34が非常に薄い場合には、セラミック絶縁板32の表面に凹部を形成せず、表面に電極層34を直接形成してもよい。
【0042】絶縁性フィルム38および第2接着剤層36は、絶縁性フィルム38が損耗した場合に、セラミック絶縁板32および電極層34から剥がして交換される積層シート35を構成している。絶縁性フィルム38の材質や厚さは、前記実施形態の絶縁性フィルム22と同様に20?75μmの範囲が好ましく、40?60μmの範囲が特に好ましい。
【0043】セラミック絶縁板32の材質も前記実施形態のセラミック絶縁板16と同様でよい。セラミック絶縁板32の厚さは限定はされないが、被吸着面の熱を逃がしつつ十分な耐久性を確保する観点から、0.5?8mmの範囲が好ましく、さらに好ましくは0.5?4mm、最適には0.5?1mmである。
【0044】金属基盤10、第1接着剤層30、セラミック絶縁板32、第2接着剤層36、絶縁性フィルム38には、ウエハ吸着面に開口する複数のガス通路(図示略)が形成されていてもよい。第1接着剤層30および第2接着剤層36を形成するための接着剤は、先の実施形態と同様でよい。第1接着剤層30および第2接着剤層36の厚さは限定されないが、第1接着剤層30の厚さは20?200μmであることが好ましく、より好ましくは50?150μmであり、最適には80?120μmとされる。第2接着剤層36の厚さは5?100μmであることが好ましく、より好ましくは5?50μmであり、最適には10?30μmとされる。
【0045】本実施形態の静電チャック装置では、前記実施形態と同様の効果が得られる上、第2接着剤層36が薄いために、積層シート35を剥がして新たな積層シート35を張る際に、セラミック絶縁板32および電極層34から接着剤を洗浄等により完全に除去することが容易であるうえ、積層シート35には電極が形成されていないため、積層シート35の張り替え作業が容易に行える利点を有する。」

ウ 「【0046】次に、この実施形態の静電チャック装置の製造方法について説明する。まず、セラミック絶縁板32の一面を研削加工し、電極層34のパターンをなす一定深さの凹部を形成する。次に、この凹部内に電極層34を形成する。そのためには、予め打ち抜き加工等により形成した板状の電極層34を凹部にはめ込んで接着してもよいし、蒸着やメッキ法により電極層34を凹部内に形成してもよいが、より効率的に形成するには、白金パラジウムや銀等の金属微粉末を含有する導電性ペースト等を研削部にスクリーン印刷等で塗布した後、加熱硬化および必要に応じて数100℃での焼成を行い、電極層34を形成する。必要に応じては、電極層34を形成した面を研磨加工等により平滑にする。セラミック絶縁板32を製造する時点で、焼成前のセラミック絶縁板に所定のパターン形状を有する凹部を形成し、導電性ペーストを印刷あるいは、塗布した後、焼成して製造してもよい。
【0047】次に、セラミック絶縁板32の下面を第1接着剤層30を介して金属基盤10に接着する。セラミック絶縁板32および金属基盤10には、予め厚さ方向に貫通孔25が形成されていることが望ましく、電極層34に給電部材27を接続したうえ、絶縁体28により貫通孔25を封止する。次に、セラミック絶縁板32および電極層34の上面に、積層シート35の半硬化状態にある第2接着剤層36を接着し、加熱処理により第2接着剤層36を硬化させる。
【0048】ウエハWの処理により絶縁性フィルム38が疲労した場合、積層シート35をセラミック絶縁板32から剥がし、新しい積層シート35を接着する。第2接着剤層36は薄いのでセラミック絶縁板32からの剥離が容易であり、セラミック絶縁板32上に一部が残ったとしても少量であるから除去は容易である。また、この実施形態では、積層シート35内に電極層34が含まれていないので、積層シート35の交換コストを低減することができる。」

(2)引用発明
したがって、引用文献1には次の発明(以下、「引用発明」という。)が記載されていると認められる。

「半導体ウエハを加工する工程において前記半導体ウエハを加工機の所定部位に固定するために使用される静電チャック装置の洗浄方法であって、
前記静電チャック装置は、円盤形をなす金属基盤10、絶縁性及び応力緩和性に優れた第1接着剤層30、円板状をなすセラミック絶縁板32、前記セラミック絶縁板32の上面の凹部内に形成された電極層34、厚さが5?100μmである第2接着剤層36、及び、絶縁性フィルム38が順に形成されたものであり、
前記絶縁性フィルム38および前記第2接着剤層36は、前記半導体ウエハの処理により前記絶縁性フィルム38が損耗した場合に、前記セラミック絶縁板32及び前記電極層34から剥がして交換される積層シート35を構成しており、
前記第2接着剤層36は、薄いために、使用した積層シート35を剥がして新たな積層シート35を張る際に前記セラミック絶縁板32及び前記電極層34から洗浄等により完全に除去することを特徴とする静電チャック装置の洗浄方法。」

