• ポートフォリオ機能


ポートフォリオを新規に作成して保存
既存のポートフォリオに追加保存

  • この表をプリントする
PDF PDFをダウンロード
審決分類 審判 全部申し立て 特174条1項  H01L
審判 全部申し立て 特36条6項1、2号及び3号 請求の範囲の記載不備  H01L
審判 全部申し立て 2項進歩性  H01L
審判 全部申し立て 1項3号刊行物記載  H01L
管理番号 1391981
総通号数 12 
発行国 JP 
公報種別 特許決定公報 
発行日 2022-12-28 
種別 異議の決定 
異議申立日 2021-02-16 
確定日 2022-10-11 
異議申立件数 1 
訂正明細書 true 
事件の表示 特許第６７５３９９５号発明「ＩＩＩ族窒化物半導体発光素子及びその製造方法」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。 
結論 特許第６７５３９９５号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１〜４〕、５について訂正することを認める。 特許第６７５３９９５号の請求項１〜５に係る特許を維持する。 
理由 第１ 手続の経緯
特許第６７５３９９５号（以下「本件特許」という。）の請求項１〜５に係る特許についての出願は、令和元年１２月１１日（優先権主張 平成３０年１２月１４日（以下「優先日」という。））の出願であって、令和２年８月２４日にその特許権の設定登録がされ、令和２年９月９日に特許掲載公報が発行された。その後の本件特許異議の申立ての経緯は、次のとおりである。
令和３年 ２月１６日 ：特許異議申立人中野圭二（以下「特許異議申立人」という。）による特許異議の申立て
令和３年 ９月３０日付け：取消理由通知書
令和３年１２月１０日 ：特許権者による意見書及び訂正請求書の提出
なお、令和４年１月７日付けで当審から申立人に対し訂正請求があった旨の通知（特許法第120条の5第5項）をするとともに、期間を指定して意見書を提出する機会を与えたが、申立人から意見書は提出されなかった。

第２ 訂正の適否
１ 訂正の内容
本件訂正請求において特許権者が求める訂正の内容は、以下のとおりである（下線は、訂正箇所として特許権者が付したものである。）。
なお、本件訂正の訂正事項１及び２は、一群の請求項である訂正後の請求項〔１〜４〕について請求されたものである。
（１）訂正事項１
ア 訂正事項１−１
特許請求の範囲の請求項１に「基板上に、ｎ型半導体層、発光層、ｐ型ＡｌＧａＮ電子ブロック層、ｐ型コンタクト層及びｐ側反射電極を順次備えるIII族窒化物半導体発光素子であって、」と記載されているのを「基板上に、ｎ型半導体層、発光層、ｐ型ＡｌＧａＮ電子ブロック層（Ｓｉがドープされたものを除く）、ｐ型コンタクト層（Ｓｉがドープされたものを除く）及びｐ側反射電極を順次備えるIII族窒化物半導体発光素子であって、」に訂正する。

イ 訂正事項１−２
特許請求の範囲の請求項１の「III族窒化物半導体発光素子であって、」と「前記発光層からの発光の」との間に、「前記ｐ型コンタクト層は、前記ｐ型ＡｌＧａＮ電子ブロック層の直上に接し」を追加するように訂正するものと解される。

ウ 訂正事項１−３
特許請求の範囲の請求項１に「前記発光層からの発光の発光中心波長が２５０ｎｍ以上２８０ｎｍ以下であり、」と記載されているのを「前記発光層からの発光の発光中心波長が２６５ｎｍ以上２８０ｎｍ以下であり、」に訂正する。

エ 訂正事項１−４
特許請求の範囲の請求項１に「前記ｐ型ＡｌＧａＮ電子ブロック層のＡｌ組成比は０．４０以上０．８０以下であり、」と記載されているのを「前記ｐ型ＡｌＧａＮ電子ブロック層のＡｌ組成比は０．４０以上０．６８以下であり、」に訂正する。

オ 訂正事項１−５
特許請求の範囲の請求項１に「前記ｐ型コンタクト層の膜厚は１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下であり、」と記載されているのを「前記ｐ型コンタクト層の膜厚は１５ｎｍ以上５０ｎｍ以下であり、」に訂正する。

カ 訂正事項１−６
特許請求の範囲の請求項１に「該ｐ型コンタクト層は、Ａｌ組成比が０．０３以上０．２５以下である」と記載されているのを「該ｐ型コンタクト層は、Ａｌ組成比が０．０８以上０．２５以下である」に訂正する。

キ 請求項１の記載を引用する請求項２〜４も同様に訂正する。

（２）訂正事項２
特許請求の範囲の請求項４に「前記ｐ型ＡｌＧａＮコンタクト層の膜厚が１０ｎｍ以上２５ｎｍ以下である、」と記載されているのを「前記ｐ型ＡｌＧａＮコンタクト層の膜厚が１５ｎｍ以上２５ｎｍ以下である、」に訂正する。

（３）訂正事項３
ア 訂正事項３−１
特許請求の範囲の請求項５に「前記発光層上にｐ型ＡｌＧａＮ電子ブロック層を形成する工程と、前記ｐ型ＡｌＧａＮ電子ブロック層上にｐ型コンタクト層を形成する工程と、」と記載されているのを「前記発光層上にｐ型ＡｌＧａＮ電子ブロック層（Ｓｉがドープされたものを除く）を形成する工程と、前記ｐ型ＡｌＧａＮ電子ブロック層の直上に接してｐ型コンタクト層（Ｓｉがドープされたものを除く）を形成する工程と、」に訂正する。

イ 訂正事項３−２
特許請求の範囲の請求項５に「前記発光層からの発光の発光中心波長が２５０ｎｍ以上２８０ｎｍ以下であり、」と記載されているのを「前記発光層からの発光の発光中心波長が２６５ｎｍ以上２８０ｎｍ以下であり、」に訂正する。

ウ 訂正事項３−３
特許請求の範囲の請求項５に「前記ｐ型ＡｌＧａＮ電子ブロック層のＡｌ組成比は０．４０以上０．８０以下であり、」と記載されているのを「前記ｐ型ＡｌＧａＮ電子ブロック層のＡｌ組成比は０．４０以上０．６８以下であり、」に訂正する。

エ 訂正事項３−４
特許請求の範囲の請求項５に「前記ｐ型コンタクト層の膜厚は１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下であり、」と記載されているのを「前記ｐ型コンタクト層の膜厚は１５ｎｍ以上５０ｎｍ以下であり、」に訂正する。

オ 訂正事項３−５
特許請求の範囲の請求項５に「該ｐ型コンタクト層は、Ａｌ組成比が０．０３以上０．２５以下である」と記載されているのを「該ｐ型コンタクト層は、Ａｌ組成比が０．０８以上０．２５以下である」に訂正する。

２ 訂正要件の判断
（１）訂正事項１について
ア 訂正の目的
訂正事項１は、本件訂正前の請求項１に対して、次の内容からなるものである。
（ｉ）本件訂正前の請求項１における「ｐ型ＡｌＧａＮ電子ブロック層」及び「ｐ型コンタクト層」について、各層のドーパントは限定されていなかったものを、「ｐ型ＡｌＧａＮ電子ブロック層（Ｓｉがドープされたものを除く）」及び「ｐ型コンタクト層（Ｓｉがドープされたものを除く）」として、同項に記載した事項を限定すること。（訂正事項１−１）
（ｉｉ）本件訂正前の請求項１における「ｐ型ＡｌＧａＮ電子ブロック層」及び「ｐ型コンタクト層」について、その配置関係は特定されていないものから、「前記ｐ型コンタクト層は、前記ｐ型ＡｌＧａＮ電子ブロック層の直上に接し」として、その配置関係を限定すること。（訂正事項１−２）
（ｉｉｉ）本件訂正前の請求項１における「発光中心波長」について、「２５０ｎｍ以上２８０ｎｍ以下」とあるものから、「２６５ｎｍ以上２８０ｎｍ以下」であるものに限定すること。（訂正事項１−３）
（ｉｖ）本件訂正前の請求項１における「ｐ型ＡｌＧａＮ電子ブロック層のＡｌ組成比」について、「０．４０以上０．８０以下」とあるものから、「０．４０以上０．６８以下」であるものに限定すること。（訂正事項１−４）
（ｖ）本件訂正前の請求項１における「ｐ型コンタクト層の膜厚」について、「１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下」とあるものから、「１５ｎｍ以上５０ｎｍ以下」であるものに限定すること。（訂正事項１−５）
（ｖｉ）本件訂正前の請求項１における「ｐ型コンタクト層」の「Ａｌ組成比」について、「０．０３以上０．２５以下」とあるものから、「０．０８以上０．２５以下」であるものに限定すること。（訂正事項１−６）
したがって、訂正事項１による訂正は、特許法第120条の5第2項ただし書第１号に掲げる、特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正である。

イ 新規事項追加の有無
（ア）上記ア（ｉ）について
「ｐ型ＡｌＧａＮ電子ブロック層」及び「ｐ型コンタクト層」には、ｐ型ドーパントが含まれているのが通常であるところ、「Ｓｉ」はｎ型ドーパントであるから、当該各層から「Ｓｉ」がドープされたものを除いたとしても、新たな技術的事項が導入されることはない。
よって、上記ア（ｉ）の点は、新規事項を追加するものではない。

（イ）上記ア（ｉｉ）について
本件特許の願書に添付した特許登録時の明細書、特許請求の範囲又は図面（以下「本件明細書等」という。）の【００３４】には、「本発明効果を得るためにはｐ型コンタクト層７０がｐ型ＡｌＧａＮ電子ブロック層６０の直上に上述のｐ型ＡｌＧａＮコンタクト層７１を有すれば十分である」と記載されており、請求項１には、「ｐ型ＡｌＧａＮコンタクト層」が特定されている。
よって、上記ア（ｉｉ）の点は、新規事項を追加するものではない。

（ウ）上記ア（ｉｉｉ）について
本件明細書等の【００６４】【表２】には、「発光中心波長」が「２６５ｎｍ」のものが記載されている。
よって、上記ア（ｉｉｉ）の点は、新規事項を追加するものではない。

（エ）上記ア（ｉｖ）について
本件明細書等の【００６４】【表２】には、「ｐ型ＡｌＧａＮ電子ブロック層のＡｌ組成比」が「０．６８」であるものが記載されている。
よって、上記ア（ｉｖ）の点は、新規事項を追加するものではない。

（オ）上記ア（ｖ）について
本件明細書等の【００３４】には、「また、頓死をより確実にゼロに抑えるにはｐ型コンタクト層７０の厚さを１５ｎｍ以上とすることがさらに好ましい」と記載されている。
よって、上記ア（ｖ）の点は、新規事項を追加するものではない。

（カ）上記ア（ｖｉ）について
本件明細書等の【００６４】【表２】には、「ｐ型コンタクト層のＡｌ組成比」が「０．０８」であるものが記載されている。
よって、上記ア（ｖｉ）の点は、新規事項を追加するものではない。

（キ）小括
以上より、訂正事項１は、新規事項を追加するものではなく、特許法第120条の5第9項で準用する同法第126条第5項の規定に適合する。

ウ 特許請求の範囲の実質拡張変更の有無
上記ア（ｉ）〜（ｖｉ）に係る訂正は、上記ア及びイにも照らせば、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当しない。
したがって、訂正事項１は、特許法第120条の5第9項で準用する同法第126条第6項の規定に適合する。

