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審決分類 審判 査定不服 5項独立特許用件 特許、登録しない。 H01L
審判 査定不服 2項進歩性 特許、登録しない。 H01L
管理番号 1377216
審判番号 不服2020-14189  
総通号数 262 
発行国 日本国特許庁(JP) 
公報種別 特許審決公報 
発行日 2021-10-29 
種別 拒絶査定不服の審決 
審判請求日 2020-10-09 
確定日 2021-08-18 
事件の表示 特願2017-512650「処理のために基板を支持する静電キャリア」拒絶査定不服審判事件〔平成27年11月19日国際公開,WO2015/175429,平成29年 7月 6日国内公表,特表2017-518649〕について,次のとおり審決する。 
結論 本件審判の請求は,成り立たない。 
理由 第1 手続の経緯
本願は,2015年5月11日(パリ条約による優先権主張外国庁受理2014年5月16日,アメリカ合衆国)を国際出願日とする出願であって,その手続の経緯は以下のとおりである。
平成31年 3月12日付け:拒絶理由通知書
令和 元年 6月14日 :意見書,手続補正書の提出
令和 元年10月21日付け:拒絶理由通知書(最後)
令和 2年 1月 6日 :意見書の提出
令和 2年 6月 2日付け:拒絶査定
令和 2年10月 9日 :審判請求書,手続補正書の提出

第2 令和2年10月9日にされた手続補正についての補正の却下の決定
[補正の却下の決定の結論]
令和2年10月9日にされた手続補正(以下「本件補正」という。)を却下する。

[理由]
1 本件補正について(補正の内容)
(1)本件補正後の特許請求の範囲の記載
本件補正により,特許請求の範囲の請求項1の記載は,次のとおり補正された。(下線部は,補正箇所である。)
「【請求項1】
処理のために基板を支持するキャリアであって,
上側と底側を有する上側誘電体プレートであって,静電力を使用して前記プレートの上側において基板に取り付けられるように構成された,上側誘電体プレート,
チャックに支持されるように構成された底側を有し,前記上側誘電体プレートの底側に連結された誘電体ベースプレート,
前記誘電体ベースプレートと上側誘電体プレートの間で,前記上側誘電体プレートの前記上側と平行に前記誘電体ベースプレートにわたって延在する電極であって,前記電極は前記誘電体ベースプレート中には延在せず,前記誘電体ベースプレートと上側誘電体プレートの間に静電気帯電を有するように構成され,第1の帯電の電極が第2の帯電の電極の近くに配置されるように形成された,電極,及び
前記誘電体ベースプレートの前記底側から前記誘電体ベースプレートを通って前記電極まで延在し,前記電極を前記誘電体ベースプレートの前記底側を通って静電気帯電の電源に接続し,前記キャリアが前記チャックに支持される際に覆われるように構成されたコネクタを備える,キャリア。」

(2)本件補正前の特許請求の範囲
本件補正前の,令和元年6月14日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項1の記載は次のとおりである。
「【請求項1】
処理のために基板を支持するキャリアであって,
上側と底側を有する上側誘電体プレートであって,静電力を使用して前記プレートの上側において基板に取り付けられるように構成された,上側誘電体プレート,
チャックに支持されるように構成された底側を有し,前記上側誘電体プレートの底側に連結された誘電体ベースプレート,
前記誘電体ベースプレートと上側誘電体プレートの間で,前記上側誘電体プレートの前記上側と平行に前記誘電体ベースプレートにわたって延在する電極であって,前記誘電体ベースプレートと上側誘電体プレートの間に静電気帯電を有するように構成され,第1の帯電の電極が第2の帯電の電極の近くに配置されるように形成された,電極,及び
前記誘電体ベースプレートの前記底側から前記誘電体ベースプレートを通って前記電極まで延在し,前記電極を前記誘電体ベースプレートの前記底側を通って静電気帯電の電源に接続し,前記キャリアが前記チャックに支持される際に覆われるように構成されたコネクタを備える,キャリア。」

2 補正の適否
本件補正は,本件補正前の請求項1に記載された発明を特定するために必要な事項について,上記のとおり限定を付加するものであって,補正前の請求項1に記載された発明と補正後の請求項1に記載される発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるから,特許法17条の2第5項2号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
そこで,本件補正後の請求項1に記載される発明(以下「本件補正発明」という。)が同条6項において準用する同法126条7項の規定に適合するか(特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか)について,以下,検討する。

(1)本件補正発明
本件補正発明は,上記1(1)に記載したとおりのものである。

(2)引用文献の記載事項
ア 引用文献1
(ア)原査定の拒絶の理由で引用された本願の優先日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった引用文献である,米国特許出願公開第2004/0037692号明細書(以下「引用文献1」という。)には,図面とともに,次の記載がある。(下線は当審で付した。日本語訳は当審で作成した。以下,同じ。)
「FIELD OF THE INVENTION
[0001]The present invention relates to the field of holding devices for wafers and especially to the field of electrostatic holding devices for wafers.」
(発明の分野
[0001]本発明は,ウェハのための保持装置の分野に関するものであり,特にウェハの静電保持装置の分野に関する。)

