• ポートフォリオ機能


ポートフォリオを新規に作成して保存
既存のポートフォリオに追加保存

  • この表をプリントする
PDF PDFをダウンロード
審決分類 審判 査定不服 特36条6項1、2号及び3号 請求の範囲の記載不備 特許、登録しない。 C07F
審判 査定不服 特36条4項詳細な説明の記載不備 特許、登録しない。 C07F
管理番号 1390012
総通号数 11 
発行国 JP 
公報種別 特許審決公報 
発行日 2022-11-25 
種別 拒絶査定不服の審決 
審判請求日 2020-07-17 
確定日 2022-10-05 
事件の表示 特願２０１８−１８１２８７「基板上に層を形成するための還元剤としてのビス（トリメチルシリル）６員環系および類縁化合物」拒絶査定不服審判事件〔平成３１年 ２月２８日出願公開、特開２０１９− ３１５０８〕について、次のとおり審決する。 
結論 本件審判の請求は、成り立たない。 
理由 第１ 手続の経緯
この出願は、２０１４年６月２７日（パリ条約による優先権外国庁受理 ２０１３年６月２８日（ＵＳ）米国、２０１３年１１月１０日（ＵＳ）米国、２０１４年４月２日（ＵＳ）米国）を国際出願日とする特願２０１６−５２４２５５号の一部を平成３０年９月２７日に特願２０１８−１８１２８７号として新たな特許出願としたものであって、令和元年７月２４日付けで拒絶理由が通知され、同年１１月８日に意見書及び手続補正書が提出され、令和２年３月１１日付けで拒絶査定され、同年７月１７日に拒絶査定不服審判が請求されたものである。

第２ 本願発明について
１ 本願発明の認定
この出願の特許請求の範囲の記載は、令和元年１１月８日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１〜１１に記載されたとおりであるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、以下のとおりである。
「【請求項１】

（式中、
Ｒ、Ｒ１、Ｒ１’、Ｒ１”、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、およびＲ５は、それぞれ独立に、Ｈ、Ｃ１〜１０アルキル、Ｃ６〜１４アリールまたはＣ４〜１４ヘテロアリールである）
からなる群から選択される化合物。」（当該８種の一般式で表された化合物ついて、それぞれ、上段左から下段右にかけて、順次、「化合物ａ」〜「化合物ｈ」という。たとえば、中段最右の窒素６員環を有する化合物は、「化合物ｆ」となる。）

第３ 原査定の拒絶の理由の概要
原査定の拒絶の理由は、令和１年７月２４日付け拒絶理由通知書における理由３及び４であり、その理由の概要は、以下のものと認める。
（各化合物ａ〜ｈについては、当審で付与し、令和元年１１月８日付け手続補正により該当しない事項については、当審にて一部除外している。）

理由３．（実施可能要件）この出願は、発明の詳細な説明の記載が下記の点で、特許法第36条第4項第1号に規定する要件を満たしていない。

理由４．（サポート要件）この出願は、特許請求の範囲の記載が下記の点で、特許法第36条第6項第1号に規定する要件を満たしていない。

記

●理由３（実施可能要件）、理由４（サポート要件）について
本願発明のそれぞれに記載の化合物ａ〜ｈについて、この出願の発明の詳細な説明には、いずれの化合物も具体的に合成できたとの記載はなく、また、そのような化合物を用い原子層堆積により薄膜を堆積させることができたとの記載もなされていない。
発明の詳細な説明には、シクロヘキサジエン及びジヒドロピラジンの誘導体を合成した例は記載されている。それらは元となる環化合物を還元しあるいは置換基変更により、合成されている。しかしながら、上記した他の環骨格を有する化合物について、同様に合成できるといえる技術常識はみあたらない。例えば５〜６の環構成原子が全て窒素原子（Ｎ）である環化合物は、計算化学上は想定し得るが、実際に合成原料として入手でき置換基変更工程に付すことができるものであるとは到底いえない（化合物ｅ、ｆ）。また２、３、４の環構成原子が窒素原子である本願発明の化合物ａ〜ｄ、ｇ、ｈについても、原料が入手でき、結合次数を調整でき、さらに所望の位置にＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３（以下、「有機シラン」という。）基を有する本願発明の化合物を得ることができるというに足る技術常識も見あたらない。
そうすると、本願発明は、発明の詳細な説明に記載したものでなく、この出願の発明の詳細な説明は、当業者が当該請求項に係る発明を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されたものでもない。

さらに、拒絶査定の備考欄には、理由３及び理由４について、本願発明に関する補足が次のように記載されている。

実施可能要件及びサポート要件は、当該補正後にも残る全ての化合物ａ〜ｈについても通知されていたものであり、そのことについて、意見書において何ら実質的な主張はない。
そうすると、本願発明には、依然として、いずれの化合物に係る発明であっても、実施可能要件及びサポート要件が満足されていないという拒絶理由が存在していることに変わりはない。

第４ 当審の判断

当審は、原査定の理由のとおり、本願発明について、この出願は、発明の詳細な説明が当業者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載されたものでないから、特許法第36条第4項第1号に規定する要件を満たしていないと判断する。また、原査定の理由のとおり、本願発明について、この出願は、特許請求の範囲の記載が特許法第36条第6項第1号に適合するものではないから、特許法第36条第6項に規定する要件を満たしていないと判断する。
その理由は、以下のとおりである。

１ 理由３（実施可能要件）について
（１）実施可能要件の判断の前提
物の発明における発明の「実施」とは、その物の生産、使用等をする行為をいう（特許法第2条第3項第1号）から、特許法第36条第4項第1号の「その実施をすることができる」（実施可能要件）とは、その物を生産することができ、かつ、その物を使用できることである。したがって、物の発明については、明細書の記載又はその示唆及び出願当時の技術常識に基づき、当業者がその物を生産することができ、かつ、その物を使用できるのであれば、上記の実施可能要件を満たすということができる。
以下、上記判断の前提にしたがって検討する。

