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審決分類 審判 全部申し立て 2項進歩性  H01B
審判 全部申し立て 1項3号刊行物記載  H01B
審判 全部申し立て 特36条4項詳細な説明の記載不備  H01B
審判 全部申し立て 特36条6項1、2号及び3号 請求の範囲の記載不備  H01B
管理番号 1390543
総通号数 11 
発行国 JP 
公報種別 特許決定公報 
発行日 2022-11-25 
種別 異議の決定 
異議申立日 2021-04-26 
確定日 2022-08-09 
異議申立件数 2 
訂正明細書 true 
事件の表示 特許第６７７７４０５号発明「導電性粒子、導電性粒子の製造方法、導電材料及び接続構造体」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。 
結論 特許第６７７７４０５号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１ないし１０、１２及び１３〕並びに１１について訂正することを認める。 特許第６７７７４０５号の請求項１ないし８及び１０ないし１３に係る特許を維持する。 特許第６７７７４０５号の請求項９に係る特許についての特許異議の申立てを却下する。 
理由 第１ 手続の経緯
特許第６７７７４０５号（以下、「本件特許」という。）の請求項１ないし１３に係る特許についての出願は、平成２８年３月２日（優先権主張 平成２７年３月３日）の出願であって、令和２年１０月１２日にその特許権の設定登録（請求項の数１３）がされ、同年同月２８日に特許掲載公報が発行され、その後、その特許に対し、令和３年４月２６日に特許異議申立人 本間 裕美（以下、「特許異議申立人Ａ」という。）及び特許異議申立人 黒田 泰（以下、「特許異議申立人Ｂ」という。）それぞれから特許異議の申立て（対象請求項：請求項１ないし１３）がされ、同年７月９日付けで取消理由が通知され、同年１０月７日に特許権者 積水化学工業株式会社（以下、「特許権者」という。）から訂正請求がされるとともに意見書が提出され、同年同月２５日付けで訂正請求があった旨の通知（特許法第120条の5第5項）がされ、同年１１月２４日に特許異議申立人Ａから意見書が提出され、同年同月２５日に特許異議申立人Ｂから意見書が提出され、令和４年３月３日付けで取消理由（決定の予告）が通知され、同年５月１２日に特許権者から訂正請求がされるとともに意見書が提出されたものである。
なお、令和３年１０月７日にされた訂正請求は、特許法第120条の5第7項の規定により取り下げられたものとみなす。
また、すでに特許異議申立人Ａ及びＢに意見書の提出の機会が与えられており、下記第２ １のとおり、令和４年５月１２日にされた訂正請求によって特許請求の範囲が相当程度減縮され、下記第５ないし７のとおり、提出された全ての証拠や意見等を踏まえて更に審理を進めたとしても特許を維持すべきとの結論となると合議体は判断し、特許法第120条の5第5項ただし書に規定された特別の事情があるときといえるから、特許異議申立人Ａ及びＢに再度の意見書の提出の機会を与えていない。

第２ 本件訂正について
１ 訂正の内容
令和４年５月１２日にされた訂正請求による訂正（以下、「本件訂正」という）の内容は、次のとおりである。なお、下線は訂正箇所を示すものである。

（１）訂正事項１
特許請求の範囲の請求項１の
「基材粒子と、前記基材粒子の表面上に配置された導電部とを備え、
前記導電部が水素原子を含まないか、又は、前記導電部が水素原子を８０μｇ／ｇ以下で含み、」との記載を、
「基材粒子と、前記基材粒子の表面上に配置された導電部とを備え、
前記基材粒子が、ジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子、または、ジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子の表面を無機シェルにより被覆したコアシェル型の有機無機ハイブリッド粒子からなり、
前記導電部が水素原子を含まないか、又は、前記導電部が水素原子を８０μｇ／ｇ以下で含み、」と訂正する。
併せて、請求項１を直接又は間接的に引用する他の請求項についても、請求項１を訂正したことに伴う訂正をする。

（２）訂正事項２
特許請求の範囲の請求項２の
「基材粒子と、前記基材粒子の表面上に配置された導電部とを備え、
前記導電部が水素原子を含まないか、又は、前記導電部が水素原子を８０μｇ／ｇ以下で含み、」との記載を、
「基材粒子と、前記基材粒子の表面上に配置された導電部とを備え、
前記基材粒子が、ジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子、または、ジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子の表面を無機シェルにより被覆したコアシェル型の有機無機ハイブリッド粒子からなり、
前記導電部が水素原子を含まないか、又は、前記導電部が水素原子を８０μｇ／ｇ以下で含み、」と訂正する。
併せて、請求項２を直接又は間接的に引用する他の請求項についても、請求項２を訂正したことに伴う訂正をする。

（３）訂正事項３
特許請求の範囲の請求項３の
「基材粒子と、前記基材粒子の表面上に配置された導電部とを備え、
前記導電部が水素原子を含まないか、又は、前記導電部が水素原子を８０μｇ／ｇ以下で含み、」との記載を、
「基材粒子と、前記基材粒子の表面上に配置された導電部とを備え、
前記基材粒子が、ジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子、または、ジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子の表面を無機シェルにより被覆したコアシェル型の有機無機ハイブリッド粒子からなり、
前記導電部が水素原子を含まないか、又は、前記導電部が水素原子を８０μｇ／ｇ以下で含み、」と訂正する。
併せて、請求項３を直接又は間接的に引用する他の請求項についても、請求項３を訂正したことに伴う訂正をする。

（４）訂正事項４
特許請求の範囲の請求項４の
「基材粒子と、前記基材粒子の表面上に配置された導電部とを備え、
前記導電部が水素原子を含まないか、又は、前記導電部が水素原子を８０μｇ／ｇ以下で含み、」との記載を、
「基材粒子と、前記基材粒子の表面上に配置された導電部とを備え、
前記基材粒子が、ジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子、または、ジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子の表面を無機シェルにより被覆したコアシェル型の有機無機ハイブリッド粒子からなり、
前記導電部が水素原子を含まないか、又は、前記導電部が水素原子を８０μｇ／ｇ以下で含み、」と訂正する。
併せて、請求項４を直接又は間接的に引用する他の請求項についても、請求項４を訂正したことに伴う訂正をする。

（５）訂正事項５
特許請求の範囲の請求項５の
「基材粒子と、前記基材粒子の表面上に配置された導電部とを備え、
前記導電部が水素原子を含まないか、又は、前記導電部が水素原子を８０μｇ／ｇ以下で含み、」との記載を、
「基材粒子と、前記基材粒子の表面上に配置された導電部とを備え、
前記基材粒子が、ジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子、または、ジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子の表面を無機シェルにより被覆したコアシェル型の有機無機ハイブリッド粒子からなり、
前記導電部が水素原子を含まないか、又は、前記導電部が水素原子を８０μｇ／ｇ以下で含み、」と訂正する。
併せて、請求項５を直接又は間接的に引用する他の請求項についても、請求項５を訂正したことに伴う訂正をする。

（６）訂正事項６
特許請求の範囲の請求項１１の
「基材粒子と、前記基材粒子の表面上に配置された導電部を有する導電性粒子を用いて、前記導電性粒子を２００℃以上にアニール処理する工程を備え、」との記載を、
「ジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子、または、ジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子の表面を無機シェルにより被覆したコアシェル型の有機無機ハイブリッド粒子からなる基材粒子と、前記基材粒子の表面上に配置された導電部を有する導電性粒子を用いて、前記導電性粒子を２００℃以上にアニール処理する工程を備え、」と訂正する。

（７）訂正事項７
特許請求の範囲の請求項１の
「前記導電部が結晶構造を有する導電部を含み、」との記載を、
「前記導電部の外表面に複数の突起を有し、
前記導電部が結晶構造を有する導電部を含み、」と訂正する。
併せて、請求項１を直接又は間接的に引用する他の請求項についても、請求項１を訂正したことに伴う訂正をする。

（８）訂正事項８
特許請求の範囲の請求項２の
「前記導電部が結晶構造を有する導電部を含み、」との記載を、
「前記導電部の外表面に複数の突起を有し、
前記導電部が結晶構造を有する導電部を含み、」と訂正する。
併せて、請求項２を直接又は間接的に引用する他の請求項についても、請求項２を訂正したことに伴う訂正をする。

（９）訂正事項９
特許請求の範囲の請求項３の
「前記導電部が結晶構造を有する導電部を含み、」との記載を、
「前記導電部の外表面に複数の突起を有し、
前記導電部が結晶構造を有する導電部を含み、」と訂正する。
併せて、請求項３を直接又は間接的に引用する他の請求項についても、請求項３を訂正したことに伴う訂正をする。

（１０）訂正事項１０
特許請求の範囲の請求項５の
「前記導電部は、ニッケルを少なくとも含む、」との記載を、
「前記導電部の外表面に複数の突起を有し、
前記導電部は、ニッケルを少なくとも含む、」と訂正する。
併せて、請求項５を直接又は間接的に引用する他の請求項についても、請求項５を訂正したことに伴う訂正をする。

（１１）訂正事項１１
特許請求の範囲の請求項９を削除する。

（１２）訂正事項１２
特許請求の範囲の請求項１０の
「請求項１〜９のいずれか１項に記載の導電性粒子。」との記載を、
「請求項１〜８のいずれか１項に記載の導電性粒子。」と訂正する。
併せて、請求項１０を直接又は間接的に引用する他の請求項についても、請求項１０を訂正したことに伴う訂正をする。

（１３）訂正事項１３
特許請求の範囲の請求項１２の
「請求項１〜１０のいずれか１項に記載の導電性粒子。」との記載を、
「請求項１〜８および１０のいずれか１項に記載の導電性粒子。」と訂正する。

（１４）訂正事項１４
特許請求の範囲の請求項１３の
「請求項１〜１０のいずれか１項に記載の導電性粒子」との記載を、
「請求項１〜８および１０のいずれか１項に記載の導電性粒子」と訂正する。

２ 訂正の目的、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内か否か及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否
（１）請求項１についての訂正について
訂正事項１による請求項１についての訂正は、「基材粒子」の材質を限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
訂正事項７による請求項１についての訂正は、「導電部」の外表面の形状を限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
そして、訂正事項１及び７による請求項１についての訂正は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内のものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。

（２）請求項２についての訂正について
訂正事項２による請求項２についての訂正は、「基材粒子」の材質を限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
訂正事項８による請求項２についての訂正は、「導電部」の外表面の形状を限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
そして、訂正事項２及び８による請求項２についての訂正は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内のものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。

（３）請求項３についての訂正について
訂正事項３による請求項３についての訂正は、「基材粒子」の材質を限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
訂正事項９による請求項３についての訂正は、「導電部」の外表面の形状を限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
そして、訂正事項３及び９による請求項３についての訂正は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内のものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。

（４）請求項４についての訂正について
訂正事項４による請求項４についての訂正は、「基材粒子」の材質を限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
そして、訂正事項４による請求項４についての訂正は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内のものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。

（５）請求項５についての訂正について
訂正事項５による請求項５についての訂正は、「基材粒子」の材質を限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
訂正事項１０による請求項５についての訂正は、「導電部」の外表面の形状を限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
そして、訂正事項５及び１０による請求項５についての訂正は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内のものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。

（６）請求項６についての訂正について
訂正事項１ないし４及び７ないし９による請求項６についての訂正は、請求項１ないし４についての訂正と同様に特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
そして、訂正事項１ないし４及び７ないし９による請求項６についての訂正は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内のものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。

（７）請求項７についての訂正について
訂正事項１ないし５及び７ないし１０による請求項７についての訂正は、請求項１ないし６についての訂正と同様に特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
そして、訂正事項１ないし５及び７ないし１０による請求項７についての訂正は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内のものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。

（８）請求項８についての訂正について
訂正事項１ないし５及び７ないし１０による請求項８についての訂正は、請求項１ないし７についての訂正と同様に特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
そして、訂正事項１ないし５及び７ないし１０による請求項８についての訂正は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内のものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。

（９）請求項９についての訂正について
訂正事項１１による請求項９についての訂正は、請求項を削除するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
そして、訂正事項１１による請求項９についての訂正は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内のものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。

（１０）請求項１０についての訂正について
訂正事項１ないし５及び７ないし１０による請求項１０についての訂正は、請求項１ないし８についての訂正と同様に特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
訂正事項１２による請求項１０についての訂正は、引用請求項を削除するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
そして、訂正事項１ないし５、７ないし１０及び１２による請求項１０についての訂正は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内のものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。

（１１）請求項１１についての訂正について
訂正事項６による請求項１１についての訂正は、「基材粒子」の材質を限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
そして、訂正事項６による請求項１１についての訂正は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内のものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。

（１２）請求項１２についての訂正について
訂正事項１ないし５、７ないし１０及び１２による請求項１２についての訂正は、請求項１ないし８及び１０についての訂正と同様に特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
訂正事項１３による請求項１２についての訂正は、引用請求項を削除するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
そして、訂正事項１ないし５、７ないし１０、１２及び１３による請求項１２についての訂正は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内のものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。

（１３）請求項１３についての訂正について
訂正事項１ないし５、７ないし１０及び１２による請求項１３についての訂正は、請求項１ないし８及び１０についての訂正と同様に特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
訂正事項１４による請求項１３についての訂正は、引用請求項を削除するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
そして、訂正事項１ないし５、７ないし１０、１２及び１４による請求項１３についての訂正は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内のものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。

３ むすび
以上のとおり、訂正事項１ないし１４による請求項１ないし１３についての訂正は、いずれも、特許法120条の5第2項ただし書第１号に掲げる事項を目的とするものである。
また、訂正事項１ないし１４による請求項１ないし１３についての訂正は、いずれも、特許法第120条の5第9項において準用する同法第126条第５及び６項の規定に適合する。

なお、訂正前の請求項１ないし１０、１２及び１３は一群の請求項に該当するものである。そして、訂正事項１ないし５及び７ないし１４による請求項１ないし１０、１２及び１３についての訂正は、それらについてされたものであるから、一群の請求項ごとにされたものであり、特許法第120条の5第4項の規定に適合する。
さらに、特許異議の申立ては、訂正前の請求項１ないし１３に対してされているので、訂正を認める要件として、特許法第120条の5第9項において読み替えて準用する同法第126条第7項に規定する独立特許要件は課されない。

したがって、本件訂正は適法なものであり、結論のとおり、本件特許の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１ないし１０、１２及び１３〕並びに１１について訂正することを認める。

第３ 本件特許発明
上記第２のとおりであるから、本件特許の請求項１ないし１３に係る発明（以下、順に「本件特許発明１」のようにいい、総称して「本件特許発明」という。）は、それぞれ、訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲の請求項１ないし１３に記載された事項により特定される次のとおりのものである。