エ 訂正事項１の小括
よって、訂正事項１は、訂正要件を満たす。

（２）訂正事項２について
ア 訂正の目的
訂正事項２は、本件訂正前の請求項４に記載された「ｐ型ＡｌＧａＮコンタクト層の膜厚」について、「１０ｎｍ以上２５ｎｍ以下」とあるものから、「１５ｎｍ以上２５ｎｍ以下」であるものに限定する訂正である。
そうすると、訂正事項２は、特許法第120条の5第2項ただし書き第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。

イ 新規事項追加の有無
本件明細書等の【００３４】には、「また、頓死をより確実にゼロに抑えるにはｐ型コンタクト層７０の厚さを１５ｎｍ以上とすることがさらに好ましい」と記載されている。
そうすると、訂正事項２は、特許法第120条の5第9項で準用する同法第126条第5項の規定に適合する。

ウ 特許請求の範囲の実質拡張変更の有無
上記ア及びイにも照らせば、訂正事項２は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当しない。
したがって、訂正事項２は、特許法第120条の5第9項で準用する同法第126条第6項の規定に適合する。

エ 訂正事項２の小括
よって、訂正事項２は、訂正要件を満たす。

（３）訂正事項３について
ア 訂正の目的
訂正事項３は、本件訂正前の請求項５に対して、次の内容からなるものである。
（ｉ）本件訂正前の請求項５における「ｐ型ＡｌＧａＮ電子ブロック層」及び「ｐ型コンタクト層」について、各層のドーパントは限定されていなかったものを、「ｐ型ＡｌＧａＮ電子ブロック層（Ｓｉがドープされたものを除く）」及び「ｐ型コンタクト層（Ｓｉがドープされたものを除く）」として、同項に記載した事項を限定すること。（訂正事項３−１）
（ｉｉ）本件訂正前の請求項５における「発光中心波長」について、「２５０ｎｍ以上２８０ｎｍ以下」とあるものから、「２６５ｎｍ以上２８０ｎｍ以下」であるものに限定すること。（訂正事項３−２）
（ｉｉｉ）本件訂正前の請求項１における「ｐ型ＡｌＧａＮ電子ブロック層のＡｌ組成比」について、「０．４０以上０．８０以下」とあるものから、「０．４０以上０．６８以下」であるものに限定すること。（訂正事項３−３）
（ｉｖ）本件訂正前の請求項１における「ｐ型コンタクト層の膜厚」について、「１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下」とあるものから、「１５ｎｍ以上５０ｎｍ以下」であるものに限定すること。（訂正事項３−４）
（ｖ）本件訂正前の請求項１における「ｐ型コンタクト層」の「Ａｌ組成比」について、「０．０３以上０．２５以下」とあるものから、「０．０８以上０．２５以下」であるものに限定すること。（訂正事項３−５）
したがって、訂正事項３による訂正は、特許法第120条の5第2項ただし書第１号に掲げる、特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正である。

イ 新規事項追加の有無
訂正事項３は、上記（１）イと同様の理由で、新規事項を追加するものではなく、特許法第120条の5第9項で準用する同法第126条第5項の規定に適合する。

ウ 特許請求の範囲の実質拡張変更の有無
訂正事項３は、上記（１）ウと同様の理由で、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当しない。
したがって、訂正事項３は、特許法第120条の5第9項で準用する同法第126条第6項の規定に適合する。

エ 訂正事項３の小括
よって、訂正事項３は、訂正要件を満たす。

３ 訂正の適否の小括
以上のとおり、本件訂正は、訂正要件を満たす。
よって、本件特許の特許請求の範囲を、訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、本件訂正後の請求項〔１〜４〕、５について訂正することを認める。

第３ 本件訂正発明の認定
本件訂正は上記第２のとおり認められたところ、本件訂正後の請求項１〜５に係る発明（以下「本件訂正発明１」〜「本件訂正発明５」という。）は、次のとおりであると認められる。

［本件訂正発明１］
「基板上に、ｎ型半導体層、発光層、ｐ型ＡｌＧａＮ電子ブロック層（Ｓｉがドープされたものを除く）、ｐ型コンタクト層（Ｓｉがドープされたものを除く）及びｐ側反射電極を順次備えるIII族窒化物半導体発光素子であって、
前記ｐ型コンタクト層は、前記ｐ型ＡｌＧａＮ電子ブロック層の直上に接し、
前記発光層からの発光の発光中心波長が２６５ｎｍ以上２８０ｎｍ以下であり、
前記ｐ型ＡｌＧａＮ電子ブロック層のＡｌ組成比は０．４０以上０．６８以下であり、
前記ｐ型コンタクト層の膜厚は１５ｎｍ以上５０ｎｍ以下であり、かつ、該ｐ型コンタクト層は、Ａｌ組成比が０．０８以上０．２５以下であるｐ型ＡｌＧａＮコンタクト層を有することを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子。」

［本件訂正発明２］
「前記ｐ型コンタクト層は、前記ｐ型ＡｌＧａＮコンタクト層のみからなる、請求項１に記載のIII族窒化物半導体発光素子。」

［本件訂正発明３］
「前記ｐ型コンタクト層は、前記ｐ型ＡｌＧａＮコンタクト層と前記ｐ側反射電極との間にｐ型ＧａＮコンタクト層を有する、請求項１に記載のIII族窒化物半導体発光素子。」

［本件訂正発明４］
「前記ｐ型ＡｌＧａＮコンタクト層の膜厚が１５ｎｍ以上２５ｎｍ以下である、請求項１〜３のいずれか１項に記載のIII族窒化物半導体発光素子。」

［本件訂正発明５］
「基板上に、ｎ型半導体層を形成する工程と、
前記ｎ型半導体層上に発光層を形成する工程と、
前記発光層上にｐ型ＡｌＧａＮ電子ブロック層（Ｓｉがドープされたものを除く）を形成する工程と、
前記ｐ型ＡｌＧａＮ電子ブロック層の直上に接してｐ型コンタクト層（Ｓｉがドープされたものを除く）を形成する工程と、
前記ｐ型コンタクト層上にｐ側反射電極を形成する工程と、を含むIII族窒化物半導体発光素子の製造方法であって、
前記発光層からの発光中心波長は２６５ｎｍ以上２８０ｎｍ以下であり、
前記ｐ型ＡｌＧａＮ電子ブロック層のＡｌ組成比は０．４０以上０．６８以下であり、
前記ｐ型コンタクト層の膜厚が１５ｎｍ以上５０ｎｍ以下であり、
前記ｐ型コンタクト層はＡｌ組成比が０．０８以上０．２５以下であるｐ型ＡｌＧａＮコンタクト層を有すること特徴とするIII族窒化物半導体発光素子の製造方法。」

第４ 取消理由の概要
令和３年９月３０日付け取消理由通知書（以下「取消理由通知書」という。）により特許権者に通知した取消しの理由の要旨は、以下のとおりである。
１ 本件訂正前の請求項１〜５に係る特許は、特許法第36条第6項第1号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。（サポート要件違反）
２ 本件訂正前の請求項１〜５に係る特許は、優先日前に日本国内又は外国において頒布された刊行物である又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった、甲第１号証又は甲第３号証に記載された発明であり、本件訂正前の請求項１、３〜５に係る特許は、甲第２号証に記載された発明であり、本件訂正前の請求項１〜２、４〜５に係る特許は、甲第４号証に記載された発明であって、特許法第29条第1項第3号に該当するから、特許法第29条第1項の規定に違反してされたものである。（新規性欠如）
３ 本件訂正前の請求項１〜５に係る特許は、優先日前に日本国内又は外国において頒布された刊行物である又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった、甲第１号証〜甲第４号証に記載されたそれぞれの発明に基づいて、発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第29条第2項の規定に違反してされたものである。（進歩性欠如）

甲第１号証：特開２０１７−５０４３９号公報
甲第２号証：特開２０１８−９３１６０号公報
甲第３号証：特開２０１６−１４９５４４号公報
甲第４号証：特開２０１８−４９９４９号公報

第５ 当審の判断
１ 取消理由通知書で通知した取消理由について
（１）特許法第36条第6項第1号（サポート要件違反）
ア（ア）取消理由通知書は、訂正前の請求項１には、（ｉ）「発光層からの発光の発光中心波長」を「２５０ｎｍ以上２８０ｎｍ以下」、（ｉｉ）「ｐ型ＡｌＧａＮ電子ブロック層のＡｌ組成比」を「０．４０以上０．８０以下」、（ｉｉｉ）「ｐ型コンタクト層の膜厚」を「１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下」及び（ｉＶ）「ｐ型コンタクト層のＡｌ組成比」を「０．０３以上０．２５以下」とすることが記載されているところ、（ｉ）については「２５０ｎｍ以上２６５ｎｍ未満」の範囲、（ｉｉ）については「０．６８より大きく０．８以下」の範囲、（ｉｉｉ）については「１０ｎｍ以上２０ｎｍ未満」の範囲、（ｉＶ）については「０．０３以上０．０８未満」の範囲においては、当業者が、発明の詳細な説明の記載及び技術常識に基づいて、発明の課題を解決できると認識できるとはいえず、同様の記載を有する訂正前の請求項５及び訂正前の請求項１を引用する請求項２〜４も同様であることを説示したものである。

（イ）これに対し、本件訂正により、（ｉ）「発光層からの発光の発光中心波長」は「２６５ｎｍ以上２８０ｎｍ以下」であること、（ｉｉ）「ｐ型ＡｌＧａＮ電子ブロック層のＡｌ組成比」は「０．４０以上０．６８以下」であること、（ｉｖ）「ｐ型コンタクト層のＡｌ組成比」は「０．０８以上０．２５以下」であることに訂正されたことから、これらの点について、当該理由は解消した。

（ウ）他方、本件訂正により、上記（ｉｉｉ）の「ｐ型コンタクト層の膜厚」については、「１５ｎｍ以上５０ｎｍ以下」と訂正されたところ、取消理由通知書は、上記のとおり「１０ｎｍ以上２０ｎｍ未満」につき当業者が課題を解決できるとは認識できない旨説示したため、「１５ｎｍ以上２０ｎｍ未満」の範囲においても、当業者が課題を解決できると認識できるかが問題となる。
そこで検討すると、本件訂正後の本件特許の願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面（以下「本件訂正明細書等」という。）の【００６４】【表２】には、実施例及び比較例が記載されているところ、その実施例１と比較例５との対比によれば、ｐ型コンタクト層の膜厚のみを変更したときに、それが５ｎｍでは頓死が発生し、２０ｎｍでは頓死は発生していないことが分かる。そうすると、ｐ型コンタクト層の膜厚が、５ｎｍより厚く２０ｎｍ以下の何らかの値において、頓死をより確実にゼロに抑える膜厚があることが理解される。
とすれば、次に、上記の頓死をより確実にゼロに抑える膜厚として当業者が１５ｎｍの値を認識できるかが問題となる。しかるに、【００３４】には、「また、頓死をより確実にゼロに抑えるにはｐ型コンタクト層７０の厚さを１５ｎｍ以上とすることがさらに好ましい」と記載されており、この「１５ｎｍ」の値が、頓死が発生しない膜厚である「２０ｎｍ」に比較的近い値であること、さらに、頓死の要因として表面平坦性の悪化が認識されている（【００３３】）ところ、膜厚が厚くなると表面平坦性が向上することが技術常識であることに鑑みれば、当業者は、「１５ｎｍ」の厚さの実施例が存在しないとしても、ｐ型コンタクト層の膜厚が１５ｎｍ程度であれば、頓死は発生しないものと認識することができるといえる。
したがって、上記（ｉｉｉ）の「ｐ型コンタクト層の膜厚」についても、本件訂正により、当該理由は解消したといえる。

