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審決分類 審判 全部申し立て 2項進歩性  G03F
審判 全部申し立て 特36条6項1、2号及び3号 請求の範囲の記載不備  G03F
管理番号 1390539
総通号数 11 
発行国 JP 
公報種別 特許決定公報 
発行日 2022-11-25 
種別 異議の決定 
異議申立日 2021-03-02 
確定日 2022-09-09 
異議申立件数 1 
訂正明細書 true 
事件の表示 特許第６７５６９５７号発明「ポジ型感光性樹脂組成物、パターン硬化膜の製造方法、層間絶縁膜、カバーコート層又は表面保護膜及び電子部品」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。 
結論 特許第６７５６９５７号の明細書、特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１〜３０〕について訂正することを認める。 特許第６７５６９５７号の請求項１〜３０に係る特許を維持する。 
理由 第１ 手続等の経緯
特許第６７５６９５７号の請求項１〜３０に係る発明（以下「本件特許」という。）についての出願（特願２０１６−５７１８６３号）は、２０１６年（平成２８年）１月２６日（優先権主張 平成２７年１月２８日）を国際出願日とする出願であって、令和２年９月１日に特許権の設定の登録がされたものである。
本件特許について、令和２年９月１６日に特許掲載公報が発行されたところ、発行の日から６月以内である令和３年３月２日に、特許異議申立人 特許業務法人 朝日奈特許事務所（以下「特許異議申立人」という。）から、特許異議の申立てがされた。
その後の手続等の経緯は、以下の通りである。
令和３年 ６月２９日付け：取消理由通知書
令和３年 ８月３１日付け：訂正請求書
令和３年 ８月３１日付け：意見書（特許権者）
令和３年１１月１５日付け：手続補正書
令和３年１１月１９日付け：120条の5第5項の規定に基づく訂正請求があった旨の通知
令和３年１２月 ８日付け：意見書（特許異議申立人）
令和４年 ２月１５日付け：取消理由通知書（決定の予告）
令和４年 ４月２６日付け：訂正請求書
令和４年 ４月２６日付け：意見書（特許権者）
令和４年 ５月１９日付け：120条の5第5項の規定に基づく訂正請求があった旨の通知
令和４年 ６月２２日付け：意見書（特許異議申立人）


第２ 本件訂正請求及び訂正の適否についての判断
令和４年４月２６日にされた訂正の請求を、以下「本件訂正請求」という。
１ 訂正の趣旨
本件訂正請求の趣旨は、特許第６７５６９５７号の特許請求の範囲を、本件訂正請求書に添付した訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項１〜３０について訂正することを求める、というものである。

２ 訂正の内容
本件訂正請求において、特許権者が求める訂正の内容は、以下のとおりである。なお、下線は訂正箇所を示す。
（１）訂正事項１
訂正事項１による訂正は、請求項１において、「一般式（１）で表される化合物を含む多段膜厚パターニング用のポジ型感光性樹脂組成物」と記載されているのを、「一般式（１）で表される化合物を含む、厚みが異なる複数箇所の一括同時現像用であって積層デバイス構造のマルチダイファンアウトウエハレベルパッケージ用のポジ型感光性樹脂組成物」に訂正するものである。
請求項１を直接又は間接的に引用する請求項３〜８についても同様に訂正するものである。

（２）訂正事項２
訂正事項２による訂正は、請求項２において、「最外層にパターン硬化膜を形成するために用いるポジ型感光性樹脂組成物」と記載されているのを、「最外層にパターン硬化膜を形成するために用いる、厚みが異なる複数箇所の一括同時現像用であって積層デバイス構造のマルチダイファンアウトウエハレベルパッケージ用ポジ型感光性樹脂組成物」に訂正するものである。
請求項２を直接又は間接的に引用する請求項３〜８についても同様に訂正するものである。

（３）訂正事項３
訂正事項３による訂正は、請求項３において、「前記（ｂ）成分が下記一般式（ｂ−１）、下記一般式（ｂ−２）又は下記一般式（ｂ−３）で表される化合物を含む請求項１又は２に記載のポジ型感光性樹脂組成物。
【化５】

【化６】

【化７】

（一般式（ｂ−１）、（ｂ−２）及び（ｂ−３）中、Ｒはそれぞれ独立に下記式で表される基又は水素原子であり、各化合物の全てのＲが水素原子であることはない。）
【化８】

」と記載されているもののうち、請求項１を引用する請求項３を、「（ａ）下記一般式（ａ−１）で表される構造単位を有するポリベンゾオキサゾール前駆体と、（ｂ）感光剤と、（ｃ）溶剤と、（ｄ）架橋剤とを含有し、前記（ｂ）成分が下記一般式（ｂ−１）、下記一般式（ｂ−２）又は下記一般式（ｂ−３）で表される化合物を含む、厚みが異なる複数箇所の一括同時現像用であって積層デバイス構造のマルチダイファンアウトウエハレベルパッケージ用のポジ型感光性樹脂組成物。
【化５】

（式中、Ｕは２価の有機基、単結合、−Ｏ−、又は、−ＳＯ２−であり、Ｖは炭素数１〜３０の脂肪族基を示す。）
【化６】

【化７】

【化８】

（一般式（ｂ−１）、（ｂ−２）及び（ｂ−３）中、Ｒはそれぞれ独立に下記式で表される基又は水素原子であり、各化合物の全てのＲが水素原子であることはない。）
【化９】

」として、新たに請求項３とするものである。

（４）訂正事項４
訂正事項４による訂正は、請求項４において、「前記（ｄ）成分が、メチロール基又はアルコキシアルキル基を有する化合物である請求項１〜３のいずれか一項に記載のポジ型感光性樹脂組成物。」と記載されているもののうち、請求項１を引用する請求項３を引用する請求項４を、「（ａ）下記一般式（ａ−１）で表される構造単位を有するポリベンゾオキサゾール前駆体と、（ｂ）感光剤と、（ｃ）溶剤と、（ｄ）架橋剤とを含有し、前記（ｂ）成分が下記一般式（ｂ−１）、下記一般式（ｂ−２）又は下記一般式（ｂ−３）で表される化合物を含み、前記（ｄ）成分が、Ｎ位がメチロール基若しくはアルコキシメチル基で置換されたメラミン樹脂又は尿素樹脂である、１０〜１２μｍの塗布膜及び２０〜３０μｍの塗布膜の一括同時露光現像用であって積層デバイス構造のマルチダイファンアウトウエハレベルパッケージ用のポジ型感光性樹脂組成物。
【化１０】

（式中、Ｕは２価の有機基、単結合、−Ｏ−、又は、−ＳＯ２−であり、Ｖは炭素数１〜３０の脂肪族基を示す。）
【化１１】

【化１２】

（一般式（ｂ−２）及び（ｂ−３）中、Ｒはそれぞれ独立に下記式で表される基又は水素原子であり、各化合物の全てのＲが水素原子であることはない。）
【化１３】

」として、新たに請求項４とするものである。

（５）訂正事項５
訂正事項５による訂正は、請求項５において、「請求項１〜４のいずれか一項に記載の」と記載されているのを、「請求項１に記載の」と訂正するものである。
請求項５を引用する請求項６についても同様に訂正するものである。

（６）訂正事項６
訂正事項６による訂正は、請求項７において、「請求項１〜４のいずれか一項に記載の」と記載されているのを、「請求項１に記載の」と訂正するものである。
請求項７を引用する請求項８についても同様に訂正するものである。

（７）訂正事項７
訂正事項７による訂正は、請求項２を引用する請求項５を、
「請求項２に記載のポジ型感光性樹脂組成物を基板上に塗布、乾燥して感光性樹脂膜を形成する工程と、
前記感光性樹脂膜を所定のパターンに露光する工程と、
露光後の前記樹脂膜をアルカリ水溶液を用いて現像しパターン樹脂膜を形成する工程と、
前記パターン樹脂膜を加熱処理する工程と、
を含むパターン硬化膜の製造方法。」として、新たに請求項９とするものである。

（８）訂正事項８
訂正事項８による訂正は、請求項２を引用する請求項５を引用する請求項６を、請求項２を引用する請求項５を新たに請求項９とする上記訂正事項７に伴い、
「前記パターン樹脂膜を加熱処理する工程において、加熱処理温度が２５０℃以下である請求項９に記載のパターン硬化膜の製造方法。」として、新たに請求項１０とするものである。

（９）訂正事項９
訂正事項９による訂正は、請求項２を引用する請求項７を、
「請求項２に記載のポジ型感光性樹脂組成物のパターン硬化膜を用いた、層間絶縁膜、カバーコート層又は表面保護膜。」として、新たに請求項１１とするものである。

（１０）訂正事項１０
訂正事項１０による訂正は、請求項２を引用する請求項７を引用する請求項８を、請求項２を引用する請求項７を新たに請求項１１とする上記訂正事項９による訂正に伴い、
「請求項１１に記載の層間絶縁膜、カバーコート層又は表面保護膜を有する電子部品。」として、新たに請求項１２とするものである。

（１１）訂正事項１１
訂正事項１１による訂正は、請求項１を引用する請求項３を引用する請求項５を、
「請求項３に記載のポジ型感光性樹脂組成物を基板上に塗布、乾燥して感光性樹脂膜を形成する工程と、
前記感光性樹脂膜を所定のパターンに露光する工程と、
露光後の前記樹脂膜をアルカリ水溶液を用いて現像しパターン樹脂膜を形成する工程と、
前記パターン樹脂膜を加熱処理する工程と、
を含むパターン硬化膜の製造方法。」として、新たに請求項１３とするものである。

（１２）訂正事項１２
訂正事項１２による訂正は、請求項１を引用する請求項３を引用する請求項５を引用する請求項６を、請求項１を引用する請求項３を引用する請求項５を新たに請求項１３とする上記訂正事項１１に伴い、
「前記パターン樹脂膜を加熱処理する工程において、加熱処理温度が２５０℃以下である請求項１３に記載のパターン硬化膜の製造方法。」として、新たに請求項１４とするものである。

（１３）訂正事項１３
訂正事項１３による訂正は、請求項１を引用する請求項３を引用する請求項７を、
「請求項３に記載のポジ型感光性樹脂組成物のパターン硬化膜を用いた、層間絶縁膜、カバーコート層又は表面保護膜。」として、新たに請求項１５とするものである。

（１４）訂正事項１４
訂正事項１４による訂正は、請求項１を引用する請求項３を引用する請求項７を引用する請求項８を、請求項１を引用する請求項３を引用する請求項７を新たに請求項１５とする上記訂正事項１３による訂正に伴い、
「請求項１５に記載の層間絶縁膜、カバーコート層又は表面保護膜を有する電子部品。」として、新たに請求項１６とするものである。

（１５）訂正事項１５
訂正事項１５による訂正は、請求項４を引用する請求項５を、
「請求項４に記載のポジ型感光性樹脂組成物を基板上に塗布、乾燥して感光性樹脂膜を形成する工程と、
前記感光性樹脂膜を所定のパターンに露光する工程と、
露光後の前記樹脂膜をアルカリ水溶液を用いて現像しパターン樹脂膜を形成する工程と、
前記パターン樹脂膜を加熱処理する工程と、
を含むパターン硬化膜の製造方法。」として、新たに請求項１７とするものである。

（１６）訂正事項１６
訂正事項１６による訂正は、請求項４を引用する請求項５を引用する請求項６を、請求項４を引用する請求項５を新たに請求項１７とする上記訂正事項１５に伴い、
「前記パターン樹脂膜を加熱処理する工程において、加熱処理温度が２５０℃以下である請求項１７に記載のパターン硬化膜の製造方法。」として、新たに請求項１８とするものである。

（１７）訂正事項１７
訂正事項１７による訂正は、請求項４を引用する請求項７を、
「請求項４に記載のポジ型感光性樹脂組成物のパターン硬化膜を用いた、層間絶縁膜、カバーコート層又は表面保護膜。」として、新たに請求項１９とするものである。

（１８）訂正事項１８
訂正事項１８による訂正は、請求項４を引用する請求項７を引用する請求項８を、請求項４を引用する請求項７を新たに請求項１９とする上記訂正事項１７による訂正に伴い、
「請求項１９に記載の層間絶縁膜、カバーコート層又は表面保護膜を有する電子部品。」として、新たに請求項２０とするものである。

（１９）訂正事項１９
訂正事項１９による訂正は、請求項２を引用する請求項３を、
「（ａ）下記一般式（ａ−１）で表される構造単位を有するポリベンゾオキサゾール前駆体と、（ｂ）感光剤と、（ｃ）溶剤と、（ｄ）架橋剤とを含有し、
前記（ｂ）成分が下記一般式（ｂ−１）、下記一般式（ｂ−２）又は下記一般式（ｂ−３）で表される化合物を含む、積層部とスクライブライン部とを有する基板上の、前記積層部の最外層部及び前記スクライブライン部に塗布し、前記最外層にパターン硬化膜を形成するために用いる、厚みが異なる複数箇所の一括同時現像用であって積層デバイス構造のマルチダイファンアウトウエハレベルパッケージ用ポジ型感光性樹脂組成物。
【化１４】

（式中、Ｕは２価の有機基、単結合、−Ｏ−、又は、−ＳＯ２−であり、Ｖは炭素数１〜３０の脂肪族基を示す。）
【化１５】

【化１６】

【化１７】

（一般式（ｂ−１）、（ｂ−２）及び（ｂ−３）中、Ｒはそれぞれ独立に下記式で表される基又は水素原子であり、各化合物の全てのＲが水素原子であることはない。）
【化１８】

」として、新たに請求項２１とするものである。

（２０）訂正事項２０
訂正事項２０による訂正は、請求項２を引用する請求項３を引用する請求項５を、請求項２を引用する請求項３を新たに請求項２１とする上記訂正事項１９による訂正に伴い、
「請求項２１に記載のポジ型感光性樹脂組成物を基板上に塗布、乾燥して感光性樹脂膜を形成する工程と、
前記感光性樹脂膜を所定のパターンに露光する工程と、
露光後の前記樹脂膜をアルカリ水溶液を用いて現像しパターン樹脂膜を形成する工程と、
前記パターン樹脂膜を加熱処理する工程と、
を含むパターン硬化膜の製造方法。」として、新たに請求項２２とするものである。

（２１）訂正事項２１
訂正事項２１による訂正は、請求項２を引用する請求項３を引用する請求項５を引用する請求項６を、請求項２を引用する請求項３を引用する請求項５を新たに請求項２２とする上記訂正事項２０に伴い、
「前記パターン樹脂膜を加熱処理する工程において、加熱処理温度が２５０℃以下である請求項２２に記載のパターン硬化膜の製造方法。」として、新たに請求項２３とするものである。

（２２）訂正事項２２
訂正事項２２による訂正は、請求項２を引用する請求項３を引用する請求項７を、請求項２を引用する請求項３を新たに請求項２１とする上記訂正事項１９に伴い、
「請求項２１に記載のポジ型感光性樹脂組成物のパターン硬化膜を用いた、層間絶縁膜、カバーコート層又は表面保護膜。」として、新たに請求項２４とするものである。

（２３）訂正事項２３
訂正事項２３による訂正は、請求項２を引用する請求項３を引用する請求項７を引用する請求項８を、請求項２を引用する請求項３を引用する請求項７を新たに請求項２４とする上記訂正事項２２による訂正に伴い、
「請求項２４に記載の層間絶縁膜、カバーコート層又は表面保護膜を有する電子部品。」として、新たに請求項２５とするものである。

（２４）訂正事項２４
訂正事項２４による訂正は、請求項２を引用する請求項３を引用する請求項４を、
「（ａ）下記一般式（ａ−１）で表される構造単位を有するポリベンゾオキサゾール前駆体と、（ｂ）感光剤と、（ｃ）溶剤と、（ｄ）架橋剤とを含有し、
前記（ｂ）成分が下記一般式（ｂ−２）又は下記一般式（ｂ−３）で表される化合物を含み、
前記（ｄ）成分が、Ｎ位がメチロール基若しくはアルコキシメチル基で置換されたメラミン樹脂又は尿素樹脂である、積層部とスクライブライン部とを有する基板上の、前記積層部の最外層部に１０〜１２μｍの塗布膜及び前記スクライブライン部に２０〜３０μｍの塗布膜で塗布し、前記最外層にパターン硬化膜を形成するために用いる、厚みが異なる複数箇所の一括同時露光現像用であって積層デバイス構造のマルチダイファンアウトウエハレベルパッケージ用ポジ型感光性樹脂組成物。
【化１９】

