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審決分類 審判 全部申し立て 特36条6項1、2号及び3号 請求の範囲の記載不備  B32B
審判 全部申し立て 2項進歩性  B32B
審判 全部申し立て 特29条特許要件(新規)  B32B
審判 全部申し立て 1項3号刊行物記載  B32B
審判 全部申し立て 特36条4項詳細な説明の記載不備  B32B
管理番号 1385123
総通号数 6 
発行国 JP 
公報種別 特許決定公報 
発行日 2022-06-24 
種別 異議の決定 
異議申立日 2020-09-11 
確定日 2022-03-07 
異議申立件数 3 
訂正明細書 true 
事件の表示 特許第６６７２９５４号発明「樹脂シート」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。 
結論 特許第６６７２９５４号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１〜１２〕について訂正することを認める。 特許第６６７２９５４号の請求項１〜３、６〜１２に係る特許を維持する。 特許第６６７２９５４号の請求項４〜５に係る特許についての特許異議の申立てを却下する。 
理由 第１ 手続の経緯
特許第６６７２９５４号の請求項１〜１２に係る特許についての出願は、平成２８年３月２９日にした出願であって、令和２年３月９日にその特許権の設定登録がされ、令和２年３月２５日に特許掲載公報が発行された。本件特許異議の申立ての経緯は、次のとおりである。
令和２年９月１１日 ：特許異議申立人前田洋志（以下「申立人１」という。）による請求項１〜１２に係る特許に対する特許異議の申立て（以下「申立１」という。）
令和２年９月２３日 ：特許異議申立人松本朋子（以下「申立人２」という。）による請求項１〜１２に係る特許に対する特許異議の申立て（以下「申立２」という。）
令和２年９月２５日 ：特許異議申立人奥田ひとみ（以下「申立人３」という。）による請求項１〜１２に係る特許に対する特許異議の申立て（以下「申立３」という。）
令和３年３月２４日付け：取消理由通知書
令和３年５月２５日 ：特許権者による意見書及び訂正請求書の提出（以下、この訂正請求書による訂正の請求を「本件訂正請求」といい、訂正自体を「本件訂正」という。）
令和３年７月３０日 ：申立人３による意見書の提出

第２ 本件訂正の適否
１ 本件訂正の内容
本件訂正の内容は、訂正箇所に下線を付して示すと、次のとおりである。
（１）訂正事項１
本件訂正前の特許請求の範囲の請求項１の
「支持体と、該支持体上に接合した樹脂組成物層と、を含む樹脂シートであって、
該樹脂組成物層の硬化物の、測定周波数１０ＧＨｚ、２３℃における誘電正接が０．００６以下であり、
該樹脂組成物層の硬化物の測定周波数１０ＧＨｚ、１５０℃における誘電正接が０．０１以下である、樹脂シート。」を、
「支持体と、該支持体上に接合した樹脂組成物層と、を含む樹脂シートであって、
該樹脂組成物層が、無機充填材、エポキシ樹脂、及び硬化剤を含有し、
該樹脂組成物層中の不揮発成分を１００質量％とした場合に、該無機充填材の含有量が５０質量％以上８５質量％以下であり、
該無機充填材の平均粒径が、１．５μｍ以下であり、
該樹脂組成物層の厚みが、１μｍ以上であり、
該樹脂組成物層を熱硬化させて得られる硬化物の測定周波数１０ＧＨｚ、２３℃における誘電正接が０．００６以下であり、
該樹脂組成物層を熱硬化させて得られる硬化物の測定周波数１０ＧＨｚ、１５０℃における誘電正接が０．０１以下である、樹脂シート。」に訂正する（請求項１の記載を直接的又は間接的に引用する請求項２〜３、６〜１２も同様に訂正する。）。
（２）訂正事項２
特許請求の範囲の請求項４を削除する。
（３）訂正事項３
特許請求の範囲の請求項５を削除する。
（４）訂正事項４
本件訂正前の特許請求の範囲の請求項６の「樹脂組成物層が無機充填材を含有し、樹脂組成物層中の不揮発成分を１００質量％とした場合に、該無機充填材の含有量が６０質量％以上である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の樹脂シート。」を、「樹脂組成物層中の不揮発成分を１００質量％とした場合に、該無機充填材の含有量が６０質量％以上である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の樹脂シート。」に訂正する（請求項６の記載を直接的又は間接的に引用する請求項７〜１２も同様に訂正する。）。
（５）訂正事項５
本件訂正前の特許請求の範囲の請求項７の「樹脂組成物層が無機充填材を含有し、樹脂組成物層中の不揮発成分を１００質量％とした場合に、該無機充填材の含有量が６４．７質量％以上である、請求項１〜６のいずれか１項に記載の樹脂シート。」を、「樹脂組成物層中の不揮発成分を１００質量％とした場合に、該無機充填材の含有量が６４．７質量％以上である、請求項１〜３、６のいずれか１項に記載の樹脂シート。」に訂正する（請求項７の記載を直接的又は間接的に引用する請求項８〜１２も同様に訂正する。）。
（６）訂正事項６
本件訂正前の特許請求の範囲の請求項８の「プリント配線板の絶縁層形成用である、請求項１〜７のいずれか１項に記載の樹脂シート。」を、「該樹脂組成物層が、プリント配線板の絶縁層形成用である、請求項１〜３、６、７のいずれか１項に記載の樹脂シート。」に訂正する（請求項８の記載を直接的又は間接的に引用する請求項９〜１２も同様に訂正する。）。
（７）訂正事項７
本件訂正前の特許請求の範囲の請求項９の「１ＧＨｚ以上の高周波基板の絶縁層形成用である、請求項１〜８のいずれか１項に記載の樹脂シート。」を、「該樹脂組成物層が、１ＧＨｚ以上の高周波基板の絶縁層形成用である、請求項１〜３、６〜８のいずれか１項に記載の樹脂シート。」に訂正する（請求項９の記載を直接的又は間接的に引用する請求項１０〜１２も同様に訂正する。）。
（８）訂正事項８
本件訂正前の特許請求の範囲の請求項１０の「第１の導体層と、第２の導体層と、第１の導体層と第２の導体層との間に形成された６μｍ以下の絶縁層と、を含むプリント配線板の、該絶縁層形成用である、請求項１〜９のいずれか１項に記載の樹脂シート。」を、「該樹脂組成物層が、第１の導体層と、第２の導体層と、第１の導体層と第２の導体層との間に形成された６μｍ以下の絶縁層と、を含むプリント配線板の、該絶縁層形成用である、請求項１〜３、６〜９のいずれか１項に記載の樹脂シート。」に訂正する（請求項１０の記載を直接的又は間接的に引用する請求項１１、１２も同様に訂正する。）。
（９）訂正事項９
本件訂正前の特許請求の範囲の請求項１１の「請求項１〜１０のいずれか１項に記載の樹脂シートの樹脂組成物層の硬化物である、プリント配線板。」を、「請求項１〜３、６〜１０のいずれか１項に記載の樹脂シートの樹脂組成物層の硬化物である、プリント配線板。」に訂正する（請求項１１の記載を引用する請求項１２も同様に訂正する。）。

２ 一群の請求項
本件訂正前の請求項１〜１２は、請求項２〜１２が、本件訂正請求の対象である請求項１の記載を引用する関係にあって、請求項１の訂正に連動して訂正される関係にあるから、本件訂正請求は、一群の請求項〔１−１２〕について請求されたものである。

３ 訂正の目的の適否、新規事項の有無、特許請求の範囲の拡張・変更の存否
（１）訂正事項１
訂正事項１は、本件訂正前の請求項１に記載されていた「樹脂組成物層」について、その組成及び厚みを限定し、本件訂正前の請求項１に記載されていた「樹脂組成物層の硬化物」が不明確であったものを、明確にしたものであるから、特許請求の範囲の減縮及び明瞭でない記載の釈明を目的とするものである。
そして、「樹脂組成物層」の組成及び厚みについては、本件特許の願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面（以下「本件特許明細書等」という。）の、【００１４】、【００１５】、【００４１】、【００４８】及び【００８０】に記載され、「樹脂組成物層の硬化物」については、【００９３】に記載されているから、本件特許明細書等に記載された事項の範囲内においてするものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
（２）訂正事項２
訂正事項２は、本件訂正前の請求項４を削除するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、本件特許明細書等に記載された事項の範囲内においてするものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
（３）訂正事項３
訂正事項３は、本件訂正前の請求項５を削除するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、本件特許明細書等に記載された事項の範囲内においてするものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
（４）訂正事項４、５、９
訂正事項４、５、９は、引用する請求項のうち、訂正事項２〜３によって削除された請求項４〜５を引用先の請求項から削除するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、本件特許明細書等に記載された事項の範囲内においてするものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
（５）訂正事項６〜８
訂正事項６〜８は、引用する請求項のうち、訂正事項２〜３によって削除された請求項４〜５を引用先の請求項から削除するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるとともに、本件訂正前の請求項８〜１０に記載されていた用途の主体が「樹脂組成物層」であることを明確にしたものであるから、明瞭でない記載の釈明を目的とするものであり、本件特許明細書等に記載された事項の範囲内においてするものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。

４ 小括
上記のとおり、訂正事項１〜９に係る訂正は、特許法第120条の5第2項ただし書第１号及び第３号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第９項で準用する同法第126条第4項ないし第６項の規定に適合する。
したがって、本件特許の特許請求の範囲を、訂正請求書に添付された特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１〜１２〕について訂正することを認める。

第３ 本件発明
上記第２のとおり本件訂正が認められたことから、本件特許の請求項１〜３、６〜１２に係る発明（以下それぞれ「本件発明１」〜「本件発明３」、「本件発明６」〜「本件発明１２」という。）は、訂正特許請求の範囲の請求項１〜３、６〜１２に記載された事項により特定される、次のとおりのものである。
「【請求項１】
支持体と、該支持体上に接合した樹脂組成物層と、を含む樹脂シートであって、
該樹脂組成物層が、無機充填材、エポキシ樹脂、及び硬化剤を含有し、
該樹脂組成物層中の不揮発成分を１００質量％とした場合に、該無機充填材の含有量が５０質量％以上８５質量％以下であり、
該無機充填材の平均粒径が、１．５μｍ以下であり、
該樹脂組成物層の厚みが、１μｍ以上であり、
該樹脂組成物層を熱硬化させて得られる硬化物の測定周波数１０ＧＨｚ、２３℃における誘電正接が０．００６以下であり、
該樹脂組成物層を熱硬化させて得られる硬化物の測定周波数１０ＧＨｚ、１５０℃における誘電正接が０．０１以下である、樹脂シート。
【請求項２】
樹脂組成物層の厚みが１５μｍ以下である、請求項１に記載の樹脂シート。
【請求項３】
樹脂組成物層の最低溶融粘度が１０００ｐｏｉｓｅ以上である、請求項１または２に記載の樹脂シート。
【請求項６】
樹脂組成物層中の不揮発成分を１００質量％とした場合に、該無機充填材の含有量が６０質量％以上である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の樹脂シート。
【請求項７】
樹脂組成物層中の不揮発成分を１００質量％とした場合に、該無機充填材の含有量が６４．７質量％以上である、請求項１〜３、６のいずれか１項に記載の樹脂シート。
【請求項８】
該樹脂組成物層が、プリント配線板の絶縁層形成用である、請求項１〜３、６、７のいずれか１項に記載の樹脂シート。
【請求項９】
該樹脂組成物層が、１ＧＨｚ以上の高周波基板の絶縁層形成用である、請求項１〜３、６〜８のいずれか１項に記載の樹脂シート。
【請求項１０】
該樹脂組成物層が、第１の導体層と、第２の導体層と、第１の導体層と第２の導体層との間に形成された６μｍ以下の絶縁層と、を含むプリント配線板の、該絶縁層形成用である、請求項１〜３、６〜９のいずれか１項に記載の樹脂シート。
【請求項１１】
第１の導体層、第２の導体層、及び、第１の導体層と第２の導体層との間に形成された６μｍ以下の絶縁層を含む、プリント配線板であって、
該絶縁層は、請求項１〜３、６〜１０のいずれか１項に記載の樹脂シートの樹脂組成物層の硬化物である、プリント配線板。
【請求項１２】
請求項１１に記載のプリント配線板を含む、半導体装置。」