「【請求項１】
基材粒子と、前記基材粒子の表面上に配置された導電部とを備え、
前記基材粒子が、ジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子、または、ジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子の表面を無機シェルにより被覆したコアシェル型の有機無機ハイブリッド粒子からなり、
前記導電部が水素原子を含まないか、又は、前記導電部が水素原子を８０μｇ／ｇ以下で含み、
前記導電部の外表面に複数の突起を有し、
前記導電部が結晶構造を有する導電部を含み、
前記結晶構造を有する導電部の断面観察において、前記結晶構造を有する導電部における結晶子サイズが５０ｎｍ以上である、導電性粒子。
【請求項２】
基材粒子と、前記基材粒子の表面上に配置された導電部とを備え、
前記基材粒子が、ジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子、または、ジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子の表面を無機シェルにより被覆したコアシェル型の有機無機ハイブリッド粒子からなり、
前記導電部が水素原子を含まないか、又は、前記導電部が水素原子を８０μｇ／ｇ以下で含み、
前記導電部の外表面に複数の突起を有し、
前記導電部が結晶構造を有する導電部を含み、
前記結晶構造を有する導電部において、Ｘ線回折により得られる回折ピークの半値幅とシェラーの式から求められる（１１１）面、（２００）面、（２２０）面、（３１１）面及び（２２２）面の結晶子サイズの平均値による結晶子サイズが５０ｎｍ以上である、導電性粒子。
【請求項３】
基材粒子と、前記基材粒子の表面上に配置された導電部とを備え、
前記基材粒子が、ジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子、または、ジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子の表面を無機シェルにより被覆したコアシェル型の有機無機ハイブリッド粒子からなり、
前記導電部が水素原子を含まないか、又は、前記導電部が水素原子を８０μｇ／ｇ以下で含み、
前記導電部の外表面に複数の突起を有し、
前記導電部が結晶構造を有する導電部を含み、
前記結晶構造を有する導電部において、Ｘ線回折により得られる回折ピークの半値幅とウィリアムソン−ホール式から求められる結晶子サイズが５０ｎｍ以上である、導電性粒子。
【請求項４】
基材粒子と、前記基材粒子の表面上に配置された導電部とを備え、
前記基材粒子が、ジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子、または、ジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子の表面を無機シェルにより被覆したコアシェル型の有機無機ハイブリッド粒子からなり、
前記導電部が水素原子を含まないか、又は、前記導電部が水素原子を８０μｇ／ｇ以下で含み、
１０％圧縮した時の圧縮弾性率が３０００Ｎ／ｍｍ２以上である、導電性粒子。
【請求項５】
基材粒子と、前記基材粒子の表面上に配置された導電部とを備え、
前記基材粒子が、ジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子、または、ジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子の表面を無機シェルにより被覆したコアシェル型の有機無機ハイブリッド粒子からなり、
前記導電部が水素原子を含まないか、又は、前記導電部が水素原子を８０μｇ／ｇ以下で含み、
前記導電部の外表面に複数の突起を有し、
前記導電部は、ニッケルを少なくとも含む、導電性粒子。
【請求項６】
前記導電部は、ニッケル、パラジウム、ルテニウム、銅、タングステン、モリブデン、リン、ボロン、金、白金又は錫を少なくとも含む、請求項１〜４のいずれか１項に記載の導電性粒子。
【請求項７】
前記導電部のビッカース硬度が２００以上である、請求項１〜６のいずれか１項に記載の導電性粒子。
【請求項８】
前記基材粒子が、樹脂粒子又は有機無機ハイブリッド粒子である、請求項１〜７のいずれか１項に記載の導電性粒子。
【請求項９】削除
【請求項１０】
前記導電部の外表面上に配置された絶縁性物質を備える、請求項１〜８のいずれか１項に記載の導電性粒子。
【請求項１１】
ジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子、または、ジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子の表面を無機シェルにより被覆したコアシェル型の有機無機ハイブリッド粒子からなる基材粒子と、前記基材粒子の表面上に配置された導電部を有する導電性粒子を用いて、前記導電性粒子を２００℃以上にアニール処理する工程を備え、
前記アニール処理によって、基材粒子と、前記基材粒子の表面上に配置された導電部とを備え、導電部が水素原子を含まないか、又は、導電部が水素原子を８０μｇ／ｇ以下で含む導電性粒子を得る、導電性粒子の製造方法。
【請求項１２】
請求項１〜８および１０のいずれか１項に記載の導電性粒子と、バインダー樹脂とを含む、導電材料。
【請求項１３】
第１の接続対象部材と、
第２の接続対象部材と、
前記第１の接続対象部材と、前記第２の接続対象部材とを接続している接続部とを備え、
前記接続部の材料が、請求項１〜８および１０のいずれか１項に記載の導電性粒子であるか、又は前記導電性粒子とバインダー樹脂とを含む導電材料である、接続構造体。」

第４ 特許異議申立書に記載した申立ての理由及び令和４年３月３日付けで通知した取消理由（決定の予告）の概要
１ 特許異議申立人Ａが提出した特許異議申立書に記載した申立ての理由の概要
令和３年４月２６日に特許異議申立人Ａが提出した特許異議申立書（以下、「特許異議申立書Ａ」という。）に記載した申立ての理由の概要は次のとおりである。

（１）申立理由Ａ−１（甲第１号証に基づく新規性）
本件特許発明１ないし３、５、６及び８は、本件特許の優先日前に日本国内又は外国において、頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった下記の甲第１号証に記載された発明であり、特許法第29条第1項第3号に該当し特許を受けることができないものであるから、本件特許の請求項１ないし３、５、６及び８に係る特許は、同法第113条第2号に該当し取り消すべきものである。

（２）申立理由Ａ−２（甲第２号証に基づく新規性・進歩性）
本件特許発明１ないし８及び１１ないし１３は、本件特許の優先日前に日本国内又は外国において、頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった下記の甲第２号証に記載された発明であり、特許法第29条第1項第3号に該当し特許を受けることができないものであるか、本件特許発明１ないし８及び１０ないし１３は、甲第２号証に記載された発明に基づいて、その優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下、「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであり、同法同条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、本件特許の請求項１ないし８及び１０ないし１３に係る特許は、同法第113条第2号に該当し取り消すべきものである。

（３）申立理由Ａ−３（甲第３号証に基づく新規性・進歩性）
本件特許発明１ないし８及び１１ないし１３は、本件特許の優先日前に日本国内又は外国において、頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった下記の甲第３号証に記載された発明であり、特許法第29条第1項第3号に該当し特許を受けることができないものであるか、本件特許発明１ないし８及び１０ないし１３は、甲第３号証に記載された発明に基づいて、その優先日前に当業者が容易に発明をすることができたものであり、同法同条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、本件特許の請求項１ないし８及び１０ないし１３に係る特許は、同法第113条第2号に該当し取り消すべきものである。

（４）申立理由Ａ−４（甲第１６号証に基づく新規性・進歩性）
本件特許発明４ないし８及び１１ないし１３は、本件特許の優先日前に日本国内又は外国において、頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった下記の甲第１６号証に記載された発明であり、特許法第29条第1項第3号に該当し特許を受けることができないものであるか、本件特許発明４ないし１３は、甲第１６号証に記載された発明に基づいて、その優先日前に当業者が容易に発明をすることができたものであり、同法同条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、本件特許の請求項４ないし１３に係る特許は、同法第113条第2号に該当し取り消すべきものである。

（５）申立理由Ａ−５（実施可能要件）
本件特許の請求項１ないし１３についての特許は、下記の点で特許法第36条第4項第1号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであるから、同法第113条第4号に該当し取り消すべきものである。

ア 無電解ニッケルめっき皮膜の加熱処理による結晶化に関して、例えば、甲第５号証及び甲第１０号証に記載がある。これらの記載によれば、２００℃程度の熱処理では無電解ニッケルめっき皮膜の結晶化が進行しにくく、結晶化は加熱温度が高いほど進行し、また、無電解ニッケルめっき皮膜の硬度は、３５０℃或いは４００℃までは加熱温度が高くなるにつれて硬度も高くなること、硬度の変化は加熱開始から３０分でほぼ一定になることは技術常識である。
本件特許の実施例８は２００℃で４時間の加熱処理を行った例であるが、この温度条件で結晶化は進行しにくく、得られた導電性粒子の結晶子サイズは、熱処理を行わない例である比較例１や２８０℃で加熱処理をおこなった比較例２のものと同等である蓋然性が高いと考えられる。しかし、実施例８で得られた導電性粒子の結晶子サイズは、比較例１や比較例２で得られた導電性粒子よりかなり大きな値となっている。
本件特許の実施例８は２００℃で４時間の加熱処理を行った例であり、比較例２は２８０℃で２時間の加熱処理を行った例である。実施例８で得られた導電性粒子の硬さを表す１０％Ｋ値は、比較例２で得られた導電性粒子より大きな値となるが、実施例８と比較例２は、少なくとも３０分以上加熱処理したものであり、実施例８の２００℃で加熱処理したものの方が、比較例２の２８０℃で加熱処理したものに比べて大きくなっている。
このように、実施例８、比較例１及び比較例２で得られた導電性粒子における結晶子サイズ及び１０％Ｋ値の関係が技術常識と矛盾しており、本件の発明の詳細な説明は、本件特許発明１ないし４について、当業者が実施できる程度に明確かつ十分に記載されていない。また、請求項１ないし４のいずれかを引用する本件特許発明６ないし１０、１２及び１３についても同様である。

イ 本件特許の実施例１に関する記載である発明の詳細な説明の【０１５９】の「１００ｋＰａの気圧雰囲気下」との記載のみでは「１００ｋＰａ」が絶対圧力なのかゲージ圧なのか、当業者は理解できない。さらに、同じく【０１２９】の「高圧雰囲気下で行うことが好ましい」との記載は、「大気圧より高い圧力下で行うことが好ましい」との意味に理解され、その一方で「真空度は、好ましくは１０ｋＰａ以上」との記載は「絶対圧力１０ｋＰａ以上の定圧下が好ましい」の意味であると解され、矛盾した記載となっている。このため、当業者は、どのような圧力下でアニール処理を行う必要があるのか、発明の詳細な説明の記載から理解することができない。
従って、本件特許の発明の詳細な説明は、本件特許発明１ないし５について、当業者が実施できる程度に明確かつ十分に記載されていない。また、請求項１ないし５のいずれかを引用する本件特許発明６ないし１０、１２及び１３についても同様である。

ウ 微粉末のふるい分けには、一般に電成ふるいが用いられるが、電成ふるいの開孔径の最小は４μｍ程度が限界とされている。本件特許の実施例に記載されている粒子径約３μｍの導電性粒子を粉砕した粉砕物は、電成ふるいでふるい分けできない大きさであるから、どのようなふるいを用いることで導電部と基材粒子とをふるい分けできるのか当業者は理解できない。
また、本件特許の発明の詳細な説明の【０２２５】によると、水素原子の含有量の測定を、昇温脱雕水素分析装置（エフアイエス社製「ＰＤＨＡ−１０００」）を用いて行っているが、「３ＧＰａの一定圧力下」で「真空引きされた導電部を徐々に加熱」したと矛盾した記載となっている。エフアイエス社製「ＰＤＨＡ−１０００」は、そのカタログ（甲第１９号証）によれば、センサガスクロマトグラフのキャリアガス流通下で試料を加熱し、発生した水素をキャリアガスと共にセンサガスクロマトグラフに導入して分析するものであるから、構造上、試料を真空引きすることができない。したがって、どのように「真空引きされた導電部を徐々に加熱」するのか当業者は理解できない。
本件特許において水素の含有量とは、本件特許の発明の詳細な説明の【００３９】及び実施例の記載から、０℃から４００℃まで昇温速度５℃／分で導電部を加熱したときに発生する水素の量を指していると理解されるが、上述の通り、その具体的な測定方法を当業者は理解できない。
従って、本件特許の発明の詳細な説明は、本件特許発明１ないし１３について、当業者が実施できる程度に明確かつ十分に記載されていない。

（６）申立理由Ａ−６（サポート要件）
本件特許の請求項１ないし１０、１２及び１３についての特許は、下記の点で特許法第36条第6項第1号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであるから、同法第113条第4号に該当し取り消すべきものである。

ア 本件特許の請求項１において、結晶構造を有する導電部における結晶子サイズが５０ｎｍ以上であることが特定されているが、導電部の材料は特定されていない。
本件特許の実施例において、導電部が無電解ニッケル−リンめっき層である場合に、結晶子サイズを５０ｎｍ以上とすることで本件特許発明の課題が解決できることが示されているが、導電部を形成できるその他の全ての材料において結晶子サイズを５０ｎｍ以上とすることで本件特許発明の課題が解決できるとはいえない。したがって、本件特許発明１の範囲まで、発明の詳細な説明に開示された内容を拡張ないし一般化できるとはいえない。本件特許発明２、３についても同様である。また、請求項１ないし３のいずれかを引用する本件特許発明６ないし１０、１２及び１３についても同様である。

イ 本件特許の発明の詳細な説明には、導電部に割れを生じ難くすることができ、耐酸性を高めることができ、従って接続信頼性を高めることができるという課題を解決するために、導電部が無電解ニッケルーリンめっき層であり、結晶子サイズが５０ｎｍ以上である導電性粒子のみが具体的に記載されている。しかし、本件特許の請求項４には導電部の材料及び結晶子サイズの特定はないため、本件特許発明４に課題を解決するための手段が反映されていない。結晶子サイズの特定がない本件特許発明５についても同様である。また、請求項４又は５を引用する本件特許発明６ないし１０、１２及び１３についても同様である。

ウ 本件特許発明７は、導電性粒子の導電部のビッカース硬度を特定したものである。しかし、本件特許の実施例には、導電性粒子の導電部のビッカース硬度が記載されていないため、本件特許発明７は、発明の詳細な説明に記載されたものではない。また、請求項７を引用する本件特許発明８ないし１０、１２及び１３についても同様である。

（７）申立理由Ａ−７（明確性要件）
本件特許の請求項１ないし１３についての特許は、下記の点で特許法第36条第6項第2号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであるから、同法第113条第4号に該当し取り消すべきものである。

・本件特許の請求項１において特定される水素原子の量は、本件特許の発明の詳細な説明の【００３９】及び実施例の記載から０℃から４００℃まで昇温速度５℃／分で導電部を加熱したときに発生する水素の量を指していると理解される。導電部における水素原子の含有量の測定方法として、本件特許の発明の詳細な説明の【００３７】には、昇温脱離法、高温溶解水素抽出法、グリセリン置換法、及び電気化学的放出法が挙げられているが、いずれも特定条件下で発生する水素の量を測定する方法であり、導電部が含む水素原子の量を直接測定する方法ではないから、測定方法によって検出される水素の量は異なるはずである。しかし、請求項１では、水素原子の量の測定方法が特定されていない。したがって、本件特許発明１における水素原子の量が何を意味するのか明確でない。本件特許発明２ないし１３についても、同様である。

