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審決分類 審判 査定不服 特36条6項1、2号及び3号 請求の範囲の記載不備 取り消して特許、登録(定型) H01L
審判 査定不服 2項進歩性 取り消して特許、登録(定型) H01L
管理番号 1385933
総通号数
発行国 JP 
公報種別 特許審決公報 
発行日 2022-07-29 
種別 拒絶査定不服の審決 
審判請求日 2021-07-12 
確定日 2022-06-21 
事件の表示 特願2019−190772「SiCベースの超接合半導体装置」拒絶査定不服審判事件〔令和 2年 3月12日出願公開、特開2020− 38975、請求項の数(11)〕について、次のとおり審決する。 
結論 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 
理由 本願は、令和 1年10月18日(遡及出願平成28年 2月 5日パリ条約による優先権主張 2015年 2月 6日 (DE)ドイツ連邦共和国)の出願であって、その請求項1〜11に係る発明は、令和4年 4月13日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項1〜11に記載された事項により特定されるとおりのものであると認める。
そして、本願については、原査定の拒絶理由及び当審で通知した拒絶理由を検討してもその理由によって拒絶すべきものとすることはできない。
また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
よって、結論のとおり審決する。
 
審決日 2022-06-07 
出願番号 P2019-190772
審決分類 P 1 8・ 121- WYF (H01L)
P 1 8・ 537- WYF (H01L)
最終処分 01   成立
特許庁審判長 河本 充雄
特許庁審判官 鈴木 聡一郎
恩田 春香
発明の名称 SiCベースの超接合半導体装置  
代理人 園田・小林特許業務法人  
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