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審決分類 審判 査定不服 5項独立特許用件 特許、登録しない。 H01L
審判 査定不服 2項進歩性 特許、登録しない。 H01L
管理番号 1369411
審判番号 不服2019-17254  
総通号数 254 
発行国 日本国特許庁(JP) 
公報種別 特許審決公報 
発行日 2021-02-26 
種別 拒絶査定不服の審決 
審判請求日 2019-12-20 
確定日 2020-12-10 
事件の表示 特願2018- 37898「真空処理装置、搬出入室」拒絶査定不服審判事件〔令和 1年 9月12日出願公開、特開2019-153695〕について、次のとおり審決する。 
結論 本件審判の請求は、成り立たない。 
理由 第1 手続の経緯
本願は、平成30年3月2日の出願であって、令和1年7月10日付けで拒絶理由通知がされ、同年8月27日に意見書の提出及び手続補正がされ、同年9月27日付けで拒絶査定がされた。これに対して、同年12月20日に拒絶査定不服審判の請求がされると同時に手続補正がされたものである。

第2 令和1年12月20日にされた手続補正についての補正の却下の決定
[補正の却下の決定の結論]
令和1年12月20日にされた手続補正(以下「本件補正」という。)を却下する。

[理由]
1 本件補正について(補正の内容)
本件補正は、補正前の特許請求の範囲の請求項1?14を補正して、補正後の特許請求の範囲の請求項1-12とするものであり、補正後の特許請求の範囲の請求項7と補正前の特許請求の範囲の請求項8の記載は各々次のとおりである。

(1)本件補正後の特許請求の範囲の記載
本件補正により、特許請求の範囲の請求項7の記載は、次のとおり補正された。(下線部は、補正箇所である。)
「【請求項7】
貫通孔が設けられたトレイと、前記トレイ上に配置され前記貫通孔を介して裏面が露出された基板とを有する処理対象物が内部に配置され、真空排気装置によって内部が真空排気される搬出入室であって、
突起が設けられた台と、
前記台との間に真空雰囲気が形成される容器形形状の蓋部材と、
前記搬出入室の内部を給排気する給排気口と、
前記蓋部材に取り付けられた押圧装置と、
を有し、
前記蓋部材は前記蓋部材を上下移動させる移動装置に接続され、
前記押圧装置が有する支持板には、前記移動装置によって前記蓋部材が下方に移動すると、前記処理対象物に対して下方に移動する押圧部が設けられ、
前記押圧部は、前記基板に接触する柔軟性を有する弾性体から成る複数個の接触部材から成り、
前記突起上に前記処理対象物が配置されると、前記基板の裏面と前記台との間は離間され、前記蓋部材が前記基板に向けて移動すると前記接触部材が前記処理対象物に接近して接触し、前記接触部材が変形すると、前記接触部材の復元力で前記基板は前記押圧部によって前記トレイに押圧されて前記トレイに固定される搬出入室。」

(2)本件補正前の特許請求の範囲
本件補正前の、令和1年8月27日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項8の記載は次のとおりである。
「【請求項8】
貫通孔が設けられたトレイと、前記トレイ上に配置され前記貫通孔を介して裏面が露出された基板とを有する処理対象物が内部に配置され、真空排気装置によって内部が真空排気される搬出入室であって、
突起が設けられた台と、
前記台との間に真空雰囲気が形成される容器形形状の蓋部材と、
前記搬出入室の内部を給排気する給排気口と、
前記蓋部材に取り付けられた押圧装置と、
を有し、
前記蓋部材は前記蓋部材を上下移動させる移動装置に接続され、
前記押圧装置が有する支持板には、前記移動装置によって前記蓋部材が下方に移動すると、前記処理対象物に対して下方に移動する押圧部が設けられ、
前記突起上に前記処理対象物が配置されると、前記基板の裏面と前記台との間は離間され、前記蓋部材が前記基板に向けて移動すると、前記基板は前記押圧部によって押圧されて前記トレイに固定される搬出入室。」

2 補正の適否
本件補正は、本件補正前の請求項8に記載された発明を特定するために必要な事項である「押圧部」、及び、「前記基板は前記押圧部によって押圧され」る内容について、上記のとおり限定を付加するものであって、補正前の請求項8に記載された発明と補正後の請求項7に記載される発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるから、特許法第17条の2第5項第2号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
そこで、本件補正後の請求項7に記載される発明(以下「本件補正発明」という。)が同条第6項において準用する同法第126条第7項の規定に適合するか(特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか)について、以下、検討する。

(1)本件補正発明
本件補正発明は、上記1(1)に記載したとおりのものである。

(2)引用文献の記載事項
ア 引用文献1
(ア)原査定の拒絶の理由で引用された本願の出願前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった引用文献である、国際公開第2009/054064号(以下「引用文献1」という。)には、図面とともに、次の記載がある。(下線は当審で付した。以下、同じ。)

「技術分野
[0001] 本発明は、大気側から真空雰囲気内への基板の搬入、あるいは真空雰囲気から大気側への板の搬出を行う基板ロード室に関し、真空雰囲気中で薄膜形成、エッチング、熱処理などを行う真空処理装置に適用される装置である。」