「[0017]A preferred embodiment of the present inventtion comprises a mobile holder with a flat base element comprising a circular silicon wafer. On the front face of the base element an insulating layer is formed which has, in turn, formed thereon a first electrode and a second electrode in spaced relationship with one another. The insulating layer consists of an electrically insulating material, such as silicon oxide. The electrodes are provided with respective connecting areas so that they can be connected to electric leads. The mobile holder is additionally provided with a functional layer arranged over the full area of the first electrode and of the second electrode and consisting of a material which contains movable ions. In the preferred embodiment, the functional layer allows the mobile holder to be in an active state without being connected to an external voltage source. On top of the insulating layer a cover consisting of an insulating material, such as silicon oxide, silicon nitride or silicon carbide, is formed as a protective layer over the full area of the insulating layer.
[0018]In an alternative embodiment, the mobile holder comprises an active layer consisting of a material having a high dielectric constant.
[0019]In a further embodiment, the mobile holder has a matrix electrode structure in which individual electrodes can be controlled purposefully and supplied with voltages so as to permit a pixelwise removal of chips.
[0020]Furthermore, another embodiment is provided with feed-through leads for the first electrode and the second electrode, which extend through the base element so as to permit a connection of the electrodes from the back of the base element.
[0021]In one embodiment, the second fixing means constitutes the area of the back of the mobile holder. In this embodiment, the support for the mobile holder is a conventional vacuum wafer chuck, the mobile holder being attached to the vacuum wafer chuck by a vacuum applied between the second fixing means and a fixing area of the wafer chuck.
[0022]In a further embodiment, the second fixing means is a margin of the mobile holder. In this embodiment, an attachment of the mobile holder to a known support is achieved in that the support mechanically grips the mobile holder on the margin thereof.
[0023]Furthermore, in the case of still another embodiment, the edge of the mobile holder constitutes the second fixing means, a known support fixing the mobile holder by mechanically gripping the mobile holder at the edge thereof.
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS
[0024]In the following, preferred embodiments of the present invention will be explained in detail making reference to the drawings enclosed, in which
[0025]FIG. 1 shows a cross-sectional view of a mobile holder according to one embodiment of the present invention; and
[0026]FIG. 2 shows a top view of a mobile holder according to one embodiment of the present invention. 」
([0017]本発明の好ましい実施形態は,円形のシリコンウェハーからなる平坦なベースエレメントを有するモバイルホルダーからなる。ベースエレメントの前面には,絶縁層が形成されており,この絶縁層は,互いに間隔をおいて配置された第1の電極および第2の電極をその上に形成している。絶縁層は,例えば酸化シリコンのような電気的に絶縁性の材料で構成されている。電極は,電気的リード線に接続できるように,それぞれの接続部を備えている。可動ホルダーは,第1の電極および第2の電極の全領域にわたって配置され,可動イオンを含む材料からなる機能層をさらに備える。好ましい実施形態では,機能層は,外部電圧源に接続されていなくても,モバイルホルダーをアクティブな状態にすることを可能にします。絶縁層の上には,酸化ケイ素,窒化ケイ素,炭化ケイ素などの絶縁材料からなるカバーが,絶縁層の全領域を覆う保護層として形成されている。
[0018] 別の実施形態では,モバイルホルダーは,高い誘電率を有する材料からなる活性層から構成されています。
[0019] 更なる実施形態では,モバイルホルダは,個々の電極が意図的に制御され,チップのピクセル単位での除去を可能にするように電圧が供給され得るマトリックス電極構造を有する。
[0020] さらに別の実施形態では,第1の電極および第2の電極のための貫通リードが提供され,このリードは,ベース要素の背面からの電極の接続を可能にするように,ベース要素を通って延びている。
[0021] 一実施形態では,第2の固定手段は,移動式ホルダの背面の領域を構成する。この実施形態では,移動ホルダのための支持体は,従来の真空ウェハチャックであり,移動ホルダは,第2の固定手段とウェハチャックの固定領域との間に適用される真空によって真空ウェハチャックに取り付けられている。
[0022] 更なる実施形態では,第2の固定手段は,移動ホルダの余白である。この実施形態では,既知の支持体への移動ホルダーの取り付けは,支持体がその余白上で移動ホルダーを機械的に把持するという点で達成される。
[0023] さらに別の実施形態の場合には,移動ホルダの端部は,その端部で移動ホルダを機械的に把持することによって移動ホルダを固定する既知の支持体である第2の固定手段を構成する。
図面の簡単な説明
[0024]以下では,本発明の好ましい実施形態を,同封の図面を参照して詳細に説明する。
[0025]図1は,本発明の一実施形態に従った移動式ホルダーの断面図であり;そして
[0026]図2は,本発明の一実施形態に従った移動式ホルダーの上面図である。)

