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審決分類 審判 訂正 ただし書き2号誤記又は誤訳の訂正 訂正する H01L
管理番号 1346218
審判番号 訂正2018-390110  
総通号数 229 
発行国 日本国特許庁(JP) 
公報種別 特許審決公報 
発行日 2019-01-25 
種別 訂正の審決 
審判請求日 2018-07-31 
確定日 2018-10-22 
訂正明細書 有 
事件の表示 特許第6334655号に関する訂正審判事件について,次のとおり審決する。 
結論 特許第6334655号の特許請求の範囲を本件審判請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり訂正することを認める。 
理由 第1 手続の経緯
本件訂正審判に係る特許第6334655号(以下「本件特許」という。)は,平成28年(2016年)11月22日(パリ条約による優先権主張 2015年11月24日,台湾)を出願日とする特願2016-226847号の請求項1ないし14に係る発明について,平成30年5月11日に特許権の設定登録がされ,同年7月31日に本件訂正審判の請求がされたものである。

第2 請求の趣旨
本件訂正審判の請求の趣旨は,「特許第6334655号の特許請求の範囲を本件審判請求書に添付した特許請求の範囲のとおり訂正することを認める,との審決を求める。」というものである。

第3 訂正事項
特許請求の範囲の請求項1に,「基板と,」と記載されているのを,「平板状の基板と,」に訂正し,「平板状である前記基板」と記載されているのを,「前記平板状の基板」に訂正する(請求項1の記載を引用する請求項2ないし14についても同様に訂正する。)。

第4 当審の判断
1 訂正の目的について
訂正前の請求項1は,「基板と,・・・を有するパワー半導体デバイスであって,・・・平板状である前記基板と平行する上,・・・ことを特徴とするパワー半導体デバイス。」と記載されているところ,初出の「基板」は,その形状について何ら特定されていない。
一方,訂正前の請求項1の後段では,「平板状である前記基板」と記載されており,「基板」の形状が「平板状」であることを前提としていると解され,形状が特定されていない初出の「基板」と矛盾が生じているといえるから,訂正前の請求項1に誤りがあることは明らかである。
これに対し,訂正事項に係る訂正後の請求項1は,その冒頭において,「平板状の基板と,」と記載することにより,「基板」の形状について,「平板状」であることを特定し,訂正後の請求項1の後段において,「前記平板状の基板」と記載しているから,訂正事項に係る訂正は,上記矛盾を解消するものであるといえる。
そして,当該訂正事項に係る訂正の前後において,「基板」の形状は,いずれも「平板状の基板」であって,訂正前の記載と訂正後の記載は,同一の意味を表示するものである。
そうすると,訂正事項に係る訂正は,訂正前の請求項1に存在していた誤記を本来の意に正す訂正であると認められる。
したがって,訂正事項に係る訂正は,特許法第126条第1項ただし書き第2号の「誤記又は誤訳の訂正」を目的としたものに該当する。

2 新規事項について
訂正事項に係る訂正は,前記1のとおり,特許請求の範囲の明らかな誤記を本来の意に正す訂正であるから,願書に最初に添付した明細書,特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものであるといえる。
したがって,訂正事項に係る訂正は,特許法第126条第5項の規定に適合する。

3 特許請求の範囲の拡張・変更について
訂正事項に係る訂正は,前記1のとおり,特許請求の範囲の明らかな誤記を本来の意に正す訂正であるから,訂正の前後で特許請求の範囲に記載された発明の拡張又は変更はなく,実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではない。
したがって,訂正事項に係る訂正は,特許法第126条第6項の規定に適合する。

4 独立特許要件について
訂正事項に係る訂正は,前記1のとおり,特許請求の範囲の明らかな誤記を本来の意に正す訂正であって,訂正事項による訂正後の特許請求の範囲の請求項1ないし14に係る発明は,拒絶すべき理由を有しないとして特許された訂正前の特許発明と同一であるから,特許出願の際独立して特許を受けることができるものであることは明らかである。
したがって,訂正事項に係る訂正は,特許法第126条第7項の規定に適合する。

第5 むすび
以上のとおりであるから,本件訂正審判に係る訂正は,特許法第126条第1項ただし書き第2号に掲げる事項を目的とするものであって,かつ,同条第5項ないし第7項の規定に適合する。
よって,結論のとおり審決する。
 