「[0046] 以下、本発明の実施の形態について、図を参照しながら詳細に説明する。図1、2は本発明の基板ロード装置の概略構成を説明するための断面図であり、図2は図1の右方から見た状態を示している。
[0047] 図1、図2において、基板ロード装置1は基板ロード部Aとベースロード部Bを備える。基板ロード部Aは、大気側と真空側との間で基板7の搬出入を行う部分であり、ベースロード部Bは真空雰囲気において基板7の搬送を行う部分である。
[0048] 基板ロード装置1は、ベースロード部Bの内部に真空チャンバを形成するベース室13、基板ロード部Aの内部に真空チャンバを形成するスライド蓋10、ベース室13とスライド蓋10とを仕切ると共に密着状態に連結する仕切りフランジ2と、ベース室13の内部に上下方向のスラスト移動を自在とする基板ホルダー15とを備える。
[0049] 基板ロード部Aは、仕切りフランジ2と、この仕切りフランジ2の下方に配置されるベース室13と、仕切りフランジ2の上方に配置されるスライド蓋10から構成される。ベース室13の上端の縁部には、Oリング3を挟んで仕切りフランジ2が密着して取り付けられ、さらに、仕切りフランジの上部にはOリング11を挟んでスライド蓋10がOリング11を挟んで密着して取り付けられる。また、このスライド蓋10は、横方向のスライド移動を自在としている。スライド蓋のスラスト移動によって基板ロード部Aの上部の開閉を行う。
[0050] また、ベース室13内において、仕切りフランジ2の下部には基板ホルダー15が上下方向にスラスト移動自在に設けられる。基板ホルダー15を上方に移動させ、仕切りフランジ2の下部にOリング23を挟んで密着させることで、基板ロード部Aの下方を閉じる。
[0051] したがって、基板ロード部Aは、仕切りフランジ2の上方をスライド蓋10で閉じることで大気側と分離し、仕切りフランジ2の下方を基板ホルダー15で閉じることで、基板ロード部Aベースロード部Bとを分離して、基板ロード部Aの内部を密閉し、真空排気することで真空状態を形成することができる。
[0052] 一方、スライド蓋10をスライドさせて開いた場合には、基板ロード部Aは大気側に開放される。また、基板ホルダー15を下降させて仕切りフランジ2から離した場合には、基板ロード部Aとベースロード部Bとを連通させることができる。
・・・(略)・・・
[0055] 本発明の基板ロード装置では、基板ホルダー15によって、基板ロード部Aとベースロード部Bとを分離し、基板の取り込みおよび取り出し動作において、基板ロード部A内のみについて真空排気を行う構成とすることができ、真空排気に要する時間を短縮することができる。
・・・(略)・・・
[0057] スライド蓋10は、基板7と対向する下方面側に基板7を押圧して位置ずれを抑制するための基板押さえパッド6を備え、また、スライド蓋10の下面に熱反射板4を設け、加熱したサセプタ8からの輻射を抑える。
[0058] 仕切りフランジ2には、基板ロード部A内を真空排気するための排気口12が設けられ、図示しない真空排気ポンプによって真空引きされる。また、ベース室13には、ベースロード部B内を真空排気するための排気口14が設けられ、図示しない真空排気ポンプによって真空引きされる。
[0059] 基板ホルダー15は、ベースロード部B内において上下方向のスラスト移動を自在とする構成として、下方に延びた軸24にこの軸24をベース室13に密閉状態で通すためのフィールドスルー16と、軸24を上下方向に移動させる基板ホルダー駆動部17を備える。
・・・(略)・・・
[0062] また、基板ホルダー15の上面には、基板7を載置するためのトレイ等のサセプタ8を支持するサセプタ受け9が設けられる。基板7は、サセプタ8に載置された状態でサセプタ受け9に支持される。また、基板ホルダー15の上面に熱反射板5を設け、加熱した基板7からの熱の放出を抑える。
[0063] また、ベース室13には搬送室30を連通状態で設けることができ、ベース室13と搬送室30との間で基板7を搬送させることができる。
[0064] 図2は図1の右方から見た断面図であり、基板ホルダー15を上昇させて仕切りフランジ2の下面に当接させ、基板ロード部Aとベースロード部Bとを分離させた状態を示している。この状態では、基板ホルダー15の上部にされた基板7はサセプタ8と共に基板ロード部A内導入され、基板7の上面はスライド蓋10の下面に設けられた基板押さえパッド6によって上方から押さえられる。この基板押さえパッド6で基板7を押さえることによって、大気ベントや真空排気時に生じる気流によって基板7が位置ずれすることを抑制する。
[0065] スライド蓋10の上下方向の昇降動作と横方向のスライド動作は、スライド蓋駆動部18およびスライド部19によって行われる。
[0066] 次に、スライド蓋および基板ホルダーの移動による基板ロード部とベースロード部の動作について図3?図5を用いて説明する。なお、図3?図5では(a)?(o)の連続した符号を用いて説明する。ここでは、基板ロード装置内は真空状態にあり、基板ロード装置内に基板を導入した後導出する動作例について説明する。
[0067] はじめに、基板7の取り込み動作を、図3,4を用いて説明する。
[0068] スライド蓋10は閉じた状態にあり、基板ホルダー15は基板ホルダー駆動部17によって下降してベースロード部B内に位置しているものとする。この状態では、基板ロード部Aとベースロード部Bとは連通し、基板ロード部Aとベースロード部Bとが形成するチャンバ空間は大気側から密閉された状態にある。また、基板ロード部Aとベースロード部Bは真空排気によって真空状態にある(図3(a))。
[0069] 基板ホルダー駆動部17を駆動して基板ホルダー15を上昇させ、基板ホルダー15の上面を仕切りフランジ2の下面に当接させる。この動作によって、基板ロード部Aとベースロード部Bとは分離し、それぞれ密閉された空間を形成する(図3(b))。
[0070] 基板ロード部Aを大気ベントして、基板ロード部A内の圧力を大気圧とした後、スライド部19を駆動して蓋スライド蓋10を上昇させ、基板ロード部Aを大気側に開放する(図3(c))。
[0071] スライド部19を駆動してスライド蓋10を横方向にスライド移動させ、基板ロード部Aの上方の空間を空けて、基板7の基板ロード部Aの取り込みを可能とする(図3(d))。
[0072] 図示しないチャック機構によって基板7を基板ロード部A内に下降させ、基板ホルダー15の上面に設けられたサセプタ8上に載置する。チャック機構は、例えば、ベルヌーイチャック等の非接触型のチャック機構や、真空パッド等の接触型のチャック機構を用いることができる(図3(e))。
[0073] 基板ホルダー15上のサセプタ8に基板7を載置した後、横方向に移動しておいたスライド蓋10をスライド部19によって基板ロード部Aの開口部の上方に移動させ(図4(f))、次に、さらに、スライド部19によってスライド蓋10を下降させ、仕切りフランジ2の上面端部に当接させて密着させる(図4(g))。
[0074] 基板ホルダー15は仕切りフランジ2と密着状態にあるため、スライド蓋10を仕切りフランジ2の密着させることで、基板ロード部Aの空間は密閉される。このスライド蓋10の下降により、基板押さえパッド6は基板7の上面を押圧する。これによって、基板7は所定位置に保持され、真空排気時の気流によって位置ずれすることを抑制する。この密閉状態において、排気口12を通して図示しない真空排気装置によって真空排気し、基板ロード部Aの空間を真空状態とする(図4(h))。
[0075] 基板ロード部Aを真空状態とすることよって、基板ロード部Aとベースロード部Bとは同圧力とした後、基板ホルダー駆動部17を駆動して基板ホルダー15を下降させ、基板ホルダー15の上面を仕切りフランジ2の下面から離し、基板ロード部Aとベースロード部Bとの空間部分を連通させる。このとき、基板7は基板ホルダー15と共に下降する(図4(i))。ベースロード部B内に移動した基板7は搬送室30との間で搬送することができる(図4(j))。
[0076] 次に、基板7の取り出し動作を、図5を用いて説明する。搬送室30からベースロード部B内に戻した後(図5(k))、基板ホルダー駆動部17を駆動して基板ホルダー15を上昇させ、基板ホルダー15の上面を仕切りフランジ2の下面に当接させて密着させ、基板ロード部Aとベースロード部Bとの空間部分を分離する。この動作によって、基板7は基板ロード部A内の空間に移動する(図5(l))。
[0077] 基板ロード部Aを大気ベントして、基板ロード部A内の圧力を大気圧とした後、スライド部19を駆動して蓋スライド蓋10を上昇させ、基板ロード部Aを大気側に開放する。この大気ベントにおいて、スライド蓋10の基板押さえパッド6は基板7を押圧した状態にあるため、大気ベントによる気流によって基板7が位置ずれすることを抑制する(図5(m))。
[0078] スライド部19を駆動してスライド蓋10を横方向にスライド移動させ、基板ロード部Aの上方の空間を空けて、基板7の基板ロード部Aの取り出しを可能とする(図5(n))。
[0079] 図示しないチャック機構によって基板7を基板ロード部A内から取り出す(図5(o))。
・・・(略)・・・
[0084] スライド蓋10をスライド移動させることで、基板ロード部A内において基板ホルダー15上に載置された基板7を見通すことができ、図示しないチャック機構によって基板7を取り出すことができる。
[0085] 次に、スライド蓋が備える基板押さえパッド6の構成例について図9を用いて説明する。図9(a)は基板押さえパッドを下方から見た正面図であり、図9(b)は基板押さえパッドを横方向から見た側面図である。
[0086] 基板押さえパッド6は、スライド蓋10の一部に形成した凹部にパッドホルダー21を取り付け、このパッドホルダー21に対してスプリング20によって付勢された状態で取り付けられる。スプリング20は、基板押さえパッド6を基板7に向かって付勢し、基板7をサセプタ8の上面に対して押圧する。基板7は、基板押さえパッド6によってサセプタ8の上面に押圧されることで、気流等の外力による位置ずれを抑制する。
[0087] 図9において、一つの基板押さえパッド6がスライド蓋10の中央部分に設けられる構成例を示しているが、基板押さえパッド6の設置位置や設置個数は、基板の枚数や配置に応じて定めることができる。
[0088] また、サセプタ8の上面には、上方に向かって位置決めピン22が突出して設けられる。この位置決めピン22は、基板7のサセプタ8上の位置を定めるためのピンであり、基板7のサイズや基板の位置決め位置に応じて設けられる。この位置決めピン22は、基板7が横方向にずれることを抑制するものであり、上下方向の移動については、基板押さえパッド6による押圧が無い限り、自由に行うことができる。
[0089] したがって、基板7は、基板押さえパッド6と位置決めピン22とによって、サセプタ8上の所定位置に位置ずれすることなく保持される。」

図2は、「本発明の基板ロード装置の概略構成を示すための断面図」であり、以下のとおりのものである。
図2から、基板ホルダー15上面のサセプタ受けにサセプタ8が支持され、サセプタ8に載置された基板7の裏面と基板ホルダー15との間は離間されていることが見てとれる。


(イ)上記(ア)から、引用文献1には、次の発明(以下「引用発明」という。)が記載されていると認められる。

「基板ロード装置1が備える基板ロード部Aであって、
仕切りフランジ2と、この仕切りフランジ2の下方に配置されるベース室13と、仕切りフランジ2の上方に配置されるスライド蓋10から構成され、
ベース室13内において、仕切りフランジ2の下部には基板ホルダー15が設けられ、
仕切りフランジ2の上方をスライド蓋10で閉じることで大気側と分離し、仕切りフランジ2の下方を基板ホルダー15で閉じることで、その内部を密閉し、排気口12を通して真空排気することで真空状態を形成することができ、
スライド蓋10は、基板7と対向する下方面側に基板7を押圧して位置ずれを抑制するための基板押さえパッド6を備え、
基板ホルダー15の上面には、基板7を載置するためのトレイ等のサセプタ8を支持するサセプタ受け9が設けられ、基板7は、サセプタ8に載置された状態でサセプタ受け9に支持され、サセプタ8に載置された基板7の裏面と基板ホルダー15との間は離間されており、
基板押さえパッド6は、スライド蓋10の一部に形成した凹部にパッドホルダー21を取り付け、このパッドホルダー21に対してスプリング20によって付勢された状態で取り付けられ、スプリング20は、基板押さえパッド6を基板7に向かって付勢し、基板7をサセプタ8の上面に対して押圧し、
基板ホルダー15上のサセプタ8に基板7を載置した後、スライド部19によってスライド蓋10を下降させ、仕切りフランジ2の上面端部に当接させて密着させることで、その空間は密閉され、このスライド蓋10の下降により、基板押さえパッド6は基板7の上面を押圧し、これによって、基板7は所定位置に保持され、真空排気時の気流によって位置ずれすることが抑制され、この密閉状態において、排気口12を通して真空排気装置によって真空排気し、真空状態とされ、
スライド蓋10の上下方向の昇降動作と横方向のスライド動作は、スライド蓋駆動部18およびスライド部19によって行われる、基板ロード部A。」

イ 引用文献2
(ア)原査定の拒絶の理由で引用された本願の出願前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった引用文献である、国際公開第2017/146204号(以下「引用文献2」という。)には、図面とともに、次の記載がある。

「[0001] 本発明は、真空装置の技術分野に係り、特に、処理対象物を大気雰囲気中と真空雰囲気中で移動させる真空装置に関する。」

「[0012] <真空処理>
図1?図8は、本発明の真空装置2の部分的な内部正面図、図9?16は内部側面図である。
図1、図9を参照し、本発明の真空装置2は、搬出入槽11と主真空槽55とを有している。

