拒絶査定不服の審決｜2021-6870 - 特許審決データベース

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審決分類	審判査定不服 2項進歩性特許、登録しない。 G01N
管理番号	1387932
総通号数	9
発行国	JP
公報種別	特許審決公報
発行日	2022-09-30
種別	拒絶査定不服の審決
審判請求日	2021-05-27
確定日	2022-08-24
事件の表示	特願２０１５－２４４６９８「ガス状物質を検出するための材料及びセンサ」拒絶査定不服審判事件〔平成２８年７月１４日出願公開、特開２０１６－１２８８０３〕について、次のとおり審決する。
結論	本件審判の請求は、成り立たない。
理由	第１手続の経緯本願は、平成２７年１２月１６日（パリ条約による優先権主張２０１４年１２月３０日アメリカ合衆国）の出願であって、令和元年１１月２８日付けで拒絶理由が通知され、令和２年２月１９日に意見書及び手続補正書が提出され、同年８月３１日付けで最後の拒絶理由が通知され、同年１１月２４日に意見書及び手続補正書が提出されたが、令和３年１月７日付けで令和２年１１月２４日にした手続補正についての却下の決定がされるとともに拒絶査定（原査定）がされたところ、令和３年５月２７日に拒絶査定不服審判の請求がなされ、それと同時に手続補正がなされたものである。第２本願発明本願の請求項に係る発明は、令和３年５月２７日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし２５に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）以下のとおりのものである。「【請求項１】ガス状物質を検出するように構成されるセンサ（１０，１６，３２，７６）であって、トランスジューサであって、アンテナ（１４，２２）を形成する電気共振回路を備える、トランスジューサと、前記トランスジューサの少なくとも一部分上に配設された検知材料（１２，１８）とを備え、前記検知材料（１２，１８）は、金属酸化物半導体、ポリマーマトリクス及び前記金属酸化物半導体上に堆積された貴金属触媒を含み、ガス状物質に暴露されると、キャパシタンス応答及び抵抗応答を同時に示すように構成され、前記金属酸化物半導体は、Ｉｎ2Ｏ3、ＳｎＯ2、Ｆｅ2Ｏ3、Ｇａ2Ｏ3、及びＳｂ2Ｏ3、又は任意の他の金属酸化物半導体、或は、ＳｎＯ2を有するＩｎ2Ｏ3、ＺｎＯを有するＩｎ2Ｏ3、ＺｎＯを有するＳｎＯ2を含む１つ又は複数の金属の組合せである、センサ（１０，１６，３２）。」第３原査定の拒絶の理由原査定の拒絶の理由は、この出願の請求項１ないし２６に係る発明は、その優先日前に日本国内又は外国において、頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった下記の引用文献１ないし８に記載された発明に基づいて、その優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第29条第2項の規定により特許を受けることができない、というものである。なお、引用文献２は、請求項３、４及び２６に対してのみ引用されている。また、引用文献３ないし８は、周知技術を示す文献として引用されている。引用文献１：特開２０１２－１３２９０１号公報引用文献２：特表２０１１－５２４９７４号公報引用文献３：特開２００９－２２９３６９号公報引用文献４：米国特許出願公開第２００８／００２０５０４号明細書引用文献５：特開平８－１５２００号公報引用文献６：特開昭６２－１１０１４３号公報引用文献７：特開昭６０－７３５０号公報引用文献８：特公昭４７－２７４３８号公報第４引用文献の記載事項１引用文献１について（１）原査定の拒絶の理由で引用された本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２０１２－１３２９０１号公報（以下「引用文献１」という。）には、以下の記載がある（下線は当審において付加した。以下同様。）。（引１－ア）「【技術分野】【０００１】本明細書に開示する主題は、化学センサー及び生体センサーに関し、より具体的には、選択性の高い温度非依存性化学センサー及び生体センサーに関する。【背景技術】【０００２】様々な蒸気の検出を有用な情報を識別するのに使用することができる、いくつかの用途に、化学センサー及び生体センサーを使用することが多い。例えば、センサー内又はセンサーの周囲のいくつかの環境変数の変化を識別することにより存在する蒸気を測定することは、生物薬剤製品、食料又は飲料の変化を監視すること、化学的又は物理的危険のある工業地域を監視すること、並びに、住居監視、空港内の自国セキュリティ、様々な環境及び医療現場、いくつかの有害蒸気及び／又は毒性のある蒸気の検出が特に有用である可能性がある他の公共の場所等のセキュリティ用途に特に有用である可能性がある。【０００３】そうした環境変化を検知する１つの技術は、特定の検知用材料で覆われたＲＦＩＤセンサー等のセンサーを使用することである。それに加えて、１つ以上の検知用材料で覆われたセンサーを、個々の変換器のアレイ内に配置することができる。多くのセンサーアレイは、いくつかの同じセンサーを含む。