（８）証拠方法
甲第１号証：特開平１１−３９９３７号公報
甲第２号証：特開２０１３−４４２８号公報
甲第３号証：特開２０１３−８４７４号公報
甲第４号証：「無電解ニッケルめっき皮膜の耐摩耗性」 金属表面技術 Vol.37,No.11,665-670頁（1986）
甲第５号証：「無電解めっき技術」 第２章 第３節 無電解ニッケル（Ni）めっき技術、発行所：サイエンス＆テクノロジー株式会社、発行日：2012年11月29日
甲第６号証：「無電解ニッケルめっきによる異方導電性微粒子の作製」 表面技術 Vol.48,No.4,429-432頁（1997年）
甲第７号証：特開平１１−３４３５９２号公報
甲第８号証：特開２０００−１９８７０９号公報
甲第９号証：特開２００１−１５２３６６号公報
甲第１０号証：「無電解ニッケルめっきに関する研究（第１報）」 北海道立工業試験場報告 Vol.291,43-55（1992）
甲第１１号証：特開２０１３−１４９６１３号公報
甲第１２号証：特開２０１３−２１４５１１号公報
甲第１３号証：特開２００９−８７８７７号公報
甲第１４号証：国際公開第２０１０／０３２８５４号
甲第１５号証：特開２０１４−１５００５３号公報
甲第１６号証：国際公開第２０１３／０８５０３９号
甲第１７号証：「無電解ニッケルめっき−機能分類と応用」 表面技術 Vol.53,No.1,7-14（2002年）
甲第１８号証：「Ｘ線リソグラフィを利用した高効率高精度微細ふるい研究」 精密工学会誌 Vol.78,No.1,77-80（2012）
甲第１９号証：エフアイエス社製「ＰＤＨＡ−１０００」のカタログ、２０１８年１月発行
甲第２０号証：韓国公開特許公報１０−２００８−００６１８８８号公報
甲第２１号証：特開２０１０−１８６７５２号公報
甲第２２号証：特開２０１１−２３３２９７号公報
甲第２３号証：特開２０１３−１０５６３６号公報
甲第２４号証：特開２０１３−２５８１３６号公報
甲第２５号証：特開２０１４−２１２１０５号公報
甲第２６号証：「めっき皮膜の密着性とその改善方法」 表面技術 Vol.58,No.5,267-274（2007年）
甲第２７号証：「昇温脱離法（ＴＤＳ）による水素の定量分析」 Journal of the Vacuum Society of Japan Vol.42,No.10,879-885（1999年）
証拠の表記は特許異議申立書Ａ及び令和３年１１月２４日に特許異議申立人Ａから提出された意見書の記載におおむね従った。以下、順に「甲Ａ１」のようにいう。

２ 特許異議申立人Ｂが提出した特許異議申立書に記載した申立ての理由の概要
令和３年４月２６日に特許異議申立人Ｂが提出した特許異議申立書（以下、「特許異議申立書Ｂ」という。）に記載した申立ての理由の概要は次のとおりである。

（１）申立理由Ｂ−１（甲第１号証に基づく新規性・進歩性）
本件特許発明１ないし８及び１０ないし１３は、本件特許の優先日前に日本国内又は外国において、頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった下記の甲第１号証に記載された発明であり、特許法第29条第1項第3号に該当し特許を受けることができないものであるか、本件特許発明１ないし１３は、甲第１号証に記載された発明に基づいて、その優先日前に当業者が容易に発明をすることができたものであり、同法同条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、本件特許の請求項１ないし１３に係る特許は、同法第113条第2号に該当し取り消すべきものである。

（２）申立理由Ｂ−２（実施可能要件）
本件特許の請求項１ないし１３についての特許は、下記の点で特許法第36条第4項第1号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであるから、同法第113条第4号に該当し取り消すべきものである。

ア 本件特許に係る導電性粒子の発明は、「導電部に割れを生じ難くし、耐酸性を高めることにより、接続信頼性を高めること」を解決課題とするものと考えられる（本件特許の発明の詳細な説明の【００１２】）。
一方、上述したように、少なくとも本件特許の請求項１ないし８及び１０に係る導電性粒子の発明は、甲第１号証に記載されたものであることから、甲第１号証に記載の導電性微粒子の発明においても、上記技術課題が解決されているものと考えられる。
仮に甲第１号証に記載の導電性微粒子が上記技術課題を解決し得ないものであるとする場合、本件特許に係る導電性粒子の発明がどのようにして上記課題を解決するものであるのか、本件特許の発明の詳細な説明、特に実施例および比較例の記載を参酌しても理解し得ず、このために本件特許の発明の詳細な説明には、本件特許発明を当業者が実施し得る程度に明確かつ十分な記載がなされていない。

イ 本件特許に係る導電性粒子の発明は、「導電部に割れを生じ難くし、耐酸性を高めることにより、接続信頼性を高めることを」を解決課題とするものと考えられる。
上記課題を解決する具体例として、本件特許の発明の詳細な説明には、実施例１ないし１５しか記載されていない。
仮に本件特許の発明の詳細な説明の比較例１〜比較例２の内容を参酌したとしても、上記実施例１ないし１５の記載から、本件特許の請求項１ないし５における上位概念化された発明においてまで上記課題をどのように解決するか当業者には理解し得ず、このために本件特許の発明の詳細な説明には、本件特許発明を当業者が実施し得る程度に明確かつ十分な記載がなされていない。
同様に、本件特許の請求項１ないし５のいずれかに従属する本件特許の請求項６ないし１０に係る導電性粒子の発明についても、本件特許の発明の詳細な説明には、当業者が実施し得る程度に明確かつ十分な記載がなされていない。
さらに、本件特許の請求項１ないし５に係る発明に係る導電性粒子を用いることを規定する本件特許の請求項１２に係る導電性材料の発明及び本件特許の請求項１３に係る接続構造体の発明についても、本件特許の発明の詳細な説明には、当業者が実施し得る程度に明確かつ十分な記載がなされていない。

ウ 本件特許の発明の詳細な説明の【０２２５】において、上記導電部の水素原子量は、昇温脱離水素分析装置（エフアイエス社製「ＰＤＨＡ一１０００」）を用い、導電部を『真空引き』した状態で徐々に加熱したときに放出される水素原子量を測定することにより求めることとされている。
しかしながら、上記エフアイエス社製「ＰＤＨＡ−１０００」は、甲第７号証（昇温脱離水素分析装置「ＰＤＨＡ−１０００」の製造販売元のホームページ）に記載されているように、真空チャンバーを不要とするものであり、その装置構成上も真空チャンバーを有さないものとなっている。
そうすると、上記導電部を如何にして『真空引き』した状態で水素原子量を測定したものであるか、その測定方法が不明確である。また、上記理由により、本件特許の発明の詳細な説明には、本件特許発明を当業者が実施し得る程度に明確かつ十分な記載がなされていない。
上記製造方法により得られる導電性粒子に係る本件特許の請求項１ないし１０に係る発明と、上記製造方法により得られる導電性粒子を用いる本件特許の請求項１２及び１３に係る発明についても同様である。

エ 本件特許の請求項１１に係る発明においては、導電性粒子を２００℃以上でアニール処理することにより、『導電部が水素原子を８０μｇ／ｇ以下で含む導電性粒子を得る』ことが規定されている。
無電解めっき後にめっき層中の水素量が経時的に低減することは本件技術分野において周知の技術事項である（要すれば、甲第３号証（マイクロエレクトロニクスシンポジウム論文集（２０１０年９月発行）第１０３〜１０６頁、周知技術を示す文献）の「３．６ Ｎｉ皮膜中の水素量の測定」欄、甲第４号証（表面技術ｖｏｌ．７０（３）２０１９、第３９〜４３頁、周知技術を示す文献）の「３．結果および考察」欄参照）。
そうすると、上記導電部の水素原子量は、無電解めっき後、何時の時点で測定したものであるかによって変動することになることから、その測定方法が不明確である。また、上記理由により、本件特許の発明の詳細な説明には、本件特許発明を当業者が実施し得る程度に明確かつ十分な記載がなされていない。
上記製造方法により得られる導電性粒子に係る本件特許の請求項１ないし１０に係る発明と、上記製造方法により得られる導電性粒子を用いる本件特許の請求項１２及び１３に係る発明についても同様である。

（３）申立理由Ｂ−３（サポート要件）
本件特許の請求項１ないし１０、１２及び１３についての特許は、下記の点で特許法第36条第6項第1号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであるから、同法第113条第4号に該当し取り消すべきものである。

ア 上記（２）アの場合、本件特許の請求項１ないし８及び１０に係る導電性粒子の発明は、本件特許の発明の詳細な説明の記載によりサポートされたものではない。

イ 上記（２）イの場合、本件特許の請求項１ないし５に係る導電性粒子の発明及び本件特許の請求項１ないし５のいずれかに従属する請求項６ないし１０に係る導電性粒子の発明は、本件特許の発明の詳細な説明の記載によりサポートされたものではない。
同様に、上記導電性粒子を用いることを規定する本件特許の請求項１２に係る導電性材料の発明および本件特許の請求項１３に係る接続構造体の発明も、本件特許の発明の詳細な説明の記載によりサポートされたものでない。

ウ 本件特許の請求項７には、『導電部のビッカース硬度が２００以上である』ことが規定されているが、本件特許の発明の詳細な説明には、実施例として具体的に導電部のビッカース硬度が記載されていない。
このため、本件特許の請求項７に係る発明は、発明の詳細な説明の記載によりサポートされたものではない。

（４）申立理由Ｂ−４（明確性要件）
本件特許の請求項１ないし１３についての特許は、下記の点で特許法第36条第6項第2号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであるから、同法第113条第4号に該当し取り消すべきものである。

・上記（２）ウ及びエで指摘した点で、本件特許発明１ないし１３は明確でない。

（５）証拠方法
甲第１号証：特開２０１３−８４７４号公報
甲第２号証：金属表面技術 １９８６年、３７巻、１１号、６６５〜６７０頁
甲第３号証：マイクロエレクトロニクスシンポジウム論文集（２０１０年９月発行）第１０３〜１０６頁
甲第４号証：表面技術 ｖｏｌ．７０（３）２０１９、第３９〜４３頁
甲第５号証：表面技術 ２００２年、５３巻、１号、第７〜１４頁
甲第６号証：特開２０１３−２１４５１１号公報
甲第７号証：昇温脱離水素分析装置「ＰＤＨＡ―１０００」の製造販売元のホームページ
参考資料１：特開２０１１−２４３４５５号公報
参考資料２：特開２０１２−３９１７号公報
参考資料３：特開２０１３−２１４５０９号公報
参考資料４：特開２０１４−２４１２７８号公報
参考資料５：特開２０１３−２５４７３３号公報
参考資料６：特開２０１４−２１２１０５号公報
参考資料７：特開２０１４−２４１２７８号公報
参考資料８：特開２０１５−５５０３号公報
参考資料９：表面技術 ２００７年 ｖｏｌ．５８、Ｎｏ．５ 第２６７〜２７４頁 「めっき皮膜の密着性とその改善方法」
参考資料１０：応用物理 ２０００年 第６９巻 第１号 第２２〜２８頁
証拠の表記は特許異議申立書Ｂ及び令和３年１１月２５日に特許異議申立人Ｂから提出された意見書の記載におおむね従った。以下、順に「甲Ｂ１」及び「参Ｂ１」のようにいう。なお、甲Ｂ１と甲Ａ３、甲Ｂ６と甲Ａ１２及び参Ｂ６と甲Ａ２５は同じ文献である。

３ 令和４年３月３日付けで通知した取消理由（決定の予告）の概要
令和４年３月３日付けで通知した取消理由（決定の予告）（以下、「取消理由（決定の予告）」という。）の概要は次のとおりである。

・（甲Ａ１に基づく進歩性）
本件特許発明１ないし３、５、６及び８は、本件特許の優先日前に日本国内又は外国において、頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった甲Ａ１に記載された発明に基づいて、その優先日前に当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第29条第2項の規定により特許を受けることができないものであるから、本件特許の請求項１ないし３、５、６及び８に係る特許は、同法第113条第2号に該当し取り消すべきものである。

第５ 取消理由（決定の予告）について
１ 甲Ａ１に記載された事項及び甲Ａ１に記載された発明
（１）甲Ａ１に記載された事項
甲Ａ１には、「導電性粒子」に関して、おおむね次の事項が記載されている。なお、下線は当審で付したものである。

・「【請求項１】 樹脂を含む基材粒子と；前記基材粒子の表面に被覆された厚さ０．０１〜０．１μｍのＮｉ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌまたはそれらの合金（但しＮｉ−Ｐを除く）を含む緩衝層と；前記緩衝層の上に被覆されたＡｕ層とを有することを特徴とする；導電性粒子。
【請求項２】 前記緩衝層の晶子径がＸ線回折の半価幅からシェラーの式で計算した値で３００ｎｍ以下であることを特徴とする、請求項１に記載された導電性粒子。
【請求項３】 前記緩衝層の基材粒子への被覆を物理蒸着法により行うことを特徴とする、請求項１または請求項２に記載された導電性粒子を製造する方法。」

・「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、導電性粒子に関し、特に積層電子部品に用いて好適な耐圧着性に優れた導電性粒子、及び導電性粒子の製造方法に関するものである。」

・「【０００３】
【発明が解決しようとする課題】以上のような従来技術によれば、合金Ｎｉ−Ｐの層は硬く脆いため、圧着時の割れや剥離の起点となっていた。そして、表面金属層の割れ、剥離を起こすと部分的に導通不良を起こし、該当する電子部品の作動性に著しく大きな損害を与える。また従来の導電性粒子は、実使用において酸化や基材である樹脂等との反応性が少ないとはいえなかった。
【０００４】・・・（略）・・・
【０００５】そこで本発明は、圧着等の変形性に優れ、かつ安定な導電性を持つ導電性粒子を提供することを目的とする。また導電性粒子の製造にあたって、廃液等の環境問題を生じない製造方法を提供することを目的とする。」

・「【００１６】前記シェラーの式による結晶子径は次のような式によって計算される。
【００１７】Ｄ＝ｋ×λ／β×ｃｏｓθ
ここで、Ｄ：結晶子径 （オングストローム）、ｋ：定数 （＝０．９ ただし、測定Ｘ線がＣｕＫαの場合）、λ：測定Ｘ線の波長 （オングストローム）、β：回折線の拡がり（半価幅）（ラジアン）、θ：回折線のブラッグ角 （ラジアン）である。」

・「【００２３】この際、コーティングする粉末の形状は特に制限されないが、耐熱性が高い方が望ましい。また電気伝導性のばらつきを少なくするためには真球状の粉末を用いることが望ましい。具体的な材質として、ポリスチレン、アクリル、ウレタン、エポキシ、フェノール、ベンゾグアナミン等の樹脂が好適である。これらは、直径が数μｍの粒径が得易い。」

・「【００２６】
【実施例】
（実施例１）平均粒径１０μｍのポリスチレン樹脂粒子に物理蒸着法として、真空蒸着およびスパッタリング法で、種々の厚さの金属または合金の緩衝層とその上に金（Ａｕ）を被覆した。これを５体積％エポキシ系樹脂に混合し、厚さ２５μｍのフィルムに成形した。なお緩衝層の結晶子径はシェラーの式から測定した結果、３０ｎｍ〜３００ｎｍの範囲にあった。これを熱可塑性ポリエーテルサルフォン樹脂を塗ったガラス基板にはさみ、圧力２０ｋｇ／ｃｍ２、温度１５０℃で、１５秒間熱圧着した。
【００２７】本実施例で用いた緩衝層の材料は、真空蒸着法で、Ｎｉ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、及び銅５０部アルミニウム５０部の合金Ｃｕ50Ａｌ50である。膜厚は０．０７μｍ、晶子径は１８０〜２８０ｎｍ、Ａｕの膜厚は０．０７μｍであった。また、スパッタリング法で、Ｎｉ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、及びニッケル５０部アルミニウム５０部の合金ＮＩ50Ａｌ50、銀５０部銅５０部の合金Ａｇ50Ａｌ50、銀５０部アルミニウム５０部の合金Ａｇ50Ａｌ50、銀５０部ニッケル５０部の合金Ａｇ50Ｎｉ50、銅５０部アルミニウム５０部の合金Ｃｕ50Ａｌ50、銀５０部銅３０部アルミニウム２０部の合金Ａｇ50Ｃｕ30Ａｌ20である。膜厚は０．０４μｍ、晶子径は３０〜１５０ｎｍ、Ａｕの膜厚は０．１０μｍであった。」

