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審決分類 審判 訂正 3項(134条5項)特許請求の範囲の実質的拡張 訂正する H01L
審判 訂正 (特120条の4,3項)(平成8年1月1日以降) 訂正する H01L
審判 訂正 ただし書き1号特許請求の範囲の減縮 訂正する H01L
審判 訂正 特許請求の範囲の実質的変更 訂正する H01L
審判 訂正 4項(134条6項)独立特許用件 訂正する H01L
管理番号 1360755
審判番号 訂正2019-390116  
総通号数 245 
発行国 日本国特許庁(JP) 
公報種別 特許審決公報 
発行日 2020-05-29 
種別 訂正の審決 
審判請求日 2019-11-21 
確定日 2020-02-28 
訂正明細書 有 
事件の表示 特許第5953645号に関する訂正審判事件について、次のとおり審決する。 
結論 特許第5953645号の特許請求の範囲を本件審判請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項4について訂正することを認める。 
理由 1 請求の要旨
本件審判請求の要旨は,特許第5953645号(平成22年11月16日の特許出願であって,平成28年6月24日に設定登録)の特許請求の範囲を,本件審判請求書に添付した訂正特許請求の範囲のとおり,訂正後の請求項4について訂正することをを求めるものである。

2 訂正事項
(1)訂正事項1
特許請求の範囲の請求項4を削除する。

3 当審の判断
訂正事項1は訂正前の請求項4を削除するものである。
従って,特許請求の範囲を減縮しようとするものといえるから,訂正事項1は,特許法第126条第1項ただし書第1号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
そして,訂正事項1は,願書に最初に添付した明細書又は特許請求の範囲に記載された事項の範囲内のものであって,かつ,実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではないから,特許法第126条第5項及び第6項の規定に適合するものである。
さらに,訂正後における特許請求の範囲に記載されている事項により構成される発明は,いずれも,訂正前の発明を減縮したものに該当するから,特許要件の適否について見直すべき新たな事情は存在せず,独立特許要件を満たすから,特許法第126条第7項に適合するものである。

4 むすび
したがって,本件審判の請求は,特許法第126条第1項ただし書き第1号に掲げる事項を目的とするものに該当し,かつ,同条第5項ないし第7項の規定に適合する。
よって,結論のとおり審決する。