（式中、Ｕは２価の有機基、単結合、−Ｏ−、又は、−ＳＯ２−であり、Ｖは炭素数１〜３０の脂肪族基を示す。）
【化２０】

【化２１】

（一般式（ｂ−２）及び（ｂ−３）中、Ｒはそれぞれ独立に下記式で表される基又は水素原子であり、各化合物の全てのＲが水素原子であることはない。）
【化２２】

」として、新たに請求項２６とするものである。


（２５）訂正事項２５
訂正事項２５による訂正は、請求項２を引用する請求項３を引用する請求項４を引用する請求項５を、請求項２を引用する請求項３を引用する請求項４を新たに請求項２６とする上記訂正事項２４に伴い、
「請求項２６に記載のポジ型感光性樹脂組成物を基板上に塗布、乾燥して感光性樹脂膜を形成する工程と、
前記感光性樹脂膜を所定のパターンに露光する工程と、
露光後の前記樹脂膜をアルカリ水溶液を用いて現像しパターン樹脂膜を形成する工程と、
前記パターン樹脂膜を加熱処理する工程と、
を含むパターン硬化膜の製造方法。」として、新たに請求項２７とするものである。

（２６）訂正事項２６
訂正事項２６による訂正は、請求項２を引用する請求項３を引用する請求項４を引用する請求項５を引用する請求項６を、請求項２を引用する請求項３を引用する請求項４を引用する請求項５を新たに請求項２７とする上記訂正事項２５に伴い、
「前記パターン樹脂膜を加熱処理する工程において、加熱処理温度が２５０℃以下である請求項２７に記載のパターン硬化膜の製造方法。」として、新たに請求項２８とするものである。

（２７）訂正事項２７
訂正事項２７による訂正は、請求項２を引用する請求項３を引用する請求項４を引用する請求項７を、請求項２を引用する請求項３を引用する請求項４を新たに請求項２６とする上記訂正事項２５に伴い、
「請求項２６に記載のポジ型感光性樹脂組成物のパターン硬化膜を用いた、層間絶縁膜、カバーコート層又は表面保護膜。」として、新たに請求項２９とするものである。

（２８）訂正事項２８
訂正事項２８による訂正は、請求項２を引用する請求項３を引用する請求項４を引用する請求項７を引用する請求項８を、請求項２を引用する請求項３を引用する請求項４を引用する請求項７を新たに請求項２９とする上記訂正事項２７による訂正に伴い、
「請求項２９に記載の層間絶縁膜、カバーコート層又は表面保護膜を有する電子部品。」として、新たに請求項３０とするものである。

３ 一群の請求項について
訂正前の請求項３〜８は、訂正前の請求項１又は２を直接又は間接的に引用しているところ、訂正事項１による訂正及び訂正事項２による訂正によって、訂正前の請求項１及び訂正前の請求項２がそれぞれ訂正されることにより連動して訂正されることになる。
したがって、本件訂正請求は、一群の請求項である請求項１〜８に対して請求されたものである。

４ 訂正の適否
（１）訂正事項１について
ア 訂正の目的
訂正事項１による訂正は、訂正前の請求項１に記載された「多段膜厚パターニング用」を、「厚みが異なる複数箇所の一括同時現像用であって積層デバイス構造のマルチダイファンアウトウエハレベルパッケージ用の」ものに限定するものであるから、訂正事項１による訂正は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
イ 新規事項
本件特許の明細書（以下「本件特許明細書」という。）には、「多段膜厚パターニング（厚みが異なる複数箇所の一括同時現像）」（【０００９】）、「マルチダイファンアウトウエハレベルパッケージに代表される積層デバイス構造の作製において、多段膜厚パターニングを実現できるポジ型感光性樹脂組成物」（【００１０】）との記載があり、訂正事項１による訂正が新規事項の追加に該当しないことは明らかである。
ウ 拡張又は変更
前記アで述べた訂正の内容からみて、訂正事項１による訂正により、訂正前の特許請求の範囲に含まれないこととされた発明が訂正後の特許請求の範囲に含まれることにならないことは明らかである。
したがって、訂正事項１による訂正は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当しない。

（２）訂正事項２について
ア 訂正の目的
訂正事項２による訂正は、訂正前の請求項２に記載された「最外層にパターン硬化膜を形成するために用いるポジ型感光性樹脂組成物」を「最外層にパターン硬化膜を形成するために用いる、厚みが異なる複数箇所の一括同時現像用であって積層デバイス構造のマルチダイファンアウトウエハレベルパッケージ用ポジ型感光性樹脂組成物」に限定するものであるから、訂正事項２による訂正は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
イ 新規事項
前記（１）イと同様に、訂正事項２による訂正が、新規事項の追加に該当しないことは明らかである。
ウ 拡張又は変更
前記アで述べた訂正の内容からみて、訂正事項２による訂正により、訂正前の特許請求の範囲に含まれないこととされた発明が訂正後の特許請求の範囲に含まれることにならないことは明らかである。
したがって、訂正事項２による訂正は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当しない。

（３）訂正事項３について
訂正事項３による訂正は、訂正前の請求項３が、請求項１又は２を引用するものであったのを、請求項１を引用するものに限定するとともに、請求項１の記載を引用しない形式で記載して、新たに請求項３とするものであるから、訂正事項３による訂正は、特許請求の範囲の減縮及び請求項間の引用関係の解消を目的とするものである。
また、その訂正の内容に照らして、訂正事項３による訂正が、新規事項の追加及び特許請求の範囲の拡張又は変更に該当しないことは明らかである。

（４）訂正事項４について
ア 訂正の目的
（ア）訂正事項４による訂正は、訂正前の請求項４が、請求項１〜３のいずれか一項を引用するものであったのを、請求項１を引用する請求項３を引用するものに限定し、さらに「厚みが異なる複数箇所」を「１０〜１２μｍの塗布膜及び２０〜３０μｍの塗布膜」に限定するとともに、請求項１及び３の記載を引用しない形式で記載するものである。
（イ）また、訂正事項４による訂正は、訂正前の請求項４に記載された「前記（ｄ）成分」が、「メチロール基又はアルコキシアルキル基を有する化合物」であったのを、「Ｎ位がメチロール基若しくはアルコキシメチル基で置換されたメラミン樹脂又は尿素樹脂」に限定するものである。
以上（ア）及び（イ）により、訂正事項４による訂正は、特許請求の範囲の減縮及び請求項間の引用関係の解消を目的とするものである。
イ 新規事項
（ア）本件特許明細書には、「１０〜２０μｍの塗布膜」と同時に「２０〜３０μｍ」の塗布膜が形成されることが記載されており（【０００６】）、「１２μｍ」の膜厚部と「２０μｍ」の膜厚部を同じ現像条件で現像できることが記載（【００７７】〜【００７９】）されており、当該記載に照らして、上記ア（ア）の訂正事項が、新規事項の追加に該当しないことは明らかである。
（イ）本件特許明細書には、「（ｄ）成分」として「Ｎ位がメチロール基若しくはアルコキシメチル基で置換されたメラミン樹脂又は尿素樹脂が好ましい」ことが記載（【００３９】〜【００４０】）されており、上記ア（イ）の訂正事項が、新規事項の追加に該当しないことは明らかである。
以上（ア）及び（イ）により、訂正事項４による訂正が、新規事項の追加に該当しないことは明らかである。
ウ 拡張又は変更
前記アで述べた訂正の内容からみて、訂正事項４による訂正により、訂正前の特許請求の範囲に含まれないこととされた発明が訂正後の特許請求の範囲に含まれることにならないことは明らかである。
したがって、訂正事項４による訂正は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当しない。

（５）訂正事項５について
訂正事項５による訂正は、訂正前の請求項５が、請求項１〜４のいずれか一項を引用するものであったのを、請求項１を引用するものに限定するものであるから、訂正事項５による訂正は、特許請求の範囲の減縮を目的するものである。
また、その訂正の内容に照らして、訂正事項５による訂正が、新規事項の追加及び特許請求の範囲の拡張又は変更に該当しないことは明らかである。

（６）訂正事項６について
訂正事項６による訂正は、訂正前の請求項７が、請求項１〜４のいずれか一項を引用するものであったのを、請求項１を引用するものに限定するものであるから、訂正事項６による訂正は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
また、その訂正の内容に照らして、訂正事項６による訂正が、新規事項に追加及び特許請求の範囲の拡張又は変更に該当しないことは明らかである。

（７）訂正事項７について
訂正事項７による訂正は、訂正前の請求項５が、請求項１〜４のいずれか一項を引用するものであったのを、請求項２を引用するものに限定し、新たに請求項９とするものであるから、訂正事項７による訂正は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
また、その訂正の内容に照らして、訂正事項７による訂正が、新規事項の追加及び特許請求の範囲の拡張又は変更に該当しないことは明らかである。

（８）訂正事項８について
訂正事項８による訂正は、訂正前の請求項６が、請求項１〜４のいずれか一項を引用する請求項５を引用するものであったのを、請求項２を引用する請求項５を引用するものに限定し、新たに請求項１０とするものであるから、訂正事項８による訂正は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
また、その訂正の内容に照らして、訂正事項８による訂正が、新規事項の追加及び特許請求の範囲の拡張又は変更に該当しないことは明らかである。

（９）訂正事項９について
訂正事項９による訂正は、訂正前の請求項７が、請求項１〜４のいずれか一項を引用するものであったのを、請求項２を引用するものに限定し、新たに請求項１１とするものであるから、訂正事項９による訂正は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
また、その訂正の内容に照らして、訂正事項９による訂正が、新規事項の追加及び特許請求の範囲の拡張又は変更に該当しないことは明らかである。

（１０）訂正事項１０について
訂正事項１０による訂正は、訂正前の請求項８が、請求項１〜４のいずれか一項を引用する請求項７を引用するものであったのを、請求項２を引用する請求項７を引用するものに限定し、新たに請求項１２とするものであるから、訂正事項１０による訂正は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
また、その訂正の内容に照らして、訂正事項１０による訂正が、新規事項の追加及び特許請求の範囲の拡張又は変更に該当しないことは明らかである。

（１１）訂正事項１１について
訂正事項１１による訂正は、訂正前の請求項５が、請求項１〜４のいずれか一項を引用するものであったのを、請求項１を引用する請求項３を引用するものに限定し、新たに請求項１３とするものであるから、訂正事項１１による訂正は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
また、その訂正の内容に照らして、訂正事項１１による訂正が、新規事項の追加及び特許請求の範囲の拡張又は変更に該当しないことは明らかである。

（１２）訂正事項１２について
訂正事項１２による訂正は、訂正前の請求項６が、請求項１〜４のいずれか一項を引用する請求項５を引用するものであったのを、請求項１を引用する請求項３を引用する請求項５を引用するものに限定し、新たに請求項１４とするものであるから、訂正事項１２による訂正は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
また、その訂正の内容に照らして、訂正事項１２による訂正が、新規事項の追加及び特許請求の範囲の拡張又は変更に該当しないことは明らかである。

（１３）訂正事項１３について
訂正事項１３による訂正は、訂正前の請求項７が、請求項１〜４のいずれか一項を引用するものであったのを、請求項１を引用する請求項３を引用するものに限定し、新たに請求項１５とするものであるから、訂正事項１３による訂正は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
また、その訂正の内容に照らして、訂正事項１３による訂正が、新規事項の追加及び特許請求の範囲の拡張又は変更に該当しないことは明らかである。

（１４）訂正事項１４について
訂正事項１４による訂正は、訂正前の請求項８が、請求項１〜４のいずれか一項を引用する請求項７を引用するものであったのを、請求項１を引用する請求項３を引用する請求項７を引用するものに限定し、新たに請求項１６とするものであるから、訂正事項１４による訂正は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
また、その訂正の内容に照らして、訂正事項１４による訂正が、新規事項の追加及び特許請求の範囲の拡張又は変更に該当しないことは明らかである。

（１５）訂正事項１５について
訂正事項１５による訂正は、訂正前の請求項５が、請求項１〜４のいずれか一項を引用するものであったのを、請求項４を引用するものに限定し、新たに請求項１７とするものであるから、訂正事項１５による訂正は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
また、その訂正の内容に照らして、訂正事項１５による訂正が、新規事項の追加及び特許請求の範囲の拡張又は変更に該当しないことは明らかである。

（１６）訂正事項１６について
訂正事項１６による訂正は、訂正前の請求項６が、請求項１〜４のいずれか一項を引用する請求項５を引用するものであったのを、請求項４を引用する請求項５を引用するものに限定し、新たに請求項１８とするものであるから、訂正事項１６による訂正は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
また、その訂正の内容に照らして、訂正事項１６による訂正が、新規事項の追加及び特許請求の範囲の拡張又は変更に該当しないことは明らかである。

（１７）訂正事項１７について
訂正事項１７による訂正は、訂正前の請求項７が、請求項１〜４のいずれか一項を引用するものであったのを、請求項４を引用するものに限定し、新たに請求項１９とするものであるから、訂正事項１７による訂正は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
また、その訂正の内容に照らして、訂正事項１７による訂正が、新規事項の追加及び特許請求の範囲の拡張又は変更に該当しないことは明らかである。

（１８）訂正事項１８について
訂正事項１８による訂正は、訂正前の請求項８が、請求項１〜４のいずれか一項を引用する請求項７を引用するものであったのを、請求項４を引用する請求項７を引用するものに限定し、新たに請求項２０とするものであるから、訂正事項１８による訂正は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
また、その訂正の内容に照らして、訂正事項１８による訂正が、新規事項の追加及び特許請求の範囲の拡張又は変更に該当しないことは明らかである。

（１９）訂正事項１９について
ア 訂正の目的
訂正事項１９による訂正は、訂正前の請求項３が、請求項１又は２を引用するものであったのを、請求項２を引用するものに限定し、さらに、「最外層にパターン硬化膜を形成するために用いるポジ型感光性樹脂組成物」を、「最外層にパターン硬化膜を形成するために用いる、厚みが異なる複数箇所の一括同時現像用であって積層デバイス構造のマルチダイファンアウトウエハレベルパッケージ用ポジ型感光性樹脂組成物」に限定するとともに、請求項２の記載を引用しない形式で記載して、新たに請求項２１とするものであるから、訂正事項１９による訂正は、特許請求の範囲の減縮及び請求項間の引用関係の解消を目的とするものである。
イ 新規事項
前記（２）イと同様に、訂正事項１９による訂正が、新規事項の追加に該当しないことは明らかである。
ウ 拡張又は変更
前記アで述べた訂正の内容からみて、訂正事項１９による訂正により、訂正前の特許請求の範囲に含まれないこととされた発明が訂正後の特許請求の範囲に含まれることにならないことは明らかである。
したがって、訂正事項１９による訂正は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当しない。

（２０）訂正事項２０について
訂正事項２０による訂正は、訂正前の請求項５が、請求項１〜４のいずれか一項を引用するものであったのを、請求項２を引用する請求項３を引用するものに限定し、新たに請求項２２とするものであるから、訂正事項２０による訂正は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
また、その訂正の内容に照らして、訂正事項２０による訂正が、新規事項の追加及び特許請求の範囲の拡張又は変更に該当しないことは明らかである。

（２１）訂正事項２１について
訂正事項２１による訂正は、訂正前の請求項６が、請求項１〜４のいずれか一項を引用する請求項５を引用するものであったのを、請求項２を引用する請求項３を引用する請求項５を引用するものに限定し、新たに請求項２３とするものであるから、訂正事項２１による訂正は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
また、その訂正の内容に照らして、訂正事項２１による訂正が、新規事項の追加及び特許請求の範囲の拡張又は変更に該当しないことは明らかである。

（２２）訂正事項２２について
訂正事項２２による訂正は、訂正前の請求項７が、請求項１〜４のいずれか一項を引用するものであったのを、請求項２を引用する請求項３を引用するものに限定し、新たに請求項２４とするものであるから、訂正事項２２による訂正は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
また、その訂正の内容に照らして、訂正事項２２による訂正が、新規事項の追加及び特許請求の範囲の拡張又は変更に該当しないことは明らかである。

（２３）訂正事項２３について
訂正事項２３による訂正は、訂正前の請求項８が、請求項１〜４のいずれか一項を引用する請求項７を引用するものであったのを、請求項２を引用する請求項３を引用する請求項７を引用するものに限定し、新たに請求項２５とするものであるから、訂正事項２３による訂正は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
また、その訂正の内容に照らして、訂正事項２３による訂正が、新規事項の追加及び特許請求の範囲の拡張又は変更に該当しないことは明らかである。

