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| 審決分類 |
審判 全部申し立て ただし書き1号特許請求の範囲の減縮 C01B 審判 全部申し立て 特36条4項詳細な説明の記載不備 C01B 審判 全部申し立て 特36条6項1、2号及び3号 請求の範囲の記載不備 C01B |
|---|---|
| 管理番号 | 1354907 |
| 異議申立番号 | 異議2017-700709 |
| 総通号数 | 238 |
| 発行国 | 日本国特許庁(JP) |
| 公報種別 | 特許決定公報 |
| 発行日 | 2019-10-25 |
| 種別 | 異議の決定 |
| 異議申立日 | 2017-07-24 |
| 確定日 | 2019-04-09 |
| 異議申立件数 | 2 |
| 訂正明細書 | 有 |
| 事件の表示 | 特許第6067758号発明「多結晶シリコン」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。 |
| 結論 | 特許第6067758号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔1?11〕について訂正することを認める。 特許第6067758号の請求項1、3?10に係る特許を取り消す。 特許第6067758号の請求項2、11に係る特許についての特許異議の申立てを却下する。 |
| 理由 |
特許第6067758号の特許請求の範囲について平成30年4月23日付けでなされた訂正請求による訂正は、特許法第120条の5第2項第1号ただし書に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第4項、及び、同条第9項において準用する同法第126条第5項、第6項の規定に適合するので、訂正後の請求項〔1?11〕について訂正を認める。 特許第6067758号の請求項1、3?10に係る発明は、平成30年4月23日付けでなされた訂正後の特許請求の範囲の請求項1、3?10に記載された事項により特定されるものである。 これに対して、平成30年8月1日付けで取消理由を通知し、期間を指定して意見書を提出する機会を与えたが、特許権者は応答しなかった。 そして、上記の取消理由は妥当なものと認められるので、本件請求項1、3?10に係る特許は、この取消理由によって取り消すべきものである。 また、請求項2、11については、訂正により削除されたから、異議申立ての対象となる請求項が存在しない。 よって、結論のとおり決定する。 |
| 別掲 |
|
| 発明の名称 |
(57)【特許請求の範囲】 【請求項1】 ドーパント濃度が、 ホウ素2.8?10ｐｐｔa、 リン13?20ｐｐｔa、 ヒ素3?10ｐｐｔa、および アルミニウム0.01?0.2ｐｐｔaであり、 Fe、Cｕ、Ni、Cｒ、ZnおよびNaのバルク濃度が、合計で1400ｐｐｔｗ未満であり、該バルク濃度が、 Fe44?100ｐｐｔｗ、 Cｕ41?250ｐｐｔｗ、 Ni7.5?20ｐｐｔｗ、 Cｒ0.89?10ｐｐｔｗ、 Zn3.4?20ｐｐｔｗ、および Na729?1000ｐｐｔｗであり、 電荷キャリア寿命が少なくとも2000最大4056μｓである、多結晶シリコン。 【請求項2】 (削除) 【請求項3】 ホウ素濃度が2.8?5ｐｐｔaである、請求項1に記載の多結晶シリコン。 【請求項4】 ヒ素濃度が3?5ｐｐｔaである、請求項1または3に記載の多結晶シリコン。 【請求項5】 Fe、Cｕ、Ni、Cｒ、ZnおよびNaのバルク濃度が、合計で825.79?850ｐｐｔｗである、請求項1、3および4のいずれか一項に記載の多結晶シリコン。 【請求項6】 Feのバルク濃度が44?60ｐｐｔｗである、請求項1および3?5のいずれか一項に記載の多結晶シリコン。 【請求項7】 Cｕのバルク濃度が41?100ｐｐｔｗである、請求項1および3?6のいずれか一項に記載の多結晶シリコン。 【請求項8】 Niのバルク濃度が7.5?10ｐｐｔｗである、請求項1および3?7のいずれか一項に記載の多結晶シリコン。 【請求項9】 Cｒのバルク濃度が0.89?2ｐｐｔｗである、請求項1および3?8のいずれか一項に記載の多結晶シリコン。 【請求項10】 Znのバルク濃度が3.4?4ｐｐｔｗである、請求項1および3?9のいずれか一項に記載の多結晶シリコン。 【請求項11】 (削除) |
| 訂正の要旨 |
審決(決定)の【理由】欄参照。 |
| 異議決定日 | 2018-11-29 |
| 出願番号 | 特願2015-3528(P2015-3528) |
| 審決分類 |
P
1
651・
536-
ZAA
(C01B)
P 1 651・ 851- ZAA (C01B) P 1 651・ 537- ZAA (C01B) |
| 最終処分 | 取消 |
| 前審関与審査官 | 塩谷 領大、森坂 英昭、粟野 正明 |
| 特許庁審判長 |
豊永 茂弘 |
| 特許庁審判官 |
宮澤 尚之 菊地 則義 |
| 登録日 | 2017-01-06 |
| 登録番号 | 特許第6067758号(P6067758) |
| 権利者 | ワッカー ケミー アクチエンゲゼルシャフト |
| 発明の名称 | 多結晶シリコン |
| 代理人 | 朝倉 悟 |
| 代理人 | 浅野 真理 |
| 代理人 | 佐藤 泰和 |
| 代理人 | 中村 行孝 |
| 代理人 | 小島 一真 |
| 代理人 | 小島 一真 |
| 代理人 | 朝倉 悟 |
| 代理人 | 柏 延之 |
| 代理人 | 柏 延之 |
| 代理人 | 佐藤 泰和 |
| 代理人 | 浅野 真理 |
| 代理人 | 永井 浩之 |
| 代理人 | 中村 行孝 |
| 代理人 | 永井 浩之 |
