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審決分類 審判 査定不服 特36条6項1、2号及び3号 請求の範囲の記載不備 取り消して特許、登録 H01S
審判 査定不服 2項進歩性 取り消して特許、登録 H01S
管理番号 1383692
総通号数 5 
発行国 JP 
公報種別 特許審決公報 
発行日 2022-05-27 
種別 拒絶査定不服の審決 
審判請求日 2021-01-15 
確定日 2022-05-09 
事件の表示 特願２０１８−１６３１７４「ＤＦＢレーザ用のＴＯパッケージ」拒絶査定不服審判事件〔平成３１年 ３月２８日出願公開、特開２０１９− ５０３７２、請求項の数（１４）〕について、次のとおり審決する。 
結論 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 
理由 第１ 手続の経緯
本願は、２０１８年（平成３０年）８月３１日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２０１７年９月１日、ドイツ）を出願日とする特許出願であって、その後の手続の概要は、以下のとおりである。
令和元年 ８月 ５日付け：拒絶理由通知書
令和元年１１月１１日 ：意見書、手続補正書の提出
令和２年 １月２８日付け：拒絶理由通知書
令和２年 ４月３０日 ：意見書、手続補正書の提出
令和２年 ９月 ４日付け：拒絶査定
令和３年 １月１５日 ：審判請求書、手続補正書の提出
令和３年１１月１２日付け：拒絶理由通知書（以下「当審拒絶理由通知書」という。また、当審拒絶理由通知書において通知された拒絶の理由を「当審拒絶理由」という。）
令和４年 ２月１６日 ：意見書、手続補正書（以下、この手続補正書によりなされた補正を「本件補正」という。）の提出

第２ 原査定の概要
原査定（令和２年９月４日付け拒絶査定）の概要は次のとおりである。
本願請求項１〜１７に係る発明は、以下の引用文献Ａに記載された発明及び引用文献Ｂ〜Ｅに記載された技術的事項に基づいて、当業者が容易に発明することができたものであるから、特許法第29条第2項の規定により特許を受けることができない。

引用文献等一覧
Ａ．特開２００４−４７８３０号公報
Ｂ．特開２０１１−１０８９３９号公報
Ｃ．特開２０１１−１９７３６０号公報
Ｄ．国際公開第２０１０／１４０４７３号
Ｅ．特開２０１６−１２６０１号公報

第３ 当審拒絶理由の概要
当審拒絶理由の概要は次のとおりである。

１ 本願請求項１〜１７に係る発明は、引用文献１に記載された発明及び引用文献２〜７に記載された技術的事項に基づいて、当業者が容易に発明することができたものであるから、特許法第29条第2項の規定により特許を受けることができない。

引用文献等一覧
１．特開２００４−４７８３０号公報（拒絶査定時の引用文献Ａ）
２．特開２０１１−１０８９３９号公報（拒絶査定時の引用文献Ｂ）
３．特開２０１１−１９７３６０号公報（拒絶査定時の引用文献Ｃ）
４．国際公開第２０１０／１４０４７３号（拒絶査定時の引用文献Ｄ）
５．特開２０１７−５９６８０号公報（当審において新たに引用した文献）
６．特開２０１６−１１５７３６号公報（当審において新たに引用した文献）
７．特開２００３−１７４１０８号公報（当審において新たに引用した文献）

２ この出願は、特許請求の範囲の記載が下記の点で、特許法第36条第6項第2号に規定する要件を満たしていない。

本願請求項１５〜１７に係る発明は明確でない。

第４ 本願発明
本願請求項１〜１４に係る発明（以下それぞれ「本願発明１」〜「本願発明１４」という。）は、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１〜１４に記載された事項により特定される発明であり、そのうち、本願発明１は以下のとおりの発明である。

「 【請求項１】
ＴＯパッケージであって、熱電冷却機用の実装領域を有するベース部品を備え、前記ベース部品は、光エレクトロニクス素子の接続用の少なくとも２つのフィードスルーを有する、ＴＯパッケージにおいて、
前記ベース部品の床部を起点として支持体が延在しており、
前記支持体には少なくとも２つの導体路が配置されており、これらの導体路はそれぞれ、前記光エレクトロニクス素子の接続用の前記フィードスルーのうちの１つと接続されていて、
前記導体路は曲げられていて、
前記導体路間にアース導体路が配置されており、
前記アース導体路が曲げられている領域は、傾斜しており、かつ幅を増大されて形成されており、
前記導体路は、サブマウント上に配置されており、前記サブマウントは、前記アース導体路の領域に複数の貫通孔を有しており、少なくとも、これらの貫通孔の側壁が金属化されており、前記貫通孔は５〜９０°の円錐角を有する截頭円錐形に形成されていることを特徴とする、ＴＯパッケージ。」

なお、本願発明２〜１１は、本願発明１を減縮した発明であり、本願発明１２は、本願発明１〜１１のいずれかのＴＯパッケージを製造する方法の発明であり、本願発明１３及び１４は、本願発明１２を減縮した発明である。

第５ 引用文献、引用発明等
１ 引用文献１
当審拒絶理由通知書において引用された引用文献１（特開２００４−４７８３０号公報）には、図面とともに、次の記載がある。（下線は、当審で付した。以下同じ。）

（１）「【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体レーザなどの光半導体素子が搭載される光半導体用パッケージに関し、さらに詳しくは光ファイバが付属した同軸型モジュールや、光ファイバを接続するためのレセプタクル型アダプタ付きの光半導体素子モジュールに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、光ファイバを介して光信号を伝送する光通信システムにおいては、インターネットの普及に伴なう通信トラフィックの増大に応えるため、光信号の伝送速度の高速化が目覚しく、光送受信器においてもその伝送速度が２．５Ｇｂ／ｓから１０Ｇｂ／ｓへと移行しつつあり、現在、４０Ｇｂ／ｓの伝送速度の実現に向けて研究開発が進められている。これに伴ない、光送受信器の扱う信号の伝送速度についても、高速化が要求されている。
【０００３】
光送受信器は、送信するデータ信号を電気信号から光信号に変換し、送信用の光ファイバを介して光信号を送信するとともに、受信用の光ファイバを介して光信号を受信し、受信した光信号を電気信号として再生するものである。
【０００４】
この種の光送受信器に用いられる光半導体用パッケージとしては、キャンパッケージ、箱形パッケージなどがある。キャンパッケージを用いた従来技術としては、特開平６−３１４８５７号公報、特開平１１−２３３８７６号公報などがある。
【０００５】
特開平６−３１４８５７号公報には、ガラス封止の貫通リードピンを有する単相給電方式の光半導体モジュールに関する開示がある。また特開平１１−２３３８７６号公報には、金属ステムに、別個の誘電体で封止された一対の離間された信号ピンを設け、差動ドライバの一方の出力を一方の信号ピンを介してレーザダイオードの一方の電極に接続し、差動ドライバの他方の出力をダミー負荷を介し、さらに仮想接地線を介してレーザダイオードの他方の電極に接続して、レーザダイオードを駆動するようにした技術が示されている。
【０００６】
上記各公報に示されるような単相のキャンパッケージでは、単相方式であるため、１０Ｇｂ／ｓ以上の変調信号の伝送を行う際には、フィードスルー（ピンが誘電体に覆われた部分）の前後（ピンが誘電体から空気層に露出した部分）でインピーダンスが不整合となり易く、高周波伝送特性が劣化する問題があり、２．５Ｇｂ／ｓ程度の信号伝送までにしか利用されていない。
【０００７】
なお、特開平１１−２３３８７６号公報は、差動ドライバにとっての各負荷インピーダンスを同じにして、高速動作時の安定性を図るものでしかなく、信号ピンおよび信号ピンからレーザダイオードまでの線路も差動線路構成としたものではなく、またダミー用抵抗を外部に配置しており、１０Ｇｂ／ｓ以上の変調信号の伝送において信号品質が劣化する。また、この従来技術は、レーザダイオードにとってみれば、アノードとカソードにそれぞれ正相と逆相の差動信号が与えられていないため、差動駆動されるものではない。
【０００８】
箱形パッケージを用いた従来技術としては、特開２０００−１６４９７０号公報、特開２０００−１９４７３号公報などがある。特開２０００−１６４９７０号公報には、グランデッドコプレナ基板のフィードスルーとマイクロストリップ基板とを接続する単相給電方式の箱型パッケージあるいはマイクロストリップ基板のフィードスルーとマイクロストリップ基板とを接続する単相給電方式の箱型パッケージに関する開示がある。特開２０００−１９４７３号公報には、グランデッドコプレナ基板のフィードスルーとマイクロストリップ基板とを接続する単相給電方式の箱型パッケージあるいはグランデッドコプレナ基板のフィードスルーとグランデッドコプレナ基板とを接続する単相給電方式の箱型パッケージ、さらには同軸コネクタのフィードスルーとマイクロストリップ基板とを接続する単相給電方式の箱型パッケージに関する開示がある。
【０００９】
この種の箱形パッケージでは、セラミック基板とその上面に設けられた金属パターンでマイクロストリップ線路を構成し、給電線路を精度良く造れるので、レーザダイオードに供給される入力信号の劣化が小さい。しかし、セラミック基板自体が単位面積当たり高価であること、フィードスルーを構成しようとすると多層セラミックとなること、多層セラミックとリードとを接合する点で、蝋付けなどの工程が必要になり、手間がかかることにより、パッケージが高価となる問題がある。また、セラミックパッケージの使用によって、パッケージが大型化してしまう。」

（２）「【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
この種の光送受信器の分野では、光通信を、幹線系だけでなく、オフィスや家庭などのアクセス系までの市場に広めるためにも、低コストでかつ１０Ｇｂ／ｓ以上の光伝送を実現することができる光半導体素子モジュールが強く要望されている。
【００１１】
しかし、特開平６−３１４８５７号公報や特開平１１−２３３８７６号公報に記載されるような従来の光半導体素子モジュールに用いられるキャン型のパッケージでは、フィードスルーの前後でインピーダンスが不整合となり易く、高周波伝送特性が劣化するという問題があった。従って、上述のような１０Ｇｂ／ｓ以上のビットレートの信号伝送に耐えることができない。
【００１２】
また、特開２０００−１６４９７０号公報、特開２０００−１９４７３号公報などに記載されるような、セラミックで形成された外部端子の設けられた従来の光半導体素子モジュールに用いられる箱形パッケージでは、１０Ｇｂ／ｓ以上のビットレートで信号伝送することは可能であるものの、セラミック基板自体が単位面積当たり高価であること、フィードスルーを構成しようとすると多層セラミックとなること、多層セラミックとリードとを接合する点で、蝋付けなどの工程が必要になり、手間がかかること、あるいはパッケージが高価となるなどの問題があった。
【００１３】
この発明は上記に鑑みてなされたもので、コストを安く維持できるとともに、高周波伝送特性が良好で、１０Ｇｂ／ｓ以上の高速動作が可能な光半導体用パッケージを得ることを目的とする。」

