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| 審決分類 |
審判 全部申し立て 1項3号刊行物記載 C09K 審判 全部申し立て 特36条6項1、2号及び3号 請求の範囲の記載不備 C09K 審判 全部申し立て 2項進歩性 C09K |
|---|---|
| 管理番号 | 1388430 |
| 総通号数 | 9 |
| 発行国 | JP |
| 公報種別 | 特許決定公報 |
| 発行日 | 2022-09-30 |
| 種別 | 異議の決定 |
| 異議申立日 | 2022-05-31 |
| 確定日 | 2022-09-08 |
| 異議申立件数 | 1 |
| 事件の表示 | 特許第６９７３４６９号発明「半導体ナノ粒子集合体、半導体ナノ粒子集合体分散液、半導体ナノ粒子集合体組成物及び半導体ナノ粒子集合体硬化膜」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。 |
| 結論 | 特許第６９７３４６９号の請求項に係る特許を維持する。 |
| 理由 |
第１ 手続の経緯 特許第６９７３４６９号（以下、「本件特許」という。）の請求項１〜１２に係る特許についての出願は、令和元年１２月１７日に出願され、令和３年１１月８日にその特許権の設定登録がされ、同年１２月１日に特許掲載公報が発行された。その後、その特許の請求項１〜１２に対し、令和４年５月３１日に特許異議申立人松本慎一郎（以下、「申立人」という。）により特許異議の申立てがされたものである。 第２ 本件発明 本件特許の請求項１〜１２に係る発明（以下、それぞれ「本件発明１」〜「本件発明１２」といい、これらを総称して「本件発明」ということもある。）は、その特許請求の範囲に記載された事項により特定される次のとおりのものである。 「【請求項１】 Ｉｎ及びＰを含有するコアと１層以上のシェルとを有するコア／シェル型半導体ナノ粒子の集合である半導体ナノ粒子集合体であって、 前記半導体ナノ粒子集合体を分散媒中に分散させた状態で４５０ｎｍの励起光で励起させたときの発光スペクトル（λ１）のピーク波長（λ1ＭＡＸ）が６０５〜６５５ｎｍの間にあり、前記発光スペクトル（λ１）の半値幅（ＦＷＨＭ１）が４３ｎｍ以下であり、 前記半導体ナノ粒子集合体を構成する半導体ナノ粒子を、４４５ｎｍの励起光で励起させて得られる１粒子毎の発光スペクトル（λ２）が、以下の要件（１）〜（３）： （１）発光スペクトル（λ２）の半値幅（ＦＷＨＭ２）の平均値が２８ｎｍ以下であること、 （２）発光スペクトル（λ２）のピーク波長（λ２ＭＡＸ）の標準偏差（ＳＤ１）が１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下であること、 （３）発光スペクトル（λ２）の半値幅（ＦＷＨＭ２）の標準偏差（ＳＤ２）が１２ｎｍ以下であること、 の全てを満たすことを特徴とする半導体ナノ粒子集合体。 【請求項２】 前記半値幅（ＦＷＨＭ１）が３８ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の半導体ナノ粒子集合体。 【請求項３】 前記半値幅（ＦＷＨＭ２）の平均値が２５ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体ナノ粒子集合体。 【請求項４】 前記標準偏差（ＳＤ２）が７ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１〜３の何れか一項に記載の半導体ナノ粒子集合体。 【請求項５】 前記半値幅（ＦＷＨＭ１）が３５ｎｍ以下であり、前記半値幅（ＦＷＨＭ２）の平均値が２４ｎｍ以下であり、前記標準偏差（ＳＤ２）が６ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１〜４の何れか一項に記載の半導体ナノ粒子集合体。 【請求項６】 前記半導体ナノ粒子集合体の量子効率（ＱＹ）が８０％以上であることを特徴とする請求項１〜５の何れか一項に記載の半導体ナノ粒子集合体。 【請求項７】 前記半導体ナノ粒子集合体の量子効率（ＱＹ）が８５％以上であることを特徴とする請求項６に記載の半導体ナノ粒子集合体。 【請求項８】 前記半導体ナノ粒子集合体の量子効率（ＱＹ）が９０％以上であることを特徴とする請求項７に記載の半導体ナノ粒子集合体。 【請求項９】 前記半導体ナノ粒子が少なくともＩｎ、Ｐ、Ｚｎ、Ｓｅ及びハロゲンを含有し、 前記半導体ナノ粒子において、原子換算で、Ｉｎに対するＰ、Ｚｎ、Ｓｅ及びハロゲンの各モル比が、Ｐ：０．２０〜０．９５、Ｚｎ：１１．００〜５０．００、Ｓｅ：７．００〜２５．００、ハロゲン：０．８０〜１５．００であること、 を特徴とする請求項１〜８の何れか一項に記載の半導体ナノ粒子集合体。 【請求項１０】 請求項１〜９の何れか一項に記載の半導体ナノ粒子集合体が、有機分散媒に分散した半導体ナノ粒子集合体分散液。 【請求項１１】 請求項１〜９の何れか一項に記載の半導体ナノ粒子集合体が、モノマーまたはプレポリマーに分散した半導体ナノ粒子集合体組成物。 【請求項１２】 請求項１〜９の何れか一項に記載の半導体ナノ粒子集合体が、高分子マトリクス中に分散した半導体ナノ粒子集合体硬化膜。」 第３ 特許異議申立理由の概要 １ 申立人は、新規性欠如及び進歩性欠如等の証拠方法として、甲第１号証〜甲第７号証（以下、「甲１」〜「甲７」ともいう。）を提出した。 甲１：米国特許出願公開第２０１９／０２１１２６１号明細書 甲２：”Nearly Blinking-Free, High-Purity SinglePhoton Emission by Colloidal InP/ZnSe Quantum Dots”, Vigneshwaran Chandrasekaran et al., Nano Letters 2017, 17, p.6104-6109 甲３：北原洋明、「ようやく本格的な離陸体制を整えた量子ドットテレビ」、２０１９年６月２５日 （ＵＲＬ：https://news.mynavi.jp/techplus/article/20190625-848268/2） 甲４：国際公開第２０１９／１３１４０１号 甲５：ＣＯ＠物理のかぎプロジェクト、「半値全幅（ＦＷＨＭ）と分散の関係」、２００６年７月１６日 （ＵＲＬ：http://hooktail.sub.jp/mathInPhys/fwhmsigma/index.pdf） 甲６：国際公開２０１８／０９２６３９号 甲７：特開２０１９−２３２９７号公報 ２ 理由１：新規性欠如 本件発明１〜４、６〜８、１０〜１２は、甲１に記載された発明（以下、番号に応じて「甲１発明」等ともいう。）