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| 審決分類 |
審判 査定不服 2項進歩性 特許、登録しない。 H01L |
|---|---|
| 管理番号 | 1390404 |
| 総通号数 | 11 |
| 発行国 | JP |
| 公報種別 | 特許審決公報 |
| 発行日 | 2022-11-25 |
| 種別 | 拒絶査定不服の審決 |
| 審判請求日 | 2022-01-19 |
| 確定日 | 2022-10-20 |
| 事件の表示 | 特願２０１７−１２２０１７「半導体装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成３０年 ２月 １日出願公開、特開２０１８− １９０７１〕について、次のとおり審決する。 |
| 結論 | 本件審判の請求は、成り立たない。 |
| 理由 |
第１ 手続の経緯 本願は、平成２９年６月２２日（優先権主張 平成２８年７月１４日）の出願であって、その手続の経緯は以下のとおりである。 令和 ３年 ３月２２日付け ：拒絶理由通知書 令和 ３年 ５月１３日 ：意見書、手続補正書の提出 令和 ３年１０月１１日付け ：拒絶査定 令和 ４年 １月１９日 ：審判請求書の提出 第２ 本願発明 本願の請求項１ないし２０に係る発明は、令和３年５月１３日に提出された手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし２０に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、その請求項１に記載された事項により特定される以下のとおりのものである。 「【請求項１】 基板上に、前記基板の表面からの高さが同じである複数の導体部を形成する導体部形成工程と、 隣接する前記導体部の間隙に熱硬化性樹脂組成物を導入し、前記導体部の頂部が露出するように前記熱硬化性樹脂組成物の硬化物で前記導体部を覆う被覆工程と、 前記硬化物の表面を研磨することなく、前記硬化物の上に前記頂部と電気的に接続する金属パターンを形成する多層配線工程と、をこの順に含む、半導体装置の製造方法であり、 前記間隙に対して導入する熱硬化性樹脂組成物の量を予め算出する、半導体装置の製造方法。」 第３ 原査定の拒絶の理由 原査定（令和３年１０月１１日付け拒絶査定）の拒絶の理由の概要は、以下のとおりである。 「２．（進歩性）この出願の請求項１−２０に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基づいて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法29条2項の規定により特許を受けることができない。 請求項１、２、４、１１−１４、２０については、引用文献１、８、９ 請求項３、５については、引用文献１、２、８、９ 請求項６については、引用文献１−３、８、９ 請求項７−９については、引用文献１−４、８、９ 請求項１０については、引用文献１−４、８、９ 請求項１５−１８については、引用文献１−５、８、９ 請求項１９については、引用文献１−６、８、９ 請求項１、４、１２、１３、２０については、引用文献７−９ 記 引用文献１：米国特許出願公開第２０１６／００３５６６６号明細書 引用文献２：米国特許出願公開第２０１３／０１６８８４９号明細書 引用文献３：特開２０００−２９９３３３号公報（周知技術を示す文献） 引用文献４：特開２００９−１７７０７２号公報 引用文献５：特開２０１３−０７４１８４号公報 引用文献６：特開２００４−３１１７８８号公報（周知技術を示す文献） 引用文献７：特開２０１２−０９９６４８号公報 引用文献８：特開２０１４−１８３３０２号公報（新たに引用する文献；周知技術を示す文献） 引用文献９：特開２００５−０６４４５６号公報（新たに引用する文献；周知技術を示す文献） 」 第４ 引用文献の記載及び引用発明 １．引用文献７（特開２０１２−０９９６４８号公報）について （１）引用文献７の記載事項 原査定の拒絶の理由に引用された引用文献７には図面とともに次の事項が記載されている。（なお、下線は当審で付与した。） （１−１）「【０００１】 本発明の実施例は、半導体装置とその製造方法に関する。」 （１−２）「【００１９】 図１Ａに示すように、第１の半導体チップ１０は、入出力パッド１２、ＭＯＳトランジスタ等を形成したアクティブ面を上側にし、その底面、側面をエポキシ樹脂等の第１のモールド樹脂体１３で封止されている。モールド樹脂体１３の上面は、基本的に第１の半導体チップ１０の上面と同一面上（面一）に配置される。第１の半導体チップ１０上面の入出力パッド１２からモールド樹脂体１３上面上に所定パターンで延在する銅等の再配線層１７が形成され、再配線層１７の上に銅等のメタルポスト１８、１９が形成されている。 ・・・途中省略・・・ 【００２１】 第２の半導体チップ２０、再配線層１７、ボンディングワイヤ２４、メタルポスト１８、１９の上端部以外を、エポキシ樹脂等の第２のモールド樹脂体２５が封止する。露出しているメタルポスト１８、１９の上面に、外部接続端子３０となる半田ボール等（ボール状電極）が接続される。」 （１−３）「【００２７】 図２Ａ〜２Ｎを参照して、図１Ａ、１Ｂに示す半導体装置の製造プロセスを説明する。 【００２８】 図２Ａに示すように、ダミー基板３１の上に接着シート３２を貼り付け、第１の半導体チップ１０を回路面、入出力パッド１２を下側にした、裏返し（倒立）した状態で接着する。ダミー基板３１は後に除去する物理的支持体であり、シリコン基板、ステンレス板等で形成できる。第１の半導体チップ１０は、予め裏面を研磨して、厚さを所望値まで減少させておくことができる。 【００２９】 図２Ｂに示すように、ダミー基板３１上に接着シート３２で固定した第１の半導体チップ１０をインジェクションモールドの金型内でモールド樹脂体１３で封止する。第１の半導体チップ１０の回路面とモールド樹脂体１３の表面（図では下面）とは、基本的に同一面（面一）となる。その後、接着シート３２ごとダミー基板３１を剥離する。なお、ダミー基板３１は、使い回すことができる。 【００３０】 図２Ｃに示すように、第１の半導体チップ１０の表面、モールド樹脂体１３の表面に亘って、絶縁膜１４を塗布する。例えば、スピンオングラス（ＳＯＧ）等の無機絶縁膜，ポリイミド等の有機絶縁膜を形成する。 【００３１】 図２Ｄに示すように、絶縁膜１４をパターニングするためのレジストパターンＰＲ１を形成し、絶縁膜１４をエッチングして、入出力パッド１２を露出する。なお、モールド樹脂体１３表面において再配線層を配置する領域以外の絶縁膜１４も除去している。その後レジストパターンＰＲ１は除去する。 【００３２】 図２Ｅに示すように、全面にＴｉＮ、Ｃｕ等の下地金属層１５をスパッタリング等により成膜する。下地金属層１５は、電解メッキ工程において、電流を流す電極となる導電層である。下地金属層１５上にメッキ領域に開口を有するレジストパターンＰＲ２を形成する。 【００３３】 図２Ｆに示すように、第１の半導体チップ１０とモールド樹脂体１３等を含む構造体をメッキ液３３に浸漬し、電解メッキを行うことにより、下地金属層１５上に、Ｃｕ等の再配線層１６を形成する。入出力パッド１２に接続された再配線層１６が形成される。なお、下地金属層１５も配線層として機能するので、金属層１５、１６を併せて再配線層１７とする。但し、図示の状態では、全ての再配線層１６が下地金属層１５で短絡された状態である。 【００３４】 図２Ｇに示すように、第１の半導体チップ１０、モールド樹脂体１３、再配線層１７等を含む構造体をメッキ液３３から取り出し、レジストパターンＰＲ２を除去する。 【００３５】 図２Ｈに示すように、再配線層１７の上にメタルポストを形成するための開口（ホール）を有するレジストパターンＰＲ３を構造体上に形成する。外側には、隣接するパッケージ用の開口も図示されている。 【００３６】 図２Ｉに示すように、再び第１の半導体チップ１０とモールド樹脂体１３を含む構造体をメッキ液３３に浸漬し、電解メッキを行うことにより、再配線層１７上に、Ｃｕ等のメタルポスト１８、１９を形成する。その後、構造体をメッキ液から取り出す。 【００３７】 図２Ｊに示すように、レジストパターンＰＲ３を除去する。さらに露出した下地金属層１５をエッチングして除去する。各再配線層１７が電気的に分離され、入出力パッド１２が再配線層１７、メタルポスト１８、１９により上方に引き出された状態となる。再配線層１７は図１Ｃに示された形状となる。なお、以下の図では絶縁層１４の図示を省略し、金属層１５、１６をまとめて再配線層１７として示す。 