しかし、そうしたアレイは、同じセンサーを使用してセンサーアレイの作成を簡単にするが、単一の応答（例えば、抵抗値、電流、静電容量、仕事関数、質量、光学的厚さ、光強度等）のみを検知する能力に限定する可能性がある。いくつかの用途では、複数の応答又は複数の特性変化が起こる可能性がある。そうした用途において、アレイ内の様々な変換器が同じ又は異なる応答（例えば、抵抗値、電流、静電容量、仕事関数、質量、光学的厚さ、光強度等）を使用し、２つ以上の特性を測定することができるように様々な検知用材料で覆われた、センサーアレイを含むことは有益である可能性がある。不利なことには、特定の応答を検知するのに固有に作成された個々のセンサーを有するセンサーアレイを作成することは、アレイの作成を複雑にする。【先行技術文献】【特許文献】【０００４】【特許文献１】米国特許出願公開第２００９／０２７８６８５号明細書【発明の概要】【発明が解決しようとする課題】【０００５】さらに、多くの実用的用途において、選択性の高い化学センサー及び生体センサーを使用するのは有益である。即ち、他の蒸気及び混合物の存在の下で複数の蒸気及び蒸気混合物を検知することができるセンサーアレイを提供することがしばしば望ましい。存在する可能性がある蒸気及び蒸気混合物の数が多くなるほど、検知する特定の種類の蒸気又は蒸気混合物を正確に検知し、それを識別することがより難しくなる可能性がある。特に、このことは、１つ以上の蒸気が検出用の注目する他の蒸気よりも大きい大きさのレベルで存在するとき、当てはまる可能性がある。例えば、高い湿度環境は、選択された蒸気を検出する従来のセンサーの能力をしばしば妨げる。さらに、センサーを個々のセンサーとして使用し又はセンサーをアレイ状に配置するとき、温度変動は、化学検知及び生体検知の正確度を低減する。【０００６】本明細書に開示する様々な実施形態は、上述の課題の１つ以上に対処することができる。【課題を解決するための手段】【０００７】一実施形態によれば、共振インダクタ－コンデンサ－抵抗器（ＬＣＲ）回路と、検知領域上に配置された検知用材料とを備えたセンサーを提供する。検知領域は、ＬＣＲ回路の少なくとも一部を含む。ＬＣＲ回路及び検知用材料のインダクタンスＬ特性、静電容量Ｃ特性及び抵抗値Ｒ特性の温度依存性応答係数は、互いに約５％以上異なる。ＬＣＲ回路及び検知用材料の特性の温度依存性応答係数の差により、センサーは、温度に実質的に依存せずに分析流体混合物から分析物流体を選択的に検出することができる。」（引１－イ）「【発明を実施するための形態】【００１２】本明細書に開示する実施形態は、単一のセンサーを設け、複数の蒸気及び／又は蒸気混合物を単独又は互いの存在の下で検出することができる、選択的な蒸気検知用の温度非依存性方法及びシステムを提供する。単一のセンサーを使用した蒸気検知用の一般的な方法の例は、「ＨｉｇｈｌｙＳｅｌｅｃｔｉｖｅＣｈｅｍｉｃａｌａｎｄｂｉｏｌｏｇｉｃａｌＳｅｎｓｏｒｓ」という名称の米国特許出願第１２／９４２，７３２号に説明され、それは参照により本明細書に組み込まれる。開示するセンサーは、高湿度環境又は１つ以上の蒸気が混合物中の他の成分と比べて大幅に高い濃度（例えば１０倍）を有する環境でも、変化する温度の下で様々な蒸気及び混合物を検出することができる。各センサーは、検知用材料で覆われた共振インダクタ－コンデンサ－抵抗器（ＬＣＲ）センサーを含む。ＬＣＲ回路及び検知用材料の特性の温度依存性応答係数は、互いに異なる。特性の温度依存性応答係数の差は、開示するセンサーの測定に影響を及ぼす。しかし、特性の温度依存性応答係数の知見及び／又は特性の温度依存性応答係数の差がセンサーにどのように影響を及ぼすかの知見は、温度非依存性選択的蒸気検知及び応答の安定性の改善をもたらすセンサーの測定インピーダンスの多変数分析と共に使用する。例えば、センサーの実験的試験に基づいて係数を含む参照表を生成することができる。センサーの使用中、実験的に決定した係数は、多変数分析において検知中の温度変動を説明するのに使用することができる。本明細書に開示する他の実施形態は、単一のセンサーを設け、液体中の複数の化学種若しくは生体種及び／又は化学種若しくは生体種の混合物を単独又は互いの存在の下で検出することができる、選択的な化学検知及び生体検知用の温度非依存性方法及びシステムを提供する。【００１３】ＬＣＲセンサーの非限定的な例は、集積回路（ＩＣ）メモリーチップ付きＲＦＩＤセンサー、ＩＣチップ付きＲＦＩＤセンサー及びＩＣメモリーチップ無しＲＦＩＤセンサー（チップ無しＲＦＩＤセンサー）を含む。ＬＣＲセンサーは、無線又は有線とすることができる。データを集めるために、ＬＣＲ回路の共振周波数範囲等の比較的狭い周波数範囲にわたってインピーダンススペクトルを取得する。本技術は、いくつかの蒸気及び／又は蒸気混合物の存在を識別するのに、取得スペクトルから多変数識別特性を計算し、データを処理することをさらに含む。存在する蒸気は、誘電率の変化、寸法、電荷移動及び回路の電子的共振特性の変化を観測し、使用材料の特性の他の変化を測定することによって検出される。さらに以下に示すように、主成分分析（ＰＣＡ）及びその他の数学的手順を使用することにより、互いの存在及び干渉物質の存在の下で、複数の蒸気及び混合物を検出することができる。本明細書に開示する実施形態は、単一のセンサーを設け、複数の流体及び／又は混合流体を単独又は互いの存在の下で検出することができる、選択的な流体検知用の温度非依存性方法及びシステムを提供する。