（２）発明の詳細な説明の記載（下線は当審において付与したものであり、「・・・」は記載の省略を表す。）
本願の明細書の発明の詳細な説明には、本願発明に関連した記載として以下の記載がある。

ア 技術分野、背景技術、発明が解決しようとする課題及び関連発明の概要についての記載
本願明細書の【0007】-【0009】、【0020】、【0022】、【0023】には以下の記載がある。
「【０００７】
本発明は、少なくとも１つの実施形態において、酸化状態にある原子を有する化合物を還元する方法を提供することにより、先行技術の１つ以上の問題を解決するものである。本発明の方法は、酸化状態にある原子を有する第１化合物を還元剤と反応させることにより、この原子が第１化合物よりも還元された状態にある第２化合物を生成するステップを含む。この酸化状態にある原子は、周期律表の第２〜１２族、ランタニド、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｔｅ、Ｓｉ、Ｇｅ、ＳｎおよびＡｌからなる群から選択される。還元剤は、式ＩＡおよび式ＩＢ：

（式中、
Ｘ１は、ＣＲ６（ＳｉＲ１Ｒ１’Ｒ１”）またはＮ（ＳｉＲ１Ｒ１’Ｒ１”）であり、
Ｘ２は、ＣＲ７（ＳｉＲ１Ｒ１’Ｒ１”）またはＮ（ＳｉＲ１Ｒ１’Ｒ１”）であり、
Ｒ１、Ｒ１’、Ｒ１”、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６およびＲ７は、それぞれ独立に、Ｈ、Ｃ１〜１０アルキル、Ｃ６〜１４アリール、またはＣ４〜１４ヘテロアリールである）で表される化合物からなる群から選択される。
【０００８】
他の実施形態においては、酸化状態にある原子を有する化合物を、気相反応用原料を用いて還元する方法を提供する。この方法は、第１化合物の蒸気を提供するステップを含む。酸化状態にある原子は、周期律表第２〜１２族、ランタニド、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｔｅ、Ｓｉ、Ｇｅ、ＳｎおよびＡｌからなる群から選択される。この方法はまた、還元剤の蒸気を提供するステップも含む。還元剤は、式ＩＡおよび式ＩＢ：

（式中：
Ｘ１は、ＣＲ６（ＳｉＲ１Ｒ１’Ｒ１”）またはＮ（ＳｉＲ１Ｒ１’Ｒ１”）であり、
Ｘ２は、ＣＲ７（ＳｉＲ１Ｒ１’Ｒ１”）またはＮ（ＳｉＲ１Ｒ１’Ｒ１”）であり、
Ｒ１、Ｒ１’、Ｒ１”、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６およびＲ７は、それぞれ独立に、Ｈ、Ｃ１〜１０アルキル、Ｃ６〜１４アリールまたはＣ４〜１４ヘテロアリールである）で表される化合物からなる群から選択される。第１化合物の蒸気および還元剤の蒸気を反応させることによって、該原子が第１化合物よりも還元された状態にある第２化合物が生成する。
【０００９】
他の実施形態においては、ＡＬＤプロセスによって層を形成する方法が提供される。この方法は、酸化状態にある原子を有する第１化合物の蒸気を基板に接触させることによって第１改質表面を形成するステップを含む。この酸化状態にある原子は、周期律表第２〜１２族、ランタニド、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｔｅ、Ｓｉ、Ｇｅ、ＳｎおよびＡｌからなる群から選択される。場合により、第１改質表面に酸を所定の第２供給時間接触させることにより、第２改質表面が形成される。第１改質表面または第２改質表面に還元剤を所定の第３供給時間接触させることにより、基板上に層が形成される。還元剤は：

（式中、
Ｘ１は、ＣＲ６（ＳｉＲ１Ｒ１’Ｒ１”）またはＮ（ＳｉＲ１Ｒ１’Ｒ１”）であり、
Ｘ２は、ＣＲ７（ＳｉＲ１Ｒ１’Ｒ１”）またはＮ（ＳｉＲ１Ｒ１’Ｒ１”）であり、
Ｒ１、Ｒ１’、Ｒ１”、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６およびＲ７は、それぞれ独立に、Ｈ、Ｃ１〜１０アルキル、Ｃ６〜１４アリールまたはＣ４〜１４ヘテロアリールである）からなる群から選択される。」、
「【００２０】
略称
「ＡＬＤ」は原子層堆積である。
「ＣＶＤ」は化学気相成長である。
「ＲＴ」は「室温」を意味する。
「ｓ」は「秒」を意味する。
「ＴＨＦ」は「テトラヒドロフラン」を意味する。
「ＤＭＥ」は「１，２−ジメトキシエタン」を意味する。
「ＣＨＤ」は１，４−ビス（トリメチルシリル）−２−メチル−１，４−シクロヘキサジエンを意味する。
「ＤＨＰ」は１，４−ビス（トリメチルシリル）−１，４−ジヒドロピラジンを意味する。
「ｄｍａｐ」は「４−ジメチルアミノピリジン」を意味する。
「ｄａｄ」はジアザジエンを意味する。・・・」、
「【００２２】
一実施形態においては、酸化状態にある原子を有する化合物を還元する方法が提供される。この方法は、ＡＬＤおよび化学気相成長（ＣＶＤ）によって金属含有層（例えば、金属層）を形成するのに特に適している。この方法は、酸化状態にある原子を有する第１化合物を還元剤と反応させることにより、該原子が第１化合物よりも還元された状態にある第２化合物を形成するステップを含む。この酸化状態にある原子は、周期律表第２〜１２族、ランタニド、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｔｅ、Ｓｉ、Ｇｅ、ＳｎおよびＡｌからなる群から選択される。一改良形態においては、酸化状態にある原子は、参照電極電位（例えば、標準水素電極または標準Ａｇ／ＡｇＮＯ３電極）に対する標準電極電位が−２．４Ｖよりも高い群の原子を含む。具体的には、・・・さらなる改良形態においては、酸化状態にある原子を含む化合物の１００℃における蒸気圧は少なくとも０．０５トール〜約７００トールである。還元剤の特徴としては、還元剤は、式ＩＡおよび式ＩＢ：