2 引用文献2について
(1)引用文献2の記載事項
原査定で引用され、原査定の根拠となった平成26年11月13日付けの拒絶理由通知に引用された刊行物である特開平7-74135号公報(以下、「引用文献2」という。)には、「基板表面のドライ・クリーニング方法」(発明の名称)について、図1?図5とともに次の事項が記載されている。
ア 「【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体、金属、セラミックス、磁性体あるいは光学素子などの表面(以下、これらを総称して単に「基板表面」と称す。)のドライ・クリーニング方法に関し、さらに詳細には、基板表面に付着した有機汚れや無機汚れなどの付着物を、基板表面から除去するための基板表面のドライ・クリーニング方法に関する。」

イ 「【0022】こうして、条件設定された状態で、基板Aの表面にKrFエキシマ・レーザ発振器10から出力されるKrFエキシマ・レーザのパルス・ビームが照射されると、基板A表面の除去対象物たる付着物が、KrFエキシマ・レーザによるレーザ光分解、レーザ・アブレーションあるいはレーザ・パルスの衝撃による基板表面の振動などの総合作用によって分解されて、基板A表面から除去されることになり、基板A表面をクリーニングすることができる。
【0023】以下に、上記のようなドライ・クリーニング・システムによるクリーニング効果を詳細に説明する。
【0024】図2(a)は、磁気ヘッド・スライダー(フェライト基板)表面に、数ミクロンの厚さの有機接着剤が付着している状態の顕微鏡写真である。この図2(a)の状態の磁気ヘッド・スライダー表面に、上記ドライ・クリーニング・システムにより、KrFエキシマ・レーザのパルス・ビームを60mJ/cm^(2)の光強度で2500パルス照射すると、図2(b)に示すように、磁気ヘッド・スライダー表面の有機接着剤が完全に除去された。
【0025】そして、図2(b)の状態をオージェ電子分光法を使用して表面分析した結果、磁気ヘッド・スライダー表面が完全にクリーンになったことが証明された。
【0026】なお、60mJ/cm^(2)の光強度のパルス・ビームを照射することによるフェライト基板の温度上昇は小さいものと考えられ、基板への熱によるダメージは少ないと考えられる。」

ウ 「【0043】従って、本発明の基板表面のドライ・クリーニング方法によれば、
(1)大気中において、基板表面の付着物を除去できる。
(2)トリクロルエチレンやフロンなどの人体ならびに環境に影響を及ぼす有機溶剤を使用せずに、ドライ・プロセスによって、有機物質の排出と騒音のない環境保護に優れた無公害の基板表面のクリーニングを達成できる。
(3)基板に短波長パルス・レーザを照射することによるクリーニングであるため、高速なクリーニングを実現することができ、しかも有機溶剤を使用しないため廃液処理を行う必要がなく、クリーニング作業の簡便化を図ることができ、大規模処理に適している。
(4)半導体、金属、セラミックス、磁性体、光学素子などの表面クリーニングに幅広く用いることができる。
(5)基板表面の汚れのある部位のみを選択して、短波長パルス・レーザを照射できるため効率が良い。
などの効果を得ることができる。」

3 引用文献3について
(1)引用文献3の記載事項
原査定において「周知技術を示す文献」として新たに引用された刊行物である特開2003-31953号公報(以下、「引用文献3」という。)には、「ビルドアップ基板の製造方法」(発明の名称)について、図1?図2とともに次の事項が記載されている。
ア 「【0002】
【従来の技術】ビルドアップ法は、バイアホールを介して接続された多層プリント配線板を製造することができ、配線を著しく高密度化することができるという利点がある。」

イ 「【0008】本発明は上記問題に鑑みてなされたもので、その目的とする処は、環境に良好でビルドアップ基板を安価に得ることができるビルドアップ基板の製造方法を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため、本発明は、絶縁層上にブラインドホールが形成されたプリント基板の前記ブラインドホール内のクリーニングと絶縁層表面の粗面化をレーザの照射によって同時に行うことを特徴とする。」

ウ 「【0010】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を添付図面に基づいて説明する。
【0011】本発明に係るビルドアップ基板の製造工程は、従来の製造方法と図1(a)?(c)までは同じである。
【0012】デスミヤ処理方法図1(d)において、本発明方法では溶液を使用せず、図2に示す装置を用いて、レーザ発振器11から発振されたレーザ光をシリンドリカルレンズ12及びマスク13を通してミラー14で反射させ、投影レンズ15で集束させて被加工物であるプリント配線板17上に照射する。プリント配線板17は移動テーブル18上に置かれ、一定の速度で移動することにより、ブラインドビァホールの底面の残渣物6の除去と絶縁樹脂層3の表面の粗面化を行う。
【0013】KrFレーザを用いてラインビーム巾20cm×1mm、周波数200Hz、出力200mj/cm^(2)、移動速度3cm/秒で加工したところ、ブラインドビァホールの底面の残渣物6の完全除去と絶縁樹脂層3の表面の粗さがデスミヤ処理と同様な粗さ2μmを得ることができ、後工程の銅メッキも良好な密着性を得ることができた。」