[0013] 搬出入槽11は主真空槽55の外部に配置されている。ここでは、搬出入槽11は、主真空槽55の上方に配置されている。
搬出入槽11は、開口38と直方体の六壁のうちの五壁とで構成された容器形の形状であり、底面を除く四壁の辺であって容器形状の開口38の縁である外部密着部51bが、主真空槽55に向けて配置されている。

[0014] 搬出入槽11は、外部移動装置59に取りつけられており、外部移動装置59が動作すると、搬出入槽11は主真空槽55に対して移動し、外部密着部51bが主真空槽55に気密に接触された状態と、外部密着部51bが主真空槽55から離間した状態とのいずれかの状態にされる。

[0015] 主真空槽55には、主真空槽55の壁を貫通する内部搬出入口13が設けられており、内部搬出入口13は、外部密着部51bの内周よりも小さく形成されている。外部密着部51bが主真空槽55に気密に接触された状態では、内部搬出入口13は、主真空槽55のうちの外部密着部51bに気密に接触された部分である外周密着部51aの内側に位置するようにされている。

[0016] 外部密着部51bが主真空槽55に気密に接触された状態では、主真空槽55の内部雰囲気40と搬出入槽11の内部雰囲気16とは、主真空槽55と搬出入槽11との外部の雰囲気から気密に分離されている。なお、外部密着部51b又は外部密着部51bが気密に接触される主真空槽55の外周密着部51aには、Oリング等のシール部材が配置され、シール部材が外部密着部51bと主真空槽55との両方に気密に接触するようにされている。

[0017] 主真空槽55は、真空排気装置53に接続されており、外部密着部51bが主真空槽55に気密に接触され、内部搬出入口13によって、主真空槽55の内部雰囲気40と搬出入槽11の内部雰囲気16とが接続された状態で真空排気装置53が動作すると、主真空槽55の内部雰囲気40と搬出入槽11の内部雰囲気16とが真空排気され、搬出入槽11の内部雰囲気16と主真空槽55の内部雰囲気40とが真空雰囲気にされる。

[0018] 主真空槽55の内部雰囲気40の中には、内部蓋部材17が配置されている。
内部蓋部材17の外周付近の表面部分には、Oリングから成る内部密着部19aが配置されている。

[0019] この真空装置2は、主移動装置10と制御装置54とを有している。主移動装置10の動作や、後述する副移動装置29の動作は制御装置54によって制御されている。

[0020] 内部蓋部材17は主移動装置10に接続され、制御装置54によって主移動装置10が動作すると、内部蓋部材17は、内部搬出入口13に近接する方向である近接方向と、内部搬出入口13から離間する方向である離間方向との、いずれかの方向に移動される。ここでは、近接方向と離間方向とは互いに逆方向にされているが、同じ方向の成分を有し、内部搬出口13に対して斜めに移動するようにしていても良い。

[0021] 内部蓋部材17の、搬出入槽11が位置する方向に向いた面には、リング形形状の内部密着部19aが配置されている。
内部密着部19aは、内部搬出入口13よりも大きく形成されている。搬出入槽11のうち、内部搬出入口13の周囲の部分である周囲部19bは、一平面に位置しており、内部密着部19aが位置する内部蓋部材17の縁付近の部分は、周囲部19bが位置する平面と平行な平面にされている。

[0022] 周囲部19bと離間している内部蓋部材17が主移動装置10によって近接方向に移動されると、内部密着部19aは、内部搬出入口13を取り囲んで周囲部19bと接触する。
内部密着部19aは押圧によって変形し、押圧が解除されると変形が復元するゴム性の材料で構成されており、内部密着部19aと周囲部19bとが接触した部分はリング形形状になる。内部密着部19aにはゴム性のリング形形状であるオーリングを用いることができる。

[0023] 更に内部密着部19aが周囲部19bに押圧されると、内部密着部19aは、押圧によって変形して内部蓋部材17と周囲部19bとが気密に接触し、内部蓋部材17が内部搬出入口13を気密に閉塞させた状態になる。この状態では、搬出入槽11の内部雰囲気16と主真空槽55の内部雰囲気40とが分離される。搬出入槽11の内部雰囲気16と主真空槽55の内部雰囲気40とは真空雰囲気である。

[0024] 内部蓋部材17の内部密着部19aの内側には、処理対象物21が配置される配置部20が設けられている。
配置部20が内部搬出入口13と対面する状態では、配置部20の表面は、内部密着部19aよりも内部搬出口13の近くに位置するように構成されており、内部密着部19aが内部蓋部材17と周囲部19bとに気密に接触した状態では、配置部20は、図2、10に示すように、搬出入槽11の内部雰囲気16に露出され、配置部20に配置された処理対象物21は、搬出入槽11の内部雰囲気16の中に配置される。この状態の配置部20上の処理対象物21は、搬出入槽11の底面とは非接触で隙間が形成されている。

[0025] 主真空槽55には、気体導入装置50に接続された導入口39が設けられている。また、主真空槽55には、真空排気装置53に接続され、主真空槽55を真空排気する主排気口74とは別に、真空排気装置53に接続された副排気口37が設けられている。

[0026] 副排気口37と導入口39とは、内部搬出入口13が内部蓋部材17によって閉塞された状態にあるときに、内部蓋部材17と搬出入槽11の底面との間に形成される空間に露出する主真空槽55の部分に配置されている。従って、副排気口37と導入口39とは、内部蓋部材17と搬出入槽11の底面との間に形成される空間に位置していることになる。

[0027] 気体導入装置50によって内部蓋部材17と搬出入槽11の底面との間に形成された空間に導入口39から気体を導入させると、真空雰囲気にされた搬出入槽11の内部雰囲気16は、導入した気体で充満される。
搬出入槽11の内部雰囲気16が大気圧になると、気体の導入を停止し、外部移動装置59によって搬出入槽11を主真空槽55から離間する方向に移動させ、搬出入槽11と主真空槽55との間に隙間を形成し、その隙間を通過させて処理対象物21を配置部20上から搬出入槽11の外部に搬出すると共に、図3、図11に示すように、未処理の処理対象物22を隙間を通過させて搬入し、配置部20に配置する。この間は、主真空槽55の内部雰囲気40は真空雰囲気が維持されている。図17、18は、この状態の内部斜視図である。

[0028] 次いで、外部移動装置59を動作させ、外部密着部51bを主真空槽55の外周密着部51aに気密に接触させる。
この状態では、搬出入槽11の内部雰囲気16は、主真空槽55の内部雰囲気40と搬出入槽11の外側の雰囲気とから気密に閉塞されており、真空排気装置53によって、搬出入槽11の内部雰囲気16を副排気口37から真空排気する。

[0029] メンテナンスのために主真空槽55の内部が大気雰囲気にされる場合を除き、主真空槽55の内部雰囲気40は、真空排気装置53によって、主排気口74から真空排気されており、真空雰囲気にされている。搬出入槽11の内部雰囲気16が真空雰囲気にされると、主移動装置10によって、図4、12に示すように内部蓋部材17が離間方向に移動されて内部密着部19aは周囲部19bから離間し、搬出入槽11の内部雰囲気16と、主真空槽55の内部雰囲気40とが接続される。内部密着部19aの変形は復元される。

[0030] 内部蓋部材17が主移動装置10によって、更に離間方向に移動されると配置部20と配置部20に配置された処理対象物22とは、内部蓋部材17と一緒に離間方向に移動され、図5、図13に示すように、配置部20が所定の到着場所に到着したところで、内部蓋部材17と配置部20と処理対象物22とは静止される。

[0031] 主真空槽55には副移動装置29が設けられている。各図中には、副移動装置29は主真空槽55の内部の部分として正方形の図形が記載されており、副移動装置29の形状や内部構造の説明は省略される。

[0032] 到着場所に到着した配置部20に配置された処理対象物22は、副移動装置29によって、主真空槽55の内部に位置する真空処理領域に移動される。図6、図14は、その状態であり、ここではスパッタリング法による薄膜形成を例にとって真空処理として説明するものとすると、図19の符号60は、スパッタリングが行われる真空処理領域を示している。

[0033] 真空処理領域60には台63が配置されており、台63に対面する位置には、真空処理装置68が配置されている。ここでは、真空処理装置68は、カソード電極61と、カソード電極61に設けられたスパッタリングターゲット62とで構成されており、気体導入装置50から主真空槽55の内部雰囲気40中にArガス等のスパッタリングガスを導入し、所定圧力の真空雰囲気を形成した後、主真空槽55を接地電位に接続した状態でカソード電極61にスパッタ電圧を印加して、スパッタリングターゲット62をスパッタリングし、スパッタリングターゲット62からスパッタリング粒子を生成する。

[0034] 処理対象物22は、真空処理の対象であるガラス基板や半導体ウェハ等の処理対象基板25と、処理対象基板25が保持される基板ホルダ24とで構成されており、配置部20上に処理対象物22が水平にして配置される場合の他、配置部20が処理対象物22を保持し、処理対象物22を水平又は鉛直に保持する場合も本発明に含まれる。処理対象基板25と基板ホルダ24とは一緒に移動する。

[0035] 台63上では、処理対象基板25の表面がスパッタリングターゲット62に向けられており、スパッタリング粒子は主真空槽55の内部を飛行して処理対象基板25の表面に到達し、処理対象基板25の表面上に薄膜27が成長する。