・「【００３０】評価方法は、熱圧着した粒子断面および表面皮膜状態を光学顕微鏡により観察することにより行なった。その結果を表１に示す。表中の評価は○が皮膜割れも剥離もない場合。△は皮膜割れが認められ、×は皮膜剥離が起きていることを示している。
【００３１】これらの結果から、本発明の導電性粒子は耐圧着性に優れていることがわかる。また被覆方法としてはスパッタリング法が適していることがわかる。
【００３２】
【表１】

」

（２）甲Ａ１に記載された発明
甲Ａ１に記載された事項を、特に実施例１における真空蒸着又はスパッタリング法によるＮｉの緩衝層及びその上のＡＵ層の形成を伴う導電性粒子に関して整理すると、甲Ａ１には次の発明（以下、「甲Ａ１発明」という。）が記載されていると認める。

＜甲Ａ１発明＞
「ポリスチレン樹脂粒子に、真空蒸着およびスパッタリング法で、Ｎｉの緩衝層とその上にＡｕ層を被覆した導電性粒子であって、
Ｎｉの緩衝層の結晶子径は、シェラーの式から測定した結果、真空蒸着で、２３０ｎｍであり、スパッタリング法で、１２０ｎｍである、導電性粒子。」

２ 本件特許発明１について
（１）対比
本件特許発明１と甲Ａ１発明を対比する。
甲Ａ１発明における「ポリスチレン樹脂粒子」は本件特許発明１における「ジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子、または、ジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子の表面を無機シェルにより被覆したコアシェル型の有機無機ハイブリッド粒子から」なる「基材粒子」と、「基材粒子」という限りにおいて一致する。
甲Ａ１発明における「真空蒸着およびスパッタリング法で」「被覆した」「Ｎｉの緩衝層」及び「その上」の「Ａｕ層」は本件特許発明１における「前記基材粒子の表面上に配置された導電部」に相当する。
甲Ａ１発明における「Ｎｉの緩衝層」は、「結晶子径」が特定されているから、当然「結晶構造」を有するものであり、本件特許発明１における「前記導電部」に含まれる「結晶構造を有する導電部」に相当する。
したがって、両者は次の点で一致する。
＜一致点＞
「基材粒子と、前記基材粒子の表面上に配置された導電部とを備え、
前記導電部が結晶構造を有する導電部を含む、導電性粒子。」

そして、両者は次の点で相違又は一応相違する。
＜相違点Ａ１−１−１＞
「基材粒子」に関して、本件特許発明１においては、「ジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子、または、ジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子の表面を無機シェルにより被覆したコアシェル型の有機無機ハイブリッド粒子からなり」と特定されているのに対し、甲Ａ１発明においては、「ポリスチレン樹脂粒子」と特定されている点。

＜相違点Ａ１−１−２＞
本件特許発明１においては、「前記導電部が水素原子を含まないか、又は、前記導電部が水素原子を８０μｇ／ｇ以下で含み」と特定されているのに対し、甲Ａ１発明においては、そのようには特定されていない点。

＜相違点Ａ１−１−３＞
本件特許発明１においては、「前記結晶構造を有する導電部の断面観察において、前記結晶構造を有する導電部における結晶子サイズが５０ｎｍ以上である」と特定されているのに対し、甲Ａ１発明においては、「Ｎｉの緩衝層の結晶子径は、シェラーの式から測定した結果、真空蒸着で、２３０ｎｍであり、スパッタリング法で、１２０ｎｍである」と特定されている点。

＜相違点Ａ１−１−４＞
本件特許発明１においては、「前記導電部の外表面に複数の突起を有し」と特定されているのに対し、甲Ａ１発明においては、そのようには特定されていない点。

（２）判断
そこで、事案に鑑み、相違点Ａ１−１−４について検討する。
相違点Ａ１−１−４は実質的な相違点であることは明らかである。
そして、甲Ａ１及び他の証拠のいずれにも、「真空蒸着およびスパッタリング法で、Ｎｉの緩衝層とその上にＡｕ層を被覆した」ものである甲Ａ１発明において、相違点Ａ１−１−４に係る本件特許発明１の発明特定事項を採用することの動機付けとなる記載はない。
したがって、甲Ａ１発明において、甲Ａ１及び他の証拠に記載された事項を考慮しても、相違点Ａ１−１−４に係る本件特許発明１の発明特定事項を採用することは当業者が容易に想到し得たことであるとはいえない。

（３）まとめ
したがって、他の相違点について検討するまでもなく、本件特許発明１は甲Ａ１発明並びに甲Ａ１及び他の証拠に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。

３ 本件特許発明２について
（１）対比
本件特許発明２と甲Ａ１発明を対比するに、両者の間には、本件特許発明１と甲Ａ１発明の間と同様の相当関係が成り立つ。
したがって、両者は次の点で一致する。
＜一致点＞
「基材粒子と、前記基材粒子の表面上に配置された導電部とを備え、
前記導電部が結晶構造を有する導電部を含む、導電性粒子。」

そして、両者は次の点で相違又は一応相違する。
＜相違点Ａ１−２−１＞
「基材粒子」に関して、本件特許発明２においては、「ジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子、または、ジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子の表面を無機シェルにより被覆したコアシェル型の有機無機ハイブリッド粒子からなり」と特定されているのに対し、甲Ａ１発明においては、「ポリスチレン樹脂粒子」と特定されている点。

＜相違点Ａ１−２−２＞
本件特許発明２においては、「前記導電部が水素原子を含まないか、又は、前記導電部が水素原子を８０μｇ／ｇ以下で含み」と特定されているのに対し、甲Ａ１発明においては、そのようには特定されていない点。

＜相違点Ａ１−２−３＞
本件特許発明２においては、「前記結晶構造を有する導電部において、Ｘ線回折により得られる回折ピークの半値幅とシェラーの式から求められる（１１１）面、（２００）面、（２２０）面、（３１１）面及び（２２２）面の結晶子サイズの平均値による結晶子サイズが５０ｎｍ以上である」と特定されているのに対し、甲Ａ１発明においては、「Ｎｉの緩衝層の結晶子径は、シェラーの式から測定した結果、真空蒸着で、２３０ｎｍであり、スパッタリング法で、１２０ｎｍである」と特定されている点。

＜相違点Ａ１−２−４＞
本件特許発明２においては、「前記導電部の外表面に複数の突起を有し」と特定されているのに対し、甲Ａ１発明においては、そのようには特定されていない点。

（２）判断
そこで、事案に鑑み、相違点Ａ１−２−４について検討する。
相違点Ａ１−２−４は相違点Ａ１−１−４と同じであるから、その判断も同じである。
すなわち、相違点Ａ１−２−４は実質的な相違点であり、「真空蒸着およびスパッタリング法で、Ｎｉの緩衝層とその上にＡｕ層を被覆した」ものである甲Ａ１発明において、甲Ａ１及び他の証拠に記載された事項を考慮しても、相違点Ａ１−２−４に係る本件特許発明２の発明特定事項を採用することは当業者が容易に想到し得たことであるとはいえない。

（３）まとめ
したがって、他の相違点について検討するまでもなく、本件特許発明２は甲Ａ１発明並びに甲Ａ１及び他の証拠に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。

４ 本件特許発明３について
（１）対比
本件特許発明３と甲Ａ１発明を対比するに、両者の間には、本件特許発明１と甲Ａ１発明の間と同様の相当関係が成り立つ。
したがって、両者は次の点で一致する。
＜一致点＞
「基材粒子と、前記基材粒子の表面上に配置された導電部とを備え、
前記導電部が結晶構造を有する導電部を含む、導電性粒子。」

そして、両者は次の点で相違又は一応相違する。
＜相違点Ａ１−３−１＞
「基材粒子」に関して、本件特許発明３においては、「ジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子、または、ジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子の表面を無機シェルにより被覆したコアシェル型の有機無機ハイブリッド粒子からなり」と特定されているのに対し、甲Ａ１発明においては、「ポリスチレン樹脂粒子」と特定されている点。

＜相違点Ａ１−３−２＞
本件特許発明３においては、「前記導電部が水素原子を含まないか、又は、前記導電部が水素原子を８０μｇ／ｇ以下で含み」と特定されているのに対し、甲Ａ１発明においては、そのようには特定されていない点。

＜相違点Ａ１−３−３＞
本件特許発明３においては、「前記結晶構造を有する導電部において、Ｘ線回折により得られる回折ピークの半値幅とウィリアムソン−ホール式から求められる結晶子サイズが５０ｎｍ以上である」と特定されているのに対し、甲Ａ１発明においては、「Ｎｉの緩衝層の結晶子径は、シェラーの式から測定した結果、真空蒸着で、２３０ｎｍであり、スパッタリング法で、１２０ｎｍである」と特定されている点。

＜相違点Ａ１−３−４＞
本件特許発明３においては、「前記導電部の外表面に複数の突起を有し」と特定されているのに対し、甲Ａ１発明においては、そのようには特定されていない点。

（２）判断
そこで、事案に鑑み、相違点Ａ１−３−４について検討する。
相違点Ａ１−３−４は相違点Ａ１−１−４と同じであるから、その判断も同じである。
すなわち、相違点Ａ１−３−４は実質的な相違点であり、「真空蒸着およびスパッタリング法で、Ｎｉの緩衝層とその上にＡｕ層を被覆した」ものである甲Ａ１発明において、甲Ａ１及び他の証拠に記載された事項を考慮しても、相違点Ａ１−３−４に係る本件特許発明３の発明特定事項を採用することは当業者が容易に想到し得たことであるとはいえない。

（３）まとめ
したがって、他の相違点について検討するまでもなく、本件特許発明３は甲Ａ１発明並びに甲Ａ１及び他の証拠に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。

５ 本件特許発明５について
（１）対比
本件特許発明５と甲Ａ１発明を対比するに、両者の間には、本件特許発明１と甲Ａ１発明の間と同様の相当関係が成り立つ。
また、甲Ａ１発明における「真空蒸着およびスパッタリング法で」「被覆した」「Ｎｉの緩衝層」及び「その上」の「Ａｕ層」は本件特許発明１における「ニッケルを少なくとも含む」「導電部」にも相当する。
したがって、両者は次の点で一致する。
＜一致点＞
「基材粒子と、前記基材粒子の表面上に配置された導電部とを備え、
前記導電部は、ニッケルを少なくとも含む、導電性粒子。」

そして、両者は次の点で相違又は一応相違する。
＜相違点Ａ１−５−１＞
「基材粒子」に関して、本件特許発明５においては、「ジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子、または、ジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子の表面を無機シェルにより被覆したコアシェル型の有機無機ハイブリッド粒子からなり」と特定されているのに対し、甲Ａ１発明においては、「ポリスチレン樹脂粒子」と特定されている点。

＜相違点Ａ１−５−２＞
本件特許発明５においては、「前記導電部が水素原子を含まないか、又は、前記導電部が水素原子を８０μｇ／ｇ以下で含み」と特定されているのに対し、甲Ａ１発明においては、そのようには特定されていない点。

＜相違点Ａ１−５−３＞
本件特許発明５においては、「前記導電部の外表面に複数の突起を有し」と特定されているのに対し、甲Ａ１発明においては、そのようには特定されていない点。

（２）判断
そこで、事案に鑑み、相違点Ａ１−５−３について検討する。
相違点Ａ１−５−３は相違点Ａ１−１−４と同じであるから、その判断も同じである。
すなわち、相違点Ａ１−５−３は実質的な相違点であり、「真空蒸着およびスパッタリング法で、Ｎｉの緩衝層とその上にＡｕ層を被覆した」ものである甲Ａ１発明において、甲Ａ１及び他の証拠に記載された事項を考慮しても、相違点Ａ１−５−３に係る本件特許発明５の発明特定事項を採用することは当業者が容易に想到し得たことであるとはいえない。

（３）まとめ
したがって、他の相違点について検討するまでもなく、本件特許発明５は甲Ａ１発明並びに甲Ａ１及び他の証拠に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。

６ 本件特許発明６について
本件特許発明６は請求項１ないし４のいずれかを直接又は間接的に引用するものであり、本件特許発明１ないし４のいずれかの発明特定事項を全て有するものである。
そして、本件特許発明１ないし３は、上記２ないし４のとおり、甲Ａ１発明並びに甲Ａ１及び他の証拠に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえないから、請求項１ないし３を直接又は間接的に引用する本件特許発明６も甲Ａ１発明並びに甲Ａ１及び他の証拠に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
なお、請求項４を引用する本件特許発明６は取消理由（決定の予告）の対象ではない。

７ 本件特許発明８について
本件特許発明８は請求項１ないし７のいずれかを直接又は間接的に引用するものであり、本件特許発明１ないし７のいずれかの発明特定事項を全て有するものである。
そして、本件特許発明１ないし３、５及び６は、上記２ないし６のとおり、甲Ａ１発明並びに甲Ａ１及び他の証拠に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえないから、請求項１ないし３、５及び６のいずれかを直接又は間接的に引用する本件特許発明８も甲Ａ１発明並びに甲Ａ１及び他の証拠に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
なお、請求項４又は７を直接又は間接的に引用する本件特許発明８は取消理由（決定の予告）の対象ではない。

８ 取消理由（決定の予告）についてのむすび
したがって、本件特許発明１ないし３、５、６及び８は、特許法第29条第2項の規定により特許を受けることができないものであるとはいえず、本件特許の請求項１ないし３、５、６及び８に係る特許は、同法第113条第2号に該当せず、取消理由（決定の予告）によっては取り消すことはできない。

第６ 取消理由（決定の予告）に採用しなかった特許異議申立書Ａ及びＢに記載した申立ての理由について
取消理由（決定の予告）に採用しなかった特許異議申立書Ａ及びＢに記載した申立ての理由は、申立理由Ａ−１（甲Ａ１に基づく新規性）、申立理由Ａ−２（甲Ａ２に基づく新規性・進歩性）、申立理由Ａ−３（甲Ａ３に基づく新規性・進歩性）、申立理由Ａ−４（甲Ａ１６に基づく新規性・進歩性）、申立理由Ａ−５（実施可能要件）、申立理由Ａ−６（サポート要件）、申立理由Ａ−７（明確性要件）、申立理由Ｂ−１（甲Ｂ１に基づく新規性・進歩性）、申立理由Ｂ−２（実施可能要件）、申立理由Ｂ−３（サポート要件）及び申立理由Ｂ−４（明確性要件）である。
そこで、検討する。

１ 申立理由Ａ−１（甲Ａ１に基づく新規性）について
（１）本件特許発明１について
本件特許発明１と甲Ａ１発明を対比するに、上記第５ ２（１）のとおり、両者は相違点Ａ１−１−１ないしＡ１−１−４の点で相違又は一応相違する。
そして、少なくとも相違点Ａ１−１−４は実質的な相違点である。
したがって、本件特許発明１は甲Ａ１発明であるとはいえない。

（２）本件特許発明２について
本件特許発明２と甲Ａ１発明を対比するに、上記第５ ３（１）のとおり、両者は相違点Ａ１−２−１ないしＡ１−２−４の点で相違又は一応相違する。
そして、少なくとも相違点Ａ１−２−４は実質的な相違点である。
したがって、本件特許発明２は甲Ａ１発明であるとはいえない。