4 引用文献4について
(1)引用文献4の記載事項
原査定において「周知技術を示す文献」として新たに引用された刊行物である特開2001-76569号公報(以下、「引用文献4」という。)には、「メンブレン回路の製造方法」(発明の名称)について、図1?図2とともに次の事項が記載されている。
ア 「【0011】また、本発明の第2のメンブレン回路の製造方法によれば、メンブレン回路の導電パターンが形成された絶縁フィルム上に面実装電子部品を実装し、この実装された面実装電子部品のリード電極と導電パターンとを導電性接着剤の塗布により接着固定後、レーザビームの照射によって導電性接着剤の外形形状を整えるようにしているので、導電性接着剤塗布で滲み等が発生しても、はみ出た部分を除去して導電性接着剤間の短絡を防止することができる。
【0012】上記第1及び第2のメンブレン回路の製造方法におけるレーザビームを照射する工程は、レーザビームが絶縁フィルムの一部を溝状に削り取る工程であるので、溶かされた絶縁フィルムの一部と導電性ペーストのバインダ成分とが融着し、絶縁フィルムと導電パターンとの密着性を向上させることができる。
【0013】更に、レーザで導電パターン又は導電性接着剤を溶断すると同時に絶縁フィルムの一部を溝状に削り取ることにより、隣接配線回路間にスリットを形成するようにすれば、耐マイグレーション性をより向上させることができる。」

イ 「【0017】図3は、レーザ照射のパワーを高めて絶縁フィルムの一部を溝状に削り取ったときの電極シートの断面の一部を拡大した図である。図3に示すように、絶縁フィルム1の上面には、下から順にAgペーストからなるAg回路16とCペーストからなるC回路17とが配置され、電極シート18を形成している。この電極シート18の一部には、C回路17より上側からレーザ光31が照射され、半スリット部19aができている。この半スリット部19aの底部の両側端部20は、レーザ光31によりAg回路16と絶縁フィルム1とが溶断されており、Ag回路16のバインダ成分と絶縁フィルム1の一部とが融着して密着性が向上している。また、レーザ光31により絶縁フィルム1の一部表面が擂鉢状に溶かされ削られているので、Ag回路16のAgイオンが動かなければならない物理的な距離は増え、2個の金属間に電圧が印加されているときに導電性がある通路に沿って一方から他方の金属に向かい金属イオンが移動するというマイグレーションが起こりにくくなり、耐マイグレーション性が向上する。更に、半スリット部19aの底部から絶縁フィルム1を貫通する方向に破線で示す部分にもレーザ光31でスリットを作成し全スリット部19bを形成すれば、完全なマイグレーション対策をすることができる。」

5 引用文献5について
(1)引用文献5の記載事項
原査定において「周知技術を示す文献」として新たに引用された刊行物である特開2000-138275号公報(以下、「引用文献5」という。)には、「半導体製造装置」(発明の名称)について、図1?図5とともに次の事項が記載されている。
ア 「【0013】請求項6に記載の半導体製造装置は、前記帯電体の表面に凹凸を形成したことを特徴としている。請求項6に記載の半導体製造装置によれば、表面に形成された凹凸により帯電体の表面積が増えることから塵埃の補集効率を向上させることができる。」

イ 「【0027】受渡室26Lに(スパッタリング処理前の)半導体基板12を送り出した後は、受渡室26Lとバッファチャンバ28との接合面に設けた開閉弁を閉じ、既に閉じられている受渡室26Lとトランスファチャンバ34との接合面に設けた開閉弁とで受渡室26Lにおける閉空間を形成する。そして閉空間を形成した後は、受渡室26Lの開閉弁付近に配置したポリフッ化エチレンシート42に直流電源46より印加させ、前記ポリフッ化エチレンシート42を帯電させる。このようにポリフッ化エチレンシート42を帯電させた後は、トランスファチャンバ34側の接合面に設けた開閉弁を開くようにする。ここで受渡室26Lに形成された閉空間の真空度は、バッファチャンバ28側と等しくなっていることから、バッファチャンバ28側より真空度の高いトランスファチャンバ34側の接合面に設けた開閉弁を開くことにより、両者の間には圧力差による気流が発生する。そしてこの気流により、半導体基板12の表面に存在する塵埃や、本製造装置10の内部に堆積していた塵埃が本製造装置10内で舞い上がるが、前述の通り開閉弁の周囲に配置されるポリフッ化エチレンシート42は直流電源46からの印加により帯電していることから、本製造装置10内で舞い上がった塵埃は、ポリフッ化エチレンシート42に吸着され集塵される。そしてこの最初の半導体基板12の投入以降連続してポリフッ化エチレンシート42を帯電させておけば、吸着した塵埃をポリフッ化エチレンシート42の表面で保持しておくことが可能となる。なおこの動作と同じくして第1および第2搬送ロボットアーム22、24上に設けたポリフッ化エチレンシート42にも電源46より印加し、当該ポリフッ化エチレンシート42を帯電させておけば、半導体基板12の周囲に浮遊する塵埃の除去が可能になるとともに、アームの稼働により当該アーム自体から発生する塵埃を除去することが可能になる。」