「DETAILED DESCRIPTION OF PREFERRED EMBODIMENTS
[0027]According to FIG. 1, a mobile holder comprises a flat, circular base element 1 having an insulating layer 2 formed on the front face thereof. The insulating layer 2 consists of an electrically insulating material such as silicon oxide or silicon nitride. A first electrode 3 and a second electrode 4 are arranged on the insulating layer 2 in spaced relationship with one another. The first electrode 3 and the second electrode 4 preferably consist of a temperature-resistant electric conductor, such as a metal having a high melting temperature, and are identical in area, as will be explained in the following with reference to FIG. 2.
[0028]The base element 1 , which preferably consists of a semiconductor material, ceramics such as ALO_( 2) , Kapton or SiC, has a diameter which is equal to the diameter of a wafer to be held or which is slightly larger than the wafer to be held. In, a specially preferred embodiment, the base element 1 is formed such that it has a diameter of approx. 150 mm and a thickness of approx. 680 μm; this corresponds to typical dimensions of a standard wafer.
[0029]Due to the use of temperature-resistant materials for the base element 1 , the mobile holder is suitable for high ambient temperatures so that the mobile holder is suitable for holding process wafers during temperature-critical processes, such as an alloying or sintering of metal layers.
[0030]Silicon and other semiconductor materials show at high temperatures an increase in their intrinsic conductivity, which causes a deterioration of the electrostatic holding force in the case of the voltages applied to the electrodes, which are in the range of from 1,000 V to 2,000 V. In processes involving high temperatures, e.g. in plasma processes, ceramics and in particular SiC are preferred to semiconductor materials as a material for the base element 1 ; due to the high thermal conductivity, SiC additionally guarantees that the wafer to be held is well cooled in an advantageous manner. SiC has the further advantage that the expansion coefficient does not essentially differ from that of silicon so that, especially in cases in which the wafer to be held consists of silicon, a use of SiC as a material for the base element 1 will be advantageous.
[0031]The mobile holder additionally includes a functional layer 5 which is arranged on top of the first electrode 3 and the second electrode 4 and in the spaces between these electrodes and which extends over the whole surface of the wafer as a continuous layer. In the preferred embodiment the functional layer 5 consists of a material containing movable ions, such as borosilicate glass, or of a material having a high dielectric constant, such as barium titanate, strontium titanate.
[0032]On top of the electrically insulating layer 5 a cover 6 consisting of an insulating material, such as silicon oxide or silicon nitride, is formed over the full area of the insulating layer 5 . The cover serves to protect the functional layer 5 arranged therebelow against aggressive chemical substances.
[0033]FIG. 2 shows a top view of the mobile holder shown in FIG. 1?, FIG. 1 and FIG. 2 being not represented on the same scale. As can be seen in FIG. 2, the first electrode 3 has a first connecting area 7 and the second electrode 4 has a second connecting area 8 , each of these connecting areas being arranged in the vicinity of the edge of the mobile holder. The connecting areas 7 and 8 permit an electric voltage to be applied the respective associated electrodes. The arrangement of the connecting areas in the vicinity of the edge of the mobile holder allows an exposed mode of arrangement of these connecting areas when a process wafer is attached, in that said process wafer is attached to the mobile holder in such a way that the flat portion of the wafer is located in the region of the connecting areas. The term flat portion describes a portion in which the edge of the wafer, instead of following a circular-arc shape, follows a straight line of a segment portion so as to indicate the direction of crystal growth. It follows that, in this embodiment, electric leads for the connecting areas can be fixed to the front face of the mobile holder.
[0034]In an alternative embodiment, feed-through leads for the first electrode 3 and the second electrode 4 extend through the base element 1 so that, by means of connecting areas formed on the back of the base element 1 , the electrodes can be electrically connected to leads. Leads extending through the base element have the advantage that the process wafer can be positioning independently of the position of the flat.
[0035]In the embodiment shown in FIG. 2, the first electrode 3 and the second electrode 4 are, in addition, arranged in such a way that the electrode 3 is essentially arranged in a first quarter circular segment of the circle area of the base element 1 and in a second quarter circular segment located in diagonally opposed relationship with the first one, the electrode portions arranged in these quarter circular segments being interconnected by a bridge which extends through the centre of the circle area of the base element 1 . Furthermore, the electrode 4 according to FIG. 2 is essentially formed in the quarter circular segments in which the electrode 3 is not arranged. The two diagonally opposed quarter circular segment portions of the electrode 4 are interconnected via an elongate, curved connection area extending along the edge of the base element 1 .
[0036]The first electrode 3 and the second electrode 4 are arranged in such a way that they are spaced apart by an elongate interspace having an essentially constant width. Furthermore, the electrodes 3 and 4 are spaced from the edges of the base element 1 in such a way that a margin is formed between the electrodes 3 and 4 and the edge of the base element 1 , said margin being adapted to be used as a holding device for attaching the mobile holder to a support.
[0037]For attaching a wafer to be held, e.g. a very thin process wafer (20-100 μm), the front face of the mobile holder must be brought into contact with or into close proximity to the side of the wafer to be held at which the holder is to be attached.
[0038]In order to move the mobile holder to the take-up location, said mobile holder is first fixed to a wafer support, e.g. a robot wafer support. In a preferred embodiment, the margin formed between the electrodes and the edge of the wafer serves as a fixing means for fixing the wafer support; in this embodiment, the mobile holder has a slightly larger diameter than the wafer to be supported so that the process wafer to be taken up does not project into the marginal area of the mobile holder and can be fixed without any disturbance by an attachment means fastened to the margin of the mobile holder. The mobile holder can be fixed to an attachment means of the wafer support through pressure contact or in some other suitable way, such as reversible bonding.
[0039]In a further embodiment, the edge of the base element 1 represents the fixing means for attaching the mobile holder to a wafer support. In this embodiment, the mobile holder is only held by pressure contact between an attachment means of the wafer support and the edge of the mobile holder.
[0040]Furthermore, in another embodiment the back of the mobile holder may have the function of a fixing means for attaching a wafer support. Alternatively, the mobile holder can also be transferred to a stationary chuck, such as an electrostatic chuck, said chuck being secured to the back of the mobile holder. 」
(好ましい実施形態の詳細な説明
[0027]図1によれば,モバイルホルダーは,その前面に形成された絶縁層2を有する平板状の円形のベース要素1から構成される。絶縁層2は,酸化シリコンや窒化シリコンなどの電気的に絶縁性のある材料で構成されている。絶縁層2上には,第1の電極3と第2の電極4が互いに間隔をおいて配置されている。第1の電極3と第2の電極4は,好ましくは,図2を参照して以下に説明するように,高融点を有する金属のような耐熱性の電気導体からなり,面積が同一である。
[0028]ベース要素1は,好ましくは,半導体材料,例えばAlO_(2),カプトンまたはSiCのようなセラミックからなり,保持されるウェハの直径に等しい直径を有するか,または保持されるウェハよりもわずかに大きい直径を有する。特に好ましい実施形態では,ベース要素1は,約150mmの直径および約680μmの厚さを有するように形成される;これは,標準的なウェハの典型的な寸法に対応する。
[0029]ベース要素1に耐熱材料を使用しているため,移動式ホルダは,金属層の合金化または焼結などの温度臨界プロセス中にプロセスウェハを保持するのに適しているように,高い周囲温度に適している。
[0030]シリコンやその他の半導体材料は,高温になるとその固有の導電率が上昇し,電極に印加される電圧が1,000 Vから2,000 Vの範囲にある場合には,静電保持力が低下してしまいます。SiCは,膨張係数がシリコンと本質的に変わらないという利点があり,特に被保持ウェハがシリコンで構成されている場合には,ベース要素1の材料としてSiCを使用することが有利になります。
[0031]移動式ホルダは,第1の電極3および第2の電極4の上およびこれらの電極間の空間に配置され,連続した層としてウェハの表面全体にわたって延びる機能層5をさらに含む。好ましい実施形態では,機能層5は,ホウケイ酸ガラスのような可動イオンを含む材料,またはチタン酸バリウム,チタン酸ストロンチウムのような高い誘電率を有する材料で構成されている。
[0032]電気的に絶縁された層5の上には,酸化ケイ素や窒化ケイ素などの絶縁材料からなるカバー6が絶縁層5の全領域にわたって形成されています。このカバーは,攻撃的な化学物質からその下に配置された機能層5を保護する役割を果たしています。
[0033]図2は,図1に示された移動式ホルダーの上面図であり,図1と図2は同じ縮尺で表されていません。図2に見られるように,第1の電極3は第1の接続領域7を有し,第2の電極4は第2の接続領域8を有しており,これらの接続領域の各々は,移動式ホルダの端部近傍に配置されています。第1の接続領域7と第2の接続領域8は,それぞれの関連する電極に電圧を印加することを可能にしている。モバイルホルダの端部近傍に接続領域が配置されていることで,プロセスウェハを装着した際に,接続領域が露出した状態で,プロセスウェハの平坦部が接続領域の領域に位置するようにモバイルホルダに装着されます。なお,平坦部とは,ウェハの端部が円弧状ではなく,結晶成長の方向を示すようにセグメント部の直線に沿っている部分をいう。この実施形態では,接続領域のための電気リード線は,移動式ホルダの前面に固定されていてもよい。
[0034]別の実施形態では,第1の電極3および第2の電極4のための貫通リードは,ベース要素1の背面に形成された接続領域によって,電極をリードに電気的に接続することができるように,ベース要素1を通って延びている。ベース要素を介して延びるリードは,プロセスウェハが平坦部の位置とは無関係に位置決めされ得るという利点を有する。
[0035]図2に示す実施形態では,第1の電極3と第2の電極4は,さらに,電極3が基本的にベースエレメント1の円領域の第1の4分の1の円形セグメント内に配置され,第1の電極と対角線上に位置する第2の4分の1の円形セグメント内に配置され,これらの4分の1の円形セグメント内に配置された電極部分は,ベースエレメント1の円領域の中心を通って延びるブリッジによって相互に接続されるように配置されています。さらに,図2の電極4は,電極3が配置されていない四分の一の円形セグメントに本質的に形成されています。電極4の2つの斜めに対向する4分の1円形セグメント部分は,ベース要素1の端部に沿って延びる細長い,湾曲した接続領域を介して相互に接続されている。
[0036]第1の電極3および第2の電極4は,実質的に一定の幅を有する細長いインタースペースによって間隔をあけて配置されている。さらに,電極3と4は,電極3と4とベースエレメント1の端部との間にマージンが形成されるように,ベースエレメント1の端部から間隔をあけて配置されており,このマージンは,モバイルホルダーを支持体に取り付けるための保持装置として使用されるように適合されています。
[0037]保持されるウェハ,例えば非常に薄いプロセスウェハ(20?100μm)を取り付けるためには,移動式ホルダの前面を,ホルダが取り付けられる保持されるウェハの側面に接触させるか,または近接させなければなりません。
[0038]前記移動ホルダを前記取出位置に移動させるために,前記移動ホルダは,まず,ウェハ支持体,例えばロボットウェハ支持体に固定される。好ましい実施形態では,電極とウェハの端部との間に形成されたマージンが,ウェハ支持体を固定するための固定手段として機能する;この実施形態では,移動ホルダは,取り込まれるプロセスウェハが移動ホルダのマージン領域に突出しないように,支持されるウェハよりもわずかに大きい直径を有し,移動ホルダのマージンに固定された取付手段によって妨害されることなく固定されることができる。移動ホルダは,圧力接触を介して,または可逆接着のような他の適当な方法で,ウェハ支持体のアタッチメント手段に固定することができる。
[0039]更なる実施形態では,ベース要素1の縁部は,移動体ホルダをウェハ支持体に取り付けるための固定手段を表す。この実施形態では,移動体ホルダは,ウェハ支持体の取付手段と移動体ホルダの端部との間の圧接によってのみ保持される。
[0040]さらに別の実施形態では,移動ホルダの背面は,ウェハ支持体を取り付けるための固定手段の機能を有してもよい。あるいは,移動ホルダは,静電チャックのような固定チャックに移動させることもでき,このチャックは移動ホルダの背面に固定されている。)