（式中、
Ｘ１は、ＣＲ６（ＳｉＲ１Ｒ１’Ｒ１”）またはＮ（ＳｉＲ１Ｒ１’Ｒ１”）であり、
Ｘ２は、ＣＲ７（ＳｉＲ１Ｒ１’Ｒ１”）またはＮ（ＳｉＲ１Ｒ１’Ｒ１”）であり、
Ｒ１、Ｒ１’、Ｒ１”、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６およびＲ７は、それぞれ独立に、Ｈ、Ｃ１〜１０アルキル、Ｃ６〜１４アリールまたはＣ４〜１４ヘテロアリールである）で表される化合物からなる群から選択されるものである。
【００２３】
式ＩＡおよび式ＩＢで表される化合物の一変形形態においては、還元剤は：


およびこれらの組合せからなる群から選択される。式ＩＩＢで表される化合物が金属含有膜の形成に特に有用であることが見出された。特に有用な還元剤の例は、１，４−ビス（トリメチルシリル）−２−メチル−１，４−シクロヘキサジエンおよび１，４−ビス（トリメチルシリル）−１，４−ジヒドロピラジンである。」

イ 本願発明に該当する化合物についての記載
本願明細書及び図面の【0014】、【0024】、【図1】には以下の記載がある。
「【００１４】
【図１】図１は、本発明に包含される還元剤の他の例を示すものである。
【図２】・・・」、
「【００２４】
図１を参照すると、還元剤のさらなる例が示されている。これらの例において、Ｒ１、Ｒ１’、Ｒ１”、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６およびＲ７は、それぞれ独立に、Ｈ、Ｃ１〜１０アルキル、Ｃ６〜１４アリール、またはＣ４〜１４ヘテロアリールである。式ＩＡ、ＩＢ、ＩＩＡ、ＩＩＢ、ＩＩＣ、ＩＩＤで表される化合物および図１の化合物の改良形態においては、Ｒ１、Ｒ１’、Ｒ１”は、それぞれ独立にＣ１〜１０アルキルであり、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５は、それぞれ独立に、ＨまたはＣ１〜１０アルキルであり、Ｒ６およびＲ７はＨである。他の改良形態においては、Ｒ１、Ｒ１’、Ｒ１”は、それぞれ独立に、水素、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、イソブチル、ｔ−ブチルまたはフェニルである。さらなる他の改良形態においては、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４およびＲ５は、それぞれ独立に、水素、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、イソブチル、ｔ−ブチルまたはフェニルである。さらなる他の改良形態においては、Ｒ６、Ｒ７は、それぞれ独立に、水素、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、イソブチル、ｔ−ブチルまたはフェニルである。特に有用な例においては、Ｒ１、Ｒ１’、Ｒ１”は、メチルであり、Ｒ６、Ｒ７は、水素であり、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４およびＲ５は水素またはメチルである。他の有用な例においては、Ｒ１、Ｒ１’、Ｒ１”はメチルであり、Ｒ６、Ｒ７は水素であり、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４およびＲ５は、水素またはメチルである。」、
「

」

ウ 酸化状態にある原子を有する化合物について
本願明細書の【0025】-【0032】には以下の記載がある。
「【００２５】
上に述べたように、第１化合物は、周期律表第２〜１２族、ランタニド、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｔｅ、Ｓｉ、Ｇｅ、ＳｎおよびＡｌから選択される、酸化状態にある原子を含む。・・・
【００２６】
本発明は、酸化状態にある原子を含む第１化合物の種類により限定されるものではないが、次の構造を有する化合物が特に有用である・・・
【００２７】
一変形形態において、酸化状態にある原子を有する第１化合物は、・・・
【００２８】
他の変形形態においては、酸化状態にある原子を有する第１化合物は、・・・
【００２９】
他の変形形態においては、酸化状態にある原子を有する第１化合物は、・・・
【００３０】
他の変形形態においては、酸化状態にある原子を有する第１化合物は、・・・
【００３１】
他の変形形態においては、酸化状態にある原子を有する第１化合物は、・・・
【００３２】
酸化状態にある原子を含む化合物の具体例としては、・・・」