ウ 「【0030】なお本実施の形態で説明したポリフッ化エチレンシート42は、表面積を多くして塵埃の補集効率を高めたいことから、当該ポリフッ化エチレンシート42の表面に凹凸を形成するようにしてもよく、その製造方法は、平坦なポリフッ化エチレンの表面にガラスビーズや、粒径が数十ミクロンから数百ミクロン程度のアルミナまたはSiCを多数打ち付けるようにすればよい。また本実施の形態で説明したポリフッ化エチレンシート42は本製造装置10に対して着脱可能となるように着脱機構を有している。このため、塵埃を集塵したポリフッ化エチレンシート42の清掃を本製造装置10の外部で行うことができ、もって本製造装置10の内部に塵埃が広がるのを防止することができる。なお着脱機構はボルトとナット、あるいはクランプまたは接着テープ等を用いてもよい。さらに本実施の形態ではポリフッ化エチレンシートを用いたが、配置場所に応じてポリフッ化エチレン棒やその他の形態を用いてもよく、さらにはその帯電体の材質をポリフッ化エチレンに代えて熱に強いポリイミド系(ポリイミド樹脂)を用いるようにしてもよい。」

6 引用文献6について
(1)引用文献6の記載事項
原査定で引用され、原査定の根拠となった平成26年11月13日付けの拒絶理由通知に引用された刊行物である特表2006-519400号公報(以下、「引用文献6」という。)には、「クロマトフォーカシングと多重化キャピラリーゲル電気泳動とを用いる二次元タンパク質分離」(発明の名称)について、図1?図3とともに次の事項が記載されている。
ア 「【0013】
これらのMCGE用途のすべてに共通しているのは、化学種を同定する手段としてのキャピラリーチューブ中における化学種の移動度の測定である。従来の分離を行うために、キャピラリーチューブに緩衝溶液を充填し、サンプルをキャピラリーチューブの一端に充填し、キャピラリーチューブの両端を緩衝溶液中に浸漬し、そしてキャピラリーチューブを横切って大きな電位を印加する。サンプル成分は、キャピラリーチューブを通って移動するときに電気泳動により分離される。UV検出システムでは、キャピラリーチューブのセクションがUV光源で照射される。光ディテクターは、チューブを透過する光を検出する。UV吸収性サンプル成分がキャピラリーチューブの照射部分を通過するときに、光ディテクターは低透過光を検出する(吸光を示す)。このようにして、吸光度vs時間のプロットであるエレクトロフェログラムを作成することができる。」

イ 「【0029】
キャピラリーチューブ24は、Polymicro Technologies, Inc., Phoenix, AZをはじめとするいくつかの供給元により市販されている。キャピラリーチューブ24は、好ましくは、機械的に安定になるようにポリイミドのようなポリマーでコーティングされる。コーティングは、光源28により照射される領域では除去されていなければならない。エキシマーレーザーを用いて、ポリマーコーティングを除去することができる。」

7 引用文献7について
(1)引用文献7の記載事項
原査定で引用されなかったが、原査定の根拠となった平成26年11月13日付けの拒絶理由通知に引用された刊行物である特開2003-203886号公報(以下、「引用文献7」という。)には、「素子の分離方法及び素子の転写方法」(発明の名称)について、図1?図21とともに次の事項が記載されている。
ア 「【0017】以上のような本発明に係る素子の分離方法では、素子形成基板の素子分離溝が形成された側と反対側の主面を上記素子分離溝の底部に所定の厚みの連結部を残した状態に研削し、その後、連結部を除去して素子を分離する。したがって、連結部の存在により、素子分離のプロセスにおいて素子形成基板の主面方向の応力に起因する不具合の発生が防止される。」

イ 「【0042】また、上記においては、接着・剥離層が剥離層3と接着層4との2層からなる場合について説明したが、本発明においては接着・剥離層は、剥離層3と接着層4との2層からなるものに限定されず、接着・剥離層は例えば接着剤層単層からなるものであってもよい。すなわち、図7に示すようにシリコン基板1上に接着・剥離層として接着剤層10が形成され、当該接着材層10によりシリコン基板1が石英基板5に接着された構成とされても良い。このような構成の場合には、接着・剥離層である接着材層10にレーザー光を照射すると接着材層10がレーザー光を吸収してアブレーションを起こすことにより剥離可能となるものである。したがって、接着剤としては、レーザー光を照射することによりアブレーションを起こしやすい材料を用いる。このような接着剤としては、例えばエポキシ系の接着剤を用いることができる。」