（２４）訂正事項２４について
ア 訂正の目的
（ア）訂正事項２４による訂正は、訂正前の請求項４が請求項１〜３のいずれか一項を引用するものであったのを、請求項２を引用する請求項３を引用するものに限定し、さらに、「厚みが異なる複数箇所」を「１０〜１２μｍの塗布膜及び２０〜３０μｍの塗布膜」に限定するとともに、請求項２及び３の記載を引用しない形式で記載し、新たな請求項２６とするものである。
（イ）また、訂正事項２４による訂正は、訂正前の請求項４に記載された「（ｄ）成分」が、「メチロール基又はアルコキシアルキル基を有する化合物」であったのを、「Ｎ位がメチロール基若しくはアルコキシメチル基で置換されたメラミン樹脂又は尿素樹脂」に限定するものである。
以上（ア）及び（イ）により、訂正事項４による訂正は、特許請求の範囲の減縮及び請求項間の引用関係の解消を目的とするものである。
イ 新規事項
（ア）本件特許明細書には、「１０〜２０μｍの塗布膜」と同時に「２０〜３０μｍ」の塗布膜が形成されることが記載されており（【０００６】）、「１２μｍ」の膜厚部と「２０μｍ」の膜厚部を同じ現像条件で現像できることが記載（【００７７】〜【００７９】）されており、当該記載に照らして、上記ア（ア）の訂正事項が、新規事項の追加に該当しないことは明らかである。
（イ）本件特許明細書には、「（ｄ）成分」として「Ｎ位がメチロール基若しくはアルコキシメチル基で置換されたメラミン樹脂又は尿素樹脂が好ましい」ことが記載（【００３９】〜【００４０】）されおり、上記ア（イ）の訂正事項が、新規事項の追加に該当しないことは明らかである。
以上（ア）及び（イ）により、訂正事項２４による訂正が、新規事項の追加に該当しないことは明らかである。
ウ 拡張又は変更
前記アで述べた訂正の内容からみて、訂正事項２４による訂正により、訂正前の特許請求の範囲に含まれないこととされた発明が訂正後の特許請求の範囲に含まれることにならないことは明らかである。
したがって、訂正事項２４による訂正は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当しない。

（２５）訂正事項２５について
訂正事項２５による訂正は、訂正前の請求項５が、請求項１〜４のいずれか一項を引用するものであったのを、請求項２を引用する請求項３を引用する請求項４を引用するものに限定し、新たに請求項２７とするものであるから、訂正事項２５による訂正は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
また、その訂正の内容に照らして、訂正事項２５による訂正が、新規事項の追加及び特許請求の範囲の拡張又は変更に該当しないことは明らかである。

（２６）訂正事項２６について
訂正事項２６による訂正は、訂正前の請求項６が、請求項１〜４のいずれか一項を引用する請求項５を引用するものであったのを、請求項２を引用する請求項３を引用する請求項４を引用する請求項５を引用するものに限定し、新たに請求項２８とするものであるから、訂正事項２６による訂正は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
また、その訂正の内容に照らして、訂正事項２６による訂正が、新規事項の追加及び特許請求の範囲の拡張又は変更に該当しないことは明らかである。

（２７）訂正事項２７について
訂正事項２７による訂正は、訂正前の請求項７が、請求項１〜４のいずれか一項を引用するものであったのを、請求項２を引用する請求項３を引用する請求項４を引用するものに限定し、新たに請求項２９とするものであるから、訂正事項２７による訂正は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
また、その訂正の内容に照らして、訂正事項２７による訂正が、新規事項の追加及び特許請求の範囲の拡張又は変更に該当しないことは明らかである。

（２８）訂正事項２８について
訂正事項２８による訂正は、訂正前の請求項８が、請求項１〜４のいずれか一項を引用する請求項７を引用するものであったのを、請求項２を引用する請求項３を引用する請求項４を引用する請求項７を引用するものに限定し、新たに請求項３０とするものであるから、訂正事項２８による訂正は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
また、その訂正の内容に照らして、訂正事項２８による訂正が、新規事項の追加及び特許請求の範囲の拡張又は変更に該当しないことは明らかである。

５ 小括
以上のとおりであるから、本件訂正請求による訂正は、特許法120条の5第2項ただし書及び同法同条９項において準用する同法126条5項及び６項の規定に適合する。
よって、結論に記載のとおり、特許第６７５６９５７号の特許請求の範囲を、本件訂正請求書に添付した訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項１〜３０について訂正することを認める。


第３ 訂正後の本件特許発明
上記「第２」のとおり、本件訂正請求による訂正は認められるから、請求項１〜３０に係る発明（以下、それぞれ請求項の番号に合わせて「本件特許発明１」〜「本件特許発明３０」という。また、それらを総称して「本件特許発明」という。）は、本件訂正請求による訂正後の特許請求の範囲１〜３０に記載された事項によって特定される、以下のものである。
「【請求項１】
（ａ）下記一般式（ａ−１）で表される構造単位を有するポリベンゾオキサゾール前駆体と、（ｂ）感光剤と、（ｃ）溶剤と、（ｄ）架橋剤とを含有し、前記（ｂ）成分が下記一般式（１）で表される化合物を含む、厚みが異なる複数箇所の一括同時現像用であって積層デバイス構造のマルチダイファンアウトウエハレベルパッケージ用のポジ型感光性樹脂組成物。
【化１】

（式中、Ｕは２価の有機基、単結合、−Ｏ−、又は、−ＳＯ２−であり、Ｖは炭素数１〜３０の脂肪族基を示す。）
【化２】

（一般式（１）中、Ｘはヒドロキシ化合物又はアミノ化合物の残基を示す）
【請求項２】
（ａ）下記一般式（ａ−１）で表される構造単位を有するポリベンゾオキサゾール前駆体と、（ｂ）感光剤と、（ｃ）溶剤と、（ｄ）架橋剤とを含有し、前記（ｂ）成分が下記一般式（１）で表される化合物を含み、積層部とスクライブライン部とを有する基板上の、前記積層部の最外層部及び前記スクライブライン部に塗布し、前記最外層部にパターン硬化膜を形成するために用いる、厚みが異なる複数箇所の一括同時現像用であって積層デバイス構造のマルチダイファンアウトウエハレベルパッケージ用ポジ型感光性樹脂組成物。
【化３】

（式中、Ｕは２価の有機基、単結合、−Ｏ−、又は、−ＳＯ２−であり、Ｖは炭素数１〜３０の脂肪族基を示す。）
【化４】

（一般式（１）中、Ｘはヒドロキシ化合物又はアミノ化合物の残基を示す）
【請求項３】
（ａ）下記一般式（ａ−１）で表される構造単位を有するポリベンゾオキサゾール前駆体と、（ｂ）感光剤と、（ｃ）溶剤と、（ｄ）架橋剤とを含有し、
前記（ｂ）成分が下記一般式（ｂ−１）、下記一般式（ｂ−２）又は下記一般式（ｂ−３）で表される化合物を含む、厚みが異なる複数箇所の一括同時現像用であって積層デバイス構造のマルチダイファンアウトウエハレベルパッケージ用のポジ型感光性樹脂組成物。
【化５】

（式中、Ｕは２価の有機基、単結合、−Ｏ−、又は、−ＳＯ２−であり、Ｖは炭素数１〜３０の脂肪族基を示す。）
【化６】

【化７】

【化８】

（一般式（ｂ−１）、（ｂ−２）及び（ｂ−３）中、Ｒはそれぞれ独立に下記式で表される基又は水素原子であり、各化合物の全てのＲが水素原子であることはない。）
【化９】

【請求項４】
（ａ）下記一般式（ａ−１）で表される構造単位を有するポリベンゾオキサゾール前駆体と、（ｂ）感光剤と、（ｃ）溶剤と、（ｄ）架橋剤とを含有し、
前記（ｂ）成分が下記一般式（ｂ−２）又は下記一般式（ｂ−３）で表される化合物を含み、
前記（ｄ）成分が、Ｎ位がメチロール基若しくはアルコキシメチル基で置換されたメラミン樹脂又は尿素樹脂である、１０〜１２μｍの塗布膜及び２０〜３０μｍの塗布膜の一括同時露光現像用であって積層デバイス構造のマルチダイファンアウトウエハレベルパッケージ用のポジ型感光性樹脂組成物。
【化１０】

（式中、Ｕは２価の有機基、単結合、−Ｏ−、又は、−ＳＯ２−であり、Ｖは炭素数１〜３０の脂肪族基を示す。）
【化１１】

【化１２】

（一般式（ｂ−２）及び（ｂ−３）中、Ｒはそれぞれ独立に下記式で表される基又は水素原子であり、各化合物の全てのＲが水素原子であることはない。）
【化１３】

【請求項５】
請求項１に記載のポジ型感光性樹脂組成物を基板上に塗布、乾燥して感光性樹脂膜を形成する工程と、
前記感光性樹脂膜を所定のパターンに露光する工程と、
露光後の前記樹脂膜をアルカリ水溶液を用いて現像しパターン樹脂膜を形成する工程と、
前記パターン樹脂膜を加熱処理する工程と、
を含むパターン硬化膜の製造方法。
【請求項６】
前記パターン樹脂膜を加熱処理する工程において、加熱処理温度が２５０℃以下である請求項５に記載のパターン硬化膜の製造方法。
【請求項７】
請求項１に記載のポジ型感光性樹脂組成物のパターン硬化膜を用いた、層間絶縁膜、カバーコート層又は表面保護膜。
【請求項８】
請求項７に記載の層間絶縁膜、カバーコート層又は表面保護膜を有する電子部品。
【請求項９】
請求項２に記載のポジ型感光性樹脂組成物を基板上に塗布、乾燥して感光性樹脂膜を形成する工程と、
前記感光性樹脂膜を所定のパターンに露光する工程と、
露光後の前記樹脂膜をアルカリ水溶液を用いて現像しパターン樹脂膜を形成する工程と、
前記パターン樹脂膜を加熱処理する工程と、
を含むパターン硬化膜の製造方法。
【請求項１０】
前記パターン樹脂膜を加熱処理する工程において、加熱処理温度が２５０℃以下である請求項９に記載のパターン硬化膜の製造方法。
【請求項１１】
請求項２に記載のポジ型感光性樹脂組成物のパターン硬化膜を用いた、層間絶縁膜、カバーコート層又は表面保護膜。
【請求項１２】
請求項１１に記載の層間絶縁膜、カバーコート層又は表面保護膜を有する電子部品。
【請求項１３】
請求項３に記載のポジ型感光性樹脂組成物を基板上に塗布、乾燥して感光性樹脂膜を形成する工程と、
前記感光性樹脂膜を所定のパターンに露光する工程と、
露光後の前記樹脂膜をアルカリ水溶液を用いて現像しパターン樹脂膜を形成する工程と、
前記パターン樹脂膜を加熱処理する工程と、
を含むパターン硬化膜の製造方法。
【請求項１４】
前記パターン樹脂膜を加熱処理する工程において、加熱処理温度が２５０℃以下である請求項１３に記載のパターン硬化膜の製造方法。
【請求項１５】
請求項３に記載のポジ型感光性樹脂組成物のパターン硬化膜を用いた、層間絶縁膜、カバーコート層又は表面保護膜。
【請求項１６】
請求項１５に記載の層間絶縁膜、カバーコート層又は表面保護膜を有する電子部品。
【請求項１７】
請求項４に記載のポジ型感光性樹脂組成物を基板上に塗布、乾燥して感光性樹脂膜を形成する工程と、
前記感光性樹脂膜を所定のパターンに露光する工程と、
露光後の前記樹脂膜をアルカリ水溶液を用いて現像しパターン樹脂膜を形成する工程と、
前記パターン樹脂膜を加熱処理する工程と、
を含むパターン硬化膜の製造方法。
【請求項１８】
前記パターン樹脂膜を加熱処理する工程において、加熱処理温度が２５０℃以下である請求項１７に記載のパターン硬化膜の製造方法。
【請求項１９】
請求項４に記載のポジ型感光性樹脂組成物のパターン硬化膜を用いた、層間絶縁膜、カバーコート層又は表面保護膜。
【請求項２０】
請求項１９に記載の層間絶縁膜、カバーコート層又は表面保護膜を有する電子部品。
【請求項２１】
（ａ）下記一般式（ａ−１）で表される構造単位を有するポリベンゾオキサゾール前駆体と、（ｂ）感光剤と、（ｃ）溶剤と、（ｄ）架橋剤とを含有し、
前記（ｂ）成分が下記一般式（ｂ−１）、下記一般式（ｂ−２）又は下記一般式（ｂ−３）で表される化合物を含む、積層部とスクライブライン部とを有する基板上の、前記積層部の最外層部及び前記スクライブライン部に塗布し、前記最外層部にパターン硬化膜を形成するために用いる、厚みが異なる複数箇所の一括同時現像用であって積層デバイス構造のマルチダイファンアウトウエハレベルパッケージ用ポジ型感光性樹脂組成物。
【化１４】

（式中、Ｕは２価の有機基、単結合、−Ｏ−、又は、−ＳＯ２−であり、Ｖは炭素数１〜３０の脂肪族基を示す。）
【化１５】

【化１６】

【化１７】

（一般式（ｂ−１）、（ｂ−２）及び（ｂ−３）中、Ｒはそれぞれ独立に下記式で表される基又は水素原子であり、各化合物の全てのＲが水素原子であることはない。）
【化１８】

【請求項２２】
請求項２１に記載のポジ型感光性樹脂組成物を基板上に塗布、乾燥して感光性樹脂膜を形成する工程と、
前記感光性樹脂膜を所定のパターンに露光する工程と、
露光後の前記樹脂膜をアルカリ水溶液を用いて現像しパターン樹脂膜を形成する工程と、
前記パターン樹脂膜を加熱処理する工程と、
を含むパターン硬化膜の製造方法。
【請求項２３】
前記パターン樹脂膜を加熱処理する工程において、加熱処理温度が２５０℃以下である請求項２２に記載のパターン硬化膜の製造方法。
【請求項２４】
請求項２１に記載のポジ型感光性樹脂組成物のパターン硬化膜を用いた、層間絶縁膜、カバーコート層又は表面保護膜。
【請求項２５】
請求項２４に記載の層間絶縁膜、カバーコート層又は表面保護膜を有する電子部品。
【請求項２６】
（ａ）下記一般式（ａ−１）で表される構造単位を有するポリベンゾオキサゾール前駆体と、（ｂ）感光剤と、（ｃ）溶剤と、（ｄ）架橋剤とを含有し、
前記（ｂ）成分が下記一般式（ｂ−２）又は下記一般式（ｂ−３）で表される化合物を含み、
前記（ｄ）成分が、Ｎ位がメチロール基若しくはアルコキシメチル基で置換されたメラミン樹脂又は尿素樹脂である、積層部とスクライブライン部とを有する基板上の、前記積層部の最外層部に１０〜１２μｍの塗布膜で塗布及び前記スクライブライン部に２０〜３０μｍの塗布膜で塗布し、前記最外層部にパターン硬化膜を形成するために用いる、厚みが異なる複数箇所の一括同時露光現像用であって積層デバイス構造のマルチダイファンアウトウエハレベルパッケージ用ポジ型感光性樹脂組成物。
【化１９】

（式中、Ｕは２価の有機基、単結合、−Ｏ−、又は、−ＳＯ２−であり、Ｖは炭素数１〜３０の脂肪族基を示す。）
【化２０】

【化２１】

（一般式（ｂ−２）及び（ｂ−３）中、Ｒはそれぞれ独立に下記式で表される基又は水素原子であり、各化合物の全てのＲが水素原子であることはない。）
【化２２】

【請求項２７】
請求項２６に記載のポジ型感光性樹脂組成物を基板上に塗布、乾燥して感光性樹脂膜を形成する工程と、
前記感光性樹脂膜を所定のパターンに露光する工程と、
露光後の前記樹脂膜をアルカリ水溶液を用いて現像しパターン樹脂膜を形成する工程と、
前記パターン樹脂膜を加熱処理する工程と、
を含むパターン硬化膜の製造方法。
【請求項２８】
前記パターン樹脂膜を加熱処理する工程において、加熱処理温度が２５０℃以下である請求項２７に記載のパターン硬化膜の製造方法。
【請求項２９】
請求項２６に記載のポジ型感光性樹脂組成物のパターン硬化膜を用いた、層間絶縁膜、カバーコート層又は表面保護膜。
【請求項３０】
請求項２９に記載の層間絶縁膜、カバーコート層又は表面保護膜を有する電子部品。」


第４ 取消しの理由の概要
令和４年２月１５日付の取消理由通知書（決定の予告）により通知した取消しの理由の要旨は、以下のとおりである。
１ 新規性
本件特許の（本件訂正請求前の）請求項１〜８に係る発明は、先の出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明であるから、特許法29条1項3号に該当し、特許を受けることができない。

２ 進歩性
本件特許の（本件訂正請求前の）請求項１〜８に係る発明は、先の出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基づいて、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであるから、特許法29条2項の規定により、特許を受けることができない。

甲１：国際公開第２００８／１１１４７０号
甲２：特開２０１４−１２７６４９号公報
文献１：特開２０１１−１４６０５号公報
甲１及び甲２は、ともに主引例であり、文献１は、令和４年２月１５日付けの取消理由通知書（決定の予告）において、当合議体が追加した周知技術を示す文献である。

また、特許異議申立人が、令和４年６月２２日付け意見書（以下「意見書」という。）において提出した甲第５号証〜甲第７号証は、以下のものである。
甲第５号証：米国特許出願公開第２０１５／００２１７５４号明細書
甲第６号証：米国特許出願公開第２０１３／００３７９５０号明細書
甲第７号証：特開２００８−２１１２１３号公報
以下、甲号証の番号に合わせて「甲５」〜「甲７」という。

３ 明確性
本件特許請求の範囲の（本件訂正請求前の）請求項１〜８における「厚膜」との記載は、その厚さの程度が明らかでないから、特許を受けようとする発明が明確でない。したがって、特許法36条6項2号の規定する要件を満たしていない。