【００３８】 図２Ｋに示すように、裏面をバックグラインドし、ダイアタッチメントフィルム２１を接着した第２の半導体チップ２０を回路面、入出力パッド２２を上方にした正立状態で、第１の半導体チップ中央部にボンディングする。 【００３９】 図２Ｌに示すように、第２の半導体チップ２０の入出力パッド２２をボンディングワイヤ２４により、所定の再配線層１７に接続する。第１の半導体チップ１０の入出力パッド１２が露出している場合は、入出力パッド２２と入出力パッド１２とをワイヤボンディングしてもよい。 【００４０】 図２Ｍに示すように、メタルポスト１８、１９の上面を覆うように金型内に接着シート２６を配置し、モールド樹脂体２５で、第２の半導体チップ２０、ボンディングワイヤ２４、再配線層１７、メタルポスト１８、１９を封止する。接着シート２６で覆われたメタルポスト１８，１９の上面はモールド樹脂が付着しない。 【００４１】 図２Ｎに示すように、接着シート２６を剥離し、メタルポスト１８、１９頂面に外部接続端子３０として、半田ボール等を付ける。その後、モールド樹脂体２５、１３をダイシングして、半導体パッケージを個別化する。ダイシング領域には、半導体も金属も存在しない。」 （１−４）「【００５０】 図６Ａは、第５の実施例による半導体装置の断面図である。第５の実施例においては、ボンディングワイヤを用いず、再配線層とメタルポストにより第１の半導体チップの入出力パッドと第２の半導体チップの入出力パッドとを接続する。第１の実施例同様、第１の半導体チップ１０周囲を第１のモールド樹脂体１３で囲み、その上に第１の再配線層１７を形成する。ワイヤボンディングは行わず、第１の再配線層１７上に第１のメタルポスト１８、１９を形成する。第２の半導体チップ２０をダイアタッチメントフィルムを用いてダイボンドし、第２のモールド樹脂体２５を形成する。 【００５１】 図６Ｂに示すように、第２の半導体チップ２０、メタルポスト１８、１９の上面を覆うように接着シート２６を金型内に配置し、モールド樹脂体２５の封止を行う。接着シート２６を除去すれば、第２の半導体チップ２０、メタルポスト１８、１９の上面が露出する。 【００５２】 図６Ａに示すように、第２の半導体チップ２０、モールド樹脂体２５上に、第２の再配線層２７を形成し、第２の半導体チップ２０の入出力パッド２２とメタルポスト１８、１９との間の相互接続を行う。メタルポスト１８、１９は、内部接続用のメタルポストである。第２の再配線層２７上に外部接続用のメタルポスト２８、２９を形成する。第２の再配線層２７を埋め込み、外部接続用メタルポスト２８、２９の頂部を露出するエポキシ樹脂等の第３のモールド樹脂体３５をスピン塗布、インジェクションモールド等により形成する。メタルポスト２８、２９頂面に外部接続端子３０を接続する。 【００５３】 なお、メタルポスト、外部接続端子の配置は変更可能である。」 （１−５）「【図２−１】  【図２−２】  【図６】  」 （２）引用発明 上記「（１）引用文献７の記載事項」で摘記したことを踏まえると、引用文献７には次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。（なお、（Ａ）から（Ｍ）の表記は、本審決を作成するにあたって便宜上、当審にて付与したものである。） 「（Ａ）ダミー基板３１の上に接着シート３２を貼り付け、第１の半導体チップ１０を回路面、入出力パッド１２を下側にした状態で接着し（【００２８】、【図２−１】）、 （Ｂ）第１の半導体チップ１０をインジェクションモールドの金型内でエポキシ樹脂等のモールド樹脂体１３で封止し、その後、接着シート３２ごとダミー基板３１を剥離することで、第１の半導体チップ１０の回路面とモールド樹脂体１３の表面とは、基本的に同一面（面一）となり（【００１９】、【００２９】、【図２−１】）、 （Ｃ）第１の半導体チップ１０の表面、モールド樹脂体１３の表面に亘って、絶縁膜１４を塗布し（【００３０】、【図２−１】）、 （Ｄ）絶縁膜１４をパターニングするためのレジストパターンＰＲ１を形成し、絶縁膜１４をエッチングして、入出力パッド１２を露出させ、その後レジストパターンＰＲ１を除去し（【００３１】、【図２−１】）、 （Ｅ）全面にＴｉＮ、Ｃｕ等の下地金属層１５をスパッタリング等により成膜し、下地金属層１５上にメッキ領域に開口を有するレジストパターンＰＲ２を形成し（【００３２】、【図２−１】）、 （Ｆ）第１の半導体チップ１０とモールド樹脂体１３等を含む構造体をメッキ液３３に浸漬し、電解メッキを行うことにより、下地金属層１５上に、Ｃｕ等の再配線層１６を形成し、ここで、下地金属層１５も配線層として機能するので、金属層１５、１６を併せて再配線層１７とし（【００３３】、【図２−１】）、 （Ｇ）第１の半導体チップ１０、モールド樹脂体１３、再配線層１７等を含む構造体をメッキ液３３から取り出し、レジストパターンＰＲ２を除去し（【００３４】、【図２−１】）、 （Ｈ）再配線層１７の上にメタルポストを形成するための開口（ホール）を有するレジストパターンＰＲ３を構造体上に形成し（【００３５】、【図２−１】）、 （Ｉ）再び第１の半導体チップ１０とモールド樹脂体１３を含む構造体をメッキ液３３に浸漬し、電解メッキを行うことにより、再配線層１７上に、Ｃｕ等のメタルポスト１８、１９を形成し、その後、構造体をメッキ液から取り出し（【００３６】、【図２−２】） （Ｊ）レジストパターンＰＲ３を除去し、さらに露出した下地金属層１５をエッチングして除去することで、各再配線層１７が電気的に分離され、入出力パッド１２が再配線層１７、メタルポスト１８、１９により上方に引き出された状態となり（【００３７】、【図２−２】）、 （Ｋ）第２の半導体チップ２０をダイアタッチメントフィルム２１を用いてダイボンドし（【００５０】、【図６】）、 （Ｌ）第２の半導体チップ２０、メタルポスト１８、１９の上面を覆うように接着シート２６を金型内に配置し、エポキシ樹脂等のモールド樹脂体２５で封止を行った後、接着シート２６を除去することで、第２の半導体チップ２０、メタルポスト１８、１９の上面を露出させ（【００２１】、【００５１】、【図６】）、 （Ｍ）第２の半導体チップ２０、モールド樹脂体２５上に、第２の再配線層２７を形成し、第２の半導体チップ２０の入出力パッド２２とメタルポスト１８、１９との間の相互接続を行う（【００５２】、【図６】）、製造プロセスをその順に実行することを含む（【図２−１】、【図２−２】、【図６】）、 半導体装置の製造方法。」 ２．引用文献８（特開２０１４−１８３３０２号公報）について （１）引用文献８の記載事項 原査定の拒絶の理由に引用された引用文献８には図面とともに次の事項が記載されている。（なお、下線は当審で付与した。） （１−１）「【０００１】 本発明は、産業用機器や民生機器のモータ制御などに使用される半導体モジュール及びその製造方法に関する。」 （１−２）「【００１８】 まず、ベース板１上にコレクタ配線３、エミッタ配線４、及びゲート配線５を形成し、半導体素子６を実装する。次に、半導体素子６をそれぞれアルミワイヤ７、８によりエミッタ配線４及びゲート配線５に接続する。次に、図２及び図３に示すように、それらを下金型２０と上金型２１の間のキャビティ２２内に入れる。下金型２０に設けられたポット部２３ａ、２３ｂ、２３ｃ、２３ｄに固形化された第１の樹脂１７をセットし、その次に固形化された第２の樹脂１８をセットする。下金型２０と上金型２１が勘合した後、プランジャー２４により第１の樹脂１７を押し上げ、金型内のゲート部２５を経由してキャビティ２２内に注入する。この際に下金型２０と上金型２１は高温（例えば１７５℃）に設定されており、熱硬化型の第１の樹脂１７は硬化状態へ変化しながら注入されていく。キャビティ２２内において第１の樹脂１７はベース板１の部品搭載面に接する箇所から充填されていき、少しずつ半導体モジュール上面へと注入されていく。なお、半導体モジュールの外形サイズによって必要な樹脂量が決まり、必要なポット数が決定される。」 上記「（１）引用文献８の記載事項」で摘記した事項から、引用文献８には、以下の技術事項が開示されている。 「半導体モジュールの製造方法において、キャビティ内に注入する熱硬化型の樹脂の量は、半導体モジュールの外形サイズによって必要な樹脂量が決まる。」という技術事項。 ３．引用文献９（特開２００５−０６４４５６号公報）について （１）引用文献９の記載事項 原査定の拒絶の理由に引用された引用文献９には図面とともに次の事項が記載されている。（なお、下線は当審で付与した。） （１−１）「【０００１】 この発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に、ウエハプロセスにおいてパッケージング工程が行われるＷＣＳＰ（Ｗａｆｅｒ Ｌｅｖｅｌ Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐａｃｋａｇｅ）に適用して有効な半導体装置の製造方法に関する。」 （１−２）「【００６９】 〈封止工程の説明〉 ・・・途中省略・・・ 【００８０】 次に、離型フィルム４０の樹脂配置領域４０ａ上に、所定量の顆粒状樹脂５０を、計量カップ又は従来公知の治具等を用いて、例えば円錐状に堆積させる。この堆積形状は円錐形状に限られず、種々の底面形状を有する略錐体形状とすることができる。 【００８１】 この顆粒状樹脂５０は、市販のエポキシ系樹脂を使用するのが好適である。 ・・・途中省略・・・ 【００８２】 顆粒状樹脂５０の量については、適用される半導体ウェハ１１のサイズ、形成される半導体装置１０の仕様、すなわち、最終的に封止樹脂の占める容積を勘案して決定される。 【００８３】 具体的には、例えば８インチ径の半導体ウェハ１１に封止工程を行うとすると、半導体ウェハ１１上の封止樹脂により封止されるべき面積と封止樹脂の高さとを乗じ、求められた体積（封止樹脂の見かけ上の体積）から電極ポストの占める体積を減じて、体積（真の体積）として算出する。加えて、一般に、樹脂は硬化処理に基因してその体積が収縮又は膨張する。従って、この真の体積は、硬化処理による樹脂の体積の収縮又は膨張を考慮して算出する。このようにして算出された封止樹脂の真の体積に基づいて、重量に換算する。 【００８４】 例えば、８インチ（１インチ＝２．５４ｃｍ）径の半導体ウェハを使用し、所要の顆粒状樹脂５０の換算重量が１２ｇ（グラム）であると仮定すると、離型フィルム４０上には、樹脂配置領域４０ａとして直径１００ｍｍ程度の円形の領域を設定するのが好適である。そして、樹脂配置領域４０ａに、好ましくは、厚みｈ１が最大１０ｍｍ程度の円錐状となるように堆積させればよい。 ・・・以下省略・・・ 」 上記「（１）引用文献９の記載事項」で摘記した事項から、引用文献９には、以下の技術事項が開示されている。 「半導体装置の製造方法に関し、封止工程において使用される顆粒状樹脂（市販のエポキシ系樹脂）の量は、適用される半導体ウェハのサイズ、形成される半導体装置の仕様、すなわち、最終的に封止樹脂の占める容積を勘案して決定される。」という技術事項。 第５ 対比 １．対比 本願発明と引用発明とを対比する。 （１）『基板上に、前記基板の表面からの高さが同じである複数の導体部を形成する導体部形成工程と、』について （１−１） 引用発明においては、製造プロセス（Ａ）及び（Ｂ）を経て、第１の半導体チップ１０の回路面とモールド樹脂体１３の表面とが基本的に同一面（面一）である“第１の半導体チップ１０を封止したエポキシ樹脂等のモールド樹脂体１３”が形成されている。 そして、当該“第１の半導体チップ１０を封止したエポキシ樹脂等のモールド樹脂体１３”の表面上に、製造プロセス（Ｃ）〜（Ｇ）を経た後に、製造プロセス（Ｈ）〜（Ｊ）によって再配線層１７上に、Ｃｕ等のメタルポスト１８、１９を形成している。 上記“第１の半導体チップ１０を封止したエポキシ樹脂等のモールド樹脂体１３”は、第１の半導体チップ１０の回路面とモールド樹脂体１３の表面とが基本的に同一面（面一）であるから、即ち、「平坦性」との特性を備えているといえる。また、上記モールド樹脂体１３として使用されているエポキシ樹脂は、熱硬化性樹脂として「剛直性」や「耐熱性」等の特性を備えることは、当業者にとって自明な事項である。 ここで、本願発明における『基板』とは、本願明細書の段落【００１７】に「基板１０としては、平坦性、剛直性および耐熱性等の特性を有する基板であれば、公知のものを使用することが可能である。」と記載されている。 してみると、「平坦性」、「剛直性」、「耐熱性」等の特性を有している上記“第１の半導体チップ１０を封止したエポキシ樹脂等のモールド樹脂体１３”は、本願発明でいう『基板』に対応するものといえる。 （１−２） 引用発明においては、製造プロセス（Ｈ）〜（Ｊ）によって再配線層１７上に、Ｃｕ等のメタルポスト１８、１９を形成しており、上記“「再配線層１７」及び「Ｃｕ等のメタルポスト１８、１９」”は、“第１の半導体チップ１０を封止したエポキシ樹脂等のモールド樹脂体１３”の上に形成されている導電体であるから、本願発明でいう『複数の導体部』に対応するといえる。 してみると、引用発明の製造プロセス（Ｈ）〜（Ｊ）は、本願発明でいう『複数の導体部を形成する導体部形成工程』に対応するといえる。 （１−３） 上記（１−１）及び（１−２）で検討したことを踏まえると、本願発明と引用発明とは、『基板上に、複数の導体部を形成する導体部形成工程』を備えるという点で共通している。 一方、本願発明には『複数の導体部』について、『前記基板の表面からの高さが同じである』との事項が特定されているのに対し、引用発明にはかかる事項が特定されていない点で相違している。 （２）『隣接する前記導体部の間隙に熱硬化性樹脂組成物を導入し、前記導体部の頂部が露出するように前記熱硬化性樹脂組成物の硬化物で前記導体部を覆う被覆工程と、』について 引用発明においては、製造プロセス（Ｌ）で「第２の半導体チップ２０、メタルポスト１８、１９の上面を覆うように接着シート２６を金型内に配置し、エポキシ樹脂等のモールド樹脂体２５で封止を行った後、接着シート２６を除去することで、第２の半導体チップ２０、メタルポスト１８、１９の上面を露出させ」ている。 ここで、引用発明の製造プロセス（Ｌ）において、モールド樹脂体２５として用いられているエポキシ樹脂は「熱硬化性樹脂」といわれる樹脂であることは当業者にとって自明な事項である。 また、引用発明の製造プロセス（Ｌ）において、エポキシ樹脂等のモールド樹脂体２５で封止されるのは、【図６】の記載を参酌すると、再配線層１７、メタルポスト１８、１９、第２の半導体チップ２０、接着シート２６とで形成される空間であることは明らかであるから、当該空間には本願発明でいう『隣接する前記導体部の間隙』が含まれている。 さらに、引用発明の製造プロセス（Ｌ）においては、「エポキシ樹脂等のモールド樹脂体２５で封止を行った後、接着シート２６を除去することで、第２の半導体チップ２０、メタルポスト１８、１９の上面を露出」させているのであるから、本願発明と同様に『前記導体部の頂部が露出するように前記熱硬化性樹脂組成物の硬化物で前記導体部を覆』っているといえる。 してみると、引用発明の製造プロセス（Ｌ）は、本願発明でいう『隣接する前記導体部の間隙に熱硬化性樹脂組成物を導入し、前記導体部の頂部が露出するように前記熱硬化性樹脂組成物の硬化物で前記導体部を覆う被覆工程』に相当する。 （３）『前記硬化物の表面を研磨することなく、前記硬化物の上に前記頂部と電気的に接続する金属パターンを形成する多層配線工程と、』について 引用発明においては、製造プロセス（Ｍ）で「第２の半導体チップ２０、モールド樹脂体２５上に、第２の再配線層２７を形成し、第２の半導体チップ２０の入出力パッド２２とメタルポスト１８、１９との間の相互接続」を行っているのであるから、前記「第２の再配線層２７」は、本願発明でいう『前記硬化物の上に前記頂部と電気的に接続する金属パターン』に対応するものである。 また、引用発明においては、製造プロセス（Ｆ）で特定されている「再配線層１７」と製造プロセス（Ｍ）で特定されている「第２の再配線層２７」とで『多層配線』を構成している。 なお、製造プロセス（Ｍ）の前に行われる製造プロセス（Ｌ）において、「・・・エポキシ樹脂等のモールド樹脂体２５で封止を行った後、接着シート２６を除去することで、第２の半導体チップ２０、メタルポスト１８、１９の上面を露出」させており、第２の半導体チップ２０とメタルポスト１８、１９の上面を露出させるにあたって、いわゆる、機械的研磨は行われていない。 してみると、引用発明の製造プロセス（Ｍ）は、本願発明でいう『前記硬化物の表面を研磨することなく、前記硬化物の上に前記頂部と電気的に接続する金属パターンを形成する多層配線工程』に相当する。 （４）『をこの順に含む、半導体装置の製造方法であり、』について 引用発明の製造プロセス（Ａ）ないし（Ｍ）は、半導体装置を製造するにあたって、その順に実行するものであるから、引用発明も本願発明と同様に『をこの順に含む、半導体装置の製造方法』といえる。 （５）『前記間隙に対して導入する熱硬化性樹脂組成物の量を予め算出する、』について 引用発明には、「使用するエポキシ樹脂等のモールド樹脂体２５の量を予め算出する」事項については特定されていないから、その点において本願発明と引用発明とは相違している。 ２．一致点及び相違点 上記「１．対比」で検討した事項を踏まえると、本願発明と引用発明との一致点及び相違点は以下のとおりである。 （一致点） 「基板上に、複数の導体部を形成する導体部形成工程と、 隣接する前記導体部の間隙に熱硬化性樹脂組成物を導入し、前記導体部の頂部が露出するように前記熱硬化性樹脂組成物の硬化物で前記導体部を覆う被覆工程と、 前記硬化物の表面を研磨することなく、前記硬化物の上に前記頂部と電気的に接続する金属パターンを形成する多層配線工程と、をこの順に含む、 半導体装置の製造方法。」 （相違点１） 本願発明には『複数の導体部』について、『前記基板の表面からの高さが同じである』との事項が特定されているのに対し、引用発明にはかかる事項が特定されていない点。 （相違点２） 本願発明には『前記間隙に対して導入する熱硬化性樹脂組成物の量を予め算出する、』との事項が特定されているのに対し、引用発明にはかかる事項が特定されていない点。 第６ 判断 上記相違点について判断する。 １．相違点１について 引用文献７には、“第１の半導体チップ１０を封止したエポキシ樹脂等のモールド樹脂体１３”の上に形成される導電体である“「再配線層１７」及び「Ｃｕ等のメタルポスト１８、１９」”、つまり、「再配線層１７とメタルポスト１８とからなる導電体」と「再配線層１７とメタルポスト１９とからなる導電体」の“第１の半導体チップ１０を封止したエポキシ樹脂等のモールド樹脂体１３”の表面からの高さが同じである旨の記載はない。 その一方で、引用文献７には、「再配線層１７とメタルポスト１８とからなる導電体」と「再配線層１７とメタルポスト１９とからなる導電体」の“第１の半導体チップ１０を封止したエポキシ樹脂等のモールド樹脂体１３”の表面からの高さをそれぞれ異ならせる旨の記載もない。加えて、引用文献７には、それぞれの前記「導電体」の前記「高さ」を敢えて異ならせる特別な事情があることを示唆する記載も無い。 むしろ、引用発明の様な多層構造を有する半導体装置を製造するに際して、各層を電気的に接続する導電体の高さを各々異ならせる様にすることは、製造工程の複雑化等を招くことになるから、可能な限り避けようとするのが当業者の技術常識である。 さらに、引用発明において、「再配線層１７とメタルポスト１８とからなる導電体」と「再配線層１７とメタルポスト１９とからなる導電体」は、いずれも製造プロセス（Ｅ）ないし（Ｊ）により同一工程で形成されるものであるから、モールド樹脂体１３の表面からの高さも同じとなる蓋然性が高い。 してみると、引用発明においても、“第１の半導体チップ１０を封止したエポキシ樹脂等のモールド樹脂体１３”の上に形成される導電体である“「再配線層１７」及び「Ｃｕ等のメタルポスト１８、１９」”（つまり、「再配線層１７とメタルポスト１８とからなる導電体」と「再配線層１７とメタルポスト１９とからなる導電体」）の“第１の半導体チップ１０を封止したエポキシ樹脂等のモールド樹脂体１３”の表面からの高さは実質的に同じになっていると解され、仮にそうでないとしても、それを同じにすることは、当業者が容易になし得るものである。 ２．相違点２について 上記「第４ 引用文献の記載及び引用発明」の「２．引用文献８（特開２０１４−１８３３０２号公報）について」及び「３．引用文献９（特開２００５−０６４４５６号公報）について」で言及した様に、「半導体装置の製造方法（半導体モジュールの製造方法）において、封止のために用いられる熱硬化型の樹脂（エポキシ系樹脂）の量は、適用される半導体ウェハのサイズ、形成される半導体装置の仕様を勘案して決定される。」こと、即ち、「半導体装置の製造方法において、封止のために用いられる熱硬化型の樹脂の量を予め算出する」との事項は、当該技術分野において通常行われる手法であり、かつ、本願明細書の記載の限りにおいて、本願発明の「前記間隙に対して導入する熱硬化性樹脂組成物の量を予め算出する」点に当該手法とは異なる格別の技術的意義は見いだせない。 また、半導体装置の製造方法において、封止のために用いられる熱硬化型の樹脂の量を予め算出することをせずに封止工程を行うと、樹脂の封入量が少な過ぎるため導体間の絶縁性の悪化を引き起こしたり、反対に装置内に樹脂を過剰に注入することで導電性を確保すべき箇所の導電性の悪化を引き起こしたりする等の好ましくない事象が起きる可能性が大きくなることは当業者であれば自明である。 してみると、引用文献８や９に開示されている様な手法が本願の優先権主張日前において通常行われていることに鑑みれば、引用発明において、「使用するエポキシ樹脂等のモールド樹脂体２５の量を予め算出する」との製造プロセスを付加することは、当業者であれば容易になし得るものである。 ３．結論 以上、検討したように、本願発明は、引用発明及び引用文献８、９に開示された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 第７ 審判請求書での主張 １．請求人の主張 審判請求人は、審判請求書において概ね以下の点を主張している。 （主張１） 「複数の導電ポストの高さ」について、「本願発明と引用文献１に記載された発明とは相違するというべきです。」（相違点の看過）、及び、「また、拒絶査定では「そうでないとしても、引用文献１に記載された発明において、複数の導電ポストの高さを同じとすることは、当業者が容易になし得たことである。」と指摘されていますが、その「根拠、理由」は何ら示されていません。引用文献１やその他引用文献に複数の導電ポストの高さを同じとすることの具体的示唆・教示はなく、引用文献１に記載された発明において複数の導電ポストの高さを同じとすることは、本願発明を知らない当業者にとって容易とは言えません。」（根拠及び理由の欠如）という主張。 （主張２） 本願発明の「前記間隙に対して導入する熱硬化性樹脂組成物の量を予め算出する」という要件について、「引用文献８で想定されている半導体モジュールや引用文献９で想定されている半導体装置は、本願発明が想定している半導体装置の構造とは異なるものであるから、引用文献８および９の記載から導くことはできず、容易想到ということはできません。」という主張。 （主張３） 拒絶査定における容易想到の論理付けについて、「引用文献１に記載された発明（引用発明）から本願発明に至るには、引用発明を改変した発明（引用発明そのものではない）を、さらに改変する、という２段階の改変が必要となります。・・・つまり、拒絶査定における進歩性の論理付けは、審査基準に則った妥当なものとはいえず、この点で原査定は取り消されるべきです。」（容易の容易）という主張。 ２．検討 上記主張１〜３について検討する。 審判請求書による上記「（主張１）」及び「（主張２）」については、上記「第６ 判断」の「１．相違点１について」及び「２．相違点２について」で検討したとおりである。 審判請求書による上記「（主張３）」については、上記「第６ 判断」の「１．相違点１について」及び「２．相違点２について」で言及した様に、「複数の導電ポストの高さを同じにする」という事項は、半導体装置を製造するに際して、特別な事情が無い限りは、当業者が採用する一般的な事項である。 また、「前記間隙に対して導入する熱硬化性樹脂組成物の量を予め算出する」という事項についても、半導体装置を製造するに際して、通常行われる手法である。 上述した様に、「複数の導電ポストの高さを同じにする」という事項や「前記間隙に対して導入する熱硬化性樹脂組成物の量を予め算出する」という事項は、いずれも、半導体装置を製造するに際して当業者が普通に採用する、いわゆる、当該技術分野における周知慣用技術ともいえる様な事項であるから、それらの事項を引用発明に採用することは、たとえ引用発明に対して「２つ」の技術事項を採用（適用）するものであっても、その論理付けが、一概に「容易の容易」あたると判断すべきものであるとはいえない。 以上のとおりであるから、審判請求書による主張はいずれも採用できない。 第８ むすび 以上のとおり、本願発明は、特許法第29条第2項の規定により特許を受けることができないから、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。 よって、結論のとおり審決する。 |
| 別掲 |
（行政事件訴訟法第４６条に基づく教示） この審決に対する訴えは、この審決の謄本の送達があった日から３０日（附加期間がある場合は、その日数を附加します。）以内に、特許庁長官を被告として、提起することができます。 |
| 審理終結日 | 2022-08-22 |
| 結審通知日 | 2022-08-23 |
| 審決日 | 2022-09-07 |
| 出願番号 | P2017-122017 |
| 審決分類 |
P
1
8・
121-
Z
(H01L)
|
| 最終処分 | 02 不成立 |
| 特許庁審判長 |
瀧内 健夫 |
| 特許庁審判官 |
棚田 一也 佐藤 智康 |
| 発明の名称 | 半導体装置の製造方法 |
| 代理人 | 速水 進治 |