「[0044]In order to make it possible that the wafer to be held is held on the mobile holder, the mobile holder must be in an activated state in which the electrodes 3 and 4 have applied thereto opposite voltages which are sufficiently high for fixing a wafer. Due to the provision of the functional layer 5 , the mobile holder is implemented such that it will maintain an activated state also without any external voltage source. This is achieved by the use of suitable materials for the functional layer 5 . The material employed so as to be able to use the functional layer 5 as a storage layer for storing electrostatic charges in an activated state is preferably a dielectric material with movable ions, such as borosilicate glass, which contains movable sodium and potassium ions. Alternatively, a material having a high relative dielectric constant can be used. 」
([0044]保持すべきウェハを移動ホルダに保持させるためには,移動ホルダは,ウェハを固定するのに十分な高さの対向電圧を電極3,4に印加した活性化状態でなければならない.機能層5の提供により,モバイルホルダーは,外部の電圧源なしでも活性化状態を維持するように実装されています。これは,機能層5のための適切な材料の使用によって達成されます。機能層5を活性化された状態で静電荷を貯蔵するための貯蔵層として使用できるように採用される材料は,好ましくは,可動イオンを有する誘電体材料,例えば可動ナトリウムイオンおよび可動カリウムイオンを含むホウケイ酸ガラスのようなものである。あるいは,高い比誘電率を有する材料を用いることもできる。)