エ 金属又は金属薄膜の形成方法
本願明細書の【0033】-【0066】には以下の記載がある。
「【００３３】
本実施形態の他の改良形態においては、金属を形成するための方法が提供される。これに関連して、この金属は、酸化数がゼロの金属原子を有することを特徴とする。本改良形態は、溶液中または気相中のいずれかで（例えば、ＡＬＤ、ＣＶＤ等）、約５０〜４００℃の温度で実施することができる。他の改良形態においては、金属の堆積は、約７５〜２００℃の温度で実施される。
【００３４】
さらなる改良形態においては、金属膜をＡＬＤプロセスにより形成する方法が提供される。この方法は、基板に、上に述べた酸化状態にある原子を有する第１化合物の蒸気を、第１化合物の蒸気の少なくとも一部が基板表面に吸収されるかまたは基板表面と反応することにより改質表面を形成するように接触させることを含む堆積サイクルを含む。この堆積サイクルは、改質表面に上述の還元剤の蒸気を接触させることにより反応させ、金属膜の少なくとも一部を形成することをさらに含む。通常、酸化状態にある原子を有する第１化合物は、約５０〜４００℃の温度で還元剤と接触させる。この反応は、後述するＡＬＤプロセスに用いられる。
【００３５】
図２Ａは、ＡＬＤプロセスにより層を形成するための方法の模式図で示したものである。・・・
【００３６】
図２Ｂは、ＡＬＤプロセスにより層を形成するための方法を模式図で示したものである。・・・
【００３７】
図２Ｄを参照すると、堆積システム２０は、反応室２２、基板ホルダー２４および真空ポンプ２６を含む。通常、基板は、ヒーター２８で加熱される。この方法は、基板３０に上述の酸化状態にある原子を有する第１化合物の蒸気を接触させることを含む堆積サイクルを含む。・・・
【００３８】
本実施形態の変形形態において、本発明の方法は、気相に留まっている（すなわち、基板に吸着されず、基板と反応もしていない）第１化合物の蒸気の少なくとも一部を、還元剤の蒸気を導入する前に基板の周囲から除去することと、還元剤の蒸気の少なくとも一部を基板の周囲から除去することとをさらに含む。金属含有化合物および還元剤は、パージステップにおいて、パージ源４４からパージガスを反応室２２に所定の時間導入することによって除去される。パージ時間は制御バルブ４６によって制御される。
【００３９】
他の変形形態においては、本発明の方法は、基板に第１化合物の蒸気を、次いで還元剤蒸気を順次接触させることを含む少なくとも１回のさらなる堆積サイクルをさらに含む。・・・
【００４０】
図２Ｄのシステムは、還元剤の蒸気を供給するための供給源４０を使用している。図２Ｅは、この種の蒸気供給源の略断面図を示すものである。還元剤供給源４０は、槽６０およびこの槽に収容されて保持されている還元剤６２を含む。還元剤６２は上述の還元剤の１種以上である。具体的には、還元剤６２は、ＩＡ、ＩＢ、ＩＩＡ、ＩＩＢ、ＩＩＣおよびＩＩＤで表される。一改良形態においては、還元剤の少なくとも一部は液相中にある。バルブ６４が槽６０に取り付けられている。バルブ６４は、バルブを閉止している間は還元剤が流出するのを防ぎ、バルブが開放されると還元剤を流出させる（すなわち、排出管６６を通してＡＬＤ反応室２２に流入させる）。一改良形態においては、供給源４０は、気体を槽６０に流入させるための導入管７０と、気体を槽６０から流出させることによって還元剤を移送するための排出管６６とを有するバブラーである。導入管７０はバルブ７２によって開閉される。一改良形態においては、改良された還元剤供給源４０は、バルブ６４の外側に配置され、流体連通している継ぎ手７４を含む。場合により、バルブ７２の外側には、流体連通している継ぎ手７６が配置されている。継ぎ手７４および７６により、還元剤供給源をＡＬＤまたはＣＶＤ装置に取り付けることができる。
【００４１】
他の実施形態においては、金属含有膜を形成するためのシステムおよび方法が提供される。・・・
【００４４】
本実施形態の方法による膜形成を行う間、基板の温度は、化学前駆体および形成すべき膜の特性に適した温度となる。本発明の方法の改良形態においては、基板は約０〜１０００℃の温度に設定される。・・・
【００４５】
同様に、膜形成を行う際の圧力は、化学的前駆体および形成すべき膜の特性に適した値に設定される。一改良形態においては、圧力は、約１０−６トール〜約７６０トールである。・・・
【００４６】
供給時間およびパージ時間も化学的前駆体の特性および基板の幾何学的形状に依存する。・・・
【００４７】
他の実施形態においては、金属を形成するための方法が提供される。・・・
【００４８】
本実施形態の他の変形形態においては、Ｍは、金属、特に、酸化数が０、１＋、２＋、３＋または４＋である遷移金属である。・・・
【００５２】
他の変形形態においては、Ｍが、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｍｇ、ＺｎまたはＣｒである場合、・・・
【００５４】
さらなる他の変形形態においては、ＭがＡｌである場合、・・・
【００５５】
図２Ｃは、金属薄膜の形成方法を模式図で示したものである。ステップａ）において、基板１０に式ＩＩＩまたは式ＩＶで表される金属含有化合物Ｇ１の蒸気を接触させることによって、基板１０上に改質表面１２が形成される。次いで改質表面を活性化化合物Ａ１と接触させることによって、金属膜の少なくとも一部が基板上に形成される。本変形形態は、Ｍが、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｒ、ＦｅおよびＭｎである場合に特に有用である。
【００５６】
図２Ｂは、金属膜を形成するための他の変形形態を模式図で示したものである。・・・
【００５９】
他の変形形態においては、本発明の方法は、基板に式ＩＩＩまたは式ＩＶで表される化合物の蒸気、次いで還元剤の蒸気を順次接触させることを含む少なくとも１回のさらなる堆積サイクルをさらに含む。・・・
【００６０】
他の実施形態においては、金属含有膜の形成方法が提供される。・・・
【００６３】
本実施形態の一変形形態においては、本発明の方法は、基板に、式ＩＩＩまたは式ＩＶで表される化合物の蒸気を、次いで還元剤の蒸気を順次接触させることを含む少なくとも１回のさらなる堆積サイクルをさらに含む。・・・
【００６４】
上に述べた本発明の方法による成膜を行う間の基板の温度は、化学的前駆体および形成すべき膜の特性に適した温度になるであろう。本発明の方法の一改良形態においては、基板の温度は約０〜１０００℃に設定される。・・・
【００６５】
同様に、成膜を行う間の圧力は、化学的前駆体および形成すべき膜の特性に適した値に設定される。一改良形態においては、圧力は約１０−６トール〜約７６０トールである。・・・
【００６６】
供給時間およびパージ時間も同様に、化学的前駆体の特性および基板の幾何学的形状に依存する。・・・」