別の実施形態は、ＬＣＲ回路を含む変換器を組み立て、変換器の少なくとも一部上に検知用材料を配置することにより、変換器及び検知用材料の特性の温度依存性応答係数が互いに異なる、そうしたセンサーを製造する方法を開示する。他の実施形態では、蒸気及び流体用の化学センサーに加えて、生体センサーも、温度非依存性検出能力を有することができる。」（引１－ウ）「【００２６】用語「変換器及びセンサー」は、検知を目的とするＲＦＩＤデバイス等の電子デバイスを指すのに使用する。「変換器」は、検知若しくは保護フィルムで覆われる前又は検知用途のために校正する前のデバイスである。変換器は、ＬＣＲ回路の静電容量Ｃ、抵抗値Ｒ及びインダクタンスＬの温度依存性変化の３つ以上の温度依存性応答係数を含む。「センサー」は、全体的には、検知若しくは保護フィルムで覆われた後及び検知用途のために校正した後のデバイスである。【００２７】本明細書で使用する用語「ＲＦＩＤタグ」は、ＲＦＩＤタグに取り付けることができる物品を識別及び／又は追跡するのに電子タグを使用する、識別及び報告技術を指す。ＲＦＩＤタグは、全体的には、２つ以上の素子を含み、第１の素子は、情報を記憶及び処理し、無線周波数信号を変調及び復調する集積回路（ＩＣ）メモリーチップである。このメモリーチップは、他の専用の機能に使用することもでき、例えば、コンデンサを含むことができる。メモリーチップは、抵抗入力部、静電容量入力部又はインダクタンス入力部等の１つ以上のアナログ信号用入力部を含むこともできる。チップ無しＲＦＩＤタグの場合、ＲＦＩＤタグは、ＩＣメモリーチップを含まない可能性がある。この種類のＲＦＩＤタグは、特定のＲＦＩＤタグを識別する必要がなく、むしろタグの存在を示すだけの信号が有用な情報を提供する用途（例えば製品管理用途）に有用である可能性がある。ＲＦＩＤタグの第２の素子は、無線周波数信号を受信し、送信するアンテナである。【００２８】用語「ＲＦＩＤセンサー」は、検知機能を追加したＲＦＩＤタグであり、例えば、そのとき、ＲＦＩＤタグのアンテナがそのインピーダンスパラメーターを環境変化に応じて変化させることにより検知機能も行う。共振インピーダンスの分析により、そうしたＲＦＩＤセンサーによる環境変化の正確な決定を行う。例えば、ＲＦＩＤタグは、ＲＦＩＤタグを検知フィルムで覆うことによりＲＦＩＤセンサーに転換することができる。ＲＦＩＤタグを検知フィルムで覆うことにより、フィルムの電気応答は、インピーダンス応答、共振ピーク位置、ピーク幅、センサーアンテナのインピーダンス応答のピーク高さ及びピーク対称性、インピーダンスの実数部の大きさ、インピーダンスの虚数部の共振周波数、インピーダンスの虚数部の反共振周波数、零リアクタンス周波数、位相角度、インピーダンスの大きさ、並びに用語センサー「スペクトルパラメーター」の定義で説明した他のものへの同時変化に変換される。「ＲＦＩＤセンサー」は、アンテナに取り付けた集積回路（ＩＣ）メモリーチップを有する可能性があり又はＩＣメモリーチップを有しない可能性がある。ＩＣメモリーチップ無しＲＦＩＤセンサーは、ＬＣＲセンサーである。ＬＣＲセンサーは、ＬＣＲ回路を形成する、１つ以上のインダクタ（Ｌ）、１つ以上のコンデンサ（Ｃ）及び１つ以上の抵抗器（Ｒ）等の既知の素子から構成される。」（引１－エ）「【００３９】ここで図に目を向け、最初に図１を参照して、その上を覆われる検知用材料１４を含むＲＦＩＤセンサー１２を利用した温度非依存性選択的蒸気検知の原理を説明するために、検知システム１０を提供する。検知用材料１４は、誘電率特性及び抵抗値特性の２つ以上の温度依存性応答係数を有する。図２を簡単に参照すれば、センサー１２は、検知用材料１４で覆われたインダクタ－コンデンサ－抵抗器構造（ＬＣＲ）を含む共振回路である。ＬＣＲ構造は、ＬＣＲ回路のインダクタンスＬ特性、静電容量Ｃ特性及び抵抗値Ｒ特性の３つ以上の温度依存性応答係数を含む。ＬＣＲ回路の特性の３つ以上の温度依存性応答係数は、互いに約５％以上異なる。それに加えて、検知用材料１４の特性の２つ以上の温度依存性応答係数は、ＬＣＲ回路の特性の３つ以上の温度依存性応答係数と約５％以上異なる。検知用材料１４は、電極間の検知領域上に施され、電極は、共振回路を構成するセンサーアンテナ１８を形成する。さらに以下に説明するように、検知用材料１４を共振回路上に施すことにより、回路のインピーダンス応答を変える。センサー１２は、有線センサー又は無線センサーとすることができる。センサー１２は、基板２０に結合する共振アンテナ１８に結合するメモリーチップ１６を含むこともできる。メモリーチップ１６は、製造データ、ユーザーデータ、校正データ及び／又はその上に記憶される他のデータを含むことができる。メモリーチップ１６は、集積回路デバイスであり、相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）プロセスを使用して作成したＲＦ信号変調回路及び不揮発性メモリーを含む。ＲＦ信号変調回路素子は、ダイオード整流器、電源電圧制御装置、変調器、復調器、クロック発生器及び他の素子を含む。・・・【００４３】アンテナ１８内で発生した電磁界により探知される検知用材料１４の特性変化の監視を介して、検知を行う（図２）。