であるから、特許法第29条第1項第3号に該当し、特許を受けることができない。 ３ 理由２：進歩性欠如 （１） 甲１を主引例とした場合 本件発明１〜４、６〜８、１０〜１２は、甲１発明から、又は甲１発明及び甲２に記載された事項から当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第29条第2項の規定により特許を受けることができない。 本件発明５は、甲１発明及び甲３に記載された事項から、又は甲１発明、甲２及び甲３に記載された事項から当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第29条第2項の規定により特許を受けることができない。 本件発明９は、甲１発明及び甲４に記載された事項から、又は甲１発明、甲２及び甲４に記載された事項から当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第29条第2項の規定により特許を受けることができない。 （２） 甲２を主引例とした場合 本件発明１〜４、６〜８、１０〜１２は、甲２発明及び甲１に記載された事項から当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第29条第2項の規定により特許を受けることができない。 本件発明５は、甲２発明、甲１及び甲３に記載された事項から当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第29条第2項の規定により特許を受けることができない。 本件発明９は、甲２発明、甲１及び甲４に記載された事項から当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第29条第2項の規定により特許を受けることができない。 ４ 理由３：サポート要件違反 本件発明１〜８、１０〜１２は発明の詳細な説明に記載したものではないので、特許法第36条第6項第1号に規定する要件を満たしていない。 第４ 甲号証の記載 １ 甲１ 本件特許の出願日前に公開された甲１には次の記載がある。仮訳は、申立人が作成した抄訳を参考にしつつ、当審が作成した。 「［０００３］Quantum dots (i.e., nano-sized semiconductor nanocrystals) may have different energy bandgaps by controlling sizes and compositions of nanocrystals, and thus may emit light of various photoluminescence wavelengths. Quantum dots may exhibit electroluminescent and photoluminescence properties. In a chemical wet process, organic materials such as ligands, dispersing agents or solvents are coordinated on, e.g., bound to, the surface of the semiconductor nanocrystal during a crystal growth to provide quantum dots having controlled sizes and photoluminescence characteristics. Photoluminescence properties of quantum dots may be applied in various fields. In terms of an environmental standpoint, developments for cadmium free quantum dots capable of providing improved photoluminescence properties are desirable. ・・・ ［００４９］The cadmium free quantum dot according to an embodiment may emit red light having a relatively narrow full width at half maximum (FWHM) as well as improved luminous efficiency. The composition including the cadmium free quantum dot according to an embodiment may provide improved process stability. The cadmium free quantum dot may be used in various display devices and biological labelling (e.g., bio sensor, bio imaging, etc.), a photo detector, a solar cell, a hybrid composite, and the like. A display device including the cadmium free quantum dot according to an embodiment may provide improved display quality (increased color reproducibility under the next generation color standard BT2020 reference). ・・・ ［０１０１］・・・A quantum dot may emit light having theoretical quantum efficiency (QY) of about 100% and high color purity (e.g., less than or equal to about 40 nm of a full width at half maximum (FWHM)) and thus achieve increased luminous efficiency and improved color reproducibility.