「[0047]The wafer holder of above-described embodiment can be used in a particularly advantageous manner for dicing chips in connection with dry etching. This kind of use will be explained in the following. 」
([0047]前記実施形態のウェハホルダは,ドライエッチングに関連してチップをダイシングするために特に有利な方法で使用することができる。この種の使用は,以下に説明する。)





(イ)上記摘記を参照すれば,Fig.1,2から,
a.カバー6が,上側と底側を有し,静電力を使用して前記カバー6の上側においてウェハに取り付けられるように構成されていること,及び,
b.第1の電極3と第2の電極4が,前記ベース要素1と前記カバー6の間で,前記カバー6の前記上側と平行に前記ベース要素1にわたって延在し,前記ベース要素1と前記カバー6の間に静電気帯電を有するように構成され,第1の電極3が,第2の電極4の近くに配置されるように構成されていること
を見てとることができる。

(ウ)上記(ア),(イ)から,引用文献1には,次の発明(以下「引用発明」という。)が記載されていると認められる。
「ドライエッチングに関連してチップをダイシングするために特に有利な方法で使用することができるウェハホルダであって,
a その前面に形成された絶縁層2を有する平板状の円形のベース要素1であって,背面がウェハ支持体を取り付けるための固定手段の機能を有してもよく,あるいは,背面が静電チャックのような固定チャックに固定されるように構成された,被保持ウェハがシリコンで構成されている場合には,ベース要素1の材料としてSiCを使用することが有利となるベース要素1,
b 前記絶縁層2上に互いに間隔をおいて配置された,第1の電極3と第2の電極4であって,前記第1の電極3は第1の接続領域7を有し,前記第2の電極4は第2の接続領域8を有しており,これらの接続領域の各々は,前記ホルダの端部近傍に配置されており,前記第1の接続領域7と前記第2の接続領域8は,それぞれの関連する電極に電圧を印加することを可能にするものであり,前記ベース要素1とカバー6の間で,前記カバー6の前記上側と平行に前記ベース要素1にわたって延在し,前記ベース要素1と前記カバー6の間に静電気帯電を有するように構成され,第1の電極3が,第2の電極4の近くに配置されるように構成されている第1の電極3と第2の電極4,
c 前記第1の電極3および第2の電極4の上およびこれらの電極間の空間に配置され,連続した層としてウェハの表面全体にわたって延びる機能層5,
d 上側と底側を有するカバー6であって,静電力を使用して前記カバー6の上側においてウェハに取り付けられるように構成された,酸化ケイ素や窒化ケイ素などの絶縁材料からなる,前記機能層5の上に形成されたカバー6,及び
e 前記第1の電極および前記第2の電極のための貫通リードであって,この貫通リードは,ベース要素1の背面からの電極の接続を可能にするように,ベース要素1を通って延びて,前記第1の電極3の接続領域7および前記第2の電極4の接続領域8に接続し,それぞれの関連する電極に電圧を印加することを可能とする貫通リードを備えるウェハホルダ。」