第５ 甲号証及び文献１の記載
１ 甲１の記載及び甲１に記載された発明
（１）甲１の記載
甲１には、以下の記載がある。なお、下線は当合議体が付したものであり、引用発明の認定や判断等に活用した箇所を示す。以下同様である。
ア 「技術分野
［０００１］
本発明は、ポリベンゾオキサゾール前駆体を含有する耐熱性に優れたポジ型感光性樹脂組成物、該樹脂組成物を用いたパターン硬化膜の製造方法及び電子部品に関し、特に、感度、解像度、現像時の密着性、耐熱性及び耐薬品性に優れ、良好な形状のパターンが得られるポジ型感光性樹脂組成物、該樹脂組成物を用いたパターン硬化膜の製造方法及び電子部品に関するものである。」

イ 「発明を実施するための最良の形態
［００４４］
以下に、本発明による感光性樹脂組成物、該樹脂組成物を用いたパターン硬化膜の製造方法及び電子部品の一実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下の実施の形態により本発明が限定されるものではない。
［００４５]［感光性樹脂組成物］
まず、本発明による低温硬化用の感光性樹脂組成物について説明する。本発明による感光性樹脂組成物は、（ａ）一般式（Ｉ）：
［００４６］
［化９］

（式中、Ｕ又はＶは２価の有機基を示し、Ｕ及びＶの少なくとも一方が炭素数１〜３０の脂肪族鎖状構造を含む基である。）で示される繰り返し単位を有するポリベンゾオキサゾール前駆体と、（ｂ）感光剤と、（ｃ）溶剤と、及び（ｄ）加熱により架橋または重合し得る架橋剤とを含有する。なお、（ａ）ポリベンゾオキサゾール前駆体の共重合体、（ｂ）感光剤、（ｃ）溶剤及び（ｄ）加熱により架橋または重合し得る架橋剤を、本明細書の記載において、場合によりそれぞれ単に（ａ）成分、（ｂ）成分、（ｃ）成分及び（ｄ）成分と記す。」

ウ 「［００４９］
以下、本発明による感光性樹脂組成物の各成分について説明する。
（（ａ）成分：ポリベンゾオキサゾール前駆体およびポリベンゾオキサゾール前駆体の共重合体）
ポリベンゾオキサゾール前駆体およびポリベンゾオキサゾール前駆体の共重合体は、通常、アルカリ水溶液で現像するので、アルカリ水溶液可溶性であることが好ましい。本発明においては、例えば、前記一般式（Ｉ）、（ＩＩＩ）以外のポリベンゾオキサゾール前駆体ではないポリアミドの構造、ポリベンゾオキサゾールの構造、ポリイミドやポリイミド前駆体（ポリアミド酸やポリアミド酸エステル）の構造を、前記一般式（Ｉ）、（ＩＩＩ）のポリオキサゾール前駆体およびポリベンゾオキサゾール前駆体の共重合体の構造と共に有していても良い。
・・・中略・・・
［００７８］（（ｂ）成分：感光剤）
本発明の感光性樹脂組成物は、上記ポリベンゾオキサゾール前駆体とともに（ｂ）感光剤を含む。この感光剤とは、光に反応して、その組成物から形成された膜の現像液に対する機能を有するものである。本発明で（ｂ）成分として用いられる感光剤に特に制限はないが、光により酸又はラジカルを発生するものであることが好ましい。
［００７９］
ポジ型感光性樹脂組成物の場合は、（ｂ）感光剤は、光により酸を発生するもの（光酸発生剤）であることがより好ましい。光酸発生剤は、ポジ型感光性樹脂組成物においては、光の照射により酸を発生し、光の照射部のアルカリ水溶液への可溶性を増大させる機能を有するものである。そのような光酸発生剤としてはｏ−キノンジアジド化合物、アリールジアゾニウム塩、ジアリールヨードニウム塩、トリアリールスルホニウム塩などが挙げられ、ｏ−キノンジアジド化合物が感度が高く好ましいものとして挙げられる。
・・・中略・・・
［００８７］（（ｃ）成分：溶剤）
本発明に使用される（ｃ）成分（溶剤）としては、γ−ブチロラクトン、乳酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、酢酸ベンジル、ｎ−ブチルアセテート、エトキシエチルプロピオネート、３−メチルメトキシプロピオネート、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホスホリルアミド、テトラメチレンスルホン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、ジエチルケトン、ジイソブチルケトン、メチルアミルケトン等が挙げられる。
・・・中略・・・
［００８９］（（ｄ）成分：加熱により架橋または重合し得る架橋剤）
本発明に使用される（ｄ）成分である加熱により架橋または重合し得る架橋剤は、感光性樹脂組成物を塗布、露光、現像後に加熱処理する工程において化合物がポリベンゾオキサゾール前駆体またはポリベンゾオキサゾールと反応、すなわち橋架けする。または加熱処理する工程において化合物自身が重合する。これによって、比較的低い温度、例えば２００℃以下の硬化において懸念される膜の脆さを防ぎ、機械特性や薬品耐性、フラックス耐性を向上させることができる。」

エ 「［０１２１］［パターン硬化膜の製造方法］
次に、本発明によるパターン硬化膜の製造方法について説明する。本発明のパターン硬化膜の製造方法は、上述した感光性樹脂組成物を支持基板上に塗布し乾燥して感光性樹脂膜を形成する感光性樹脂膜形成工程、前記感光性樹脂膜を所定のパターンに露光する露光工程、前記露光後の感光性樹脂膜を現像してパターン樹脂膜を得る現像工程、及び前記パターン樹脂膜を加熱処理してパターン硬化膜を得る加熱処理工程を経て、ポリベンゾオキサゾールのパターン硬化膜を得ることができる。以下、各工程について説明する。
［０１２２］（感光性樹脂膜形成工程）
まず、この工程では、ガラス基板、半導体、金属酸化物絶縁体（例えばＴｉＯ2、ＳｉＯ2等）、窒化ケイ素などの支持基板上に、前記本発明の感光性樹脂組成物をスピンナーなどを用いて回転塗布後、ホットプレート、オーブンなどを用いて乾燥する。これにより、感光性樹脂組成物の被膜である感光性樹脂膜が得られる。
［０１２３］（露光工程）
次に、露光工程では、支持基板上で被膜となった感光性樹脂膜に、マスクを介して紫外線、可視光線、放射線などの活性光線を照射することにより露光を行う。
［０１２４］（現像工程）
現像工程では、活性光線が露光した感光性樹脂膜の露光部を現像液で除去することによりパターン硬化膜が得られる。現像液としては、例えば、水酸化ナトリウム，水酸化カリウム，ケイ酸ナトリウム，アンモニア，エチルアミン，ジエチルアミン，トリエチルアミン，トリエタノールアミン，テトラメチルアンモニウムヒドロキシドなどのアルカリ水溶液が好ましいものとして挙げられる。これらの水溶液の塩基濃度は、０．１〜１０重量％とされることが好ましい。さらに上記現像液にアルコール類や界面活性剤を添加して使用することもできる。これらはそれぞれ、現像液１００重量部に対して、好ましくは０．０１〜１０重量部、より好ましくは０．１〜５重量部の範囲で配合することができる。
［０１２５］（加熱処理工程）
次いで、加熱処理工程では、現像後得られたパターンを加熱処理することにより、オキサゾール環や他の官能基を有する耐熱性のポリオキサゾールのパターンを形成することができる。加熱処理工程における加熱温度は、２８０℃以下、望ましくは１２０〜２８０℃、より望ましくは、１６０〜２５０℃である。」

オ 「［０１３７］［半導体装置の製造工程］
次に、本発明によるパターンの製造方法の一例として、半導体装置の製造工程を図面に基づいて説明する。図１〜図５は、多層配線構造を有する半導体装置の製造工程を説明する概略断面図であり、第１の工程から第５の工程へと一連の工程を表している。
［０１３８］
これらの図において、回路素子（図示しない）を有するＳｉ基板等の半導体基板１は、回路素子の所定部分を除いてシリコン酸化膜等の保護膜２で被覆され、露出した回路素子上に第１導体層３が形成されている。前記半導体基板上にスピンコート法等で層間絶縁膜層４としてのポリイミド樹脂等の膜が形成される（第１の工程、図１）。
［０１３９］
次に、塩化ゴム系、フェノールノボラック系等の感光性樹脂層５が、マスクとして前記層間絶縁膜層４上にスピンコート法で形成され、公知の写真食刻技術によって所定部分の層間絶縁膜層４が露出するように窓６Ａが設けられる（第２の工程、図２）。この窓６Ａの層間絶縁膜層４は、酸素、四フッ化炭素等のガスを用いるドライエッチング手段によって選択的にエッチングされ、窓６Ｂが空けられている。次いで、窓６Ｂから露出した第１導体層３を腐食することなく、感光樹脂層５のみを腐食するようなエッチング溶液を用いて感光樹脂層５が完全に除去される（第３の工程、図３）。
［０１４０］
さらに、公知の写真食刻技術を用いて、第２導体層７を形成させ、第１導体層３との電気的接続が完全に行われる（第４の工程、図４）。３層以上の多層配線構造を形成する場合は、上記の工程を繰り返して行い各層を形成することができる。
［０１４１］
次に、表面保護膜層８を形成する。図１〜図５の例では、この表面保護膜層８を次のようにして形成する。すなわち、前記本発明の感光性樹脂組成物をスピンコート法にて塗布、乾燥し、所定部分に窓６Ｃを形成するパターンを描いたマスク上から光を照射した後、アルカリ水溶液にて現像してパターン樹脂膜を形成する。その後、このパターン樹脂膜を加熱して表面保護膜層８としてのポリベンゾオキサゾールのパターン硬化膜とする（第５の工程、図５）。この表面保護膜層（ポリベンゾオキサゾールのパターン硬化膜）８は、導体層を外部からの応力、α線などから保護するものであり、得られる半導体装置は信頼性に優れる。
［０１４２］
本発明では、従来は３５０℃前後の高温を必要としていた上記ポリベンゾオキサゾール膜を形成する加熱工程において、２８０℃以下の低温の加熱を用いて硬化が可能である。２８０℃以下の硬化においても、本発明の感光性樹脂組成物は環化脱水反応が十分に起きることから、その膜物性（伸び、吸水率、重量減少温度、アウトガス等）が３００℃以上で硬化したときに比べて物性変化は小さいものとなる。したがって、プロセスが低温化できることから、デバイスの熱による欠陥を低減でき、信頼性に優れた半導体装置（電子部品）を高収率で得ることができる。
なお、上記例において、層間絶縁膜を本発明の感光性樹脂組成物を用いて形成することも可能である。
［０１４３］［電子部品］
次に、本発明による電子部品について説明する。本発明による電子部品は、上述した感光性樹脂組成物を用いて上記パターンの製造方法によって形成されるパターンを有する。ここで、電子部品としては、半導体装置や多層配線板、各種電子デバイス等を含む。特に、耐熱性の低いＭＲＡＭ（磁気抵抗メモリ：Ｍａｇｎｅｔ Ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）が好ましいものとして挙げられる。
［０１４４］
また、上記パターンは、具体的には、半導体装置等電子部品の表面保護膜や層間絶縁膜、多層配線板の層間絶縁膜等の形成に使用することができる。本発明による電子部品は、前記感光性樹脂組成物を用いて形成される表面保護膜や層間絶縁膜を有すること以外は特に制限されず、様々な構造をとることができる。例えば、本発明の感光性樹脂組成物は、ＭＲＡＭの表面保護膜用として好適である。」

カ 「実施例
［０１４５］
以下、実施例及び比較例に基づき、本発明についてさらに具体的に説明する。なお、本発明は下記実施例に限定されるものではない。
［０１４６］（合成例１） ポリベンゾオキサゾール前駆体の合成
攪拌機、温度計を備えた０．２リットルのフラスコ中に、Ｎ−メチルピロリドン６０ｇを仕込み、２，２'−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン１３．９２ｇを添加し、攪拌溶解した。続いて、温度を０〜５℃に保ちながら、マロン酸ジクロリド５．６４ｇを１０分間で滴下した後、６０分間攪拌を続けた。溶液を３リットルの水に投入し、析出物を回収し、これを純水で３回洗浄した後、減圧してポリヒドロキシアミド（ポリベンゾオキサゾール前駆体）を得た（以下、ポリマーＰ１とする）。ポリマーＰ１のＧＰＣ法標準ポリスチレン換算により求めた重量平均分子量は１１，５００、分散度は１．７であった。
・・・中略・・・
［０１５２］（合成例７）
合成例１で使用したマロン酸ジクロリドをドデカン二酸ジクロリドに置き換えた以外は、合成例１と同様の条件にて合成を行った。得られたポリヒドロキシアミド（以下、ポリマーＰ７とする）の標準ポリスチレン換算により求めた重量平均分子量は３１，６００、分散度は２．０であった。
・・・中略・・・
［０１７５］（実施例２０〜３８及び比較例４〜６）
（感光特性評価）
前記（ａ）成分であるポリベンゾオキサゾール前駆体１００重量部に対し、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）成分及びその他の添加成分を表２に示した所定量にて配合し、感光性樹脂組成物の溶液を得た。
［０１７６］［表２］

［０１７７］
表２中、ＢＬＯはγ−ブチロラクトンを表し、ＰＧＭＥＡはプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを表し、ＮＭＰはＮ−メチルピロリドンを表し、ＢＬＯ／ＰＧＭＥＡは両者を混合して用いたことを表す。（）内はポリマー１００重量部に対する添加量を重量部で示した。表２中、各ＮＭＰは１５０重量部を添加し、各ＢＬＯ／ＰＧＭＥＡは１３５重量部／１５重量部の割合で混合して添加した。
［０１７８］
また、表２中、Ｂ１、Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３、Ｅ１は、それぞれ下記の化学式（Ｘ）、（ＸＩ）、（ＸＩＩ）に示す化合物である。
［０１７９］［化２７］

［０１８０］［化２８］

」

キ 「図５

」

（２）甲１に記載された発明
甲１の［０１４６］〜［０１８０］（特に［０１７６］［表２］の「実施例２６」）に記載された「感光性樹脂組成物」の発明を「甲１組成物発明」という。
ア 「甲１組成物発明」の成分
「甲１組成物発明」は、「（ａ）成分」であるポリベンゾオキサゾール前駆体として「Ｐ７」、「（ｂ）成分」である感光剤として「Ｂ１」、「（ｃ）成分」である溶剤として「ＢＬＯ／ＰＧＭＥＡ」、「（ｄ）成分」である架橋剤として「Ｄ２」を含有する。

イ 「甲１組成物発明」の（ａ）成分
「（ａ）成分」であるポリベンゾオキサゾール前駆体である「Ｐ７」は、合成例１の「攪拌機、温度計を備えた０．２リットルのフラスコ中に、Ｎ−メチルピロリドン６０ｇを仕込み、２，２'−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン１３．９２ｇを添加し、攪拌溶解した。続いて、温度を０〜５℃に保ちながら、マロン酸ジクロリド５．６４ｇを１０分間で滴下した後、６０分間攪拌を続けた。溶液を３リットルの水に投入し、析出物を回収し、これを純水で３回洗浄した後、減圧してポリヒドロキシアミド（ポリベンゾオキサゾール前駆体）を得」る工程で使用した「マロン酸ジクロリド」を、「ドデカン二酸ジクロリド」に置き換えて合成されたものである（［０１４６］、［０１５２］）。

ウ 「甲１組成物発明」の（ｂ）成分
「（ｂ）成分」である「Ｂ１」は、［０１７９］に記載されている下記式（Ｘ）で表される感光剤である。

そして、感光剤として光酸発生剤が用いられていることから、「甲１組成物発明」が「ポジ型」の感光性樹脂組成物であることは明らかである。

エ 甲１組成物発明
上記ア〜ウの事項を総合すると、「甲１組成物発明」は以下のものである。
「（ａ）成分として、２，２'−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパンを反応させて得られたポリベンゾオキサゾール前駆体と、
（ｂ）成分として、下記式（Ｘ）で表される感光剤と、

（ｃ）成分である溶剤として「ＢＬＯ／ＰＧＭＥＡ」と、
（ｄ）成分である架橋剤として下記式で表される「Ｄ２」と、

を含有するポジ型感光性樹脂組成物。」

２ 甲２の記載及び甲２に記載された発明
（１）甲２の記載
甲２には、以下の記載がある。
ア 「【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体装置の表面保護膜、層間絶縁膜には優れた耐熱性と電気特性、機械特性等を併せ持つポリイミド樹脂膜、ポリベンゾオキサゾール樹脂膜等が用いられている（例えば、特許文献１）。これらのポリイミド樹脂膜、ポリベンゾオキサゾール樹脂膜は、ポリイミド前駆体又はポリベンゾオキサゾール前駆体を含む感光性樹脂組成物により形成することができる。
【０００３】
近年、デジタルカメラ、携帯電話等の電子デバイスは小型化、薄型化、軽量化が急激に進んでおり、これに伴い半導体装置も小型化、高密度化が進んでいる。このような小型化、高密度化に対応する半導体装置としてＣＳＰ（ｃｈｉｐ ｓｉｚｅ ｐａｃｋａｇｅ）と呼ばれるパッケージング方式の普及が進んでいる。一般にＣＳＰはシリコンウエハー上に再配線としての配線パターン、層間絶縁層、外部接続のための導電性ボール等を有する。
・・・中略・・・
【０００７】
本発明の目的は、パターン樹脂膜（絶縁膜）のパターン開口部に発生する残渣を低減し、再配線と絶縁層との接着性に優れる半導体装置を提供することである。また、本発明の目的は、パターン樹脂膜のパターン開口部における残渣の発生を低減することができ、再配線と絶縁層との接着性を十分に確保することができる半導体装置の製造方法を提供することである。」