[0036] 処理対象基板25の表面に所定膜厚の薄膜27が形成されると真空処理を終了させ、台63上の処理対象物22は、副移動装置29によって内部蓋部材17に向けて移動され、到着場所に位置する配置部20に配置される。図7、15は、その状態を示している。」

「[0080] <他の例>
上記真空装置2はスパッタリング装置であったが、図20に示す真空装置3のように、真空処理領域70に配置された台73に、処理対象物22を配置し、主真空槽55に設けられたイオン生成装置71を真空処理装置として、イオン生成装置71が生成したイオンを、照射孔72を介して、処理対象基板25に照射するイオン照射装置であってもよい。
また、主真空槽55の内部で真空処理を行わず、大気中の処理対象物又は処理対象基板を真空雰囲気に導入する搬出入装置であってもよい。」


(イ)上記記載から、引用文献2には、次の技術が記載されていると認められる。
「真空装置であって、搬出入槽11と主真空槽55とを備え、搬出入槽11は主真空槽55に対して移動するものであり、主真空槽55の内部雰囲気40の中には、処理対象物21、22を配置できる内部蓋部材17が配置され、処理対象物22は、処理対象基板25と、処理対象基板25が保持される基板ホルダ24とで構成されており、主真空槽55には、気体導入装置50に接続された導入口39と、真空排気装置53に接続され、主真空槽55を真空排気する主排気口74と副排気口37とが設けられており、内部蓋部材17が搬出入槽11と主真空槽55との間で移動することで処理対象物を搬出入でき、主真空槽55はスパッタリングまたはイオン照射等を行う真空処理領域を備えること。」

ウ 引用文献3
(ア)原査定で周知技術を示す文献として引用され、本願の出願前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった特開2017-195411号公報(以下「引用文献3」という。)には、次の記載がある。

「【技術分野】
【0001】
本発明の実施形態は、吸着ステージ、貼合装置、および貼合方法に関する。
【背景技術】
【0002】
ウェーハなどの基板を吸着する吸着ステージがある。
この様な吸着ステージは、例えば、半導体装置の製造における基板の貼合工程において用いられている(例えば、特許文献1を参照)。
基板の貼合工程においては、2枚の基板の貼り合わせ面同士を貼り合わせて1枚の基板を形成している。
例えば、いわゆるSOI(Silicon on Insulator)ウェーハの製造や、陽極接合法を用いてガラス基板とシリコン基板との接合を行う場合などにおいて、2枚の基板の貼り合わせ面同士を貼り合わせて1枚の基板を形成している。」

「【0010】
図1に示すように、貼合装置100には、処理容器11、吸着ステージ12、基板支持部13、押圧部14、排気部15、および制御部16が設けられている。
処理容器11は、箱状を呈し、気密構造となっている。
処理容器11の側壁には、基板W1(第1の基板の一例に相当する)や基板W2(第2の基板の一例に相当する)などの搬入搬出を行うための開口部11aが設けられている。また、開口部11aを気密に開閉可能な開閉扉11bが設けられている。」

「【0025】
図1に示すように、基板支持部13には、支持爪13a、移動部13b、および基部13cが設けられている。
支持爪13aは、基板W2の周縁部を支持する。そして、支持爪13aに基板W2を支持させることで、吸着ステージ12に載置された基板W1と対峙する所定の位置に基板W2が支持されるようになっている。
・・・(略)・・・
【0028】
押圧部14には、移動部14a、移動軸14b、およびパッド14cが設けられている。
押圧部14は、本体部12a1の端面12a1aと対峙する位置に設けられている。また、押圧部14は、支持爪13aに支持された基板W2の略中央部をパッド14cにより押圧することができる位置に設けられている。
押圧部14は、支持爪13aに支持された基板W2の略中央部をパッド14cで押圧することにより基板W2を撓ませて、基板W1の貼り合わせ面の一部と基板W2の貼り合わせ面の一部とを接触させる。なお、基板W1、基板W2の貼り合わせ面とは、互いを対峙させたときに対向する基板W1、基板W2のそれぞれの面を指す。
【0029】
移動部14aは、処理容器11の外部に設けられている。移動部14aは、サーボモータやパルスモータなどの制御モータを有するものとすることができる。また、圧力制御された流体により駆動されるもの(例えば、エアシリンダなど)などを有するものとすることもできる。
移動軸14bは、処理容器11の壁面を貫通するようにして設けられ、一方の端部側が移動部14aと接続されている。また、他方の端部側にはパッド14cが取り付けられている。
【0030】
パッド14cの先端部分は、略半球状を呈し、その基部は円柱状を呈している。パッド14cは、軟質の弾性体から形成され、押圧時に接触部分を点接触から面接触へと変化させることができるようになっている。そのため、押圧点(接合開始位置)における応力を緩和させることができるので、基板W2の損傷を抑制することができる。また、ボイドの発生、割れや欠けの発生、擦り傷の発生、スリップなどによる位置ずれの発生などを抑制することもできる。パッド14cは、例えば、シリコンゴムやフッ素ゴムなどの軟質樹脂により形成することができる。この場合、パッド14cをシリコンゴムあるいはフッ素ゴムから形成すれば、基板W2が汚染されることを抑制することができる。」

エ 引用文献4
(ア)原査定で周知技術を示す文献として引用され、本願の出願前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった特開2012-59758号公報(以下「引用文献4」という。)には、次の記載がある。

「【技術分野】
【0001】
本発明は、基板と支持体との貼り合わせに用いられる、貼り合わせ装置および貼り合わせ方法に関する。」

「【0015】
〔1.貼り合わせ装置〕
本発明に係る貼り合わせ装置は、基板と支持体とを貼り合わせる装置であって、減圧可能な第1の処理室と、減圧可能な第2の処理室とを備えている。第1の処理室は、基板と支持体との貼り合わせに先立って基板と支持体との位置合わせを行う位置合わせ手段を有している。一方、第2の処理室は、第1の処理室において位置合わせされた基板と支持体とを貼り合わせる貼り合わせ手段を有している。第1の処理室および第2の処理室は、第1の処理室において位置合わせされた少なくとも一組の基板および支持体が、第1の処理室から第2の処理室に減圧下で移動可能となるように形成されている。
【0016】
本実施の形態では、ウエハサポートシステムのためにサポートプレートであるガラス(支持板)にウエハ(基板)を一時的に貼り合わせる処理を例に挙げて説明するが、これに限定されるものではない。なお、本明細書では、ガラスとウエハとを重ね合わせたものを本接合の前後に関わらず「ガラス積層ウエハ」と呼ぶ。」

「【0039】
<位置合わせ手段>
ロードロック室6内に設けられている、ウエハとガラスとの位置合わせを行う位置合わせ手段について説明する。図5は、本実施の形態における位置合わせ手段の具体的構成を説明するための図であり、ロードロック室6の内部を示している。図5に示すように、ロードロック室6内部には、上下動可能な昇降ステージ(昇降部材)21、水平方向に移動可能な外径合わせ機構(位置調節手段)22、水平方向に移動可能なスペーサ機構(位置固定手段、保持部材)23および上下動可能な仮押さえ具(位置固定手段、押し当て部材)24によって構成された位置合わせ手段が設けられている。なお説明の便宜上、図5では、外径合わせ機構22、スペーサ機構23および仮押さえ具24を保持または制御するためのそれぞれの部材については、その図示を省略している。」

「【0050】
(仮押さえ具) 仮押さえ具24は、ガラスとウエハとを重ね合わせる際に、ガラスをウエハに押し当てることによって重ね合わせの際に生じ得る水平方向の位置ズレを防止する部材である。仮押さえ具24は、スペーサ機構23よりも鉛直上方に設けられており、上下への移動が可能な構成となっている。仮押さえ具24が下方に移動しておらず、そのためスペーサ機構23に保持されているガラスとは接触しない位置にあることを、本明細書では、仮押さえ具24が「待機位置」にあるという。これに対し、仮押さえ具24が下方に移動し、その結果、スペーサ機構23に保持されているガラス表面を押圧している位置にあることを、本明細書では、仮押さえ具24が「接合位置」にあるという。仮押さえ具24は、仮押さえ具24が接合位置にあるときにガラス表面の中心部分と接触するように設けられている。
【0051】
仮押さえ具24は、ウエハと接触するため、ウエハに傷がつくことを防止できる材料によって形成されていることが好ましく、例えば樹脂を用いることができる。中でも、ポリテトラフルオロエチレンなどのフッ素樹脂が好ましい。仮押さえ具24の形状に特に制限はないが、例えば、ウエハとの接触面が直径20mmの円形である円柱状であり得る。
【0052】
上述の構成を有する位置合わせ手段によれば、外径合わせ機構22を用いて、ガラスの水平位置を調整することができる。また、ガラスの位置調整が済んだ後に、昇降ステージ21を用いてガラスを上方に移動させて、その水平位置を変化させずにスペーサ機構23に保持させることができる。位置合わせの済んだガラスをスペーサ機構23に渡すことにより、昇降ステージ21にウエハを載せて、外径合わせ機構22を用いて、ウエハの水平位置を調節することができるようになる。昇降ステージ21をそのまま上昇させることにより、位置合わせが済んだウエハを、水平位置を変化させずに仮接合位置まで運ぶことができる。スペーサ機構23を抜き位置にしてガラスをウエハに重ね合わせる直前に、仮押さえ具24を用いてガラスを押圧して、押圧部分の裏面をウエハに押し当てることができる。これにより、スペーサ機構23を抜き位置にしてガラスをウエハに重ね合わせるときに、ガラスの水平位置が変化することを防ぐことができる。したがって、以上により、ウエハとガラスとを精度良く重ね合わせることができる。」