第４ 取消理由通知書に記載した取消理由について
１ 取消理由の概要
当審が令和３年３月２４日付けで特許権者に通知した取消理由の概要は、次のとおりである。
（１）サポート要件
本件特許は、特許請求の範囲の記載が以下の点で、特許法第36条第6項第1号に規定する要件を満たしていない。
実施例１〜３以外の樹脂組成物や、「絶縁層の厚み」よりも薄い絶縁層や、「無機充填材の平均粒径」が大きいか小さいものや「樹脂組成物中の無機充填材の含有量（充填量）」が多いか少ないものが、「樹脂組成物層の硬化物の」「測定周波数１０ＧＨｚ、２３℃における誘電正接が０．００６以下であり、」「測定周波数１０ＧＨｚ、１５０℃における誘電正接が０．０１以下である」ことのみをもって、ただちに、本件特許の発明が解決しようとする課題を解決することまでは理解できないから、出願時の技術常識に照らしても、本件発明１〜１２の範囲まで、発明の詳細な説明に開示された内容を拡張ないし一般化できるとはいえない。
（２）明確性要件
本件特許は、特許請求の範囲の記載が以下の点で、特許法第36条第6項第2号に規定する要件を満たしていない。
ア 本件訂正前の請求項１に記載された「誘電正接」が、硬化された結果形成された「樹脂組成物層」そのものの「誘電正接」を意味しているのか、「樹脂組成物層」が含有する物質のうち「硬化物」のみの「誘電正接」を意味しているのか、または、これら以外の意味であるのかが不明であるから、本件訂正前の請求項１に係る発明は不明確である。この点、本件訂正前の請求項１を直接的または間接的に引用する本件訂正前の請求項２〜１２についても同様である。
イ 本件訂正前の請求項８は本件訂正前の請求項１を引用するところ、請求項１に記載された「支持体」が、請求項８に特定された「プリント配線板」を構成するもののうち、何に相当するものであるのかが不明であり、かつ、「プリント配線板の絶縁層形成用である」という用途の特定が、「樹脂シート」のどのような構成を特定しようとしているのかが不明であるため、本件訂正前の請求項８に係る発明は不明確である。この点、本件訂正前の請求項８を直接的または間接的に引用する本件訂正前の請求項９〜１２についても同様である。
ウ 本件訂正前の請求項９は本件訂正前の請求項１を引用するところ、請求項１に記載された「支持体」が、請求項９に特定された「１ＧＨｚ以上の高周波基板」を構成するもののうち、何に相当するものであるのかが不明であり、かつ、「１ＧＨｚ以上の高周波基板の絶縁層形成用である」という用途の特定が、「樹脂シート」のどのような構成を特定しようとしているのかが不明であるため、本件訂正前の請求項９に係る発明は不明確である。この点、本件訂正前の請求項９を直接的または間接的に引用する本件訂正前の請求項１０〜１２についても同様である。
エ 本件訂正前の請求項１０は本件訂正前の請求項１を引用するところ、請求項１に記載された「支持体」が、請求項１０の「プリント配線板」を構成するもののうち、何に相当するものであるのかかが不明であり、かつ、「第１の導体層と、第２の導体層と、第１の導体層と第２の導体層との間に形成された６μｍ以下の絶縁層と、を含むプリント配線板の、該絶縁層形成用である」という用途の特定が、「樹脂シート」のどのような構成を特定しようとしているのかが不明であるため、本件訂正前の請求項１０に係る発明は不明確である。この点、本件訂正前の請求項１０を直接的または間接的に引用する本件訂正前の請求項１１〜１２についても同様である。
（３）実施可能要件
本件特許は、発明の詳細な説明の記載が下記の点で、特許法第36条第4項第1号に規定する要件を満たしていない。
課題解決の機序そのものに関する具体的な記載のない本件特許の発明の詳細な説明の記載から、「樹脂組成物の硬化物」の種類、「絶縁層の厚み」、「無機充填材の平均粒径」「樹脂組成物中の無機充填材の含有量（充填量）」の全てもしくは一部が特定されていない本件訂正前の請求項１〜１２に係る発明の全範囲において、当業者に期待し得る程度を超える試行錯誤をする必要なく本件特許の請求項１〜１２に係る発明を実施することができたとはいえない。
（４）新規性
本件特許の請求項１、９〜１２に係る発明は、引用文献１に記載された発明であるから、特許法第29条第1項第3号に該当し、特許を受けることができない。
（５）進歩性
本件特許の請求項１〜３、８〜１２に係る発明は、引用文献１に記載された発明に基いて、又は引用文献２記載された発明及び周知技術に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであり、本件特許の請求項５〜７に係る発明は、引用文献２記載された発明及び周知技術に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第29条第2項の規定により特許を受けることができない。
引用文献１：特開昭５８−１６３６４５号公報（申立２の甲第１号証）
引用文献２：特開２０００−２３０１０２号公報（申立２の甲第２号証）
引用文献３：特開２０１６−２７０９７号公報（申立２の甲第５号証）

２ 当審の判断
（１）サポート要件
訂正事項１により、本件訂正前の請求項１に記載されていた「樹脂組成物層」について、その組成及び厚みを限定したため、本件発明１〜１２は、本件特許の発明が解決しようとする課題を解決するものとなった。
したがって、本件発明１〜１２は、発明の詳細な説明に記載されたものである。

（２）明確性要件
ア 訂正事項１により、本件訂正前の請求項１に記載されていた「樹脂組成物層の硬化物」が不明確であったものを明確にしたため、本件発明１〜１２は明確である。
イ 訂正事項６により、本件訂正前の請求項８に記載されていた「プリント配線板の絶縁層形成用である」ものが、「樹脂組成物層」に特定されたことにより、本件発明８〜１２は明確である。
ウ 訂正事項７により、本件訂正前の請求項９に記載されていた「１ＧＨｚ以上の高周波基板の絶縁層形成用である」ものが、「樹脂組成物層」に特定されたため、本件発明９〜１２は明確である。
エ 訂正事項８により、本件訂正前の請求項１０に記載されていた「第１の導体層と、第２の導体層と、第１の導体層と第２の導体層との間に形成された６μｍ以下の絶縁層と、を含むプリント配線板の、該絶縁層形成用である」ものが、「樹脂組成物層」に特定されたことにより、本件発明１０〜１２は明確である。

（３）実施可能要件
訂正事項１により、本件訂正前の請求項１に記載されていた「樹脂組成物層」について、その組成及び厚みを限定したことにより、発明の詳細な説明の記載に対応したものとなった。
したがって、本件特許の発明の詳細は説明は、当業者が本件発明１〜１２を実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものである。

（４）新規性、進歩性
ア 引用文献に記載された事項、引用発明
（ア）引用文献１
引用文献１には、次の事項が記載されている。なお、下線は、強調のために、当審が付した。
「２．〔特許請求の範囲〕
少くとも１枚の銅板と少くとも１７０℃のガラス転位温度を有する１枚の熱可塑性樹脂のシートとから成る複合体を形成し、該複合体に該銅板が該樹脂のシートに直接結合するに充分な時間約１７０〜３００℃の範囲の温度において高圧を加え、得られた約６５ＬＢＳ／ＩＮＣＨ以上の剥離強さを有する高プロフイル銅張り積層板を回収することから成る銅張り積層板の製造方法。」（１ページ左欄４〜１２行）
「本発明は金属張り積層板の製造方法に関する。詳しくは、本発明は時間、温度及び圧の比較的温和な操作条件を利用して、ある特徴を有する高プロフイル銅と熱可塑性樹脂との間の直接結合を得るための方法に関する。積層板の金属部分が仕上り製品の一面または両面のいづれかにある銅張り積層板は回路板の製造に用いられる。この方法によつて得られる回路板は種々の電子装置に用いられ、特に比較的高周波を含む装置における使用に適する。例えば、本発明の方法によつて製造される回路板はレーダー、高度計、距離測定装置のごときマイクロウエーブ装置及び周波数がジガヘルツまたはジガビツト（ジガは１０９）で測定されるコンピユーターのごとき高速デジタル装置に使用される。」（２ページ左下欄１２行〜右下欄６行）
「本発明は銅張り積層板の製造方法、詳しくは、後に詳記する種類の熱可塑性樹脂から成る支持体を積層板の高プロフイル銅の部分に直接結合する方法に関する。得られた銅張り積層板は各種の目的に使用できる所望の特性を有する。ここに“高プロフィル銅”と言う用語は１面がなめらかで他面が粗い銅ホイルまたはシートとして定義される。」（３ページ左上欄１１〜１７行）
「積層板の銅部分に対する熱可塑性樹脂の直接結合は少くとも１７０℃のガラス転位温度を有しかつ予め定められた厚さを有する熱可塑性樹脂のシートが少くとも１枚の銅のシートと接触して支持体として作用する複合体を形成することによつて行われる。」（３ページ右上欄１４〜１９行）
「本発明の積層板の第２成分を形成する熱可塑性樹脂の例は、少くとも１７０℃のガラス転位温度を有するものから成り、結晶形融点が１７０〜１８１℃の範囲のアセタール類、１７０〜２３０℃の範囲の結晶形融点を有するセルロース樹脂、結晶形融点が１７０〜３２７℃の範囲のフルオロプラスチツク、２１６〜２６５℃の範囲の結晶形融点を有するナイロン−６、１９５℃の結晶形融点を有するナイロン−１１、１７５℃の結晶形融点を有するナイロン−１２、２３２〜２６７℃の範囲の結晶形融点を有する熱可塑性ポリエステル類、２９０℃の結晶形融点を有するポリフエニレンサルフアイド、２７５℃の無定形融点を有するポリアミド、１９０℃の無定形融点を有するポリアリールエステル樹脂、３１０〜３６５℃の範囲の無定形融点を有するポリイミド樹脂、１９３〜２３０℃の範囲の無定形融点を有するポリスルホン、などのごとき樹脂を包含する。上記の導電性金属と熱可塑性樹脂は使用する材料の代表例であつて、本発明はこれに限定されるものではない。」（３ページ左下欄１２行〜右下欄１２行）
「熱可塑性樹脂が積層板の銅部分に直接結合されている所望の銅張り積層板はバツチ式または連続式操作のいづれでも製造される。例えば、バツチ式操作を使用する時は、複合体は熱可塑性樹脂支持体のシートを銅のシート上におくか、あるいは上記積層板の両面に銅を含む積層板が望ましい場合は銅の２枚のシートの間におくことによつて形成される。」（３ページ右下欄１３〜２０行）
「 実施例１
高プロフイル鋼とポリスルホンのシートを空気循還オーブン中で約９０〜１０５℃の温度で２時間予備焼きして存在する湿分を追い出すことによつて製造した。これに続いて、銅のシートをステンレススチールの当て板上におき、ポリスルホンのシートをこの銅の上においた。その後、もう１枚の銅のシートをこのポリスルホンの上においてポリスルホンの両面に銅のシートを有する複合体を形成した。このようにして１つの複合体が他の複合体の上におかれた同様の複合体６個以上を作つた。複合体と複合体の間には当て板はおかなかつた。第２のステンレススチールの当て板を複合体の上におき、次に、複合体を１２５ＰＳＩの圧の下で２３２℃の温度に維持したホツトプレスに入れた。複合体を接着剤層においてホツトプレスに３０秒〜３分間維持した。この間に、ポリスルホンは溶融しその両側の２枚の銅のシートへの直接結合を形成した。この時間の終りに、このように形成した銅張り積層板は循還冷却水によつて約５０℃の温度に冷却し続いて圧を除きプレスから引き出した。
このようにして形成した積層板に種々の物理的テストを行つて次の結果が得られた：
・・・
各種の物理的テストの他に、積層板はなお電気的データを得るためのテストを行つた。ＭＩＴによるＧＨｚ誘電測定は短い共軸ラインにおける定常波法を用いて１〜２４ＧＨｚの範囲において行われた。・・・周波数が１〜２４ジガヘルツの範囲で、温度が２３℃から１７５℃そしてまた２３℃にわたるこのテストの結果は次の表に示した。ただし、表において、Ｋは誘電率、Ｚは誘電正接である。」（４ページ右上欄１７行〜５ページ左上欄１８行）
「

」（５ページ下欄）
「上記の表から、本発明の方法によつて製造した直接結合積層板は、誘電常数及び消失フアクターが温度及び周波数の広い範囲にわたつて可成り均一である電気的データを与え、かくして高周波を含む装置に使用できることがわかる。」（６ページ左上欄１〜５行）
以上に摘記した事項を総合すると、上記引用文献１には次の発明（以下、「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。
「熱可塑性樹脂であるポリスルホンのシートの両面に銅のシートを有する複合体を形成し、ポリスルホンのシートが溶融しその両側の２枚の銅のシートへの直接結合を形成した、高プロフイル銅張り積層板であって、周波数８．５ＧＨｚ、２３℃における誘電正接が０．００５３９であり、周波数８．５ＧＨｚ、１５０℃における誘電正接が０．００７６６及び０．００６９５であり、周波数１４ＧＨｚ、２３℃における誘電正接が０．００５６０であり、周波数１４ＧＨｚ、１５０℃における誘電正接が０．００８１２及び０．００７２５である、高プロフイル銅張り積層板。」