・・・ ・・・ ［０２００］ ・・・ EXAMPLES ・・・ 2.Photoluminescence Analysis ［０２０２］A Hitachi F-7000 spectrometer is used to obtain a photoluminescence (PL) spectrum of the produced quantum dots with an excitation light having a wavelength of 450 nanometers (nm). ・・・ ［０２０６］ ・・・ Reference Example 1 ［０２０７］Indium acetate and palmitic acid are dissolved in 1-octadecene in a 200 millimeter (mL) reaction flask, and the solution is heated at 120°C. under vacuum. Indium and palmitic acid are used in a mole ratio of 1:3. After one hour, an atmosphere in the reactor is converted into nitrogen. After heating the reactor at 280°C., a mixed solution of tris(trimethylsilyl)phosphine (TMS3P) and trioctylphosphine is rapidly injected thereinto, and the mixture is reacted for 20 minutes. The reaction solution is rapidly cooled down to room temperature, acetone is added thereto, the mixture is centrifuged to obtain a precipitate, and the precipitate is dispersed in toluene again. An amount of TMS3P is 0.5 moles (mol) per 1 mol of indium. An amount of TOP is 0.1 moles to 10 moles (e.g. 0.5 mole) per 1 mole of indium. An InP core obtained therefrom has a size of about 3 nm. Example 1 ・・・ ［０２０９］Zinc acetate and oleic acid are dissolved in trioctylamine in a 200 mL reaction flask, and the solution is vacuum-treated at 120°C. for 10 minutes. After substituting the atmosphere inside the reaction flask with N2, a dispersion of InP semiconductor nanocrystals in toluene is added to the solution, while the solution is heated up to 320°C., the Se/TOP and optionally, the zinc acetate are three times injected into the reaction flask. The reaction proceeds to obtain a reaction solution including a particle having a ZnSe shell disposed on the core. A total reaction time is 80 minutes. ［０２１０］Subsequently, an S/TOP stock solution and the zinc acetate are injected into the reaction solution at the reaction temperature of 320°C. A reaction is performed to obtain a reaction solution including a particle having a ZnS shell disposed on the ZnSe shell. A total reaction time is 80 minutes. ・・・ ［０２１２］An excess amount of ethanol is added to a reactant including the obtained core/multi-layered shell quantum dot, and the mixture is centrifuged. After the centrifugation, a supernatant is discarded therefrom, a precipitate therein is dried and then dispersed in chloroform or toluene to obtain a quantum dot solution (hereinafter, a QD solution). ［０２１３］(2) An ICP-AES analysis of the obtained QD is performed, and the result is shown in Table 1. A TEM analysis, a UV-vis spectroscopy analysis, and a photoluminescence analysis of the QD are performed. The results are shown in Table 2. ・・・   」 （仮訳） 「［０００３］量子ドット(すなわち、ナノサイズの半導体ナノ結晶)は、ナノ結晶のサイズ及び組成を制御することによって、異なるエネルギーバンドギャップを有することができるので、様々な発光波長の光を発することができる。量子ドットは、エレクトロルミネセンス及びフォトルミネセンス特性を示すことができる。化学的ウェットプロセスでは、配位子、分散剤又は溶媒のような有機物質は、制御されたサイズ及び発光特性を有する量子ドットを提供するために、結晶成長中、例えば、これに結合され、半導体ナノ結晶の表面に配位される。量子ドットの光ルミネセンス特性は、様々な分野で適用されてもよい。