ピックアップコイル２２によりＲＦＩＤセンサー１２を読むとき、センサーアンテナ１８内に発生した電磁界は、センサー１２の平面から拡がり、周辺環境の誘電特性により影響を受け、物理的、化学的及び生物学的パラメーターの測定の機会を提供する。」（引１－オ）「【００５２】有利なことに、分析物による検知用材料フィルムの変化が、材料の抵抗値及び静電容量、変換器と検知用材料との間の接触抵抗値及び静電容量、並びに変換器基板と検知用材料との間の抵抗値及び静電容量の変化により、アンテナＬＣＲ回路のインピーダンスに影響を及ぼすので、ＬＣＲ共振センサーの検知領域に、多様な検知用材料を利用することができる。そうした変化は、個々のＲＦＩＤセンサーの応答に多様性をもたらし、従来のセンサーアレイ全体を単一のＬＣＲ又はＲＦＩＤセンサーに置き換える機会をもたらす。」（引１－カ）「【００５６】検知用材料は、抵抗値変化、誘電率変化及び膨張率変化等の、ＬＣＲ又はＲＦＩＤセンサーの３つの応答機構の１つ以上により説明することができる、分析物応答を示す。複数の様々な個々の検知用材料を含む複合検知用材料を集合させることができ、複合検知用材料はそれぞれ、主として様々な応答機構により分析物に応答する。そうした複合検知用材料は、多変数応答の多様性を高める。そうした複合検知用材料を、ＬＣＲ共振器の特定部分にわたって均一又は不均一に混合し又は局所的にパターン化することができる。【００５７】例えば、広い範囲の金属酸化物半導体材料（例えば、ＺｎＯ、ＴｉＯ2、ＳｒＴｉＯ3、ＬａＦｅＯ3等）は、分析物ガスに曝露するとき、抵抗値の変化を示すが、いくつかの混合金属酸化物（例えば、ＣｕＯ－ＢａＴｉＯ3、ＺｎＯ－ＷＯ3）は、分析物蒸気に曝露するとき、それらの誘電率／静電容量を変化させる。これらの材料を混合物として結合するか又は同じセンサー上に空間的に別個に堆積させることにより、センサーの周囲の局所環境へのそれらの別個の寄与を使用し、単一の分析物に関する応答機構の多様性を高め、従って、選択性を高める。」（引１－キ）図１「」（引１－ク）図２「」（２）引用文献１に記載された発明ア上記（引１－ア）の「共振インダクタ－コンデンサ－抵抗器（ＬＣＲ）回路と、検知領域上に配置された検知用材料とを備えたセンサー」（【０００７】）との記載を参酌するに、上記（引１－エ）に記載された「その上を覆われる検知用材料１４を含むＲＦＩＤセンサー１２」及び「センサー１２は、検知用材料１４で覆われたインダクタ－コンデンサ－抵抗器構造（ＬＣＲ）を含む共振回路である」（【００３９】）から、「ＲＦＩＤセンサー１２」は、「インダクタ－コンデンサ－抵抗器構造（ＬＣＲ）を含む共振回路と、共振回路を覆う検知用材料１４とを備えたＲＦＩＤセンサー１２」であることが読み取れる。イ引用文献１の記載において、「センサーアンテナ１８」、「共振アンテナ１８」及び「アンテナ１８」は、同一の構成を表していると解されることから、以下では「共振アンテナ１８」に記載を統一する。また、「ＲＦＩＤセンサー１２」及び「センサー１２」についても、同一の構成を表していると解されることから、以下では「ＲＦＩＤセンサー１２」に記載を統一する。ウ上記ア及びイを踏まえると、上記（引１－ア）ないし（引１－ク）の記載から、引用文献１には、「インダクタ－コンデンサ－抵抗器構造（ＬＣＲ）を含む共振回路と、共振回路を覆う検知用材料１４とを備えたＲＦＩＤセンサー１２であって、ＬＣＲ回路は変換器を構成し、電極は、共振回路を構成する共振アンテナ１８を形成し、共振アンテナ１８は基板２０に結合しており、検知用材料１４は、分析物ガスに曝露するとき、抵抗値の変化を示すＺｎＯ、ＴｉＯ2、ＳｒＴｉＯ3、ＬａＦｅＯ3等の金属酸化物半導体材料と、分析物蒸気に曝露するとき、それらの誘電率／静電容量を変化させるＣｕＯ－ＢａＴｉＯ3、ＺｎＯ－ＷＯ3のような混合金属酸化物とを、混合物として結合するか、又は、空間的に別個に堆積させ、単一の分析物に関する応答機構の多様性を高めた、ＲＦＩＤセンサー１２。」の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。２引用文献３について原査定の拒絶の理由で引用された本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２００９－２２９３６９号公報（以下「引用文献３」という。）には、以下の記載がある。（引３－ア）「【技術分野】【０００１】本発明は、水素ガス検知素子に関し、水素解離能を有した貴金属触媒を担持した金属酸化物を備えることにより、常温下で、水素を検知することができるようにした水素ガス検知素子に関する。」（引３－イ）「【００１４】本発明の一側面は、所定の電気的特性を有する回路素子と、水素解離能を有した貴金属触媒を担持した金属酸化物とを備える水素ガス検知素子において、前記回路素子の少なくとも一部が、前記金属酸化物によって被覆され、前記金属酸化物の導電性は、前記金属酸化物に水素原子が解離吸着されることにより変化し、前記回路素子の電気的特性は、前記金属酸化物の導電性の変化に応じて変化することを特徴とする水素ガス検知素子である。【００１５】前記金属酸化物は、水素解離能を有した貴金属触媒を担持した酸化タングステンであり、前記酸化タングステンに解離吸着された水素原子による還元力によりタングステンブロンズが生成されることによって、前記酸化タングステンの導電性が変化するようにすることもできる。」