（イ）引用文献２
引用文献２には、次の事項が記載されている。なお、下線は、強調のために、当審が付した。
「【請求項１】 シクロヘキサジエン系ポリマーと、ＳｉＯ２の純度が９３％以上のシリカ１０〜７０質量％とを含むことを特徴とする低誘電性樹脂組成物。
【請求項２】 シクロヘキサジエン系ポリマーが、１，２付加体と１，４付加体との混合体であって、１，２付加体のモル分率が２０〜８０モル％であることを特徴とする請求項１の低誘電性樹脂組成物。
【請求項３】 シリカが、アスペクト比１〜１０で、平均粒径０．０１〜１００μｍであることを特徴とする請求項１又は２記載の低誘電性樹脂組成物。」
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、メッキ特性に優れ、かつ、幅広い温度領域で優れた電気特性を有する低誘電性樹脂組成物に関し、特に、電子部品（配線基板、コネクター、ハウジング、絶縁材料等）に有用な低誘電性樹脂組成物に関する。
【０００２】より詳細には、メッキ特性に優れ、しかも比誘電率と誘電正接が幅広い温度領域で低く、かつ、変動することがないため、高周波用の３次元回路基板や電子部品（射出成形回路部品：Ｍｏｌｄｅｄ ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔｉｏｎ ｄｅｖｉｃｅ＜ＭＩＤ＞、射出成形回路基板：Ｍｏｌｄｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ ｂｏａｄ＜ＭＣＢ＞）等に利用可能な低誘電性樹脂組成物に関する。
【０００３】ここで言う、高周波信号とは周波数１００ＫＨｚ〜３００ＧＨｚの電波（電磁波）のことで、高周波信号を用いる具体的な商品としては携帯電話、ＰＨＳ、ポケベル、衛星端末、ナビゲーションシステム、ＧＰＳ、無線ＬＡＮ、ＩＴＳ等が挙げられる。
【０００４】
【技術背景】近年、電子情報分野では、伝達情報量の増加、伝達時間の短縮に対応して、伝送信号の高周波化が進んでいる。単位時間当たりの伝達情報量は、信号の周波数に比例して多くでき、結果として、伝送速度を速くすることが可能となる。しかし、信号の周波数と信号エネルギーの損失との間には、数１に示す関係があり、高い周波数の信号は伝送損失が大きくなるといった欠点がある。この損失は、一般に誘電損失と言われ、数１に示す周波数と絶縁体の比誘電率、誘電正接の関数で表される。
【０００５】
【数１】Ａ＝ｋ（１／ｃ）ｆ・√εｒ・ｔａｎδ
Ａ：損失（ｄＢ／ｃｍ）
ｃ：光速
ｋ：定数
ｆ：周波数（Ｈｚ）
εｒ：比誘電率
ｔａｎδ：誘電正接
【０００６】すなわち、誘電損失は、周波数と、絶縁体の比誘電率及び誘電正接とに比例して大きくなる。よって、高周波信号を利用し、かつ、できるだけ誘電損失を低減するためには、極力、低比誘電率、低誘電正接の絶縁体を用いる必要がある。」
「【０００８】ところで、一般に、樹脂の電気特性（比誘電率、誘電正接）は、周囲の環境、例えば温度変化により樹脂の比誘電率と誘電正接が変動し、電子部品や電子機器自体の電気的な性能が変動する。外的変化が余りに大きい場合には、電気特性が低下することがあるため、電子部品や電子機器に使用する樹脂の電気特性の温度依存性が重視される。つまり、高周波用樹脂としては、広い範囲の温度において、比誘電率と誘電正接が変動することなく安定した低い値を示し、かつ優れたメッキ特性を併せ持つ多機能な樹脂が必要とされる。
【０００９】
【発明の目的】本発明は、メッキ特性及び電気特性に優れ、かつその電気特性の温度による変動が極めて少ないという複数の機能を兼ね備えた高周波用の低誘電樹脂組成物を、比較的低コストで提供することを目的とする。」
「【００１１】本発明における、優れた電気特性とは、高周波用絶縁材料に要求される特性、すなわち低い比誘電率、低い誘電正接を有することを言う。より具体的には、高周波帯１００ＫＨｚ〜３００ＧＨｚにおける比誘電率が３．５以下、好ましくは３．０以下、同周波数帯における誘電正接が０．０１以下、好ましくは０．００５以下であることを指す。比誘電率が３．５より大きい樹脂、あるいは誘電正接が０．０１より大きい樹脂を、高周波で使用する電子部品や電気絶縁材料に用いると、信号の損失が大きくなるため、製品の性能（特性）が低下し、製品設計、製造、加工等で無理を生じることが多く、場合（用途）によっては使用困難となる。」
「【００２４】シリカのサイズは、平均粒径０．０１〜１００μｍが好ましく、より好ましくは０．１〜５０μｍ、さらに好ましくは１〜３０μｍである。平均粒径が０．０１μｍ未満であると、無電解メッキ用の触媒付与（成形品の表面に無電解メッキ用の触媒を吸着させること）が困難となり、充分なメッキ膜密着強度が得られないばかりか、均一な表面のメッキ膜が得られない。平均粒径が１００μｍを越えると、ミクロポアのサイズが必要以上に大きくなり、充分なミクロポア効果が得られず、メッキ膜と樹脂の間の物理的結合強度が低くなり、メッキ膜の表面が粗くなるため電気特性が低化する。
【００２５】本発明において、シリカの配合量は、１０〜７０質量％、好ましくは１５〜６０質量％、より好ましくは２０〜５０質量％とする。シリカの配合量が１０質量％未満であるとメッキ膜の密着性が著しく低下し、７０質量％を越えると、電気特性が低下するばかりか、成形加工性等の他の性能も低下する傾向にある。」
「【００２９】本発明の樹脂組成物は、熱可塑性であり、射出成形、押出成形やプレス成形が可能である。本発明の樹脂組成物による成形品と金属メッキ膜との密着強度（メッキ密着強度）は、従来の被メッキ用樹脂組成物の場合と同様に、成形品の表面（すなわち樹脂組成物の表面）の物理的性質、すなわち表面粗さに大きく依存し、特にメッキ前に成形品の表面に適当なサイズのミクロポアを均一に形成することで、ミクロポア効果により高いメッキ密着強度を得ることができる。」
「【００３４】
【実施例】〔使用原料〕
（シリカ）
シリカ１：ＳｉＯ２純度＝９９．９％
アスペクト比＝１．１、平均粒径＝５μｍ
シリカ２：ＳｉＯ２純度＝９６．５％
アスペクト比＝１．１、平均粒径＝５μｍ
シリカ３：ＳｉＯ２純度＝９３．２％
アスペクト比＝１．１、平均粒径＝５μｍ
シリカ４：ＳｉＯ２純度＝９６．５％
アスペクト比＝１．１、平均粒径＝１０μｍ
シリカ５：ＳｉＯ２純度＝９９．９％
アスペクト比＝１．２、平均粒径＝１μｍ
シリカ６：ＳｉＯ２純度＝９９．９％
アスペクト比＝２．０、平均粒径＝９５μｍ
シリカ７：ＳｉＯ２純度＝９９．９％
アスペクト比＝９．６、平均粒径＝３０μｍ
シリカ８：ＳｉＯ２純度＝９２．５％
アスペクト比＝１．５、平均粒径＝１０μｍ
シリカ９：ＳｉＯ２純度＝９９．８％
アスペクト比＝１１．０、平均粒径＝１０μｍ
シリカ１０：ＳｉＯ２純度＝９９．８％
アスペクト比＝１．５、平均粒径＝１１０μｍ
【００３５】（シクロヘキサジエン系樹脂）シクロヘキサジエン系樹脂は、Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ １９９７，３０，３６９６〜３６９７、Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ １９９８，３１，９８２〜９８７、Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｓｃｉｅｎｃｅ：Ｐａｒｔ Ｂ：Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｐｈｙｓｉｃｓ，Ｖｏｌ．３６，１６５７〜１６６８（１９９８）に報告されている方法に従って製造した。なお、下記の１，２付加体と１，４付加体の比率は、モル分率を示す。
・ポリシクロヘキサジエン（ＰＣＨＤ）：
ＰＣＨＤ１；平均分子量＝４００００
１，２付加体／１，４付加体＝５２／４８
ＰＣＨＤ２；平均分子量＝３９０００
１，２付加体／１，４付加体＝２１／７９
ＰＣＨＤ３；平均分子量＝４２０００
１，２付加体／１，４付加体＝７８／２２
ＰＣＨＤ４；平均分子量＝４００００
１，２付加体／１，４付加体＝１５／８５
ＰＣＨＤ５；平均分子量＝４１０００
１，２付加体／１，４付加体＝８３／１７
・ポリシクロヘキサン（ＰＣＨ）（ＰＣＨＤの水素化物）
ＰＣＨ１； 平均分子量＝４００００
１，２付加体／１，４付加体＝５２／４８
ＰＣＨ２； 平均分子量＝３９０００
１，２付加体／１，４付加体＝２１／７９
ＰＣＨ３； 平均分子量＝４２０００
１，２付加体／１，４付加体＝７８／２２
ＰＣＨ４； 平均分子量＝４００００
１，２付加体／１，４付加体＝１５／８５
ＰＣＨ５； 平均分子量＝４１０００
１，２付加体／１，４付加体＝８３／１７」
「【００３７】実施例１〜１９、比較例１〜１４
〔樹脂組成物の製造〕表１に示す組成比で、所定のシクロヘキサジエン系樹脂とシリカを、定量フィーダーを用い２０〜６０ｋｇ／時間の供給速度で、２軸押出機（神戸製鋼社製商品名“ＫＴＸ４６”）に供給し、表２に示す温度及び回転数で加熱溶融混練し、水冷後、ペレタイザーによりストランドを切断してペレット（成形前材料）を製造した。
【００３８】〔成形加工〕上記のペレットを通風式乾燥器で１５０℃で５時間乾燥し、射出成形機（菱屋製鋼社製商品名“ＨＢ１４０”）を用い、表２に示す成形温度（ノズル温度）でメッキ特性評価用及び電気特性評価用の試験片を成形した。この試験片の形状を下に示す。
・短冊 ：１２５×１３×３．１ｍｍ；メッキ性評価用
・円板１：φ１００ｍｍ×１．６ｍｍ；１〜１５ＭＨｚ電気特性評価用
・円板２：φ１００ｍｍ×０．８ｍｍ；１〜２５ＧＨｚ電気特性評価用」
「【００４０】
【表１】

」
「【００４２】〔無電解メッキ処理方法〕短冊形試験片を用い、下記の工程及び条件で試験片の表面を化学エッチング処理した後、下記の工程及び条件で無電解メッキ処理して厚さ２μｍの無電解銅メッキ膜を形成し、さらに下記の条件で電気メッキを行ってメッキ膜の厚さを４０μｍとした。無電解メッキ後の試料は、通風式オーブン中で２００℃で３時間アニーリング処理を施した。」
「【００４４】〔メッキ膜密着強度の測定〕電気メッキ処理後、成形品を通風式オーブン中で２００℃で３時間アニーリング処理を施し、次いでカッターナイフで１ｃｍ巾の帯状カットを入れ、該カットの先端部を９０゜の角度にめくりあげ、該めくりあげた先端部をバネでつかみ、引き剥す力をメッキ密着強度（ｋｇｆ／ｃｍ）とした。評価結果を表３に示す。
【００４５】〔耐熱性の評価〕上記アニーリング処理後の成形品を、直ちに２４０℃の溶融ハンダ浴に入れ、１分間そのまま放置した後、室温でゆっくり冷却し、冷却後の成形品について、形状の変化、メッキ膜の膨れ及び剥がれの有無を目視により観察し、次の基準で評価し、結果を表３に併せて示した。
成形品形状の変化（変形）：○・・・無し、×・・・有り
メッキ膜の膨れ ：○・・・無し、×・・・有り
メッキ膜の剥がれ ：○・・・無し、×・・・有り
【００４６】
【表３】

【００４７】〔電気特性の評価〕以下に示す測定方法及び条件で比誘電率及び誘電正接を測定した。測定方法は、ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ．，Ｉ＆Ｍ．，ｐ５０９〜５１４（１９８９）に示された方法とし、測定条件は、次の通りとした。評価結果を表４に示す。
測定周波数：１ＧＨｚ、１０ＧＨｚ、２０ＧＨｚ
測定温度 ：−５０℃、０℃、５０℃、１００℃、１５０℃
測定方法 ：トリプレート線路共振機法（損失分離法）なお、表４中、上段は比誘電率εｒで、下段は誘電正接ｔａｎδである。
【００４８】
【表４】