環境の観点で、改善された光ルミネセンス特性を得ることができる、カドミウムを含まない量子ドットの開発が望ましい。 ・・・ [００４９]一実施形態によるカドミウムを含まない量子ドットは、比較的狭い半値全幅（ＦＷＨＭ）及び改善された発光効率を有する赤色光を放出し得る。一実施形態によれば、カドミウムを含まない量子ドットを備える組成物は、向上した加工安定性を提供することができる。カドミウムを含まない量子ドットは、各種表示装置、生物学的標識(例えば、バイオセンサー、バイオイメージング等)、光検出器、太陽電池、ハイブリッド複合材料等に使用することができる。一実施形態によれば、カドミウムを含まない量子ドットを備えた表示装置は、表示品位の向上(次世代のカラー標準BT2020基準下で高い色再現性)を提供することができる。 ・・・ ［０１０１］・・・液晶表示装置は、視野角が狭い吸収型カラーフィルタによる光の透過率が低い問題を有している。量子ドットは、理論上、量子効率(QY)が約100%で、色純度の高い(例えば、半値全幅(FWHM)約40nm以下の)光を放射し、したがって発光効率の向上及び色再現性の向上を達成することができる。・・・ ・・・ ［０２００］ 実施例 ・・・ ２．フォトルミネッセンス分析 ［０２０２］Ｈｉｔａｃｈｉ Ｆ−７００分光計を使用して、波長４５０ナノメートル（ｎｍ）を有する励起光で生成された量子ドットのフォトルミネッセンス（ＰＬ）スペクトルを得る。 ・・・ ［０２０６］ ・・・ 参照実施例１ ［０２０７］酢酸インジウム、パルミチン酸を200ミリリットル(mL)を反応フラスコに1-オクタデセンに溶解し、溶液を真空下で120℃に加熱する。インジウムとパルミチン酸とは1:3のモル比で使用される。1時間後、反応器内の雰囲気が窒素に置換される。反応器を280℃に加熱した後に、トリス(トリメチルシリル)ホスフィン(TMS3P)及びトリオクチルホスフィンの混合溶液に速やかに注入し、その混合物を20分間反応させる。反応溶液を室温まで冷却し、アセトンを加え、混合物を遠心分離して沈殿を得、沈殿を、再度トルエンに分散させる。TMS3Pの量は、インジウム1モルに対して0.5モル(mol)である。TOPの量は、インジウム１モルに対して0.1モル〜10モル(例えば0.5モル)である。そこから得られたInPコアは、約3nmのサイズを有している。 実施例１ ・・・ ［０２０９］酢酸亜鉛及びオレイン酸を、200mLの反応フラスコ中で、トリオクチルアミン中に溶解させ、溶液を120℃で10分間真空処理する。反応フラスコ内の雰囲気を、N2に置換した後に、この溶液に、トルエン中のInP半導体ナノ結晶の分散液を加え、この溶液に320℃まで加熱され、Se/TOP及び必要に応じて酢酸亜鉛を加え、反応フラスコに３度に分けて注入した。この反応によって、コアの上にZnSeシェルの沈殿を有する粒子を含む反応液を得た。全反応時間は80分である。 ［０２１０］次に、S/TOPストック溶液及び酢酸亜鉛を320℃の反応温度で反応液に注入することにより、ZnSeシェル上に配置されたZnSシェルを有する粒子を含む反応溶液を得られた。全反応時間は80分である。 ・・・ [０２１２]得られたコア／複数積層シェル量子ドットを含む反応物に過剰量のエタノールを添加し、混合物を遠心分離する。遠心分離後、上澄みを捨て、沈殿物を乾燥させた後、クロロホルムまたはトルエンに分散させて量子ドット溶液（以下、ＱＤ溶液）を得る。 ［０２１３］(2)得られたQDのICP-AES分析を実施し、その結果を表1に示す。TEM分析、紫外分光分析、及びQDのフォトルミネセンス解析が実施される。結果を表2に示す。 ・・・   」 ２ 甲２ 本件特許の出願日前に公開された甲２には次の記載がある。仮訳は、申立人が作成した抄訳を参考にしつつ、当審が作成した。 （１）第６１０５頁左欄第２６行〜同頁右欄１３行 「   」 （２）第６１０５頁図１ 「  」 （３）第６１０６頁左欄第８〜２０行 「  」 （４）第６１０５頁図２ 「  」 （仮訳） （１）第６１０５頁左欄第２６行〜同頁右欄１３行 「ここでは、最近公開された手順に従って、リン前駆体としてトリス−ジエチルアミノホスフィンを使用して合成された個々のInP/ZnSeコア/シェルQD(3.2nmコア)の発光を調べる(詳細については、サポート情報S1を参照)。(34)図1aに示すように、得られたInP/ZnSeコア/シェルQDは約10nmの等価直径を持ち(挿入図を参照)、その吸収スペクトルは594nmで最大値を持つ典型的なバンド端遷移を示す。粒子の結晶化度は、図1aの挿入図に示すHR-TEM画像から明らかである。溶液中のフォトルミネッセンス(PL)は、６２９ｎｍ付近に付随するシングルピークスペクトル、４７ｎｍの半値全幅（ｆｗｈｍ）、６５％のＰＬ量子効率を示した。先に示したように、この比較的大きな半値全幅(fwhm)(Cd系QD、CsPbBr3またはCdSeナノプレートレットは、それぞれ20nm、12nm、10nmという狭い集合体発光を有することができる）は、個々のInP QDの発光の特徴ではなく、サイズ分散に関連した不均一な拡がりの影響である。」 （２）第６１０５頁図１ 「  図１．（ａ）溶液中のInP/ZnSeコア/シェルQDの吸収スペクトル（赤線）及び発光スペクトル（青線）。挿入図：InP/ZnSeコア/シェルQDのTEM及びHR-TEM画像。（ｂ）445nmでのパルス励起後の薄膜におけるInP/ZnSeコア/シェルQDからの発光減衰。（ｃ）445nmでの高強度cw励起下での発光飽和。」 （３）第６１０６頁左欄第８〜２０行 「単一のInP/ZnSeコア/シェルQDのPLに取り組むために、トルエン中の1nMのQD溶液をガラスカバースリップにドロップキャストし、0.25μm-2のQD表面密度を生じさせた。図2aは、単一のInP/ZnSeコア/シェルQDが、QD集合体で観察されるものよりも遥かに狭い輝線を特徴としていることを示している。72個の単一InP/ZnSeコア/シェルQDを系統的に調べたところ、QD集合体の発光スペクトルの範囲内に入る狭い輝線を示し(図2b参照)、集合体の発光は不均一に広がっていることを確認した。また、単一QDの発光線幅にはばらつきが見られた(図2c参照)。平均半値全幅（fwhm）は19.4nmである一方で、分布は、2.5nmの標準偏差及び13〜24nmの測定値を示している。」 （４）第６１０５頁図２ 「  図２．（ａ）ローレンツ関数に適合した単一QDの発光スペクトル。（ｂ）７２個の単一QDの集合における中心発光波長の統計分布。（ｃ）同じ集合体の輝線幅の統計分布。（ｄ）17.5nsの減衰時間で単一の指数関数に適合する単一のQDの発光減衰トレース。