（３）「【００２６】
【発明の実施の形態】
以下に添付図面を参照して、この発明にかかる光半導体用パッケージの好適な実施の形態を詳細に説明する。この実施の形態の光半導体用パッケージは、例えば、ビル内に設置されたサーバ間の接続、異なるビルに設置されたサーバ間の接続などのローカルエリアネットワークに適用される光半導体素子モジュールで使用されるものである。
【００２７】
実施の形態１．
図１〜図１７に従って、この発明の実施の形態１の光半導体素子モジュールに用いる光半導体用パッケージについて説明する。この実施の形態１の光半導体用パッケージは、安価なキャンパッケージ型のモジュール形態を採用しており、パッケージ内には光半導体素子としてレーザダイオード（以下ＬＤという）が内蔵されている。また、本明細書では、光半導体用パッケージとは、密閉用のキャップ（蓋）がないものも含めた総称であるとする。
・・・略・・・
【００４６】
つぎに、図５〜図１８を用いてキャンパッケージ１の各構成要素について説明する。図５は、キャップ１３を外した状態におけるキャンパッケージ１を示す斜視図であり、図６はその平面図である。また、図７は、ステムとピンと台座の配置関係などを示すための図である。なお、図６は、説明の都合上、バイアス給電ピン４４ａ，４４ｂと、モニタ信号ピン４３などの配置位置が、図３、図５および図７とは若干異なっている。
【００４７】
図５〜図７に示すように、キャンパッケージ１は、複数のピンがマウントされた円板状のステム１０と、Ａｇロウ付けなどによってステム１０の内壁面に垂直に固定される台形柱状の台座１１とから構成される。
【００４８】
グランドを構成するステム１０には、ＬＤ駆動回路１００からの差動の変調電気信号（以下差動高周波信号ともいう）が伝送される一対の高周波信号ピン４１ａ，４１ｂと、これら高周波信号ピン４１ａ，４１ｂの両側に配される２本のグランドピン４２ａ，４２ｂと、モニタ用の受光素子（例えばフォトダイオード、以下ＰＤという）５０の信号伝送のための１本のモニタ信号ピン４３と、ＬＤ４０に対して外部の直流バイアス電流源からバイアス電流を供給する一対のバイアス給電ピン４４ａ，４４ｂと、モニタ用のＰＤ５０を搭載するためのＰＤ用チップキャリア４５とがマウントされている。例えば、高周波信号ピン４１ａから図４に示す正相の電流信号Ｉ２が引き抜かれるとともに、周波信号ピン４１ｂに対して図４に示す電流信号Ｉ２と逆相の電流信号Ｉ１が与えられる。
【００４９】
これらの信号ピンのうち、高周波信号ピン４１ａ，４１ｂは、気密を保ったままステム１０を介して電気信号を通過させるフィードスルーを構成している。後で詳述するが、これら各ピンは、ガラスなどの材料で構成される誘電体を介してステム１０に対し気密封止状態で固定されている。グランドピン４２ａ，４２ｂは、グランドを構成するステム１０の外壁面に圧着および溶接によって固着されている。ＰＤ用チップキャリア４５上にマウントされたＰＤ５０は、ＬＤ４０から後方に出射されるモニタ光をモニタするためのものである。
【００５０】
ステム１０に対し台座１１がほぼ垂直に配設されている。台座１１の上面には、マイクロストリップ差動線路基板４６，４７と、ＬＤ用チップキャリア４８と、バイアス回路用基板４９とが搭載されている。台座１１とステム１０とは表面全体に導電性のメッキが施されている。マイクロストリップ差動線路基板４６，４７やＬＤ用チップキャリア４８の裏面に形成され接地導体層となる平面導体板（以下ベタグランドと呼ぶ）が、台座１１の上面に半田接合され電気的に接続されている。また、台座１１は、ＬＤ４０等から発生する熱の放熱経路になっている。
【００５１】
マイクロストリップ差動線路基板４６は、セラミック基板５１と、セラミック基板５１の上面に形成された一対のストリップ差動信号線５２ａ，５２ｂと、セラミック基板５１の裏面に形成されたベタグランド（図示せず）で構成されている。ストリップ差動信号線５２ａ，５２ｂの一端側には、ステム１０から突出された高周波信号ピン４１ａ，４１ｂと接触させるためのパッド５３ａ，５３ｂが形成されている。ストリップ差動信号線５２ａ，５２ｂの途中には、互いの信号線に接近するように突出された特性インピーダンスが低い、容量として作用するスタブ５４ａ，５４ｂが形成されている。ストリップ差動信号線５２ａ，５２ｂは、高周波信号ピン４１ａ，４１ｂとのインピーダンス整合のために、ステム１０に近い入力側の部分５２ｄ（図６）では、特性インピーダンスが高くなるよう信号線間隔が大きく設定されている。また、ストリップ差動信号線５２ａ，５２ｂは、信号線間隔が徐々に接近する部分と、間隔が接近して平行に配置される出力側部分とを有している。ステム１０にマウントされる高周波信号ピン４１ａ，４１ｂの端部は、図７に示すように、マイクロストリップ差動線路基板４６のパッド５３ａ，５３ｂにロウ付けまたは半田付けによって接続固定されている。
【００５２】
マイクロストリップ差動線路基板４７は、セラミック基板５５と、セラミック基板５５の上面に形成された一対のストリップ差動信号線５６ａ，５６ｂと、セラミック基板５５の裏面に形成されたベタグランド（図示せず）で構成されている。ストリップ差動信号線５６ａ，５６ｂは、信号線方向を略９０度折り曲げるためのコーナーカーブ部を有している。ストリップ差動信号線５６ａ，５６ｂの途中には、インピーダンス整合用の抵抗３１ａ，３１ｂ（図４参照）がそれぞれ形成されている。ストリップ差動信号線５２ａ，５２ｂと、ストリップ差動信号線５６ａ，５６ｂとは、ワイヤボンド５７ａ，５７ｂによってそれぞれ接続されている。
【００５３】
ＬＤ用チップキャリア４８は、セラミック基板５８と、セラミック基板５８の上面に形成された一対のストリップ差動信号線５９ａ，５９ｂと、セラミック基板５８の裏面に形成されたベタグランド（図示せず）で構成されるマイクロストリップ差動線路を有し、一方のストリップ差動信号線５９ｂ上にＬＤ４０の一方の電極であるアノードが直接当接するように、ＬＤ４０が搭載されている。ＬＤ４０の他方の電極としてのカソードは、ワイヤボンド６０によって他方のストリップ差動信号線５９ａに接続されている。ストリップ差動信号線５６ａ，５６ｂと、ストリップ差動信号線５９ａ，５９ｂとは、ワイヤボンド６１ａ，６１ｂによってそれぞれ接続されている。セラミック基板５８は、熱伝導性の良い窒化アルミ（ＡｌＮ）や炭化シリコン（ＳｉＣ）などの材料から構成されている。ＬＤ４０としては、１０Ｇｂ／ｓの変調が可能な、例えば分布帰還型のレーザダイオード素子が用いられている。
【００５４】
バイアス回路用（セラミック）基板４９上には、２本の配線パターン６２ａ，６２ｂと一対のインダクタンス回路（ソレノイド及び共振防止抵抗の並列回路）が形成されている。一方の配線パターン６２ａには、空芯ソレノイド３３ａおよび空芯ソレノイド３３ｂの線間容量とインダクタンスとの共振を防止する共振防止抵抗３４ａが電気的に並列接続されるように配置され、他方の配線パターン６２ｂには、同様に、空芯ソレノイド３３ｂおよび共振防止抵抗３４ｂとが電気的に並列接続されるように配置されている。空芯ソレノイド３３ａおよび空芯ソレノイド３３ｂは互いの磁界が干渉しないように、各ソレノイド３３ａ，３３ｂの中心軸（の延長線）が交差するように、好ましくは直交するように、離間配置されている。２本の配線パターン６２ａ，６２ｂの一方の各端部は、ＬＤ用チップキャリア４８のストリップ差動信号線５６ａ，５６ｂとワイヤボンド３５ａ，３５ｂを介して接続されており、配線パターン６２ａ，６２ｂの他方の端部は、ワイヤボンド６３ａ，６３ｂを介してステム１０に設けられるバイアス給電ピン４４ａ，４４ｂに接続される。
【００５５】
つぎに、キャンパッケージ１の各部の特徴的な構成をより詳細に説明する。まずステム１０の構成について詳述する。
【００５６】
図４に示したＬＤ駆動回路１００の差動トランジスタ１０３，１０４から出力される差動高周波信号は、図５および図６に示すように、グランデッドコプレナ差動線路７０を介してキャンパッケージ１に入力される。グランデッドコプレナ差動線路７０は、基板７３上に形成された一対の差動信号線７１ａ，７１ｂと、この一対の差動信号線７１ａ，７１ｂを挟むように差動信号線７１ａ，７１ｂの外側に配置されるグランド７２ａ，７２ｂと、裏面に配置されてグランド７２ａ，７２ｂに接続されるベタグランド（図示せず）とから構成されている。
【００５７】
グランデッドコプレナ差動線路７０の差動信号線７１ａ，７１ｂは、ステム１０に設けられた高周波信号ピン４１ａ，４１ｂに接続固定されている。グランデッドコプレナ差動線路７０のグランド線７２ａ，７２ｂは、ステム１０に設けられたグランドピン４２ａ，４２ｂに接続固定されている。
【００５８】
ステム１０は、コバール（Ｆｅ−Ｎｉ合金）、軟鉄、あるいはＣｕＷ（銅タングステン）などの金属で構成され、通常、その上層に半田付けのためにＮｉや金などのメッキが施されている。例えば、コバールや軟鉄からなるステム１０は金属板を金型で打ち抜いて作ることができ、また、ＣｕＷからなるステム１０はメタルインジェクションモールドで作ることができ、製造が簡単なので、コストが安い。ステム１０には、複数の孔７４，７５，７６ａ，７６ｂが分散して形成されており、これらの孔７４，７５，７６ａ，７６ｂに、誘電体７７，７８，７９ａ，７９ｂが挿入される。
【００５９】
誘電体７７には一対のピン挿入孔８０ａ，８０ｂが形成され、これらのピン挿入孔８０ａ，８０ｂに高周波信号ピン４１ａ，４１ｂが挿入固定される。同様に、誘電体７８，７９ａ，７９ｂには、孔（符号は省略）がそれぞれ形成され、これらの各孔にモニタ信号ピン４３およびバイアス給電ピン４４ａ，４４ｂが挿入固定される。一対の高周波信号ピン４１ａ，４１ｂが挿入される誘電体７７の形状は、この場合長円形状を呈している。これに対応して、誘電体７７が挿入される孔７４も長円形状を呈している。その他の誘電体７８，７９ａ，７９ｂは、円形形状としている。なお、グランドピン４２ａ，４２ｂは、ステム１０を貫通されておらず、前述したように、ステム１０の外壁面１０ｚ（図６、図７）に圧着および溶接によって固着されている。
【００６０】
ここで、２本の高周波信号ピン４１ａ，４１ｂは、高周波特性を考慮し、誘電体７７の少なくとも一方の外側に突出される部分の長さ（ＬＤ４０側への突出長）が、モニタ信号ピン４３およびバイアス給電ピン４４ａ，４４ｂの同突出長よりも短く設定されており、高周波信号ピン４１ａ，４１ｂを伝送される信号が、誘電体７７の外側にでると、即座にマイクロストリップ差動線路基板４６の差動信号線５２ａ，５２ｂに乗り移れるようにしている。モニタ信号ピン４３およびバイアス給電ピン４４ａ，４４ｂの方は、高周波特性の厳しい制約がないので、ある程度の突出長を確保して、ワイヤボンドの接続作業などを容易にしている。
・・・略・・・
【００６２】
高周波信号ピン４１ａ，４１ｂ、モニタ信号ピン４３およびバイアス給電ピン４４ａ，４４ｂと、誘電体７７，７８，７９ａ，７９ｂとをステム１０に挿入固定する際には、誘電体挿入用の孔７４，７５，７６ａ，７６ｂが形成されたステム１０上に誘電体７７，７８，７９ａ，７９ｂを載置した状態で振動を加えることにより、誘電体７７，７８，７９ａ，７９ｂを孔７４，７５，７６ａ，７６ｂに落とし込み、さらに同様にしてピン４１ａ，４１ｂ，４３，４４ａ，４４ｂを誘電体７７，７８，７９ａ，７９ｂに形成された孔８０ａ，８０ｂなどに落とし込む。そして、この状態で複数のステム１０を図示しないカーボン治具に挿入し、その後、一気に電気炉の中で熱をかけることで誘電体を一時的に溶融し、誘電体およびピンをステム１０に固定する。
【００６３】
ステム１０と、台座１１とを別体として製造する場合は、台座１１はステム１０に対しＡｇロウ付けなどによって接続固定される。勿論、ステム１０と台座１１とを一体物として製造するようにしてもよい。
・・・略・・・
【００８５】
本実施の形態１においては、ＬＤ駆動回路１００の差動トランジスタ１０３，１０４の出力からＬＤ４０までのインピーダンスマッチングをとるためこれらの間を全て差動線路で構成してＬＤ４０を駆動するようにしており、ステム１０を貫通するピンも、長円形状の誘電体７７に一対の高周波信号ピン４１ａ，４１ｂを貫通させることで、差動線路を構成する差動ピンとしている。このため、両信号ピン間の電気的結合が高くなり、電界を封じ込めることができ、漏洩による損失を低減することができる。したがって、特に寸法バラツキが生じやすい高周波信号ピン４１ａ，４１ｂにおけるステム１０からＬＤ駆動回路１００側に露出されている部分（以下、ドライバ側ピン露出領域という）の電界の不連続を従来に比べ抑えることができる。さらに、このドライバ側ピン露出領域には、グランドピン４２ａ，４２ｂが高周波信号ピン４１ａ，４１ｂに並走するように配されているので、この部分のインピーダンスを低くして反射を抑えることができる。
【００８６】
また、例えば、単相駆動の場合には、ＬＤを駆動した大電流が接地を経由して駆動回路に帰還するので、接地電位が変動するため、近接して設置された微弱電流を検出する光受信系の電子回路に悪影響がでることがあるが、本実施の形態では、差動線路を用いて、ＬＤをプッシュプル動作しているので、大電流は差動線路を流れ、接地電位の変動が少なくなり、周辺回路への影響がでにくいという利点もある。
【００８７】
このように、ドライバ側ピン露出領域を差動線路構成としかつその外側にグランドピン４２ａ，４２ｂを配して、この部分のインピーダンスを従来に比べ低くするようにしたので、この部分とステム内側とのインピーダンス差が従来に比べ小さくなり、また電界の不連続も少なくしたので、通過特性および反射特性を改善することができる。
【００８８】
高周波信号ピン４１ａ，４１ｂの周りに配置される誘電体７７として、ガラスを使用しているので、ステム１０の内側部分（高周波信号ピン４１ａ，４１ｂが誘電体７７で囲まれているフィードスルー部分、以下ピン非露出領域ともいう）では、インピーダンスが下がりすぎる傾向がある。このピン非露出領域のインピーダンスを上げるためには、高周波信号ピンの周りに配置される誘電体７７の断面積（長円の面積）を大きくすればよいが、これでは小型化、省スペース化の要求を満足させることができない。
【００８９】
そこで、２本の高周波信号ピン４１ａ，４１ｂは、誘電体７７の外側にでると、即座にマイクロストリップ差動線路基板４６の差動信号線５２ａ，５２ｂに乗り移れるように、ＬＤ４０側への突出長を短くするとともに、マイクロストリップ差動線路基板４６のストリップ差動信号線５２ａ，５２ｂのうち、高周波信号ピン４１ａ，４１ｂに接続される、ステム１０に近い部分５２ｄ（図６参照）の間隔を、例えば、差動線路基板４７に近い部分の線路間隔よりも大きくしたり、ピン４１ａ、４１ｂの間隔よりも若干広く設定する等、比較的大きく設定することで、この部分の電気的結合を弱くして、この部分５２ｄを高インピーダンスに設定している。例えば、高周波信号ピン４１ａ，４１ｂのフィードスルー部分が６０Ω、ストリップ差動信号線５２ａ，５２ｂにおける間隔の広い５２ｄの部分が１５０Ω、ストリップ差動信号線５２ａ，５２ｂにおける差動線路基板４７に近い間隔の狭い部分が１００Ωとなるようにしている。
【００９０】
このように、ステム１０を出た直後の差動線路部分の線路間隔を大きくして、高インピーダンス部分を故意に作成しており、この高インピーダンス部分とステム内側（ピン非露出領域）の低インピーダンス部分とでインピーダンスを相殺させ、全体的に見てインピーダンスを整合させるようにしている。すなわち、ピン非露出領域（フィードスルー部分）は低インピーダンスであるので、その後にハイインピーダンスを少し作って、全体としてのインピーダンスマッチングをとるようにしている。
【００９１】
また、ストリップ差動信号線５２ａ，５２ｂの途中には、インピーダンス整合用の一対のスタブ５４ａ，５４ｂを形成しており、これら一対のスタブ５４ａ，５４ｂによりインピーダンスを下げてストリップ差動信号線５６ａ、５６ｂとのミスマッチングが発生しないようにしている。すなわち、これら一対のスタブ５４ａ，５４ｂにより、ドライバ側ピン露出領域のリアクタンス成分と、ピン非露出領域（フィードスルー部分）のリアクタンス成分を補償して、通過特性および反射特性を改善している。
【００９２】
また、この場合、一対のスタブ５４ａ，５４ｂは、外側にではなく、内側に（互いの信号線に接近するように）突出されているので、マイクロストリップ差動線路基板４６の小型化に寄与する。なお、小型化が必要ない場合は、図１１に示すように、差動線路５２ａ，５２ｂの外側に突出するようにしてもよい。」