イ 「【００２１】
本発明の半導体装置の一例の断面構造を図２に示す。
シリコン基板１０上には集積回路（図示せず）が設けられ、アルミニウム系金属からなる接続パッド１１が集積回路に接続されるように形成されている。この上に絶縁層２０及び表面保護膜層３０が設けられ、露出により設けられたパッド１１部分に再配線４０が形成されている。
【００２２】
再配線４０の表面には酸化銅層４１が形成され、その上に、絶縁層５０が形成されている。絶縁層５０に設けられた開口部に接続パッド、バリアメタルが形成され、はんだボール（導電性ボール）６０が設けられている。
【００２３】
本発明の半導体装置の他の一例の断面構造を図３に示す。この半導体装置は多層配線構造である。層間絶縁層１０１の上にはＡｌ配線層１０２が形成され、その上部にはさらに絶縁層１０３（例えば、Ｐ−ＳｉＮ層）が形成され、さらに素子の表面保護膜層１０４が形成されている。Ａｌ配線層１０２のパッド部１０５からは再配線１０６が形成されている。再配線１０６の表面上には、酸化銅層１０６ａが形成されている。酸化銅層１０６ａは、外部接続端子であるハンダ、金等で形成された導電性ボール１０７との接続部分であるコア１０８の上部まで伸びている。さらに表面保護膜層１０４の上には、絶縁層１０９が形成されている。
【００２４】
再配線１０６は、バリアメタル１１０を介して導電性ボール１０７に接続され、この導電性ボール１０７を保持するためにカラー１１１が設けられている。このような構造のパッケージを実装する際の応力を緩和するために、アンダーフィル１１２が設けられている。
【００２５】
上記図２、３に示す本発明の半導体装置は、再配線、酸化銅層及び絶縁層を有すること以外は特に制限されず、様々な構造とすることができる。
【００２６】
本発明に用いる絶縁層は、好ましくはポリベンゾオキサゾール前駆体を含む感光性樹脂組成物を加熱硬化することで形成される。このように形成することで、耐熱性、機械特性、電気特性に優れる。
【００２７】
［感光性樹脂組成物］
以下、本発明に用いることができる感光性樹脂組成物の各成分について説明する。
（１）ポリベンゾオキサゾール前駆体
ポリベンゾオキサゾール前駆体（ポリヒドロキシアミド）は、好ましくは、下記式（１）で表される。
【化３】

（式中、Ｕは４価の有機基を示し、Ｖは２価の有機基を示す。） 式（１）におけるヒドロキシ基を含有するアミドユニットは、硬化時の脱水閉環により、最終的には耐熱性、機械特性、電気特性に優れるオキサゾール体に変換される。
・・・中略・・・
【００３５】
式（１）、（４）において、Ｕで表される４価の有機基は、４価の芳香族基（芳香環を含む基）が好ましく、炭素数としては６〜４０のものが好ましく、炭素数６〜４０の４価の芳香族基がより好ましい。４価の芳香族基としては、４個の結合部位がいずれも芳香環上に存在するものが好ましい。
また、Ｕで表される４価の有機基は、ポリベンゾオキサゾール前駆体であるために、一般に、ジカルボン酸と反応してポリアミド構造を形成する２個のヒドロキシ基と２個のアミノ基をそれぞれ芳香環上に有し、ヒドロキシ基とアミノ基がオルト位に位置した構造を２組有するジアミンの残基である。【００３６】
このようなジアミン類としては、３，３’−ジアミノ−４，４’−ジヒドロキシビフェニル、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジヒドロキシビフェニル、ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、ビス（４−アミノ−３−ヒドロキシフェニル）プロパン、ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（４−アミノ−３−ヒドロキシフェニル）スルホン、２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（４−アミノ−３−ヒドロキシフェニル）−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。これらの化合物は、単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
・・・中略・・・
【００４２】
（２）光の照射を受けて酸を発生する化合物
上記の感光性樹脂組成物は、光の照射を受けて酸を発生する化合物（以下、光酸発生剤ともいう）を含有していてもよい。光酸発生剤は、光の照射部のアルカリ水溶液への可溶性を増大させる機能を有するものである。
光酸発生剤としては、ジアゾナフトキノン、アリールジアゾニウム塩、ジアリールヨードニウム塩、トリアリールスルホニウム塩等が挙げられ、中でもジアゾナフトキノンは感度が高く好ましいものとして挙げられる。
【００４３】
ジアゾナフトキノンは、例えば、ｏ−キノンジアジドスルホニルクロリド類とヒドロキシ化合物、アミノ化合物等とを脱塩酸剤の存在下で縮合反応させることで得られる。
ｏ−キノンジアジドスルホニルクロリド類としては、例えば、ベンゾキノン−１，２−ジアジド−４−スルホニルクロリド、ナフトキノン−１，２−ジアジド−５−スルホニルクロリド、ナフトキノン−１，２−ジアジド−４−スルホニルクロリド等が使用できる。
【００４４】
ヒドロキシ化合物としては、例えば、ヒドロキノン、レゾルシノール、ピロガロール、ビスフェノールＡ、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノン、２，３，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，２’，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，３，４，２’，３’−ペンタヒドロキシベンゾフェノン，２，３，４，３’，４’，５’−ヘキサヒドロキシベンゾフェノン、ビス（２，３，４−トリヒドロキシフェニル）メタン、ビス（２，３，４−トリヒドロキシフェニル）プロパン、４ｂ，５，９ｂ，１０−テトラヒドロ−１，３，６，８−テトラヒドロキシ−５，１０−ジメチルインデノ［２，１−ａ］インデン、トリス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、トリス（４−ヒドロキシフェニル）エタン等が使用できる。
・・・中略・・・
【００４９】
（３）熱によりポリベンゾオキサゾール前駆体と架橋又は重合し得る化合物
上記の感光性樹脂組成物は、熱によりポリベンゾオキサゾール前駆体と架橋又は重合し得る化合物（以下、架橋剤ともいう）を含有していてもよい。 架橋剤は、上記のポリベンゾオキサゾール前駆体と効率よく架橋反応をする置換基を有するものが好ましい。架橋剤の架橋しうる温度としては、感光性樹脂組成物が塗布、乾燥、露光、現像の各工程で架橋が進行しないように、１５０℃以上であることが好ましい。架橋剤はポリベンゾオキサゾール前駆体の末端基と架橋するが、これと併せて分子間で重合するような化合物であってもよい。中でも、下記式（３）に挙げられるものが、２２０℃以下の低温で硬化した際でも膜物性の落ち込みが小さく、膜の物性に優れ、より好ましい。
・・・中略・・・
【００５８】
（４）溶剤
上記の感光性樹脂組成物には、通常、溶剤が含まれ、上記各成分が溶解又は分散している。溶剤は特に制限はなく、γ−ブチロラクトン（ＢＬＯ）、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）、トルエン、キシレン、テトラヒドロフラン、アルコール等が使用できる。上記溶剤の使用量は、特に制限されないが、好ましくは固形分（溶剤以外の成分）が５〜５０重量％となるように使用する。」

ウ 「【００５９】
［半導体装置の製造方法］
本発明の半導体装置の製造方法は、再配線を有する基板を１４０〜１６０℃で加熱して再配線上に酸化銅層を形成する工程と、酸化銅層の上に、ポリベンゾオキサゾールを含む絶縁層を形成する工程とを含む。
【００６０】
以下、図を用いて、本発明の半導体装置の製造方法を説明する。
本発明の一実施形態である半導体装置の断面図を図２に示す。
集積回路（図示せず）が設けられたシリコン基板１０上に、アルミニウム系金属からなる接続パッド１１を集積回路に接続するように形成する。この上に絶縁層２０を形成し、パッド１１部分を開口させる。次に、表面保護膜層３０を塗布し、露光、現像工程により、パッド１１部分を露出する。次に、スパッターやめっき等により再配線４０を形成する。
再配線４０の表面には、通常、酸化皮膜が形成されているため、好ましくは、酸化銅層４１を形成する前に、再配線を酸により洗浄して酸化皮膜を除去する。
【００６１】
通常、銅を主成分とする再配線の表面には、空気中の酸素により酸化皮膜が形成されているが、その厚さは４０ｎｍ以上と厚かったり、厚さが不均一であったりする。従って、再配線の上に絶縁層をそのまま形成すると、絶縁層と再配線の接着性が不十分となる。
従って、再配線４０表面の酸化皮膜を一度除去した後、適正な厚さの酸化銅層４１を形成する、即ち、厚さを制御して酸化銅層４１を用いることが好ましい。
【００６２】
再配線４０の表面に形成されている酸化皮膜の除去は、酢酸、クエン酸といった有機酸や、塩酸、硫酸といった無機酸を適度な濃度にして再配線表面を洗浄することで、効率的に行うことができる。
【００６３】
酸化銅層４１は、好ましくは上記のように酸化皮膜を除去した後に、１３０〜１７０℃に加熱したホットプレートやオーブンで０．５〜１０分処理を行うことで、適度な厚さに形成することができる。
加熱温度は、好ましくは１４０〜１６０℃であり、加熱時間は、好ましくは１〜５分である。
【００６４】
その後、再配線４０（酸化銅層４１）上に、上記の樹脂組成物を用いて、塗布、露光、現像工程により、絶縁層５０を形成する。次いで、絶縁層５０に開口部を設け、その開口部に接続パッド、バリアメタルを形成し、はんだボール（導電性ボール）６０を形成する。
【００６５】
樹脂組成物の再配線４０（酸化銅層４１）への塗布方法としては、スピンコート、スリット塗布等が挙げられる。また樹脂組成物塗布後、操作性の観点から、乾燥を行なってもよい。
【００６６】
樹脂膜の露光は、樹脂組成物を塗布して形成した樹脂膜にステッパーやアライナー等を用いて行なう。露光後の樹脂膜は２．３８％ＴＭＡＨ水溶液等のアルカリ現像液により現像することで、パターン形成された樹脂膜（パターン樹脂膜）を得られる。
パターン樹脂膜を加熱硬化することで、パターン硬化膜を形成できる。加熱硬化は、１６０〜４００℃で行なうことが好ましく、例えば、石英チューブ炉、ホットプレート、縦型拡散炉、赤外線硬化炉及びマイクロ波硬化炉等の装置を用いることができる。」

エ 「【実施例】
【００６７】
以下、実施例及び比較例を記載するが、本発明は以下の実施例及び比較例に限定されるものではない。
【００６８】
［ポリベンゾオキサゾール前駆体の合成］
合成例１
撹拌機、温度計を備えた０．５リットルのフラスコ中に、４，４’−ジフェニルエーテルジカルボン酸１５．４８ｇ（６０ｍｍｏｌ）、Ｎ−メチルピロリドン９０ｇを仕込み、フラスコを５℃に冷却した。その後、塩化チオニル２３．９ｇ（１２０ｍｍｏｌ）を滴下し、３０分間反応させて、４，４’−ジフェニルエーテルジカルボン酸ジクロリドの溶液を得た。
【００６９】
次いで、撹拌機、温度計を備えた０．５リットルのフラスコ中に、Ｎ−メチルピロリドン８７．５ｇを仕込み、ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン１８．３０ｇ（５０ｍｍｏｌ）を撹拌溶解した。その後、ピリジン９．４８ｇ（１２０ｍｍｏｌ）を添加し、温度を０〜５℃に保ちながら、４，４’−ジフェニルエーテルジカルボン酸ジクロリドの溶液を３０分間で滴下し、３０分間撹拌を続けた。
【００７０】
撹拌した溶液を３リットルの水に投入し、析出物を回収、純水で３回洗浄した後、減圧乾燥してカルボキシル基末端のポリヒドロキシアミドを得た（ポリマーＩ）。ポリマーＩについて、下記の測定条件によるＧＰＣ測定を行い、得られた測定値をＧＰＣ法標準ポリスチレン換算により重量平均分子量を求めた。得られた重量平均分子量は１７，６００、分散度は１．６であった。
・・・中略・・・
【００７２】
合成例２
ジフェニルエーテルジカルボン酸の代わりにドデカン二酸を用いた他は合成例１と同様にしてポリヒドロキシアミドを合成した（ポリマーII）。ポリマーIIの標準ポリスチレン換算により求めた重量平均分子量は２７，２００であり、分散度は１．９であった。
・・・中略・・・
【００７４】
合成例４
［感光性樹脂組成物の調製］
後述する実施例１〜８、比較例１〜４で用いるため、合成例１〜３で調製したポリマーＩ〜III、光の照射を受けて酸を発生する化合物（光酸発生剤）及び熱によりポリベンゾオキサゾール前駆体と架橋又は重合し得る化合物（架橋剤）を、表１に記載の配合量（重量部）で、γ−ブチロラクトン／プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを重量比９：１で混合した溶剤に溶解し、感光性樹脂組成物を調製した。
尚、表１において、ポリベンゾオキサゾール前駆体以外の成分の各欄において、各数値は特に記載が無ければポリベンゾオキサゾール前駆体１００重量部に対する添加量（重量部）を示す。溶剤の使用量は、いずれもポリベンゾオキサゾール前駆体１００重量部に対して２００重量部である。
【００７５】
尚、光酸発生剤として下記Ｂ１、架橋剤として下記Ｃ１を用いた。

【００７６】
実施例１
シリコンウエハー（厚さ６２５μｍ）上にスパッタリングにより、１．５μｍの銅層を形成させた後、フォトエッチングにより、所望の配線パターン（パターン形成された再配線）を得た。次に、この配線パターンの形成されたシリコンウエハーを、酸化銅除去剤（ワールドメタル製：Ｚ−２００）を使用して２分間洗浄し、純水でリンスした後、１４０℃に加熱したホットプレートで３分間加熱処理を行い、銅配線パターン上に酸化銅皮膜を形成した。酸化銅皮膜の厚さは、後述する条件でオージェ分光法（ＡＥＳ）により測定した。
【００７７】
次に、上記条件で作成した配線パターンが形成されたシリコンウエハーの配線パターンが形成された面上に、表１に示す組成の感光性樹脂組成物をスピンコートし、１２０℃で３分間加熱し、乾燥膜厚が７〜１２μｍの塗膜を形成した。得られた塗膜に、超高圧水銀灯を光源とし、干渉フィルターを介して、３００ｍＪ／ｃｍ２で、所定のパターンをウエハに照射して、露光を行った。テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）の２．３８重量％水溶液にて露光部のシリコンウエハーが露出するまで現像した後、水でリンスして、パターン樹脂膜を得た。このとき、スルーホール部分に現像後残渣の形成は無かった。
・・・中略・・・
【００９４】
【表１】

」

オ 「図２

図３

」

（２）甲２に記載された発明
甲２の【００６７】〜【００７４】及び【００９４】【表１】の「実施例７」に記載されている「感光性樹脂組成物」の発明を「甲２組成物発明」という。
ア 甲２組成物発明の成分
「甲２組成物発明」は、ポリベンゾオキサゾール前駆体として「ポリマーＩＩ」、光酸発生剤として「Ｂ１」、架橋剤として「Ｃ１」、溶剤として「γ−ブチロラクトン／プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを重量比９：１で混合した溶剤」、を含有する。

イ ポリベンゾオキサゾール前駆体
「甲２組成物発明」のポリベンゾオキサゾール前駆体である「ポリマーＩＩ」は、以下の合成過程により得られたものである。
「撹拌機、温度計を備えた０．５リットルのフラスコ中に、４，４’−ジフェニルエーテルジカルボン酸１５．４８ｇ（６０ｍｍｏｌ）、Ｎ−メチルピロリドン９０ｇを仕込み、フラスコを５℃に冷却した。その後、塩化チオニル２３．９ｇ（１２０ｍｍｏｌ）を滴下し、３０分間反応させて、４，４’−ジフェニルエーテルジカルボン酸ジクロリドの溶液を得た。
次いで、撹拌機、温度計を備えた０．５リットルのフラスコ中に、Ｎ−メチルピロリドン８７．５ｇを仕込み、ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン１８．３０ｇ（５０ｍｍｏｌ）を撹拌溶解した。その後、ピリジン９．４８ｇ（１２０ｍｍｏｌ）を添加し、温度を０〜５℃に保ちながら、４，４’−ジフェニルエーテルジカルボン酸ジクロリドの溶液を３０分間で滴下し、３０分間撹拌を続けた。
撹拌した溶液を３リットルの水に投入し、析出物を回収、純水で３回洗浄した後、減圧乾燥してカルボキシル基末端のポリヒドロキシアミドを得た（ポリマーＩ）。」そして、以上の合成例１において、「ジフェニルエーテルジカルボン酸の代わりにドデカン二酸を用いた他は合成例１と同様にしてポリヒドロキシアミドを合成した（ポリマーII）。」（【００６８】〜【００７２】）。