挿入図：25個の単一QDの集合体に基づく減衰時間の統計分布。」 ３ 甲３ 本件特許の出願日前に公開された甲３には次の記載がある。 （１）「多様なＱＤ技術の競争が市場を拡大する」第１〜２段落 「一言でQDと言っても多様な材料がある。最初にディスプレー応用で実用化されたのはCd系の材料であり、コアにCdSeを使うものである。QDを使う最大のメリットである発光ピークの半値幅(FWHM)が狭く純粋な色を出すことで、OLEDよりも広い色域を得ることが可能である。一方で、毒性物質であるCdへの抵抗からなかなか市場に受け入れられてこなかった。QD応用が伸び悩んでいる大きな理由である。 この市場の抵抗感を払拭するために採用されたのが、InPをコアに使うQDである。Samsungが最初に実用化して「QLED-TV」として市場に出し、LGのOLED-TVとの競争を繰り広げているものである。FWHMの値はCd系に比べてやや広くBT2020で求められる色域の値でもやや劣る面があるものの「Cd free」としての売り文句で徐々に市場に入りつつある。直近では日本の昭栄化学工業がこのInPの開発に成功し、性能的にもSamsungと遜色ない値を出して量産に入る計画を発表している。」 （２）「ＱＤ各社の材料と性能」 「 」 ４ 甲４ 本件特許の出願日前に公開された甲４には次の記載がある。 「［００２２］（ハロゲン） ＩｎＰ系半導体ナノ粒子のコア粒子に、更にハロゲン前駆体を加えることによりＩｎＰ系半導体ナノ粒子の量子効率（ＱＹ）を向上させることができる。ハロゲンの添加はＩｎ３＋とＺｎ２＋のつなぎとしてダングリングボンドを埋め、陰イオンの電子に対する閉じ込め効果を増大させる効果を与えると発明者らは推測している。また、ハロゲンは高い量子効率（ＱＹ）を与え、コア粒子の凝集を抑える効果がある。・・・ ・・・ ［００８２］［表１］  ・・・ 請求の範囲 ［請求項１］ 少なくとも、Ｉｎ、Ｐ、Ｚｎ、Ｓｅ、Ｓ及びハロゲンを含む半導体ナノ粒子であって、 前記Ｐ、前記Ｚｎ、前記Ｓｅ、前記Ｓ及び前記ハロゲンの含有率は、前記Ｉｎに対するモル比で、 Ｐ： ０．０５ 〜 ０．９５、 Ｚｎ： ０．５０ 〜 １５．００、 Ｓｅ： ０．５０ 〜 ５．００、 Ｓ： ０．１０ 〜 １５．００、 ハロゲン： ０．１０ 〜 １．５０ である、半導体ナノ粒子。」 ５ 甲５ 本件特許の出願日前に公開された甲５には次の記載がある。 （１）「半値全幅(FWHM)と分散の関係」 「ここではガウス分布（正規分布）に現れる分散σ２と，半値全幅（FWHM）の関係について解説します． ・・・  」 ６ 甲６ 本件特許の出願日前に公開された甲６には次の記載がある。 「［００１６］ ・・・また、発光効率の悪化は、コア粒子表面の欠陥（コアとシェルとの界面の欠陥）や、シェル表面の欠陥などに原因があると推察される。具体的には、コア粒子表面やシェル表面の欠陥部位において、非発光性再結合を引き起こしたり、格子不整合が局所的に大きくなったりすることにより、発光効率が低下すると考えられる。・・・」 ７ 甲７ 本件特許の出願日前に公開された甲７には次の記載がある。 「【０００５】 単一コアナノ粒子は、単一の半導体材料からなり、ナノ粒子表面に位置する欠陥及びダングリングボンドで起こる電子−正孔再結合が非放射型の電子−正孔再結合になることで、量子効率が比較的低くなる傾向がある。」 第５ 甲号証に記載された発明 １ 甲１に記載された発明 甲１の［００４９］には、「比較的狭い半値全幅（ＦＷＨＭ）及び改善された発光効率を有する赤色光を放出し得る」「カドミウムを含まない量子ドット」が記載されている。 甲１の［０１０１］には、「ＱＹ」が「量子効率」を意味することが記載されている。 甲１の［０２０２］には、実施例において「波長４５０ナノメートル（ｎｍ）を有する励起光で生成された量子ドットのフォトルミネッセンス（ＰＬ）スペクトル」を観察したことが記載されている。 甲１の［０２０７］には、実施例で用いた量子ドットが「InPコア」であることが記載され、同［０２０９］には「ZnSeシェルを有する」ことが記載され、同［０２１０］には「ZnSeシェル上に配置されたZnSシェルを有する粒子」となることが記載されている。すなわち、実施例で用いた量子ドットが、ＩｎＰコア／ＺｎＳｅシェル／ＺｎＳシェル構造であることが記載されている。 甲１の表２には、実施例１の量子ドットをクロロホルム又はトルエンに分散させた量子ドット溶液が、半値全幅（ＦＷＨＭ）３９ｎｍ、量子効率（ＱＹ）８９％、フォトルミネッセンス（ＰＬ）波長６３０ｎｍであり、実施例２及び３の量子ドット溶液が、半値全幅（ＦＷＨＭ）３８ｎｍ、量子効率（ＱＹ）９０％、フォトルミネッセンス（ＰＬ）波長６３１ｎｍであり、実施例４の量子ドット溶液が、半値全幅（ＦＷＨＭ）３６ｎｍ、量子効率（ＱＹ）９０％、フォトルミネッセンス（ＰＬ）波長６２８ｎｍであることが記載されている。 してみると、甲１には次の発明（以下、「甲１発明」という。）が認められる。 ＜甲１発明＞ 「比較的狭い半値全幅（ＦＷＨＭ）及び改善された発光効率を有する赤色光を放出し得る、カドミウムを含まない量子ドットであって、ＩｎＰコア／ＺｎＳｅシェル／ＺｎＳシェル構造の量子ドットにおいて、 当該量子ドットをクロロホルム又はトルエンに分散させた量子ドット溶液の、波長４５０ナノメートル（ｎｍ）を有する励起光で生成されたフォトルミネッセンス（ＰＬ）スペクトルの波長が６３０、６３１又は６２８ｎｍであり、半値全幅（ＦＷＨＭ）が３９、３８又は３６ｎｍである量子ドット。」 ２ 甲２に記載された発明 甲２の第６１０５頁左欄第２６行〜同頁右欄１３行（上記第４の２（１）参照。）には、「InP/ZnSeコア/シェルQD」の「溶液中のフォトルミネッセンス(PL)は、６２９ｎｍ付近に付随するシングルピークスペクトル、４７ｎｍの半値全幅（ｆｗｈｍ）、６５％のＰＬ量子効率を示した」ことが記載されている。 甲２の第６１０６頁左欄第８〜２０行（上記第４の２（３）参照。）には、「単一のInP/ZnSeコア/シェルQDが、QD集合体で観察されるものよりも遥かに狭い輝線を特徴としている」こと、及び「平均半値全幅（fwhm）は19.4nmである一方で、分布は、2.5nmの標準偏差及び13〜24nmの測定値を示している」ことが記載されている。 甲２の図２．（ｂ）（上記第４の２（４）参照。）には、「７２個の単一QDの集合における中心発光波長の統計分布」において、中心発光波長の分布の半値全幅が４６ｎｍであることが示されている。 甲５（上記第４の５参照。）には、σ２が分散であること、及びＦＷＨＭ（半値全幅）はσに２．