「【0061】
(6.仮押さえ)
ウエハ42の外径合わせが終了した後、外径合わせ機構22を開いた状態に戻す。次いで、外径合わせを終えたウエハ42を載せた昇降ステージ21を、仮接合位置まで上昇させる。昇降ステージ21が仮接合位置に到達した後、仮押さえ具24を接合位置に移動させる。これにより、仮押さえ具24の底面(ガラス41に対向している面)がガラス41の表面に接して、ガラス41の表面を押圧した状態になる。表面が押圧されているガラス41は押圧部分を中心として撓みが生じ、撓んだ部分においてウエハ42に押し当てられた状態となる(図7(f)参照)。・・・(略)・・・」

オ 引用文献5
(ア)原査定で周知技術を示す文献として引用され、本願の出願前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった特開平6-85043号公報(以下「引用文献5」という。)には、次の記載がある。

「【0013】このように本発明に係る水平基板搬送機構においては、基板ホルダ2の搬送ロッド4から及び搬送ロッド4への受渡しと、搬送が、搬送ロッド4を半導体基板1の裏面1Bが表出している基板ホルダ2の上面側に配置した状態で行われるので、搬送ロッド4の固定爪5Aや摺動爪5Bの部分等から基板ホルダ2の受渡しに際して飛散する蒸着物等のごみによって、基板ホルダ2の下面側に表出している半導体基板1の表面1Fが汚染されることはなくなる。」

「【0015】
【実施例】以下本発明を、図示実施例により具体的に説明する。図3は本発明に係る水平基板搬送機構を用いたMBE装置の模式構成図で、図4は上記MBE装置に用いた本発明に係る水平基板搬送機構の一実施例の模式図である。図3及び図4を通じ同一対象物は同一符合で示す。
【0016】図3に示すように、本発明に係る水平基板搬送機構を用いたMBE装置は、結晶成長室11と基板搬送室12とがゲートバルブ13を介して結合されている。結晶成長室11は、上昇・下降が可能な、基板ホルダ2を加熱・回転させるための基板マニピュレータ14と分子線源15で主に構成され、基板マニピュレータ14は基板ホルダ2と共に基板を加熱する基板加熱ヒータ16を内蔵し、下部に基板ホルダ2を保持するためのL字型の爪17A と逆L字型の爪17B とが対向して設けられている。一方、基板搬送室12は基板ホルダ2を多数枚収納するホルダカセット18と本発明に係る搬送ロッド4及び搬送ロッド4を移動させるためのロッドポート19で主に構成されており、搬送ロッド4の先端の基板ホルダ保持部4Sの下面には、基板ホルダ2を保持するための固定爪5Aと摺動爪5Bとが対向して設けられている。なお、ホルダカセット18の左右の壁には搬送ロッド4が通過できるようなスリット状の開口部(図示せず)が設けられている。
【0017】また、搬送ロッド4は図4に基板ホルダ2を保持している状態を示すように、その先端部側に、搬送ロッド4の先端に設けたL字型の固定爪5Aと、基板ホルダ2のサイズに合わせた位置に対向して配置された外部駆動機構(例えばマグネットカップリング方式)により摺動可能な逆L字型の摺動爪5Bとによって基板ホルダ保持部4Sが構成され、これら2種類の爪によって搬送ロッド4の基板保持部4Aの下部に基板ホルダ2を保持する。なお、基板ホルダ2は基板セット用開孔3を有し、この開孔3上に半導体ウエーハ1が、エピタキシャル成長の行われる表面1Fを下に向けて固定されるのは既述の通りである。
【0018】上記MBE装置における、基板搬送室12から結晶成長室11への基板ホルダ2の搬送は以下の方法により行われる。(図3及び図4参照)即ち、基板搬送室12のホルダカセット18に、半導体基板1が前記のように固定された基板ホルダ2をセットし、真空引きを行い、10^(-6)Torr以下に真空引き後、ゲートバルブ13を開く。なお、結晶成長室11は予め真空引きされている。」

(イ)上記記載から、引用文献5には、次の技術が記載されていると認められる。
「MBE装置の、内部が真空引きが行われる基板搬送室で用いられる基板ホルダであって、
基板セット用開孔を有し、
基板ホルダの下面側に表出している半導体ウエーハがこの開孔上に固定される技術。」

カ 引用文献6
(ア)原査定で周知技術を示す文献として引用され、本願の出願前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった特開2008-91615号公報(以下「引用文献6」という。)には、次の記載がある。

「【0029】
(実施形態2) 図5は処理装置として本実施形態2に用いられる一般的なMBE装置を示す概略図であり、図6は図5のMBE装置内の基板ホルダ上に被加工処理基板を設置した状態を示す概略断面図であり、図7は図6の被加工処理基板を第1主面側から見た平面図である。 MBE装置20は、真空チャンバー21内に基板加熱ヒータ22を備えた回転マニピュレータ23を有し、回転マニピュレータ23の下部に基板ホルダ24が取り付けられている。また、真空チャンバー21には、基板ホルダ24の下方に分子線源セル25が備えられると共に、内部に原料を充填するための図示しない開閉部と、内部ガスを排気する図示しない排気口が備えられており、排気口はトラップ、真空ポンプ等に接続されている。なお、MBE法では液体材料を使用する場合があるため、原料の充填量を多くするためにも処理基板に下向きに結晶成長させる方式が主流である。 基板ホルダ24は、材質が例えばモリブデンであり、その上面には、図6に示すように、被加工処理基板26とほぼ同じ形状およびサイズの凹部26aが形成されると共に、凹部26aの底面に窓部26bが形成されている。」

「【0032】
MBE装置20による加工処理に際して、被加工処理基板26は、基板ホルダ24の凹部24aに支持突起26bを下にして設置される。このとき、図6に示すように、基板ホルダ24の凹部24aの底面と処理基板26の第1主面26cとの間には支持突起26bの高さ分の隙間が存在する。また、基板本体26aの第1主面26cにおける素子形成領域は、凹部24aの窓部24bによって下方に露出している。・・・」

(イ)上記記載から、引用文献6には、次の技術が記載されていると認められる。
「MBE装置の真空チャンバー内で用いられる基板ホルダであって、
その上に被加工処理基板が設置され、
その上面には、被加工処理基板とほぼ同じ形状およびサイズの凹部が形成されると共に、凹部の底面に窓部が形成されており、
基板は、凹部の窓部によって下方に露出している技術。」

キ 引用文献7
(ア)本願の出願前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった特開2015-43387号公報(以下「引用文献7」という。)には、次の記載がある。

「【0003】
図6?8に従来の枚葉式の気相エピタキシャル成長装置の構成を示す。従来の気相エピタキシャル成長装置100は、図6によく示される如く、透明石英からなる反応容器101内に1枚ずつセットされた基板Wを、上下より赤外線ランプ106を用いて輻射加熱しながら、エピタキシャル層を気相成長させるものである。この赤外線ランプ106は反応容器101の外部上側及び外部下側に配置されている。
【0004】
前記反応容器101内には、基板Wを載置するためのサセプタ102が水平に配設されており、該サセプタ102はその一部が裏面に当接するサセプタサポート103により支持されている。サセプタサポート103は、図7によく示される如く、中心部に設けられたサポートシャフト105と、前記サポートシャフト105から120°間隔を有して放射状に形成された3本の支持アーム105a?105cとで構成されている。サセプタサポート103の下方には回転機構が連結されており、これにより、サセプタ102はサセプタサポート103とともに水平面内で回転できるようになっている。
【0005】
サセプタ102は、上面に形成された座ぐり部121に基板Wを収容し、座ぐり部121には、最外周部より内側に複数のサセプタ貫通孔108が設けられている。また、反応容器101の側壁部から該サセプタ102の外周至近部にかけて設けられるリング104により周回されている。このリング104は、前記サセプタ102と共働して反応容器101の内部空間を上部空間101aと下部空間101bとに分割する。上部空間101aでは、ガス供給口109aからキャリアガスと共に導入された反応ガスが、基板Wの表面をほぼ層流を形成しながら流れ、反対側の排気口120aから排気される。前記リング104は、ガス供給口109aから基板Wに至るまでの間に反応ガスの温度を前もって加熱する役割を果たすものである。一方の下部空間101bにおいては、ガス供給口109bから雰囲気ガスが供給され、反対側の排気口120bより排気される。」

「【0020】
図1?4に、本発明に係る気相エピタキシャル成長装置の一つの実施の形態を示す。本発明の気相エピタキシャル成長装置10は、反応ガスを基板Wに対して水平に導入して、基板W上に薄膜を気相成長させるための反応容器11と、前記反応容器11内に水平に配置され、前記基板Wを載置するための座ぐり部21を備え、該座ぐり部21の最外周部より内側に2以上のサセプタ貫通孔18が設けられているサセプタ12と、前記サセプタ12の上下に配設される加熱手段16と、前記サセプタ12の下面23に設けられ、前記サセプタ12を支持するサセプタサポート13と、を有し、前記サセプタサポート13が、前記サセプタ貫通孔18の全てを覆う領域まで前記サセプタ下面23をカバーするようにその周縁端部22を前記サセプタ下面23に当接せしめて前記サセプタ下面23との接触面に間隙がないように円周支持するサセプタ下面カバー部24と、前記サセプタ下面カバー部24の中心に設けられたサポートシャフト15と、前記サセプタ下面カバー部24の中心付近に設けられた少なくとも一つのサセプタ下面カバー部貫通孔26a?26dと、を備え、前記サセプタ下面カバー部貫通孔26a?26dが、前記サセプタ下面カバー部24の周縁端部22よりも下方に位置するように構成されている。前記加熱手段16としては赤外線ランプを用いた例を示した。 」