オ 実施例における関連する還元剤に関する具体的合成例の記載
本願明細書の【0068】-【0070】、【0078】には以下の記載がある。
「【００６８】
実験に使用した無水試薬および無水溶媒は全てＳｉｇｍａ Ａｌｄｒｉｃｈより入手したものである。ＣＨＤおよびＤＨＰの合成は、シュレンクライン技法を用いて行い、先に引用した２０１３年６月２８日に出願された米国特許出願第１３９３０４７１号（当審注：本願の２０１３年６月２８日（ＵＳ）米国受理の優先権主張番号である。）明細書に記載されている文献手順にしたがって行った。堆積実験のための溶液反応および試料の調製はアルゴンドライボックスで行った。薄膜堆積にはＰｉｃｏｓｕｎ Ｒ−７５ＢＥ ＡＬＤ反応装置を使用した。反応装置は、一定窒素気流（９９．９９９５％）中、１０〜１２ミリバールの圧力で運転した。膜厚測定は、電界放出型走査電子顕微鏡法（ＦＥＳＥＭ）によりＪＥＯＬ−６５１０ＬＶ電子顕微鏡で断面を観察することにより行った。粉末および薄膜のＸＲＤ実験はＲｉｇａｋｕ Ｒ２００Ｂ １２ｋＷ試料水平型強力Ｘ線回折装置（ｒｏｔａｔｉｎｇ ａｎｏｄｅ ｄｉｆｆｒａｃｔｏｍｅｔｅｒ）を使用し、Ｃｕ Ｋα線（１．５４０５６Å）を用いて４０ｋＶ、１５０ｍＡで行った。ＸＰＳ分析にはＰｅｒｋｉｎ−Ｅｌｍｅｒ ５５００ ＸＰＳシステムを使用し、単色化Ａｌ Ｋα線を用いて行った。解析ソフトウェアとしてＡｕｇｅｒＳｃａｎ ｖ３．２を使用した。堆積された薄膜を数日間空気中に曝露した後、ＸＰＳ分析を行った。
【００６９】
１，４−ビス（トリメチルシリル）−２−メチル−１，４−シクロヘキサジエン（当審注：「ＣＨＤ」である。）
スキーム１に、文献手順（Ｌａｇｕｅｒｒｅ，Ｍ．；Ｄｕｎｏｇｕｅｓ，Ｊ．；Ｃａｌａｓ，Ｒ．；Ｄｕｆｆａｕｔ，Ｎ．Ｊ．Ｏｒｇａｎｏｍｅｔ．Ｃｈｅｍ．１９７６，１１２，４９−５９）に従う１，４−ビス（トリメチルシリル）−２−メチル−１，４−シクロヘキサジエンの合成を示す。
【００７０】
空気に敏感な生成物は透明な液体であり、純粋な化合物であることが１Ｈ ＮＭＲにより示された。

」、
「【００７８】
１，４−ビス（トリメチルシリル）−１，４−ジヒドロピラジン（当審注：「ＤＨＰ」である。）
１，４−ビス（トリメチルシリル）−１，４−ジヒドロピラジンを文献手順に従い４０ｇのスケールで調製した（Ｓｕｌｚｂａｃｈ，Ｒ．Ａ．；Ｉｑｂａｌ，Ａ．Ｆ．Ｍ．，Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．Ｉｎｔ．Ｅｄ．Ｅｎｇｌ．１９７１，１０，１２７）。空気に敏感な黄色固体を８０℃／０．０５トールで昇華させることにより精製した。生成物の分取昇華（ｐｒｅｐａｒａｔｉｖｅ ｓｕｂｌｉｍａｔｉｏｎ）を行うことにより９７．１％を回収し、残渣は残らなかった。熱分解温度を求めたところ、２６５℃を超えていた。

」

カ 実施例における関連する還元剤の計算機スクリーニングの記載
本願明細書の【0075】-【0077】には以下の記載がある。
「【００７５】
計算機スクリーニング
反応性を向上させることができる手段として、環の置換基による修飾に関し計算による検討を行った。気相中における様々なビス（シリル）ヘキサジエンに関し、Ｇａｕｓｓｉａｎ ０９を用い、Ｂ３ＬＹＰ／基底関数系６−３１１＋Ｇ（ｄ，ｐ）レベルで構造最適化を行った。芳香族構造の全電子エネルギーからシリル化された構造の全電子エネルギーを差し引いた。トルエン類縁体（ＣＨＤ）（ゼロに標準化）に対する各変形分子のエネルギーの差を求めた。このモデルは、還元剤を芳香族化することによる相対的な電子エネルギーの変化のみを考察するものであり、どの配位子系を用いるかは考慮しない。反応速度論および系のエントロピー変化は考慮しない。
・・・
【００７７】
次に、環系自体の修飾に注目した。８π電子系の反芳香族性構造は、どの４π電子系非共役系よりも芳香族化の推進力が高くなると仮定されている。・・・したがって、この手法を用いることにより、他の方法ではＡＬＤに適した温度で従来の共試薬（ｃｏｒｅａｇｅｎｔ）と反応しなかった多くの金属前駆体を熱的に還元することができる可能性がある。」