（引３－ウ）「【００２９】図３に戻り基板１１の上面は（即ちアンテナコイル１２及び薄膜電極１３は）、樹脂材２１により覆われている。この樹脂材２１には、金属酸化物（この例の場合、酸化タングステン）が混入されており、この酸化タングステンには、白金（Ｐｔ）又はパラジウム（Ｐｄ）といった水素分子を水素原子に解離させる水素解離能を有する貴金属媒体が担持されている。」３引用文献４について原査定の拒絶の理由で引用された本願の優先日前に頒布された刊行物である米国特許出願公開第２００８／００２０５０４号明細書（以下「引用文献４」という。）には、以下の記載がある。（引４－ア）「[0027] In accordance with an exemplary embodiment of the invention, the barium tungstate film optionally may be doped with a suitable dopant or dopants to enhance the sensitivity and selectivity of the film to particular gases (step 62). For example, the barium tungstate film can be doped with noble metal particles such as platinum (Pt), palladium (Pd) and/or rhodium(Rh) particles to enhance the barium tungstate film's sensitivity to NO and NO2 and reduce sensitivity to CO and O2 gases. The dopants can be impregnated in the barium tungstate film by adding the particles to the mediums described above or otherwise can be dispersed on the surface of the film. In one exemplary embodiment, approximately 1 to 5% dopant may be added to the barium tungstate powder.」（当審訳：[0027] 本発明の例示的な実施形態によれば、タングステン酸バリウムフィルムは、所望により、適当なドーパントをドープし、特定のガス(ステップ62)に対するフィルムの感度及び選択性を向上させることができる。例えば、タングステン酸バリウムフィルムは、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）及び／又はロジウム（Ｒｈ）粒子等の貴金属粒子をドープして、ＮＯ及びＮＯ２に対するタングステン酸バリウムフィルムの感度を高め、ＣＯガス及びＯ２ガスに対する感度を低下させることができる。ドーパントは、上述した媒体に添加することにより、タングステン酸バリウムフィルム中に含浸させることができるか、あるいは当該フィルムの表面上に分散することができる。１つの例示的な実施形態では、約１～５％のドーパントを、タングステン酸バリウム粉末に添加することができる。）４引用文献５について原査定の拒絶の理由で引用された本願の優先日前に頒布された刊行物である特開平８－１５２００号公報（以下「引用文献５」という。）には、以下の記載がある。（引５－ア）「【０００７】したがって、本発明は、電気陰性度が１５以上の金属原子を有する金属酸化物を分散してなる酸化亜鉛をセンサ素子材料とし、アセトン応答性を有することを特徴とする食品の品質検知用ガスセンサを提供する。・・・【０００９】本発明において、電気陰性度が１５以上の金属原子を有する金属酸化物（添加成分）の種類に必ずしも限定はないが、モリブデン酸化物、タングステン酸化物、錫酸化物、アンチモン酸化物及びエルビウム酸化物から選ばれる１種以上を用いることが好ましい。これにより、アセトン応答特性が極めて良く、スープ類の品質検知に特に有効なセンサを得ることができる。この場合、上記各酸化物としては、例えば酸化モリブデン（ＭｏＯ3）、酸化タングステン（ＷＯ3）、酸化錫（ＳｎＯ2）、酸化アンチモン（Ｓｂ2ＯX）、酸化エルビウム（Ｅｒ2Ｏ3）等を挙げることができる。」（引５－イ）「【００１５】ロ．貴金属の添加ＺｎＯの粉末（ベース材料）に貴金属を添加して粉末試料を調製した。貴金属の添加はコロイド吸着法で行った。まず、貴金属のコロイド溶液とベース材料粉末とを所定の比率で混合し、室温で５時間攪拌した。静置してから貴金属コロイドがベース材料粉末に完全に吸着したことを確かめた後、濾過、乾燥し、さらに６００℃で５時間焼成した。このようにして添加した貴金属は、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｐｔ、Ａｕである。ベース材料に対する貴金属の添加量［貴金属／（ベース材料＋貴金属）］は、いずれの粉末試料でも０．４重量％とした。」（引５－ウ）「【００２１】ＺｎＯ単独素子及び種々の添加成分を用いたＺｎＯ素子の湿潤空気中２０ｐｐｍアセトンに対する感度を図４に示す。