(イ)上記記載から、引用文献7には、次の技術が記載されていると認められる。
「気相成長装置で用いられるサセプタであって、
反応容器内に水平に配置され、基板Wを載置するための座ぐり部を備え、
該座ぐり部の最外周部より内側に2以上のサセプタ貫通孔が設けられている技術。」

ク 引用文献8
(ア)本願の出願前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった特開2013-201432号公報(以下「引用文献8」という。)には、次の記載がある。

「【0012】
(第1参考例)
図1及び図2は、本発明の第1参考例に係るICP(誘導結合プラズマ)型のドライエッチング装置1を示す。
【0013】
ドライエッチング装置1は、その内部が基板2にプラズマ処理を行う処理室を構成する減圧可能なチャンバ(真空容器)3を備える。チャンバ3の上端開口は石英等の誘電体からなる天板4により密閉状態で閉鎖されている。天板4上にはICPコイル5が配設されている。ICPコイル5にはマッチング回路6を介して、高周波電源7が電気的に接続されている。天板4と対向するチャンバ3内の底部側には、バイアス電圧が印加される下部電極としての機能及び基板2の保持台としての機能を有する基板サセプタ9が配設されている。
【0014】
チャンバ3には、隣接するロードドック室10(図2参照)と連通する開閉可能な搬入出用のゲート3aが設けられている。また、チャンバ3に設けられたエッチングガス供給口3bには、エッチングガス供給源12が接続されている。エッチングガス供給源12はMFC(マスフローコントローラ)等を備え、エッチングガス供給口3bから所望の流量でエッチングガスを供給できる。さらに、チャンバ3に設けられた排気口3cには、真空ポンプ等を備える真空排気装置13が接続されている。
【0015】
本参考例では、図3から図4Bに示す1個のトレイ15に4枚の基板2が収容され、トレイ15はゲート3aを通ってロードドック室10からチャンバ3内(処理室)に搬入される。図2を参照すると、水平方向の直進移動(矢印A参照)と水平面内での回転(矢印B参照)が可能な搬送アーム16が設けられている。・・・(略)・・・一方、プラズマ処理終了後のトレイ15の搬出時には、昇降ピン18が上昇位置まで上昇し、続いてロードドック室10からチャンバ3内に進入した搬送アーム16にトレイ15が移載される。
・・・(略)・・・
【0020】
トレイ本体15aには、上面15bから下面15cまで厚み方向に貫通する4個の基板収容孔19A?19Dが設けられている。基板収容孔19A?19Dは、上面15b及び下面15cから見てトレイ本体15aの中心に対して等角度間隔で配置されている。図8Aから図8Cに最も明瞭に示すように、基板収容孔19A?19Dの孔壁15dの下面15c側には、基板収容孔19A?19Dの中心に向けて突出する基板支持部21が設けられている。本参考例では、基板支持部21は孔壁15dの全周に設けられており、平面視で円環状である。個々の基板収容孔19A?19Dに周方向に互いに間隔をあけて配置した複数の基板支持部21を設けてもよい。
【0021】
個々の基板収容孔19A?19Bにはそれぞれ1枚の基板2が収容される。図8Aに示すように、基板収容孔19A?19Bに収容された基板2は、その下面2aの外周縁部分が基板支持部21の上面21aに支持される。また、前述のように基板収容孔19A?19Dはトレイ本体15aを厚み方向に貫通するように形成されているので、トレイ本体15aの下面15c側から見ると、基板収容孔19A?19Dにより基板2の下面2aが露出している。」

(イ)上記記載から、引用文献8には、次の技術が記載されていると認められる。
「ドライエッチング装置のロードロック室で用いられるトレイであって、
厚み方向に貫通する基板収容孔が設けられており、
トレイ本体の下面側から見ると、基板収容孔により基板の下面が露出している技術。」

ケ 引用文献9
(ア)本願の出願前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった特開2007-116020号公報(以下「引用文献9」という。)には、次の記載がある。

「【0009】
まず図1、図2を参照してプラズマ処理装置について説明する。図1において、プラズマ処理装置は、処理容器としての真空チャンバ1を備えており、真空チャンバ1内には、プラズマ処理を減圧雰囲気で行うための処理空間2が形成される。真空チャンバ1の内部には、下部電極3および上部電極4が上下に対向して配設されている。下部電極3は下方に延出した支持部3aによって真空チャンバ1に電気的に絶縁された状態で装着され、さらに真空チャンバ1の底部に装着された誘電体7によって外周を保持されている。また上部電極4は上方に延出した支持部4aによって真空チャンバ1と導通した状態で装着されている。」

「【0012】
真空チャンバ1には給排気口1bが設けられており、処理空間2は第1の圧力センサ9を介して第1の経路切替バルブ10に接続されている。第1の経路切替バルブ10の給気ポート10a側、排気ポート10b側にはそれぞれベントバルブ11および第1の開閉バルブ12が接続されており、第1の開閉バルブ12にはさらに真空排気用ポンプ13が接続されている。第1の経路切替バルブ10を排気ポート10b側へ切り替えた状態で第1の開閉バルブ12を開状態にし、真空排気用ポンプ13を駆動することにより、真空チャンバ1内が真空排気され処理空間2が減圧される。また第1の経路切替バルブ10を給気ポート10a側へ切り替えた状態でベントバルブ11を開状態にすることにより、真空チャンバ1内には大気が導入され、処理空間2の真空破壊が行われる。真空排気用ポンプ13は、真空チャンバ1内を排気する真空排気部となっている。」

コ 引用文献10
(ア)本願の出願前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった特開2011-204944号公報(以下「引用文献10」という。)には、次の記載がある。

「【0026】
基板処理装置1は、基板Wに対して処理を施す処理部2と、この処理部2の一方側に結合されたインデクサ部3と、インデクサ部3の処理部2と反対側に並べて配置された複数個(図1では3つ)の収容器保持部4とを備えている。収容器保持部4は、基板収容器17を保持するためのものであり、所定の水平方向(図1に示すY方向)に沿って配列されている。基板収容器17は、たとえば25枚の基板Wを密閉状態で収容するFOUP(Front Opening Unified Pod)である。基板収容器17の一側面には基板Wを取り出すための開口(図示しない)が形成されており、基板収容器17の一側面の蓋(図示しない)によって開口が開閉されるようになっている。」

「【0031】
また、シャトル搬送機構7の移動領域とインデクサ搬送路5との間には第1隔壁12が設けられ、シャトル搬送機構7の移動領域と主搬送ロボット9との間には第2隔壁13が設けられている。したがって、シャトル搬送機構7は、第1隔壁12、第2隔壁13、周囲の処理チャンバ10および流体ボックス11によって囲まれたシャトル搬送空間14内に配置されている。シャトル搬送空間14は、インデクサ搬送路5および主搬送ロボット9が設けられている搬送路8から雰囲気的に隔離されている。また、第1隔壁12には第1窓部15が設けられており、第1窓部15はシャッターによって開閉可能に構成されている。インデクサロボット6とシャトル搬送機構7との間で基板Wの受け渡しが行われる際には、第1窓部が開けられて基板Wの受け渡しが行われる。一方、第2隔壁13には第2窓部16が設けられており、第2窓部16もシャッターによって開閉可能に構成されている。主搬送ロボット9とシャトル搬送機構7との間で基板Wの受け渡しが行われる際には、第2窓部が開けられて基板Wの受け渡しが行われる。シャトル搬送機構7およびシャトル搬送空間14の詳細については後述する。」

「【0043】
図3はシャトル搬送空間14の図解的な側面図である。シャトル搬送空間14にはシャトル搬送機構7とランプハウス57が配置されている。シャトル搬送機構7は、シャトル本体部51、ハンド52、53、昇降シリンダ54、55および搬送レール56を有する。・・・(略)・・・
【0047】
第1隔壁12の上方には、第1給排気口60が設けられている。第1給排気口60はシャトル搬送空間14のY方向に沿って延びるように設けられている。第1給排気口60には第1給排気配管61が接続されており、第1給排気配管61は図示しない排気機構に接続されている。第1給排気配管61の途中部には第1排気バルブ62が介装されている。また、第1給排気配管61には第1ガス供給配管63が分岐接続されている。第1ガス供給配管63は、さらに第1窒素ガス供給配管64と第1クリーンエア供給配管65とに分岐している。第1窒素ガス供給配管64には図示しない窒素ガス供給源が接続されており、第1クリーンエア供給配管65には図示しないクリーンエア供給源が接続されている。第1窒素ガス供給配管64には第1窒素ガスバルブ66が介装され、第1クリーンエア供給配管65には第1クリーンエアバルブ67が介装されている。これにより、第1給排気口60から窒素ガスもしくはクリーンエアもしくはこれらの混合気体をシャトル搬送空間14に供給したり、第1給排気口60からシャトル搬送空間14内の排気を行うことができる。
【0048】
第2隔壁16の上方には、第2給排気口68が設けられている。第2給排気口68はシャトル搬送空間14のY方向に沿って延びるように設けられている。第2給排気口68には第2給排気配管69が接続されており、第2給排気配管69は図示しない排気機構に接続されている。第2給排気配管69の途中部には第2排気バルブ70が介装されている。また、第2給排気配管69には第2ガス供給配管71が分岐接続されている。第2ガス供給配管71は、さらに第2窒素ガス供給配管72と第2クリーンエア供給配管73とに分岐している。第2窒素ガス供給配管72には窒素ガス供給源が接続されており、第2クリーンエア供給配管73にはクリーンエア供給源が接続されている。第2窒素ガス供給配管72には第2窒素ガスバルブ74が介装され、第2クリーンエア供給配管73には第2クリーンエアバルブ75が介装されている。これにより、第2給排気口68から窒素ガスもしくはクリーンエアもしくはこれらの混合気体をシャトル搬送空間14に供給したり、第2給排気口68からシャトル搬送空間14内の排気を行うことができる。」