（３）本件特許発明３について
本件特許発明３と甲Ａ１発明を対比するに、上記第５ ４（１）のとおり、両者は相違点Ａ１−３−１ないしＡ１−３−４の点で相違又は一応相違する。
そして、少なくとも相違点Ａ１−３−４は実質的な相違点である。
したがって、本件特許発明３は甲Ａ１発明であるとはいえない。

（４）本件特許発明５について
本件特許発明５と甲Ａ１発明を対比するに、上記第５ ５（１）のとおり、両者は相違点Ａ１−５−１ないしＡ１−５−３の点で相違又は一応相違する。
そして、少なくとも相違点Ａ１−５−３は実質的な相違点である。
したがって、本件特許発明５は甲Ａ１発明であるとはいえない。

（５）本件特許発明６について
本件特許発明６は請求項１ないし４のいずれかを直接又は間接的に引用するものであり、本件特許発明１ないし４のいずれかの発明特定事項を全て有するものである。
そして、本件特許発明１ないし３は、上記（１）ないし（３）のとおり、甲Ａ１発明であるとはいえないから、本件特許発明６も本件特許発明１ないし３と同様に甲Ａ１発明であるとはいえない。
なお、請求項４を引用する本件特許発明６は申立理由Ａ−１の対象ではない。

（６）本件特許発明８について
本件特許発明８は請求項１ないし７を直接又は間接的に引用するものであり、本件特許発明１ないし７のいずれかの発明特定事項を全て有するものである。
そして、本件特許発明１ないし３、５及び６は、上記（１）ないし（５）のとおり、甲Ａ１発明であるとはいえないから、本件特許発明８も同様に甲Ａ１発明であるとはいえない。
なお、請求項４又は７を直接又は間接的に引用する本件特許発明８は申立理由Ａ−１の対象ではない。

（７）申立理由Ａ−１についてのむすび
したがって、本件特許発明１ないし３、５、６及び８は、特許法第29条第1項第3号に該当し特許を受けることができないものであるとはいえず、本件特許の請求項１ないし３、５、６及び８に係る特許は、同法第113条第2号に該当せず、申立理由Ａ−１によっては取り消すことはできない。

２ 申立理由Ａ−２（甲Ａ２に基づく新規性・進歩性）について
（１）甲Ａ２に記載された発明
甲Ａ２の【００５５】ないし【００５７】に記載された事項を、特に製造例１の導電性微粒子に関して整理すると、甲Ａ２には次の発明（以下、順に「甲Ａ２発明」及び「甲Ａ２方法発明」という。）が記載されていると認める。

＜甲Ａ２発明＞
「３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシランの加水分解、縮合反応を行って、メタクリロイル基を有するポリシロキサン粒子（重合性ポリシロキサン粒子）の乳濁液を調製し、
次いで、乳化剤としてポリオキシエチレンスチレン化フェニルエーテル硫酸エステルアンモニウム塩（第一工業製薬社製「ハイテノール（登録商標）ＮＦ−０８」）の２０％水溶液１０部をイオン交換水４００部で溶解した溶液に、スチレン２００部及びＤＶＢ９６０（新日鐡化学社製、ジビニルベンゼン含量９６質量％）２００部と、２，２’−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）（和光純薬工業社製「Ｖ−６５」）４．８部とを加え、乳化分散させて単量体成分の乳化液を調製し、この乳化液を２時間攪拌後、得られた乳化液を、上記ポリシロキサン粒子の乳濁液中に添加して、さらに攪拌を行い、乳化液の添加から１時間後、混合液をサンプリングして顕微鏡で観察を行ったところ、ポリシロキサン粒子が単量体を吸収して肥大化していることが確認され、
前記混合液に、前記ポリオキシエチレンスチレン化フェニルエーテル硫酸エステルアンモニウム塩の２０％水溶液９６部、イオン交換水５００部を加え、窒素雰囲気下で６５℃まで昇温させて、６５℃で２時間保持し、単量体成分のラジカル重合を行った後の乳濁液を固液分離し、得られたケーキをイオン交換水、メタノールで洗浄した後、窒素雰囲気下２８０℃で１時間焼成処理して重合体粒子を得、これを基材粒子とし
パラジウム核を形成させた基材粒子１０部をイオン交換水４００部に添加し、超音波分散処理を行った後、７０℃の温浴で基材粒子懸濁液を加温し、懸濁液を加温した状態で、別途７０℃に加温した無電解めっき液（日本カニゼン（株）製、「シューマーＳ６８０」）３００部を加えることにより、無電解ニッケルめっき反応を生じさせ、水素ガスの発生が終了したことを確認した後、固液分離を行い、イオン交換水、メタノールの順で洗浄した後、１００℃で２時間真空乾燥して、ニッケルめっきを施した導電性微粒子を得、
得られた導電性微粒子を、窒素（不活性）雰囲気下、２８０℃で２時間熱処理を行い、得られた導電性微粒子。」

＜甲Ａ２方法発明＞
「３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシランの加水分解、縮合反応を行って、メタクリロイル基を有するポリシロキサン粒子（重合性ポリシロキサン粒子）の乳濁液を調製し、
次いで、乳化剤としてポリオキシエチレンスチレン化フェニルエーテル硫酸エステルアンモニウム塩（第一工業製薬社製「ハイテノール（登録商標）ＮＦ−０８」）の２０％水溶液１０部をイオン交換水４００部で溶解した溶液に、スチレン２００部及びＤＶＢ９６０（新日鐡化学社製、ジビニルベンゼン含量９６質量％）２００部と、２，２’−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）（和光純薬工業社製「Ｖ−６５」）４．８部とを加え、乳化分散させて単量体成分の乳化液を調製し、この乳化液を２時間攪拌後、得られた乳化液を、上記ポリシロキサン粒子の乳濁液中に添加して、さらに攪拌を行い、乳化液の添加から１時間後、混合液をサンプリングして顕微鏡で観察を行ったところ、ポリシロキサン粒子が単量体を吸収して肥大化していることが確認され、
前記混合液に、前記ポリオキシエチレンスチレン化フェニルエーテル硫酸エステルアンモニウム塩の２０％水溶液９６部、イオン交換水５００部を加え、窒素雰囲気下で６５℃まで昇温させて、６５℃で２時間保持し、単量体成分のラジカル重合を行った後の乳濁液を固液分離し、得られたケーキをイオン交換水、メタノールで洗浄した後、窒素雰囲気下２８０℃で１時間焼成処理して重合体粒子を得、これを基材粒子とし
パラジウム核を形成させた基材粒子１０部をイオン交換水４００部に添加し、超音波分散処理を行った後、７０℃の温浴で基材粒子懸濁液を加温し、懸濁液を加温した状態で、別途７０℃に加温した無電解めっき液（日本カニゼン（株）製、「シューマーＳ６８０」）３００部を加えることにより、無電解ニッケルめっき反応を生じさせ、水素ガスの発生が終了したことを確認した後、固液分離を行い、イオン交換水、メタノールの順で洗浄した後、１００℃で２時間真空乾燥して、ニッケルめっきを施した導電性微粒子を得、
得られた導電性微粒子を、窒素（不活性）雰囲気下、２８０℃で２時間熱処理を行い、導電性微粒子を得る、導電性微粒子の製造方法。」

（２）本件特許発明１について
ア 対比
本件特許発明１と甲Ａ２発明を対比する。
両者は次の点で一致する。
＜一致点＞
「基材粒子と、前記基材粒子の表面上に配置された導電部とを備え、
前記基材粒子が、ジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子、または、ジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子の表面を無機シェルにより被覆したコアシェル型の有機無機ハイブリッド粒子からなる、
導電性粒子。」

そして、両者は次の点で相違又は一応相違する。
＜相違点Ａ２−１＞
導電部の水素原子の含有量に関し、本件特許発明１においては、「前記導電部が水素原子を含まないか、又は、前記導電部が水素原子を８０μｇ／ｇ以下で含」むと特定されているのに対し、甲Ａ２発明においては、そのようには特定されていない点。

＜相違点Ａ２−２＞
導電部における結晶構造に関し、本件特許発明１においては、「前記導電部が結晶構造を有する導電部を含み、前記結晶構造を有する導電部の断面観察において、前記結晶構造を有する導電部における結晶子サイズが５０ｎｍ以上である」と特定されているのに対し、甲Ａ２発明においては、そのようには特定されていない点。

＜相違点Ａ２−３＞
本件特許発明１においては、「前記導電部の外表面に複数の突起を有し」と特定されているのに対し、甲Ａ２発明においては、そのようには特定されていない点。

イ 判断
そこで、相違点Ａ２−１について検討する。
甲Ａ２には、相違点Ａ２−１に係る本件特許発明１の発明特定事項について何ら記載されておらず、甲Ａ２発明が相違点Ａ２−１に係る本件特許発明１の発明特定事項を有する蓋然性が高いともいえない。
したがって、相違点Ａ２−１は実質的な相違点である。

なお、特許異議申立人Ａは、特許異議申立書Ａにおいて、甲Ａ２発明の導電性微粒子の具体例として記載された導電性微粒子１は、無電解ニッケルめっきにより基材粒子の表面を導電性金属層で被覆した後、窒素（不活性）雰囲気下、２８０℃で２時間熱処理して得られたものであるから、熱処理されている甲Ａ２発明の導電性微粒子１における導電性金属層の水素原子含有量は８０μｇ／ｇ以下である蓋然性が高い旨主張する（特許異議申立書Ａの第２８ページ第２２行ないし第２９ページ第７行）。
そこで、検討するに、本件特許の発明の詳細な説明の【０２２２】及び【０２４６】の【表１】に記載された比較例２は、窒素雰囲気下、温度２８０℃で２時間アニール処理、すなわち熱処理したものであるが、その比較例２の導電性金属層の水素原子含有量は８１．６μｇ／ｇであり、８０μｇ／ｇ以下となっていないことから、甲Ａ２発明の導電性微粒子１における導電性金属層の水素原子含有量が８０μｇ／ｇ以下である蓋然性が高いとはいえない。
したがって、特許異議申立人Ａの上記主張は採用できない。

そして、甲Ａ２及び他の証拠のいずれにも、甲Ａ２発明において、相違点Ａ２−１に係る本件特許発明１の発明特定事項を採用する動機付けとなる記載はないから、甲Ａ２発明において、相違点Ａ２−１に係る本件特許発明１の発明特定事項を採用することは当業者が容易に想到し得たことであるとはいえない。
また、本件特許発明１の奏する「導電部に割れを生じ難くすることができ、耐酸性を高めることができ、従って接続信頼性を高めることができる。」（本件特許の発明の詳細な説明の【００２８】）という効果は、甲Ａ２発明並びに甲Ａ２及び他の証拠に記載された事項からみて、本件特許発明１の構成から当業者が予測できる範囲の効果を超える顕著なものである。

ウ まとめ
したがって、他の相違点について検討するまでもなく、本件特許発明１は甲Ａ２発明であるとはいえないし、甲Ａ２発明並びに甲Ａ２及び他の証拠に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるともいえない。

（３）本件特許発明２ないし８、１０、１２及び１３について
本件特許発明２ないし８、１０、１２及び１３は、相違点Ａ２−１に係る本件特許発明１の発明特定事項と同じ発明特定事項を有するものである。
したがって、本件特許発明２ないし８、１２及び１３は、本件特許発明１と同様に、甲Ａ２発明であるとはいえない。
また、本件特許発明２ないし８、１０、１２及び１３は、本件特許発明１と同様に、甲Ａ２発明並びに甲Ａ２及び他の証拠に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。

（４）本件特許発明１１について
ア 対比
本件特許発明１１と甲Ａ２方法発明を対比する。
両者は次の点で一致する。
＜一致点＞
「ジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子、または、ジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子の表面を無機シェルにより被覆したコアシェル型の有機無機ハイブリッド粒子からなる基材粒子と、前記基材粒子の表面上に配置された導電部を有する導電性粒子を用いて、前記導電性粒子を２００℃以上にアニール処理する工程を備えた、
導電性粒子を得る、導電性粒子の製造方法。」

そして、両者は次の点で相違又は一応相違する。
＜相違点Ａ２−４＞
「アニール処理する工程」に関し、本件特許発明１１においては、「前記アニール処理によって、基材粒子と、前記基材粒子の表面上に配置された導電部とを備え、導電部が水素原子を含まないか、又は、導電部が水素原子を８０μｇ／ｇ以下で含む導電性粒子を得る」と特定されているのに対し、甲Ａ２方法発明においては、そのようには特定されていない点。

イ 判断
そこで、相違点Ａ２−４について検討する。
甲Ａ２には、相違点Ａ２−４に係る本件特許発明１１の発明特定事項について何ら記載されておらず、甲Ａ２方法発明が相違点Ａ２−４に係る本件特許発明１１の発明特定事項を有する蓋然性が高いともいえない。
したがって、相違点Ａ２−４は実質的な相違点である。
そして、甲Ａ２及び他の証拠のいずれにも、甲Ａ２方法発明において、相違点Ａ２−４に係る本件特許発明１１の発明特定事項を採用する動機付けとなる記載はないから、甲Ａ２方法発明において、相違点Ａ２−４に係る本件特許発明１１の発明特定事項を採用することは当業者が容易に想到し得たことであるとはいえない。
また、本件特許発明１１の奏する「導電部に割れを生じ難くすることができ、耐酸性を高めることができ、従って接続信頼性を高めることができる。」という効果は、甲Ａ２方法発明並びに甲Ａ２及び他の証拠に記載された事項からみて、本件特許発明１１の構成から当業者が予測できる範囲の効果を超える顕著なものである。

ウ まとめ
したがって、本件特許発明１１は甲Ａ２方法発明であるとはいえないし、甲Ａ２方法発明並びに甲Ａ２及び他の証拠に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるともいえない。

（５）申立理由Ａ−２についてのむすび
したがって、本件特許発明１ないし８及び１１ないし１３は、特許法第29条第1項第3号に該当し特許を受けることができないものであるとはいえず、また、本件特許発明１ないし８及び１０ないし１３は、同法同条第２項の規定により特許を受けることができないものであるともいえず、本件特許の請求項１ないし８及び１０ないし１３に係る特許は、同法第113条第2号に該当せず、申立理由Ａ−２によっては取り消すことはできない。

３ 申立理由Ａ−３（甲Ａ３に基づく新規性・進歩性）及び申立理由Ｂ−１（甲Ｂ１に基づく新規性・進歩性）について
（１）甲Ａ３に記載された発明
甲Ａ３と甲Ｂ１は同じ文献であるから、申立理由Ａ−３と申立理由Ｂ−１を併せて検討する。
甲Ａ３の【００６５】ないし【００６８】に記載された事項を、特に製造例１の導電性微粒子（１）に関して整理すると、甲Ａ３には次の発明（以下、順に「甲Ａ３発明」及び「甲Ａ３方法発明」という。）が記載されていると認める。