発明の名称 (57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
平板状の基板と、能動部と終端部と絶縁部とを有して前記基板の一側に形成されている本体と、前記本体の前記基板に対する反対側に設置されている第1の電極と、前記基板の一側の反対側に設置されている第2の電極と、を有するパワー半導体デバイスであって、
前記終端部は、第1の導電型半導体領域と、前記第1の導電型半導体領域と共に接合部を形成する第2の導電型半導体領域と、前記本体の前記反対側にある終端部頂面と、を有し、前記能動部において前記第1の電極及び前記基板の間にある周面を囲むように形成されており、
前記絶縁部は、前記終端部頂面に設置されており、
前記第1の導電型半導体領域は、第1の導電型半導体のドーピング濃度が前記終端部頂面から前記基板へ徐々に減少するように形成されており、
前記第1の電極は、一部分が前記絶縁部に設置され、他の部分が前記能動部と電気的に接続するように設置されており、
前記平板状の基板と平行する上、前記能動部から前記終端部の外周面へと張り出す方向を第1の方向とし、
前記第2の導電型半導体領域は、第2の導電型半導体のドーピング濃度が前記第1の方向に沿って、徐々に増えるように形成されている、ことを特徴とするパワー半導体デバイス。
【請求項2】
前記能動部は、互いに並列されている複数のトランジスタを有し、
前記第1の電極は、前記他の部分が前記能動部の前記複数のトランジスタと電気的に接続するように設置されていることを特徴とする請求項1に記載のパワー半導体デバイス。
【請求項3】
前記能動部は、互いに並列されている複数の整流器を有し、
前記第1の電極は、前記他の部分が前記能動部の前記複数の整流器と電気的に接続するように設置されていることを特徴とする請求項1に記載のパワー半導体デバイス。
【請求項4】
前記第1の導電型半導体領域は、前記終端部頂面から前記基板へ延伸して形成されており、
前記第2の導電型半導体領域は、前記第1の導電型半導体領域を囲むように、前記基板から前記終端部頂面まで延伸して形成されていることを特徴とする請求項1?3のいずれか一項に記載のパワー半導体デバイス。
【請求項5】
前記第1の導電型半導体領域は、前記能動部及び前記終端部頂面に近い所から、第1の導電型半導体のドーピング濃度が徐々に減少するように、前記終端部における外周面及び前記基板へ延伸して形成されていることを特徴とする請求項1?4のいずれか一項に記載のパワー半導体デバイス。
【請求項6】
前記第1の方向と直交する上、前記終端部頂面から前記基板へと張り出す方向を第2の方向とし、
前記第1の導電型半導体領域は、第1の導電型半導体のドーピング濃度が前記第1の方向に沿って、徐々に減少するように形成されていることを特徴とする請求項1?4のいずれか一項に記載のパワー半導体デバイス。
【請求項7】
前記第1の方向と直交する上、前記終端部頂面から前記基板へと張り出す方向を第2の方向とし、
前記第1の導電型半導体領域は、第1の導電型半導体のドーピング濃度が前記第2の方向に沿って、徐々に減少するように形成されていることを特徴とする請求項1?4のいずれか一項に記載のパワー半導体デバイス。
【請求項8】
前記第1の導電型半導体領域は、前記第1の方向に沿って並んでいる複数の半導体層を有し、
相隣する2つの前記半導体層のドーピング濃度の差は、50%以下になるように形成されていることを特徴とする請求項6または7に記載のパワー半導体デバイス。
【請求項9】
前記第1の導電型半導体領域は、前記第2の方向に沿って並んでいる複数の半導体層を有し、
相隣する2つの前記半導体層のドーピング濃度の差は、50%以下になるように形成されていることを特徴とする請求項6または7に記載のパワー半導体デバイス。
【請求項10】
前記第1の導電型半導体領域は、前記第1の方向と前記第2の方向とに沿って並んでいる複数の半導体層を有し、
前記第1の方向に沿って並んでいる前記複数の半導体層は、互いに連接されていることを特徴とする請求項6または7に記載のパワー半導体デバイス。
【請求項11】
前記第1の方向と直交する上、前記終端部頂面から前記基板へと張り出す方向を第2の方向とし、
前記第2の導電型半導体領域は、第2の導電型半導体のドーピング濃度が前記第2の方向に沿って、徐々に増えるように形成されていることを特徴とする請求項1?5のいずれか一項に記載のパワー半導体デバイス。
【請求項12】
前記終端部は、前記絶縁部に配置されているガードリング電極を有するガードリング部を更に有することを特徴とする請求項1に記載のパワー半導体デバイス。
【請求項13】
前記ガードリング部は、前記第1の導電型半導体領域の頂面に、3価の原子を含有するp型半導体により形成されているガードリング半導体部を更に有し、
前記ガードリング電極は、前記絶縁部を通過して、前記ガードリング半導体部に接続されていることを特徴とする請求項12に記載のパワー半導体デバイス。
【請求項14】
前記終端部は、前記絶縁部に配置され、3価の原子を含有するp型半導体により、前記第1の導電型半導体領域の頂面と前記終端部の前記能動部に近い部分とに形成されているガードリング半導体部を有するガードリング部を更に有することを特徴とする請求項1に記載のパワー半導体デバイス。
 
訂正の要旨 審決(決定)の【理由】欄参照。
審理終結日 2018-09-26 
結審通知日 2018-10-01 
審決日 2018-10-12 
出願番号 特願2016-226847(P2016-226847)
審決分類 P 1 41・ 852- Y (H01L)
最終処分 成立  
前審関与審査官 恩田 和彦  
特許庁審判長 飯田 清司
特許庁審判官 梶尾 誠哉
小田 浩
登録日 2018-05-11 
登録番号 特許第6334655号(P6334655)
発明の名称 パワー半導体デバイス  
代理人 南山 知広  
代理人 青木 篤  
代理人 酒井 祐市  
代理人 伊坪 公一  
代理人 南山 知広  
代理人 三橋 真二  
代理人 伊坪 公一  
代理人 三橋 真二  
代理人 酒井 祐市  
代理人 青木 篤  
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