キ 実施例における酸化状態にある原子を有する化合物、還元ステップ又はＡＬＤの記載
本願明細書の【0081】-【0108】には以下の記載がある。
「【００８１】
アルミニウムおよびチタンの実験項
溶液スクリーニング実験
ＴｉＣｌ４ ＋ ＣＨＤ
・・・
【００８２】
ＴｉＣｌ４ ＋ ＤＨＰ
・・・
【００８３】
ＳｉＣｌ４ ＋ ＤＨＰ
・・・
【００８４】
ＡＬＤ堆積実験
ＴｉＣｌ４ ＋ ＣＨＤ
・・・
ＴｉＣｌ４ ＋ ＤＨＰ
・・・
【００９１】
Ａ１（ＣＨ３）３ ＋ ＤＨＰ
・・・
【００９４】
ＳｂＣｌ３ ＋ ＤＨＰ
・・・
【００９７】
金属錯体の合成
文献手順に従い１，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−１，４−ジアザブタジエン配位子（ｄａｄｔＢｕ２）の合成を行った（Ｋｌｉｅｇｍａｎ，Ｊ．Ｍ．；Ｂａｒｎｅｓ，Ｒ．Ｋ．Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ１９７０，２６，２５５５−２５６０）
・・・
【０１０２】
ＡＬＤ堆積実験：
Ｃｏ（ｄａｄｔＢｕ２）２ ＋ ＨＣＯＯＨ
Ｃｏ（ｄａｄｔＢｕ２）２＋ＨＣＯＯＨの２成分プロセスを用いてＡＬＤにより金属コバルト膜を成長させた。各サイクルは、Ｃｏ（ｄａｄｔＢｕ２）２供給（６秒間）、パージ（５．０秒間）、ＨＣＯＯＨ供給（０．２秒間）およびパージ（５．０秒間）からなるものとした。Ｃｏ（ｄａｄｔＢｕ２）２を、温度を１４０℃に維持した固体用ブースター（供給源の温度は１３７±１℃となる）により送出した。ＨＣＯＯＨを２３℃に維持したバブラーから供給した。両前駆体の搬送ガスとして、流量８０ｓｃｃｍの精製窒素を使用した。堆積実験を行う際の反応室の温度は１４０〜２４０℃の範囲とした。全ての膜を１０００サイクルで成長させ、常温に冷却した後、空気に曝露した。Ｓｉ（１００）、ＳｉＯ２、Ｃｕ、Ｐｔ、ＰｄおよびＲｕを含む様々な金属基板および絶縁基板上で成膜を行った。
・・・
【０１０８】
ゲルマニウム粒子の調製
ＧｅＣｌ４を１，４−ビス（トリメチルシリル）ジヒドロピラジン（ＤＨＰ）と、ＧｅＣｌ４：ＤＨＰ＝１：２のモル比で反応させることによりＧｅ粒子の合成を行った。ＳｉＣｌ４よりも非常に速い速度でＧｅＣｌ４の還元が観察された。ＧｅＣｌ４をＤＨＰ／トルエン混合物に室温で加えると溶液が（曇りのある）黒色に即座に変化した。図６８は、形成されたＧｅ粒子の粉末Ｘ線回折パターンを示すものである。主要なピークが、焼鈍後のＧｅ ｐｄｆパターンと一致している。図６９は、Ｇｅナノ粒子のＴＥＭ画像を示すものである。ナノ粒子周囲のより明るい色の領域は、試料を単離後に外部で取り扱ったことによる表面酸化に起因する可能性があると考えられている。・・・」

（３）検討
（３−１）明細書若しくは図面の記載又はその示唆及び出願当時の技術常識に基づき、当業者が本願発明の化合物を生産することができるかについて

（３−１−１）明細書又は図面の記載について
ア 一般的記載をみてみると、上記（２）のアには、酸化状態にある化合物の還元剤として、「式ＩＡ又は式ＩＢで表される化合物」又は「式ＩＩＡ、式ＩＩＢ、式ＩＩＣ又は式ＩＩＤで表される化合物」が形式的に示され、上記（２）のイには、「還元剤の他の例」又は「還元剤のさらなる例」として図１の化合物が形式的に示され、図１の化合物に「化合物ａ〜ｈ」が一般式として記載されているだけである。

イ また、上記（２）のウ、エにおいては、酸化状態にある原子を有する化合物と、金属又は金属薄膜の形成方法が記載されているのみで、還元剤に関する更なる検討はなく、本願発明に関する実質的な記載はない。

ウ そして、実施例の記載においても、上記（２）のオによると、具体的に合成例が示されている還元剤化合物は、脂環式骨格である「ＣＨＤ」と窒素を２つ有する複素環骨格の「ＤＨＰ」のみであり、いずれも式ＩＡで表される化合物に該当するものであって、本願発明の「化合物ａ〜ｈ」のいずれに該当するものではなく、本願発明の「化合物ａ〜ｈ」に該当する化合物は、実施例として全く示されていないし、「式ＩＡで表される化合物」でもない。

エ さらには、上記（２）のカによると、計算機スクリーニングについて記載されているものの、計算機スクリーニングによる還元剤の分子構造の検討を行っているのは、環の置換基による修飾に関する計算上の検討にすぎず、いずれも炭素環骨格である「ＣＨＤ」の置換基であることを前提とした検討であり、本願発明の化合物ａ〜ｈに係る窒素含有環骨格である化合物に関する記載は全くない。
また、上記（２）のキによれば、実施例にはこの他にも種々の化合物やＡＬＤ等に関する記載例が示されているが、還元機能を有する化合物「ＣＨＤ」又は「ＤＨＰ」を用いた場合の「酸化状態にある原子を有する化合物」である金属錯体や、それらの「金属粒子」又は「ＡＬＤ」の適応性が示されているにすぎず、本願発明である化合物ａ〜ｈについては、全く記載が存在しない。

（３−１−２）本願優先日時点の技術常識について
本願発明の「化合物ａ〜ｈ」は、いずれも不飽和結合を有し、窒素を含有する環骨格を有する化合物であることから、該化合物の有機シランを付加反応させる前の前駆体に関する本願優先日時点の技術常識についてまず検討することとする。
不飽和結合を有する窒素含有環化合物に関する技術水準を示す文献として、刊行物１〜４を以下に示す。
刊行物１：Can. J. Chem., Vol.82, 50-69, 2004
刊行物２：ＴＣＩメール, 典型元素の新たな同素体,東京化成工業株式会社, 12-15, 2016
刊行物３：ACS Omega, Vol.4, 8112-8121, 2019
刊行物４：J. Phys. Chem. A, Vol.120, 9446-9457, 2016

各刊行物には、以下の記載がある。
ア 刊行物１の記載事項
「Pentaazabenzene (15) and hexaazabenzene (15) are unknown; there have been tentative speculations on the possible experimental generation of N6 species by azide dimerization under electron pulse radiolysis (16), polarographic conditions (17), and the low-temperature photolysis of an azide-platinum complex (18).（訳文：ペンタアザベンゼンとヘキサアザベンゼンは未確認であり、N6 種の可能な実験的合成として、仮想的な推測が存在している。すなわち、電子パルス照射下、ポーラログラフィック状況下又はアジド白金錯体の低温光分解下におけるアジドの２量化である。）」（第51頁右欄第20-25行）