ウ 光酸発生剤
「甲２組成物発明」の光酸発生剤である「Ｂ１」は以下のものである。

そして、感光剤として光酸発生剤が用いられていることから、「甲２組成物発明」が「ポジ型」の「感光性樹脂組成物」であることは明らかである。

エ 甲２組成物発明
上記ア〜ウの事項を総合すると、「甲２組成物発明」は以下のものである。
「ポリベンゾオキサゾール前駆体として「ポリマーＩＩ」と、
光酸発生剤として下記式で表される「Ｂ１」と、
架橋剤として下記式で表される「Ｃ１」と、
溶剤として「γ−ブチロラクトン／プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを重量比９：１で混合した溶剤」と、
を含有するポジ型感光性樹脂組成物。
【Ｂ１】及び【Ｃ１】

」

３ 文献１の記載
文献１には、以下の記載がある。
（１）「【背景技術】
【０００２】
従来、電子機器にセットされる回路装置は、携帯電話、携帯用のコンピューター等に採用されるため、小型化、薄型化、軽量化が求められている。これらの条件を満たすために、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｃａｌｅ Ｐａｃｋａｇｅ）と呼ばれる、内蔵される半導体素子と同等のサイズを有する半導体装置が開発されている。
【０００３】
これらのＣＳＰの中でも特に小型化なものとしてＷＬＰがある。従来のＷＬＰの製造方法の一実施例として、下記の製造方法が知られている（例えば、特許文献１参照。）。先ず、半導体素子の拡散層等が形成された半導体ウエハ上に窒化シリコン膜から成る第１の保護膜を成膜する。第１の保護膜上等に第１の配線層を形成した後、第１の保護膜上にポリイミド膜から成る第２の保護膜を成膜する。そして、第２の保護膜上等に第２の配線層を形成した後、ポリイミド膜から成る第３の保護膜を成膜する。このとき、半導体素子形成領域の周囲に、第１の配線層と第２の配線層から成る周縁パターンを形成する。その後、周縁パターン間の第１〜第３の保護膜を除去し、開口することでスクライブラインを形成した後、開口領域から露出する半導体ウエハをダイシング・ソーで切断し、チップ状態にする。」

（２）「【００７２】
図７（Ａ）を参照して、次に、第３絶縁層２８の上面に第１樹脂層３０を形成する。第１樹脂層３０としては、例えば、回転塗布法により形成されるＰＢＯ膜またはポリイミド樹脂膜等が用いられる。そして、第３配線層２６から成るパッド電極が露出するように、第１樹脂層３０を部分的に除去して開口部が設けられる。また、スクライブ領域３４では、切断時に第１樹脂層３０がダイシングブレードに粘着して捲くれ上がることを防止するため、スクライブセンター近傍領域の第１樹脂層３０も除去される。ここで、形成される第１樹脂層３０の厚みは例えば１０μｍ程度である。
【００７３】
また、除去領域３８から露出する半導体基板１２の上面および各絶縁層の側面は第１樹脂層３０により被覆される。このことにより、異種材料の界面が第１樹脂層３０により被覆されて耐湿性が向上する利点がある。
【００７４】
次に、第１樹脂層３０の上面に再配線４８を形成する。再配線４８は、メッキ用金属層を形成した後に、このメッキ用金属層に電解メッキ法でＣｕメッキ層を成膜することにより形成される。
【００７５】
次に、図７（Ｂ）に示すように、第１樹脂層３０の上面および再配線４８が被覆されるように第２樹脂層３２を形成する。第２樹脂層３２としては、例えば、回転塗布法により形成されるＰＢＯ膜またはポリイミド樹脂膜等が用いられる。そして、フォトリソグラフィ技術を用いて部分的に第２樹脂層３２を除去することにより、パッドとなる部分の再配線４８が露出するように開口部が形成される。さらに、スクライブ領域３４では、切断時に第２樹脂層３２がダイシングブレードに粘着して捲くれ上がることを防止するため、スクライブセンター近傍領域の第２樹脂層３２も除去される。
【００７６】
図７（Ｃ）を参照して、次に、再配線４８から成るパッドの部分に半田から成る外部端子４６を形成する。具体的には、粉末状の半田とフラックスとの混合物である半田クリームを再配線４８から成るパッドの上面に塗布した後に、半田クリームを溶融させることで外部端子４６が形成される。
【００７７】
上記工程が修了した後は、ＴＥＧ４０にて電気的特性の測定を行った後に、半導体ウェハを分割するスクライブの工程を行う。スクライブ工程では、高速で回転するダイシングソーを用いてスクライブライン５２に沿って、半導体基板１２およびその上面に積層された各層を切断し、個々の半導体装置を得る。」

（３）「図７

」


第６ 甲１を主引例とした場合の当合議体の判断
当合議体注：以下、一般式等の化学式について、本件特許発明のものは上記「第３」の各請求項に記載のものであり、甲１組成物発明及び甲２組成物発明のものは上記「第５」の各引用発明に記載のものであり、再度の摘記は省略する。
１ 本件特許発明１について
（１）対比
本件特許発明１と甲１組成物発明とを対比する。
ア （ａ）成分
本件特許明細書の【００６４】に記載されている本件特許発明１の「（ａ）成分」の製造方法及び上記「第５」の「１（２）イ」に記載されている甲１組成物発明の「（ａ）成分」の製造方法からみて、甲１組成物発明の「Ｐ７」は、本件特許発明１の「一般式（ａ−１）で表される構造単位を有するポリベンゾオキサゾール前駆体」に相当する。

イ （ｂ）成分
本件特許発明１の一般式（１）と上記「第５」の「１（２）ウ」に記載されている甲１組成物発明の「Ｂ１」の化学式（Ｘ）とを対比すると、甲１組成物発明の（ｂ）成分である感光剤の「Ｂ１」は、本件特許発明１の「一般式（１）で表される化合物」である「（ｂ）感光剤」に相当する。

ウ （ｃ）成分及び（ｄ）成分
甲１組成物発明の「（ｃ）成分」である溶剤及び「（ｄ）成分」である架橋剤がそれぞれ、その文言が示すとおり、本件特許発明１の「（ｃ）溶剤」及び「（ｄ）架橋剤」に相当する。

（２）一致点及び相違点
ア 一致点
本件特許発明１と甲１組成物発明とは、以下の点で一致する。
「（ａ）一般式（ａ−１）で表される構造単位を有するポリベンゾオキサゾール前駆体と、（ｂ）感光剤と、（ｃ）溶剤と、（ｄ）架橋剤とを含有し、前記（ｂ）成分が一般式（１）で表される化合物を含む、ポジ型感光性樹脂組成物。」

イ 相違点
本件特許発明１と甲１組成物発明とは、以下の点で相違する。
相違点１：本件特許発明１の「ポジ型感光性樹脂組成物」が、「厚みが異なる複数箇所の一括同時現像用であって積層デバイス構造のマルチダイファンアウトウエハレベルパッケージ用の」ものであるのに対し、甲１組成物発明は、そのように特定されていない点。

（３）判断
上記相違点１に係る「厚みが異なる複数箇所の一括同時現像用であって積層デバイス構造のマルチダイファンアウトウエハレベルパッケージ用の」という記載は、本件特許発明１の「ポジ型感光性樹脂組成物」の用途を用いて、その物を特定しようとする記載、いわゆる「用途限定」に該当する発明特定事項である。
上記「マルチダイファンアウトウエハレベルパッケージ」について、本件特許明細書（【０００４】〜【０００６】）の記載を参照すると、前記パッケージは、「積層デバイス構造のマルチダイファンアウトウエハレベルパッケージ」とは、一つのパッケージの中で３次元的に積層した複数のダイ（半導体素子）を一括封止して製造されるパッケージを意味すると理解される。 そして、そのようなパッケージ用のポジ型感光性樹脂組成物は、パッケージのパターン硬化膜（層間絶縁膜、カバーコート層、表面保護膜等の封止部材）を形成するためのものであり、そのような感光性樹脂組成物で形成される膜には、多層配線の接続部やスクライブライン部等の「厚みが異なる複数箇所」が存在することは、当業者には当然に理解できる事項である。
また、「一括同時現像用」とは、そのようなパッケージの感光性樹脂組成物の「厚みが異なる複数箇所」を、「一括」かつ「同時」に現像を行うためのものであるとともに、本件明細書の【００６１】及び【００７８】〜【００７９】の記載から、一度の現像で同時に、同じ露光量、同じ現像時間で露光、現像を行うためのものであると理解するのが相当である。
これに対して、甲１には、甲１樹脂組成物発明を「厚みが異なる複数箇所」の「一括同時現像用」として用いること及び「積層デバイス構造のマルチダイファンアウトウエハレベルパッケージ用の」ものとして用いることは記載されておらず、それらの動機となる記載や示唆を見出すこともできない。
そうすると、本件特許発明１と甲１組成物発明は、上記相違点１に係る事項の点で実質的に異なる発明であり、また、甲１組成物発明に基づいて、相違点１に係る本件特許発明１の特定事項を満たすものとすることは、当業者が容易に想到することができたともいえない。
したがって、本件特許発明１は、甲１組成物発明であるとはいえず、甲１組成物発明及び文献１の記載に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるということもできない。

２ 本件特許発明２について
本件特許発明２と甲１組成物発明との対比については、上記１（１）と同様であり、両発明は、「（ａ）一般式（ａ−１）で表される構造単位を有するポリベンゾオキサゾール前駆体と、（ｂ）感光剤と、（ｃ）溶剤と、（ｄ）架橋剤とを含有し、前記（ｂ）成分が一般式（１）で表される化合物を含む、ポジ型感光性樹脂組成物。」の点で一致し、以下の点で相違する。

相違点２：本件特許発明２の「ポジ型感光性樹脂組成物」が、「積層部とスクライブライン部とを有する基板上の、前記積層部の最外層部及び前記スクライブライン部に塗布し、前記最外層部にパターン硬化膜を形成するために用いる、厚みが異なる複数箇所の一括同時現像用であって積層デバイス構造のマルチダイファンアウトウエハレベルパッケージ用」のものであるのに対し、甲１組成物発明は、そのように特定されていない点。

上記相違点２について判断すると、相違点２に係る構成のうち「厚みが異なる複数箇所の一括同時現像用であって積層デバイス構造のマルチダイファンアウトウエハレベルパッケージ用」という構成についての判断は、上記１（３）に示したとおりであるから、他の構成について判断するまでもなく、本件特許発明２は、甲１組成物発明であるとはいえず、甲１組成物発明及び文献１の記載に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるということもできない。

３ 本件特許発明３について
本件特許発明３と甲１組成物発明とを対比すると、（ａ）成分、（ｃ）成分及び（ｄ）成分については、上記１（１）ア及びウと同様である。
（ｂ）成分について、甲１組成物発明の（ｂ）成分である感光剤の「Ｂ１」はその一般式からみて、本件特許発明３の「一般式（ｂ−１）」に相当するから、甲１組成物発明の（ｂ）成分は、本件特許発明３の「一般式（ｂ−１）、一般式（ｂ−２）又は一般式（ｂ−３）で表される化合物」である「（ｂ）感光剤」に相当する。
以上のことから、本件特許発明３と甲１組成物発明とは、「（ａ）一般式（ａ−１）で表される構造単位を有するポリベンゾオキサゾール前駆体と、（ｂ）感光剤と、（ｃ）溶剤と、（ｄ）架橋剤とを含有し、
前記（ｂ）成分が一般式（ｂ−１）、一般式（ｂ−２）又は一般式（ｂ−３）で表される化合物を含む、ポジ型感光性樹脂組成物。」で一致し、以下の点で相違する。

相違点３：本件特許発明１の「ポジ型感光性樹脂組成物」が、「厚みが異なる複数箇所の一括同時現像用であって積層デバイス構造のマルチダイファンアウトウエハレベルパッケージ用の」ものであるのに対し、甲１組成物発明は、そのように特定されていない点。

上記相違点３については、上記１（２）イの相違点１と同旨であるから、上記１（３）と同様に判断される。
したがって、本件特許発明３は、甲１組成物発明であるとはいえず、甲１組成物発明及び文献１の記載に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるということもできない。

４ 本件特許発明４について
本件特許発明４と甲１組成物発明とを対比すると、（ａ）成分については上記１（１）アのとおりである。また、甲１組成物発明の「（ｂ）成分」である感光剤、「（ｃ）成分」である溶剤及び「（ｄ）成分」である架橋剤がそれぞれ、本件特許発明４の「（ｂ）感光剤」、「（ｃ）溶剤」及び「（ｄ）架橋剤」に相当することは明らかである。

そうすると、本件特許発明４と甲１組成物発明とは、「（ａ）一般式（ａ−１）で表される構造単位を有するポリベンゾオキサゾール前駆体と、（ｂ）感光剤と、（ｃ）溶剤と、（ｄ）架橋剤とを含有する、ポジ型感光性樹脂組成物。」で一致し、以下の点で相違する。

相違点４−１：本件特許発明４の「（ｂ）感光剤」が、「一般式（ｂ−２）又は一般式（ｂ−３）で表される化合物」を含むのに対し、甲１組成物発明の「（ｂ）成分」は、「Ｂ１」で表される化合物である点。

相違点４−２：本件特許発明４の「（ｄ）架橋剤」が、「Ｎ位がメチロール基又はアルコキシメチル基で置換されたメラミン樹脂又は尿素樹脂である」のに対し、甲１組成物発明の「（ｄ）成分」は、「Ｄ２」である点。

相違点４−３：本件特許発明４の「ポジ型感光性樹脂組成物」が、「１０〜１２μｍの塗布膜及び２０〜３０μｍの塗布膜の一括同時露光現像用であって積層デバイス構造のマルチダイファンアウトウエハレベルパッケージ用の」ものであるのに対し、甲１組成物発明は、そのように特定されていない点。

上記相違点４−３についての判断は、実質的に、上記１（３）で検討した「厚みが異なる複数箇所」の「一括同時現像用」として用いること及び「積層デバイス構造のマルチダイファンアウトウエハレベルパッケージ用の」ものとして用いることについての判断に帰着するから、上記１（３）と同様の理由により、他の相違点について検討するまでもなく、本件特許発明４は、甲１組成物発明とはいえず、甲１組成物発明及び文献１の記載に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるということもできない。

５ 本件特許発明５〜８について
本件特許発明５〜８は、請求項１を直接又は間接的に引用するものであるから、上記１（１）〜（３）と同様の理由により、甲１組成物発明であるといえず、甲１組成物発明及び文献１の記載に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるということもできない。

６ 本件特許発明９〜１２について
本件特許発明９〜１２は、請求項２を直接又は間接的に引用するものであるから、上記２と同様の理由により、甲１組成物発明であるとはいえず、甲１組成物発明及び文献１の記載に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるということもできない。

７ 本件特許発明１３〜１６について
本件特許発明１３〜１６は、請求項３を直接又は間接的に引用するものであるから、上記３と同様の理由により、甲１組成物発明であるとはいえず、甲１組成物発明及び文献１の記載に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるということもできない。

８ 本件特許発明１７〜２０について
本件特許発明１７〜２０は、請求項４を直接又は間接的に引用するものであるから、上記４と同様の理由により、甲１組成物発明であるとはいえず、甲１組成物発明及び文献１の記載に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるということもできない。

９ 本件特許発明２１について
本件特許発明２１と甲１組成物発明とを対比すると、上記３と同様であり、両発明は、「（ａ）一般式（ａ−１）で表される構造単位を有するポリベンゾオキサゾール前駆体と、（ｂ）感光剤と、（ｃ）溶剤と、（ｄ）架橋剤とを含有し、
前記（ｂ）成分が一般式（ｂ−１）、一般式（ｂ−２）又は一般式（ｂ−３）で表される化合物を含む、ポジ型感光性樹脂組成物。」で一致し、以下の点で相違する。

相違点２１：本件特許発明２１の「ポジ型感光性樹脂組成物」が、「積層部とスクライブライン部とを有する基板上の、前記積層部の最外層部及び前記スクライブライン部に塗布し、前記最外層部にパターン硬化膜を形成するために用いる、厚みが異なる複数箇所の一括同時現像用であって積層デバイス構造のマルチダイファンアウトウエハレベルパッケージ用」のものであるのに対し、甲１組成物発明は、そのように特定されていない点。