（４）「【０１１５】
なお、上記実施の形態１において、マイクロストリップ差動線路基板４６，４７の代わりに図１７に示すようなグランデッドコプレナ差動線路４６ｂを用いるようにしてもよい。グランデッドコプレナ差動線路４６ｂは、前述したように、基板上に形成された一対の差動信号線と、この一対の差動信号線を挟むように差動信号線の外側に配置されるグランドと、裏面に配置されるベタグランドとから構成されている。」

（５）「【０１３４】
ところで、上述の実施の形態においては、差動信号を入力するためのステム構成をＬＤ４０が搭載されたＬＤモジュールに適用するようにしたが、上記ステム構成を、電界吸収型光変調器（ＥＡ変調器、Ｅｌｅｃｔｒｏ−ａｂｓｏｒｐｔｉｏｎ Ｍｏｄｕｌａｔｏｒ）が搭載されたＥＡモジュールや、受光素子が搭載されて光信号を受信するＰＤモジュールに適用するようにしてもよい。勿論、ＬＤの温度調整用のペルチェ素子を用いたものであってもよいことは云うまでもない。」

（６）図５〜７及び図１７は次のとおりである。
図５


図６


図７


図１７


（７）以上から、引用文献１には、実施の形態１に関する次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。（なお、括弧内は認定の根拠とした段落番号などを示す。以下同じ。）