 
発明の名称 (57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
切断ラインに沿ってウェハの裏面からレーザー光を入射して前記ウェハの内部に改質領域を形成することで前記改質領域内に微小空孔を形成する改質領域形成工程と、
前記改質領域形成工程で改質領域が形成されたウェハの表面の略全面を一様に前記ウェハよりも熱容量の大きいテーブルに真空で吸着させる吸着工程と、
前記吸着工程で表面の略全面が前記テーブルに吸着されたウェハを裏面からカップ型砥石により面全体を一様に研削して前記改質領域を除去するとともに、前記微小空孔を起点として前記ウェハの厚み方向に研削熱による熱膨張で亀裂を前記ウェハの表面に到達しない位置まで進展させる研削工程と、
前記研削工程を経た後に、前記ウェハの前記改質領域が研削除去された裏面を化学機械的に研磨する工程と、
前記ウェハ内に残された前記亀裂を基に、切断ラインに沿って前記ウェハを割断する工程と、
割断後複数のチップに分割する分割工程と、
を含むことを特徴とする半導体基板の切断方法。
【請求項2】
切断ラインに沿って、ウェハの裏面からレーザー光を入射して前記ウェハの内部に改質領域を形成することで、前記改質領域内に微小空孔を形成する改質領域形成工程と、
前記改質領域形成工程で改質領域が形成された前記ウェハの表面の略全面を一様に前記ウェハよりも熱容量の大きいテーブルに真空で吸着させる工程と、
前記ウェハを吸着した状態で、前記ウェハを裏面からカップ型砥石により面全体を一様に研削して、前記ウェハの内部に形成した前記改質領域より手前の部分まで研削除去し、前記微小空孔を起点として該改質領域から延びる微小亀裂を研削熱による熱膨張で前記ウェハの厚み方向に前記ウェハの表面に到達しない位置まで進展させる第1の研削工程と、
前記ウェハの内部に形成した前記改質領域を研削除去する第2の研削工程と、
前記第1の研削工程及び前記第2の研削工程を経た後に、前記ウェハの裏面を改質する化学スラリーと研磨パッドを用いて当該ウェハの前記改質領域が研削除去された裏面の化学機械研磨を行い、前記改質領域から延びる微小亀裂を残しながら、前記第1及び第2の研削工程で導入された加工変質層を除去して表面を鏡面化する工程と、
前記ウェハの厚み方向に進展した微小亀裂を基に、前記ウェハをチップに割断する工程と、
割断した後に、割断されたチップを離間する工程と、
を有することを特徴とする半導体基板の切断方法。
【請求項3】
前記改質領域形成工程は、前記ウェハの表面から60μm?80μmの深さに前記改質領域を形成し、
前記第1の研削工程は、前記微小空孔を前記ウェハの表面から50μmの深さと前記ウェハの表面との間まで進展させることを特徴とする請求項2に記載の半導体基板の切断方法。
【請求項4】
(削 除)
【請求項5】
切断ラインに沿ってウェハの裏面からレーザー光を入射して前記ウェハの内部に改質領域を形成することで、前記改質領域内に微小空孔を形成するレーザーダイシング手段と、
前記ウェハを裏面から前記改質領域と前記ウェハの表面との間の目標面までその裏面全体を一様に研削して前記改質領域を除去するとともに、前記微小空孔を起点として前記ウェハの厚み方向に研削熱による熱膨張で亀裂を前記目標面と前記表面との間まで進展させる研削手段と、
前記レーザーダイシング手段から前記研削手段へ前記ウェハを搬送する搬送手段と、
前記研削手段での研削後に、前記研削手段で前記微小空孔が前記ウェハの厚み方向に進展された前記亀裂を有するウェハの前記改質領域が研削除去された裏面を化学機械的に研磨する研磨手段と、
前記ウェハを切断ラインに沿って分割する分割手段と、
を備えた半導体基板の切断装置であって、
前記レーザーダイシング手段は、
前記ウェハの表面が下向きに載置されるテーブルと、
前記ウェハに向けてレーザー光を照射して前記改質領域を形成する照射手段と、
前記レーザー光が照射される位置が変わるように前記照射手段を制御する第1の制御手段と、を備え、
前記研削手段は、
前記ウェハの表面が下向きに載置され、前記ウェハの略全面を真空で吸着する前記ウェハよりも熱容量の大きい吸着テーブルと、
前記ウェハの裏面を研削するカップ型砥石と、
前記カップ型砥石の高さ及び回転数を制御する第2の制御手段と、
を備えたことを特徴とする半導体基板の切断装置。
【請求項6】
前記第1の制御手段は、前記ウェハの表面から60μm?80μmの深さに前記改質領域を形成させるように前記照射手段を制御し、
前記第2の制御手段は、前記ウェハの表面から50μmの深さと前記ウェハの表面との間まで前記改質領域内の微小空孔を進展させるように前記カップ型砥石の高さ及び回転数を制御することを特徴とする請求項5に記載の半導体基板の切断装置。
 
訂正の要旨 審決(決定)の【理由】欄参照。
審理終結日 2020-01-31 
結審通知日 2020-02-04 
審決日 2020-02-18 
出願番号 特願2010-256217(P2010-256217)
審決分類 P 1 41・ 851- Y (H01L)
P 1 41・ 856- Y (H01L)
P 1 41・ 854- Y (H01L)
P 1 41・ 855- Y (H01L)
P 1 41・ 841- Y (H01L)
最終処分 成立  
前審関与審査官 西出 隆二  
特許庁審判長 辻本 泰隆
特許庁審判官 小田 浩
加藤 浩一
登録日 2016-06-24 
登録番号 特許第5953645号(P5953645)
発明の名称 半導体基板の切断方法及び半導体基板の切断装置  
代理人 田▲崎▼ 聡  
代理人 細川 文広  
代理人 鈴木 慎吾  
代理人 細川 文広  
代理人 鈴木 慎吾  
代理人 山崎 哲男  
代理人 山崎 哲男  
代理人 田▲崎▼ 聡  

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