上記相違点２１については、上記２と同旨であるから、上記２と同様に判断される。
したがって、本件特許発明２１は、甲１組成物発明であるといえず、甲１組成物発明及び文献１の記載に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるということもできない。

１０ 本件特許発明２２〜２５について
本件特許発明２２〜２５は、請求項２１を直接又は間接的に引用するものであるから、上記９と同様の理由により、甲１組成物発明であるとはいえず、甲１組成物発明及び文献１の記載に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるということもできない。

１１ 本件特許発明２６について
本件特許発明２６と甲１組成物発明とを対比すると、上記４と同様であり、両発明は、「（ａ）一般式（ａ−１）で表される構造単位を有するポリベンゾオキサゾール前駆体と、（ｂ）感光剤と、（ｃ）溶剤と、（ｄ）架橋剤とを含有する、ポジ型感光性樹脂組成物。」で一致し、上記４で述べた相違点４−１及び相違点４−２に加えて、以下の点で相違する。

相違点２６：本件特許発明２６の「ポジ型感光性樹脂組成物」が、「積層部とスクライブライン部とを有する基板上の、前記積層部の最外層部に１０〜１２μｍの塗布膜で塗布及び前記スクライブライン部に２０〜３０μｍの塗布膜で塗布し、前記最外層部にパターン硬化膜を形成するために用いる、厚みが異なる複数箇所の一括同時露光現像用であって積層デバイス構造のマルチダイファンアウトウエハレベルパッケージ用」であるのに対し、甲１組成物発明は、そのように特定されていない点。

上記相違点２６について判断は、実質的に、上記１（３）で検討した「厚みが異なる複数箇所」の「一括同時現像用」として用いること及び「積層デバイス構造のマルチダイファンアウトウエハレベルパッケージ用の」ものとして用いることについての判断に帰着するから、上記１（３）と同様の理由により、その他の構成及び相違点について検討するまでもなく、本件特許発明２６は、甲１組成物発明であるとはいえず、甲１組成物発明及び文献１の記載に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるということもできない。

１２ 本件特許発明２７〜３０について
本件特許発明２７〜３０は、請求項２６を直接又は間接的に引用するものであるから、上記１１と同様の理由により、甲１組成物発明であるとはいえず、甲１組成物発明及び文献１の記載に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるということもできない。

１３ 特許異議申立人の主張について
（１）本件特許発明１について
ア 特許異議申立人は、意見書の「（ア−１−１）」（第５頁〜第６頁）において、「「厚みが異なる複数箇所」という記載は、何μｍ以上の厚さを以って「厚みが異なる」とするのかが定義されておらず、「厚みが異なる複数箇所」という用語が一義的に特定範囲の厚さが異なる箇所を指すといえるような技術常識も存在しない。」と主張する。
しかしながら、本件特許発明１の「ポジ型感光性樹脂組成物」は、「厚みが異なる複数箇所の一括同時現像用であって積層デバイス構造のマルチダイファンアウトウエハレベルパッケージ用の」ものであることを発明特定事項とするものであるから、「厚みが異なる複数箇所」とは、「積層デバイス構造のマルチダイファンアウトウエハレベルパッケージ」におけるパターン硬化膜（層間絶縁膜、カバーコート層、表面保護膜等の封止部材）に存在する、多層配線の接続部上方に位置する硬化膜の厚みと、積層されたデバイスデバイスのスクライブライン部近傍の硬化膜の厚み等の差程度の厚みを意味することは当業者であれば理解可能な事項であって、そのような理解に立てば、本件特許発明の「厚みが異なる」という用語は、第三者に不測の不利益を及ぼすほどのものとはいえない。
したがって、上記主張は採用できない。

イ 特許異議申立人は、意見書の「（ア−１−１）」（第６頁）において、「厚みが異なる複数箇所の一括同時現像用」は、訂正前の「多段厚膜パターニング用」と同様、単に「多段の一括同時現像用」（膜厚の異なる樹脂層の一括同時現像用）を意味する程度のものであると当業者は理解する。そうすると、一括同時現像用に適した露光量や露光時間となるようにフォトマスクを選択し、「膜厚の異なる樹脂層」の各膜厚部分に応じて露光量や露光時間を調整することでスカムを残すことなく適切に一括同時現像が可能なことは、本件の先の出願前において当業者にとって周知である。」と主張する。
しかしながら、本件特許発明における「一括同時現像用」とは、上記「第６」の「１（３）」で説示したとおり、感光性樹脂組成物における「厚みが異なる複数箇所」を、「一括」かつ「同時」に現像を行うためのものであるとともに、一度の現像で同時に、同じ露光量、同じ現像時間で露光、現像を行うためのものと理解される。したがって、本件特許発明の「厚みが異なる複数箇所の一括同時現像用」のものは、特許異議申立人が主張する「各膜厚部分に応じて露光量や露光時間を調整する」ような、「多段厚膜パターニング用」のものとは明確に区別して理解されるものである。
そして、甲１には、甲１組成物発明を、そのような「一括同時現像用」の用途として用いることやその動機を見出すことはできないし、本件出願の先の出願前にそのような用途及び当該用途に適した上記のような現像特性を有する感光性樹脂組成物が当業者にとって周知であったことを示す他の証拠もない。
したがって、上記主張は採用できない。

ウ 特許異議申立人は、意見書の「（ア−１−１）」（第６頁）において、「一方、積層デバイス構造のマルチダイファンアウトウエハレベルパッケージ用の」という用語は、半導体装置などの積層デバイス構造におけるマルチダイファンアウトウエハレベルパッケージのどの部材や用途に用いられるのかが明記されていない。」等主張する。
しかしながら、本件特許発明は、「積層デバイス構造のマルチダイファンアウトウエハレベルパッケージ用の」ものであって、例えば、多層配線の接続部やスクライブライン部等の「厚みが異なる複数箇所」を有するパッケージのパターン硬化膜（層間絶縁膜、カバーコート層、表面保護膜等の封止樹部材）を一括同時現像するためのものであって、その点に技術的意義を有する発明であることは、当業者には明らかであって、それ以上に部材及び用途を特定すべき理由を見いだすことはできない。
したがって、上記主張は採用できない。

エ 特許異議申立人は、意見書の「（ア−１−１）」（第７頁〜第９頁）において、「積層デバイス構造のマルチダイファンアウトウエハレベルパッケージ用の」という用途が、本件特許の出願前において周知であることを説明するために、念のため、甲第５号証〜甲第７号証を参照する。」と主張する。
しかしながら、上記用途が周知であるとしても、甲１には、甲１組成物発明を、意見書の第７頁〜第９頁においてそれぞれ摘記された甲５〜甲７に記載された構造を採用して「積層デバイス構造のマルチダイファンアウトウエハレベルパッケージ用の」ものとして用いること及びその動機となる記載や示唆もない。そうすると、甲５〜甲７に記載された構造が、本件の先の出願前において周知であったとしても、甲１にはその構造を採用する動機がない。
したがって、上記主張は採用できない。

オ 特許異議申立人は、意見書の「（ア−１−２）」（第９頁〜第１２頁）において、「一括同時現像用に適した露光量や露光時間となるようにフォトマスクを選択し、「膜厚の異なる樹脂層」の各膜厚部分に応じて露光量や露光時間を調整することでスカムを残すことなく適切に一括同時現像が可能なことは、本件の先の出願前において当業者にとって周知である。
・・・中略・・・
さらに、甲第５号証、甲第６号証、甲第７号証を挙げて上記した通り、本件訂正発明１における「積層デバイス構造のマルチダイファンアウトウエハレベルパッケージ用の」という用途は、本件の先の出願前における周知慣用技術である。
・・・中略・・・
以上より、本件訂正発明１が甲１発明及び甲２発明に対して「未知の属性」を見出したとはいえない。仮に、上記属性が「未知の属性」であったとしても、当該属性は、甲１発明及び甲２発明として開示されている公知の感光性樹脂組成物と区別できるような新たな用途を提供するものではない。」と主張する。
しかしながら、上記イで説示したとおり、本件特許発明の「一括同時現像用」は、上記主張のように、「露光量や露光時間となるようにフォトマスクを選択し、「膜厚の異なる樹脂層」の各膜厚部分に応じて露光量や露光時間を調整する」ようなものではない。
さらに、上記エで説示したとおり、甲５〜甲７に記載された構造が本件の先の出願前における周知慣用技術であったとしても、甲１にはその構造を採用する動機がない。
したがって、上記主張は採用できない。

カ 特許異議申立人は、意見書の「（ア−１−３）」（第１２頁〜第１４頁）において、上記イ及びエと同様に、「一括同時現像用」という用途が、本件の先の出願前において当業者にとって周知であったこと、「積層デバイス構造のマルチダイファンアウトウエハレベルパッケージ用の」という用途は、甲５〜甲７に記載のとおり、本件出願の先の出願前に周知慣用技術であったことを根拠として、本件特許発明１は当業者が容易に発明をすることができた旨主張する。
しかしながら、上記イ及びエでの説示と同様の理由により、上記主張は採用できない。

（２）本件特許発明２〜３０について
特許異議申立人が意見書（第１４頁〜第３２頁）で主張する、本件特許発明２〜３０に対する主張については、上記（１）と同様の理由で採用することはできない。


第７ 甲２を主引例とした場合の当合議体の判断
１ 本件特許発明１について
（１）対比
本件特許発明１と甲２組成物発明とを対比する。
ア ポリベンゾオキサゾール前駆体
甲２組成物発明の「ポリマーＩＩ」は、その合成過程からみて、本件特許発明１の「（ａ）一般式（ａ−１）で表される構造単位を有するポリベンゾオキサゾール前駆体」に相当する。

イ 感光剤
甲２組成物発明の光酸発生剤である「Ｂ１」は、その構造からみて、本件特許発明１の「一般式（１）で表される化合物」である「（ｂ）感光剤」に相当する。

ウ 溶剤及び架橋剤
甲２組成物発明の「溶剤」及び「架橋剤」はそれぞれ、その文言が示すとおり、本件特許発明１の「（ｃ）溶剤」及び「（ｄ）架橋剤」に相当する。

（２）一致点及び相違点
上記（１）の対比より、本件特許発明１と甲２組成物発明とは、上記「第６」の「１（２）」における甲１組成物発明の場合と同様の点で一致し、相違点１で相違する。

（３）判断
上記相違点１の検討について、は上記「第６」の「１（３）」と同様である。
したがって、本件特許発明１は、甲２組成物発明であるとはいえず、甲２組成物発明及び文献１の記載に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるということもできない。

２ 本件特許発明２について
本件特許発明２と甲２組成物発明とは、上記「第６」の「２」と同様に相違点２において相違し、その判断についても同様である。
したがって、本件特許発明２は、甲２組成物発明であるとはいえず、甲２組成物発明及び文献１の記載に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるということもできない。

３ 本件特許発明３について
本件特許発明３と甲２組成物発明とは、上記「第６」の「３」と同様に相違点３において相違し、その判断についても同様である。
したがって、本件特許発明３は、甲２組成物発明であるとはいえず、甲２組成物発明及び文献１の記載に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるということもできない。

４ 本件特許発明４について
本件特許発明４と甲２組成物発明とは、上記「第６」の「４」と同様に少なくとも相違点４−３において相違し、その判断についても同様である。
したがって、本件特許発明３は、甲２組成物発明であるとはいえず、甲２組成物発明及び文献１の記載に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるということもできない。

５ 本件特許発明５〜２０について
上記「第６」の「５〜８」と同様である。

６ 本件特許発明２１について
本件特許発明２１と甲２組成物発明とは、上記「第６」の「９」と同様に相違点２１において相違し、その判断についても同様である。
したがって、本件特許発明２１は、甲２組成物発明であるとはいえず、甲２組成物発明及び文献１の記載に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるということもできない。

７ 本件特許発明２２〜２５について
上記「第６」の「１０」と同様である。

８ 本件特許発明２６について
本件特許発明２６と甲２組成物発明とは、上記「第６」の「１１」と同様に少なくとも相違点２６において相違し、その判断についても同様である。
したがって、本件特許発明２６は、甲２組成物発明であるとはいえず、甲２組成物発明及び文献１の記載に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるということもできない。

９ 本件特許発明２７〜３０について
上記「第６」の「１２」と同様である。

１０ 特許異議申立人の主張について
特許異議申立人は、意見書において、甲１を主引例とした場合及び甲２を主引例とした場合をまとめて主張しているが、甲２を主引例とした場合の本件特許発明１〜３０に係る新規性及び進歩性欠如の主張についても、上記「第６」の「１３（１）及び（２）」と同様の理由により、その主張を採用することはできない。


第８ 明確性についての当合議体の判断
１ 上記「第２」の本件訂正請求により、当合議体が「第４」の「３」で指摘した明確性違反については解消していることは明らかである。

２ 特許異議申立人の主張について
（１）特許異議申立人は、意見書の「（３−３）ア」（第４０頁〜第４１頁）において、本件特許発明１における発明特定事項である「厚みが異なる複数箇所」について、「何μｍ以上の厚さを以って「厚みが異なる」とするのかが定義されておらず、「厚みが異なる複数箇所」という用語が一義的に特定範囲の厚さが異なる箇所を指すといえるような技術常識も存在しない。
・・・中略・・・
すなわち、「厚みが異なる」という用語における厚さの違いについて、上限及び下限が特定されていないため、本件訂正発明１の範囲が明確でない。」と主張する。
しかしながら、本件特許発明１の発明特定事項は、「積層デバイス型のマルチダイファンアウトウエハレベルパッケージ」の「厚みが異なる複数箇所」であって、本件特許明細書の「層間絶縁膜の最外層として感光性樹脂組成物を塗布する際には、既に作製していた層間絶縁膜上に約１０〜２０μｍの塗布膜を形成するが、同時にスクライブライン部にも樹脂が充填されるため、スクライブライン部の樹脂厚みは２０〜３０μｍとなる」（【０００６】）等の記載に照らすと、「厚みが異なる複数箇所」及びその厚みの範囲は、「積層デバイス型のマルチダイファンアウトウエハレベルパッケージ」の「感光性樹脂組成物」において生じる範囲であることが、当業者には明確に理解することができる。
したがって、上記主張は採用できない。
請求項２〜３０についても同様である。

（２）特許異議申立人は、意見書の「（３−３）イ」（第４２頁）において、「本件訂正発明１における当該発明特定事項において、「マルチダイファンアウトウエハレベルパッケージ用」という記載は、半導体装置などの積層デバイス構造におけるマルチダイファンアウトウエハレベルパッケージのどの部材や用途に用いるのかが明記されていない。」と主張する。
しかしながら、本件特許発明１は、「半導体装置などの積層デバイス構造におけるマルチダイファンアウトウエハレベルパッケージ」に用いられる「ポジ型感光性樹脂組成物」であるから、パッケージのパターン硬化膜（層間絶縁膜、カバーコート層、表面保護膜等の封止部材）に用いられるものであることは当業者には当然に理解でき、それらの「部材」を「一括同時現像」するという「用途」で用いられることも当業者には明確に理解できる。
したがって、上記主張は採用できない。
請求項２〜３０についても同様である。

（３）特許異議申立人は、意見書の「（３−３）ウ」（第４２〜第４４頁）において、「本件訂正発明２は、「マルチダイファンアウトウエハレベルパッケージ」における「積層部」、「スクライブライン部」、及び「積層部の最外層部」などの部材や用途に用いることを特定したものと当業者は認識する。
・・・中略・・・
そうすると、「積層部とスクライブライン部とを有する基板上の、前記積層部の最外層部及び前記スクライブライン部に塗布し、前記最外層部にパターン硬化膜を形成するために用いる」という記載における積層部、スクライブライン部、及び積層部の最外層部と、「マルチダイファンアウトウエハレベルパッケージ用」という記載における複数のダイや半導体チップとの位置関係が不明確である。」と主張する。
しかしながら、本件特許明細書（【０００４】〜【０００５】）に記載のとおり、「マルチダイファンアウトウエハレベルパッケージ」とは、「半導体素子を３次元的に積層」した「積層デバイス構造」のものである。当該記載に基づけば、「積層部」とは複数のダイや半導体チップである「半導体素子」が「３次元的に積層」した部分であること、「スクライブライン部」とは各パッケージを個片化するためにスクライブする部分であること、及び、「積層部の最外層部」とは前記積層部の最も外側の部分であることは、当業者には明確に理解できる。
したがって、上記主張は採用できない。
請求項２〜３０についても同様である。