8 引用文献8について
(1)引用文献8の記載事項
原査定で引用されなかったが、原査定の根拠となった平成26年11月13日付けの拒絶理由通知に引用された刊行物である特開2004-193237号公報(以下、「引用文献8」という。)には、「粘着シートを具備するウェハー保持部材,及び粘着シートの剥離方法」(発明の名称)について、図1?図9とともに次の事項が記載されている。
ア 「【0002】
【従来の技術】
近年においては,半導体ウェハを複数の半導体チップに分割する方法として,先ダイシング方法が知られている。この先ダイシング方法は,半導体ウェハを表面(回路形成面)側からハーフカットした後に,裏面研削を行って個々の半導体チップに分割する方法であり,従来における半導体ウェハの裏面研削後にウェハを切断する方法とは,逆の順番で行われる。
【0003】
この先ダイシング方法では,半導体ウェハの裏面研削工程において,半導体ウェハの表面(回路形成面)側に第1の粘着シート(例えば,グラインダ用粘着シート)を貼付けて裏面研削を行うので,分割された半導体チップの表面側には第1の粘着シートが貼り付いた状態となっている。このような状態で,半導体チップをピックアップすると,半導体チップの裏面が上向きの状態で搬送されることになるので,次工程のダイボンディング工程で種々の問題が生じてしまうことになる。
……(中略)……
【0006】
かかる問題を解決するため,本発明者らは,通常状態では徴粘着性を有し,かつ真空吸引すると吸着力が増大するという特性を有するエラストマー樹脂シート(例えばシリコーンシート)を第2の粘着シートとして採用することを提案している(特願2002-020949参照)。即ち,真空吸引により吸着力が増大する性質を利用して半導体チップの粘着シートを好適に貼り替えることができ,及びエラストマー樹脂シート(例えばシリコーンシート)の微粘着性を利用して半導体チップを容易にピックアップすることができる。
【0007】
上記シリコーンシートは,通常,円形又は方形のリングフレーム(ウェハーリング)に貼り付けられて,ウェハー保持部材として使用される。このシリコーンシートは,上記のように通常状態では粘着性が弱いので,接着剤又は両面テープを使用してリングフレームに貼り付けられている。なお,シリコーンシートに接着剤を均一に塗布するのは困難であるため,取り扱いが容易な両面テープを使用する場合が多い。
【0008】
また,上記シリコーンシートは繰り返して使用されるので,例えばシリコーンシートの消耗や破損等が生じた場合に初めて,新品のシリコーンシートと交換される。このとき,消耗したシリコーンシートをリングフレームから剥離すると,リングフレームの表面に両面テープの接着剤(糊)が残存するので,かかる接着剤を洗浄除去してから,新品のシリコーンシートがリングフレームに貼り付けられる。」

イ 「【0022】
(第1の実施の形態)
まず,図1に基づいて,第1の実施の形態にかかる粘着シートを具備するウェハー保持部材の構成について説明する。なお,図1は,第1の実施の形態にかかる粘着シートを具備するウェハー保持部材の構成を示す断面図である。
【0023】
本実施形態にかかる粘着シートを具備するウェハー保持部材100は,図1に示すように,リングフレーム160と,エラストマー樹脂からなる(第2の)粘着シート120と,リングフレーム160と第2の粘着シート120とを貼り合わせる両面テープ140と,から構成される。なお,本実施形態にかかる両面テープ140の少なくとも一面には,従来と異なり,所定のエネルギーが付与されると粘着力が低下する性質を有する接着剤が使用されている。以下では,例えば,紫外線硬化型接着剤146,紫外線発泡型接着剤146’,熱発泡型接着剤146”を採用した例を挙げて説明する。」

ウ 「【0034】
本実施形態にかかる接着剤層においては,少なくとも第2の接着剤層146,146’,146”は,所定のエネルギーが付与されると粘着力が低下する性質を有する接着剤により形成されている。このような所定のエネルギーが付与されると粘着力が低下する性質を有する接着剤として,様々な種類の接着剤が挙げられるが,以下では,例えば,紫外線硬化型接着剤,紫外線発泡型接着剤,熱発泡型接着剤を採用した例を挙げて説明する。
【0035】
(1)紫外線硬化型の接着剤
紫外線硬化型の接着剤146は,例えばアルキル(メタ)アクリレートを主成分とした組成物に光重合開始剤を加えたものであり,紫外線を照射すると硬化して粘着力が低下する性質を有する。かかる紫外線硬化型の接着剤を両面テープの接着剤層に使用すれば,紫外線を照射するだけでリングフレームとの粘着力を低下させることができる。したがって,リングフレームに接着剤を残存させずに,粘着シートを剥離できるので,有機溶剤を使用した接着剤の洗浄除去工程を省略することができる。この結果,安全衛生上の問題がなくなると共に,リングフレームの長寿命化を図ることができる。
【0036】
(2)紫外線発泡型の接着剤
紫外線発泡型の接着剤146’に紫外線を照射すると,接着剤に含有される発泡剤が分解して気体が発生し,半導体チップと接着剤層との界面に気泡による凹凸が生じる。このため,半導体チップと接着剤層との接合面積が減少するので,接着剤層の粘着力が低下する。
【0037】
(3)熱発泡型の接着剤
熱発泡型の接着剤146”を加熱すると,接着剤に含有する発泡剤が熱分解して気体を発生し,半導体チップと接着剤層との界面に気泡による凹凸が生じる。このため,半導体チップと接着剤層との接合面積が減少するので,接着剤層の粘着力が低下する。かかる熱発泡型接着剤として,例えば粘着性のある合成樹脂や合成ゴムから,1種類或いは2種類以上混合して用いることができる。さらに,粘着付与剤として,ロジン,ロジン誘導体,石油系樹脂等を添加して用いることができる。また,粘着層に含有される発泡剤は,長期間の常温使用で発泡しない特性と,加熱により分解して発泡する特性とが必要である。また,発泡剤の種類としては,無機発泡剤,有機発泡剤,高分子発泡剤等が用いることができる。」