・・・」
以上に摘記した事項を総合し、特に実施例１６に着目すると、上記引用文献２には次の発明（以下、「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。
「平均分子量＝４００００、１，２付加体／１，４付加体＝５２／４８のポリシクロヘキサン６０質量％、ＳｉＯ２純度＝９９．９％、アスペクト比＝１．２、平均粒径＝１μｍのシリカ４０質量％からなり、測定周波数１０ＧＨｚ、０℃における誘電正接が０．００１３であり、５０℃における誘電正接が０．００１３であり、１５０℃における誘電正接が０．００１３であり、熱可塑性である低誘電性樹脂組成物、を利用した電子部品。」

（ウ）引用文献３
引用文献３には、次の事項が記載されている。
「【０１０４】
［接着フィルム］
本発明の樹脂組成物は、ワニス状態で用いることもできるが、工業的には一般に、接着フィルムの形態で用いることが好ましい。
【０１０５】
接着フィルムは、支持体と、該支持体と接合している樹脂組成物層（接着層）とを含んでなり、樹脂組成物層（接着層）が本発明の樹脂組成物から形成される。」
「【０１１７】
［プリント配線板］
本発明のプリント配線板は、本発明の樹脂組成物の硬化物により形成された絶縁層を含む。
【０１１８】
一実施形態において、本発明のプリント配線板は、上述の接着フィルムを用いて、下記（Ｉ）及び（ＩＩ）の工程を含む方法により製造することができる。
（Ｉ）内層基板上に、接着フィルムを、該接着フィルムの樹脂組成物層が内層基板と接合するように積層する工程
（ＩＩ）樹脂組成物層を熱硬化して絶縁層を形成する工程」
「【０１３９】
［半導体装置］
本発明のプリント配線板を用いて、半導体装置を製造することができる。半導体装置としては、電気製品（例えば、コンピューター、携帯電話、デジタルカメラ及びテレビ等）及び乗物（例えば、自動二輪車、自動車、電車、船舶及び航空機等）等に供される各種半導体装置が挙げられる。
【０１４０】
本発明の半導体装置は、本発明のプリント配線板の導通箇所に、部品（半導体チップ）を実装することにより製造することができる。「導通箇所」とは、「プリント配線板における電気信号を伝える箇所」であって、その場所は表面であっても、埋め込まれた箇所であってもいずれでも構わない。また、半導体チップは半導体を材料とする電気回路素子であれば特に限定されない。」

イ 本件発明１について
（ア）引用発明１を主引用発明とした新規性・進歩性について
ａ 本件発明１と引用発明１との対比
本件発明１と引用発明１とを対比する。
引用発明１の「熱可塑性樹脂であるポリスルホンのシート」と、本件発明１の「該支持体上に接合した樹脂組成物層」とは、「樹脂組成物層」の限りで一致するから、引用発明１の「高プロフイル銅張り積層板」と、本件発明１の「樹脂シート」とは、「樹脂組成物層を含む樹脂シート」の限りで一致する。
したがって、本件発明１と引用発明１とは、次の一致点で一致し、次の相違点で相違する。
［一致点］
「樹脂組成物層を含む樹脂シート。」
［相違点１ａ］
「樹脂シート」について、本件発明１は「支持体と、該支持体上に接合した樹脂組成物層と、を含む」ものであるのに対し、引用発明１は「ポリスルホンのシートの両面に銅のシートを有する複合体を形成し、ポリスルホンのシートが溶融しその両側の２枚の銅のシートへの直接結合を形成した、高プロフイル銅張り積層板」である点。
［相違点１ｂ］
「樹脂組成物層」について、本件発明１は「該樹脂組成物層が、無機充填材、エポキシ樹脂、及び硬化剤を含有し、該樹脂組成物層中の不揮発成分を１００質量％とした場合に、該無機充填材の含有量が５０質量％以上８５質量％以下であり、該無機充填材の平均粒径が、１．５μｍ以下であり、該樹脂組成物層の厚みが、１μｍ以上であ」るのに対し、引用発明１は「熱可塑性樹脂であるポリスルホンのシート」である点。
［相違点１ｃ］
本件発明１は「該樹脂組成物層を熱硬化させて得られる硬化物の測定周波数１０ＧＨｚ、２３℃における誘電正接が０．００６以下であり、該樹脂組成物層を熱硬化させて得られる硬化物の測定周波数１０ＧＨｚ、１５０℃における誘電正接が０．０１以下である」のに対し、引用発明１は「高プロフイル銅張り積層板」の「周波数８．５ＧＨｚ、２３℃における誘電正接が０．００５３９であり、周波数８．５ＧＨｚ、１５０℃における誘電正接が０．００７６６及び０．００６９５であり、周波数１４ＧＨｚ、２３℃における誘電正接が０．００５６０であり、周波数１４ＧＨｚ、１５０℃における誘電正接が０．００８１２及び０．００７２５である」である点。

ｂ 判断
まず、相違点１ｂについて検討する。
引用発明１の「熱可塑性樹脂であるポリスルホンのシート」は、本件発明１のように「無機充填材、エポキシ樹脂、及び硬化剤を含有し」ていないから、相違点１ｂは実質的な相違点である。
そして、引用発明１の「高プロフイル銅張り積層板」は、「熱可塑性樹脂であるポリスルホンのシートが溶融しその両側の２枚の銅のシートへの直接結合を形成した」ものであるから、引用発明１の「熱可塑性樹脂であるポリスルホンのシート」に、熱硬化性樹脂である「エポキシ樹脂」を含有させることには阻害要因があるし、あえて「エポキシ樹脂」を含有させることの動機付けもない。
したがって、他の相違点について検討するまでもなく、本件発明１は引用発明１ではなく、また、本件発明１は引用発明１に基いて当業者が容易に発明できたものではない。

（イ）引用発明２を主引用発明とした新規性・進歩性について
ａ 本件発明１と引用発明２との対比
引用発明２の「電子部品」と、本件発明１の「樹脂シート」とは、「物品」である限りで一致する。
引用発明２の「平均分子量＝４００００、１，２付加体／１，４付加体＝５２／４８のポリシクロヘキサン６０質量％、ＳｉＯ２純度＝９９．９％、アスペクト比＝１．２、平均粒径＝１μｍのシリカ４０質量％からなり、」「熱可塑性である低誘電性樹脂組成物」と、本件発明１の「無機充填材、エポキシ樹脂、及び硬化剤を含有し、」「不揮発成分を１００質量％とした場合に、該無機充填材の含有量が５０質量％以上８５質量％以下であり、該無機充填材の平均粒径が、１．５μｍ以下であり、」「厚みが、１μｍ以上であ」る「樹脂組成物層」とは、「無機充填材を含有し、該無機充填材の平均粒径が、１．５μｍ以下である」「樹脂組成物」である限りで一致する。
引用発明２の「低誘電性樹脂組成物」の「測定周波数１０ＧＨｚ、０℃における誘電正接が０．００１３であり、５０℃における誘電正接が０．００１３であり、１５０℃における誘電正接が０．００１３であ」ることと、本件発明１の「該樹脂組成物層を熱硬化させて得られる硬化物の測定周波数１０ＧＨｚ、２３℃における誘電正接が０．００６以下であり、該樹脂組成物層を熱硬化させて得られる硬化物の測定周波数１０ＧＨｚ、１５０℃における誘電正接が０．０１以下である」こととは、「樹脂組成物の測定周波数１０ＧＨｚ、２３℃における誘電正接が０．００６以下であり、樹脂組成物層の測定周波数１０ＧＨｚ、１５０℃における誘電正接が０．０１以下である」である限りで一致する。
したがって、本件発明１と引用発明２とは、次の一致点で一致し、次の相違点で相違する。
［一致点］
「無機充填材を含有し、該無機充填材の平均粒径が、１．５μｍ以下であり、樹脂組成物からなる部分を含み、樹脂組成物の測定周波数１０ＧＨｚ、２３℃における誘電正接が０．００６以下であり、樹脂組成物の測定周波数１０ＧＨｚ、１５０℃における誘電正接が０．０１以下である物品。」
［相違点２ａ］
「物品」について、本件発明１は「支持体と、該支持体上に接合した樹脂組成物層と、を含む樹脂シート」であるのに対し、引用発明２は、「低誘電性樹脂組成物、を利用した電子部品」である点。
［相違点２ｂ］
「無機充填材を含有し、該無機充填材の平均粒径が、１．５μｍ以下である樹脂組成物」について、本件発明１は、「無機充填材、エポキシ樹脂、及び硬化剤を含有し、該樹脂組成物層中の不揮発成分を１００質量％とした場合に、該無機充填材の含有量が５０質量％以上８５質量％以下であり、該無機充填材の平均粒径が、１．５μｍ以下であり、該樹脂組成物層の厚みが、１μｍ以上であ」る「樹脂組成物層」であるのに対し、引用発明２は、「平均分子量＝４００００、１，２付加体／１，４付加体＝５２／４８のポリシクロヘキサン６０質量％、ＳｉＯ２純度＝９９．９％、アスペクト比＝１．２、平均粒径＝１μｍのシリカ４０質量％からなり、」「熱可塑性である低誘電性樹脂組成物」である点。
［相違点２ｃ］
「樹脂組成物の測定周波数１０ＧＨｚ、２３℃における誘電正接が０．００６以下であり、樹脂組成物の測定周波数１０ＧＨｚ、１５０℃における誘電正接が０．０１以下である」ことについて、本件発明１は「該樹脂組成物層を熱硬化させて得られる硬化物」の誘電正接であるのに対し、引用発明２は、「熱可塑性である低誘電性樹脂組成物」の誘電正接である点。

ｂ 判断
まず、相違点２ｂについて検討する。
引用発明２の「低誘電性樹脂組成物」は、本件発明１のように「エポキシ樹脂、及び硬化剤を含有」することの特定がないから、相違点２ｂは実質的な相違点である。
そして、引用発明２の「低誘電性樹脂組成物」は「熱可塑性である」から、引用発明２の「低誘電性樹脂組成物」に、熱硬化性樹脂である「エポキシ樹脂」を含有させることには阻害要因があるし、あえて「エポキシ樹脂」を含有させることの動機付けもない。
したがって、他の相違点について検討するまでもなく、本件発明１は引用発明２ではなく、また、本件発明１は引用発明２に基いて当業者が容易に発明できたものではない。

ウ 本件発明２〜１２について
本件発明２〜１２は、本件発明１の発明特定事項を全て含み、さらに発明特定事項を加え、本件発明１を限定するものであるから、上記イで検討したのと同じ理由により、当業者が引用発明１又は引用発明２に基いて当業者が容易に発明できたものではない。

第５ 取消理由通知に採用しなかった特許異議申立理由について
１ 取消理由通知に採用しなかった特許異議申立理由の概要
以下、申立○の甲第□号証は、「申立○甲□」と記載する。
（１）新規性
ア 本件訂正前の請求項１〜８、１０、１１に係る発明は、申立１甲１に記載された発明又は申立１甲２に記載された発明であり、請求項１、３〜９に係る発明は、申立１甲３に記載された発明であり、請求項１、３〜６に係る発明は、申立１甲４に記載された発明であるから、特許法第29条第1項第3号に該当し、特許を受けることができない。
イ 本件訂正前の請求項１、２、４、８に係る発明は、申立３甲１に記載された発明であるから、特許法第29条第1項第3号に該当し、特許を受けることができない。
（２）進歩性
ア 本件訂正前の請求項１〜１２に係る発明は、申立１甲１に記載された発明及び周知技術に基いて、申立１甲２に記載された発明及び周知技術に基いて、申立１甲１に記載された発明、申立１甲２に記載された発明、申立１甲３に記載された発明及び周知技術に基いて、申立甲１に記載された発明、申立１甲２に記載された発明、申立１甲４に記載された発明及び周知技術に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第29条第2項の規定により特許を受けることができない。
イ 本件訂正前の請求項１〜１２に係る発明は、申立２甲３、申立２甲４又は申立２甲５に記載された発明及び申立２甲１に記載された発明に基いて、申立２甲３、申立２甲４又は申立２甲５に記載された発明及び申立２甲２に記載された発明に基いて、申立２甲３、申立２甲４又は申立２甲５に記載された発明、申立２甲１に記載された発明及び周知技術に基いて、申立２甲３、申立２甲４又は申立２甲５に記載された発明、申立２甲２に記載された発明及び周知技術に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第29条第2項の規定により特許を受けることができない。
ウ 本件訂正前の請求項１〜１２に係る発明は、申立３甲１に記載された発明に基いて、申立３甲１に記載された発明及び周知技術に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第29条第2項の規定により特許を受けることができない。
申立１甲１：特開２０１４−１８５２１８号公報
申立１甲２：特開２０１４−１８５２２８号公報
申立１甲３：特開２０１４−１０１３９９号公報
申立１甲４：特開２０１４−３４６６８号公報
申立２甲３：特開２００６−１７６６４５号公報
申立２甲４：特開２０１１−１４４３６１号公報
申立２甲５：特開２０１６−２７０９７号公報
申立３甲１：Hirohisa Narahashi, "Low Df Build up Material for High Frequency Signal Transmission of Substrates”２０１３年５月３０日
（３）発明該当性（申立２）
本件訂正前の請求項１〜１２に係る発明は、その所期課題を解決し得ない未完成発明であり、発明該当性の要件を満たさない。