イ 引用文献2
原査定で引用された本願の優先日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった引用文献である,特開平5-200640号公報(以下「引用文献2」という。)には,図面とともに,次の記載がある。
「【0022】図2に示すように静電チャック22は,下部電極を構成するチャック本体32と,チャック本体32の上面に配置される柔軟性を有する静電吸着シート40と,この静電吸着シート40に給電するための給電用シート42とを有している。
【0023】前記チャック本体32は,例えばアルミニウムで形成され,図3に示すように静電吸着シート40を配設する上面44側に,給電用シート42の一端部を上面44上から突没することなく収容し,平面を形成する凹部46と,この凹部46と連続して開口し,チャック本体32の裏面まで貫通するスリット48とを有している。
【0024】上記静電吸着シート40は,絶縁性の2枚のポリイミドシート50と,これらのポリイミドシート50の間に介挿された誘電層としての導電性シート52とを有し,チャック本体32の表面形状に合せて円形に形成されている。2枚のポリイミドシート50の周縁部は,導電性シート52の周縁部を覆うように溶着されている。そして,導電性シート52は銅等の導電体で形成されている。本実施例では導電性シート52は約20μmの厚さを有し,ポリイミドシート50は1枚当り約50μmの厚さを有している。また,静電吸着シート40の裏面には,図4に示すように接点54が形成されている。この接点54は,ポリイミドシート50の裏面側を一部切除して導電性シート52を露出させることにより形成されている。さらに,この静電吸着シート40では,シート40の厚さ方向に貫通する多数のガス導入口56が設けられている。そして,チャック本体32に形成されたガス供給孔28から供給される例えばHeガスを,ガス導入口56を通して静電吸着シート40とウエハ4との間に供給して充満させることにより,両者間の熱伝達性を高めることができる。
【0025】上記給電用シート42は,静電吸着シート40と同様に2枚のポリイミドシート51の間に導電性シート53を介在させて形成されている。なお,給電用シート42と静電吸着シート40とは熱膨脹係数がほぼ等しい材質であればよく,必ずしも同一材料により形成する必要はない。また,給電用シート42は,図5に示すように帯状に形成され,一端部に幅狭部58が形成され,その他の部分は幅広部60を形成している。そして,両端付近には接点62,64が設けられている。
【0026】上記チャック本体32の凹部46には,給電用シート42の幅狭部60が収容されるので,チャック本体32の凹部46の寸法は,給電用シート42の幅狭部60の寸法を考慮して設定されている。
【0027】給電用シート42は,幅狭部58と幅広部60との境目で90度折り曲げて使用され,幅狭部58をチャック本体32の凹部46に収容した後に,幅広部60をスリット48に挿入し,挿入端部をチャック本体32の裏面より引き出して折り曲げられている。スリット48の形状は少なくとも給電用シート42における幅広部60を挿入できる形状であればよい。幅広部60の挿入端部はチャック本体32の裏面に密着するようにほぼ90度屈曲されている。
【0028】給電用シート42の一端部に形成された第1の接点62は,静電吸着シート40の接点54に電気的に接続されている。また,給電用シート42の他端部に形成された第2の接点64は,図1に示すようにリード線65に電気的に接続され,このリード線65はON/OFFスイッチ66を介して直流電源67に接続されている。従って,ON/OFFスイッチ66をONして,直流電源67から例えば2KVの直流電圧を給電用シート42を介して静電吸着シート40に印加することができる。なお,第2の接点64の付近は図示しないOリング等により気密にシールされている。」










ウ 引用文献3
原査定で引用された本願の優先日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった引用文献である,特開平7-161803号公報(以下「引用文献3」という。)には,図面とともに,次の記載がある。
「【0037】一方,本発明にかかる静電チャック52は,図2に示すようにたとえば絶縁性を有するポリイミド製の静電チャックシート4とたとえばアルミニウム製の円柱状のサセプタ6とにより構成されている。この静電チャックシート4は,一対のポリイミド樹脂フィルム4A,4Bを貼り合わせたもので,その中には銅箔などの薄い導電膜8が絶縁状態で封入されている。この導電膜8には,本発明に基づいて構成された電極構造により,すなわちアルミニウム製のサセプタ6を貫通して設けた給電ピン80を介して直流電圧が印加される。
【0038】すなわちアルミニウム製のサセプタ6の厚さL1は約20mm程度あり,この厚さ方向にはこれを貫通させて中空断面円形状の給電孔82が形成されている。そしてこの給電孔82内に,本発明に基づいて構成された方法により,この給電孔82の断面形状と略相似形状に縮小されたポリベンズイミダゾール製の絶縁部材83が第1の間隙84をおいて挿入され固定される。さらにこの絶縁部材83の略中央には,その厚さ方向に貫通させて中空断面円形状の給電ピン挿入孔85が形成されている。そしてこの給電ピン挿入孔85内に,本発明に基づいて構成された方法により,この給電ピン挿入孔85と略相似形状に縮小されたたとえばアルミニウム製の給電ピン80が第2の間隙86をおいて挿入され固定される。」

「【0050】再び図2を参照すると,給電ピン80の上端部と対向する部分の静電チャックシートの樹脂フィルム4Aの一部は,図2に示すように,直径が2mm程度の円形の大きさだけ導電膜8まで到達するように除去され,この部分にたとえば銀導電ペーストよりなる接続導体18を介在させて,給電ピン80と静電チャックシート4の導電膜8とを電気的に接続している。
【0051】そして,この給電ピン80の底部には,この下方に位置するサセプタ支持台20に形成したピン穴88内にスプリング等の弾性部材22により上方,すなわちサセプタ6側へ付勢された給電コンタクト24の先端が当接しており,この給電コンタクト24と給電ピン80が電気的に接続されている。この給電コンタクト24は,図1に示すように導電線90を介して高圧直流源92に接続され,上記静電チャックシート4の導電膜8にたとえば2.0KVの直流電圧を印加し得るように構成されている。」










(3)引用発明との対比
ア 本件補正発明と引用発明とを対比する。
(ア)引用発明の「上側と底側を有するカバー6であって,静電力を使用して前記カバー6の上側においてウェハに取り付けられるように構成された,酸化ケイ素や窒化ケイ素などの絶縁材料からなる,前記機能層5の上に形成されたカバー6」,
「その前面に形成された絶縁層2を有する平板状の円形のベース要素1であって,背面がウェハ支持体を取り付けるための固定手段の機能を有してもよく,あるいは,背面が静電チャックのような固定チャックに固定されるように構成された,被保持ウェハがシリコンで構成されている場合には,ベース要素1の材料としてSiCを使用することが有利となるベース要素1」は,それぞれ,
本件補正発明の「上側と底側を有する上側誘電体プレートであって,静電力を使用して前記プレートの上側において基板に取り付けられるように構成された,上側誘電体プレート」,
「チャックに支持されるように構成された底側を有し,前記上側誘電体プレートの底側に連結された誘電体ベースプレート」に相当する。

