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| 審決分類 |
審判 査定不服 1項3号刊行物記載 取り消して特許、登録(定型) C30B 審判 査定不服 2項進歩性 取り消して特許、登録(定型) C30B 審判 査定不服 特36条6項1、2号及び3号 請求の範囲の記載不備 取り消して特許、登録(定型) C30B |
|---|---|
| 管理番号 | 1380199 |
| 総通号数 | 1 |
| 発行国 | JP |
| 公報種別 | 特許審決公報 |
| 発行日 | 2022-01-28 |
| 種別 | 拒絶査定不服の審決 |
| 審判請求日 | 2019-09-13 |
| 確定日 | 2021-12-20 |
| 事件の表示 | 特願２０１６−５６０９７８「シリコン基板上のＥｒＡＩＮバッファ上に成長したＩＩＩ−Ｎ材料」拒絶査定不服審判事件〔平成２７年１１月 ５日国際公開、ＷＯ２０１５／１６７６９１、平成２９年 ６月１５日国内公表、特表２０１７−５１５７７５、請求項の数（１４）〕について、次のとおり審決する。 |
| 結論 | 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 |
| 理由 |
本願は、２０１５年（平成２７年） ３月２３日（パリ条約による優先権主張 外国庁受理 ２０１４年 ５月 ２日 （ＵＳ）アメリカ合衆国）を国際出願日とする出願であって、その請求項１〜１４に係る発明は、令和 ３年 ７月 ９日付けの手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１〜１４に記載された事項により特定されるものであると認める。 そして、本願については、原査定の拒絶理由及び当審からの拒絶理由を検討してもその理由によって拒絶すべきものとすることはできない。 また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり審決する。 |
| 審決日 | 2021-11-24 |
| 出願番号 | P2016-560978 |
| 審決分類 |
P
1
8・
537-
WYF
(C30B)
P 1 8・ 121- WYF (C30B) P 1 8・ 113- WYF (C30B) |
| 最終処分 | 01 成立 |
| 特許庁審判長 |
宮澤 尚之 |
| 特許庁審判官 |
後藤 政博 関根 崇 |
| 発明の名称 | シリコン基板上のＥｒＡＩＮバッファ上に成長したＩＩＩ−Ｎ材料 |
| 代理人 | 本城 吉子 |
| 代理人 | 丸山 温道 |
| 代理人 | 本城 雅則 |