２ 当審の判断
（１）新規性・進歩性について
ア 本件特許に係る出願前の技術常識
申立１甲５（類家光雄，他２名，“高温領域におけるエポキシ樹脂中のトリーイング破壊”，静電気学会誌，17，4（1993)，p.280-287）には、次の記載がある。
「次に図15に誘電正接（tanδ）と試料温度(t)の関係（以下tanδ-tとする）を示す．温度が20℃から110℃付近まではtanδに変化は見られないが，120℃からtanδが急激に増加をし始め，εの場合の変化し始める温度と一致する．このように，温度によるtanδの変化しない領域（常温〜110℃）から急激に変化する領域（120℃以上）への移行は，温度によりエポキシ樹脂の分子鎖運動形態が変化したためと考えられる．所10）らがtanδの温度による変化は，交流導電率の変化に対応するとしていることや，新保5）がエボキシ樹脂のガラス転移点温度付近の転移領域では，物性は連続的に変化する，としていることと考え合わせると，この急激に変化する温度は，エポキシ樹脂のガラス転移点温度と推測される．従って，この温度を境に分子運動の活発化に伴って，熱解離などによるイオンなどの荷電担体の増加とその移動が容易になりtanδが大きくなったためと思われる．」（２８５ページ左欄１１行〜右欄１０行）

以上の記載によれば、エポキシ樹脂の誘電正接は、ガラス転移点温度付近で上昇し、ガラス転移温度では急激に上昇することが、当業者の技術常識である。

イ 申立１甲１について
申立１甲１には、次の記載がある。
「【０１２５】
（５）誘電正接
フィルム状硬化物から幅２．６ｍｍ、長さ８０ｍｍ、厚さ４０μｍの小片を切り出し、空洞共振器摂動法誘電率測定装置を用いて１０ＧＨｚにおける誘電正接（ｔａｎδ）の測定を行なった。ｔａｎδが０．０１以下であれば電気特性に優れると評価できる。」
「【０１３２】
【表１】

」
以上の記載によれば、申立１甲１に記載された「硬化性エポキシ組成物」からなる「フィルム状硬化物」の「１０ＧＨｚにおける誘電正接（ｔａｎδ）」の測定温度は不明である。
測定温度に特段の断りがないことからみて、測定温度が室温（２３〜２５℃程度）であるとしても、測定周波数１０ＧＨｚ、２３℃における誘電正接が０．００６以下といえるのは、実施例１、実施例５及び比較例１であるが、実施例１、実施例５及び比較例１の組成の「硬化性エポキシ組成物」からなる「フィルム状硬化物」の測定周波数１０ＧＨｚにおける誘電正接が、２３℃における誘電正接の値から変化しないという技術常識を示す証拠はない。
また、実施例１、実施例５及び比較例１の「硬化性エポキシ組成物」からなる「フィルム状硬化物」のガラス転移温度（Ｔｇ）は、それぞれ１６４℃、１５０℃及び１６８℃であるところ、エポキシ樹脂の誘電正接は、ガラス転移点温度付近で上昇し、ガラス転移温度では急激に上昇することが、当業者の技術常識であるから、実施例１、実施例５及び比較例１の、測定周波数１０ＧＨｚ、１５０℃における誘電正接が０．０１以下である蓋然性が高いとまではいえない。

ウ 申立１甲２について
申立１甲２には、次の記載がある。
「【０１２５】
（４）誘電正接
フィルム状硬化物から幅２．６ｍｍ、長さ８０ｍｍ、厚さ４０μｍの小片を切り出し、空洞共振器摂動法誘電率測定装置を用いて１０ＧＨｚにおける誘電正接（ｔａｎδ）の測定を行なった。ｔａｎδが０．０１以下であれば電気特性に優れると評価できる。」
「【０１３６】
【表１】

」
以上の記載によれば、申立１甲２に記載された「硬化性樹脂組成物」からなる「フィルム状硬化物」の「１０ＧＨｚにおける誘電正接（ｔａｎδ）」の測定温度は不明である。
また、測定温度に特段の断りがないことからみて、測定温度が室温（２３〜２５℃程度）であるとしても、測定周波数１０ＧＨｚ、２３℃における誘電正接が０．００６以下といえるのは、比較例１及び比較例２であるが、比較例１及び比較例２の組成の「硬化性樹脂組成物」からなる「フィルム状硬化物」の測定周波数１０ＧＨｚにおける誘電正接が、２３℃における誘電正接の値から変化しないという技術常識を示す証拠はない。
また、比較例１及び比較例２の「硬化性樹脂組成物」からなる「フィルム状硬化物」のガラス転移温度（Ｔｇ）は、それぞれ１６８℃及び１５４℃であるところ、エポキシ樹脂の誘電正接は、ガラス転移点温度付近で上昇し、ガラス転移温度では急激に上昇することが、当業者の技術常識であるから、実施例１、実施例５及び比較例１の、測定周波数１０ＧＨｚ、１５０℃における誘電正接が０．０１以下である蓋然性が高いとまではいえない。

エ 申立１甲３について
申立１甲３には、次の記載がある。
「【００６８】
［評価方法］
・・・
＜誘電特性（比誘電率Ｄｋ、誘電正接Ｄｆ）の測定＞
誘電特性は、樹脂硬化物の外層銅箔をエッチングしたものを空洞共振器摂動法により測定した。条件は、周波数：１０ＧＨｚ、測定温度：２５℃とした。
・・・
＜熱特性の測定＞
熱特性は、樹脂硬化物の外層銅箔をエッチングしたものをＴＭＡにより測定した。熱特性は、ガラス転移点Ｔｇにより評価した。樹脂硬化物の外層銅箔をエッチングしたもののＴｇをＴＭＡにより測定した。」
「【００６５】
【表１】

【００６６】
【表２】

」
「【００７０】
【表３】

」
以上の記載によれば、申立１甲３に記載された「樹脂硬化物」の「誘電正接Ｄｆ」は、「周波数：１０ＧＨｚ、測定温度：２５℃」である。
そうすると、実施例２（Ｄｆ＝０．００５４）、実施例３（Ｄｆ＝０．００６）、実施例１０（Ｄｆ＝０．００５５）及び実施例１１（Ｄｆ＝０．００５３）については、２３℃における誘電正接が０．００６以下である蓋然性が高い。
しかし、実施例２、実施例３、実施例１０及び実施例１１の組成の「樹脂組成物」の測定周波数１０ＧＨｚにおける誘電正接が、２３℃における誘電正接の値から変化しないという技術常識を示す証拠はなく、実施例２、実施例３、実施例１０及び実施例１１の組成の「樹脂組成物」は、エポキシ樹脂を含有するものの、エポキシ樹脂を主成分とするものでもないから、エポキシ樹脂の誘電正接に関する当該技術常識のとおりに誘電正接が変化するともいえない。
そうすると、実施例２、実施例３、実施例１０及び実施例１１の「樹脂硬化物」の、測定周波数１０ＧＨｚ、１５０℃における誘電正接が０．０１以下である蓋然性が高いとまではいえない。

オ 申立１甲４について
申立１甲４には、次の記載がある。
「【００７３】
（実施例１〜１２、比較例１〜６）
各成分を下記表に示す配合割合（質量部）になるように計量配合した後、トルエンを加え、８０℃に加温された反応釜に投入し、回転数１５０ｒｐｍで回転させながら、常圧混合を３時間行った。
このようにして得られた樹脂組成物を含むワニスを、基材（離型処理をほどこしたＰＥＴフィルム）の片面に塗布し、１００℃で乾燥させることにより、支持体付の接着フィルムを得た。
表中の略号はそれぞれ以下を表わす。
・・・
成分（Ｃ）
ＮＣ３０００Ｈ：ビフェニル型エポキシ樹脂、日本化薬株式会社製
８２８：ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、三菱化学株式会社製
ＨＰ４０３２Ｄ：ナフタレンノボラック型エポキシ樹脂、ＤＩＣ株式会社製
ＢＭＩ−７０：ビスマレイミド、ケイ・アイ化成株式会社製
Ｖ−０３：カルボジイミド、日清紡績株式会社製
・・・」
「【００７５】
誘電率（ε）、誘電正接（ｔａｎδ）：接着フィルムを１８０℃で加熱硬化させ、支持体から剥離した後、該接着フィルムから試験片（４０±０．５ｍｍ×１００±２ｍｍ）を切り出し、厚みを測定した。試験片を長さ１００ｍｍ、直径２ｍｍ以下の筒状に丸めて、空洞共振器摂動法（１０ＧＨｚ）にて、誘電率（ε）および誘電正接（ｔａｎδ）を測定した。」
「【００８４】
【表１】

【００８５】
【表２】

【００８６】
【表３】

」
以上の記載によれば、申立１甲４に記載された「樹脂組成物」からなる「接着フィルム」の「１０ＧＨｚ」の「誘電正接（ｔａｎδ）」の測定温度は不明である。
測定温度に特段の断りがないことからみて、測定温度が室温（２３〜２５℃程度）であるとすると、実施例１〜１２及び比較例１〜６の全てが周波数１０ＧＨｚ、２３℃における誘電正接が０．００６以下といえる。
しかし、実施例１〜１２及び比較例１〜６の「樹脂組成物」からなる「接着フィルム」の測定周波数１０ＧＨｚにおける誘電正接が、２３℃における誘電正接の値から変化しないという技術常識を示す証拠はなく、実施例１〜８、１０〜１２及び比較例１、２、５、６の組成の「樹脂組成物」からなる「接着フィルム」は、エポキシ樹脂を含有するものの、エポキシ樹脂を主成分とするものでもないから、エポキシ樹脂の誘電正接に関する技術常識のとおりに誘電正接が変化するともいえない。
そうすると、実施例２、実施例３、実施例１０及び実施例１１の「樹脂硬化物」の、測定周波数１０ＧＨｚ、１５０℃における誘電正接が０．０１以下である蓋然性が高いとまではいえない。

カ 申立２甲３について
申立２甲３には、次の記載がある。
「【００５８】
５．体積抵抗率
ＪＩＳ Ｃ２３１８準拠の方法にて、体積抵抗率を測定した。
６．比誘電率、誘電正接
（試験片の作製）
耐熱性高分子フィルムを、必要厚みになる枚数重ね、２５０℃のホットプレスにて３００ｋｇｆ／ｃｍ２の荷重を加えて圧着して１．６ｍｍ厚、１００ｍｍ×１００ｍｍの板状試験片を作製した。
（試験片の測定）
上記試料について、Ｑメータ法にて１ＭＨｚの比誘電率、誘電正接を測定した。さらに、アジレントテクノロジ社製、Ｎ５２５０Ａミリ波ＰＮＡシリーズ・ネットワーク・アナライザを用い、空洞共振摂動法により１ＧＨｚ〜３０ＧＨｚの範囲での比誘電率、誘電正接を測定した。」
「【００６４】
（比誘電率、誘電正接の温度特性の評価）
以上、得られた全てのポリイミドフィルムについて、その比誘電率と誘電正接を１ＭＨｚ、および１０ＧＨｚについて温度を代えて測定を行った。結果を表２〜５に示す。実施例において得られたフィルムの比誘電率、誘電正接は測定した温度範囲内において大きな変化を示さず、ほぼ安定した値を示した。比較例１においては温度の上昇に伴い比誘電率、誘電正接ともにゆるやかに増加した。比較例２、３については比誘電率、誘電正接ともに温度に伴って値が大きく変化した。比較例４、５については５０℃近傍にピークを持つ特異な挙動を示した。
【００６５】
【表１】