(イ)引用発明の「前記絶縁層2上に互いに間隔をおいて配置された,第1の電極3と第2の電極4であって,前記第1の電極3は第1の接続領域7を有し,前記第2の電極4は第2の接続領域8を有しており,これらの接続領域の各々は,前記ホルダの端部近傍に配置されており,前記第1の接続領域7と前記第2の接続領域8は,それぞれの関連する電極に電圧を印加することを可能にするものであり,前記ベース要素1とカバー6の間で,前記カバー6の前記上側と平行に前記ベース要素1にわたって延在し,前記ベース要素1と前記カバー6の間に静電気帯電を有するように構成され,第1の電極3が,第2の電極4の近くに配置されるように構成されている第1の電極3と第2の電極4」と,本件補正発明の「電極」とは,「『前記誘電体ベースプレートと上側誘電体プレートの間で,前記上側誘電体プレートの前記上側と平行に前記誘電体ベースプレートにわたって延在する電極であって,』『前記誘電体ベースプレートと上側誘電体プレートの間に静電気帯電を有するように構成され,第1の帯電の電極が第2の帯電の電極の近くに配置されるように形成された,電極,』」である点で一致する。

(ウ)引用発明の「貫通リード」は,本件補正発明の「コネクタ」に対応する。
そして,引用発明の貫通リードは,「ベース要素1の背面からの電極の接続を可能にするように,ベース要素1を通って延びて」,「前記第1の電極3の接続領域7および前記第2の電極4の接続領域8に接続し,それぞれの関連する電極に電圧を印加することを可能とする」のであるから,前記第1の電極3および前記第2の電極4を,前記ベース要素1の底側を通って静電気帯電の電源に接続するものであることは明らかである。
そうすると,引用発明の「前記第1の電極および前記第2の電極のための貫通リードであって,この貫通リードは,ベース要素1の背面からの電極の接続を可能にするように,ベース要素1を通って延びて,前記第1の電極3の接続領域7および前記第2の電極4の接続領域8に接続し,それぞれの関連する電極に電圧を印加することを可能とする貫通リード」と,本件補正発明の「前記誘電体ベースプレートの前記底側から前記誘電体ベースプレートを通って前記電極まで延在し,前記電極を前記誘電体ベースプレートの前記底側を通って静電気帯電の電源に接続し,前記キャリアが前記チャックに支持される際に覆われるように構成されたコネクタ」とは,「前記誘電体ベースプレートの前記底側から前記誘電体ベースプレートを通って前記電極まで延在し,前記電極を前記誘電体ベースプレートの前記底側を通って静電気帯電の電源に接続するコネクタ」である点で一致する。

イ 以上のことから,本件補正発明と引用発明との一致点及び相違点は,次のとおりである。
【一致点】
「処理のために基板を支持するキャリアであって,
上側と底側を有する上側誘電体プレートであって,静電力を使用して前記プレートの上側において基板に取り付けられるように構成された,上側誘電体プレート,
チャックに支持されるように構成された底側を有し,前記上側誘電体プレートの底側に連結された誘電体ベースプレート,
前記誘電体ベースプレートと上側誘電体プレートの間で,前記上側誘電体プレートの前記上側と平行に前記誘電体ベースプレートにわたって延在する電極であって,前記誘電体ベースプレートと上側誘電体プレートの間に静電気帯電を有するように構成され,第1の帯電の電極が第2の帯電の電極の近くに配置されるように形成された,電極,及び
前記誘電体ベースプレートの前記底側から前記誘電体ベースプレートを通って前記電極まで延在し,前記電極を前記誘電体ベースプレートの前記底側を通って静電気帯電の電源に接続するコネクタを備える,キャリア。」

【相違点1】
「電極」について,本件補正発明では,「前記電極は前記誘電体ベースプレート中には延在せず」という構成が特定されているのに対し,引用発明は,当該構成について特定されていない点。
【相違点2】
「コネクタ」が,本件補正発明では,「前記キャリアが前記チャックに支持される際に覆われるように構成され」るのに対し,引用発明は,当該構成について特定されていない点。

(4)判断
以下,相違点について検討する。
ア 相違点1について
引用発明において,貫通リードは,「貫通」という形容のとおり,ベース要素1を通って延びて,前記第1の電極3の接続領域7および前記第2の電極4の接続領域8に接続するものと特定されているのであるから,貫通リードと,第1の電極3の接続領域7および第2の電極4の接続領域8との接続において,第1の電極3および第2の電極4が,ベース要素1中に延在するような構造を有する必要は認められない。
また,上記した引用文献2,3の記載からも明らかなように,「誘電体ベースプレート中には延在せず」という電極の構造は周知なものでもある。
そうすると,引用文献1に接した当業者は,引用発明において,第1の電極3および第2の電極4が,ベース要素1中に延在していないと理解することが自然かつ合理的であって,このような理解を妨げる特段の事情を見いだすこともできない。
したがって,上記相違点1は,実質的なものではない。
また,仮に,引用文献1の記載,及び,引用文献2,3から認められる周知技術からは,上記相違点1が実質的なものではないと認めることができなかったとしても,上記のとおり,引用発明において,第1の電極3および第2の電極4を,ベース要素1中に延在させる必要が認められず,他方,引用文献2,3のとおり,「誘電体ベースプレート中には延在せず」という電極の構造が知られていたのであるから,引用発明において,上記相違点1について,本件補正発明の構成を採用することは,当業者が容易に想到し得たことである。