図４の最上段にＺｎＯ単独素子の感度を示すが、その感度はあまり大きくなく、十分な値ではない。また、図４より、ＭｏＯ3、ＷＯ3、ＳｎＯ2、Ｓｂ2ＯX、Ｅｒ2Ｏ3を添加成分として用いた場合、ＺｎＯ素子のアセトンに対する感度が特に大きくなることがわかる。」５引用文献６について原査定の拒絶の理由で引用された本願の優先日前に頒布された刊行物である特開昭６２－１１０１４３号公報（以下「引用文献６」という。）には、以下の記載がある。（引６－ア）「本発明においては、更に必要に応じて、感応媒体の電気伝導度等を適当な値に調整するために（Ｖ２Ｏ５）１－Ｘ・（ＭｙＯｚ）ｘ・ｎＨ２Ｏと無機高分子材料及び／又は有機高分子材料とを複合化することができる。通常、（Ｖ２Ｏ５）１－Ｘ・（ＭｙＯｚ）ｘ・ｎＨ２Ｏのみからなる感応媒体の電気伝導度は、室温で１～１０－２（Ω・ｃｍ）－１と高く、このため水分やガス濃度の変化を電気伝導度の変化として検出し難い場合がある。このような場合には、（Ｖ２Ｏ５）１－Ｘ・（ＭｙＯｚ）ｘ・ｎＨ２Ｏを適当な無機高分子材料及び／又は有機高分子材料と複合化することによって、測定対象に応じた検出し易い電気伝導度に調整することができる。好ましい高分子材料は、ガスや水分量の変化に対する感応性能を向上させ、感応媒体の電気抵抗値を高める効果のある物質であり、有機高分子材料としては、ポリアクリル酸、ポリビニルアルコール、ポリアクリルアミド、セルロース、酢酸セルロース、エチルセルロース、メチルセルロース、カルボキシメチルセルロース、ニトロセルロース、酢酸ビニル等を例示でき、これらの共重合体も使用できる。更に必要に応じて架橋剤を併用することもできる。また無機高分子材料としては、コロイダルシリカ、リン酸塩ポリマー、ホスファゼンポリマー等を例示できる。無機高分子材料及び有機高分子材料は、単独で用いてもよく又は適宜併用することもできる。（Ｖ２Ｏ５）１－Ｘ・（ＭｙＯｚ）ｘ・ｎＨ２Ｏと高分子材料とを複合化した感応媒体を得るには、前記した（Ｖ２Ｏ５）１－Ｘ・（ＭｙＯｚ）ｘの非晶質体の溶液中に、高分子材料を加えて、溶解又は分散させた後、基板に塗布し、乾燥させればよい。」（第４頁左上欄下から４行～左下欄１０行）６引用文献７について原査定の拒絶の理由で引用された本願の優先日前に頒布された刊行物である特開昭６０－７３５０号公報（以下「引用文献７」という。）には、以下の記載がある。（引７－ア）「金属酸化物をエポキシ樹脂バインダで固めた湿度センサかある」（第２頁３～４行）（引７－イ）「本発明の感湿素子は、高分子材料よりなるバインダ中に、絶縁性ないし半導電性ないし導電性の物質の粉末材料と、酸性基と塩基性基の双方を持つ両性電解質とを含有したものである。実施例の説明バインダとなる高分子材料には、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリスチレン（ＰＳ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリエチレン（ＰＥ）ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＦ２）、ポリ塩化ビニル、エポキシ、ポリスルホン、シリコンゴム、セロファン等、あらゆる高分子材料を用いることかできる。」（第２頁右上欄下から３行～左下欄９行）７引用文献８について原査定の拒絶の理由で引用された本願の優先日前に頒布された刊行物である特公昭４７－２７４３８号公報（以下「引用文献８」という。）には、以下の記載がある。（引８－ア）「本発明は酸化金属又は酸化金属と炭素質物から成る薄膜を金電極を附した基板上に形成して成る感湿素子において、経年変化により電気抵抗が増大するのを防止する様にしたものである。金属酸化物、例えばＣｒ２Ｏ３，Ｆｅ２Ｏ３,Ｎｉ２Ｏ３，Ａｌ２Ｏ３またはＺｎＯ等の粉末をつけた基板上に塗布して作つた薄膜の電気抵抗が、空気中の相対湿度の高低に反比例して増減する現象を利用して、酸化物感湿体の得られることは公知である」（第１欄２０～２９行）（引８－イ）「上記における薄膜の粒子間隙をポリ酢酸ビニルの様な吸湿性高分子化合物で充すことによシ感湿素子の経年変化を防止する様にしたものであって、その要旨とするところは金電極を附した基板上に酸化金属又は酸化金属と炭素質物との薄膜を形成した感湿素子をポリ酢酸ビニル、酢酸繊維素等の吸湿性高分子化合物を溶解した溶液に浸し、前記薄膜に該高分子化合物を含む液を浸み込ませた後、これを取出して室温で溶剤を蒸発除去することを特徴とする感湿素子の経年変化防止法に存するものである。」（第２欄２４～３４行）第５対比１本願発明と引用発明とを対比する。ア（ア）引用発明の「分析物ガス」及び「分析物蒸気」は、併せて本願発明の「ガス状物質」に相当する。（イ）引用発明の「ＲＦＩＤセンサー１２」は、本願発明の「センサ」に相当する。（ウ）上記（ア）及び（イ）を踏まえると、引用発明の「分析物ガス」及び「分析物蒸気」を検知する「ＲＦＩＤセンサー１２」は、本願発明の「ガス状物質を検出するように構成されるセンサ」に相当する。イ（ア）引用発明の「変換器」は、本願発明の「トランスジューサ」に相当する。（イ）引用発明の「共振アンテナ１８」は、本願発明の「アンテナ」に相当する。（ウ）引用発明の「インダクタ－コンデンサ－抵抗器構造（ＬＣＲ）を含む共振回路」及び「ＬＣＲ回路」は、ともに本願発明の「電気共振回路」に相当する。