イ 取消理由通知書は、訂正前の請求項１は、「ｐ型ＡｌＧａＮ電子ブロック層」と「ｐ型コンタクト層」との間に、任意の層が配置される構成を含むものであり、当業者が、発明の課題を解決できるとは認識できない旨説示したものであるが、本件訂正により、「前記ｐ型コンタクト層は、前記ｐ型ＡｌＧａＮ電子ブロック層の直上に接し、」と訂正された。そして、訂正後の請求項１は、「ｐ型ＡｌＧａＮ電子ブロック層」と「ｐ型コンタクト層」とが「接し」ているから、「ｐ型ＡｌＧａＮ電子ブロック層」のＡｌ組成比と「ｐ型コンタクト層」のＡｌ組成比との関係に、技術的意味（格子定数差による圧縮歪の程度）が生じることとなり、発明の課題を解決できると認識できるものとなるので、当該理由は解消した。

（２）特許法第29条第1項第3号（新規性欠如）及び第２項（進歩性欠如）
ア 甲第１号証〜甲第４号証の記載事項
（ア）甲第1号証の記載及び甲第1号証に記載された発明
取消理由で引用された引用文献１（特開２０１７−５０４３９号公報（甲第１号証））には、次の事項が記載されている。なお、下線は当合議体が付した。
ａ 「【請求項１】
III族窒化物半導体からなる紫外発光素子において、
基板と、
前記基板上に位置し、Ａｌを含むIII族窒化物半導体からなるバッファ層と、
前記バッファ層上に位置し、アンドープのIII族窒化物半導体からなるアンドープ層と、
前記アンドープ層上に位置し、Ａｌを含むｎ型III族窒化物半導体からなるｎ層と、
前記ｎ層上に位置し、III族窒化物半導体からなる発光層と、
前記発光層上に位置し、Ａｌを含むｐ型III族窒化物半導体からなる電子ブロック層と、
前記電子ブロック層上に位置し、Ａｌを含むｐ型III族窒化物半導体からなるｐコンタクト層と、
を有し、
バンドギャップエネルギーが小さい順に、前記アンドープ層、前記ｎ層、前記ｐコンタクト層、前記電子ブロック層である、
ことを特徴とする紫外発光素子。
【請求項２】
前記アンドープ層はＧａＮまたはＡｌＧａＮからなり、
前記ｎ層、前記電子ブロック層、および前記ｐコンタクト層は、ＡｌＧａＮからなり、
前記アンドープ層、前記ｎ層、前記電子ブロック層、および前記ｐコンタクト層１６のＡｌ組成比は、Ａｌ組成比が小さい順に、前記アンドープ層、前記ｎ層、前記ｐコンタクト層、前記電子ブロック層である、
ことを特徴とする請求項１に記載の紫外発光素子。」
「【請求項５】
発光波長が３５０ｎｍより短く、
前記アンドープ層のＡｌ組成比が６％以上、前記ｎ層のＡｌ組成比が１０％以上、前記電子ブロック層のＡｌ組成比が５０％以上、前記ｐコンタクト層のＡｌ組成比が１５％以上であることを特徴とする請求項２に記載の紫外発光素子。」

「【００２０】
図１は、実施例１の紫外発光素子の構成を示した図である。図１のように、実施例１の紫外発光素子は、基板１０を有し、基板１０上にバッファ層１１を介してアンドープ層１２、ｎ層１３、発光層１４、電子ブロック層１５、ｐコンタクト層１６が順に積層された構造を有している。また、ｐコンタクト層１６表面からｎ層１３に達する溝が形成され、溝底面に露出するｎ層１３上にｎ電極１８が位置している。また、ｐコンタクト層１６上にはｐ電極１７が位置している。また、実施例１の紫外発光素子は、発光層１４から基板１０側とは反対側へと放射される光をｐ電極１７によって基板１０側に反射させ、基板１０側から光を取り出すフリップチップ型の素子である。」

「図１

」

ｂ 甲第１号証に記載された発明
上記ａより、甲第１号証には、紫外発光素子及びその製造方法に係る次の発明（以下、それぞれ、「甲１発明Ａ」及び「甲１発明Ｂ」という。）が記載されていると認められる。なお、参考までに、甲１発明の認定に用いた甲第１号証の記載等に係る箇所等を括弧内に付してある（以下同じ。）。

＜甲１発明Ａ＞
「III族窒化物半導体からなる紫外発光素子において、
基板と、
前記基板上に位置し、Ａｌを含むIII族窒化物半導体からなるバッファ層と、
前記バッファ層上に位置し、アンドープのIII族窒化物半導体からなるアンドープ層と、
前記アンドープ層上に位置し、Ａｌを含むｎ型III族窒化物半導体からなるｎ層と、
前記ｎ層上に位置し、III族窒化物半導体からなる発光層と、
前記発光層上に位置し、Ａｌを含むｐ型III族窒化物半導体からなる電子ブロック層と、
前記電子ブロック層上に位置し、Ａｌを含むｐ型III族窒化物半導体からなるｐコンタクト層と、を有し、
バンドギャップエネルギーが小さい順に、前記アンドープ層、前記ｎ層、前記ｐコンタクト層、前記電子ブロック層であり、（請求項１）
前記アンドープ層はＧａＮまたはＡｌＧａＮからなり、
前記ｎ層、前記電子ブロック層、および前記ｐコンタクト層は、ＡｌＧａＮからなり、
前記アンドープ層、前記ｎ層、前記電子ブロック層、および前記ｐコンタクト層１６のＡｌ組成比は、Ａｌ組成比が小さい順に、前記アンドープ層、前記ｎ層、前記ｐコンタクト層、前記電子ブロック層であり、（請求項２）
発光波長が３５０ｎｍより短く、
前記アンドープ層のＡｌ組成比が６％以上、前記ｎ層のＡｌ組成比が１０％以上、前記電子ブロック層のＡｌ組成比が５０％以上、前記ｐコンタクト層のＡｌ組成比が１５％以上であり、（請求項５）
ｐコンタクト層上にはｐ電極が位置し、
発光層から基板側とは反対側へと放射される光をｐ電極によって基板側に反射させ、基板側から光を取り出す、（【００２０】）
紫外発光素子。」

＜甲１発明Ｂ＞
「III族窒化物半導体からなる紫外発光素子の製造方法であって、
基板と、
前記基板上に位置し、Ａｌを含むIII族窒化物半導体からなるバッファ層と、
前記バッファ層上に位置し、アンドープのIII族窒化物半導体からなるアンドープ層と、
前記アンドープ層上に位置し、Ａｌを含むｎ型III族窒化物半導体からなるｎ層と、
前記ｎ層上に位置し、III族窒化物半導体からなる発光層と、
前記発光層上に位置し、Ａｌを含むｐ型III族窒化物半導体からなる電子ブロック層と、
前記電子ブロック層上に位置し、Ａｌを含むｐ型III族窒化物半導体からなるｐコンタクト層と、を有し、
バンドギャップエネルギーが小さい順に、前記アンドープ層、前記ｎ層、前記ｐコンタクト層、前記電子ブロック層であり、
前記アンドープ層はＧａＮまたはＡｌＧａＮからなり、
前記ｎ層、前記電子ブロック層、および前記ｐコンタクト層は、ＡｌＧａＮからなり、
前記アンドープ層、前記ｎ層、前記電子ブロック層、および前記ｐコンタクト層１６のＡｌ組成比は、Ａｌ組成比が小さい順に、前記アンドープ層、前記ｎ層、前記ｐコンタクト層、前記電子ブロック層であり、
発光波長が３５０ｎｍより短く、
前記アンドープ層のＡｌ組成比が６％以上、前記ｎ層のＡｌ組成比が１０％以上、前記電子ブロック層のＡｌ組成比が５０％以上、前記ｐコンタクト層のＡｌ組成比が１５％以上であり、
ｐコンタクト層上にはｐ電極が位置し、
発光層から基板側とは反対側へと放射される光をｐ電極によって基板側に反射させ、基板側から光を取り出す、
紫外発光素子の製造方法。」

（イ）甲第２号証の記載及び甲第２号証に記載された発明
取消理由で引用された引用文献２（特開２０１７−５０４３９号公報（甲第２号証））には、次の事項が記載されている。
ａ 「【請求項１】
発光層、ｐ型電子ブロック層、ｐ型コンタクト層およびｐ側電極をこの順に備えるIII族窒化物半導体発光素子であって、
前記ｐ型電子ブロック層は、Ａｌ組成比が０．５以上のｐ型III族窒化物半導体からなり、
前記ｐ型コンタクト層は、Ａｌ組成比が０．４未満のｐ型III族窒化物半導体からなり、
前記ｐ型コンタクト層は、前記ｐ型電子ブロック層に接し、かつ、ＭｇおよびＳｉでコドープされた第１ｐ型コンタクト層と、前記ｐ側電極に接し、かつ、Ｍｇドープされた第２ｐ型コンタクト層とを有し、
前記第１ｐ型コンタクト層のＭｇ濃度が１×１０19ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以上であり、かつ、Ｓｉ濃度が２×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以上３×１０19ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以下であることを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子。
【請求項２】
前記第１ｐ型コンタクト層の厚みが１ｎｍ以上３０ｎｍ以下であり、前記第２ｐ型コンタクト層の厚みが３０ｎｍ以上である、請求項１に記載のIII族窒化物半導体発光素子。」

「【請求項５】
前記発光層から放射される光の中心波長が２１０ｎｍ以上３４０ｎｍ以下である、請求項１〜４のいずれか１項に記載のIII族窒化物半導体発光素子。」

「【００４３】
以下に、本実施形態における好適な態様を、図２に示したいわゆる「横型」構造のIII族窒化物半導体発光素子２００を用いて例示的に説明する。図２に示すIII族窒化物半導体発光素子２００は、基板１０と、該基板１０上のバッファ層２０と、該バッファ層２０上のｎ型半導体層３０とを有し、該ｎ型半導体層３０に前述のIII族窒化物半導体発光素子１００が設けられている。図２では、発光層４０と、ｐ型電子ブロック層６０との間は、ガイド層５０が設けられている。また、図２に示すIII族窒化物半導体発光素子２００では、発光層４０、ガイド層５０、ｐ型電子ブロック層６０およびｐ型コンタクト層７０の一部がエッチング等により除去され、露出したｎ型半導体層３０上にｎ側電極９０が設けられている。」