３５を乗じたものであることが記載されており、分散の平方根であるσは標準偏差であるから、標準偏差（σ）はＦＷＨＭ（半値全幅）を２．３５で割ることで求められる。よって、甲２の中心発光波長の分布の半値全幅が４６ｎｍであることから、甲２の中心発光波長の標準偏差は、４６／２．３５≒１９．６ｎｍと認められる。 してみると、甲２には次の発明（以下、「甲２発明」という。）が認められる。 ＜甲２発明＞ 「ＩｎＰ／ＺｎＳｅコア／シェルＱＤにおいて、 ＩｎＰ／ＺｎＳｅコア／シェルＱＤの溶液中のフォトルミネッセンス（ＰＬ）は、６２９ｎｍ付近に付随するシングルピークスペクトル、４７ｎｍの半値全幅（ｆｗｈｍ）、６５％のＰＬ量子効率を示し、 単一のＩｎＰ／ＺｎＳｅコア／シェルＱＤは、集合体で観察されるものよりも遥かに狭い輝線を特徴としており、平均半値全幅（ｆｗｈｍ）は１９．４ｎｍで、分布は、２．５ｎｍの標準偏差及び１３〜２４ｎｍの測定値を示し、中心発光波長の標準偏差は１９．６ｎｍである、ＩｎＰ／ＺｎＳｅコア／シェルＱＤ。」 第６ 理由１（新規性）及び理由２（進歩性）について １ 甲１を主引例とした場合 （１）本件発明１ 本件発明１と甲１発明を対比すると、甲１発明の「ＩｎＰコア／ＺｎＳｅシェル／ＺｎＳシェル構造の量子ドット」は本件発明１の「Ｉｎ及びＰを含有するコアと１層以上のシェルとを有するコア／シェル型半導体ナノ粒子」に相当する。 甲１発明の「当該量子ドットをクロロホルム又はトルエンに分散させた量子ドット溶液」を構成する「量子ドット」は、「量子ドット溶液」の中に、多数の量子ドットの集合体として存在するものであるから、本件発明１の「半導体ナノ粒子集合体」に相当する。 甲１発明の「当該量子ドットをクロロホルム又はトルエンに分散させた量子ドット溶液の、波長４５０ナノメートル（ｎｍ）を有する励起光で生成されたフォトルミネッセンス（ＰＬ）スペクトル」は、本件発明１の「半導体ナノ粒子集合体を分散媒中に分散させた状態で４５０ｎｍの励起光で励起させたときの発光スペクトル（λ１）」に相当する。 甲１発明の「フォトルミネッセンス（ＰＬ）スペクトルの波長が６３０、６３１又は６２８ｎｍ」は、本件発明１の「発光スペクトル（λ１）のピーク波長（λ1ＭＡＸ）が６０５〜６５５ｎｍの間」に包含される。 甲１発明の「半値全幅（ＦＷＨＭ）が３９、３８又は３６ｎｍ」は、本件発明１の「発光スペクトル（λ１）の半値幅（ＦＷＨＭ１）が４３ｎｍ以下」の範囲内に包含される。 そうすると、両者の一致点及び相違点は次のとおりである。 ＜一致点＞ 「Ｉｎ及びＰを含有するコアと１層以上のシェルとを有するコア／シェル型半導体ナノ粒子の集合である半導体ナノ粒子集合体であって、 前記半導体ナノ粒子集合体を分散媒中に分散させた状態で４５０ｎｍの励起光で励起させたときの発光スペクトル（λ１）のピーク波長（λ1ＭＡＸ）が６０５〜６５５ｎｍの間にあり、前記発光スペクトル（λ１）の半値幅（ＦＷＨＭ１）が４３ｎｍ以下である、 半導体ナノ粒子集合体。」 ＜相違点１＞ 本件発明１は「半導体ナノ粒子集合体を構成する半導体ナノ粒子を、４４５ｎｍの励起光で励起させて得られる１粒子毎の発光スペクトル（λ２）が、以下の要件（１）〜（３）： （１）発光スペクトル（λ２）の半値幅（ＦＷＨＭ２）の平均値が２８ｎｍ以下であること、 （２）発光スペクトル（λ２）のピーク波長（λ２ＭＡＸ）の標準偏差（ＳＤ１）が１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下であること、 （３）発光スペクトル（λ２）の半値幅（ＦＷＨＭ２）の標準偏差（ＳＤ２）が１２ｎｍ以下であること、の全てを満たす」のに対し、甲１発明は、半導体ナノ粒子の１粒子毎の発光スペクトルの特性が不明である点。 まず、上記相違点１について、新規性の観点で検討を行う。甲１発明は、１粒子毎の発光スペクトル（λ２）に着目した発明ではないため、甲１に１粒子毎の発光スペクトル（λ２）の特性は記載されていない。そして、１粒子毎の発光スペクトル（λ２）の特性は実際に測定してみなければわからないところ、甲１発明の１粒子毎の発光スペクトル（λ２）の特性が、本件発明１で特定される条件を全て満たしているとは限らない。 また、甲１発明は「比較的狭い半値全幅（ＦＷＨＭ）及び改善された発光効率を有する赤色光を放出し得る、カドミウムを含まない量子ドット」である点で本件発明と共通しているが、これらの特徴が共通しているからといって、その１粒子毎の発光スペクトル（λ２）の特性が、本件発明１で特定される範囲を全て満たす根拠とはならない。 さらに、甲２発明には、「単一のＩｎＰ／ＺｎＳｅコア／シェルＱＤは、集合体で観察されるものよりも遥かに狭い輝線を特徴として」いること、及び「ＩｎＰ／ＺｎＳｅコア／シェルＱＤの溶液中のフォトルミネッセンス（ＰＬ）は、６２９ｎｍ付近に付随するシングルピークスペクトル、４７ｎｍの半値全幅（ｆｗｈｍ）、６５％のＰＬ量子効率を示し、」「単一のＩｎＰ／ＺｎＳｅコア／シェルＱＤ」は「平均半値全幅（ｆｗｈｍ）は１９．４ｎｍで、分布は、２．５ｎｍの標準偏差及び１３〜２４ｎｍの測定値を示し、中心発光波長の標準偏差は１９．６ｎｍである」であることが記載されている。 そして、甲１発明の「量子ドット」は、量子ドット溶液（量子ドットの集合体）として「波長４５０ナノメートル（ｎｍ）を有する励起光で生成されたフォトルミネッセンス（ＰＬ）スペクトルの波長が６３０、６３１又は６２８ｎｍであり、半値全幅（ＦＷＨＭ）が３９、３８又は３６ｎｍ」であるから、甲１発明の単一の量子ドットとしては、平均半値全幅（ｆｗｈｍ）が１９．４ｎｍより小さく、平均半値全幅（ｆｗｈｍ）の標準偏差が２．５ｎｍより小さく、中心発光波長の標準偏差が１９．６ｎｍより小さい可能性が考えられる。しかしながら、数値の下限は特定されないため、甲１発明の量子ドットの中心発光波長の標準偏差は、１０ｎｍより小さい可能性も否めない。そうすると、甲２に記載された事項を参酌しても、甲１発明の量子ドット１粒子毎の発光スペクトル（λ２）の特性が、本件発明１で特定される条件を全て満たしているとはいえない。 してみると、本件発明１は、甲１発明に対して新規性がないということはできない。 次に、上記相違点１について、進歩性の観点で検討を行う。甲１発明は、「量子ドット」の集合体について「比較的狭い半値全幅（ＦＷＨＭ）」を目指すものであるから、その結果として、半導体ナノ粒子の１粒子毎の発光スペクトルについても、「半値全幅（ＦＷＨＭ）」の平均値や標準偏差がより小さい値になったり、同ピーク波長の標準偏差がより小さい値になったりすることは想定し得ることである。 しかしながら、同ピーク波長の標準偏差を「１０ｎｍ以上」とすることについては、甲１発明には記載も示唆もないため、この点は、当業者が容易になし得たことではない。 