引用発明
「光半導体用パッケージ（キャンパッケージ）１であって、
キャンパッケージ１は、複数のピンがマウントされた円板状のステム１０と、Ａｇロウ付けなどによってステム１０の内壁面に垂直に固定される台形柱状の台座１１とから構成され（【００４７】、図５〜７）、
高周波信号ピン４１ａ，４１ｂは、気密を保ったままステム１０を介して電気信号を通過させるフィードスルーを構成し（【００４９】）、
ステム１０に対し台座１１がほぼ垂直に配設され、台座１１の上面には、マイクロストリップ差動線路基板４６，４７と、ＬＤ用チップキャリア４８とが搭載され、台座１１とステム１０とは表面全体に導電性のメッキが施され、マイクロストリップ差動線路基板４６，４７やＬＤ用チップキャリア４８の裏面に形成され接地導体層となる平面導体板（ベタグランド）が、台座１１の上面に半田接合され電気的に接続され（【００５０】）、
マイクロストリップ差動線路基板４６は、セラミック基板５１と、セラミック基板５１の上面に形成された一対のストリップ差動信号線５２ａ，５２ｂと、セラミック基板５１の裏面に形成されたベタグランドで構成され、ストリップ差動信号線５２ａ，５２ｂの一端側には、ステム１０から突出された高周波信号ピン４１ａ，４１ｂと接触させるためのパッド５３ａ，５３ｂが形成され（【００５１】）、
マイクロストリップ差動線路基板４７は、セラミック基板５５と、セラミック基板５５の上面に形成された一対のストリップ差動信号線５６ａ，５６ｂと、セラミック基板５５の裏面に形成されたベタグランドで構成され、ストリップ差動信号線５６ａ，５６ｂは、信号線方向を略９０度折り曲げるためのコーナーカーブ部を有しており、ストリップ差動信号線５２ａ，５２ｂと、ストリップ差動信号線５６ａ，５６ｂとは、ワイヤボンド５７ａ，５７ｂによってそれぞれ接続され（【００５２】）、
ＬＤ用チップキャリア４８は、セラミック基板５８と、セラミック基板５８の上面に形成された一対のストリップ差動信号線５９ａ，５９ｂと、セラミック基板５８の裏面に形成されたベタグランドで構成されるマイクロストリップ差動線路を有し、一方のストリップ差動信号線５９ｂ上にＬＤ４０の一方の電極であるアノードが直接当接するように、ＬＤ４０が搭載され、ＬＤ４０の他方の電極としてのカソードは、ワイヤボンド６０によって他方のストリップ差動信号線５９ａに接続され、ストリップ差動信号線５６ａ，５６ｂと、ストリップ差動信号線５９ａ，５９ｂとは、ワイヤボンド６１ａ，６１ｂによってそれぞれ接続され、ＬＤ４０としては、１０Ｇｂ／ｓの変調が可能な、例えば分布帰還型のレーザダイオード素子が用いられ（【００５３】）、
マイクロストリップ差動線路基板４６，４７の代わりにグランデッドコプレナ差動線路４６ｂを用いるようにしてもよく、グランデッドコプレナ差動線路４６ｂは、基板上に形成された一対の差動信号線と、この一対の差動信号線を挟むように差動信号線の外側に配置されるグランドと、裏面に配置されるベタグランドとから構成され（【０１１５】、図１７）、
ＬＤの温度調整用のペルチェ素子を用いたものであってもよい（【０１３４】）、
光半導体用パッケージ（キャンパッケージ）１。」

２ 引用文献２
当審拒絶理由通知書において周知例として提示された引用文献２（特開２０１１−１０８９３９号公報）には、図面とともに、次の記載がある。

（１）「【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。図２は本発明のTO-CAN型TOSAモジュールの一例を示す図である。TO-CAN型TOSAモジュール１００は、気密封止用の誘電体１１（図1参照）、１３ａ、１３ｂ（図２参照）と、高周波電気信号やＤＣ電流を通すための複数の配線端子（信号リード線）２ａ、２ｂ・・・とを備えたステム１０上に光半導体光源素子１１０ａ等を搭載して構成されている。図示の例では、配線端子２ａに高周波電気信号を通している。また、ステム１０の底面にはフレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）６が設けられている。ただし、１３ｂで十分な気密封止が確保できる場合、誘電体１３aについては気密封止を目的としない材料を選択することも可能である。
【００２０】
ステム１０に用いられる材料は、発熱源である光半導体光源素子１１０ａから発生する熱を放熱する効率を高めるという観点では、熱伝導率が高い材料であることが求められる。ただし、ステム１０を構成する材料として金属系の熱伝導率が高いものを用いると、一般に熱膨張係数も高いものとなる。一方、温度変化によって、高周波電気信号を通すための配線端子２ａの周囲に設けられる気密封止用のガラス材料とステムとの間でひずみが生じないように、ステム１０と同程度の高い熱膨張係数を有するガラス材料を用いることが求められる。ここで、ステム１０の熱伝導率を優先して高い熱膨張係数を持つガラス材料を用いる場合、一般にガラス材料の比誘電率も大きなものになる事に注意する必要がある。配線端子２ａのうち、ステム１０を通過する部分は、中心導体が封止用の円形ガラスで囲まれた同軸ケーブルみなせるが、同軸ケーブルには、その特性インピーダンスが標準値の５０Ωであることが求められる。５０Ωのインピーダンスを比誘電率の高いガラスで実現するには、ガラスの直径が１ｍｍを大幅に超える大きさになる。ステムに埋め込まれたガラスの上に素子を置くことは信頼性上不可能であり、ステム内でガラスが大きな面積を占有するような構造は許容できない。
【００２１】
これらの観点から、ステム１０を２層構成とし、ステムの上層１０ａ（発熱源である光半導体光源素子１１０ａ等がペルチェ素子１０９等を介して間接的に搭載される）を熱伝導率が高い材料で構成し、ステムの下層１０ｂを比誘電率と熱膨張係数が小さいガラス材料にマッチする材料で構成している。例えば、ステム上層１０ａを熱伝導率が高いＳＰＣ（軟鋼、冷間圧延鋼）で構成し、ステム下層１０ｂを熱膨張係数が小さいＦｅ（鉄）−Ｎｉ（ニッケル）−Ｃｏ（コバルト）合金（Ｋｏｖａｒ、コバール）で構成することができる。
【００２２】
ステム上層１０ａは、配線端子２ａの周囲が中空（空気は比誘電率がほぼ最小の１）にされている。一方でステム下層１０ｂは、配線端子２ａの周囲の誘電体１３ｂとして比誘電率と熱膨張係数が小さいガラス材料が同軸状に配置されることによりステム１０を気密封止している。図２には、ステム１０内を貫通して設けられる配線端子２ａの周囲の誘電体１３ａ、１３ｂの配置関係が破線を用いて示されている。ステム上層１０ａの誘電体１３ａとして用いられる空気の誘電率は、ステム下層１０ｂの誘電体１３ｂとして用いられるガラス材料の誘電率よりも低い。従って、ステム上層１０ａの誘電体１３ａの部分、すなわち中空の部分の径は、ステム下層１０ｂの誘電体１３ｂの部分、すなわちガラス材料が設けられた部分の径よりも小さく構成できる。ステム上層１０ａにおいて、高周波電気信号を通す配線端子２ａの周囲を中空、すなわち誘電体として低誘電率の空気を用いると、配線端子２ａの周囲の断面積を小さく構成しても特性インピーダンスを５０Ωに整合させることができる、すなわちインピーダンスマッチングが取れるため、小型化に貢献できるという点でも好ましい。また、配線端子２ａの周囲の断面積を小さく構成できること以外にも、ステム１０上に搭載する素子の面積を広く確保できるという利点や配線端子周辺を気密封止したステムにレンズキャップを抵抗溶接する際の応力負荷を低減し、ガラス材料にクラックが入るなどのリスクを低減することができる。尚、本実施例では、高周波配線端子の特性インピーダンスが50Ωとなるように構成した例を示したが、チップや外部駆動回路の構成によって特性インピーダンスが50Ω以外の値となるように設計してもよい。
【００２３】
ステム１０には上面に突出したノーズ１０ｃがステム１０aのプレス加工時に一体形成されている。ノーズ１０ｃはステム上層１０ａと同じＳＰＣ等の金属製の材料で構成することができる。ステム１０は底面に設けられたグランドピン（図示せず）によって接地されることでグランド電位に保たれている。ノーズ１０ｃも、このステム１０と一体成形されることによってグランド電位に保たれている。ノーズ１０ｃの前面（図示手前側の面）には中継線路基板１０１が半田によって固定されている。中継線路基板１０１は、ＡｌＮ（窒化アルミ）、Ａｌ2Ｏ3（アルミナ）等のセラミック材料で構成することができる。ノーズ１０ｃ前面に固定された中継線路基板１０１の前面には、高周波変調信号（光半導体光源素子の駆動信号）用の信号リード線２ａと接続される中継線路（信号線路）１０２ａと、この中継線路１０２ａの両側に配置される誘電体（誘電体が露出されている部分）８０と、誘電体８０を挟んで中継線路１０２ａの両側に形成されたグランドパターン１０２Ｇとが設けられている。中継線路基板１０１前面に設けられたグランドパターン１０２Ｇは、スルーホールｈ１、ｈ２、ｈ３・・・を介して中継線路基板１０１の裏側に配されるノーズ１０ｃとグランド接続されている。さらに中継線路基板１０１のグランドパターン１０２Ｇは、ステム１０に近接する領域においてステム１０に半田Ｓ１、Ｓ２によって接続されてステム１０と同電位にされることで安定なマイクロ波の伝搬ができるようにグランド強化されている。
【００２４】
中継線路基板１０１上の中継線路１０２ａは、ボンディングワイヤ１０４を介してサブキャリア基板１０８上の中継線路（信号線路）１０２ｂと接続されている。サブキャリア基板１０８は、ＡｌＮ（窒化アルミ）、Ａｌ2Ｏ3（アルミナ）等のセラミック材料で構成することができる。この中継線路１０２ｂの両側には誘電体（誘電体が露出されている部分）８１が配置され、誘電体８１の周囲には、グランドパターン１２０Ｇが構成されている。サブキャリア基板１０８上の中継線路１０２ｂを伝搬するマイクロ波の安定化のために、中継線路基板１０１のグランドパターン１０２Ｇとサブキャリア基板１０８のグランドパターン１２０Ｇとが、ボンディングワイヤ１０３ａ、１０３ｂ（以下、第１のワイヤともいう）によって接続されている。
【００２５】
本発明のTO-CAN型TOSAモジュール１００は、後述するように、中継線路基板１０１のグランドパターン１０２Ｇとサブキャリア基板１０８のグランドパターン１２０Ｇとを接続するボンディングワイヤ１０３ａ、１０３ｂ（第１のワイヤ）に加えて、ノーズ１０ｃとキャリア１０５とを接続するボンディングワイヤ１０３ｃ、１０３ｄ、１０３ｅ、１０３ｆ等（以下、第２のワイヤともいう）を設けたことに特徴がある。この第２のワイヤを設けることにより、Ｃｕ−Ｗ（銅−タングステン金属化合物）等の金属すなわち導体で構成されたキャリア１０５のグランドを強化するとともに間接的にサブキャリア基板１０８のグランドをも強化することができる。第２のワイヤとしては、図示のような線形状のワイヤ以外にも、リボン状のワイヤを用いてもよい。また、第１のワイヤおよび第２のワイヤはそれぞれ、Ａｕ（金）等の良導体材料で構成できる。なお、図２の例では、第２のワイヤをノーズ１０ｃおよびキャリア１０５の背面および天面の両方に設ける場合を例に挙げて説明しているがこれに限定されない。図３および図４を用いて後述するように、背面または天面のいずれか一方に設けてもよい。
【００２６】
ステム１０上には、冷却素子としてのペルチェ素子１０９が搭載されており、ペルチェ素子１０９上には、各種部品を搭載するためのキャリア１０５が載置されている。このため従来TO-CAN型TOSAモジュール５０（図１参照）では、キャリア１０５は、ペルチェ素子１０９上に載置されることによってグランド接地されたステム１０から絶縁され、電気的にフローティング状態にあった。しかし、本発明のTO-CAN型TOSAモジュール１００においては、グランド接地されたステム１０と一体に形成されたノーズ１０ｃと接続する第２のワイヤが設けられているので、キャリア１０５がグランド強化されている。
【００２７】
また、キャリア１０５には、上部に光半導体光源素子１１０ａからの光をコリメート光にするためのレンズ１０６が搭載され、その下側にサブキャリア基板１０８を搭載している。サブキャリア基板１０８には、光半導体光源素子として、レーザダイオードと光変調器部とをモノリシック集積したチップ１１０ａが搭載され、他に光変調器部を駆動制御するための中継線路１０２ｂ、終端抵抗１１０ｂ、コンデンサ１１０ｃ、温度センサとしてのサーミスタ１１０ｄなどが搭載されている。レーザダイオードからの光が光変調器部を通過する際に、中継線路１０２ｂから変調器部に印加される電気信号に応じた変調信号が光信号に付与（重畳）される。終端抵抗１１０ｂ、コンデンサ１１０ｃなどは、中継線路１０２ｂから光変調器部に効率よく高周波電気信号を引き込むようにその抵抗値や容量、配置が設計されている。キャリア１０５には、さらに、レーザ出力を監視するフォトダイオード（ＰＤ）１１０ｅ、コンデンサ１１０ｆなどが搭載され、外部から光デバイスの動作状態をモニタしたり、電源回路の揺らぎ等の影響が光デバイスに及ばないようにしたり出来るように設計されている。なお、ここでは光半導体光源素子１１０ａの構成を外部変調型とした場合について説明したが、レーザダイオードそのものを変調する直接変調型で構成してもよい。」