イ 相違点2について
引用発明において,貫通リードは,静電気帯電を有するように,それぞれの関連する電極に電圧を印加するものであるから,この印加された電圧によって危険が生じないように,当該貫通リードの周囲を覆うような構造が存在することが望ましいことは自明である。
そして,引用発明において,貫通リードは,ベース要素1の背面からの電極の接続を可能にするように,ベース要素1を通って延びて,前記第1の電極3の接続領域7および前記第2の電極4の接続領域8に接続する構造を有するものであり,しかも,ベース要素1が,背面がウェハ支持体を取り付けるための固定手段の機能を有してもよく,あるいは,背面が静電チャックのような固定チャックに固定されるように構成された構造を有するのであるから,前記ベース要素1の背面が固定チャックに固定される際に,ベース要素1の背面に延びる貫通リードが覆われるように構成することは単なる設計事項であって,当業者が容易に想到し得たことである。

ウ そして,これらの相違点を総合的に勘案しても,本件補正発明の奏する作用効果は,引用発明及び引用文献2,3に記載された技術の奏する作用効果から予測される範囲内のものにすぎず,格別顕著なものということはできない。

エ 請求人は,審判請求書において,「より詳細には,本願発明では,誘電体ベースプレート中に延在しない電極へのアクセスとしてコネクタを利用することにより,電極を上側誘電体プレートに近接して配置することができるようになっています。一方で,引用文献1-7に記載の発明は,上述のような発明特定事項を開示していませんし,本願の新請求項1に記載の発明が有する作用効果を奏するものではありません。」と主張する。
しかしながら,上記(3)ア(イ)のとおり,引用発明の「貫通リード」が,本件補正発明の「コネクタ」に対応し,さらに,上記「ア 相違点1について」で検討したように,引用発明は,「前記電極は前記誘電体ベースプレート中には延在せず」という構成を備えるといえることから,引用文献1に記載の発明は,前記「上述のような発明特定事項」を開示しているものと認められ,また,仮に,引用文献1の記載からは,「前記電極は前記誘電体ベースプレート中には延在せず」という構成を特定することができなかったとしても,上記「ア 相違点1について」で検討したように,引用発明に当該構成を採用することは当業者が容易になし得たことであり,その効果も当業者が予測する範囲内のものといえることから,請求人の前記主張は採用することができない。

オ したがって,本件補正発明は,引用発明及び引用文献2,3に記載された技術に基づいて,当業者が容易に発明をすることができたものであり,特許法29条2項の規定により,特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。

3 本件補正についてのむすび
よって,本件補正は,特許法17条の2第6項において準用する同法126条7項の規定に違反するので,同法159条1項の規定において読み替えて準用する同法53条1項の規定により却下すべきものである。
よって,上記補正の却下の決定の結論のとおり決定する。

第3 本願発明について
1 本願発明
令和2年10月9日にされた手続補正は,上記のとおり却下されたので,本願の請求項1ないし8に係る発明は,令和元年6月14日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項1ないし8に記載された事項により特定されるものであるところ,その請求項1に係る発明(以下「本願発明」という。)は,その請求項1に記載された事項により特定される,前記第2[理由]1(2)に記載のとおりのものである。

2 原査定の拒絶の理由
原査定の拒絶の理由は,この出願の請求項1ないし8に係る発明は,本願の優先権の主張の日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった下記の引用文献1に記載された発明であるか,引用文献1に記載された発明と引用文献2ないし7に記載された技術に基づいて,その優先権主張の日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから,特許法29条1項3号に該当し,あるいは,特許法29条2項の規定により特許を受けることができない,というものである。

1.米国特許出願公開第2004/0037692号明細書
2.特開平5-200640号公報
3.特開平7-161803号公報
4.特開平10-294358号公報
5.国際公開第2008/053934号
6.特開2008-244149号公報
7.特開2008-41993号公報

3 引用文献
原査定の拒絶の理由で引用された引用文献1ないし3の記載事項は,前記第2の[理由]2(2)に記載したとおりである。

4 対比・判断
本願発明は,前記第2の[理由]2で検討した本件補正発明から限定事項を削除したものである。
そうすると,本願発明の発明特定事項を全て含み,さらに他の事項を付加したものに相当する本件補正発明が,前記第2の[理由]2(3),(4)に記載したとおり,引用文献1に記載された発明及び引用文献2,3に記載された技術に基づいて,その優先権主張の日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるであるから,本願発明も,引用文献1に記載された発明及び引用文献2,3に記載された技術に基づいて,その優先権主張の日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものである。

第4 むすび
以上のとおり,本願発明は,特許法29条2項の規定により特許を受けることができないから,他の請求項に係る発明について検討するまでもなく,本願は拒絶されるべきものである。

よって,結論のとおり審決する。

 
別掲
 
審理終結日 2021-03-10 
結審通知日 2021-03-16 
審決日 2021-03-31 
出願番号 特願2017-512650(P2017-512650)
審決分類 P 1 8・ 575- Z (H01L)
P 1 8・ 121- Z (H01L)
最終処分 不成立  
前審関与審査官 中田 剛史山口 大志湯川 洋介杢 哲次内田 正和  
特許庁審判長 辻本 泰隆
特許庁審判官 ▲吉▼澤 雅博
加藤 浩一
発明の名称 処理のために基板を支持する静電キャリア  
代理人 園田・小林特許業務法人  
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