「図１

」
「図２

」

ｂ 上記【００３５】及び【００３９】より、図１及び図２の「ｐ型コンタクト層７０」は、第１ｐ型コンタクト層７１と第２ｐ型コンタクト層７２とを有し、第１ｐ型コンタクト層７１及び第２ｐ型コンタクト層７２の厚みが、「１ｎｍ以上３０ｎｍ以下」及び「３０ｎｍ以上」であることを踏まえると、ｐ型コンタクト層７０の厚みは、第１ｐ型コンタクト層７１及び第２ｐ型コンタクト層７２の厚みを足したものと理解され、その厚みは、「３１ｎｍ以上」と解される。

ｄ 甲第２号証に記載された発明
以上より、甲第２号証には、III族窒化物半導体発光素子及びその製造方法に係る次の発明（以下、それぞれ、「甲２発明Ａ」及び「甲２発明Ｂ」という。）が記載されていると認められる。

＜甲２発明Ａ＞
「発光層、ｐ型電子ブロック層、ｐ型コンタクト層およびｐ側電極をこの順に備えるIII族窒化物半導体発光素子であって、
前記ｐ型電子ブロック層は、Ａｌ組成比が０．５以上のｐ型III族窒化物半導体からなり、
前記ｐ型コンタクト層は、Ａｌ組成比が０．４未満のｐ型III族窒化物半導体からなり、
前記ｐ型コンタクト層は、前記ｐ型電子ブロック層に接し、かつ、ＭｇおよびＳｉでコドープされた第１ｐ型コンタクト層と、前記ｐ側電極に接し、かつ、Ｍｇドープされた第２ｐ型コンタクト層とを有し、
前記第１ｐ型コンタクト層のＭｇ濃度が１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上であり、かつ、Ｓｉ濃度が２×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上３×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であり、（請求項１）
前記第１ｐ型コンタクト層の厚みが１ｎｍ以上３０ｎｍ以下であり、前記第２ｐ型コンタクト層の厚みが３０ｎｍ以上であり、（請求項２）
前記発光層から放射される光の中心波長が２１０ｎｍ以上３４０ｎｍ以下である、III族窒化物半導体発光素子と、（請求項５）
基板１０と、該基板１０上のバッファ層２０と、該バッファ層２０上のｎ型半導体層３０とを有し、該ｎ型半導体層３０に前記III族窒化物半導体発光素子が設けられている、
横型構造のIII族窒化物半導体発光素子。（【００４３】）」

＜甲２発明Ｂ＞
「発光層、ｐ型電子ブロック層、ｐ型コンタクト層およびｐ側電極をこの順に備えるIII族窒化物半導体発光素子であって、
前記ｐ型電子ブロック層は、Ａｌ組成比が０．５以上のｐ型III族窒化物半導体からなり、
前記ｐ型コンタクト層は、Ａｌ組成比が０．４未満のｐ型III族窒化物半導体からなり、
前記ｐ型コンタクト層は、前記ｐ型電子ブロック層に接し、かつ、ＭｇおよびＳｉでコドープされた第１ｐ型コンタクト層と、前記ｐ側電極に接し、かつ、Ｍｇドープされた第２ｐ型コンタクト層とを有し、
前記第１ｐ型コンタクト層のＭｇ濃度が１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上であり、かつ、Ｓｉ濃度が２×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上３×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であり、
前記第１ｐ型コンタクト層の厚みが１ｎｍ以上３０ｎｍ以下であり、前記第２ｐ型コンタクト層の厚みが３０ｎｍ以上であり、
前記発光層から放射される光の中心波長が２１０ｎｍ以上３４０ｎｍ以下である、III族窒化物半導体発光素子と、
基板１０と、該基板１０上のバッファ層２０と、該バッファ層２０上のｎ型半導体層３０とを有し、該ｎ型半導体層３０に前記III族窒化物半導体発光素子が設けられている、
横型構造のIII族窒化物半導体発光素子の製造方法。」

（ウ）甲第３号証の記載及び甲第３号証に記載された発明
取消理由で引用された引用文献３（特開２０１６−１４９５４４号公報（甲第３号証））には、次の事項が記載されている。
ａ 「【請求項１】
ｎ型半導体層と、少なくともＡｌを含む発光層と、電子ブロック層と、ｐ型半導体層とをこの順に有するＩＩＩ族窒化物半導体発光素子において、
前記発光層は、井戸層と障壁層との積層による量子井戸構造を備え、
前記電子ブロック層は、前記発光層に隣接し、かつ、前記障壁層および前記ｐ型半導体層よりもＡｌ組成の大きな層からなり、
前記電子ブロック層は、Ｓｉ含有不純物ドープ領域層を含むことを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体発光素子。」
「【請求項６】
前記ｐ型半導体層は、ＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０≦ｘ≦０．１）からなるｐ型コンタクト層を有する請求項１〜５のいずれか１項に記載のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子。」
「【請求項１３】
前記発光層から放射される光が、中心波長が３００ｎｍ以下の深紫外光である、請求項１〜１２のいずれか１項に記載のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子。」

「【００３３】
また、図１に示すように、III族窒化物半導体発光素子１００のｎ型半導体層３０を、基板１０の表面にＡｌＮ層２０が設けられたＡｌＮテンプレート基板上に設けることができる。また、III族窒化物半導体発光素子１００には、発光層４０、電子ブロック層５０およびｐ型半導体層６０の一部をエッチング等により除去し、露出したｎ型半導体層３０上に形成したｎ型電極７０と、ｐ型コンタクト層６２上に形成したｐ型電極８０とが設けられてもよい。本発明の一実施形態に従うIII族窒化物半導体発光素子１００において、ｎ型半導体層３０、発光層４０、電子ブロック層５０およびｐ型半導体層６０が特徴となる構成であり、そのうち、電子ブロック層５０が特に特徴となる構成である。上記のサファイア基板１０、ＡｌＮ層２０、ｎ型電極７０およびｐ型電極８０は一般的な構成とすることができ、具体的な構成は何ら限定されるものではない。なお、III族窒化物半導体発光素子１００における各半導体層は、例えばＡｌＧａＮ材料からなり、また、III族元素としてのＡｌとＧａに対して５％以内の量のＩｎを含んでいてもよい。後述のIII族窒化物半導体発光素子２００についても同様である。以下、本発明の特徴となる構成である、ｎ型半導体層３０、発光層４０、電子ブロック層５０およびｐ型半導体層６０についてまず説明する。」

「図１

」

ｂ 甲第３号証に記載された発明
上記より、甲第３号証には、ＩＩＩ族窒化物半導体発光素子及びその製造方法に係る次の発明（以下、ぞれぞれ、「甲３発明Ａ」及び「甲３発明Ｂ」という。）が記載されていると認められる。

＜甲３発明Ａ＞
「ｎ型半導体層と、少なくともＡｌを含む発光層と、電子ブロック層と、ｐ型半導体層とをこの順に有するＩＩＩ族窒化物半導体発光素子において、
前記発光層は、井戸層と障壁層との積層による量子井戸構造を備え、
前記電子ブロック層は、前記発光層に隣接し、かつ、前記障壁層および前記ｐ型半導体層よりもＡｌ組成の大きな層からなり、
前記電子ブロック層は、Ｓｉ含有不純物ドープ領域層を含み、（請求項１）
前記ｐ型半導体層は、ＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０≦ｘ≦０．１）からなるｐ型コンタクト層を有し、（請求項６）
前記発光層から放射される光が、中心波長が３００ｎｍ以下の深紫外光であり、（請求項１３）
ｎ型半導体層３０を、基板１０の表面にＡｌＮ層２０が設けられたＡｌＮテンプレート基板上に設け、
ｐ型コンタクト層６２上に形成したｐ型電極８０が設けられる、（【００３３】）
ＩＩＩ族窒化物半導体発光素子。」

＜甲３発明Ｂ＞
「ｎ型半導体層と、少なくともＡｌを含む発光層と、電子ブロック層と、ｐ型半導体層とをこの順に有するＩＩＩ族窒化物半導体発光素子において、
前記発光層は、井戸層と障壁層との積層による量子井戸構造を備え、
前記電子ブロック層は、前記発光層に隣接し、かつ、前記障壁層および前記ｐ型半導体層よりもＡｌ組成の大きな層からなり、
前記電子ブロック層は、Ｓｉ含有不純物ドープ領域層を含み、（請求項１）
前記ｐ型半導体層は、ＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０≦ｘ≦０．１）からなるｐ型コンタクト層を有し、（請求項６）
前記発光層から放射される光が、中心波長が３００ｎｍ以下の深紫外光であり、（請求項１３）
ｎ型半導体層３０を、基板１０の表面にＡｌＮ層２０が設けられたＡｌＮテンプレート基板上に設け、
ｐ型コンタクト層６２上に形成したｐ型電極８０が設けられる、（【００３３】）
ＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法。」