（２）図１及び図２は次のとおりである。
図１


図２


３ 引用文献３
当審拒絶理由通知書において周知例として提示された引用文献３（特開２０１１−１９７３６０号公報）には、図面とともに、次の記載がある。

（１）「【００１２】
実施の形態１．
図１は、実施の形態１に係る半導体光変調装置を示す斜視図である。金属ステム１をリードピン２が貫通している。リードピン２はガラス材３を介して金属ステム１に固定されている。金属ステム１及びリードピン２は、例えば銅、鉄、アルミニウム又はステンレスなどの金属からなり、金メッキやニッケルメッキなどを表面に施してもよい。
【００１３】
金属ステム１上に支持ブロック４及び温度制御モジュール５が実装されている。温度制御モジュール５にはペルチェ素子５ａが設けられ、ペルチェ素子５ａは放熱面５ｂと冷却面５ｃとの間に挟まれている。温度制御モジュール５の冷却面５ｃ上に支持ブロック６が実装されている。支持ブロック４の側面に誘電体基板７が実装されている。支持ブロック６の側面に誘電体基板８が実装されている。
【００１４】
支持ブロック４，６は、例えば銅、鉄、アルミニウム又はステンレスなどの金属からなる。ただし、支持ブロック４，６は、セラミックや樹脂などの絶縁体に金属が被覆された構造でもよい。誘電体基板７，８は、例えばアルミナなどのセラミックやエポキシなどの樹脂からなる。なお、支持ブロック４は、リードピン２の近傍に配置することが好ましい。支持ブロック６は、誘電体基板７の近傍に配置することが好ましい。
【００１５】
誘電体基板７上に信号線路９が形成されている。誘電体基板７上に、信号線路９との間隔を一定に保った状態で接地導体１０が形成されている。信号線路９と接地導体１０がコプレナ線路を構成している。接地導体１０は、誘電体基板７に形成されたビア（不図示）を介して支持ブロック４に接続されている。
【００１６】
誘電体基板８上に信号線路１１及び整合抵抗１２が形成されている。誘電体基板８上に、信号線路１１との間隔を一定に保った状態で接地導体１３が形成されている。信号線路１１と接地導体１３がコプレナ線路を構成している。接地導体１３は誘電体基板８の側面にも形成されている。
【００１７】
誘電体基板８上に半導体光変調素子１４が実装されている。半導体光変調素子１４は、例えばＩｎＧａＡｓＰ系量子井戸吸収層を用いた電界吸収型光変調器と分布帰還型レーザダイオードとをモノリシックに集積した変調器集積型レーザ（ＥＡＭ−ＬＤ）や、半導体ＭＺ（Mach-Zehnder）光変調器などである。
【００１８】
信号線路９の一端とリードピン２はボンディングワイヤ１５により接続されている。信号線路９の他端と信号線路１１の一端はボンディングワイヤ１６により接続されている。接地導体１０と接地導体１３はボンディングワイヤ１６´により接続されている。信号線路１１の他端と半導体光変調素子１４の信号端子はボンディングワイヤ１７により接続されている。半導体光変調素子１４と整合抵抗１２の一端はボンディングワイヤ１８により接続されている。整合抵抗１２の他端と支持ブロック６はボンディングワイヤ１９により接続されている。」

（２）図１は次のとおりである。
図１


４ 引用文献４
当審拒絶理由通知書において周知例として提示された引用文献４（国際公開第２０１０／１４０４７３号）には、図面とともに、次の記載がある。

（１）「[0012] 実施の形態１．
図１は、本発明に係る半導体光変調装置の実施の形態１の概略構成を示す斜視図である。図１において、金属ステム１には、金属ステム１を貫通するリードピン２が設けられ、リードピン２はガラス材３を介して金属ステム１に固定されている。なお、金属ステム１およびリードピン２の材料は、例えば、銅、鉄、アルミニウムまたはステンレスなどの金属を用いることができ、金メッキやニッケルメッキなどを表面に施すようにしてもよい。
[0013] また、金属ステム１上には、温度制御モジュール４および支持ブロック５が実装されている。ここで、温度制御モジュール４には、ペルチェ素子４ｂが設けられ、ペルチェ素子４ｂは放熱面４ａと冷却面４ｃとの間に挟まれている。
[0014] そして、支持ブロック５の側面には誘電体基板６が実装されるとともに、温度制御モジュール４の冷却面４ｃ上には支持ブロック９が実装されている。そして、支持ブロック９側面には誘電体基板１０が実装され、誘電体基板１０上には半導体光変調素子１３が実装されている。なお、半導体光変調素子１３としては、例えば、ＩｎＧａＡｓＰ系量子井戸吸収層を用いた電界吸収型光変調器と分布帰還型レーザダイオードとをモノリシックに集積した変調器集積型レーザ（ＥＡＭ−ＬＤ）を用いるようにしてもよいし、ＬｉＮｂＯ３マッハツェンダ型光変調器などを用いるようにしてもよい。
[0015] ここで、誘電体基板６上には、信号線路７およびグランド導体８が形成されている。なお、信号線路７は、誘電体基板６の互いに直交する辺に渡って配置することができる。また、グランド導体８は、信号線路７との間隔を一定に保った状態で誘電体基板６上の全面に形成し、コプレナ線路を構成することができる。また、グランド導体８は、誘電体基板６に形成されたスルーホールを介して支持ブロック５と電気的に接続することができる。
[0016] また、誘電体基板１０上には、信号導体１１およびグランド導体１２が形成されている。なお、グランド導体１２は、信号導体１１と所定の間隔を隔てて誘電体基板１０上に形成することができる。また、グランド導体１２は、誘電体基板１０の側面にも形成するようにしてもよい。」

（２）図１は次のとおりである。
図１


５ 引用文献５
当審拒絶理由通知書において周知例として提示された引用文献５（国際公開第２０１０／１４０４７３号）には、次の記載がある。

「【技術分野】
【０００１】
本発明は、差動信号を伝送する配線基板、該配線基板を備える半導体素子パッケージおよび半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
光伝送を利用することで信号通信は、大幅に高速化され、電気信号の伝送も高速化されている。高速化伝送に適した伝送方式として、差動線路伝送方式が用いられる。差動線路方式は、逆位相の高周波信号を一対の伝送線路によって伝送し、伝送先で２つの信号から電位差を検出する。一対の伝送線路による伝送中にノイズが混入しても、電位差を検出することで、混入したノイズがキャンセルされるので、ノイズ耐性の高い信号伝送が実現できる。
【０００３】
一対の差動線路は、誘電体基板上に一定の間隔を空けて平行に配設され、信号が伝送されると、互いに結合して所定のインピーダンスとなるように線路設計される。しかしながら、一対の伝送路の一方端部側と他方端部側とでは、接続される回路や電子部品が異なるので、端部における線路間の間隔を接続先に応じて変更すると、一方端部側と他方端部側とで間隔が異なる場合がある。たとえば、一方端部側での間隔よりも他方端部側での間隔が大きくなる。
・・・略・・・
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
高周波差動線路の場合は、２本の信号配線（Ｓ）に差動信号を伝送させ、その両側に沿って接地配線（Ｇ）を設けることで、差動信号を安定して伝送させている。
【０００７】
このように、高周波差動線路は、Ｇ−Ｓ−Ｓ−Ｇと並べて配置する場合が多い。これに対し、Ｇ−Ｓ−Ｇ−Ｓ−Ｇと配置する差動線路もある。一端にＧ−Ｓ−Ｓ−Ｇの差動線路を接続し、他端にＧ−Ｓ−Ｇ−Ｓ−Ｇ配置を有する差動線路を接続する場合は、両端部において配線の配置が異なっているのでそのまま接続することができない。」