(3)引用発明との対比
ア 本件補正発明と引用発明とを対比する。

(ア)引用発明の「基板ロード部A」は本件補正発明の「搬出入室」に対応するものであり、引用発明の「基板ロード部A」を構成する「トレイ等のサセプタ8」、「基板7」、「真空排気ポンプ」、「基板ホルダ15」、「スライド蓋10」、「スライド蓋駆動部18」、「パッドホルダー21」、「基板押さえパッド6」は、それぞれ、本件補正発明の「搬出入室」を構成する「トレイ」、「基板」、「真空排気装置」、「台」、「蓋部材」、「移動装置」、「支持板」、「押圧部」に相当する。
引用発明の「サセプタ受け9」は、基板ホルダー15の上面に設けられた受け部材であるから、本件補正発明の「突起」に相当する。

(イ)引用発明の「基板7」と「サセプタ8」とを併せたものは、本件補正発明の「処理対象物」に対応し、引用発明は、「基板ホルダー15上のサセプタ8に基板7を載置した後」、「その空間は密閉され」、「この密閉状態において、排気口12を通して真空排気装置によって真空排気し、真空状態とされ」る「基板ロード部A」であるから、本件補正発明と引用発明とは、「トレイと、前記トレイ上に配置された基板とを有する処理対象物が内部に配置され、真空排気装置によって内部が真空排気される搬出入室」である点で共通する。

(ウ)引用発明では、「ベース室13内において、仕切りフランジ2の下部には基板ホルダー15(台)が設けられ」、「仕切りフランジ2の上方をスライド蓋10(蓋部材)で閉じることで大気側と分離し、仕切りフランジ2の下方を基板ホルダー15(台)で閉じることで、その内部を密閉し、排気口12を通して真空排気することで真空状態を形成することができ」、「基板ホルダー15(台)の上面には、基板7(基板)を載置するためのトレイ等のサセプタ8(トレイ)を支持するサセプタ受け9(突起)が設けられ」、「スライド蓋10(蓋部材)の上下方向の昇降動作と横方向のスライド動作は、スライド蓋駆動部18(移動装置)およびスライド部19によって行われる」ものであるから、本件補正発明と引用発明とは、「突起が設けられた台」と、「前記台との間に真空雰囲気が形成される容器形形状の蓋部材」と、「前記搬出入室の内部を排気する排気口」とを有し、「前記蓋部材は前記蓋部材を上下移動させる移動装置に接続され」る点で共通する。

(エ)引用発明では、「基板7は、サセプタ8に載置された状態でサセプタ受け9(突起)に支持され、サセプタ8に載置された基板7の裏面と基板ホルダー15(台)との間は離間されて」いるから、本件補正発明と引用発明とは、「前記突起上に前記処理対象物が配置されると、前記基板の裏面と前記台との間は離間され」る点で一致する。

(オ)引用発明では、「スライド蓋10(蓋部材)は、基板7と対向する下方面側に基板7を押圧して位置ずれを抑制するための基板押さえパッド6(押圧部)を備え」るから、本件補正発明と引用発明とは、「前記蓋部材に取り付けられた押圧装置」を有し、「前記押圧装置」には、「押圧部」が設けられたものであるといえる。
また、引用発明では、「基板押さえパッド6(押圧部)は、スライド蓋10(蓋部材)の一部に形成した凹部にパッドホルダー21(支持板)を取り付け、このパッドホルダー21(支持板)に対してスプリング20によって付勢された状態で取り付けられ、スプリング20は、基板押さえパッド6(押圧部)を基板7に向かって付勢し、基板7をサセプタ8(トレイ)の上面に対して押圧し」、「基板ホルダー15(台)上のサセプタ8(トレイ)に基板7を載置した後、スライド部19によってスライド蓋10(蓋部材)を下降させ、仕切りフランジ2の上面端部に当接させて密着させることで、その空間は密閉され、このスライド蓋10(蓋部材))の下降により、基板押さえパッド6(押圧部)は基板7の上面を押圧し、これによって、基板7は所定位置に保持され」、「スライド蓋10(蓋部材)の上下方向の昇降動作と横方向のスライド動作は、スライド蓋駆動部18(移動装置)およびスライド部19によって行われる」から、基板押さえパッド6(押圧部)は、パッドホルダー21(支持板)に設けられ、スライド蓋駆動部18(移動装置)によってスライド蓋10(蓋部材)が下降すると、「基板7とサセプタ8」(処理対象物)に対して下降し、基板7の上面を押圧する。また、スライド蓋10(蓋部材)が基板7に向けて下降すると、基板押さえパッド6(押圧部)は、基板7に接近して基板7の上面を押圧し、基板7はサセプタ8(トレイ)の上面に対して押圧されて所定位置に保持されるといえる。
ここで、基板押さえパッド6(押圧部)が、「基板7の上面を押圧」することは、「基板7に接触」することであるから、そうすると、本件補正発明と引用発明とは、「前記押圧装置が有する支持板には、前記移動装置によって前記蓋部材が下方に移動すると、前記処理対象物に対して下方に移動する押圧部が設けられ」、「前記押圧部は、前記基板に接触する接触部材から成り」、「前記蓋部材が前記基板に向けて移動すると前記接触部材が前記処理対象物に接近して接触し、前記基板は前記押圧部によって前記トレイに押圧されて前記トレイに固定される」点で共通する。

イ 以上のことから、本件補正発明と引用発明との一致点及び相違点は、次のとおりである。
<一致点>
「トレイと、前記トレイ上に配置された基板とを有する処理対象物が内部に配置され、真空排気装置によって内部が真空排気される搬出入室であって、
突起が設けられた台と、
前記台との間に真空雰囲気が形成される容器形形状の蓋部材と、
前記搬出入室の内部を排気する排気口と、
前記蓋部材に取り付けられた押圧装置と、
を有し、
前記蓋部材は前記蓋部材を上下移動させる移動装置に接続され、
前記押圧装置が有する支持板には、前記移動装置によって前記蓋部材が下方に移動すると、前記処理対象物に対して下方に移動する押圧部が設けられ、
前記押圧部は、前記基板に接触する接触部材から成り、
前記突起上に前記処理対象物が配置されると、前記基板の裏面と前記台との間は離間され、前記蓋部材が前記基板に向けて移動すると前記接触部材が前記処理対象物に接近して接触し、前記基板は前記押圧部によって前記トレイに押圧されて前記トレイに固定される搬出入室。」

<相違点>
<相違点1>
「トレイ」と「基板」について、それぞれ、本件補正発明では、「貫通孔が設けられたトレイ」と「前記貫通孔を介して裏面が露出された基板」であるのに対し、引用発明では、「サセプタ8」と「基板7」について、そのような特定はなされていない点。

<相違点2>
押圧部と基板のトレイへの押圧について、本件補正発明では、「前記押圧部」は、「柔軟性を有する弾性体から成る複数個」の接触部材から成り、「前記接触部材が変形すると、前記接触部材の復元力」でトレイに押圧されるという構成を備えるのに対し、引用発明では、「基板押さえパッド6」は、「接触部材から成」るものの、本件補正発明の上記のような特定はなされていない点。

<相違点3>
本件補正発明は、「前記搬出入室の内部を給排気する給排気口」を有するのに対し、引用発明は、「その内部を密閉し、排気口12を通して真空排気することで真空状態を形成することができ」るものの、本件補正発明の当該構成について特定されていない点。

(4)判断
以下、相違点について検討する。

ア 相違点1について
内部が真空排気されるチャンバ内で用いられる、基板を載置するサセプタであって、貫通孔が設けられ、当該貫通孔を介して基板の下面が露出されるように構成されたものは、例えば、上記(2)の「オ 引用文献5」ないし「ク 引用文献8」に記載のように、周知・慣用手段である。
引用発明の「サセプタ8」は、「真空排気し、真空状態とされ」る、基板ロード装置1の「基板ロード部A」に配置されるものであるから、「内部が真空排気されるチャンバ内で用いられる、基板を載置するサセプタ」であるといえる。
そうすると、引用発明の「サセプタ8」と上記周知・慣用手段のサセプタとは、いずれも、「内部が真空排気されるチャンバ内で用いられる、基板を載置するサセプタ」である点で共通するから、引用発明において、当該周知・慣用手段を適用して、「サセプタ8」を貫通孔が設けられた構成とすることは、当業者であれば適宜なし得たことである。
そのような場合に、基板8が、「前記貫通孔を介して裏面が露出された基板」となることは明らかである。
したがって、引用発明において、引用文献5-8に記載された上記周知・慣用手段を適用して、相違点1に係る本件補正発明の構成とすることは、当業者が容易になし得たことである。