（エ）上記（ア）ないし（ウ）を踏まえると、引用発明の「変換器」であって、「インダクタ－コンデンサ－抵抗器構造（ＬＣＲ）を含む共振回路」で「構成」され、「電極は、共振回路を構成する共振アンテナ１８を形成し」ている「変換器」は、本願発明の「トランスジューサであって、アンテナを形成する電気共振回路を備える、トランスジューサ」に相当する。ウ（ア）引用発明の「検知用材料１４」は、本願発明の「検知材料」に相当する。（イ）上記（ア）及びイを踏まえると、引用発明の「変換器を構成」する「インダクタ－コンデンサ－抵抗器構造（ＬＣＲ）を含む」「共振回路を覆う検知用材料１４」は、本願発明の「前記トランスジューサの少なくとも一部分上に配設された検知材料」に相当する。エ（ア）引用発明の「検知用材料１４は」「金属酸化物半導体材料と」「混合金属酸化物とを、混合物として結合するか、又は、空間的に別個に堆積させ」たものであることと、本願発明の「前記検知材料は、金属酸化物半導体、ポリマーマトリクス及び前記金属酸化物半導体上に堆積された貴金属触媒を含」むこととは、「前記検知材料は、金属酸化物半導体を含」むことで共通する。（イ）引用発明の「検知用材料１４は、分析物ガスに曝露するとき、抵抗値の変化を示すＺｎＯ、ＴｉＯ2、ＳｒＴｉＯ3、ＬａＦｅＯ3等の金属酸化物半導体材料と、分析物蒸気に曝露するとき、それらの誘電率／静電容量を変化させるＣｕＯ－ＢａＴｉＯ3、ＺｎＯ－ＷＯ3のような混合金属酸化物とを」含み、「単一の分析物に関する応答機構の多様性を高めた」ものであることから、引用発明の「検知用材料１４」は、「分析物ガス」及び「分析物蒸気」「に曝露するとき」、「抵抗値の変化」と「誘電率／静電容量」の「変化」の双方を示すといえる。（ウ）引用発明の「誘電率／静電容量」の「変化」及び「抵抗値の変化」は、それぞれ本願発明の「キャパシタンス応答」及び「抵抗応答」に相当する。（エ）上記（ア）ないし（ウ）を踏まえると、引用発明の「検知用材料１４は、分析物ガスに曝露するとき、抵抗値の変化を示すＺｎＯ、ＴｉＯ2、ＳｒＴｉＯ3、ＬａＦｅＯ3等の金属酸化物半導体材料と、分析物蒸気に曝露するとき、それらの誘電率／静電容量を変化させるＣｕＯ－ＢａＴｉＯ3、ＺｎＯ－ＷＯ3のような混合金属酸化物とを、混合物として結合するか、又は、空間的に別個に堆積させ、単一の分析物に関する応答機構の多様性を高めた」ことと、本願発明の「前記検知材料は、金属酸化物半導体、ポリマーマトリクス及び前記金属酸化物半導体上に堆積された貴金属触媒を含み、ガス状物質に暴露されると、キャパシタンス応答及び抵抗応答を同時に示すように構成され」たこととは、「前記検知材料は、金属酸化物半導体を含み、ガス状物質に暴露されると、キャパシタンス応答及び抵抗応答を同時に示すように構成され」たことで共通する。オ（ア）本願発明の特定事項である「前記金属酸化物半導体は、Ｉｎ2Ｏ3、ＳｎＯ2、Ｆｅ2Ｏ3、Ｇａ2Ｏ3、及びＳｂ2Ｏ3、又は任意の他の金属酸化物半導体、或は、ＳｎＯ2を有するＩｎ2Ｏ3、ＺｎＯを有するＩｎ2Ｏ3、ＺｎＯを有するＳｎＯ2を含む１つ又は複数の金属の組合せである」は、「前記金属酸化物半導体は」、「Ｉｎ2Ｏ3、ＳｎＯ2、Ｆｅ2Ｏ3、Ｇａ2Ｏ3、及びＳｂ2Ｏ3」のいずれか、「任意の他の金属酸化物半導体」のいずれか、又は、「ＳｎＯ2を有するＩｎ2Ｏ3、ＺｎＯを有するＩｎ2Ｏ3、ＺｎＯを有するＳｎＯ2」のいずれか「を含む１つ又は複数の金属の組合せである」と解されるから、「前記金属酸化物半導体は」、「任意の他の金属酸化物半導体」のいずれか「を含む１つ又は複数の金属の組合せである」場合を含んでいる。（イ）上記（ア）を踏まえると、引用発明の「金属酸化物半導体材料」である「ＺｎＯ、ＴｉＯ2、ＳｒＴｉＯ3、ＬａＦｅＯ3等」は、「任意の他の金属酸化物半導体」であるといえるから、引用発明の「金属酸化物半導体材料」は「ＺｎＯ、ＴｉＯ2、ＳｒＴｉＯ3、ＬａＦｅＯ3等」であることは、本願発明の「前記金属酸化物半導体は、Ｉｎ2Ｏ3、ＳｎＯ2、Ｆｅ2Ｏ3、Ｇａ2Ｏ3、及びＳｂ2Ｏ3、又は任意の他の金属酸化物半導体、或は、ＳｎＯ2を有するＩｎ2Ｏ3、ＺｎＯを有するＩｎ2Ｏ3、ＺｎＯを有するＳｎＯ2を含む１つ又は複数の金属の組合せである」ことを満たす。２そうすると、本願発明と引用発明とは、「ガス状物質を検出するように構成されるセンサであって、トランスジューサであって、アンテナを形成する電気共振回路を備える、トランスジューサと、前記トランスジューサの少なくとも一部分上に配設された検知材料とを備え、前記検知材料は、金属酸化物半導体を含み、ガス状物質に暴露されると、キャパシタンス応答及び抵抗応答を同時に示すように構成され、前記金属酸化物半導体は、Ｉｎ2Ｏ3、ＳｎＯ2、Ｆｅ2Ｏ3、Ｇａ2Ｏ3、及びＳｂ2Ｏ3、又は任意の他の金属酸化物半導体、或は、ＳｎＯ2を有するＩｎ2Ｏ3、ＺｎＯを有するＩｎ2Ｏ3、ＺｎＯを有するＳｎＯ2を含む１つ又は複数の金属の組合せである、センサ。」の発明である点で一致し、次の点において相違する。（相違点）金属酸化物半導体を含む検知材料が、本願発明においては、更に「ポリマーマトリクス及び前記金属酸化物半導体上に堆積された貴金属触媒」を含むのに対し、引用発明においては、そのような特定はされていない点。