６ 引用文献６
当審拒絶理由通知書において周知例として提示された引用文献６（特開２０１６−１１５７３６号公報）には、図面とともに、次の記載がある。

（１）「【００１２】
図１は、本発明の実施形態である半導体素子パッケージ１の構成を示す斜視図である。半導体素子パッケージ１は、基体２と枠部材３と端子部材４とを備え、基体２の一方主面２ａに枠部材３が設けられ、この枠部材３の基体２側には切り欠き３ａが形成されている。切り欠き３ａは、基体２の一方主面２ａと枠部材３との間の間隙となり、端子部材４は間隙となっている切り欠き３ａを塞いで設けられている。
【００１３】
本実施形態では、半導体素子パッケージ１に収納される半導体素子は、ＬＤ（レーザダイオード）、ＰＤ（フォトダイオード）などの光半導体素子であるが、基体２と枠部材３と端子部材４とを備える半導体素子パッケージ１に収納可能な半導体素子であれば、センサ素子や撮像素子などその他の半導体素子であってもよい。
・・・略・・・
【００２３】
図２〜図５は、端子部材４の構成を説明するための斜視図である。図２は、第１誘電体層５の表面に、複数の信号配線導体６と複数の同一面接地導体層７とが設けられた状態を示している。図３は、同一面接地導体層７に接続する貫通導体８を示している。図４は、信号配線導体６と同一面接地導体層７の中央部分を覆うように第２誘電体層９が設けられた状態を示している。図５は、第２誘電体層９上にさらに第３誘電体層１０が設けられた状態を示している。図２〜図５では、信号配線導体および誘電体層と、接地電位が付与される接地導体層との区別をわかり易くするために、接地導体層にハッチングを施している。
【００２４】
第１誘電体層５は、たとえば誘電体材料であるセラミックス材料からなり、一表面に複数の信号配線導体６と複数の同一面接地導体層７とが設けられる。信号配線導体６は、半導体素子パッケージ１に収納される半導体素子と電気的に接続する一方端部６ａおよび外部配線と電気的に接続する他方端部６ｂとを有している。
【００２５】
なお、第１誘電体層５は、信号配線導体６と複数の同一面接地導体層７とが設けられる平坦な表面を有する層状または板状の部分を含んでいればよく、全体の形状は、枠部材３の切り欠き３ａの基体２側を塞ぐように形成される。
【００２６】
同一面接地導体層７は、信号配線導体６の両側に信号配線導体６と一定の間隔を空けて配置されており、信号配線導体６と同一面接地導体層７とは、概略コプレナー線路の構成を有している。
【００２７】
また、信号配線導体６は、それぞれが個別の信号を伝送してもよく、同一面接地導体層７を挟んで隣り合う２本の信号配線導体６によって、互いに逆位相の信号をそれぞれ伝送する差動信号配線であってもよい。差動信号配線は、耐ノイズ性能が高く、高周波信号の伝送に好適である。
【００２８】
信号配線導体６の導体幅は、たとえば０．０５ｍｍ〜１ｍｍであり、信号配線導体６の配線ピッチは、たとえば０．５ｍｍ〜５ｍｍであり、信号配線導体６と同一面接地導体層７との間隔は、たとえば０．０３ｍｍ〜１ｍｍである。同一面接地導体層７の大きさは、信号配線導体６の導体幅、配線ピッチおよび信号配線導体６との間隔に基づいて適宜決定することができる。」
・・・略・・・
【００４０】
本実施形態では、第２誘電体層９の信号配線導体６および同一面接地導体層７に対向する面とは反対側の面に、側面接地導体層１１と電気的に接続する主面接地導体層１２が設けられる。主面接地導体層１２は、第２誘電体層９の主面にベタパターン状に設けられ、側面に設けられた側面接地導体層１１の同一面接地導体層７に接続する一辺に平行な他辺と主面接地導体層１２とが接続されている。主面接地導体層１２は、側面接地導体層１１を介して同一面接地導体層７と導通し、側面接地導体層１１および同一面接地導体層と同じ接地電位となる。
【００４１】
主面接地導体層１２は、第２誘電体層９の主面にベタパターン状に設けられ、第２誘電体層９を介して信号配線導体６を覆っており、信号配線導体６の内層部分において、信号配線導体６と結合する。これにより、信号配線導体６の内層部分では、両隣の同一面接地導体層７および主面接地導体層１２と結合した状態で高周波信号が伝送される。
【００４２】
図３に示した貫通導体８は、第２誘電体層９を厚み方向に貫通する導体であり、実際には、図３のように同一面接地導体層７上に自立しているものではない。貫通導体８は、第２誘電体層９に埋め込まれた状態となるので、図３ではわかり易いように、第２誘電体層９を図示せず、貫通導体８の位置などを概略的に示している。
【００４３】
貫通導体８は、第２誘電体層９を厚み方向に貫通することで、同一面接地導体層７と主面接地導体層１２とを電気的に接続する。貫通導体８は、信号配線導体６を間に挟むように各同一面接地導体層７にそれぞれ複数接続するように設けられ、たとえば、信号配線導体６が延びる第１方向に沿って一直線状に設けられる。
【００４４】
同一面接地導体層７と主面接地導体層１２とを電気的に接続することで、同一面接地導体層７および主面接地導体層１２と、これらに接続する側面接地導体層１１の接地電位をより安定させることができる。また、信号配線導体６の内層部分において、貫通導体８は信号配線導体６との間で電界が結合する。これにより、信号配線導体６の内層部分では、両隣の同一面接地導体層７、主面接地導体層１２および貫通導体８との間で電界が結合した状態で高周波信号が伝送される。
【００４５】
貫通導体８は、たとえば、長さは、第２誘電体層９の厚みと同じであり、直径が０．０５ｍｍ〜１ｍｍであり、ピッチが０．１ｍｍ〜２ｍｍである。」

（２）図３及び図４は次のとおりである。
図３


図４


７ 引用文献７
当審拒絶理由通知書において周知例として提示された引用文献７（特開２００３−１７４１０８号公報）には、図面とともに、次の記載がある。

（１）「【００１０】
【発明の実施の形態】続いて、添付した図面を参照しつつ、本発明を具体化した実施の形態について説明し、本発明の理解に供する。ここに、図１（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ本発明の一実施の形態に係る光通信用パッケージの平面図、Ａ−Ａ’線断面図、図２（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ同光通信用パッケージのアダプターの台座部と伝送基板の接合部の拡大平面図、Ｂ−Ｂ’線断面図、図３（Ａ）〜（Ｅ）はそれぞれ同光通信用パッケージの製造方法の説明図である。
【００１１】図１（Ａ）、（Ｂ）に示すように、本発明の一実施の形態に係る光通信用パッケージ１０は、金属製の枠体１１と、ボード等に取り付けるための固定用孔１２（この実施の形態では４個）を備えた金属製の底体１３とをろう付け接合して、内部に光通信用の半導体素子を搭載するためのキャビティ部１４を有している。枠体１１の一側壁には、キャビティ部１４に連通して切り欠いて形成した取付部１５が設けられている。この取付部１５には、ＫＶや４２アロイ等の金属部材からなるアダプター１６の側壁部１７がＡｇ−Ｃｕろう等の高温ろう材を用いて接合されている。このアダプター１６は、側壁部１７に一体化され、キャビティ部１４に配置される台座部１８を有している。また、側壁部１７には、同軸コネクター１９を接続するための挿通孔２０を有している。挿通孔２０には、Ａｕ−Ｓｎろうや、Ａｕ−Ｇｅろう等からなる低温ろう材で接合された同軸コネクター１９を有している。同軸コネクター１９は、ＫＶや、４２アロイ等の金属部材からなる金属製筒体２１の筒内中央部に、金属製筒体２１の軸心を合わせて、高融点ガラス等の絶縁部材２２で長さ方向の中央部で接合されたコネクター芯線２３を有する。
【００１２】図２（Ａ）、（Ｂ）に示すように、アダプター１６の台座部１８上には、セラミックからなる伝送基板２４を、コネクター芯線２３のキャビティ部１４内に突出する一方の側部の下側に配置し、一端面部をアダプター１６の側壁部１７に実質的に隙間を無くして当接させ、底面側をＡｕ−Ｓｎろうや、Ａｕ−Ｇｅろう等からなる低温ろう材２５で接合して有している。この伝送基板２４は、同軸コネクター１９を介して高周波信号を流すときの高周波対応のために、例えば、マイクロストリップ線路、コプレナ線路、グランデッドコプレナ線路等の構造（本実施の形態ではグランデッドコプレナ線路構造で説明）を有した信号用の金属導体パターン２６ａと、グランド用の金属導体パターン２６ｂを有している。伝送基板２４の上面側の中央部に、コネクター芯線２３の軸線方向に合わせて設けられた信号用の金属導体パターン２６ａには、コネクター芯線２３の一方の側部がＡｕ−Ｓｎろうや、Ａｕ−Ｇｅろう等からなる低温ろう材で接合されている。また、伝送基板２４の上面側には、平面視して信号用の金属導体パターン２６ａを挟んで両側に絶縁間隔部を設けてグランド用の金属導体パターン２６ｂが設けられ、更に、底面側にも、全面にわたってグランド用の金属導体パターン２６ｃが設けられ、そして、上面と、底面を貫通する貫通孔の壁面に金属導体パターン２６ｄを形成した中空ビア２７によって、上面側と、底面側のグランド用の金属導体パターン２６ｂ、２６ｃが導通状態に形成されている。
【００１３】中空ビア２７には、断面視してテーパ部２８を有し、テーパ部２８に設けられた金属導体パターン２６ｄの表面には、金属薄膜層２９を有している。この金属薄膜層２９は、Ａｕ−Ｓｎろうや、Ａｕ−Ｇｅろう等からなる低温ろう材２５が溶融した時のろう流れを阻害するＣｒや、Ｎｉ等からなる金属で形成されている。このろう流れを阻害する金属薄膜層２９によって、伝送基板２４をアダプター１６の台座部１８に低温ろう材２５で接合しても、中空ビア２７から低温ろう材２５が伝送基板２４の上面側に這い上がるのを防止することができる。そして、信号用の金属導体パターン２６ａと、グランド用の金属導体パターン２６ｂの上面側は、光通信用の半導体素子とそれぞれボンディングワイヤで接続するのに用いられる。
【００１４】中空ビア２７のテーパ部２８は、アダプター１６の台座部１８に接合する側の開口径が大きく形成されているのがよい。大きい開口径部から接合時に巻き込まれる気泡が排出されやすくなり、伝送基板２４の浮き上がりを防止することができる。また、低温ろう材の這い上がりに対しては、ろう材が這い上がる方向に孔径が小さくなって這い上がり抵抗が大きくなる側に作用するので、更に、這い上がりを防止することができる。」