（エ）甲第４号証の記載及び甲第４号証に記載された発明
取消理由で引用された引用文献４（特開２０１８−４９９４９号公報（甲第４号証））には、次の事項が記載されている。
ａ 「【請求項１】
導電性支持基板と、空孔率が１０％以上５０％以下であり導電性を有するマクロポーラス構造の多孔質金属膜と、発光層を含む窒化アルミニウム系半導体層構造体と、を含み、
前記導電性支持基板と、前記窒化アルミニウム系半導体層構造体とが、前記多孔質金属膜を介在して、電気的に接続するように接合されている、
発光ピーク波長が２２０ｎｍ以上３００ｎｍ以下の窒化アルミニウム系半導体深紫外発光素子。
【請求項２】
前記窒化アルミニウム系半導体層構造体は、第１導電型コンタクト層と、前記発光層と、第２導電型コンタクト層と、をこの順に含み、
前記第２導電型コンタクト層は、前記多孔質金属膜を介在して、前記導電性支持基板と電気的に接続するように接合され、
前記第１導電型コンタクト層の少なくとも一部に電気的に接続するように接合されている第１導電側電極をさらに含む請求項１に記載の窒化アルミニウム系半導体深紫外発光素子。
【請求項３】
前記第１導電型コンタクト層は第１導電型ＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０≦ｘ＜１）コンタクト層であり、前記第２導電型コンタクト層は第２導電型ＡｌｙＧａ１−ｙＮ（０．２５≦ｙ＜１）コンタクト層である請求項１または請求項２に記載の窒化アルミニウム系半導体深紫外発光素子。」
「【００３０】
（窒化アルミニウム系半導体層構造体）
窒化アルミニウム系半導体層構造体４０３は、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を含有する半導体層（たとえば、ＡｌxＧａ1-xＮ（０≦ｘ＜１）半導体層）を少なくとも１層含む構造体をいい、少なくとも第１導電型コンタクト層１０３と、発光層１０４と、第２導電型コンタクト層１０７と、をこの順に含み、発光素子としての機能を発現する。ここで、第１導電型コンタクト層１０３は、発光層１０４から発する光を透過し、発光効率を低下させない観点から、第１導電型ＡｌxＧａ1-xＮ（０≦ｘ＜１かつｘ≧（発光層１０４の平均Ａｌ組成））コンタクト層であることが好ましい。発光層１０４は、発光波長の温度に対する安定性および内部量子効率を高める観点から、複数周期のＡｌsＧａ1-sＮ（０≦ｓ＜１）バリア層とＡｌtＧａ1-tＮ（０≦ｔ＜１）井戸層とで構成される多重量子井戸構造を有することが好ましい。第２導電型コンタクト層１０７は、発光層１０４から発する光の大部分を透過し、発光効率を低下させず、かつコンタクト抵抗を低減する観点から、第２導電型ＡｌyＧａ1-yＮ（０．２５≦ｙ＜１）コンタクト層であることが好ましい。」
「【００３７】
具体的には、図３に示すように、ＭＯＣＶＤ装置内において、下地基板１０１としてのサファイア基板の一主面上に、バッファ層１０２として厚さ５〜５００ｎｍ（たとえば３００ｎｍ）のＡｌＮバッファ層、第１導電型コンタクト層１０３として厚さ１〜５μｍ（たとえば３μｍ）のｎ型Ａｌ0.65Ｇａ0.35Ｎコンタクト層、第１導電型層１０８としてｎ型Ａｌ0.60Ｇａ0.40Ｎ層、Ａｌ0.80Ｇａ0.20Ｎバリア層／Ａｌ0.55Ｇａ0.45Ｎ井戸層の６周期の多重量子井戸構造からなる発光層１０４、第２導電型ブロック層１０５として厚さ５〜３００ｎｍ（たとえば１５ｎｍ）のｐ型Ａｌ0.85Ｇａ0.15Ｎブロック層、第２導電型層１０６として厚さ５０〜１０００ｎｍ（たとえば１５０ｎｍ）のｐ型Ａｌ0.60Ｇａ0.40Ｎ層、および第２導電型コンタクト層１０７として厚さ２０〜５００ｎｍ（たとえば５０ｎｍ）のｐ型Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ｎコンタクト層が、この順にエピタキシャル成長されることにより積層されて、下地基板１０１の一主面側に窒化アルミニウム系半導体層構造体４０３が形成された窒化アルミニウム系半導体ウェハ４０１が得られる。
【００３８】
ここで、第１導電型層１０８ならびに第２導電型層１０６は、それぞれ、発光素子の種類に応じて、ｎ型クラッド層および／またはｎ型ガイド層ならびにｐ型クラッド層および／またはｐ型ガイド層などと呼ばれ、それらの層のＡｌ組成およびＧａ組成とそれらの層の厚さとを適宜調整することができる。クラッド層およびガイド層の両方が必要な場合は、第１導電型層１０８および第２導電型層１０６のそれぞれは、Ａｌ組成の異なるｎ型およびｐ型の窒化アルミニウム系半導体層からなる２層以上の多層構造でもよい。」
「【０１５４】
１０１ 下地基板
１０２ バッファ層
１０３ 第１導電型コンタクト層
１０４ 発光層
１０５ 第２導電型ブロック層
１０６ 第２導電型層
１０７ 第２導電型コンタクト層
１０８ 第１導電型層
２０１ 第２導電側コンタクト電極
２０２ 反射電極
２０４ 多孔質金属膜
２０５ 導電性支持基板
２０６ 絶縁層
３０１ 第１導電側コンタクト電極
３０２ 第１導電側パッド電極
３０４ 第１導電側透光性導電膜
４０１ 窒化アルミニウム系半導体ウェハ
４０２ 残留層
４０３ 窒化アルミニウム系半導体層構造体」

「図３

」
ｂ 【０１５４】を参酌しつつ、図３より、窒化アルミニウム系半導体層構造体４０３は、下地基板１０１上にバッファ層を介して形成された、第１導電型コンタクト層、第１導電型層、発光層、第２導電型ブロック層、第２導電型層及び第２導電型コンタクト層よりなるものと、みてとれる。

ｃ 甲第４号証に記載された発明
以上より、甲第４号証には、窒化アルミニウム系半導体深紫外発光素子及びその製造方法に係る次の発明（以下、それぞれ、「甲４発明Ａ」及び「甲４発明Ｂ」という。）が記載されていると認められる。

＜甲４発明Ａ＞
「導電性支持基板と、空孔率が１０％以上５０％以下であり導電性を有するマクロポーラス構造の多孔質金属膜と、発光層を含む窒化アルミニウム系半導体層構造体と、を含み、
前記導電性支持基板と、前記窒化アルミニウム系半導体層構造体とが、前記多孔質金属膜を介在して、電気的に接続するように接合されている、
発光ピーク波長が２２０ｎｍ以上３００ｎｍ以下の窒化アルミニウム系半導体深紫外発光素子であって、（請求項１）
前記窒化アルミニウム系半導体層構造体は、第１導電型コンタクト層と、前記発光層と、第２導電型コンタクト層と、をこの順に含み、
前記第２導電型コンタクト層は、前記多孔質金属膜を介在して、前記導電性支持基板と電気的に接続するように接合され、
前記第１導電型コンタクト層の少なくとも一部に電気的に接続するように接合されている第１導電側電極をさらに含み、（請求項２）
前記第１導電型コンタクト層は第１導電型ＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０≦ｘ＜１）コンタクト層であり、前記第２導電型コンタクト層は第２導電型ＡｌｙＧａ１−ｙＮ（０．２５≦ｙ＜１）コンタクト層であり、（請求項３）
窒化アルミニウム系半導体層構造体４０３は、下地基板１０１上にバッファ層を介して形成された、第１導電型コンタクト層、第１導電型層、発光層、第２導電型ブロック層、第２導電型層及び第２導電型コンタクト層よりなる、（上記ｂ）
窒化アルミニウム系半導体深紫外発光素子。」

＜甲４発明Ｂ＞
「導電性支持基板と、空孔率が１０％以上５０％以下であり導電性を有するマクロポーラス構造の多孔質金属膜と、発光層を含む窒化アルミニウム系半導体層構造体と、を含み、
前記導電性支持基板と、前記窒化アルミニウム系半導体層構造体とが、前記多孔質金属膜を介在して、電気的に接続するように接合されている、
発光ピーク波長が２２０ｎｍ以上３００ｎｍ以下の窒化アルミニウム系半導体深紫外発光素子の製造方法であって、
前記窒化アルミニウム系半導体層構造体は、第１導電型コンタクト層と、前記発光層と、第２導電型コンタクト層と、をこの順に含み、
前記第２導電型コンタクト層は、前記多孔質金属膜を介在して、前記導電性支持基板と電気的に接続するように接合され、
前記第１導電型コンタクト層の少なくとも一部に電気的に接続するように接合されている第１導電側電極をさらに含み、
前記第１導電型コンタクト層は第１導電型ＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０≦ｘ＜１）コンタクト層であり、前記第２導電型コンタクト層は第２導電型ＡｌｙＧａ１−ｙＮ（０．２５≦ｙ＜１）コンタクト層であり、
窒化アルミニウム系半導体層構造体は、下地基板上にバッファ層を介して形成された、第１導電型コンタクト層、第１導電型層、発光層、第２導電型ブロック層、第２導電型層及び第２導電型コンタクト層よりなる、
窒化アルミニウム系半導体深紫外発光素子の製造方法。」

イ 対比・判断
（ア）甲第１号証に記載された発明に基づく新規性・進歩性について
ａ 本件訂正発明１と甲１発明Ａとを対比すると、以下のとおりである。
（ａ）本件訂正発明１の「基板上に、ｎ型半導体層、発光層、ｐ型ＡｌＧａＮ電子ブロック層（Ｓｉがドープされたものを除く）、ｐ型コンタクト層（Ｓｉがドープされたものを除く）及びｐ側反射電極を順次備えるIII族窒化物半導体発光素子であって、」との特定事項について
甲１発明Ａの「紫外発光素子」は、「III族窒化物半導体からなる」ものであり、「基板と、前記基板上に位置し、Ａｌを含むIII族窒化物半導体からなるバッファ層と、前記バッファ層上に位置し、アンドープのIII族窒化物半導体からなるアンドープ層と、前記アンドープ層上に位置し、Ａｌを含むｎ型III族窒化物半導体からなるｎ層と、前記ｎ層上に位置し、III族窒化物半導体からなる発光層と、前記発光層上に位置し、Ａｌを含むｐ型III族窒化物半導体からなる電子ブロック層と、前記電子ブロック層上に位置し、Ａｌを含むｐ型III族窒化物半導体からなるｐコンタクト層」を有し、「ｐコンタクト層上にはｐ電極が位置し」、「発光層から基板側とは反対側へと放射される光をｐ電極によって基板側に反射させ、基板側から光を取り出す」ものである。そして、当該「ｐ型III族窒化物半導体からなる電子ブロック層」及び「ｐコンタクト層」は、ｐ型であることから、ｐ型ドーパントがドープされ、ｎ型ドーパント（Ｓｉ）はドープされていないことが技術常識である。
そうすると、甲１発明Ａの「基板」、「ｎ層」、「発光層」、「電子ブロック層」、「ｐコンタクト層」、「ｐ電極」及び「紫外発光素子」は、それぞれ、本件訂正発明１の「基板」、「ｎ型半導体層」、「発光層」、「電子ブロック層」、「ｐ型コンタクト層」、「ｐ側反射電極」及び「III族窒化物半導体発光素子」に相当し、甲１発明Ａは、本件訂正発明１の上記特定事項を満たすといえる。

（ｂ）本件訂正発明１の「前記ｐ型コンタクト層は、前記ｐ型ＡｌＧａＮ電子ブロック層の直上に接し、」との特定事項について
甲１発明Ａは、「前記電子ブロック層上に位置し、Ａｌを含むｐ型III族窒化物半導体からなるｐコンタクト層」と特定されており、当該「ｐコンタクト層」は、「電子ブロック層」に接して位置すると解することが自然といえる。
よって、甲１発明Ａは、本件訂正発明１の上記特定事項を満たすといえる。

（ｃ）本件訂正発明１の「前記発光層からの発光の発光中心波長が２６５ｎｍ以上２８０ｎｍ以下であり、」との特定事項について
甲１発明Ａの「発光波長」は、「３５０ｎｍより短く」と特定されている。
よって、甲１発明Ａは、本件訂正発明１の上記特定事項を満たしていない。

（ｄ）本件訂正発明１の「前記ｐ型ＡｌＧａＮ電子ブロック層のＡｌ組成比は０．４０以上０．６８以下であり、」との特定事項について
甲１発明Ａの「電子ブロック層のＡｌ組成比」は、「５０％以上」と特定されている。
よって、甲１発明Ａは、本件訂正発明１の上記特定事項を満たしていない。

（ｅ）本件訂正発明１の「前記ｐ型コンタクト層の膜厚は１５ｎｍ以上５０ｎｍ以下であり、かつ、該ｐ型コンタクト層は、Ａｌ組成比が０．０８以上０．２５以下であるｐ型ＡｌＧａＮコンタクト層を有する」との特定事項について
甲１発明Ａの「ｐコンタクト層のＡｌ組成比」は、「１５％以上」と特定されている。
よって、甲１発明Ａは、本件訂正発明１の上記特定事項を満たしていない。

（ｆ）以上より、本件訂正発明１と甲１発明Ａとの一致点及び相違点は、次のとおりである。

＜一致点＞
「基板上に、ｎ型半導体層、発光層、ｐ型ＡｌＧａＮ電子ブロック層（Ｓｉがドープされたものを除く）、ｐ型コンタクト層（Ｓｉがドープされたものを除く）及びｐ側反射電極を順次備えるIII族窒化物半導体発光素子であって、
前記ｐ型コンタクト層は、前記ｐ型ＡｌＧａＮ電子ブロック層の直上に接するIII族窒化物半導体発光素子。」