イ 刊行物２の記載事項
「その他，ベンゼン型の構造をしたヘキサジン（N6），キュバン型の構造をしたN8，フラーレン型のN60 などの存在が理論的に検討されているが，いずれも合成はなされていない。これらは分解される際に高いエネルギーを放出することが予測され，爆薬としての可能性が考えられている。」（第13頁下から第3-1行）

ウ 刊行物３の記載事項
（３ａ）「The study suggests that the ability of nitrogen present in azine to act as a hydrogen-bond acceptor decreases in the order of pyridine (PY) > diazine (DZ) > triazine (TZ) > tetrazine (TTZ) > pentazine (PZ) > hexazine (HZ).（訳文：この研究は、水素結合アクセプターとして作用するアジンにおける窒素の能力が、ピリジン（PY）>ジアジン（DZ）>トリアジン（TZ）>テトラジン（TTZ）>ペンタジン（PZ）>ヘキサジン（HZ）の順に減少することを示唆している。）」（要約第4-8行）

（３ｂ）「It is observed that DZ12, TZ123, and TTZ1234 are the least stable among their isomeric forms and have nitrogens adjacent to each other, which is in accordance with the anticipation.（訳文：DZ12、TZ123、およびTTZ1234は、それらの異性体の中で最も安定性が低く、それらは予期されたとおり互いに隣接する窒素を有している。）」（第8113頁右欄第5-8行）
（３ｃ）「3. CONCLUSIONS We have performed MP2 and wB97XD calculations at aug-cc-pVDZ level to study the hydrogen-bonding interaction between water and aromatic heterocyclic azines.（訳文：結論 水と芳香族複素環式アジンの間の水素結合相互作用を研究するために、aug-cc-pVDZレベルでMP2およびwB97XDの計算を実行した。）」（第8119頁左欄第36-39行）

（３ｄ）「4. COMPUTATIONAL METHODS Ab initio calculations are carried out through Gaussian 09 software. Geometry optimization of azines and their corresponding complexes with water are performed at the second-order Mo/ller（審決注：「o/」は、原文では「o」の中に「/」。）-Plesset perturbation (MP2) level in combination with aug-cc-pVDZ basis set.（訳文：計算機的手法 Ab initio計算は、Gaussian 09ソフトウェアを介して実行される。アジンとそれに対応する水との錯体の幾何学的最適化は、aug-cc-pVDZ基底関数系と組み合わせた2次メラープレセット摂動（MP2）レベルで実行される。）」（第8119頁右欄第14-19行）

エ 刊行物４の記載事項
（４ａ）「Thus, the present work comprehensively studied basic N-rich ring structures, including azoles, furazans, and azines, as well as their N-oxides by quantum chemical calculations.（訳文：したがって、本研究は、アゾール、フラザン、及びアジン、並びにそれらのN-オキシドを含む基本的なNリッチ環構造を、量子化学計算によって包括的に研究した）」（要約第2-4行）

（４ｂ）「The C-N heteroaromatic rings include imidazoles, pyrazoles, triazoles, tetrazoles, pentazoles, furazans, pyridines, pyridazines, pyrimidines, pyrazines, triazines, tetrazines, pentazines, and hexazines with substantial N content. The high N content may enhance the energy and density of these compounds.（訳文：C-Nヘテロ芳香環としては、イミダゾール、ピラゾール、トリアゾール、テトラゾール、ペンタアゾール、フラザン、ピリジン、ピリダジン、ピリミジン、ピラジン、トリアジン、テトラジン、ペンタジン、及び実質的に窒素からなるヘキサジンが挙げられる。N含有量が高いと、これらの化合物のエネルギー及び密度を強化できるかもしれない。）」（第9447頁左欄下から第14-9行）

（４ｃ）「2. COMPUTATIONAL DETAILS All quantum chemical (HF and DFT) calculations were performed using the Gaussian 09 program suite.（訳文：2.計算の詳細 全ての量子化学(HFおよびDFT)計算は、Gaussian09プログラムスイートを用いて行った。）」（第9447頁右欄下から第28-26行）

（４ｄ）「4. CONCLUSIONS The influence of N-oxide introduction on the stability of various N-rich heteroaromatic derivatives was studied by various theoretical calculations.（訳文：4.結論 種々のN-リッチヘテロ芳香族誘導体の安定性におけるN-オキシド導入の影響について、様々な理論的計算によって研究した。）」（第9454頁右欄下から第22-19行）

（３−１−３）技術常識を踏まえた前駆体に関する判断
原査定の拒絶理由では、「５〜６の環構成原子が全て窒素原子（Ｎ）である環化合物は、計算化学上は想定し得るが、実際に合成原料として入手でき置換基変更工程に付すことができるものであるとは到底いえない。」としているところ、前駆体となり得る、不飽和結合を３つ有し窒素を５つ有する６員複素環化合物である「ペンタアザベンゼン（「ペンタジン」とも称する。）」、及び、不飽和結合を３つ有し窒素を６つ有する６員環化合物である「ヘキサアザベンゼン（「ヘキサジン」とも称する。）」は、刊行物１（上記（３−１−２）のア）によれば、２００４年の時点において、「ペンタアザベンゼンとヘキサアザベンゼンは未確認」と記載されているとおり、実際に取得又は合成できておらず、本願出願後の２０１６年に発行された刊行物２（上記（３−１−２）のイ）によると、窒素同素体である「ヘキサジン」を合成できていないことが把握できる（「ヘキサジン」は複素環ではなく、無機材料そのものの窒素同素体である。）。また、本願出願後に発行された刊行物３、４（上記（３−１−２）のウ、エ）においても、「ペンタジン」及び「ヘキサジン」に関する計算化学的な言及があるだけで、実験による合成例については全く記載がない。
そうすると、本願出願前において、本願発明の前駆体の化合物である「ペンタジン」及び「ヘキサジン」でさえ、当業者であっても取得及び合成できていないものといえる。
したがって、「化合物ｅ、ｆ」は、それらの合成のための前駆体を入手できないことが明らかであって、前駆体を反応系で安定に存在させることを前提にして、有機シリル基の導入等を行うことは到底できないものといえ、当業者が「化合物ｅ、ｆ」を生産することはできない。