また、甲２の第６１０６頁左欄第８〜２０行には、上記新規性の観点での検討において示したとおりの事項が記載されているが、甲１発明の単一の量子ドットの特性を、甲２の上記記載のような範囲にすべき動機付けはない。そうすると、本件発明１は、甲１発明及び甲２に記載された技術事項から当業者が容易に発明することができたものではない。 さらに、甲３〜甲７のいずれにも、半導体ナノ粒子１粒子毎の発光スペクトルの特性についての記載は見当たらない。 そうすると、本件発明１は、甲１発明及び甲１〜甲７に記載された技術事項から当業者が容易に発明することができたものではない。 （２）本件発明２〜１２ 本件発明２〜１２は、いずれも本件発明１を全て包含し、それぞれ個別の技術事項を追加したものである。よって、本件発明２〜１２は、上記（１）に示した理由と同様の理由により、甲１発明に対して新規性がないということはできないし、甲１発明及び甲１〜７に記載された技術事項に基づいて当業者が容易に想到し得たものともいえない。 ２ 甲２を主引例とした場合 （１）本件発明１ 本件発明１と甲２発明を対比すると、甲２発明の「ＩｎＰ／ＺｎＳｅコア／シェルＱＤ」は本件発明１の「Ｉｎ及びＰを含有するコアと１層以上のシェルとを有するコア／シェル型半導体ナノ粒子」に相当する。 甲２発明の「ＩｎＰ／ＺｎＳｅコア／シェルＱＤの溶液」を構成する「ＩｎＰ／ＺｎＳｅコア／シェルＱＤ」は、当該「溶液」の中に、多数のＩｎＰ／ＺｎＳｅコア／シェルＱＤの集合体として存在するものであるから、本件発明１の「半導体ナノ粒子集合体」に相当する。 甲２発明の「ＩｎＰ／ＺｎＳｅコア／シェルＱＤの溶液中のフォトルミネッセンス（ＰＬ）」は、本件発明１の「半導体ナノ粒子集合体を分散媒中に分散させた状態で４５０ｎｍの励起光で励起させたときの発光スペクトル（λ１）」と、「半導体ナノ粒子集合体を分散媒中に分散させた状態で励起させたときの発光スペクトル（λ１）」である点で共通する。 甲２発明の「６２９ｎｍ付近に付随するシングルピークスペクトル」は、本件発明１の「発光スペクトル（λ１）のピーク波長（λ1ＭＡＸ）が６０５〜６５５ｎｍの間」に包含される。 甲２発明の「単一のＩｎＰ／ＺｎＳｅコア／シェルＱＤは、集合体で観察されるものよりも遥かに狭い輝線を特徴としており、平均半値全幅（ｆｗｈｍ）は１９．４ｎｍで、分布は、２．５ｎｍの標準偏差及び１３〜２４ｎｍの測定値を示し、中心発光波長の標準偏差は１９．６ｎｍである、ＩｎＰ／ＺｎＳｅコア／シェルＱＤ。」と本件発明１の「前記半導体ナノ粒子集合体を構成する半導体ナノ粒子を、４４５ｎｍの励起光で励起させて得られる１粒子毎の発光スペクトル（λ２）が、以下の要件（１）〜（３）： （１）発光スペクトル（λ２）の半値幅（ＦＷＨＭ２）の平均値が２８ｎｍ以下であること、 （２）発光スペクトル（λ２）のピーク波長（λ２ＭＡＸ）の標準偏差（ＳＤ１）が１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下であること、 （３）発光スペクトル（λ２）の半値幅（ＦＷＨＭ２）の標準偏差（ＳＤ２）が１２ｎｍ以下であること、の全てを満たす」とは、ともに「前記半導体ナノ粒子集合体を構成する半導体ナノ粒子を励起させて得られる１粒子毎の発光スペクトル（λ２）が、以下の要件（１）〜（３）： （１）発光スペクトル（λ２）の半値幅（ＦＷＨＭ２）の平均値が２８ｎｍ以下であること、 （２）発光スペクトル（λ２）のピーク波長（λ２ＭＡＸ）の標準偏差（ＳＤ１）が１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下であること、 （３）発光スペクトル（λ２）の半値幅（ＦＷＨＭ２）の標準偏差（ＳＤ２）が１２ｎｍ以下であること、の全てを満たす」である点で共通する。 そうすると、両者の一致点及び相違点は次のとおりである。 ＜一致点＞ 「Ｉｎ及びＰを含有するコアと１層以上のシェルとを有するコア／シェル型半導体ナノ粒子の集合である半導体ナノ粒子集合体であって、 前記半導体ナノ粒子集合体を分散媒中に分散させた状態で励起させたときの発光スペクトル（λ１）のピーク波長（λ1ＭＡＸ）が６０５〜６５５ｎｍの間にあり、 前記半導体ナノ粒子集合体を構成する半導体ナノ粒子を励起させて得られる１粒子毎の発光スペクトル（λ２）が、以下の要件（１）〜（３）： （１）発光スペクトル（λ２）の半値幅（ＦＷＨＭ２）の平均値が２８ｎｍ以下であること、 （２）発光スペクトル（λ２）のピーク波長（λ２ＭＡＸ）の標準偏差（ＳＤ１）が１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下であること、 （３）発光スペクトル（λ２）の半値幅（ＦＷＨＭ２）の標準偏差（ＳＤ２）が１２ｎｍ以下であること、 の全てを満たすことを特徴とする半導体ナノ粒子集合体。」 ＜相違点２＞ 励起光の波長が、本件発明１は半導体ナノ粒子集合体に対して「４５０ｎｍ」かつ半導体ナノ粒子一粒子毎に対して「４４５ｎｍ」であるのに対し、甲２発明は明らかでない点。 ＜相違点３＞ 半導体ナノ粒子集合体の発光スペクトル（λ１）の半値幅（ＦＷＨＭ１）が、本件発明１は「４３ｎｍ以下」であるのに対し、甲２発明は「４７ｎｍ」である点。 まず、相違点２について検討する。半導体ナノ粒子の発光波長は、励起光の波長に依存しないから、上記相違点２は、実質的な相違点ではない。 次に、相違点３について検討する。半導体ナノ粒子集合体の発光スペクトル（λ１）の半値幅（ＦＷＨＭ１）について、甲１の［０１０１］の「色純度の高い(例えば、半値全幅(FWHM)約40nm以下の)光を放射し、したがって発光効率の向上及び色再現性の向上を達成することができる。」との記載や、甲３の「QDを使う最大のメリットである発光ピークの半値幅(FWHM)が狭く純粋な色を出すことで、OLEDよりも広い色域を得ることが可能である。」との記載（前記第４の３（１）参照）から、半値幅（ＦＷＨＭ１）を小さくすることで色純度を高めたいという課題が読み取れる。 そうすると、甲２発明においても、色純度を高めるために、「ＩｎＰ／ＺｎＳｅコア／シェルＱＤの溶液中のフォトルミネッセンス（ＰＬ）」の「半値全幅（ｆｗｈｍ）」を「４３ｎｍ以下」とすることは、当業者が試みようとするところである。しかしながら、甲２発明において、「ＩｎＰ／ＺｎＳｅコア／シェルＱＤの溶液中のフォトルミネッセンス（ＰＬ）」の「半値全幅（ｆｗｈｍ）」を「４３ｎｍ以下」とした結果、「単一のＩｎＰ／ＺｎＳｅコア／シェルＱＤ」について、「中心発光波長の標準偏差」の値も小さくなると考えられるところ、「１９．