＜甲Ａ３発明＞
「３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシランの加水分解、縮合反応を行って、メタクリロイル基を有するポリシロキサン粒子（重合性ポリシロキサン粒子）の乳濁液を調製し、
次いで、乳化剤としてポリオキシエチレンスチレン化フェニルエーテル硫酸エステルアンモニウム塩（第一工業製薬社製、「ハイテノール（登録商標）ＮＦ−０８」）の２０％水溶液１０部をイオン交換水４００部で溶解した溶液に、スチレン２００部及びＤＶＢ９６０（新日鐡化学社製、ジビニルベンゼン含量９６質量％）２００部と、２，２’−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）（和光純薬工業社製、「Ｖ−６５」）４．８部とを加え、乳化分散させて単量体成分の乳化液を調製し、この乳化液を２時間攪拌後、得られた乳化液を、上記ポリシロキサン粒子の乳濁液中に添加して、さらに攪拌を行い、乳化液の添加から１時間後、混合液をサンプリングして顕微鏡で観察を行ったところ、ポリシロキサン粒子が単量体を吸収して肥大化していることが確認され、
前記混合液に、前記ポリオキシエチレンスチレン化フェニルエーテル硫酸エステルアンモニウム塩の２０％水溶液９６部、イオン交換水５００部を加え、窒素雰囲気下で６５℃まで昇温させて、６５℃で２時間保持し、単量体成分のラジカル重合を行った後の乳濁液を固液分離し、得られたケーキをイオン交換水、メタノールで洗浄した後、窒素雰囲気下２８０℃で１時間焼成処理して重合体粒子を得、これを樹脂粒子（１）とし、樹脂粒子（１）に水酸化ナトリウムによるエッチング処理を施した後、二塩化スズ溶液に接触させることによりセンシタイジングし、次いで二塩化パラジウム溶液に浸漬させてアクチベーティングする方法（センシタイジング−アクチベーション法）によって、パラジウム核を形成させ、
パラジウム核を形成させた基材粒子１０部をイオン交換水４００部に添加し、超音波分散処理を行った後、７０℃の温浴で基材粒子懸濁液を加温し、懸濁液を加温した状態で、別途７０℃に加温した無電解メッキ液（日本カニゼン（株）製、「シューマーＳ６８０」）３００部を加えることにより、無電解ニッケルメッキ反応を生じさせ、水素ガスの発生が終了したことを確認した後、固液分離を行い、イオン交換水、メタノールの順で洗浄した後、１００℃で２時間真空乾燥して、ニッケルメッキを施した金属被覆粒子（１）を得、
得られた金属被覆粒子（１）を、窒素ガス雰囲気（酸素濃度１０ｖｏｌｐｐｍ以下）下、２８０℃で２時間熱処理を行い得られた導電性微粒子（１）。」

＜甲Ａ３方法発明＞
「３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシランの加水分解、縮合反応を行って、メタクリロイル基を有するポリシロキサン粒子（重合性ポリシロキサン粒子）の乳濁液を調製し、
次いで、乳化剤としてポリオキシエチレンスチレン化フェニルエーテル硫酸エステルアンモニウム塩（第一工業製薬社製、「ハイテノール（登録商標）ＮＦ−０８」）の２０％水溶液１０部をイオン交換水４００部で溶解した溶液に、スチレン２００部及びＤＶＢ９６０（新日鐡化学社製、ジビニルベンゼン含量９６質量％）２００部と、２，２’−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）（和光純薬工業社製、「Ｖ−６５」）４．８部とを加え、乳化分散させて単量体成分の乳化液を調製し、この乳化液を２時間攪拌後、得られた乳化液を、上記ポリシロキサン粒子の乳濁液中に添加して、さらに攪拌を行い、乳化液の添加から１時間後、混合液をサンプリングして顕微鏡で観察を行ったところ、ポリシロキサン粒子が単量体を吸収して肥大化していることが確認され、
前記混合液に、前記ポリオキシエチレンスチレン化フェニルエーテル硫酸エステルアンモニウム塩の２０％水溶液９６部、イオン交換水５００部を加え、窒素雰囲気下で６５℃まで昇温させて、６５℃で２時間保持し、単量体成分のラジカル重合を行った後の乳濁液を固液分離し、得られたケーキをイオン交換水、メタノールで洗浄した後、窒素雰囲気下２８０℃で１時間焼成処理して重合体粒子を得、これを樹脂粒子（１）とし、樹脂粒子（１）に水酸化ナトリウムによるエッチング処理を施した後、二塩化スズ溶液に接触させることによりセンシタイジングし、次いで二塩化パラジウム溶液に浸漬させてアクチベーティングする方法（センシタイジング−アクチベーション法）によって、パラジウム核を形成させ、
パラジウム核を形成させた基材粒子１０部をイオン交換水４００部に添加し、超音波分散処理を行った後、７０℃の温浴で基材粒子懸濁液を加温し、懸濁液を加温した状態で、別途７０℃に加温した無電解メッキ液（日本カニゼン（株）製、「シューマーＳ６８０」）３００部を加えることにより、無電解ニッケルメッキ反応を生じさせ、水素ガスの発生が終了したことを確認した後、固液分離を行い、イオン交換水、メタノールの順で洗浄した後、１００℃で２時間真空乾燥して、ニッケルメッキを施した金属被覆粒子（１）を得、
得られた金属被覆粒子（１）を、窒素ガス雰囲気（酸素濃度１０ｖｏｌｐｐｍ以下）下、２８０℃で２時間熱処理を行い、導電性微粒子（１）を得る、導電性微粒子（１）の製造方法。」

（２）本件特許発明１について
ア 対比
本件特許発明１と甲Ａ３発明を対比する。
両者は次の点で一致する。
＜一致点＞
「基材粒子と、前記基材粒子の表面上に配置された導電部とを備え、
ジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子、または、ジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子の表面を無機シェルにより被覆したコアシェル型の有機無機ハイブリッド粒子からなる、
導電性粒子。」

そして、両者は次の点で相違又は一応相違する。
＜相違点Ａ３−１＞
導電部の水素原子の含有量に関し、本件特許発明１においては、「前記導電部が水素原子を含まないか、又は、前記導電部が水素原子を８０μｇ／ｇ以下で含」むと特定されているのに対し、甲Ａ３発明においては、そのようには特定されていない点。

＜相違点Ａ３−２＞
導電部における結晶構造に関し、本件特許発明１においては、「前記導電部が結晶構造を有する導電部を含み、前記結晶構造を有する導電部の断面観察において、前記結晶構造を有する導電部における結晶子サイズが５０ｎｍ以上である」と特定されているのに対し、甲Ａ３発明においては、そのようには特定されていない点。

＜相違点Ａ３−３＞
本件特許発明１においては、「前記導電部の外表面に複数の突起を有し」と特定されているのに対し、甲Ａ３発明においては、そのようには特定されていない点。

イ 判断
そこで、相違点Ａ３−１について検討する。
甲Ａ３には、相違点Ａ３−１に係る本件特許発明１の発明特定事項について何ら記載されておらず、甲Ａ３発明が相違点Ａ３−１に係る本件特許発明１の発明特定事項を有する蓋然性が高いともいえない。
したがって、相違点Ａ３−１は実質的な相違点である。
そして、甲Ａ３及び他の証拠のいずれにも、甲Ａ３発明において、相違点Ａ３−１に係る本件特許発明１の発明特定事項を採用する動機付けとなる記載はないから、甲Ａ３発明において、相違点Ａ３−１に係る本件特許発明１の発明特定事項を採用することは当業者が容易に想到し得たことであるとはいえない。
また、本件特許発明１の奏する「導電部に割れを生じ難くすることができ、耐酸性を高めることができ、従って接続信頼性を高めることができる。」という効果は、甲Ａ３発明並びに甲Ａ３及び他の証拠に記載された事項からみて、本件特許発明１の構成から当業者が予測できる範囲の効果を超える顕著なものである。

ウ まとめ
したがって、他の相違点について検討するまでもなく、本件特許発明１は甲Ａ３発明であるとはいえないし、甲Ａ３発明並びに甲Ａ３及び他の証拠に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるともいえない。

（３）本件特許発明２ないし８、１０、１２及び１３について
本件特許発明２ないし８、１０、１２及び１３は、相違点Ａ３−１に係る本件特許発明１の発明特定事項と同じ発明特定事項を有するものである。
したがって、本件特許発明２ないし８、１０、１２及び１３は、本件特許発明１と同様に、甲Ａ３発明であるとはいえないし、甲Ａ３発明並びに甲Ａ３及び他の証拠に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるともいえない。

（４）本件特許発明１１について
ア 対比
本件特許発明１１と甲Ａ３方法発明を対比する。
両者は次の点で一致する。
＜一致点＞
「ジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子、または、ジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子の表面を無機シェルにより被覆したコアシェル型の有機無機ハイブリッド粒子からなる基材粒子と、前記基材粒子の表面上に配置された導電部を有する導電性粒子を用いて、前記導電性粒子を２００℃以上にアニール処理する工程を備えた、
導電性粒子を得る、導電性粒子の製造方法。」

そして、両者は次の点で相違又は一応相違する。
＜相違点Ａ３−４＞
「アニール処理する工程」に関し、本件特許発明１１においては、「前記アニール処理によって、基材粒子と、前記基材粒子の表面上に配置された導電部とを備え、導電部が水素原子を含まないか、又は、導電部が水素原子を８０μｇ／ｇ以下で含む導電性粒子を得る」と特定されているのに対し、甲Ａ３方法発明においては、そのようには特定されていない点。

イ 判断
そこで、相違点Ａ３−４について検討する。
甲Ａ３には、相違点Ａ３−４に係る本件特許発明１１の発明特定事項について何ら記載されておらず、甲Ａ３方法発明が相違点Ａ３−４に係る本件特許発明１１の発明特定事項を有する蓋然性が高いともいえない。
したがって、相違点Ａ３−４は実質的な相違点である。
そして、甲Ａ３及び他の証拠のいずれにも、甲Ａ３方法発明において、相違点Ａ３−４に係る本件特許発明１１の発明特定事項を採用する動機付けとなる記載はないから、甲Ａ３方法発明において、相違点Ａ３−４に係る本件特許発明１１の発明特定事項を採用することは当業者が容易に想到し得たことであるとはいえない。
また、本件特許発明１１の奏する「導電部に割れを生じ難くすることができ、耐酸性を高めることができ、従って接続信頼性を高めることができる。」という効果は、甲Ａ３方法発明並びに甲Ａ３及び他の証拠に記載された事項からみて、本件特許発明１１の構成から当業者が予測できる範囲の効果を超える顕著なものである。

ウ まとめ
したがって、本件特許発明１１は甲Ａ３方法発明であるとはいえないし、甲Ａ３方法発明並びに甲Ａ３及び他の証拠に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるともいえない。

（５）申立理由Ａ−３及び申立理由Ｂ−１についてのむすび
したがって、本件特許発明１ないし８及び１０ないし１３は、特許法第29条第1項第3号に該当し特許を受けることができないものであるとはいえず、また、同法同条第２項の規定により特許を受けることができないものであるともいえず、本件特許の請求項１ないし８及び１０ないし１３に係る特許は、同法第113条第2号に該当せず、申立理由Ａ−３及び申立理由Ｂ−１によっては取り消すことはできない。

４ 申立理由Ａ−４（甲Ａ１６に基づく新規性・進歩性）について
（１）甲Ａ１６に記載された発明
甲Ａ１６の［0093］ないし［0095］、［0102］の［表1］及び［0103］ないし［0106］に記載された事項を、特に実施例２に関して整理すると、甲Ａ１６には次の発明（以下、順に「甲Ａ１６発明」及び「甲Ａ１６方法発明」という。）が記載されていると認める。

＜甲Ａ１６発明＞
「３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシランの加水分解、縮合反応を行って、メタクリロイル基を有するポリシロキサン粒子（重合性ポリシロキサン粒子）の乳濁液を調製し、
次いで、乳化剤としてポリオキシエチレンスチレン化フェニルエーテル硫酸エステルアンモニウム塩（第一工業製薬社製「ハイテノール（登録商標） ＮＦ−０８」）の２０％水溶液１０部をイオン交換水４００部で溶解した溶液に、単量体成分（吸収モノマー）としてスチレン２００部及びジビニルベンゼン（ＤＶＢ９６０：新日鐡化学社製、ジビニルベンゼン含量９６質量％、エチルビニルベンゼン等４％含有品）２００部と、２，２’−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）（和光純薬工業社製「Ｖ−６５」）４．８部とを加え、乳化分散させて単量体成分の乳化液を調製し、この乳化液を２時間攪拌後、得られた乳化液を、上記ポリシロキサン粒子の乳濁液中に添加して、さらに攪拌を行い、乳化液の添加から１時間後、混合液をサンプリングして顕微鏡で観察を行ったところ、ポリシロキサン粒子が単量体を吸収して肥大化していることが確認され、
前記混合液に、前記ポリオキシエチレンスチレン化フェニルエーテル硫酸エステルアンモニウム塩の２０％水溶液９６部、イオン交換水５００部を加え、窒素雰囲気下で６５℃まで昇温させて、６５℃で２時間保持し、単量体成分のラジカル重合を行った後の乳濁液を固液分離し、得られたケーキをイオン交換水、メタノールで洗浄した後、窒素雰囲気下２８０℃で１時間焼成処理して重合体粒子を得、これをビニル重合体粒子１とし、
上記したビニル重合体粒子１に、パラジウム核を形成させた基材粒子１０部をイオン交換水５０００部に添加し、超音波照射により十分に分散させ、懸濁液を得、この懸濁液を７０℃に加熱して撹拌しながら、７０℃に加熱したニッケルめっき液１０００ｍＬを添加し、前記ニッケルめっき液は、グリシンを３８．０ｇ／Ｌ、リンゴ酸を１０．５ｇ／Ｌ、酢酸ナトリウムを７６．０ｇ／Ｌ、硫酸ニッケルを１１３．０ｇ／Ｌ、次亜リン酸ナトリウムを２３０ｇ／Ｌ含有しており、ｐＨは６．８に調整されており、液温を７０℃で保持し、水素ガスの発生が停止したことを確認してから、６０分間攪拌し、その後、固液分離を行い、イオン交換水、メタノールの順で洗浄した後、得られた導電性微粒子を、窒素（不活性）雰囲気下、２８０℃で２時間加熱処理を行い、ニッケルめっきを施して得られた導電性微粒子２。」