イ 相違点2について
上記(2)の「ウ 引用文献3」で摘記したように、引用文献3には、2枚の基板の貼合装置であって、箱状を呈し、気密構造となっている処理容器11、押圧部14が設けられており、押圧部14には、移動部14a、移動軸14b、およびパッド14cが設けられており、パッド14cで、支持爪13aに支持された基板W2の略中央部を押圧する貼合装置において、パッド14cは、軟質の弾性体から形成されるため、基板W2の損傷を抑制することができ、例えば、シリコンゴムやフッ素ゴムなどの軟質樹脂により形成することができる旨が記載されている。

上記(2)の「エ 引用文献4」で摘記したように、引用文献4には、基板と支持体(サポートプレートであるガラス)とを貼り合わせる装置1のロードロック室6内部において、上下への移動が可能で、下方に移動すると、ガラスの表面と接触し、押圧した状態にする仮押さえ具(位置固定手段、押し当て部材)24が設けられており、仮押さえ具24は、ガラスとウエハとを重ね合わせる際の位置ズレを防止する部材であり、フッ素樹脂等により形成する旨が記載されている。

引用文献3、4に例示されるように、気密構造となっている容器内で用いられ、上下への移動が可能で、基板やガラスに接触し、押圧した状態にする押圧部材をフッ素樹脂やシリコン樹脂等の弾性部材により形成することは、周知技術である。
そして、引用発明において、基板押さえパッド6は、「基板7と対向する下方面側に基板7を押圧して位置ずれを抑制するための基板押さえパッド6」であり、スプリング20により、基板7は「サセプタ8(トレイ)の上面に対して押圧」されるものであり、また、「基板押さえパッド6は基板7の上面を押圧し、これによって、基板7は所定位置に保持され」るものであるから、引用発明の「基板押さえパッド6」と上記周知技術の弾性部材は、いずれも、気密構造となっている容器内で用いられ、上下への移動が可能で、基板等に接触し、押圧した状態にする押圧部材である点で共通する。
また、引用文献1の段落[0087]には、「基板押さえパッド6の設置位置や設置個数は、基板の枚数や配置に応じて定めることができる。」と記載されているから、引用発明において、「基板押さえパッド6」を複数個とすることは当業者であれば適宜なし得たことである。
したがって、引用発明において、引用文献3、4に記載された当該周知技術を適用して、基板押さえパッド6を弾性部材により複数個形成することで、相違点2に係る本件補正発明の、「柔軟性を有する弾性体から成る複数個」の接触部材から成り、「前記接触部材が変形すると、前記接触部材の復元力」でトレイに押圧されるという構成を備えるのものとすることは、当業者が適宜なし得たことである。

ウ 相違点3について
内部が密閉され、真空排気することで真空状態を形成することができる真空チャンバや基板搬出入室において、内部を給排気する給排気口を有するものは、例えば、上記(2)「ケ 引用文献9」ないし「コ 引用文献10」に例示されるように、周知技術である。
引用発明の基板ロード部Aは、「真空排気することで真空状態を形成することができ」る基板ロード部(基板搬出入室)であり、また、当該基板ロード部Aは、その内部をベントする際などに給気する必要があることも明らかである。
したがって、引用発明において、上記周知技術に基づき、排気口12を給排気口とするものとすることは、当業者であれば適宜なし得たことである。
よって、引用発明において、引用文献9、10に記載された上記周知技術を適用して、相違点3に係る本件補正発明の構成とすることは、当業者が容易になし得たことである。

エ そして、これらの相違点を総合的に勘案しても、本件補正発明の奏する作用効果は、引用発明及び引用文献3ないし10に記載された上記周知技術の奏する作用効果から予測される範囲内のものにすぎず、格別顕著なものということはできない。

オ したがって、本件補正発明は、引用発明及び引用文献3ないし10に記載された上記周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第29条第2項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。

3 本件補正についてのむすび
よって、本件補正は、特許法第17条の2第6項において準用する同法第126条第7項の規定に違反するので、同法第159条第1項の規定において読み替えて準用する同法第53条第1項の規定により却下すべきものである。
よって、上記補正の却下の決定の結論のとおり決定する。

第3 本願発明について
1 本願発明
令和1年12月20日にされた手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項1ないし14に係る発明は、令和1年8月27日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項1ないし14に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項8に係る発明(以下「本願発明」という。)は、その請求項8に記載された事項により特定される、前記第2[理由]1(2)に記載のとおりのものである。

2 原査定の拒絶の理由
原査定の拒絶の理由は、この出願の請求項1、5、8、12に係る発明は、本願の出願前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった下記の引用文献1に記載された発明並びに引用文献2に記載された事項及び引用文献5、6に記載された周知技術に基づいて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであり、請求項2-4、6、7、9-11、13、14に係る発明は、本願の出願前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった下記の引用文献1に記載された発明並びに引用文献2に記載された事項及び引用文献3ないし6に記載された周知技術に基づいて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第29条第2項の規定により特許を受けることができない、というものである。

引用文献1:国際公開第2009/054064号
引用文献2:国際公開第2017/146204号
引用文献3:特開2017-195411号公報(周知技術を示す文献)
引用文献4:特開2012-059758号公報(周知技術を示す文献)
引用文献5:特開平06-085043号公報(周知技術を示す文献)
引用文献6:特開2008-091615号公報(周知技術を示す文献)

3 引用文献
原査定の拒絶の理由で引用された引用文献1ないし6及びその記載事項は、前記第2の[理由]2(2)に記載したとおりである。

4 対比・判断
(1)引用発明との対比
本願発明と引用発明とを対比する。
本願発明は、前記第2の[理由]2で検討した本件補正発明から、「押圧部」に係る限定事項、及び、「前記基板は前記押圧部によって押圧され」る内容についての限定事項を削除したものである。
前記第2の[理由]2(3)アのとおりであるから、本願発明と引用発明との一致点及び相違点は、次のとおりである。

<一致点>
「トレイと、前記トレイ上に配置された基板とを有する処理対象物が内部に配置され、真空排気装置によって内部が真空排気される搬出入室であって、
突起が設けられた台と、
前記台との間に真空雰囲気が形成される容器形形状の蓋部材と、
前記搬出入室の内部を排気する排気口と、
前記蓋部材に取り付けられた押圧装置と、
を有し、
前記蓋部材は前記蓋部材を上下移動させる移動装置に接続され、
前記押圧装置が有する支持板には、前記移動装置によって前記蓋部材が下方に移動すると、前記処理対象物に対して下方に移動する押圧部が設けられ、
前記突起上に前記処理対象物が配置されると、前記基板の裏面と前記台との間は離間され、前記蓋部材が前記基板に向けて移動すると、前記基板は前記押圧部によって押圧されて前記トレイに固定される搬出入室。」

<相違点>
<相違点A>
「トレイ」と「基板」について、それぞれ、本願発明では、「貫通孔が設けられたトレイ」と「前記貫通孔を介して裏面が露出された基板」であるのに対し、引用発明では、「サセプタ8」と「基板7」について、そのような特定はなされていない点。

<相違点B>
本願発明は、「前記搬出入室の内部を給排気する給排気口」を有するのに対し、引用発明は、「その内部を密閉し、排気口12を通して真空排気することで真空状態を形成することができ」るものの、本願発明の当該構成について特定されていない点。

(2)判断
以下、相違点について検討する。

ア 相違点Aについて
相違点Aは、前記第2の[理由]2(3)イに記載した<相違点1>と同じである。
一方、同(2)イに記載したとおり、引用文献2に記載の技術は、「処理対象基板25が保持される基板ホルダ24」(本願発明の「トレイ」に対応する。)が記載されているものの、基板ホルダ24は貫通孔が設けられたものであることは記載も示唆もされていない。
したがって、同(4)「ア 相違点1について」に記載した判断と同様に、引用発明において、引用文献5-8に記載された上記周知・慣用手段を適用して、相違点Aに係る本願発明の構成とすることは、当業者が容易になし得たことである。

イ 相違点Bについて
相違点Bは、前記第2の[理由]2(3)イに記載した<相違点3>と同じである。
したがって、同(4)「ア 相違点1について」に記載した判断と同様に、引用発明において、引用文献9、10に記載された上記周知技術を適用して、相違点Bに係る本願発明の構成とすることは、当業者が容易になし得たことである。

ウ そして、これらの相違点を総合的に勘案しても、本願発明の奏する作用効果は、引用発明及び引用文献5ないし10に記載された上記周知技術の奏する作用効果から予測される範囲内のものにすぎず、格別顕著なものということはできない。

オ したがって、本願発明は、引用発明及び引用文献5ないし10に記載された上記周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。

第4 むすび
以上のとおり、本願発明は、特許法第29条第2項の規定により特許を受けることができないから、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。

よって、結論のとおり審決する。
 
審理終結日 2020-09-30 
結審通知日 2020-10-06 
審決日 2020-10-20 
出願番号 特願2018-37898(P2018-37898)
審決分類 P 1 8・ 575- Z (H01L)
P 1 8・ 121- Z (H01L)
最終処分 不成立  
前審関与審査官 宮久保 博幸  
特許庁審判長 辻本 泰隆
特許庁審判官 恩田 春香
小川 将之
発明の名称 真空処理装置、搬出入室  
代理人 高橋 満  
代理人 大森 純一  
代理人 日比野 幸信  
代理人 中村 哲平  
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