」
以上の記載によれば、申立２甲３に記載された「ポリイミドフィルム」は、測定温度が「２５℃」で「周波数：１０ＧＨｚ」の「誘電正接」が、０．００３〜０．００６の範囲にある実施例１〜４及び比較例１〜５が記載されているが、実施例１〜４及び比較例１〜５は、エポキシ樹脂を含有していない。

キ 申立２甲４について
申立２甲４には、次の記載がある。
「【０１１３】
＜誘電正接の測定及び評価＞
実施例及び比較例において、支持体にフッ素樹脂系離型剤（ＥＴＦＥ）処理したＰＥＴ（三菱樹脂（株）製「フルオロージュＲＬ５０ＫＳＥ」）を用いた以外は同様にして、各実施例、比較例と同じ樹脂組成物層を有する接着フィルムを得た。得られた接着フィルムを１９０℃で９０分間加熱することで熱硬化させ、支持体を剥離することによりシート状の硬化物を得た。その硬化物を長さ８０ｍｍ、幅２ｍｍに切り出し評価サンプルとした。この評価サンプルについてアジレントテクノロジーズ（Ａｇｉｌｅｎｔ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ）社製ＨＰ８３６２Ｂ装置を用い空洞共振摂動法により測定周波数５．８ＧＨｚ、測定温度２３℃にて誘電正接を測定した。２本の試験片について測定を行い、平均値を算出した。誘電正接の値が、０．０１１未満の場合を「○」、０．０１１以上を「△」とした。
【０１１４】
＜実施例１＞
ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂（エポキシ当量２７７、ＤＩＣ（株）製「ＥＸＡ−７３１１」）２０質量部と、液状ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（エポキシ当量１６９、ジャパンエポキシレジン（株）製「ＹＬ９８３Ｕ」）１５質量部、リン含有エポキシ樹脂（東都化成（株）製「ＴＸ０７１２−ＥＫ７５」、リン含有量２．６％、エポキシ当量約３５５の不揮発分７５質量％のＭＥＫ溶液）１０質量部、フェノキシ樹脂（重量平均分子量３８０００、ジャパンエポキシレジン（株）製「ＹＸ６９５４」不揮発分３０質量％のメチルエチルケトン（以下「ＭＥＫ」と略称する。）とシクロヘキサノンの１：１溶液）１０質量部とをＭＥＫ１０質量部、シクロヘキサノン５質量部、ソルベントナフサ２０質量部に撹拌しながら加熱溶解させた。室温にまで冷却後、そこへ、ビスフェノールＡジシアネートのプレポリマー（ロンザジャパン（株）製「ＢＡ２３０Ｓ７５」、シアネート当量約２３２、不揮発分７５質量％のＭＥＫ溶液）２０質量部、フェノールノボラック型多官能シアネートエステル樹脂（ロンザジャパン（株）製「ＰＴ３０」、シアネート当量約１２４、不揮発分８０質量％のＭＥＫ溶液）１０質量部と共に攪拌混合し、硬化促進剤としてイミダゾール化合物とエポキシ樹脂とのアダクト体（ジャパンエポキシレジン（株）製「ｊＥＲｃｕｒｅ Ｐ２００Ｈ５０」、不揮発分５０質量％のプロピレングリコールモノメチルエーテル溶液）０．４質量部、ナフテン酸亜鉛（ＩＩ）ミネラルスピリット溶液（和光純薬工業（株）製、亜鉛８％含有）の３質量％のアノン溶液３質量部、及び球形シリカ（（株）アドマテックス製「ＳＯＣ２」をアミノシランで表面処理したもの、平均粒子径０．５μｍ）７５質量部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、熱硬化性樹脂組成物のワニスを作製した。
樹脂組成物の不揮発分中、（Ａ）シアネートエステル樹脂１６質量％、（Ｂ）ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂１４質量％、（Ｃ）無機充填材５２質量％、（Ｄ）イミダゾール系硬化促進剤０．１４質量％、金属系硬化促進剤として添加した金属（亜鉛）５０ｐｐｍ、（Ｅ）液状エポキシ樹脂１０質量％、（Ｇ）高分子成分２．１質量％となる。
次に、かかる樹脂組成物ワニスをポリエチレンテレフタレートフィルム（厚さ３８μｍ、以下ＰＥＴフィルムと略す）上に、乾燥後の樹脂組成物層の厚みが４０μｍとなるようにダイコーターにて均一に塗布し、８０〜１１０℃（平均９５℃）で６分間乾燥した（樹脂組成物層中の残留溶媒量：約１．５質量％）。次いで、樹脂組成物層の表面に厚さ１５μｍのポリプロピレンフィルムを貼り合わせながらロール状に巻き取った。ロール状の接着フィルムを幅５０７ｍｍにスリットし、５０７×３３６ｍｍサイズのシート状の接着フィルムを得た。
【０１１５】
＜実施例２＞
ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂（エポキシ当量２７７、ＤＩＣ（株）製「ＥＸＡ−７３１１」）１０質量部と、液状ナフタレン型エポキシ樹脂（エポキシ当量１４４、ＤＩＣ（株）製「ＨＰ４０３２ＳＳ」）１０質量部と、結晶性２官能エポキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン（株）製「ＹＸ４０００ＨＫ」、エポキシ当量約１８５）５質量部をＭＥＫ１０質量部、シクロヘキサノン１０質量部、ソルベントナフサ４０質量部に撹拌しながら加熱溶解させた。室温にまで冷却後、そこへ、ビスフェノールＡジシアネートのプレポリマー（ロンザジャパン（株）製「ＢＡ２３０Ｓ７５」、シアネート当量約２３２、不揮発分７５質量％のＭＥＫ溶液）１６質量部、フェノールノボラック型多官能シアネートエステル樹脂（ロンザジャパン（株）製「ＰＴ３０」、シアネート当量約１２４、不揮発分８０質量％のＭＥＫ溶液）６質量部と共に攪拌混合し、さらに活性エステル硬化剤（ＤＩＣ（株）製「ＥＸＢ９４６０Ｓ−６５Ｔ」、活性基当量約２２３の不揮発分６５質量％のトルエン溶液）１２質量部、硬化促進剤として４−ジメチルアミノピリジンの１質量％のＭＥＫ溶液２質量部、コバルト（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（東京化成（株）製）の１質量％のＭＥＫ溶液４．５質量部、及び球形シリカ（（株）アドマテックス製「ＳＯＣ２」をアミノシランで表面処理したもの、平均粒子径０．５μｍ）１４０質量部、難燃剤として（三光（株）製「ＨＣＡ−ＨＱ」、１０−（２，５−ジヒドロキシフェニル）−１０−ヒドロ−９−オキサ−１０−フォスファフェナンスレン−１０−オキサイド、平均粒径２μｍ）５質量部、ゴム粒子としてスタフィロイド（ガンツ化成（株）製、ＡＣ３８３２）４．５質量部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、熱硬化性樹脂組成物のワニスを作製した。
樹脂組成物の不揮発分中、（Ａ）シアネートエステル樹脂８．４質量％、（Ｂ）ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂５．０質量％、（Ｃ）無機充填材７０質量％、（Ｄ）アミン系硬化促進剤０．０１０質量％、金属系硬化促進剤として添加した金属（コバルト）３７ｐｐｍ、（Ｅ）液状エポキシ樹脂及び結晶性２官能エポキシ樹脂７．５質量％、（Ｆ）活性エステル硬化剤３．９質量％、（Ｈ）ゴム粒子２．３質量％となる。次に、かかる樹脂組成物ワニスを使用し、実施例１と全く同様にして接着フィルムを得た。
【０１１６】
＜実施例３＞
ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂（エポキシ当量２７７、ＤＩＣ（株）製「ＥＸＡ−７３１１」）１０質量部と、液状ナフタレン型エポキシ樹脂（エポキシ当量１４４、ＤＩＣ（株）製「ＨＰ４０３２ＳＳ」）８質量部と、結晶性２官能エポキシ樹脂として（ジャパンエポキシレジン（株）製「ＹＸ４０００ＨＫ」、エポキシ当量約１８５）４質量部と（日本化薬（株）製「ＮＣ３１００」、エポキシ当量２５８）３質量部、フェノキシ樹脂（重量平均分子量３７０００、ジャパンエポキシレジン（株）製「ＹＬ７５５３」不揮発分３０質量％のＭＥＫとシクロヘキサノンの１：１溶液）５質量部をＭＥＫ１０質量部、シクロヘキサノン１０質量部、ソルベントナフサ４０質量部に撹拌しながら加熱溶解させた。室温にまで冷却後、そこへ、ビスフェノールＡジシアネートのプレポリマー（ロンザジャパン（株）製「ＢＡ２３０Ｓ７５」、シアネート当量約２３２、不揮発分７５質量％のＭＥＫ溶液）１６質量部、フェノールノボラック型多官能シアネートエステル樹脂（ロンザジャパン（株）製「ＰＴ３０」、シアネート当量約１２４、不揮発分８０質量％のＭＥＫ溶液）６質量部と共に攪拌混合し、さらに活性エステル硬化剤（ＤＩＣ（株）製「ＥＸＢ９４６０Ｓ−６５Ｔ」、活性基当量約２２３の不揮発分６５質量％のトルエン溶液）１２質量部、硬化促進剤として４−ジメチルアミノピリジンの１質量％のＭＥＫ溶液２質量部、コバルト（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（東京化成（株）製）の１質量％のＭＥＫ溶液４．５質量部、及び球形シリカ（（株）アドマテックス製「ＳＯＣ２」をアミノシランで表面処理したもの、平均粒子径０．５μｍ）１４０質量部、難燃剤として（三光（株）製「ＨＣＡ−ＨＱ」、１０−（２，５−ジヒドロキシフェニル）−１０−ヒドロ−９−オキサ−１０−フォスファフェナンスレン−１０−オキサイド、平均粒径２μｍ）５部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、熱硬化性樹脂組成物のワニスを作製した。
樹脂組成物の不揮発分中、（Ａ）シアネートエステル樹脂８．６質量％、（Ｂ）ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂５．１質量％、（Ｃ）無機充填材７１質量％、（Ｄ）アミン系硬化促進剤０．０１０質量％、金属系硬化促進剤として添加した金属（コバルト）３８ｐｐｍ、（Ｅ）液状エポキシ樹脂及び結晶性２官能エポキシ樹脂７．０質量％、（Ｆ）活性エステル硬化剤４．０質量％、（Ｇ）高分子成分０．８質量％となる。次に、かかる樹脂組成物ワニスを使用し、実施例１と全く同様にして接着フィルムを得た。
【０１１７】
＜実施例４＞
実施例１のナフチレンエーテル型エポキシ樹脂（エポキシ当量２７７、ＤＩＣ（株）製「ＥＸＡ−７３１１」）２０質量部の代わりに、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂（エポキシ当量２４７、ＤＩＣ（株）製「ＥＸＡ−７３１０」）１５質量部を添加したこと以外は、実施例１と全く同様にして熱硬化性樹脂組成物のワニスを作製した。樹脂組成物の不揮発分中、（Ａ）シアネートエステル樹脂１６．６質量％、（Ｂ）ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂１１質量％、（Ｃ）無機充填材５４質量％、（Ｄ）イミダゾール系硬化促進剤０．１４質量％、金属系硬化促進剤として添加した金属（亜鉛）５２ｐｐｍ、（Ｅ）液状エポキシ樹脂１０．８質量％、（Ｇ）高分子成分２．２質量％となる。次に、かかる樹脂組成物ワニスを使用し、実施例１と全く同様にして接着フィルムを得た。
【０１１８】
＜実施例５＞
実施例２のゴム粒子としてスタフィロイド（ガンツ化成（株）製、ＡＣ３８３２）４．５質量部の代わりに、ゴム粒子（ガンツ化成（株）製「ＩＭ４０１−改７−１７」、コアがポリブタジエンでシェルがスチレンとジビニルベンゼンの共重合体であるコアシェル型ゴム粒子）４．５質量部を添加したこと以外は、実施例２と全く同様にして熱硬化性樹脂組成物のワニスを作製した。樹脂組成物の不揮発分中、（Ａ）シアネートエステル樹脂８．４質量％、（Ｂ）ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂５．０質量％、（Ｃ）無機充填材７０質量％、（Ｄ）アミン系硬化促進剤０．０１０質量％、金属系硬化促進剤として添加した金属（コバルト）３８ｐｐｍ、（Ｅ）液状エポキシ樹脂及び結晶性２官能エポキシ樹脂７．５質量％、（Ｆ）活性エステル硬化剤３．９質量％、（Ｈ）ゴム粒子２．３質量％となる。次に、かかる樹脂組成物ワニスを使用し、実施例１と全く同様にして接着フィルムを得た。
【０１１９】
＜実施例６＞
実施例２にさらにブロックイソシアネート化合物（日本ポリウレタン工業（株）製「ＡＰ−Ｓｔａｂｌｅ」）５質量部を添加したこと以外は、実施例２と全く同様にして熱硬化性樹脂組成物のワニスを作製した。
【０１２０】
＜実施例７＞
実施例２にさらにブロックイソシアネート化合物（日本ポリウレタン工業（株）製「ＭＳ−５０」）５質量部を添加したこと以外は、実施例２と全く同様にして熱硬化性樹脂組成物のワニスを作製した。
【０１２１】
＜比較例１＞
実施例１において、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂（エポキシ当量２７７、ＤＩＣ（株）製「ＥＸＡ−７３１１」）２０質量部を、固形ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂（エポキシ当量２９１、日本化薬（株）製「ＮＣ３０００Ｈ」）２０質量部に変更する以外は全く同様にして製造した樹脂組成物ワニスを使用し、実施例１と全く同様にして接着フィルムを得た。
【０１２２】
＜比較例２＞
実施例２において、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂（エポキシ当量２７７、ＤＩＣ（株）製「ＥＸＡ−７３１１」）１０質量部を、固形ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂（エポキシ当量２９１、日本化薬（株）製「ＮＣ３０００Ｈ」）１０質量部に変更する以外は全く同様にして製造した樹脂組成物ワニスを使用し、実施例１と全く同様にして接着フィルムを得た。
【０１２３】
＜比較例３＞
実施例２において、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂（エポキシ当量２７７、ＤＩＣ（株）製「ＥＸＡ−７３１１」）１０質量部、活性エステル硬化剤（ＤＩＣ（株）製「ＥＸＢ９４６０Ｓ−６５Ｔ」、活性基当量約２２３の不揮発分６５質量％のトルエン溶液）１２質量部、難燃剤（三光（株）製「ＨＣＡ−ＨＱ」、１０−（２，５−ジヒドロキシフェニル）−１０−ヒドロ−９−オキサ−１０−フォスファフェナンスレン−１０−オキサイド、平均粒径２μｍ）５質量部を、固形ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂（エポキシ当量２９１、日本化薬（株）製「ＮＣ３０００Ｈ」）１０質量部、ビフェニルアラルキル型フェノール樹脂（フェノール当量２３１、日本化薬（株）製「ＧＰＨ−１０３」）の５０質量％のＭＥＫ溶液１０質量部に変更する以外は全く同様にして製造した樹脂組成物ワニスを使用し、実施例１と全く同様にして接着フィルムを得た。
【０１２４】
結果を表１に示す。
【表１】