６ｎｍ」であった標準偏差が、「１０ｎｍ以上」を充足する保証はない。 そうすると、甲２発明をベースにして、甲２発明の「単一のＩｎＰ／ＺｎＳｅコア／シェルＱＤ」の特性が、本件発明１で特定される条件を全て満たすようにすることは、当業者が容易になし得たこととはいえない。 さらに、甲１、甲３〜甲７のいずれにも、半導体ナノ粒子１粒子毎の発光スペクトルの特性についての記載は見当たらない。 そうすると、本件発明１は、甲２発明及び甲１〜甲７に記載された技術事項から当業者が容易に発明することができたものではない。 （２）本件発明２〜１２について 本件発明２〜１２は、本件発明１を直接的又は間接的に引用して特定するものであり、いずれも本件発明１の特定事項を全て包含するものである。よって、本件発明２〜１２は、上記（１）に示した理由と同様の理由により、甲２発明及び甲１〜７に記載された技術事項に基づいて当業者が容易に想到し得たものとはいえない。 ３ 申立人の主張 申立人は、異議申立書第２４頁第２５行〜第２５頁第１行において「また、本件特許明細書の比較例（実験例７〜１１）においては、全てＦＷＨＭ１が本件特許発明１で規定されているＦＷＨＭ１の範囲から外れているために、本件特許明細書には、ＦＷＨＭ１の範囲を満たすが、上記（１）〜（３）を満たさない比較例は記載されていない。このため、本件特許明細書からは上記（１）〜（３）を満たすことによる効果を確認することができない。」と主張する。 しかしながら、本件特許の明細書の段落【００９９】の【表２】には、（１）発光スペクトル（λ２）の半値幅（ＦＷＨＭ２）の平均値、（２）発光スペクトル（λ２）のピーク波長（λ２ＭＡＸ）の標準偏差（ＳＤ１）、（３）発光スペクトル（λ２）の半値幅（ＦＷＨＭ２）の標準偏差（ＳＤ２）が、本件発明１の範囲を満たすものが、高い量子効率と狭い半値幅を両立することが示されている。 そうすると、本件特許の明細書から、上記（１）〜（３）を満たすことによる効果を確認することができるから、申立人の主張は採用できない。 ４ 小括 上記１〜３で検討したとおり、理由１及び理由２には理由がない。 第７ 理由３（サポート要件）について １ 本件発明の課題について 本件発明の課題は、本件特許の明細書の段落【００１３】の記載から見て、Ｉｎ及びＰを含有するコアと１層以上のシェルからなるコア／シェル型半導体ナノ粒子の集合体であって、高い量子効率と狭い半値幅を両立できる半導体ナノ粒子の集合体を提供することにあると認める。 ２ 判断 これに対して、本件特許の明細書の段落【００９９】の【表２】には、（１）発光スペクトル（λ２）の半値幅（ＦＷＨＭ２）の平均値、（２）発光スペクトル（λ２）のピーク波長（λ２ＭＡＸ）の標準偏差（ＳＤ１）、（３）発光スペクトル（λ２）の半値幅（ＦＷＨＭ２）の標準偏差（ＳＤ２）が、本件発明１で特定される範囲を満たす実験例１〜６において、量子効率（ＱＹ）が８１〜９４％であり、発光スペクトル（λ１）の半値幅（ＦＷＨＭ１）が３２〜４２ｎｍであること、すなわち、高い量子効率と狭い半値幅を両立したことが示されているから、本件発明１は、本件特許明細書の発明の詳細な説明に記載された範囲を超えているとはいえない。本件発明１の特定事項を全て含む本件発明２〜１２についても同様である。 ３ 申立人の主張 申立人は、異議申立書第４４頁第４行〜第２５行において「しかしながら、Ｉｎ及びＰを含有する半導体ナノ粒子の量子効率の低下は、コア粒子表面やシェル表面の欠陥やダングリングボンド等が要因であることが技術常識である（甲第６号証の（記載事項６−１）、甲第７号証の（記載事項７−１）参照）。このことは、出願人が本件特許権者と同一人である甲第４号証の（記載事項４−２)における「ＩｎＰ系半導体ナノ粒子のコア粒子に、更にハロゲン前駆体を加えることによりＩｎＰ系半導体ナノ粒子の量子効率（ＱＹ）を向上させることができる。ハロゲンの添加はＩｎ３＋とＺｎ２＋のつなぎとしてダングリングボンドを埋め、陰イオンの電子に対する閉じ込め効果を増大させる効果を与えると発明者らは推測している。」という記載とも合致する。 従って、発光スペクトル（λ１）、発光スペクトル（λ２）の半値幅（ＦＷＨＭ２）の平均値、ピーク波長（λ２ＭＡＸ）の標準偏差（ＳＤ１）及び半値幅（ＦＷＨＭ２）の標準偏差（ＳＤ２）を規定したとしても、これらは欠陥やダングリングボンドとは何ら関係がないため、高い量子効率は得られない。 また、本件特許明細書の実施例（実験例１〜６)の半導体ナノ粒子は、全てハロゲンを含んでいる。本件特許明細書の［００３５］には、「半導体ナノ粒子がハロゲンを上記範囲で含むことにより、高い蛍光量子効率、狭い半値幅を得ることができる。」と記載されている。すなわち、高い量子効率を得るためには、ハロゲンは必須要件であり、ハロゲンを規定していない本件特許発明１〜８、１０〜１２はサポート要件を満たしていない。」と主張する。 しかしながら、上記主張は、半導体ナノ粒子の量子効率の低下の要因が、コア粒子表面やシェル表面の欠陥やダングリングボンドのみであることを示すものではなく、また、ハロゲンを含まなければ高いＱＹ（量子効率）を実現することが不可能であることを示すものでもない。 そうすると、申立人の主張は、課題を解決できない恐れがあるということを主張するにとどまり、本件発明１〜１２の範囲内に現実に課題を解決できない部分があることを具体的に主張・立証するものではないから、申立人の主張は採用できない。 ４ 小括 上記１〜３で検討したとおり、理由３には理由がない。 第８ むすび 以上のとおりであるから、異議申立人による特許異議申立書の理由及び証拠によっては、本件特許の請求項１〜１２に係る特許を取り消すことはできない。 また、他に請求項１〜１２に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり決定する。 |
| 異議決定日 | 2022-08-31 |
| 出願番号 | P2019-227245 |
| 審決分類 |
P
1
651・
113-
Y
(C09K)
P 1 651・ 537- Y (C09K) P 1 651・ 121- Y (C09K) |
| 最終処分 | 07 維持 |
| 特許庁審判長 |
門前 浩一 |
| 特許庁審判官 |
関根 裕 田澤 俊樹 |
| 登録日 | 2021-11-08 |
| 登録番号 | 6973469 |
| 権利者 | 昭栄化学工業株式会社 |
| 発明の名称 | 半導体ナノ粒子集合体、半導体ナノ粒子集合体分散液、半導体ナノ粒子集合体組成物及び半導体ナノ粒子集合体硬化膜 |
| 代理人 | 特許業務法人あしたば国際特許事務所 |