＜甲Ａ１６方法発明＞
「３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシランの加水分解、縮合反応を行って、メタクリロイル基を有するポリシロキサン粒子（重合性ポリシロキサン粒子）の乳濁液を調製し、
次いで、乳化剤としてポリオキシエチレンスチレン化フェニルエーテル硫酸エステルアンモニウム塩（第一工業製薬社製「ハイテノール（登録商標） ＮＦ−０８」）の２０％水溶液１０部をイオン交換水４００部で溶解した溶液に、単量体成分（吸収モノマー）としてスチレン２００部及びジビニルベンゼン（ＤＶＢ９６０：新日鐡化学社製、ジビニルベンゼン含量９６質量％、エチルビニルベンゼン等４％含有品）２００部と、２，２’−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）（和光純薬工業社製「Ｖ−６５」）４．８部とを加え、乳化分散させて単量体成分の乳化液を調製し、この乳化液を２時間攪拌後、得られた乳化液を、上記ポリシロキサン粒子の乳濁液中に添加して、さらに攪拌を行い、乳化液の添加から１時間後、混合液をサンプリングして顕微鏡で観察を行ったところ、ポリシロキサン粒子が単量体を吸収して肥大化していることが確認され、
前記混合液に、前記ポリオキシエチレンスチレン化フェニルエーテル硫酸エステルアンモニウム塩の２０％水溶液９６部、イオン交換水５００部を加え、窒素雰囲気下で６５℃まで昇温させて、６５℃で２時間保持し、単量体成分のラジカル重合を行った後の乳濁液を固液分離し、得られたケーキをイオン交換水、メタノールで洗浄した後、窒素雰囲気下２８０℃で１時間焼成処理して重合体粒子を得、これをビニル重合体粒子１とし、
上記したビニル重合体粒子１に、パラジウム核を形成させた基材粒子１０部をイオン交換水５０００部に添加し、超音波照射により十分に分散させ、懸濁液を得、この懸濁液を７０℃に加熱して撹拌しながら、７０℃に加熱したニッケルめっき液１０００ｍＬを添加し、前記ニッケルめっき液は、グリシンを３８．０ｇ／Ｌ、リンゴ酸を１０．５ｇ／Ｌ、酢酸ナトリウムを７６．０ｇ／Ｌ、硫酸ニッケルを１１３．０ｇ／Ｌ、次亜リン酸ナトリウムを２３０ｇ／Ｌ含有しており、ｐＨは６．８に調整されており、液温を７０℃で保持し、水素ガスの発生が停止したことを確認してから、６０分間攪拌し、その後、固液分離を行い、イオン交換水、メタノールの順で洗浄した後、得られた導電性微粒子を、窒素（不活性）雰囲気下、２８０℃で２時間加熱処理を行い、ニッケルめっきを施して導電性微粒子２を得る、導電性微粒子２の製造方法。」

（２）本件特許発明４について
ア 対比
本件特許発明４と甲Ａ１６発明を対比する。
両者は次の点で一致する。
＜一致点＞
「基材粒子と、前記基材粒子の表面上に配置された導電部とを備え、
ジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子、または、ジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子の表面を無機シェルにより被覆したコアシェル型の有機無機ハイブリッド粒子からなる、
導電性粒子。」

そして、両者は次の点で相違又は一応相違する。
＜相違点Ａ１６−１＞
導電部の水素原子の含有量に関し、本件特許発明４においては、「前記導電部が水素原子を含まないか、又は、前記導電部が水素原子を８０μｇ／ｇ以下で含」むと特定されているのに対し、甲Ａ１６発明においては、そのようには特定されていない点。

＜相違点Ａ１６−２＞
本件特許発明４においては、「１０％圧縮した時の圧縮弾性率が３０００Ｎ／ｍｍ２以上である」と特定されているのに対し、甲Ａ１６発明においては、そのようには特定されていない点。

イ 判断
そこで、相違点Ａ１６−１について検討する。
甲Ａ１６には、相違点Ａ１６−１に係る本件特許発明４の発明特定事項について何ら記載されておらず、甲Ａ１６発明が相違点Ａ１６−１に係る本件特許発明４の発明特定事項を有する蓋然性が高いともいえない。
したがって、相違点Ａ１６−１は実質的な相違点である。
そして、甲Ａ１６及び他の証拠のいずれにも、甲Ａ１６発明において、相違点Ａ１６−１に係る本件特許発明４の発明特定事項を採用する動機付けとなる記載はないから、甲Ａ１６発明において、相違点Ａ１６−１に係る本件特許発明４の発明特定事項を採用することは当業者が容易に想到し得たことであるとはいえない。
また、本件特許発明４の奏する「導電部に割れを生じ難くすることができ、耐酸性を高めることができ、従って接続信頼性を高めることができる。」という効果は、甲Ａ１６発明並びに甲Ａ１６及び他の証拠に記載された事項からみて、本件特許発明４の構成から当業者が予測できる範囲の効果を超える顕著なものである。

ウ まとめ
したがって、他の相違点について検討するまでもなく、本件特許発明４は甲Ａ１６発明であるとはいえないし、甲Ａ１６発明並びに甲Ａ１６及び他の証拠に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるともいえない。

（３）本件特許発明５ないし８、１０、１２及び１３について
本件特許発明５ないし８、１０、１２及び１３は、相違点Ａ１６−１に係る本件特許発明４の発明特定事項と同じ発明特定事項を有するものである。
したがって、本件特許発明５ないし８、１２及び１３は、本件特許発明４と同様に、甲Ａ１６発明であるとはいえない。
また、本件特許発明５ないし８、１０、１２及び１３は、本件特許発明４と同様に、甲Ａ１６発明並びに甲Ａ１６及び他の証拠に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるともいえない。

（４）本件特許発明１１について
ア 対比
本件特許発明１１と甲Ａ１６方法発明を対比する。
両者は次の点で一致する。
＜一致点＞
「ジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子、または、ジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子の表面を無機シェルにより被覆したコアシェル型の有機無機ハイブリッド粒子からなる基材粒子と、前記基材粒子の表面上に配置された導電部を有する導電性粒子を用いて、前記導電性粒子を２００℃以上にアニール処理する工程を備えた、
導電性粒子を得る、導電性粒子の製造方法。」

そして、両者は次の点で相違又は一応相違する。
＜相違点Ａ１６−３＞
「アニール処理する工程」に関し、本件特許発明１１においては、「前記アニール処理によって、基材粒子と、前記基材粒子の表面上に配置された導電部とを備え、導電部が水素原子を含まないか、又は、導電部が水素原子を８０μｇ／ｇ以下で含む導電性粒子を得る」と特定されているのに対し、甲Ａ１６方法発明においては、そのようには特定されていない点。

イ 判断
そこで、相違点Ａ１６−３について検討する。
甲Ａ１６には、相違点Ａ１６−３に係る本件特許発明１１の発明特定事項について何ら記載されておらず、甲Ａ１６方法発明が相違点Ａ１６−３に係る本件特許発明１１の発明特定事項を有する蓋然性が高いともいえない。
したがって、相違点Ａ１６−３は実質的な相違点である。
そして、甲Ａ１６及び他の証拠のいずれにも、甲Ａ１６方法発明において、相違点Ａ１６−３に係る本件特許発明１１の発明特定事項を採用する動機付けとなる記載はないから、甲Ａ１６方法発明において、相違点Ａ１６−３に係る本件特許発明１１の発明特定事項を採用することは当業者が容易に想到し得たことであるとはいえない。
また、本件特許発明１１の奏する「導電部に割れを生じ難くすることができ、耐酸性を高めることができ、従って接続信頼性を高めることができる。」という効果は、甲Ａ１６方法発明並びに甲Ａ１６及び他の証拠に記載された事項からみて、本件特許発明１１の構成から当業者が予測できる範囲の効果を超える顕著なものである。

ウ まとめ
したがって、本件特許発明１１は甲Ａ１６方法発明であるとはいえないし、甲Ａ１６方法発明並びに甲Ａ１６及び他の証拠に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるともいえない。

（５）申立理由Ａ−４についてのむすび
したがって、本件特許発明４ないし８及び１１ないし１３は、特許法第29条第1項第3号に該当し特許を受けることができないものであるとはいえず、また、本件特許発明４ないし８及び１０ないし１３は、同法同条第２項の規定により特許を受けることができないものであるともいえず、本件特許の請求項４ないし８及び１０ないし１３に係る特許は、同法第113条第2号に該当せず、申立理由Ａ−４によっては取り消すことはできない。

５ 申立理由Ａ−５（実施可能要件）及び申立理由Ｂ−２（実施可能要件）について
（１）実施可能要件の判断基準
本件特許発明１ないし８、１０、１２及び１３は物の発明であるところ、物の発明の実施とは、その物の生産及び使用等をする行為であるから、物の発明について実施可能要件を充足するためには、発明の詳細な説明において、当業者が、発明の詳細な記載及び出願時の技術常識に基づき、過度の試行錯誤を要することなく、その物を生産し、使用することができる程度の記載があることを要する。
本件特許発明１１は物を生産する方法の発明であるところ、物を生産する方法の発明の実施とは、その方法を使用し、その方法により生産された物の使用等をする行為であるから、物を生産する方法の発明について実施可能要件を充足するためには、発明の詳細な説明において、当業者が、発明の詳細な記載及び出願時の技術常識に基づき、過度の試行錯誤を要することなく、その方法を使用し、その方法により生産された物を使用することができる程度の記載があることを要する。
そこで、検討する。

（２）実施可能要件の判断
本件特許の発明の詳細な説明の【００３１】ないし【０１５４】には、本件特許発明１ないし８及び１０ないし１３の各発明特定事項についての具体的な記載があり、【０１５６】ないし【０２４６】には、本件特許発明１ないし８及び１０ないし１３の実施例並びに比較例について、その製造方法を含め、具体的に記載されている。
したがって、発明の詳細な説明において、当業者が、発明の詳細な記載及び出願時の技術常識に基づき、過度の試行錯誤を要することなく、本件特許発明１ないし８及び１０ないし１３に係る物を生産し、使用することができる程度の記載があるといえるし、本件特許発明１１に係る方法を使用し、その方法により生産した物を使用することができる程度の記載があるといえる。
よって、本件特許発明１ないし８及び１０ないし１３に関して、発明の詳細な説明の記載は、実施可能要件を充足する。

（３）特許異議申立人の主張について
ア 特許異議申立人Ａの主張について
特許異議申立人Ａの上記第４ １（５）の主張について検討するに、以下のとおり、いずれも採用できない。

（ア）上記第４ １（５）アの主張について
仮に、本件特許の発明の詳細な説明に記載された実施例８、比較例１及び比較例２で得られた導電性粒子における結晶子サイズ及び１０％Ｋ値の関係が技術常識と矛盾しているとしても、技術常識と矛盾しているだけであって、上記（２）のとおり、本件特許発明１ないし８及び１０ないし１３に関して、発明の詳細な説明の記載は、実施可能要件を充足することに変わりはない。
なお、本件特許の発明の詳細な説明に記載された実施例８は２００℃で４時間アニール処理を行っており、２８０℃で２時間アニール処理を行った比較例１及び２よりアニール処理の時間は２倍長いから、比較例１及び２よりも結晶子サイズ及び１０％Ｋ値が大きくなっていたとしても、技術常識に矛盾しているとまではいえない。

（イ）上記第４ １（５）イの主張について
仮に、本件特許の発明の詳細な説明に記載された実施例１に関する「１００ｋＰａの気圧雰囲気下」という記載における「１００ｋＰａ」が絶対圧力なのかゲージ圧なのか明確でなかったとしても、上記（２）のとおり、本件特許発明１ないし８及び１０ないし１３に関して、発明の詳細な説明の記載は、実施可能要件を充足することに変わりはない。
なお、上記「１００ｋＰａ」は、絶対圧力かゲージ圧のどちらかであることは明らかであるし、どちらであったとしても、本件特許の発明の詳細な説明の【０１２７】及び【０１２８】の記載から、アニール処理の温度及び時間を調整すれば、水素原子含有量は小さくできることを当業者は理解できるから、本件特許の発明の詳細な説明に記載された実施例１に関する「１００ｋＰａ」という記載が絶対圧力かゲージ圧か本件特許の発明の詳細な説明の記載からは明確でなかったとしても、本件特許発明１ないし８及び１０ないし１３が実施できないということにはならない。

（ウ）上記第４ １（５）ウの主張について
当業者であれば、様々な手法によって、目開きが基材粒子の粒子径よりも小さい篩を作成することができるから、どのような篩を用いることで導電部と基材粒子とをふるい分けできるのか当業者は理解できないとはいえない。
また、本件特許の発明の詳細な説明の【０２２５】の「真空引きされた導電部を徐々に加熱した」という記載は、当業者であれば、予め真空引きして不純物が除去された導電部を徐々に加熱したという記載と理解するものであるから、どのように「真空引きされた導電部を徐々に加熱」するのか当業者は理解できないとはいえない。
したがって、上記（２）のとおり、本件特許発明１ないし８及び１０ないし１３に関して、発明の詳細な説明の記載は、実施可能要件を充足することに変わりはない。

イ 特許異議申立人Ｂの主張について
特許異議申立人Ｂの上記第４ ２（２）の主張について検討するに、以下のとおり、いずれも採用できない。

（ア）上記第４ ２（２）アの主張について
甲Ｂ−１に記載された発明が本件特許発明の発明の課題を解決するものであるかどうかは、実施可能要件の判断とは関係がない。

（イ）上記第４ ２（２）イの主張について
具体例として、本件特許の発明の詳細な説明には、実施例１ないし１５しか記載されていないとしても、上記（２）のとおり、本件特許発明１ないし８及び１０ないし１３に関して、発明の詳細な説明の記載は、実施可能要件を充足することに変わりはない。

（ウ）上記第４ ２（２）ウの主張について
上記第４ ２（２）ウの主張は上記第４ １（５）ウの主張と同旨であるから、同様に判断される。
すなわち、上記（２）のとおり、本件特許発明１ないし８及び１０ないし１３に関して、発明の詳細な説明の記載は、実施可能要件を充足することに変わりはない。

（エ）上記第４ ２（２）エの主張について
本件特許発明１１は「アニール処理」によって「導電部が水素原子を含まないか、又は、導電部が水素原子を８０μｇ／ｇ以下で含む」ようにする発明であるから、測定の時点は、何時でもいいことは明らかである。
したがって、測定方法が不明確であるとはいえないので、上記（２）のとおり、本件特許発明１ないし８及び１０ないし１３に関して、発明の詳細な説明の記載は、実施可能要件を充足することに変わりはない。

（４）申立理由Ａ−５及び申立理由Ｂ−２についてのむすび
したがって、本件特許の請求項１ないし８及び１０ないし１３に係る特許は、特許法第36条第4項第1号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであるとはいえないから、同法第113条第4号に該当せず、申立理由Ａ−５及び申立理由Ｂ−２によっては取り消すことはできない。

６ 申立理由Ａ−６（サポート要件）及び申立理由Ｂ−３（サポート要件）について
（１）サポート要件の判断基準
特許請求の範囲の記載が、サポート要件に適合するか否かは、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載とを対比し、特許請求の範囲に記載された発明が、発明の詳細な説明に記載された発明で、発明の詳細な説明の記載により当業者が当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであるか否か、また、その記載や示唆がなくとも当業者が出願時の技術常識に照らし当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであるか否かを検討して判断すべきものである。
そこで、検討する。