」
以上の記載によれば、申立２甲４には、「樹脂組成物層」の測定温度が「２３℃」で「周波数：５．８ＧＨｚ」の「誘電正接」が、０．００６よりも大なる実施例１〜７及び比較例１〜３が記載されているに過ぎず、「周波数：１０ＧＨｚ」の「誘電正接」は不明である。
そうすると、実施例１〜７及び比較例１〜３の「樹脂組成物層」の、測定周波数１０ＧＨｚ、２３℃における誘電正接が０．００６以下であり、該樹脂組成物層を熱硬化させて得られる硬化物の測定周波数１０ＧＨｚ、１５０℃における誘電正接が０．０１以下である蓋然性が高いとまではいえない。

ク 申立２甲５について
申立２甲５には、次の記載がある。
「【０１５３】
＜誘電正接の測定＞
評価用硬化物ｃを、幅２ｍｍ、長さ８０ｍｍの試験片に切断した。該試験片について、アジレントテクノロジーズ社製「ＨＰ８３６２Ｂ」を用いて、空洞共振摂動法により測定周波数５．８ＧＨｚ、測定温度２３℃にて誘電正接を測定した。２本の試験片について測定を行い、平均値を算出した。
【０１５４】
＜実施例１＞
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（三菱化学（株）製「８２８ＵＳ」、エポキシ当量約１８０）１０部、ビフェニル型エポキシ樹脂（日本化薬（株）製「ＮＣ３０００Ｌ」、エポキシ当量約２６９）２５部、ビキシレノール型エポキシ樹脂（三菱化学（株）製「ＹＸ４０００ＨＫ」、エポキシ当量約１８５）２５部、及びフェノキシ樹脂（三菱化学（株）製「ＹＬ７５５３ＢＨ３０」、固形分３０質量％のＭＥＫとシクロヘキサノンの１：１溶液）２０部を、ソルベントナフサ３０部に撹拌しながら加熱溶解させた。室温にまで冷却した後、そこへ、トリアジン骨格含有フェノール系硬化剤（ＤＩＣ（株）製「ＬＡ−３０１８−５０Ｐ」、水酸基当量約１５１、固形分５０％の２−メトキシプロパノール溶液）１５部、活性エステル化合物（ＤＩＣ（株）製「ＨＰＣ−８０００−６５Ｔ」、活性基当量約２２３、不揮発成分６５質量％のトルエン溶液）２０部、カルボジイミド化合物（日清紡ケミカル（株）製「Ｖ−０３」、ＮＣＯ含有量０質量％、不揮発成分５０質量％のトルエン溶液）２０部、硬化促進剤（４−ジメチルアミノピリジン（ＤＭＡＰ）、固形分１０質量％のＭＥＫ溶液）３部、アミノシラン系カップリング剤（信越化学工業（株）製「ＫＢＭ５７３」）で表面処理された球形シリカ（平均粒径０．５μｍ、（株）アドマテックス製「ＳＯ−Ｃ２」）２７５部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニスを調製した。
【０１５５】
支持体としてアルキド樹脂系離型層付きＰＥＴフィルム（リンテック（株）製「ＡＬ５」、厚さ３８μｍ）を用意した。該支持体の離型層上に、乾燥後の樹脂組成物層の厚さが３０μｍとなるように樹脂ワニスを均一に塗布し、８０℃〜１２０℃（平均１００℃）で４分間乾燥させて、接着フィルムを作製した。
【０１５６】
＜実施例２＞
カルボジイミド化合物（日清紡ケミカル（株）製「Ｖ−０３」、不揮発分５０質量％のトルエン溶液）の配合量を８０部に変更した以外は、実施例１と同様にして樹脂ワニス、接着フィルムを作製した。
【０１５７】
＜実施例３＞
アミノシラン系カップリング剤（信越化学工業（株）製「ＫＢＭ５７３」）で表面処理された球形シリカ（平均粒径０．５μｍ、（株）アドマテックス製「ＳＯ−Ｃ２」）の配合量を１００部に変更した以外は、実施例１と同様にして樹脂ワニス、接着フィルムを作製した。
【０１５８】
＜実施例４＞
アミノシラン系カップリング剤（信越化学工業（株）製「ＫＢＭ５７３」）で表面処理された球形シリカ（平均粒径０．５μｍ、（株）アドマテックス製「ＳＯ−Ｃ２」）２７５部を、アミノシラン系カップリング剤（信越化学工業（株）製、「ＫＢＭ５７３」）で表面処理された球形シリカ（平均粒径０．３μｍ、（株）アドマテックス製「ＳＯ−Ｃ１」）２７５部に変更した以外は、実施例１と同様にして樹脂ワニス、接着フィルムを作製した。
【０１５９】
＜実施例５＞
活性エステル化合物（ＤＩＣ（株）製「ＨＰＣ−８０００−６５Ｔ」、活性基当量約２２３、不揮発成分６５質量％のトルエン溶液）２０部を、活性エステル化合物（ＤＩＣ（株）製「ＥＸＢ９０５０Ｌ−６２Ｍ」、活性基当量約３３４、不揮発成分６２質量％のＭＥＫ溶液）２１部に変更した以外は、実施例１と同様にして樹脂ワニス、接着フィルムを作製した。
【０１６０】
＜実施例６＞
硬化促進剤（４−ジメチルアミノピリジン（ＤＭＡＰ）、固形分１０質量％のＭＥＫ溶液）３部を、硬化促進剤（四国化成（株）製「１Ｂ２ＰＺ」、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、固形分１０質量％のＭＥＫ溶液）６部に変更した以外は、実施例１と同様にして樹脂ワニス、接着フィルムを作製した。
【０１６１】
＜実施例７＞
カルボジイミド化合物（日清紡ケミカル（株）製「Ｖ−０３」、不揮発成分５０質量％のトルエン溶液）２０部を、カルボジイミド化合物（日清紡ケミカル（株）製「Ｖ−０７」、ＮＣＯ含有量０．５質量％、不揮発成分５０質量％のトルエン溶液）２０部に変更した以外は、実施例１と同様にして樹脂ワニス、接着フィルムを作製した。
【０１６２】
＜実施例８＞
フェノキシ樹脂（三菱化学（株）製「ＹＬ７５５３ＢＨ３０」、固形分３０質量％のＭＥＫとシクロヘキサノンの１：１溶液）２０部を、ポリビニルブチラール樹脂（ガラス転移温度１０５℃、積水化学工業（株）製「ＫＳ−１」、不揮発成分１５質量％のエタノールとトルエンの１：１溶液）４０部に変更した以外は、実施例１と同様にして樹脂ワニス、接着フィルムを作製した。
【０１６３】
＜実施例９＞
フェノキシ樹脂（三菱化学（株）製「ＹＬ７５５３ＢＨ３０」、固形分３０質量％のＭＥＫとシクロヘキサノンの１：１溶液）２０部を、酸無水物基含有ビニル系樹脂（ＣＲＡＹ ＶＡＬＬＥＹ ＨＳＣ社製「ＥＦ−３０」、固形分５０％のシクロヘキサノン溶液）１２部に変更した以外は、実施例１と同様にして樹脂ワニス、接着フィルムを作製した。
【０１６４】
＜実施例１０＞
フェノキシ樹脂（三菱化学（株）製「ＹＬ７５５３ＢＨ３０」、固形分３０質量％のＭＥＫとシクロヘキサノンの１：１溶液）２０部を、ポリイミド樹脂（新日本理化（株）製「ＳＮ−２０」、固形分２０％のＮ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）溶液）３０部に変更した以外は、実施例１と同様にして樹脂ワニス、接着フィルムを作製した。
【０１６５】
＜実施例１１＞
フェノキシ樹脂（三菱化学（株）製「ＹＬ７５５３ＢＨ３０」、固形分３０質量％のＭＥＫとシクロヘキサノンの１：１溶液）２０部を、ポリイミド樹脂（ＤＩＣ（株）製「ユニディックＶ−８０００」、不揮発成分４０質量％のエチルジグリコールアセテート溶液）１５部に変更した以外は、実施例１と同様にして樹脂ワニス、接着フィルムを作製した。
【０１６６】
＜実施例１２＞
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（三菱化学（株）製「８２８ＵＳ」、エポキシ当量約１８０）１０部を、エステル骨格を有する脂環式エポキシ樹脂（（株）ダイセル製「セロキサイド ２０２１Ｐ」）１０部に変更した以外は、実施例２と同様にして樹脂ワニス、接着フィルムを作製した。
【０１６７】
＜実施例１３＞
トリアジン骨格含有フェノール系硬化剤（ＤＩＣ（株）製「ＬＡ−３０１８−５０Ｐ」、水酸基当量約１５１、固形分５０％の２−メトキシプロパノール溶液）の配合量を５部に変更し、ベンゾオキサジン系硬化剤（四国化成工業（株）製「Ｐ−ｄ」、固形分５０％のシクロヘキサノン溶液）１０部を追加した以外は、実施例２と同様にして樹脂ワニス、接着フィルムを作製した。
【０１６８】
＜実施例１４＞
フェノキシ樹脂（三菱化学（株）製「ＹＬ７５５３ＢＨ３０」、固形分３０質量％のＭＥＫとシクロヘキサノンの１：１溶液）２０部を、合成例１のシロキサン骨格含有ポリイミド樹脂（固形分５５質量％）１０．９部に変更した以外は、実施例２と同様にして樹脂ワニス、接着フィルムを作製した。
【０１６９】
［合成例１］
環流冷却器を連結した水分定量受器、窒素導入管、攪拌器を備えた５００ｍＬのセパラブルフラスコに、３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物（ＢＴＤＡ）２０部、γ−ブチロラクトン７０．９部、トルエン７部、ジアミノシロキサン（信越化学工業（株）製「Ｘ−２２−９４０９」、アミン当量６６５）６１．５部、２，６−ビス（１−ヒドロキシ−１−トリフルオロメチル−２，２，２−トリフルオロエチル）−１，５−ナフタレンジアミン（ＨＦＡ−ＮＡＰ）７．４部を加えて窒素気流下で４５℃にて２時間攪拌して反応を行った。次いでこの反応溶液を昇温し、約１６０℃に保持しながら窒素気流下で縮合水をトルエンとともに共沸除去した。水分定量受器に所定量の水がたまっていること、水の流出が見られなくなっていることを確認したところでさらに昇温し、２００℃で１時間攪拌した。その後冷却して終了とし、ヘキサフルオロイソプロパノール基（ＨＦＡ基）を有するシロキサン骨格含有ポリイミド樹脂を５５質量％含むワニスを作製した。この場合の、樹脂中のシロキサン構造の含有量は７０．９質量％で、ＨＦＡ基当量は２８８１ｇ／ｍｏｌである。
【０１７０】
＜実施例１５＞
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（三菱化学（株）製「８２８ＵＳ」、エポキシ当量約１８０）１０部を、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂（三菱化学（株）製「ＹＬ７７６０」、エポキシ当量約２３５）１０部に変更した以外は、実施例１と同様にして樹脂ワニス、接着フィルムを作製した。
【０１７１】
＜比較例１＞
カルボジイミド化合物（日清紡ケミカル（株）製「Ｖ−０３」、不揮発成分５０質量％のトルエン溶液）２０部を使用しなかった以外は、実施例１と同様にして樹脂ワニス、接着フィルムを作製した。
【０１７２】
＜比較例２＞
活性エステル化合物（ＤＩＣ（株）製「ＨＰＣ−８０００−６５Ｔ」、活性基当量約２２３、不揮発成分６５質量％のトルエン溶液）２０部を使用しなかった以外は、実施例１と同様にして樹脂ワニス、接着フィルムを作製した。
【０１７３】
＜比較例３＞
フェノキシ樹脂（三菱化学（株）製「ＹＬ７５５３ＢＨ３０」、固形分３０質量％のＭＥＫとシクロヘキサノンの１：１溶液）２０部を使用しなかった以外は、実施例１と同様にして樹脂ワニス、接着フィルムを作製した。
【０１７４】
＜比較例４＞
アミノシラン系カップリング剤（信越化学工業（株）製、「ＫＢＭ５７３」）で表面処理された球形シリカ（平均粒径０．５μｍ、（株）アドマテックス製「ＳＯ−Ｃ２」）の配合量を４０部に変更した以外は、実施例１と同様にして樹脂ワニス、接着フィルムを作製した。
【０１７５】
結果を表１に示す。
【０１７６】
【表１】

