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審決分類 審判 査定不服 1項3号刊行物記載 取り消して特許、登録(定型) C30B
審判 査定不服 特36条6項1、2号及び3号 請求の範囲の記載不備 取り消して特許、登録(定型) C30B
審判 査定不服 2項進歩性 取り消して特許、登録(定型) C30B
管理番号 1335881
審判番号 不服2015-13870  
総通号数 218 
発行国 日本国特許庁(JP) 
公報種別 特許審決公報 
発行日 2018-02-23 
種別 拒絶査定不服の審決 
審判請求日 2015-07-23 
確定日 2018-01-16 
事件の表示 特願2011- 33451「窒化物半導体層の成長方法、及びそれにより形成される窒化物半導体基板」拒絶査定不服審判事件〔平成23年 9月 1日出願公開、特開2011-168481、請求項の数(4)〕について、次のとおり審決する。 
結論 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 
理由 本願は、平成23年 2月18日(パリ条約による優先権主張 2010年 2月19日 (KR)大韓民国 2010年 8月24日 (KR)大韓民国)の出願であって、その請求項1?4に係る発明は、平成29年10月27日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項1?4に記載された事項により特定されるとおりのものであると認める。
そして、本願については、原査定の拒絶理由及び当審の拒絶理由を検討してもその理由によって拒絶すべきものとすることはできない。
また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
よって、結論のとおり審決する。
 
審決日 2017-12-18 
出願番号 特願2011-33451(P2011-33451)
審決分類 P 1 8・ 113- WYF (C30B)
P 1 8・ 121- WYF (C30B)
P 1 8・ 537- WYF (C30B)
最終処分 成立  
前審関与審査官 塩谷 領大萩原 周治  
特許庁審判長 新居田 知生
特許庁審判官 宮澤 尚之
後藤 政博
発明の名称 窒化物半導体層の成長方法、及びそれにより形成される窒化物半導体基板  
代理人 伊東 忠重  
代理人 伊東 忠彦  
代理人 大貫 進介  

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