（２）サポート要件の判断
本件特許の特許請求の範囲の記載は上記第３のとおりである。
また、本件特許の発明の詳細な説明の【０００１】ないし【００１３】によると、本件特許発明の解決しようとする課題は「導電部に割れを生じ難くすることができ、耐酸性を高めることができ、従って接続信頼性を高めることができる導電性粒子」を提供すること、「該導電性粒子の製造方法」を提供すること、「該導電性粒子を用いた導電材料」を提供すること及び「該導電性粒子を用いた接続構造体」を提供すること（以下、総称して「発明の課題」という。）である。
そして、本件特許の発明の詳細な説明の【００１４】ないし【００２７】には、本件特許発明１ないし８及び１０ないし１３に対応する記載があり、同じく【００３１】ないし【０１５４】には、本件特許発明１ないし８及び１０ないし１３の各発明特定事項について具体的に記載され、同じく【０１５６】ないし【０２４４】には、「基材粒子と、前記基材粒子の表面上に配置された導電部とを備え、前記導電部が水素原子を含まないか、又は、前記導電部が水素原子を８０μｇ／ｇ以下で含む」という条件を満足する実施例が、その製造方法を含めて、具体的に記載され、導電部の割れが生じにくく、初期の接続抵抗が高く、酸に晒された後の接続抵抗の変化が少ないことを確認している。
そうすると、当業者は、「基材粒子と、前記基材粒子の表面上に配置された導電部とを備え、前記導電部が水素原子を含まないか、又は、前記導電部が水素原子を８０μｇ／ｇ以下で含む」「導電性粒子」、「該導電性粒子」の「製造方法」、「該導電性粒子」を用いた「導電材料」及び「該導電性粒子」を用いた「接続構造体」は、発明の課題を解決できると認識できる。
そして、本件特許発明１ないし８及び１０は上記発明の課題を解決できると認識できる「導電性粒子」をさらに限定したものであり、本件特許発明１１は上記発明の課題を解決できると認識できる「該導電性粒子」の「製造方法」をさらに限定したものであり、本件特許発明１２は上記発明の課題を解決できると認識できる「該導電性粒子」を用いた「導電材料」をさらに限定したものであり、本件特許発明１３は上記発明の課題を解決できると認識できる「該導電性粒子」を用いた「接続構造体」をさらに限定したものである。
したがって、本件特許発明１ないし８及び１０ないし１３は発明の詳細な説明に記載された発明で、発明の詳細な説明の記載により当業者が当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであるといえる。
よって、本件特許発明１ないし８及び１０ないし１３に関して、特許請求の範囲の記載はサポート要件に適合する。

（３）特許異議申立人の主張について
ア 特許異議申立人Ａの主張について
特許異議申立人Ａの上記第４ １（６）の主張について検討するに、以下のとおり、いずれも採用できない。

（ア）上記第４ １（６）アの主張について
上記（２）のとおり、導電部の材料が特定されていないとしても、本件特許発明１ないし３は発明の詳細な説明に記載された発明で、発明の詳細な説明の記載により当業者が当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであるといえる。
また、請求項１ないし３を引用する本件特許発明６ないし８、１０、１２及び１３についても同様である。

（イ）上記第４ １（６）イの主張について
上記（２）のとおり、導電部の材料及び結晶子のサイズが特定されていないとしても、本件特許発明４及び５は発明の詳細な説明に記載された発明で、発明の詳細な説明の記載により当業者が当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであるといえる。
また、請求項４又は５を引用する本件特許発明６ないし８、１０、１２及び１３についても同様である。

（ウ）上記第４ １（６）ウの主張について
上記（２）のとおり、ビッカース硬度の特定の有無は当業者が発明の課題を解決できると認識できるかどうかとは関係がない。
したがって、発明の詳細な説明にビッカース硬度を特定した実施例の記載がないとしても、本件特許発明７は発明の詳細な説明に記載された発明で、発明の詳細な説明の記載により当業者が当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであるといえる。
また、請求項７を引用する本件特許発明８、１０、１２及び１３についても同様である。

イ 特許異議申立人Ｂの主張について
特許異議申立人Ｂの上記第４ ２（３）の主張について検討するに、以下のとおり、いずれも採用できない。

（ア）上記第４ ２（３）アの主張について
甲Ｂ−１に記載された発明が本件特許発明の発明の課題を解決するものであるかどうかは、サポート要件の判断とは関係がない。

（イ）上記第４ ２（３）イの主張について
本件特許の発明の詳細な説明に本件特許発明を当業者が実施することができる程度に明確かつ十分に記載されているかどうかは、実施可能要件の問題であって、サポート要件の判断とは関係がない。
なお、本件特許の発明の詳細な説明の記載が、実施可能要件を充足することについては、上記５のとおりである。

（ウ）上記第４ ２（３）ウの主張について
上記第４ ２（３）ウの主張は上記第４ １（６）ウの主張と同旨であり、同様に判断される。
すなわち、本件特許発明７は発明の詳細な説明に記載された発明で、発明の詳細な説明の記載により当業者が当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであるといえる。

（４）申立理由Ａ−６及び申立理由Ｂ−３についてのむすび
したがって、本件特許の請求項１ないし８及び１０ないし１３に係る特許は、特許法第36条第6項第1号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであるとはいえないから、同法第113条第4号に該当せず、申立理由Ａ−６及び申立理由Ｂ−３によっては取り消すことはできない。

７ 申立理由Ａ−７（明確性要件）及び申立理由Ｂ−４（明確性要件）について
（１）明確性要件の判断基準
特許を受けようとする発明が明確であるかは、特許請求の範囲の記載だけではなく、願書に添付した明細書の記載及び図面を考慮し、また、当業者の出願時における技術常識を基礎として、特許請求の範囲の記載が、第三者の利益が不当に害されるほどに不明確であるか否かという観点から判断されるべきである。
そこで、検討する。

（２）明確性要件の判断
本件特許の特許請求の範囲の記載は、上記第３のとおりである。
そして、本件特許の特許請求の範囲の記載には、意味内容が不明な記載はなく、また、発明の詳細な説明の記載及び図面に本件特許発明１ないし８及び１０ないし１３の各発明特定事項について具体的に記載され、特許請求の範囲の記載はそれらの記載とも整合しているから、当業者は、特許請求の範囲の記載並びに願書に添付した明細書の記載及び図面を考慮して、本件特許発明１ないし８及び１０ないし１３がどのようなものかを理解することができる。
したがって、本件特許発明１ないし８及び１０ないし１３に関して、特許請求の範囲の記載が、第三者の利益が不当に害されるほどに不明確であるとはいえない。
よって、本件特許発明１ないし８及び１０ないし１３は明確である。

（３）特許異議申立人の主張について
ア 特許異議申立人Ａの主張について
特許異議申立人Ａの上記第４ １（７）の主張について検討するに、以下のとおり採用できない。
本件特許発明１においては、水素原子の含有量の測定方法は特定されていないから、本件特許明細書の【００３９】に記載されたどの測定方法で測定しても、水素原子の含有量が８０μｇ／ｇ以下であることを意味することは明らかである。
したがって、本件特許発明１が明確でないとはいえない。
本件特許発明２ないし８及び１０ないし１３についても同様である。

イ 特許異議申立人Ｂの主張について
特許異議申立人Ｂの上記第４ ２（４）の主張について検討するに、以下のとおり採用できない。
特許異議申立人Ｂの上記第４ ２（４）の主張は、本件特許の発明の詳細な説明の記載は実施可能要件を充足しないことに基づく主張であるところ、上記５（３）イ（ウ）及び（エ）で検討したとおり、本件特許の発明の詳細な説明の記載は実施可能要件を充足するから、該主張はその前提において採用できない。
そもそも、実施可能要件を充足するかどうかは明確性要件とは関係がない。
なお、上記（２）のとおり、本件特許発明１ないし８及び１０ないし１３は明確である。

（４）申立理由Ａ−７及び申立理由Ｂ−４についてのむすび
したがって、本件特許の請求項１ないし８及び１０ないし１３に係る特許は、特許法第36条第6項第2号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであるとはいえないから、同法第113条第4号に該当せず、申立理由Ａ−７及び申立理由Ｂ−４によっては取り消すことはできない。

第７ 令和３年１１月２５日に特許異議申立人Ｂから提出された意見書で主張された取消理由について
１ 令和３年１１月２５日に特許異議申立人Ｂから提出された意見書で主張された取消理由の概要
令和３年１１月２５日に特許異議申立人Ｂから提出された意見書（第１１ページ第１０行ないし第１２ページ第１３行）で主張された取消理由の概要は、おおむね次のとおりである。
該取消理由は、令和３年１０月７日にされた訂正請求による訂正により生じたものであるが、本件訂正においても同様の訂正がされているので、検討する。

・（明確性要件）
ジビニルベンゼンと共重合するモノマーの種類や共重合割合は、ジビニルベンゼン共重合体粒子に所望の柔軟性を付与する上で重要な事項であると考えられるところ、本件特許の請求項１ないし５及び１１において、この点について何ら規定されていないから、本件特許発明１ないし５及び１１は明確でないし、請求項１ないし５のいずれかを直接又は間接的に引用する本件特許発明６ないし１０、１２及び１３は明確でない。

２ 判断
本件特許の請求項１ないし５及び１１において、ジビニルベンゼンと共重合するモノマーの種類や共重合割合が規定されていないとしても、上記第６ ７（２）のとおり、本件特許の特許請求の範囲の記載には、意味内容が不明な記載はなく、発明の詳細な説明の記載とも整合しているから、本件特許発明１ないし８及び１０ないし１３が明確であることに変わりはない。
なお、仮に、ジビニルベンゼンと共重合するモノマーの種類や共重合割合が、ジビニルベンゼン共重合体粒子に所望の柔軟性を付与する上で重要な事項であったとしても、本件特許の請求項１ないし５及び１１において、重要な事項が特定されていないということにとどまり、本件特許発明１ないし８及び１０ないし１３が明確でないということにはならない。

３ 令和３年１１月２５日に特許異議申立人Ｂから提出された意見書で主張された取消理由についてのむすび
したがって、本件特許の請求項１ないし８及び１０ないし１３に係る特許は、特許法第36条第6項第2号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであるとはいえないから、同法第113条第4号に該当せず、該取消理由によっては取り消すことはできない。

第８ 結語
上記第５ないし７のとおり、本件特許の請求項１ないし８及び１０ないし１３に係る特許は、取消理由（決定の予告）、特許異議申立書Ａ及びＢに記載した申立ての理由並びに令和３年１１月２５日に特許異議申立人Ｂから提出された意見書で主張された取消理由によっては、取り消すことはできない。
また、他に本件特許の請求項１ないし８及び１０ないし１３に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
さらに、本件特許の請求項９に係る特許は、訂正により削除されたため、特許異議申立人Ａ及びＢによる請求項９に係る特許異議の申立ては、いずれも申立ての対象が存在しないものとなったので、特許法第120条の8第1項で準用する同法第135条の規定により却下する。

よって、結論のとおり決定する。
 
発明の名称 （５７）【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材粒子と、前記基材粒子の表面上に配置された導電部とを備え、
前記基材粒子が、ジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子、または、ジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子の表面を無機シェルにより被覆したコアシェル型の有機無機ハイブリッド粒子からなり、
前記導電部が水素原子を含まないか、又は、前記導電部が水素原子を８０μｇ／ｇ以下で含み、
前記導電部の外表面に複数の突起を有し、
前記導電部が結晶構造を有する導電部を含み、
前記結晶構造を有する導電部の断面観察において、前記結晶構造を有する導電部における結晶子サイズが５０ｎｍ以上である、導電性粒子。
【請求項２】
基材粒子と、前記基材粒子の表面上に配置された導電部とを備え、
前記基材粒子が、ジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子、または、ジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子の表面を無機シェルにより被覆したコアシェル型の有機無機ハイブリッド粒子からなり、
前記導電部が水素原子を含まないか、又は、前記導電部が水素原子を８０μｇ／ｇ以下で含み、
前記導電部の外表面に複数の突起を有し、
前記導電部が結晶構造を有する導電部を含み、
前記結晶構造を有する導電部において、Ｘ線回折により得られる回折ピークの半値幅とシェラーの式から求められる（１１１）面、（２００）面、（２２０）面、（３１１）面及び（２２２）面の結晶子サイズの平均値による結晶子サイズが５０ｎｍ以上である、導電性粒子。
【請求項３】
基材粒子と、前記基材粒子の表面上に配置された導電部とを備え、
前記基材粒子が、ジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子、または、ジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子の表面を無機シェルにより被覆したコアシェル型の有機無機ハイブリッド粒子からなり、
前記導電部が水素原子を含まないか、又は、前記導電部が水素原子を８０μｇ／ｇ以下で含み、
前記導電部の外表面に複数の突起を有し、
前記導電部が結晶構造を有する導電部を含み、
前記結晶構造を有する導電部において、Ｘ線回折により得られる回折ピークの半値幅とウィリアムソンーホール式から求められる結晶子サイズが５０ｎｍ以上である、導電性粒子。
【請求項４】
基材粒子と、前記基材粒子の表面上に配置された導電部とを備え、
前記基材粒子が、ジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子、または、ジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子の表面を無機シェルにより被覆したコアシェル型の有機無機ハイブリッド粒子からなり、
前記導電部が水素原子を含まないか、又は、前記導電部が水素原子を８０μｇ／ｇ以下で含み、
１０％圧縮した時の圧縮弾性率が３０００Ｎ／ｍｍ２以上である、導電性粒子。
【請求項５】
基材粒子と、前記基材粒子の表面上に配置された導電部とを備え、
前記基材粒子が、ジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子、または、ジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子の表面を無機シェルにより被覆したコアシェル型の有機無機ハイブリッド粒子からなり、
前記導電部が水素原子を含まないか、又は、前記導電部が水素原子を８０μｇ／ｇ以下で含み、
前記導電部の外表面に複数の突起を有し、
前記導電部は、ニッケルを少なくとも含む、導電性粒子。
【請求項６】
前記導電部は、ニッケル、パラジウム、ルテニウム、銅、タングステン、モリブデン、リン、ボロン、金、白金又は錫を少なくとも含む、請求項１〜４のいずれか１項に記載の導電性粒子。
【請求項７】
前記導電部のビッカース硬度が２００以上である、請求項１〜６のいずれか１項に記載の導電性粒子。
【請求項８】
前記基材粒子が、樹脂粒子又は有機無機ハイブリッド粒子である、請求項１〜７のいずれか１項に記載の導電性粒子。
【請求項９】削除
【請求項１０】
前記導電部の外表面上に配置された絶縁性物質を備える、請求項１〜８のいずれか１項に記載の導電性粒子。
【請求項１１】
ジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子、または、ジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子の表面を無機シェルにより被覆したコアシェル型の有機無機ハイブリッド粒子からなる基材粒子と、前記基材粒子の表面上に配置された導電部を有する導電性粒子を用いて、前記導電性粒子を２００℃以上にアニール処理する工程を備え、
前記アニール処理によって、基材粒子と、前記基材粒子の表面上に配置された導電部とを備え、導電部が水素原子を含まないか、又は、導電部が水素原子を８０μｇ／ｇ以下で含む導電性粒子を得る、導電性粒子の製造方法。
【請求項１２】
請求項１〜８および１０のいずれか１項に記載の導電性粒子と、バインダー樹脂とを含む、導電材料。
【請求項１３】
第１の接続対象部材と、
第２の接続対象部材と、
前記第１の接続対象部材と、前記第２の接続対象部材とを接続している接続部とを備え、
前記接続部の材料が、請求項１〜８および１０のいずれか１項に記載の導電性粒子であるか、又は前記導電性粒子とバインダー樹脂とを含む導電材料である、接続構造体。
 
訂正の要旨 審決（決定）の【理由】欄参照。
異議決定日 2022-07-29 
出願番号 P2016-040028
審決分類 P 1 651・ 113- YAA (H01B)
P 1 651・ 121- YAA (H01B)
P 1 651・ 536- YAA (H01B)
P 1 651・ 537- YAA (H01B)
最終処分 07   維持
特許庁審判長 大島 祥吾
特許庁審判官 ▲吉▼澤 英一
加藤 友也
登録日 2020-10-12 
登録番号 6777405
権利者 積水化学工業株式会社
発明の名称 導電性粒子、導電性粒子の製造方法、導電材料及び接続構造体  
代理人 弁理士法人大阪フロント特許事務所  
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