＜相違点＞
・相違点１
「発光層」について、本件訂正発明１は、発光中心波長が「２６５ｎｍ以上２８０ｎｍ以下」であるのに対し、甲１発明Ａは、発光波長が「３５０ｎｍより短」い点。
・相違点２
「ｐ型ＡｌＧａＮ電子ブロック層のＡｌ組成比」について、本件訂正発明１は、「０．４０以上０．６８以下」であるのに対し、甲１発明Ａは、「５０％以上」である点。
・相違点３
「ｐ型コンタクト層の膜厚」について、本件訂正発明１は、「１５ｎｍ以上５０ｎｍ以下」であるのに対し、甲１発明Ａは、特定されていない点。
・相違点４
「ｐ型コンタクト層」の「Ａｌ組成比」について、本件訂正発明１は、「０．０８以上０．２５以下」であるのに対し、甲１発明Ａは、「１５％以上」である点。

ｂ 本件訂正発明１についての判断
（ａ）相違点１〜４に係る数値範囲の特定事項が、本件の発明の課題（頓死の抑制）を解決するために必要な構成要素であることに鑑みて、相違点１〜４を合わせて検討する。

（ｂ）相違点１〜２及び４に特定される「発光中心波長」、「電子ブロック層のＡｌ組成比」及び「ｐ型コンタクト層のＡｌ組成比」の数値範囲のそれぞれの一部は、甲１発明Ａに特定される「発光波長」、「電子ブロック層のＡｌ組成比」及び「ｐコンタクト層のＡｌ組成比」の数値範囲に、それぞれ含まれている。また、相違点３に特定される「ｐ型コンタクト層の膜厚」は、通常に設計される程度のものである。なお、半導体発光素子の発光は、通常「単峰性」であることが技術常識であるから、半導体発光素子において、「発光波長」と「発光中心波長」とは同義であると認められる。
しかしながら、本件訂正発明１に係る発明の課題は、本件訂正明細書等の【０００８】に記載のとおり、初期の発光出力から半減するほどに発光出力が突然劣化する現象（以下「頓死」という。）を防止することであり、当該課題を解決する構成として、本件訂正発明１に係る相違点１〜４の数値範囲が特定されるものである。他方、甲第１号証に、上記「頓死」の課題は記載されておらず、当業者にとって自明な課題ということもできない。そして、甲第１号証の記載を見ても、相違点１〜４に係る特定事項を同時に満たすような数値範囲を選択する動機を見いだすことはできない。
そうすると、甲１発明Ａにおいて、相違点１〜４を同時に満たすものを、頓死との課題を認識しない状態において作成することは、当業者が容易になし得たものということはいえず、そして、本件訂正発明１は、このように構成することにより、頓死を防止するという格別の作用効果を奏するものと認められる。

（ｃ）これに対し、特許異議申立人は、実施例１（図１）の発光紫外素子に係る発明を引用発明として、本件訂正発明１が当該引用発明である、又は、当該引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである旨主張するが、これを引用発明としても、本件訂正発明１と当該引用発明との間には、甲１発明Ａと同様に、相違点１〜４が依然として存在するから、上記（ｂ）の説示と同様に判断される。よって、特許異議申立人の主張は、上記判断を左右するものではない。

（ｄ）以上より、本件訂正発明１は、甲第１号証に記載された発明ではなく、甲第１号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものともいえない。

ｃ 本件訂正発明２〜４についての判断
本件訂正発明２〜４は、本件訂正発明１を引用するものであるから、上記ｂと同様に判断される。
したがって、本件訂正発明２〜４は、甲第１号証に記載された発明ではなく、甲第１号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものともいえない。

ｄ 本件訂正発明５と甲１発明Ｂとの対比・判断
本件訂正発明５と甲１発明Ｂとを対比するに、本件訂正発明５は、実質的に本件訂正発明１と同一の構成を有する「III族窒化物半導体発光素子」の製造方法であり、甲１発明Ｂも、実質的に甲１発明Ａと同一の構成を有する「紫外発光素子」の製造方法である。
したがって、本件訂正発明５と甲１発明Ｂとの対比・判断は、上記ａ及びｂと同様に認定及び判断される。
これに対し、特許異議申立人は、実施例１（図１）の発光紫外素子の製造方法に係る発明を引用発明として、本件訂正発明５が当該引用発明である、又は、当該引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである旨主張するが、これを引用発明としても、上記ｂ（ｂ）の説示と同様に判断されるから、特許異議申立人の主張は、上記判断を左右するものではない。
よって、本件訂正発明５は、甲第１号証に記載された発明ではなく、甲第１号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものともいえない。

ｅ 甲第１号証に記載された発明に基づく新規性・進歩性の小括
以上のとおりであるから、本件訂正発明１〜５は、甲第１号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものともいえない。

（イ）甲第２号証に記載された発明に基づく新規性・進歩性について
ａ 本件訂正発明１と甲２発明Ａとを対比すると、以下のとおりである。
（ａ）本件訂正発明１の「基板上に、ｎ型半導体層、発光層、ｐ型ＡｌＧａＮ電子ブロック層（Ｓｉがドープされたものを除く）、ｐ型コンタクト層（Ｓｉがドープされたものを除く）及びｐ側反射電極を順次備えるIII族窒化物半導体発光素子であって、」との特定事項について
甲２発明Ａの「横型構造のIII族窒化物半導体発光素子」は、「基板１０と、該基板１０上のバッファ層２０と、該バッファ層２０上のｎ型半導体層３０とを有し、該ｎ型半導体層３０に前記III族窒化物半導体発光素子が設けられて」おり、当該「III族窒化物半導体発光素子」は、「発光層、ｐ型電子ブロック層、ｐ型コンタクト層およびｐ側電極をこの順に備え」、当該「ｐ型電子ブロック層」は、「Ａｌ組成比が０．５以上のｐ型III族窒化物半導体」であり、当該「ｐ型電子ブロック層」は、ｐ型であることから、ｐ型ドーパントがドープされ、ｎ型ドーパント（Ｓｉ）はドープされていないことが技術常識である。
そうすると、甲２発明Ａの「基板１０」、「ｎ型半導体層３０」、「発光層」、「ｐ型電子ブロック層」及び「横型構造のIII族窒化物半導体発光素子」は、それぞれ、本件訂正発明１の「基板」、「ｎ型半導体層」、「発光層」、「ｐ型ＡｌＧａＮ電子ブロック層（Ｓｉがドープされたものを除く）」及び「III族窒化物半導体発光素子」に相当し、甲２発明Ａの「ｐ型コンタクト層」及び「ｐ側電極」は、それぞれ、本件訂正発明１の「ｐ型コンタクト層（Ｓｉがドープされたものを除く）」及び「ｐ側反射電極」とは、「ｐ型コンタクト層」及び「ｐ側電極」である点で一致する。
そうすると、甲２発明Ａは、本件訂正発明１の上記特定事項と、「基板上に、ｎ型半導体層、発光層、ｐ型ＡｌＧａＮ電子ブロック層（Ｓｉがドープされたものを除く）、ｐ型コンタクト層」「及びｐ側」「電極を順次備えるIII族窒化物半導体発光素子であって、」との点で一致するといえる。

（ｂ）本件訂正発明１の「前記ｐ型コンタクト層は、前記ｐ型ＡｌＧａＮ電子ブロック層の直上に接し、」との特定事項について
甲２発明Ａは、「前記ｐ型コンタクト層は、前記ｐ型電子ブロック層に接し」と特定されている。
そうすると、甲２発明Ａは、本件訂正発明１の上記特定事項を満たすといえる。

（ｃ）本件訂正発明１の「前記発光層からの発光の発光中心波長が２６５ｎｍ以上２８０ｎｍ以下であり、」との特定事項について
甲２発明Ａの「発光層から放射される光の中心波長」は、「２１０ｎｍ以上３４０ｎｍ以下」である。
よって、甲２発明Ａは、本件訂正発明１の上記特定事項を満たしていない。

（ｄ）本件訂正発明１の「前記ｐ型ＡｌＧａＮ電子ブロック層のＡｌ組成比は０．４０以上０．６８以下であり、」との特定事項について
甲２発明Ａの「ｐ型電子ブロック層」の「Ａｌ組成比」は、「０．５以上」である。
よって、甲２発明Ａは、本件訂正発明１の上記特定事項を満たしていない。

（ｅ）本件訂正発明１の「前記ｐ型コンタクト層の膜厚は１５ｎｍ以上５０ｎｍ以下であり、かつ、該ｐ型コンタクト層は、Ａｌ組成比が０．０８以上０．２５以下であるｐ型ＡｌＧａＮコンタクト層を有する」との特定事項について
甲２発明Ａの「ｐ型コンタクト層」は、「第１ｐ型コンタクト層」と「第２ｐ型コンタクト層」とを有し、「第１ｐ型コンタクト層の厚みが１ｎｍ以上３０ｎｍ以下」であり、「第２ｐ型コンタクト層の厚みが３０ｎｍ以上」であり、その「Ａｌ組成比」は、「０．４未満」である。
よって、甲２発明Ａは、本件訂正発明１の上記特定事項を満たしていない。

（ｆ）以上より、本件訂正発明１と甲２発明Ａとの一致点及び相違点は、次のとおりである。

＜一致点＞
「基板上に、ｎ型半導体層、発光層、ｐ型ＡｌＧａＮ電子ブロック層（Ｓｉがドープされたものを除く）、ｐ型コンタクト層及びｐ側電極を順次備えるIII族窒化物半導体発光素子であって、
前記ｐ型コンタクト層は、前記ｐ型ＡｌＧａＮ電子ブロック層の直上に接するIII族窒化物半導体発光素子。」

＜相違点＞
・相違点１
「発光層からの発光の発光中心波長」について、本件訂正発明１は、「２５０ｎｍ以上２８０ｎｍ以下」であるのに対し、甲２発明Ａは、「２１０ｎｍ以上３４０ｎｍ以下」である点。
・相違点２
「ｐ型ＡｌＧａＮ電子ブロック層のＡｌ組成比」について、本件訂正発明１は、「０．４０以上０．８０以下」であるのに対し、甲２発明Ａは、「０．５以上」である点。
・相違点３
「ｐ型コンタクト層の膜厚」について、本件訂正発明１は、「１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下」であるのに対し、甲２発明Ａは、「３１ｎｍ以上」（１ｎｍ＋３０ｎｍ）である点。
・相違点４
「ｐ型コンタクト層」の「Ａｌ組成比」について、本件訂正発明１は、「０．０３以上０．２５以下」であるのに対し、甲２発明Ａは、「０．４未満」である点。
・相違点５
「ｐ側電極」について、本件訂正発明１は、「ｐ側反射電極」であるのに対し、甲２発明Ａの「ｐ側電極」が、光を反射するか否か不明である点。
・相違点６
「ｐ型コンタクト層」について、本件訂正発明１は、「（Ｓｉがドープされたものを除く）」と特定されているのに対し、甲２発明Ａは、「ＭｇおよびＳｉでコドープされた第１ｐ型コンタクト層」を含むものである点。