（２）図２は次のとおりである。
図２


８ 引用文献Ｅ
原査定において周知例として提示された引用文献Ｅ（特開２０１６−１２６０１号公報）には、図面とともに、次の記載がある。

（１）「【００２３】
図１は本発明の一実施形態の配線基板１０を示す平面図である。なお、図において、分かりやすくするために導体部分にハッチングを付している。これらハッチングは断面を示すものではない。
【００２４】
図１に示すように、配線基板１０には、誘電体から成る基板１の表面に、線路導体２が形成されている。線路導体２の両側には、所定間隔を隔てて接地導体３が形成されている。線路導体２および両側の接地導体３は、いわゆるコプレナー線路を形成している。なお、配線基板１０のコプレナー線路が形成されている部分の裏面に、第２接地導体（不図示）が形成され、いわゆるグランデッドコプレナー線路とされていてもよい。
【００２５】
線路導体２は、例えば蛇行するように配置され、曲線状に屈曲する曲線部Ｒを有している。線路導体２は、曲線部Ｒにおいて、曲線の曲がる方向と反対側の側部が一定幅に切り欠かれた切り欠き部２ａを有している。典型的な線路導体２の幅は、例えば０．０８ｍｍである、また切り欠き部２ａの幅は０．０１ｍｍである。通常、線路導体２の両側の接地導体３との間隔Ｗ１は均等になるように設計される。しかしながら、このことによって線路導体２の曲がる方向と反対側の接地導体３と線路導体２との間隔Ｗ２は、曲線部Ｒでない部分の間隔Ｗ１よりも広くなっている。
【００２６】
一方、線路導体２の曲線の曲がる方向と同じ方向側の側部には一定幅に突出する形状の突出部２ｂが設けられている。典型的な突出部２ｂの突出幅は、例えば０．０１ｍｍである。これによって、線路導体２の曲がる方向と同じ方向側の接地導体３と線路導体２との間隔Ｗ３は、曲線部Ｒでない部分の間隔Ｗ１よりも狭くなっている。
【００２７】
なお、曲線の曲がる方向とは、曲線の曲率中心が存在する側であることを意味し、曲線の曲がる方向と反対側とは、この曲率中心が存在する側とは曲線を跨いで反対側であることを意味する。以降説明においては、曲線の曲がる方向と同じ方向を曲線の内側、曲線の曲がる方向と反対側方向を曲線の外側とも称する。
【００２８】
図１に示す例においては、曲線部Ｒにおける線路導体２の外側の側部が切り欠かれ、線路導体２の内側の側部が突出されている。つまり、線路導体２は、曲線部Ｒにおいて、全体が曲線部Ｒの内側方向側に一定距離だけシフトさせたような形状に形成されている。
【００２９】
曲線部Ｒの外側方向における線路導体２と接地導体３との間隔Ｗ２を広くし、曲線部Ｒの内側方向における線路導体２と接地導体３との間隔Ｗ３を狭くする手段としては、この他にも様々な形態とすることが可能である。
【００３０】
例えば、図２に示す例は、曲線部Ｒにおいて、曲線部Ｒの内側方向側の接地導体３が一定幅に突出させた突出部３ａとして形成されている。典型的な突出部３ａの突出幅は、例えば０．０１ｍｍである。これによって、線路導体２の内側方向の線路導体２と接地導体３との間隔を狭くすることができる。
【００３１】
一方、曲線部Ｒにおいて、曲線部Ｒの外側方向側の接地導体３が一定幅切り欠かれた切り欠き部３ｂを有する形状に形成されている。典型的な切り欠き部３ｂの切り欠き幅は、例えば０．０１ｍｍである。これによって、線路導体２の外側方向の線路導体２と接地導体３との間隔を広くすることができる。
【００３２】
図２に示す例においては、曲線部Ｒにおいて、曲線部Ｒの外側方向側に接地導体３全体をシフトさせたような形状に形成されている。これによって、曲線部Ｒの外側方向側において線路導体２と接地導体３との間隔Ｗ２を広くし、曲線部Ｒの内側方向側において線路導体２と接地導体３との間隔Ｗ３を狭くすることができる。
【００３３】
また、上述の手段を組み合わせることによって実現してもよい。例えば、図３に示す例においては、曲線部Ｒにおいて、線路導体２の外側方向側の側部に切り欠き部２ａが設けられている。一方、線路導体２の内側方向側の側部に突出部２ｂを設ける代わりに、内側方向側の接地導体３の側部に突出部３ａが設けられている。これによって、曲線部Ｒの外側方向側において線路導体２と接地導体３との間隔を広くし、曲線部Ｒの内側方向側において線路導体２と接地導体３との間隔を狭くしている。
【００３４】
さらに、線路導体２の両側に切り欠き部２ａおよび突出部２ｂを設け、線路導体２の両側の接地導体３に突出部３ａと切り欠き部３ｂとを設けて実現してもよい。例えば、図４は、曲線部Ｒにおいて、線路導体２の両側に切り欠き部２ａと突出部２ｂとを設け、同時に、接地導体３に突出部３ａと切り欠き部３ｂとを設けた例を示す。
【００３５】
これら、曲線部Ｒにおいて、線路導体２の外側方向の線路導体２と接地導体３との間隔Ｗ２を広くし、内側方向の線路導体２と接地導体３との間隔Ｗ３を狭くすることによって、コプレナー線路の反射損失を低くすることができる。」

（２）図１〜図３は次のとおりである。
図１


図２


図３


第６ 対比、判断
１ 本願発明１について
（１）対比
本願発明１と引用発明とを対比する。
ア 引用発明の「光半導体用パッケージ（キャンパッケージ）１」は、本願発明１の「ＴＯパッケージ」に相当する。

イ 引用発明において、「高周波信号ピン４１ａ，４１ｂは、気密を保ったままステム１０を介して電気信号を通過させるフィードスルーを構成し」、「ストリップ差動信号線５２ａ，５２ｂの一端側には、ステム１０から突出された高周波信号ピン４１ａ，４１ｂと接触させるためのパッド５３ａ，５３ｂが形成され」、「ストリップ差動信号線５２ａ，５２ｂと、ストリップ差動信号線５６ａ，５６ｂとは、ワイヤボンド５７ａ，５７ｂによってそれぞれ接続され」、「ストリップ差動信号線５６ａ，５６ｂと、ストリップ差動信号線５９ａ，５９ｂとは、ワイヤボンド６１ａ，６１ｂによってそれぞれ接続され」、「一方のストリップ差動信号線５９ｂ上にＬＤ４０の一方の電極であるアノードが直接当接するように、ＬＤ４０が搭載され、ＬＤ４０の他方の電極としてのカソードは、ワイヤボンド６０によって他方のストリップ差動信号線５９ａに接続され」ることから、「高周波信号ピン４１ａ，４１ｂ」は、「ステム１０」に設けられた２つの「フィードスルー」をなしており、各ストリップ差動信号線を介して、「ＬＤ４０」のカソード、アノードにそれぞれ接続するものであるといえる。
ここで、引用発明において、「マイクロストリップ差動線路基板４６，４７の代わりにグランデッドコプレナ差動線路４６ｂを用いるようにし」たものは、「マイクロストリップ差動線路基板４６，４７」における「ストリップ差動信号線５２ａ，５２ｂ」、「ストリップ差動信号線５６ａ，５６ｂ」を、「一対の差動信号線」及び「この一対の差動信号線を挟むように差動信号線の外側に配置されるグランド」に置き換えたものであるから、上記「高周波信号ピン４１ａ，４１ｂ」は、当該「一対の差動信号線」を介して、「ＬＤ４０」のカソード、アノードにそれぞれ接続することとなる。
そうすると、引用発明の「グランデッドコプレナ差動線路４６ｂを用いるようにし」たものにおける「ステム１０」、「ＬＤ４０」、「高周波信号ピン４１ａ，４１ｂ」、「一対の差動信号線」は、それぞれ本願発明１の「ベース部品」、「光エレクトロニクス素子」、「２つのフィードスルー」、「２つの導体路」に相当し、引用発明は、本願発明１の「ベース部品を備え、前記ベース部品は、光エレクトロニクス素子の接続用の少なくとも２つのフィードスルーを有する」との構成、及び、「少なくとも２つの導体路が配置されており、これらの導体路はそれぞれ、前記光エレクトロニクス素子の接続用の前記フィードスルーのうちの１つと接続されていて」との構成を有する。

ウ 引用発明において、「グランデッドコプレナ差動線路４６ｂ」の「基板」及び「ＬＤ用チップキャリア４８」の「セラミック基板５８」は、いずれも、一対の差動信号線が配置されることから、本願発明１の「サブマウント」に相当し、引用発明は、本願発明１の「前記導体路は、サブマウント上に配置されており」との構成を有する。

エ 引用発明において、「ステム１０に対し台座１１がほぼ垂直に配設され、台座１１の上面には、マイクロストリップ差動線路基板４６，４７・・・が搭載され」るところ、「マイクロストリップ差動線路基板４６，４７の代わりにグランデッドコプレナ差動線路４６ｂを用いるようにし」たものは、「台座１１の上面」に、「一対の差動信号線」が配置された「グランデッドコプレナ差動線路４６ｂ」が搭載されることとなるから、引用発明の「台座１１」は、本願発明１の「支持体」に相当し、引用発明は、本願発明１の「前記ベース部品の床部を起点として支持体が延在しており」との構成、及び、「前記支持体には少なくとも２つの導体路が配置されており」との構成を有する。