エ 「【0057】
本実施形態においては,両面テープの接着剤層に所定のエネルギーを付与するだけで粘着力が低下するので,接着剤を残留させることなく,粘着シートをリングフレームから剥離することができる。したがって,リングフレームを有機溶剤で洗浄する必要がなく作業者の安全衛生が向上する。さらに,機械的研磨作業がないのでリングフレームの消耗も低減され,リングフレームの長寿命化を図ることができる。」


第6 対比・判断
1 本願発明1について
(1)対比
本願発明1と引用発明とを対比する。
ア 引用発明は「静電チャック装置の洗浄方法」であるが、詳細には、「前記絶縁性フィルム38および前記第2接着剤層36」からなる「積層シート35」を、「前記半導体ウエハの処理により前記絶縁性フィルム38が損耗した場合」に「前記セラミック絶縁板32及び前記電極層34から剥がして新たな積層シート35を張」り、その際に、「前記セラミック絶縁板32及び前記電極層3」の上に残留した「前記第2接着剤層36」を「洗浄等により完全に除去する」方法であると認められる。
そして、「前記セラミック絶縁板32及び前記電極層3」は、引用発明の「半導体ウエハを加工機の所定部位に固定するために使用される静電チャック装置」を構成する部品の一つであるから、本願発明1の「基板処理構成部品」に相当する。
そうすると、引用発明の「前記半導体ウエハを加工機の所定部位に固定するために使用される静電チャック装置の洗浄方法」は、以下の相違点を除き、本願発明1の「基板処理構成部品の表面から接着剤残留物をアブレーションする(ablating)方法」に相当する。

イ 引用発明の「前記セラミック絶縁板32及び前記電極層34」から「前記第2接着剤層36」を「完全に除去する」ための具体的方法は、「洗浄等」である。
これに対して、本願発明1の「アブレーション」すなわち洗浄の具体的方法は、「レーザビームを走査させ」て行う「前記接着剤残留物」の「アブレーション」である。
ここで、本願発明1は、「レーザビームを走査させ」て「前記表面」の「テクスチャ加工」も行っている。この、本願発明1が「レーザビームを走査させ」て行う、「前記接着剤残留物」の「アブレーション」と、「前記表面」の「テクスチャ加工」について、本願明細書には、段落【0044】に「残留接着剤のレーザアブレーションの後、構成部品をレーザビーム410によってさらにアブレーションして表面に特徴部をスクライブすることで、レーザテクスチャ加工表面をもたらすこともできる。」と、段落【0045】に「レーザテクスチャ加工表面724にしっかりと付着していることによって……残留物361の付着の改善により、より長い期間連続してチャンバを使用することが可能となり、その後、構成部品720からはがれ落ちるまたは剥離することがある残留物361を除去するために構成部品720を洗浄することが必要となる。」と記載されている。
したがって、本願明細書には、「レーザビームを走査させ」て行う「前記接着剤残留物」の「アブレーション」と、「レーザビームを走査させ」て行う「前記表面」の「テクスチャ加工」は、異なるタイミングで独立して行うことしか記載されていない。
そうすると、本願発明1の「前記接着剤残留物をアブレーションするために十分に高いエネルギ密度で、前記基板処理構成部品の前記表面にわたってレーザビームを走査させると共に、前記表面をテクスチャ加工して(i)複数の周期的に離間された溝、及び、(ii)複数の周期的に離間されたノブの少なくとも一方を前記表面に形成するために前記表面の一部にわたってレーザビームを走査させるステップ」という構成は、「前記接着剤残留物をアブレーションするために十分に高いエネルギ密度で、前記基板処理構成部品の前記表面にわたってレーザビームを走査させる」ことと、「前記表面をテクスチャ加工して(i)複数の周期的に離間された溝、及び、(ii)複数の周期的に離間されたノブの少なくとも一方を前記表面に形成するために前記表面の一部にわたってレーザビームを走査させる」ことと、分けて検討するべきであると認められる。

ウ 以上から、本願発明1と引用発明との間には、次の一致点、相違点があるといえる。

(一致点)
「基板処理構成部品の表面から接着剤残留物をアブレーションする(ablating)方法」

(相違点)
本願発明1は「(a)前記接着剤残留物をアブレーションするために十分に高いエネルギ密度で、前記基板処理構成部品の前記表面にわたってレーザビームを走査させる」のに対し、引用発明は「使用した積層シート35を剥がして新たな積層シート35を張る際」に残留した「前記第2接着剤層36」を「前記セラミック絶縁板32及び前記電極層34から洗浄等により完全に除去する」点。
(相違点2)本願発明1は「前記表面をテクスチャ加工して(i)複数の周期的に離間された溝、及び、(ii)複数の周期的に離間されたノブの少なくとも一方を前記表面に形成するために前記表面の一部にわたってレーザビームを走査させる」のに対し、引用発明はそのような構成を備えていない点。