ｂ 本件訂正発明１についての判断
事案に鑑みて、相違点６について検討する。
甲第２号証に記載された発明の課題は、ｐ型コンタクト層のドーパント（Ｍｇ）が発光層へ拡散し高い発光出力を維持することが難しいこと（【０００６】〜【０００８】）であり、当該課題の解決手段は、ｐ型コンタクト層にＳｉをドープしてＭｇの発光層への拡散を抑制すること（【０００８】・【００３８】）と認められる。
そうすると、甲２発明Ａの「ｐ型コンタクト層」における「ＭｇおよびＳｉでコドープされた第１ｐ型コンタクト層」から、Ｓｉを除くことには阻害要因があることとなる。そして、甲第２号証に、上記課題を解決する手段として、他の構成は記載されておらず、その示唆もない。
したがって、相違点１〜５について検討するまでもなく、本件訂正発明１は、甲第２号証に記載された発明ではなく、甲第２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものともいえない。
これに対し、特許異議申立人は、第１実施形態（図１）の好適態様（図２）である横型構造のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を引用発明として、本件訂正発明１が当該引用発明である、又は、当該引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである旨主張するが、本件訂正前の「ｐ型コンタクト層」が、本件訂正により「ｐ型コンタクト層（Ｓｉがドープされたものを除く）」と限定されたので、いずれの引用発明であっても、上記と同様の判断となるから、特許異議申立人の主張は、上記判断を左右するものではない。

ｃ 本件訂正発明２〜４についての判断
本件訂正発明２〜４は、本件訂正発明１を引用するものであるから、上記ｂと同様に判断される。
したがって、本件訂正発明２〜４は、甲第２号証に記載された発明ではなく、甲第１号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものともいえない。

ｄ 本件訂正発明５と甲２発明Ｂとの対比・判断
本件訂正発明５と甲２発明Ｂとを対比するに、本件訂正発明５は、実質的に本件訂正発明２と同一の構成を有する「III族窒化物半導体発光素子」の製造方法であり、甲２発明Ｂも、実質的に甲２発明Ａと同一の構成を有する「紫外発光素子」の製造方法である。
したがって、本件訂正発明５と甲２発明Ｂとの対比・判断は、上記ａ及びｂと同様に認定及び判断される。
よって、本件訂正発明５は、甲第２号証に記載された発明ではなく、甲第２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものともいえない。
これに対し、特許異議申立人は、第１実施形態（図１）の好適態様（図２）である横型構造のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法を引用発明として、本件訂正発明５が当該引用発明である、又は、当該引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである旨主張するが、上記ｂの説示と同様である。

ｅ 甲第２号証に記載された発明に基づく新規性・進歩性の小括
以上より、本件訂正発明１〜５は、甲第２号証に記載された発明ではなく、甲第２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものともいえない。

（ウ）甲第３号証に記載された発明に基づく新規性・進歩性について
ａ 本件訂正発明１と甲３発明Ａとを対比すると、以下のとおりである。
（ａ）本件訂正発明１の「基板上に、ｎ型半導体層、発光層、ｐ型ＡｌＧａＮ電子ブロック層（Ｓｉがドープされたものを除く）、ｐ型コンタクト層（Ｓｉがドープされたものを除く）及びｐ側反射電極を順次備えるIII族窒化物半導体発光素子であって、」との特定事項について
甲３発明Ａの「ＩＩＩ族窒化物半導体発光素子」は、「ｎ型半導体層と、少なくともＡｌを含む発光層と、電子ブロック層と、ｐ型半導体層とをこの順に有し」、「前記ｐ型半導体層は、ＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０≦ｘ≦ＩＩＩ族窒化物半導体発光素子０．１）からなるｐ型コンタクト層を有し」、当該「ｎ型半導体層」は、「ＡｌＮテンプレート基板」上に設けられ、当該「電子ブロック層」は、「ｐ型半導体層よりもＡｌ組成の大きな層」であり、当該「ｐ型コンタクト層」は、ｐ型であることから、ｐ型ドーパントがドープされ、ｎ型ドーパント（Ｓｉ）はドープされていないことが技術常識であり、当該「ｐ型コンタクト層」上には、「ｐ型電極」が設けられている。
そうすると、甲３発明Ａの「ＡｌＮテンプレート基板」、「ｎ型半導体層」、「発光層」、「ｐ型コンタクト層」及び「ＩＩＩ族窒化物半導体発光素子」は、それぞれ、本件訂正発明１の「基板」、「ｎ型半導体層」、「発光層」、「ｐ型コンタクト層（Ｓｉがドープされたものを除く）」及び「III族窒化物半導体発光素子」に相当し、甲３発明Ａの「電子ブロック層」及び「ｐ型電極」は、それぞれ、本件訂正発明１の「ｐ型ＡｌＧａＮ電子ブロック層（Ｓｉがドープされたものを除く）」及び「ｐ側反射電極」とは、「電子ブロック層」及び「ｐ側電極」である点で一致する。
そうすると、甲３発明Ａは、本件訂正発明１の上記特定事項と、「基板上に、ｎ型半導体層、発光層、」「電子ブロック層」「、ｐ型コンタクト層（Ｓｉがドープされたものを除く）及びｐ側」「電極を順次備えるIII族窒化物半導体発光素子であって、」との点で一致するといえる。

（ｂ）本件訂正発明１の「前記ｐ型コンタクト層は、前記ｐ型ＡｌＧａＮ電子ブロック層の直上に接し、」との特定事項について
甲３発明Ａの「ｐ型コンタクト層」は、「ｐ型半導体層」に含まれるものであるが、「電子ブロック層」の直上に接しているかは不明である。
よって、甲３発明Ａは、本件訂正発明１の上記特定事項を満たしていない。

（ｃ）本件訂正発明１の「前記発光層からの発光の発光中心波長が２６５ｎｍ以上２８０ｎｍ以下であり、」との特定事項について
甲３発明Ａの「発光層から放射される光」の「中心波長」は、「３００ｎｍ以下」であるが、「２６５ｎｍ以上２８０ｎｍ以下」とは特定されていない。
よって、甲３発明Ａは、本件訂正発明１の上記特定事項を満たしていない。

（ｄ）本件訂正発明１の「前記ｐ型ＡｌＧａＮ電子ブロック層のＡｌ組成比は０．４０以上０．６８以下であり、」との特定事項について
甲３発明Ａの「電子ブロック層」は、「ｐ型半導体層よりもＡｌ組成の大きな層」であるから、そのＡｌ組成比は、０より大きいものであるが、「０．４０以上０．６８以下」とは特定されていない。
よって、甲３発明Ａは、本件訂正発明１の上記特定事項を満たしていない。

（ｅ）本件訂正発明１の「前記ｐ型コンタクト層の膜厚は１５ｎｍ以上５０ｎｍ以下であり、かつ、該ｐ型コンタクト層は、Ａｌ組成比が０．０８以上０．２５以下であるｐ型ＡｌＧａＮコンタクト層を有する」との特定事項について
甲３発明Ａの「ｐ型コンタクト層」の膜厚は、特定されていない。
よって、甲３発明Ａは、本件訂正発明１の上記特定事項を満たしていない。

（ｆ）以上より、本件訂正発明１と甲２発明Ａとの一致点及び相違点は、次のとおりである。

＜一致点＞
「基板上に、ｎ型半導体層、発光層、電子ブロック層、ｐ型コンタクト層（Ｓｉがドープされたものを除く）及びｐ側電極を順次備える、III族窒化物半導体発光素子。」

＜相違点＞
・相違点１
本件訂正発明１は、「発光層からの発光の発光中心波長が２６５ｎｍ以上２８０ｎｍ以下」であるのに対し、甲３発明Ａは、「中心波長が３００ｎｍ以下」である点。
・相違点２
「電子ブロック層」について、本件訂正発明１は、「ｐ型ＡｌＧａＮ電子ブロック層（Ｓｉがドープされたものを除く）」ものであり、その「Ａｌ組成比」は、「０．４０以上０．６８以下」であるのに対し、甲３発明Ａは、「Ｓｉ含有不純物ドープ領域層を含み」、その「Ａｌ組成比」は、０より大きいものである点。
・相違点３
「ｐ型コンタクト層」について、本件訂正発明１は、「ｐ型ＡｌＧａＮ電子ブロック層の直上に接し」、「膜厚は１５ｎｍ以上５０ｎｍ以下であり」、「Ａｌ組成比が０．０８以上０．２５以下」であるのに対し、甲３発明Ａは、そのように特定されていない点。
・相違点４
「ｐ側電極」について、本件訂正発明１は、「ｐ側反射電極」であるのに対し、甲３発明Ａの「ｐ型電極」が、光を反射するか否か不明である点。

ｂ 本件訂正発明１についての判断
事案に鑑みて、相違点２について検討する。
甲第３号証に記載された発明の課題は、ｐ型コンタクト層のドーパント（Ｍｇ）が発光層へ拡散し素子寿命が短くなること（【０００６】〜【０００８】）であり、当該課題の解決手段は、電子ブロック層にＳｉ含有不純物ドープ領域層を設けること（【０００８】）と認められる。
そうすると、甲３発明Ａの「電子ブロック層」における「Ｓｉ含有不純物ドープ領域層」を省いて又はＳｉをドープせずに、Ｓｉをドープしないものとすることには、阻害要因があることとなる。そして、甲第３号証に、上記課題を解決する手段として、他の構成は記載されておらず、その示唆もない。
したがって、相違点１、３〜４について検討するまでもなく、本件訂正発明１は、甲第３号証に記載された発明ではなく、甲第３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものともいえない。
これに対し、特許異議申立人は、実施例１（図１）のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子に係る発明を引用発明として、本件訂正発明１が当該引用発明である、又は、当該引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである旨、及び実施例（図１）の一態様（図２（Ｄ））のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子に係る発明を引用発明として、本件訂正発明１が当該引用発明である、又は、当該引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである旨主張するが、本件訂正前の「ｐ型ＡｌＧａＮ電子ブロック層」が、本件訂正により「ｐ型ＡｌＧａＮ電子ブロック層（Ｓｉがドープされたものを除く）」と限定されたので、いずれの引用発明であっても、上記と同様の判断となるから、特許異議申立人の主張は、上記判断を左右するものではない。

ｃ 本件訂正発明２〜４についての判断
本件訂正発明２〜４は、本件訂正発明１を引用するものであるから、上記ｂと同様に判断される。
したがって、本件訂正発明２〜４は、甲第３号証に記載された発明ではなく、甲第３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものともいえない。

ｄ 本件訂正発明５と甲３発明Ｂとの対比・判断
本件訂正発明５と甲３発明Ｂとを対比するに、本件訂正発明５は、実質的に本件訂正発明１と同一の構成を有する「III族窒化物半導体発光素子」の製造方法であり、甲３発明Ｂも、実質的に甲３発明Ａと同一の構成を有する「紫外発光素子」の製造方法である。
したがって、本件訂正発明５と甲３発明Ｂとの対比及び判断は、上記ａ及びｂと同様に認定及び判断される。
よって、本件訂正発明５は、甲第３号証に記載された発明ではなく、甲第３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものともいえない。
これに対し、特許異議申立人は、実施例１（図１）のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法に係る発明を引用発明として、本件訂正発明５が当該引用発明である、又は、当該引用発明１に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである旨、及び実施例１（図１）の一態様（図２（Ｄ））のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法に係る発明を引用発明として、本件訂正発明５が当該引用発明である、又は、当該引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである旨主張するが、上記ｂの説示と同様である。