オ したがって、本願発明１と引用発明は、以下の一致点で一致し、以下の相違点１、２で相違する。

＜一致点＞
「ＴＯパッケージであって、ベース部品を備え、前記ベース部品は、光エレクトロニクス素子の接続用の少なくとも２つのフィードスルーを有する、ＴＯパッケージにおいて、
前記ベース部品の床部を起点として支持体が延在しており、
前記支持体には少なくとも２つの導体路が配置されており、これらの導体路はそれぞれ、前記光エレクトロニクス素子の接続用の前記フィードスルーのうちの１つと接続されていて、
前記導体路は、サブマウント上に配置されていることを
特徴とする、ＴＯパッケージ。」

＜相違点１＞
本願発明１は、「ベース部品」に「熱電冷却機用の実装領域を有する」のに対し、引用発明は、「ＬＤの温度調整用のペルチェ素子を用いたもの」であることから、「熱電冷却機」を備えているといえるものの、「ベース部品」に「熱電冷却機用の実装領域を有する」かどうか不明である点。

＜相違点２＞
本願発明１は、「前記導体路は曲げられていて、前記導体路間にアース導体路が配置されており、前記アース導体路が曲げられている領域は、傾斜しており、かつ幅を増大されて形成されており、前記サブマウントは、前記アース導体路の領域に複数の貫通孔を有しており、少なくとも、これらの貫通孔の側壁が金属化されており、前記貫通孔は５〜９０°の円錐角を有する截頭円錐形に形成されている」のに対し、引用発明は、そのような構成を有しない点。

（２）判断
事案に鑑みて、相違点２について先に検討する。
ア まず、上記相違点２に係る構成のうち、「前記導体路間にアース導体路が配置されており、」「前記サブマウントは、前記アース導体路の領域に複数の貫通孔を有しており、少なくとも、これらの貫通孔の側壁が金属化されており、前記貫通孔は５〜９０°の円錐角を有する截頭円錐形に形成されている」との構成について検討する。
高周波信号を伝送する差動線路において、一対の差動信号線の両外側と当該差動信号線間の双方にグランドを設けることは、例えば引用文献５に「高周波差動線路の場合は、２本の信号配線（Ｓ）に差動信号を伝送させ、その両側に沿って接地配線（Ｇ）を設けることで、差動信号を安定して伝送させている。・・・高周波差動線路は、Ｇ−Ｓ−Ｓ−Ｇと並べて配置する場合が多い。これに対し、Ｇ−Ｓ−Ｇ−Ｓ−Ｇと配置する差動線路もある。」（【０００６】〜【０００７】）と記載されているように周知技術であるところ、引用発明において高周波信号を伝送するグランデッドコプレナ差動線路４６ｂにおいても、当該周知技術に照らして、上記相違点２に係る「導体路間にアース導体路が配置される」構成を採用することは、当業者が適宜なし得たことである。
また、グランデッドコプレナ差動線路においては、接地電位を安定させるために、コプレナ差動信号線と同一面に設けられるグランドと、その裏側に設けられるベタグランドとの間を、側壁が金属化された多数の貫通孔によって電気的に接続することが一般的であり（例えば、引用文献２の【００２３】、図２、引用文献４の[0015]、図１、引用文献６の【００２６】〜【００２７】、【００４１】〜【００４４】、図３〜４、引用文献７の【００１２】〜【００１４】、図２を参照。）、上記のように差動信号線間にグランドを設ける際に、当該グランドと基板裏面のベタグランドとの間に、側壁が金属化された貫通孔を複数設けることは、当業者であれば普通に行うことである。
ここで、上記相違点２に係る「５〜９０°の円錐角を有する截頭円錐形」との貫通孔の形状について、上記の引用文献７にみられるように、断面視でテーパ状の貫通孔を採用し、上記相違点２に係る貫通孔の構成となすことは、設計事項にすぎず、本願明細書（【０１１１】〜【０１１２】等）を参照しても、上記相違点２に係る貫通孔の形状を採用することの技術的意義は認められない。

イ 次に、上記相違点２に係る「前記導体路は曲げられていて」、「前記アース導体路が曲げられている領域は、傾斜しており、かつ幅を増大されて形成されており」との構成（本件補正により追加された構成）について検討する。
引用発明において、「マイクロストリップ差動線路基板４７」の「一対のストリップ差動信号線５６ａ，５６ｂ」は、「マイクロストリップ差動線路基板４６」の「一対のストリップ差動信号線５２ａ，５２ｂ」と「ＬＤ用チップキャリア４８」の「一対のストリップ差動信号線５９ａ，５９ｂ」とを中継するものであるとともに、当該「一対のストリップ差動信号線５６ａ，５６ｂ」は、「信号線方向を略９０度折り曲げるためのコーナーカーブ部を有して」いる。そうすると、「マイクロストリップ差動線路基板４６，４７の代わりにグランデッドコプレナ差動線路４６ｂを用いるようにし」た場合の「一対の差動信号線」においても、その配置構成上、信号線方向を折り曲げるためのコーナーカーブ部を設ける必要があるから、上記相違点２に係る「前記導体路は曲げられていて」との構成が備わることになる。
また、上記相違点２に係る「前記アース導体路が曲げられている領域は、傾斜しており、かつ幅を増大されて形成されており」との特定事項の意味について検討すると、本願の明細書には、「真ん中のアース導体路１３のコーナー領域３０は傾斜しており、かつ幅を増大されて形成されている。これにより、鋭利な縁部と、これに伴う信号損失とが回避される。」（【０１０７】）と記載されていること、同図３には、コーナー領域３０の縁部のなす方向が、コーナー領域３０以外の領域の縁部のなす方向に対して傾斜している点が示されていることに照らせば、上記特定事項は、アース導体路が曲げられている領域の縁部が、アース導体路が曲げられていない領域の縁部に対して傾斜しており、かつ、アース導体路が曲げられている領域の幅が、アース導体路が曲げられていない領域の幅よりも増大されて形成されていることを意味するものと解される。
他方、引用発明の「一対の差動信号線」は、上述のようにコーナーカーブ部を有するところ、当該「一対の差動信号線」の間にアース導体路を配置するにあたっては、差動信号線のコーナーカーブ部の形状に沿うように、各差動信号線との間に所定の間隔を介してアース導体路を設けることになるから、引用発明において、上記相違点２に係る「前記アース導体路が曲げられている領域は、傾斜しており」との構成となすことは、当業者が適宜なし得たものであるといえる。
しかしながら、引用発明において、「一対の差動信号線」の間にアース導体路を設ける構成を採用する場合には、コーナーカーブ部の形状に合わせて、アース導波路が曲げられている領域における幅が一様になるようにするのが自然であり、幅を増大させることを要する事情があるともいえないから、上記相違点２に係る「アース導体路が曲げられている領域」につき、「幅を増大されて形成され」るとの構成を採用することまでは、当業者が適宜に採用するものであるとはいえず、当審拒絶理由通知書において提示された引用文献２〜７のいずれに記載された事項であるともいえない。
また、原査定において提示された引用文献Ｅには、「コプレナー線路の曲線部Ｒにおいて、線路導体２の外側方向の線路導体２と接地導体３との間隔Ｗ２を広くし、内側方向の線路導体２と接地導体３との間隔Ｗ３を狭くすることによって、コプレナー線路の反射損失を低くすることができる」（【００３５】）点が記載されており、その具体例として、図３には、一対の線路導体２の間に設けられた接地導体３の曲線部Ｒにおいて、幅が増大されているものが示されている。しかしながら、引用発明において、一対の差動信号線の間にアース導体路を設けるという上記周知技術を適用した場合には、上述のとおり、アース導体路が曲げられている領域における幅が一様になるようにするのが自然であるし、そもそもアース導体路を設けていない引用発明において、アース導体路を設けた上で、さらに引用文献Ｅの記載を考慮し、当該文献の図３に示された特定の形態のものを採用する理由はない。
そうすると、引用発明において、相違点２に係る本願発明１の構成を採用することは、引用文献２〜７及び引用文献Ｅに記載された事項を参照しても、当業者が容易に想到し得たこととはいえない。

ウ したがって、本願発明１は、相違点１について検討するまでもなく、当業者であっても、引用発明及び引用文献２〜７並びに引用文献Ｅに記載された技術的事項に基づいて容易に発明をすることができたものであるとはいえない。

２ 本願発明２〜１４について
本願発明２〜１１は、本願発明１を減縮した発明であり、本願発明１２は、本願発明１〜１１のいずれかのＴＯパッケージを製造する方法の発明であり、本願発明１３及び１４は、本願発明１２を減縮した発明であるところ、本願発明２〜１４は、いずれも本願発明１の「前記アース導体路が曲げられている領域は、傾斜しており、かつ幅を増大されて形成されており」との構成を含むものであるから、本願発明１と同じ理由（上記１参照）により、引用発明及び引用文献２〜７並びに引用文献Ｅに記載された技術的事項に基づいて容易に発明をすることができたものであるとはいえない。

第７ 原査定について
本件補正により、本願発明１〜１４は、「前記アース導体路が曲げられている領域は、傾斜しており、かつ幅を増大されて形成されており」との構成を有するものとなっており、当業者であっても、原査定において引用された引用文献Ａ〜Ｅに基づいて、容易に発明をすることができたものとはいえない。
したがって、原査定の理由を維持することはできない。

第８ 当審拒絶理由について
１ 特許法第29条第2項について
本件補正により、本願発明１〜１４は、「前記アース導体路が曲げられている領域は、傾斜しており、かつ幅を増大されて形成されており」との構成を有するものとなっており、当業者であっても、当審拒絶理由通知書において引用された引用文献１〜７に基づいて、容易に発明をすることができたものとはいえない。
したがって、本件補正により、拒絶の理由は解消した。

２ 特許法第36条第6項第2号について
本件補正により、請求項１５〜１７が削除されたので、拒絶の理由は解消した。

第９ むすび
以上のとおり、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。

よって、結論のとおり審決する。

 
審決日 2022-04-14 
出願番号 P2018-163174
審決分類 P 1 8・ 537- WY (H01S)
P 1 8・ 121- WY (H01S)
最終処分 01   成立
特許庁審判長 瀬川 勝久
特許庁審判官 清水 督史
野村 伸雄
発明の名称 ＤＦＢレーザ用のＴＯパッケージ  
代理人 上島 類  
代理人 永島 秀郎  
代理人 前川 純一  
代理人 二宮 浩康  
代理人 アインゼル・フェリックス＝ラインハルト  

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