(2)相違点についての判断
ア 事案に鑑みて、相違点2について検討する。
引用文献1には、「静電チャック装置の洗浄」については、第5の1(1)イで摘記したように、段落【0045】の「第2接着剤層36が薄いために、積層シート35を剥がして新たな積層シート35を張る際に、セラミック絶縁板32および電極層34から接着剤を洗浄等により完全に除去することが容易である」ことしか記載されていない。
一方、前記セラミック絶縁板32または前記電極層34の加工について、引用文献1には、第5の1(1)ウで摘記したように、段落【0046】に「セラミック絶縁板32の一面を研削加工し、電極層34のパターンをなす一定深さの凹部を形成する」こと、「予め打ち抜き加工等により形成した板状の電極層34を凹部にはめ込んで接着」すること、「電極層34を形成した面を研磨加工等により平滑にする」こと、「セラミック絶縁板32を製造する時点で、焼成前のセラミック絶縁板に所定のパターン形状を有する凹部を形成」することが記載されているが、当該加工は「研削加工」、「打ち抜き加工」及び「研磨加工」という機械的な加工方法であり、「前記セラミック絶縁板32及び前記電極層34」をレーザビームの走査により加工することは、引用文献1には記載も示唆もされていない。

イ 一方、原査定においては、「構成部品の表面上の不必要な物質をレーザにより除去すると共にレーザービームを走査して溝などテクスチャを形成することは周知技術である」ことを示すために「周知技術を示す文献」として、引用文献3と引用文献4が引用されている。
しかし、前記テクスチャを形成するためのレーザービームの走査対象は、引用文献3にあっては第5の3(1)ウで摘記したように「プリント配線板17」であり、引用文献4にあっては第5の4(1)アで摘記したように「メンブレン回路の導電パターンが形成された絶縁フィルム」である。
したがって、引用文献3及び引用文献4に記載されたレーザビームの走査対象は、回路基板であって、当該回路基板を処理する基板処理装置の構成部品ではない。

ウ そうすると、基板処理装置である「静電チャック装置」の「洗浄方法」ないしは「静電チャック装置」の構成部品の機械的な加工に係る引用文献1に記載の技術と、レーザビームの走査による回路基板の加工に係る引用文献3及び引用文献4に記載の技術とは、対象部品の技術分野が異なる。
そして、引用文献1には、「前記セラミック絶縁板32及び前記電極層34」をレーザビームの走査により加工することは記載も示唆もされていないから、「前記セラミック絶縁板32及び前記電極層34」の加工を、機械的な加工に代えてレーザビームの走査により行うことの動機付けとなる記載はない。
したがって、対象部品の技術分野が異なる引用文献3及び引用文献4に記載された「レーザービームを走査して溝などテクスチャを形成する」という工程を、引用発明にさらに追加することを、動機付けなく当業者が想起したとは認められない。

エ そして、「基板処理構成部品の表面」の「一部にわたってレーザビームを走査させる」ことで「前記表面をテクスチャ加工して(i)複数の周期的に離間された溝、及び、(ii)複数の周期的に離間されたノブの少なくとも一方を前記表面に形成する」ことは、引用文献2、及び、引用文献5ないし引用文献8にも記載されていない。

オ これに対して、本願発明1は、相違点2に係る構成を備えることで、審判請求書の3(3)で審判請求人が主張するように、「構成部品720のレーザテクスチャ加工表面724は、構成部品表面上に堆積するプロセス残留物を通常もたらす基板処理チャンバ306内のガスまたはプラズマにさらされる、構成部品720の表面でもよい。レーザテクスチャ加工表面724は、処理チャンバ306の内部環境に表面特徴部を提示する。処理チャンバ306上には、残留物361が集まり付着し、複数回の基板処理サイクルにおいてテクスチャ加工表面に相当量の残留物361が堆積された後でさえも依然としてしっかりと固着したままでも可能である。レーザテクスチャ加工表面724にしっかりと付着していることによって、残留物361が構成部品720からはがれ落ち、チャンバ306内で処理されている基板304を汚染することを実質的に防ぐ。」という、本願明細書の段落【0045】に記載された格別の効果を奏するものである。

カ ところで、第5の5(1)ア?ウで摘記したように、半導体製造装置の構成部品の表面に凹凸を形成して前記構成部品の表面積を増やすことで塵埃の補集効率を向上させることは、公知の技術である。
しかしながら、引用発明の「前記セラミック絶縁板32及び前記電極層34」は、「前記絶縁性フィルム38および前記第2接着剤層36」からなる「積層シート35」で被覆された状態で「前記絶縁性フィルム38が損耗」するまで「半導体ウエハを加工する工程」で使用されるものである。
したがって、仮に「前記セラミック絶縁板32及び前記電極層34」の表面を「テクスチャ加工」したとしても、「半導体ウエハを加工する工程」の処理残留物が当該「テクスチャ加工」表面に付着して処理対象物を汚染から防ぐという前記本願明細書の段落【0045】に記載された効果を、引用発明が奏することはない。