」
以上の記載によれば、申立２甲５には「樹脂組成物層」の測定温度が「２３℃」で「周波数：５．８ＧＨｚ」の「誘電正接」が、０．００４３〜０．００５９の範囲にある実施例１〜４、６〜１５が記載されているが、「周波数：１０ＧＨｚ」の「誘電正接」は不明である。
仮に、「周波数：１０ＧＨｚ」の「誘電正接」が、「周波数：５．８ＧＨｚ」の「誘電正接」と同程度であったとしても、実施例１〜４、６〜１５の組成の「樹脂組成物層」の測定周波数１０ＧＨｚにおける誘電正接が、２３℃における誘電正接の値から変化しないという技術常識を示す証拠はない。
また、実施例１〜４、６〜１５の「樹脂組成物層」のガラス転移温度（Ｔｇ）は、１６５〜１８０℃であるところ、エポキシ樹脂の誘電正接は、ガラス転移点温度付近で上昇し、ガラス転移温度では急激に上昇することが、当業者の技術常識であるから、実施例１〜４、６〜１５の「樹脂組成物層」の、測定周波数１０ＧＨｚ、２３℃における誘電正接が０．００６以下であり、該樹脂組成物層を熱硬化させて得られる硬化物の測定周波数１０ＧＨｚ、１５０℃における誘電正接が０．０１以下である蓋然性が高いとまではいえない。

ケ 申立３甲１について
申立３甲１の１５ページには、上段に、「ＡＢＦ ＧＹシリーズ」及び「ＧＹシリーズ（エポキシ−フェノールエステル硬化剤）と記載され、下段左側の表に、「ＧＹ１１」について、「Ｔｇ（℃、引張り熱機械分析）」が「１５５」、「Ｔｇ（℃、動的粘弾性測定誌装置）」が「１６５」及び「誘電正接（Ｄｆ）（空洞摂動、５．８ＧＨｚ）」が「０．００４２」と記載されている。
また、申立３甲１の１６ページには、上段に、「ＡＢＦ（４０μｍ）のＤｋ及びＤｆ（１０ＧＨｚにおける）の温度依存性」と記載され、下段の表に、「ＧＹ１１」について、「温度／℃」が「２５」の場合に「０．００３９」、「１００」の場合に「０．００５４」と記載されている。
以上の記載を総合すると、「エポキシ−フェノールエステル硬化剤」である「ＧＹ１１」のガラス転移温度Ｔｇは、１５５〜１６５℃程度であり、測定周波数１０ＧＨｚ、２５℃における誘電正接が０．００３９、１００℃における誘電正接は０．００５４であることがわかるが、１５０℃における誘電正接は不明であり、「エポキシ−フェノールエステル硬化剤」の測定周波数１０ＧＨｚにおける誘電正接が、１００℃における誘電正接の値から変化しないという技術常識を示す証拠もない
ここで、「ＧＹ１１」がエポキシ樹脂を主成分とするものであるとすると、前述のとおり「ＧＹ１１」のガラス転移Ｔｇは、１５５〜１６５℃程度であるところ、エポキシ樹脂の誘電正接は、ガラス転移点温度付近で上昇し、ガラス転移温度では急激に上昇することが、当業者の技術常識であるから、「ＧＹ１１」の測定周波数１０ＧＨｚ、１５０℃における誘電正接が０．０１以下である蓋然性が高いとまではいえない。

コ まとめ
以上ア〜ケによれば、申立１甲１〜申立３甲１のいずれにも、本件発明１〜３、６〜１２の「無機充填材、エポキシ樹脂、及び硬化剤を含有し」た「樹脂組成物層」であり、「該樹脂組成物層中の不揮発成分を１００質量％とした場合に、該無機充填材の含有量が５０質量％以上８５質量％以下であり、該無機充填材の平均粒径が、１．５μｍ以下であり、該樹脂組成物層の厚みが、１μｍ以上であり、該樹脂組成物層を熱硬化させて得られる硬化物の測定周波数１０ＧＨｚ、２３℃における誘電正接が０．００６以下であり、該樹脂組成物層を熱硬化させて得られる硬化物の測定周波数１０ＧＨｚ、１５０℃における誘電正接が０．０１以下である」ものが記載されているとはいえない。
また、申立１甲１〜申立３甲１に記載されたものを、本件発明１〜３、６〜１２のように、「無機充填材、エポキシ樹脂、及び硬化剤を含有し」た「樹脂組成物層」であり、「該樹脂組成物層中の不揮発成分を１００質量％とした場合に、該無機充填材の含有量が５０質量％以上８５質量％以下であり、該無機充填材の平均粒径が、１．５μｍ以下であり、該樹脂組成物層の厚みが、１μｍ以上であり、該樹脂組成物層を熱硬化させて得られる硬化物の測定周波数１０ＧＨｚ、２３℃における誘電正接が０．００６以下であり、該樹脂組成物層を熱硬化させて得られる硬化物の測定周波数１０ＧＨｚ、１５０℃における誘電正接が０．０１以下である」ものとする動機付けもなく、「無機充填材、エポキシ樹脂、及び硬化剤を含有し」た「樹脂組成物層」であり、「該樹脂組成物層中の不揮発成分を１００質量％とした場合に、該無機充填材の含有量が５０質量％以上８５質量％以下であり、該無機充填材の平均粒径が、１．５μｍ以下であり、該樹脂組成物層の厚みが、１μｍ以上であり、該樹脂組成物層を熱硬化させて得られる硬化物の測定周波数１０ＧＨｚ、２３℃における誘電正接が０．００６以下であり、該樹脂組成物層を熱硬化させて得られる硬化物の測定周波数１０ＧＨｚ、１５０℃における誘電正接が０．０１以下である」ものとすることが、当業者に周知であるともいえない。
そうすると、本件発明１〜３、６〜１２は、申立１甲１〜申立３甲１に記載された発明ではなく、また、申立１甲１〜申立３甲１に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明できたものでもない。

（２）発明該当性について
本件発明１〜３、６〜１２は、自然法則自体、発明者が目的を意識して創作していない天然物や自然現象等の単なる発見、自然法則に反するもの、自然法則を利用していないもの及び技術的思想でないものの、いずれでもないことは明らかである。
また、本件発明１〜３、６〜１２が、本件特許の発明が解決しようとする課題を解決可能であることは、上記第４の２の（１）に記載したとおりであるから、発明の課題を解決するための手段は示されているものの、その手段によっては、課題を解決することが明らかに不可能なものでもない。
そうすると、当該発明該当性にかかる申立人の主張は、その前提において失当である。

第６ むすび
以上のとおり、取消理由通知に記載した取消理由及び特許異議申立書に記載された特許異議申立理由によっては、請求項１〜３、６〜１２に係る特許を取り消すことはできない。さらに、他に請求項１〜３、６〜１２に係る特許を取り消すべき理由は発見しない。
また、請求項４〜５に係る特許は、本件訂正により削除された。これにより、申立人１〜３による請求項４〜５に係る特許についての特許異議の申立ては、申立ての対象が存在しないものとなったため、特許法第120条の8第1項で準用する同法第135条の規定により却下する。
よって、結論のとおり決定する。
 
発明の名称 （５７）【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体と、該支持体上に接合した樹脂組成物層と、を含む樹脂シートであって、
該樹脂組成物層が、無機充填材、エポキシ樹脂、及び硬化剤を含有し、
該樹脂組成物層中の不揮発成分を１００質量％とした場合に、該無機充填材の含有量が５０質量％以上８５質量％以下であり、
該無機充填材の平均粒径が、１．５μｍ以下であり、
該樹脂組成物層の厚みが、１μｍ以上であり、
該樹脂組成物層を熱硬化させて得られる硬化物の測定周波数１０ＧＨｚ、２３℃における誘電正接が０．００６以下であり、
該樹脂組成物層を熱硬化させて得られる硬化物の測定周波数１０ＧＨｚ、１５０℃における誘電正接が０．０１以下である、樹脂シート。
【請求項２】
樹脂組成物層の厚みが１５μｍ以下である、請求項１に記載の樹脂シート。
【請求項３】
樹脂組成物層の最低溶融粘度が１０００ｐｏｉｓｅ以上である、請求項１または２に記載の樹脂シート。
【請求項４】（削除）
【請求項５】（削除）
【請求項６】
樹脂組成物層中の不揮発成分を１００質量％とした場合に、該無機充填材の含有量が６０質量％以上である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の樹脂シート。
【請求項７】
樹脂組成物層中の不揮発成分を１００質量％とした場合に、該無機充填材の含有量が６４．７質量％以上である、請求項１〜３、６のいずれか１項に記載の樹脂シート。
【請求項８】
該樹脂組成物層が、プリント配線板の絶縁層形成用である、請求項１〜３、６、７のいずれか１項に記載の樹脂シート。
【請求項９】
該樹脂組成物層が、１ＧＨｚ以上の高周波基板の絶縁層形成用である、請求項１〜３、６〜８のいずれか１項に記載の樹脂シート。
【請求項１０】
該樹脂組成物層が、第１の導体層と、第２の導体層と、第１の導体層と第２の導体層との間に形成された６μｍ以下の絶縁層と、を含むプリント配線板の、該絶縁層形成用である、請求項１〜３、６〜９のいずれか１項に記載の樹脂シート。
【請求項１１】
第１の導体層、第２の導体層、及び、第１の導体層と第２の導体層との間に形成された６μｍ以下の絶縁層を含む、プリント配線板であって、
該絶縁層は、請求項１〜３、６〜１０のいずれか１項に記載の樹脂シートの樹脂組成物層の硬化物である、プリント配線板。
【請求項１２】
請求項１１に記載のプリント配線板を含む、半導体装置。
 
訂正の要旨 審決（決定）の【理由】欄参照。
異議決定日 2022-02-25 
出願番号 P2016-066543
審決分類 P 1 651・ 1- YAA (B32B)
P 1 651・ 121- YAA (B32B)
P 1 651・ 537- YAA (B32B)
P 1 651・ 536- YAA (B32B)
P 1 651・ 113- YAA (B32B)
最終処分 07   維持
特許庁審判長 久保 克彦
特許庁審判官 藤井 眞吾
石井 孝明
登録日 2020-03-09 
登録番号 6672954
権利者 味の素株式会社
発明の名称 樹脂シート  
代理人 特許業務法人酒井国際特許事務所  
代理人 特許業務法人酒井国際特許事務所  

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