第９ 特許異議申立人の意見書におけるその余の主張（サポート要件）について
１ 特許異議申立人は、意見書の「（３−２）ア」（第３２〜第３５頁）において、「本件訂正発明１は、「厚みが異なる複数箇所」における厚さの違いを特定しない全ての範囲において、本件特許の発明の課題を解決できることを当業者が認識できるように記載されていない」と主張する。
しかしながら、上記「第８」の「２（１）」で説示したとおり、本件特許発明１の「厚みが異なる複数箇所」の厚みの違いについては、本件特許明細書の記載から認識できることである。
さらに、本件特許明細書の【００７７】〜【００７９】の実施例の記載を参照すると、本件特許発明１の「ポジ型感光性樹脂組成物」は、１２μｍ及び２０μｍにおいて、一括同時現像が行えることが示されており、「積層デバイス型のマルチダイファンアウトウエハレベルパッケージ」の「感光性樹脂組成物」において生じる「厚みが異なる複数箇所」及びその厚みの範囲において、「多段膜厚パターニングを実現」（厚みが異なる複数箇所の一括同時現像）するという課題（【０００９】〜【００１０】）を十分に解決できることが、当業者は認識することができる。
そうすると、本件の請求項１の記載が、発明の詳細な説明に記載したものでないということはできない。
したがって、上記主張は採用できない。
請求項２〜３０についても同様である。

２ 特許異議申立人は、意見書の「（３−２）イ」（第３５〜第３６頁）において、「本件訂正発明１における発明特定事項において、「マルチダイファンアウトウエハレベルパッケージ用」という記載は、半導体装置などの積層デバイス構造におけるマルチダイファンアウトウエハレベルパッケージのどの部材や用途に用いるのかが明記されていない。」と主張する。
しかしながら、上記「第８」の「２（２）」と同様の理由により、「部材」や「用途」は、発明の詳細な説明の記載から当業者には理解することができる。
そうすると、本件の請求項１の記載が、発明の詳細な説明に記載したものでないということはできない。
したがって、上記主張は採用できない。
請求項２〜３０についても同様である。

３ 特許異議申立人は、意見書の「（３−２）ウ」（第３６〜第４０頁）において、「本件訂正発明２は、「マルチダイファンアウトウエハレベルパッケージ」における「積層部」、「スクライブライン部」、及び「積層部の最外層部」などの部材や用途に用いることを特定したものと当業者は認識する。そうすると、本件特許発明２は、このような部材や用途を特定した全ての範囲において、本件特許の発明の課題を解決できることを当業者が認識できるように記載されていなければならない。
なお本件特許明細書の発明の詳細な説明には、・・・中略・・・半導体装置の製造工程において、複数のダイや半導体チップの位置が明記されていない。
・・・中略・・・
そうすると、「積層部とスクライブライン部とを有する基板上の、前記積層部の最外層部及び前記スクライブライン部に塗布し、前記最外層部にパターン硬化膜を形成するために用いる」という記載における積層部、スクライブライン部、及び積層部の最外層部と、「マルチダイファンアウトウエハレベルパッケージ用」という記載における複数のダイや半導体チップとの位置関係が不明確である。」ことにより、「本件訂正発明２は、本件特許の発明の課題を解決できない権利範囲も包含する蓋然性が高い。」と主張する。
しかしながら、本件特許明細書（【０００４】〜【０００５】）に記載のとおり、「マルチダイファンアウトウエハレベルパッケージ」とは、「半導体素子を３次元的に積層」した「積層デバイス構造」のものである。当該記載に基づけば、「積層部」とは複数のダイや半導体チップである「半導体素子」が「３次元的に積層」した部分であること、「スクライブライン部」とは各パッケージを個片化するためにスクライブする部分であること、及び、「積層部の最外層部」とは前記積層部の最も外側の部分であることは、当業者には明確に理解できる。
そして、本件特許発明２はそれらの部分の製造用途として用いられるポジ型感光性樹脂組成物であることは明らかであり、上記（１）で説示したとおり「多段膜厚パターニングを実現」（厚みが異なる複数箇所の一括同時現像）するという課題を十分に解決できることが、本件特許明細書の記載から当業者には認識できる。
したがって、上記主張は採用できない。
請求項２〜３０についても同様である。


第１０ 取消理由通知（決定の予告）において採用しなかった特許異議申立ての理由（証拠）について
特許異議申立人は、特許異議申立書において、甲１及び甲２に加えて、甲３（特開２０１０−１２２６５４号公報）及び甲４（特開平６−２２４３９９号公報）を周知技術の証拠として提出している。
しかしながら、上記「第６」及び「第７」で検討した各相違点については、甲３及び甲４にも記載や示唆はなく、甲３及び甲４の記載事項を考慮しても、上記「第６」及び「第７」に示した結論を左右するものではない。
したがって、甲１に記載された発明並びに甲３及び甲４に記載された周知技術に基づく理由は採用することができない。
また、甲２に記載された発明並びに及び甲３及び甲４に記載された周知技術に基づく理由についても同様である。


第１１ まとめ
以上のとおりであるから、当合議体が通知した取消しの理由及び特許異議申立ての理由によっては、請求項１〜３０に係る特許を取り消すことはできない。
また、他に請求項１〜３０に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
よって、結論のとおり決定する。
 
発明の名称 （５７）【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）下記一般式（ａ−１）で表される構造単位を有するポリベンゾオキサゾール前駆体と、（ｂ）感光剤と、（ｃ）溶剤と、（ｄ）架橋剤とを含有し、前記（ｂ）成分が下記一般式（１）で表される化合物を含む、厚みが異なる複数箇所の一括同時現像用であって積層デバイス構造のマルチダイファンアウトウエハレベルパッケージ用のポジ型感光性樹脂組成物。
【化１】

（式中、Ｕは２価の有機基、単結合、−Ｏ−、又は、−ＳＯ２−であり、Ｖは炭素数１〜３０の脂肪族基を示す。）
【化２】

（一般式（１）中、Ｘはヒドロキシ化合物又はアミノ化合物の残基を示す）
【請求項２】
（ａ）下記一般式（ａ−１）で表される構造単位を有するポリベンゾオキサゾール前駆体と、（ｂ）感光剤と、（ｃ）溶剤と、（ｄ）架橋剤とを含有し、前記（ｂ）成分が下記一般式（１）で表される化合物を含み、積層部とスクライブライン部とを有する基板上の、前記積層部の最外層部及び前記スクライブライン部に塗布し、前記最外層部にパターン硬化膜を形成するために用いる、厚みが異なる複数箇所の一括同時現像用であって積層デバイス構造のマルチダイファンアウトウエハレベルパッケージ用ポジ型感光性樹脂組成物。
【化３】

（式中、Ｕは２価の有機基、単結合、−Ｏ−、又は、−ＳＯ２−であり、Ｖは炭素数１〜３０の脂肪族基を示す。）
【化４】

（一般式（１）中、Ｘはヒドロキシ化合物又はアミノ化合物の残基を示す）
【請求項３】
（ａ）下記一般式（ａ−１）で表される構造単位を有するポリベンゾオキサゾール前駆体と、（ｂ）感光剤と、（ｃ）溶剤と、（ｄ）架橋剤とを含有し、
前記（ｂ）成分が下記一般式（ｂ−１）、下記一般式（ｂ−２）又は下記一般式（ｂ−３）で表される化合物を含む、厚みが異なる複数箇所の一括同時現像用であって積層デバイス構造のマルチダイファンアウトウエハレベルパッケージ用のポジ型感光性樹脂組成物。
【化５】


（式中、Ｕは２価の有機基、単結合、−Ｏ−、又は、−ＳＯ２−であり、Ｖは炭素数１〜３０の脂肪族基を示す。）
【化６】

【化７】

【化８】

（一般式（ｂ−１）、（ｂ−２）及び（ｂ−３）中、Ｒはそれぞれ独立に下記式で表される基又は水素原子であり、各化合物の全てのＲが水素原子であることはない。）
【化９】

【請求項４】
（ａ）下記一般式（ａ−１）で表される構造単位を有するポリベンゾオキサゾール前駆体と、（ｂ）感光剤と、（ｃ）溶剤と、（ｄ）架橋剤とを含有し、
前記（ｂ）成分が下記一般式（ｂ−２）又は下記一般式（ｂ−３）で表される化合物を含み、
前記（ｄ）成分が、Ｎ位がメチロール基若しくはアルコキシメチル基で置換されたメラミン樹脂又は尿素樹脂である、１０〜１２μｍの塗布膜及び２０〜３０μｍの塗布膜の一括同時露光現像用であって積層デバイス構造のマルチダイファンアウトウエハレベルパッケージ用のポジ型感光性樹脂組成物。
【化１０】

（式中、Ｕは２価の有機基、単結合、−Ｏ−、又は、−ＳＯ２−であり、Ｖは炭素数１〜３０の脂肪族基を示す。）
【化１１】


【化１２】


（一般式（ｂ−２）及び（ｂ−３）中、Ｒはそれぞれ独立に下記式で表される基又は水素原子であり、各化合物の全てのＲが水素原子であることはない。）
【化１３】


【請求項５】
請求項１に記載のポジ型感光性樹脂組成物を基板上に塗布、乾燥して感光性樹脂膜を形成する工程と、
前記感光性樹脂膜を所定のパターンに露光する工程と、
露光後の前記樹脂膜をアルカリ水溶液を用いて現像しパターン樹脂膜を形成する工程と、
前記パターン樹脂膜を加熱処理する工程と、
を含むパターン硬化膜の製造方法。
【請求項６】
前記パターン樹脂膜を加熱処理する工程において、加熱処理温度が２５０℃以下である請求項５に記載のパターン硬化膜の製造方法。
【請求項７】
請求項１に記載のポジ型感光性樹脂組成物のパターン硬化膜を用いた、層間絶縁膜、カバーコート層又は表面保護膜。
【請求項８】
請求項７に記載の層間絶縁膜、カバーコート層又は表面保護膜を有する電子部品。
【請求項９】
請求項２に記載のポジ型感光性樹脂組成物を基板上に塗布、乾燥して感光性樹脂膜を形成する工程と、
前記感光性樹脂膜を所定のパターンに露光する工程と、
露光後の前記樹脂膜をアルカリ水溶液を用いて現像しパターン樹脂膜を形成する工程と、
前記パターン樹脂膜を加熱処理する工程と、
を含むパターン硬化膜の製造方法。
【請求項１０】
前記パターン樹脂膜を加熱処理する工程において、加熱処理温度が２５０℃以下である請求項９に記載のパターン硬化膜の製造方法。
【請求項１１】
請求項２に記載のポジ型感光性樹脂組成物のパターン硬化膜を用いた、層間絶縁膜、カバーコート層又は表面保護膜。
【請求項１２】
請求項１１に記載の層間絶縁膜、カバーコート層又は表面保護膜を有する電子部品。
【請求項１３】
請求項３に記載のポジ型感光性樹脂組成物を基板上に塗布、乾燥して感光性樹脂膜を形成する工程と、
前記感光性樹脂膜を所定のパターンに露光する工程と、
露光後の前記樹脂膜をアルカリ水溶液を用いて現像しパターン樹脂膜を形成する工程と、
前記パターン樹脂膜を加熱処理する工程と、
を含むパターン硬化膜の製造方法。
【請求項１４】
前記パターン樹脂膜を加熱処理する工程において、加熱処理温度が２５０℃以下である請求項１３に記載のパターン硬化膜の製造方法。
【請求項１５】
請求項３に記載のポジ型感光性樹脂組成物のパターン硬化膜を用いた、層間絶縁膜、カバーコート層又は表面保護膜。
【請求項１６】
請求項１５に記載の層間絶縁膜、カバーコート層又は表面保護膜を有する電子部品。
【請求項１７】
請求項４に記載のポジ型感光性樹脂組成物を基板上に塗布、乾燥して感光性樹脂膜を形成する工程と、
前記感光性樹脂膜を所定のパターンに露光する工程と、
露光後の前記樹脂膜をアルカリ水溶液を用いて現像しパターン樹脂膜を形成する工程と、
前記パターン樹脂膜を加熱処理する工程と、
を含むパターン硬化膜の製造方法。
【請求項１８】
前記パターン樹脂膜を加熱処理する工程において、加熱処理温度が２５０℃以下である請求項１７に記載のパターン硬化膜の製造方法。
【請求項１９】
請求項４に記載のポジ型感光性樹脂組成物のパターン硬化膜を用いた、層間絶縁膜、カバーコート層又は表面保護膜。
【請求項２０】
請求項１９に記載の層間絶縁膜、カバーコート層又は表面保護膜を有する電子部品。
【請求項２１】
（ａ）下記一般式（ａ−１）で表される構造単位を有するポリベンゾオキサゾール前駆体と、（ｂ）感光剤と、（ｃ）溶剤と、（ｄ）架橋剤とを含有し、
前記（ｂ）成分が下記一般式（ｂ−１）、下記一般式（ｂ−２）又は下記一般式（ｂ−３）で表される化合物を含む、積層部とスクライブライン部とを有する基板上の、前記積層部の最外層部及び前記スクライブライン部に塗布し、前記最外層部にパターン硬化膜を形成するために用いる、厚みが異なる複数箇所の一括同時現像用であって積層デバイス構造のマルチダイファンアウトウエハレベルパッケージ用ポジ型感光性樹脂組成物。
【化１４】


（式中、Ｕは２価の有機基、単結合、−Ｏ−、又は、−ＳＯ２上であり、Ｖは炭素数１〜３０の脂肪族基を示す。）
【化１５】


【化１６】


【化１７】


（一般式（ｂ−１）、（ｂ−２）及び（ｂ−３）中、Ｒはそれぞれ独立に下記式で表される基又は水素原子であり、各化合物の全てのＲが水素原子であることはない。）
【化１８】


【請求項２２】
請求項２１に記載のポジ型感光性樹脂組成物を基板上に塗布、乾燥して感光性樹脂膜を形成する工程と、
前記感光性樹脂膜を所定のパターンに露光する工程と、
露光後の前記樹脂膜をアルカリ水溶液を用いて現像しパターン樹脂膜を形成する工程と、
前記パターン樹脂膜を加熱処理する工程と、
を含むパターン硬化膜の製造方法。
【請求項２３】
前記パターン樹脂膜を加熱処理する工程において、加熱処理温度が２５０℃以下である請求項２２に記載のパターン硬化膜の製造方法。
【請求項２４】
請求項２１に記載のポジ型感光性樹脂組成物のパターン硬化膜を用いた、層間絶縁膜、カバーコート層又は表面保護膜。
【請求項２５】
請求項２４に記載の層間絶縁膜、カバーコート層又は表面保護膜を有する電子部品。
【請求項２６】
（ａ）下記一般式（ａ−１）で表される構造単位を有するポリベンゾオキサゾール前駆体と、（ｂ）感光剤と、（ｃ）溶剤と、（ｄ）架橋剤とを含有し、
前記（ｂ）成分が下記一般式（ｂ−２）又は下記一般式（ｂ−３）で表される化合物を含み、
前記（ｄ）成分が、Ｎ位がメチロール基若しくはアルコキシメチル基で置換されたメラミン樹脂又は尿素樹脂である、積層部とスクライブライン部とを有する基板上の、前記積層部の最外層部に１０〜１２μｍの塗布膜で塗布及び前記スクライブライン部に２０〜３０μｍの塗布膜で塗布し、前記最外層部にパターン硬化膜を形成するために用いる、厚みが異なる複数箇所の一括同時露光現像用であって積層デバイス構造のマルチダイファンアウトウエハレベルパッケージ用ポジ型感光性樹脂組成物。
【化１９】


（式中、Ｕは２価の有機基、単結合、−Ｏ−、又は、−ＳＯ２−であり、Ｖは炭素数１〜３０の脂肪族基を示す。）
【化２０】


【化２１】


（一般式（ｂ−２）及び（ｂ−３）中、Ｒはそれぞれ独立に下記式で表される基又は水素原子であり、各化合物の全てのＲが水素原子であることはない。）
【化２２】


【請求項２７】
請求項２６に記載のポジ型感光性樹脂組成物を基板上に塗布、乾燥して感光性樹脂膜を形成する工程と、
前記感光性樹脂膜を所定のパターンに露光する工程と、
露光後の前記樹脂膜をアルカリ水溶液を用いて現像しパターン樹脂膜を形成する工程と、
前記パターン樹脂膜を加熱処理する工程と、
を含むパターン硬化膜の製造方法。
【請求項２８】
前記パターン樹脂膜を加熱処理する工程において、加熱処理温度が２５０℃以下である請求項２７に記載のパターン硬化膜の製造方法。
【請求項２９】
請求項２６に記載のポジ型感光性樹脂組成物のパターン硬化膜を用いた、層間絶縁膜、カバーコート層又は表面保護膜。
【請求項３０】
請求項２９に記載の層間絶縁膜、カバーコート層又は表面保護膜を有する電子部品。
 
訂正の要旨 審決（決定）の【理由】欄参照。
異議決定日 2022-08-31 
出願番号 P2016-571863
審決分類 P 1 651・ 537- YAA (G03F)
P 1 651・ 121- YAA (G03F)
最終処分 07   維持
特許庁審判長 里村 利光
特許庁審判官 小濱 健太
植前 充司
登録日 2020-09-01 
登録番号 6756957
権利者 ＨＤマイクロシステムズ株式会社
発明の名称 ポジ型感光性樹脂組成物、パターン硬化膜の製造方法、層間絶縁膜、カバーコート層又は表面保護膜及び電子部品  
代理人 弁理士法人平和国際特許事務所  
代理人 弁理士法人平和国際特許事務所  

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