キ 以上から、相違点1について検討するまでもなく、本願発明1は、引用文献2ないし引用文献8に記載された技術を参照したとしても、引用発明に基づいて当業者が容易に発明できたものであるとはいえない。

2 本願発明2ないし本願発明4について
本願発明2ないし本願発明4は、本願発明1の記載を引用する発明であり、本願発明1をさらに限定した発明である。
したがって、本願発明1と同じ理由により、本願発明2ないし本願発明4は、引用文献2ないし引用文献8に記載された技術を参照したとしても、引用発明に基づいて当業者が容易に発明できたものであるとはいえない。


第7 原査定についての判断
平成29年9月26日に提出された手続補正書により補正された請求項1は、相違点2に係る構成を備えており、上記のとおり、本願発明1ないし4は、原査定ないし平成26年11月13日付けの拒絶理由通知で引用された引用文献2ないし引用文献8に記載された技術を参照したとしても、引用発明に基づいて当業者が容易に発明できたものであるとすることはできない。
したがって、もはや原査定を維持することはできない。


第8 当審拒絶理由について
1 理由1(1)について
平成29年9月26日に提出された手続補正書によって、本願の請求項2における、補正前の「前記ポリマーコーティングおよびアクリルコーティングをアブレーションする工程」という記載が、「前記ポリマーコーティングをアブレーションする工程」という記載に補正された。
この補正された本願の請求項2の記載は、本願明細書の記載と整合するものである。
よって、平成29年3月24日付け当審拒絶理由の理由1(1)は解消した。

2 理由1(2)について
平成29年9月26日付けに提出された手続補正書によって、本願の請求項4における、補正前の「(i)前記ビームが、約9.6×10^(6)W/cm^(2)?約8.6×10^(7)W/cm^(2)のワット数を提供すること」及び「(v)前記ビームが、約100ワット?約5000ワットの出力領域を有すること」という記載が、「(i)前記ビームが、100ワット?5000ワットの範囲にある出力レベルを有するとともに、9.6×10^(6)W/cm^(2)?8.6×10^(7)W/cm^(2)の出力密度を提供すること」という記載に補正された。
この補正された本願の請求項4の記載は、本願明細書の記載と整合するものである。
よって、平成29年3月24日付け当審拒絶理由の理由1(2)は解消した。

3 理由2(1)について
平成29年9月26日付けに提出された手続補正書によって、本願の請求項2における、補正前の「前記基板処理構成部品がアクリル残留物より下にポリマーコーティングを備え、前記ステップ(a)が、前記接着剤残留物をアブレーションする工程に加えて、前記ポリマーコーティングおよびアクリルコーティングをアブレーションする工程を備える」という記載が、「前記基板処理構成部品がアクリル接着剤からなる前記接着剤残留物より下にポリマーコーティングを備え、前記ステップ(a)が、前記接着剤残留物をアブレーションする工程に加えて、前記ポリマーコーティングをアブレーションする工程を備える」という記載に補正された。
この補正された本願の請求項2の記載は明確である。
よって、平成29年3月24日付け当審拒絶理由の理由2(1)は解消した。

4 理由2(2)について
平成29年9月26日付けに提出された手続補正書によって、本願の請求項4における、補正前の「前記ビームが、約9.6×10^(6)W/cm^(2)?約8.6×10^(7)W/cm^(2)のワット数を提供する」という記載が、「前記ビームが、100ワット?5000ワットの範囲にある出力レベルを有する」という記載に補正された。
この補正された本願の請求項4の記載は明確である。
よって、平成29年3月24日付け当審拒絶理由の理由2(2)は解消した。

5 小括
以上から、当審拒絶理由によっては、もはや本願を拒絶することはできない。


第9 むすび
以上のとおり、本願発明1-4は、当業者が引用発明及び引用文献2ないし引用文献8に記載された技術的事項に基づいて容易に発明をすることができたものではない。
したがって、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。

よって、結論のとおり審決する。
 
審決日 2017-10-31 
出願番号 特願2013-255612(P2013-255612)
審決分類 P 1 8・ 537- WY (H01L)
P 1 8・ 121- WY (H01L)
最終処分 成立  
前審関与審査官 内田 正和  
特許庁審判長 鈴木 匡明
特許庁審判官 須藤 竜也
加藤 浩一
発明の名称 基板処理構成部品からの残留物の除去  
代理人 大塚 文昭  
代理人 西島 孝喜  
代理人 田中 伸一郎  
代理人 上杉 浩  
代理人 鈴木 信彦  
代理人 近藤 直樹  
代理人 須田 洋之  
代理人 弟子丸 健  
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