第６判断１相違点について（１）引用文献６ないし８の記載から把握されるように、ガス状物質を検出するセンサにおいて、ガスを検知する金属酸化物の固定又は特性調整のために金属酸化物を高分子材料に混合して用いることは、従来周知（以下当該周知な構成を「周知技術１」という。）である。（２）また、引用文献３ないし５の記載から把握されるように、ガス状物質を検出するセンサにおいて、ガスを検知する金属酸化物の特性調整のために、金属酸化物に貴金属触媒を担持させることも従来周知（以下当該周知な構成を「周知技術２」という。）である。（３）引用発明は、検知用材料１４として金属酸化物半導体材料及び混合金属酸化物を用いるものであるから、検知用材料１４の固定や特性調整のために、周知技術１及び周知技術２を採用する動機があるといえる。そして、金属酸化物と高分子材料を混合することによる作用効果と、金属酸化物に貴金属触媒を担持させることに作用効果は、高分子材料及び貴金属触媒それぞれの特性によって独立して生じるものと解されるから、周知技術１及び周知技術２を同時に採用することを阻害する事情があるとは認められない。（４）したがって、引用発明において、周知技術１及び周知技術２を採用し、上記相違点に係る本願発明の発明特定事項を備えたものとすることは、当業者であれば容易になし得ることである。２本願発明の奏する作用効果本願発明によってもたらされる効果は、引用文献１及び３ないし８の記載事項から当業者が予測し得る程度を超えるものとはいえない。３請求人の主張について（１）請求人は、審判請求書において、「本審判請求書と同日付で提出する手続補正書により、独立請求項１、１３、１６、２１において金属酸化物半導体の候補からＺｎＯ、ＷＯ3およびＴｉＯ2を削除しました。・・・上記補正により、本願発明において用いられる金属酸化物半導体は、『Ｉｎ2Ｏ3、ＳｎＯ2、Ｆｅ2Ｏ3、Ｇａ2Ｏ3、及びＳｂ2Ｏ3、又は任意の他の金属酸化物半導体、或は、ＳｎＯ2を有するＩｎ2Ｏ3、ＺｎＯを有するＩｎ2Ｏ3、ＺｎＯを有するＳｎＯ2を含む１つ又は複数の金属の組合せ』となりました。引用文献のいずれにも、本願補正後の独立請求項で規定される金属酸化物半導体については何らの開示も示唆もありません。引用文献３、引用文献４、引用文献５に開示されているのはそれぞれ（WO3）、（Ba-W）、（ZnO）であり、本願補正後の独立請求項で規定されるものではありません。また、引用文献６は湿度センサー、結ぶセンサー、ガスセンサー等として使用し得る感応媒体に関し、一般式（Ｖ２Ｏ５）１－ｘ・（ＭｙＯｚ）ｘ－ｎＨ２Ｏ等で表される酸化物を含む感応媒体が開示されています。引用文献６は上記一般式等バナジウム系の酸化物を含むことを前提としており、本願発明とはまったく異なる構成を必須としています。・・・したがって、引用文献の記載に接した当業者がこれらの開示内容から本願発明に想到したであろうということはできず、本願補正後の請求項に係る発明は引用文献に対して進歩性を有するものと思料いたします。」と主張する。（２）しかしながら、独立請求項１、１３、１６及び２１の記載において、金属酸化物半導体の具体的種類に係る記載から、「ＺｎＯ、ＷＯ3およびＴｉＯ2」の表記を削除したとしても、「任意の他の金属酸化物半導体」の表記は削除されていないから、独立請求項１、１３、１６及び２１で特定される「金属酸化物半導体」は、「ＺｎＯ、ＷＯ3およびＴｉＯ2」を排除していない。（３）「任意の他の金属酸化物半導体」については、令和３年１月７日付け補正の却下の決定において、令和２年１１月２４日提出の手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に対して、「引用文献１には検知用材料１４として金属酸化物半導体材料を用いることが記載されており（段落〔００５７〕より）、この金属酸化物半導体材料は、それが如何なる組成であっても、『Ｉｎ2Ｏ3、ＺｎＯ、ＷＯ3、ＳｎＯ2、ＴｉＯ2、Ｆｅ2Ｏ3、Ｇａ2Ｏ3、及びＳｂ2Ｏ3、又は任意の他の金属酸化物半導体』（請求項１）に相当する。」と指摘していた事項である。（４）したがって、請求人の上記主張は採用できない。４まとめ以上のとおり、本願発明は、引用発明並びに周知技術１及び２に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。第７むすび以上のとおりであるから、本願発明は、特許法29条2項の規定により特許を受けることができない。したがって、その余の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。よって、結論のとおり審決する。
別掲	（行政事件訴訟法第４６条に基づく教示）この審決に対する訴えは、この審決の謄本の送達があった日から３０日（附加期間がある場合は、その日数を附加します。）以内に、特許庁長官を被告として、提起することができます。審判長福島浩司出訴期間として在外者に対し９０日を附加する。
審理終結日	2022-03-14
結審通知日	2022-03-16
審決日	2022-03-30
出願番号	P2015-244698
審決分類	P 1 8・ 121- Z (G01N)
最終処分	02 不成立
特許庁審判長	福島浩司
特許庁審判官	渡戸正義井上博之
発明の名称	ガス状物質を検出するための材料及びセンサ
代理人	関口一哉

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