（３−１−４）有機シランの結合位と不飽和結合位について
さらに、上記（２）のオで摘記した【0078】におけるＤＨＰの合成を参照すると、前駆体の全窒素に対して有機シランを付加させているところ、３個以上の窒素に対する有機シランの反応選択性の制御に関する記載は本願明細書に記載されておらず、パラ位という特定位置に置換基を導入するだけでなく、２か所の窒素に対する有機シランの付加反応のみで反応を止めること及び窒素含有環骨格が分解することなく不飽和結合部位を移動させることが技術常識といえる事実も見当たらない。
そうすると、上述のとおり前駆体が製造できない上に、そのような前駆体に特定窒素のみに有機シラン基を導入することはさらに困難であることは明らかである。

（３−１−５）請求人の主張について
請求人は審判請求書において、
「この点に関連して、本願の発明者であるＣｈａｒｌｅｓ Ｗｉｎｔｅｒ教授は、以下に示す手法が適用できると述べている。
『丸底フラスコにおいて、乾燥窒素またはアルゴン雰囲気下で、６員環芳香族化合物（０．１ｍｏｌ）をテトラヒドロフラン（約５００ｍＬ）中に溶解した。周囲（ａｍｂｉｅｎｔ）温度で、この攪拌溶液に、細かく切断したリチウム、ナトリウムまたはカリウム金属片（０．３ｍｏｌ）を加えた後、Ｒ１Ｒ２Ｒ３ＳｉＣｌ（０．３ｍｏｌ）を加えた。この混合物を周囲温度で約１８時間のあいだ攪拌した。次いで、反応混合物を粗いガラスフリットにより濾過し、溶媒および他の高揮発性成分を減圧により除去した。その後、粗生成物を減圧下で蒸溜により精製する（液体生成物の場合）か、減圧下で昇華により精製した（固体生成物の場合）。』 」と主張している。
しかしながら、上記のように本願発明に該当しない単純な化合物の例が示されたからといって、前駆体に対してパラ位という特定位置に置換基を導入するだけでなく、２か所の窒素に対する有機シランの付加反応のみで反応を止めること及び窒素含有環骨格が分解することなく不飽和結合部位を移動させることの手法を明らかにするものではなく、「ＤＨＰ」のように合成できるとはいえないから、仮に、前駆体を取得できたとしても、特定窒素のみに有機シラン基を適切に導入することは、技術常識を考慮しても当業者が容易に実施できるとはいえないから、請求人の主張は採用できない。

（３−１−６）化合物の提供の可否についてのまとめ
以上のことから、本願発明の化合物ｅ、ｆは、本願優先日時点の技術常識を考慮しても、当業者が容易に入手できない化合物であるといえる。

（３−２）本願発明の化合物を使用できるかどうかについて
本願発明の化合物を使用するためには、本願発明の化合物を提供できることが必要であるところ、上記（３−１）で述べたとおり、本願発明の化合物ａ〜ｈには提供できない化合物を含むことから、本願発明の化合物を原子層堆積により薄膜を堆積させるための還元剤として使用することができないことは明らかである。

（３−３）まとめ
本願発明の化合物ｅ、ｆについて、少なくともその物を生産することができ、かつ、その物を使用できるとはいえないから、この出願は、発明の詳細な説明が当業者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載されたものとはいえず、特許法第36条第4項第1号に規定する要件を満たしていない。

２ 理由４（サポート要件）について
（１）サポート要件の判断の前提
特許請求の範囲の記載が特許法第36条第6項第1号に規定する要件（いわゆる「明細書のサポート要件」）に適合するか否かは、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載とを対比し、特許請求の範囲に記載された発明が、発明の詳細な説明に記載された発明で、発明の詳細な説明の記載又はその示唆により当業者が当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであるか否か、また、その記載や示唆がなくとも当業者が出願時の技術常識に照らし当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであるか否かを検討して判断すべきものである。

（２）検討
前記１の（２）に示したとおりの記載が発明の詳細な説明にはあるところ、当業者が本願発明の課題を解決できると認識できるといえるためには、酸化状態にある原子を有する化合物の還元剤として機能し、かつ、当該機能で課題を解決可能な本願発明の化合物ａ〜ｈを提供できることが課題といえる。
しかしながら、前記１の（３）で述べたとおり、結局、化合物ｅ、ｆができていないのであるから、課題である化合物の提供ができているとはいえない。
したがって、特許請求の範囲に記載された発明が、発明の詳細な説明に記載された発明ではないから、特許法第36条第6項第1号に規定する要件を満たしていない。

第５ むすび
以上のとおり、本願発明について、この出願は、発明の詳細な説明が当業者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載されたものでないから特許法第36条第4項第1号に規定する要件を満たしておらず、また、特許請求の範囲の記載が特許法第36条第6項第1号に適合するものではないから特許法第36条第6項に規定する要件を満たしておらず、この出願は、拒絶をすべきものである。

よって、結論のとおり審決する。

 
別掲 （行政事件訴訟法第４６条に基づく教示） この審決に対する訴えは、この審決の謄本の送達があった日から３０日（附加期間がある場合は、その日数を附加します。）以内に、特許庁長官を被告として、提起することができます。

審判長 瀬良 聡機
出訴期間として在外者に対し９０日を附加する。
 
審理終結日 2022-04-28 
結審通知日 2022-05-10 
審決日 2022-05-23 
出願番号 P2018-181287
審決分類 P 1 8・ 536- Z (C07F)
P 1 8・ 537- Z (C07F)
最終処分 02   不成立
特許庁審判長 瀬良 聡機
特許庁審判官 齊藤 真由美
野田 定文
発明の名称 基板上に層を形成するための還元剤としてのビス（トリメチルシリル）６員環系および類縁化合物  
代理人 特許業務法人北青山インターナショナル  

プライバシーポリシー   セキュリティーポリシー   運営会社概要   サービスに関しての問い合わせ