ｅ 甲第３号証に記載された発明に基づく新規性・進歩性についての小括
以上より、本件訂正発明１〜５は、甲第３号証に記載された発明ではなく、甲第３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものともいえない。

（エ）甲第４号証に記載された発明に基づく新規性・進歩性について
ａ 本件訂正発明１と甲４発明Ａとを対比すると、以下のとおりである。
（ａ）本件訂正発明１の「基板上に、ｎ型半導体層、発光層、ｐ型ＡｌＧａＮ電子ブロック層（Ｓｉがドープされたものを除く）、ｐ型コンタクト層（Ｓｉがドープされたものを除く）及びｐ側反射電極を順次備えるIII族窒化物半導体発光素子であって、」との特定事項について
甲４発明Ａの「窒化アルミニウム系半導体深紫外発光素子」は、「導電性支持基板」、「多孔質金属膜」、「発光層を含む窒化アルミニウム系半導体層構造体」を含むものであり、当該「窒化アルミニウム系半導体層構造体」は、「下地基板上にバッファ層を介して形成された、第１導電型コンタクト層、第１導電型層、発光層、第２導電型ブロック層、第２導電型層及び第２導電型コンタクト層よりなる」ものである。
そうすると、甲４発明Ａの「下地基板」、「発光層」及び「窒化アルミニウム系半導体深紫外発光素子」は、それぞれ、本件訂正発明１の「基板」、「発光層」及び「III族窒化物半導体発光素子」に相当するといえる。
そして、甲４発明Ａの「第１導電型コンタクト層」及び「第１導電型層」は、ｎ型又はｐ型の層であり、対して、「第２導電型ブロック層」、「第２導電型層」及び「第２導電型コンタクト層」は、ｐ型又はｎ型の層となる。
よって、甲４発明Ａは、本件訂正発明１の上記特定事項と、「基板上に、第１導電型半導体層、発光層、第２導電型層、第２導電型コンタクト層を順次備えるIII族窒化物半導体発光素子であって、」との点で一致するといえる。

（ｂ）本件訂正発明１の「前記ｐ型コンタクト層は、前記ｐ型ＡｌＧａＮ電子ブロック層の直上に接し、」との特定事項について
甲４発明Ａの「窒化アルミニウム系半導体層構造体」は、「下地基板上にバッファ層を介して形成された、第１導電型コンタクト層、第１導電型層、発光層、第２導電型ブロック層、第２導電型層及び第２導電型コンタクト層よりなる」から、当該「第２導電型コンタクト層」は、「第２導電型層」に接して形成されていると解することが自然といえる。
よって、甲４発明Ａは、本件訂正発明１の上記特定事項と、「前記第２導電型コンタクト層は、前記第２導電型層の直上に接し、」との点で一致するといえる。

（ｃ）本件訂正発明１の「前記発光層からの発光の発光中心波長が２６５ｎｍ以上２８０ｎｍ以下であり、」との特定事項について
甲４発明Ａの「発光ピーク波長」は、「２２０ｎｍ以上３００ｎｍ以下」である。
よって、甲４発明Ａは、本件訂正発明１の上記特定事項を満たしていない。

（ｄ）本件訂正発明１の「前記ｐ型ＡｌＧａＮ電子ブロック層のＡｌ組成比は０．４０以上０．６８以下であり、」との特定事項について
甲４発明Ａの「第２導電型層」の「Ａｌ組成比」は、特定されていない。
よって、甲４発明Ａは、本件訂正発明１の上記特定事項を満たしていない。

（ｅ）本件訂正発明１の「前記ｐ型コンタクト層の膜厚は１５ｎｍ以上５０ｎｍ以下であり、かつ、該ｐ型コンタクト層は、Ａｌ組成比が０．０８以上０．２５以下であるｐ型ＡｌＧａＮコンタクト層を有する」との特定事項について
甲４発明Ａの「第２導電型コンタクト層の厚さ」は、特定されておらず、その「Ａｌ組成比」は「０．２５以上１未満」である。
よって、甲４発明Ａは、本件訂正発明１の上記特定事項を満たしていない。

（ｆ）以上より、本件訂正発明１と甲４発明Ａとの一致点及び相違点は、次のとおりである。

＜一致点＞
「基板上に、第１導電型半導体層、発光層、第２導電型層、第２導電型コンタクト層を順次備えるIII族窒化物半導体発光素子であって、
前記第２導電型コンタクト層は、第２導電型層の直上に接するIII族窒化物半導体発光素子。」

＜相違点＞
・相違点１
「発光層」について、本件訂正発明１は、発光中心波長が「２６５ｎｍ以上２８０ｎｍ以下」であるのに対し、甲４発明Ａは、発光ピーク波長が「２２０ｎｍ以上３００ｎｍ以下」である点。
・相違点２
「第２導電型層」について、本件訂正発明１は、「ｐ型ＡｌＧａＮ電子ブロック層」であり、そのＡｌ組成比は、「０．４０以上０．６８以下」であるのに対し、甲４発明Ａは、そのように特定されていない点。
・相違点３
「第２導電型コンタクト層」について、本件訂正発明１は、「ｐ型」であり、その膜厚は、「１５ｎｍ以上５０ｎｍ以下」であり、そのＡｌ組成比は、「０．０８以上０．２５以下」であるのに対し、甲４発明Ａは、そのＡｌ組成比は、「０．２５≦ｙ＜１」であり、その余の特定はなされていない点。
・相違点４
本件訂正発明１は、「ｐ側反射電極」を備えるのに対し、甲４発明Ａは、特定されていない点。

ｂ 本件訂正発明１についての判断
（ａ）相違点１〜３に係る数値範囲の特定事項が、本件の発明の課題（頓死の抑制）を解決するために必要な構成要素であることに鑑みて、相違点１〜３を合わせて検討する。

（ｂ）相違点１及び３に特定される「発光中心波長」及び「ｐ型コンタクト層のＡｌ組成比」の数値範囲のそれぞれの一部は、甲４発明Ａに特定される「発光ピーク波長」及び「第２導電型コンタクト層のＡｌ組成比」の数値範囲に、それぞれ含まれている。また、相違点２及び３に特定される「電子ブロック層のＡｌ組成比」及び「ｐ型コンタクト層の膜厚」は、個別にみると、当業者が適宜設計し得る数値範囲のものといえる。なお、半導体発光素子の発光は、通常「単峰性」であることが技術常識であるから、半導体発光素子において、「発光ピーク波長」と「発光中心波長」とは同義であると認められる。
しかしながら、本件訂正発明１に係る発明の課題は、本件訂正明細書等の【０００８】に記載のとおり、初期の発光出力から半減するほどに発光出力が突然劣化する現象（頓死）を防止することであり、当該課題を解決する構成として、本件訂正発明１に係る相違点１〜３の数値範囲が特定されるものである。他方、甲第４号証に、上記「頓死」の課題は記載されておらず、当業者にとって自明な課題ということもできない。そして、甲第４号証の記載を見ても、相違点１〜３に係る特定事項を同時に満たすような数値範囲を選択する動機を見いだすことはできない。
そうすると、甲４発明Ａにおいて、相違点１〜３を同時に満たすものを、頓死との課題を認識しない状態において作成することは、当業者が容易になし得たものということはいえず、そして、本件訂正発明１は、このように構成することにより、頓死を防止するという格別の作用効果を奏するものと認められる。

（ｃ）これに対し、特許異議申立人は、実施形態２（図８）の窒化アルミニウム系半導体深紫外発光素子に係る発明を引用発明として、当該引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである旨主張するが、これを引用発明としても、本件訂正発明１と当該引用発明との間には、甲４発明Ａと同様に、相違点１〜３が依然として存在するから、上記（ｂ）の説示と同様に判断される。よって、特許異議申立人の主張は、上記判断を左右するものではない。

（ｄ）以上より、本件訂正発明１は、甲第４号証に記載された発明ではなく、相違点４について検討するまでもなく、甲第４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものともいえない。

ｃ 本件訂正発明２〜４についての判断
本件訂正発明２〜４は、本件訂正発明１を引用するものであるから、上記ｂと同様に判断される。
したがって、本件訂正発明２〜４は、甲第４号証に実質的に記載された発明とはいえず、甲第４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものともいえない。

ｄ 本件訂正発明５と甲４発明Ｂの対比・判断
本件訂正発明５と甲４発明Ｂとを対比するに、本件訂正発明５は、実質的に本件訂正発明１と同一の構成を有する「III族窒化物半導体発光素子」の製造方法であり、甲４発明Ｂも、実質的に甲４発明１と同一の構成を有する「紫外発光素子」の製造方法である。
したがって、本件訂正発明５と甲４発明Ｂとの対比及び判断は、上記ａ及びｂと同様に認定及び判断される。
よって、本件訂正発明５は、甲第４号証に記載された発明ではなく、甲第４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものともいえない。
これに対し、特許異議申立人は、実施形態２（図８）の窒化アルミニウム系半導体深紫外発光素子の製造方法に係る発明を引用発明として、当該引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである旨主張するが、上記ｂ（ｃ）の説示と同様である。

ｅ 甲第４号証に記載された発明に基づく新規性・進歩性についての小括
以上より、本件訂正発明１〜５は、甲第４号証に記載された発明ではなく、甲第３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものともいえない。

（３）小括
よって、取消理由通知書に記載した取消理由は解消したものである。

２ 取消理由通知書において採用しなかった特許異議申立理由について
（１）特許法第17条の2第3項（同法第113条第1号）
特許異議申立人は、令和２年４月８日付けの手続補正書でなされた、「前記発光層からの発光の発光中心波長が２５０ｎｍ以上３３０ｎｍ以下であり、」との記載が、「前記発光層からの発光の発光中心波長が２５０ｎｍ以上２８０ｎｍ以下であり、」と補正された事項について、発光中心波長が２８０ｎｍの例は記載されている（【００６４】【表２】）としても、「発光中心波長を２５０ｎｍ以上２８０ｎｍ以下とする」という技術的事項について何ら記載されておらず、自明な事項であったとも認められないから、上記手続補正書でなされた請求項１〜５の補正は、願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものではない旨主張している。（異議申立書第４５頁第３０行〜第４６頁第２２行）
しかしながら、当該補正は、発光中心波長が「２５０ｎｍ以上３３０ｎｍ以下」であったものを「２５０ｎｍ以上２８０ｎｍ以下」と、その範囲を狭くするものであり、「２８０ｎｍ」との値も【００６４】【表２】に記載されたものである。そして、当該補正によって、新たな技術的意義が導入されるものでもない。
したがって、当該補正は、願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものである。

（２）小括
よって、取消理由通知書において採用しなかった特許異議申立理由は、理由がない。

第６ むすび
以上によれば、本件訂正発明１〜５に係る特許は、取消理由通知書に係る取消理由及び特許異議申立理由のいずれによっても取り消すことはできない。
そして、他に本件訂正発明１〜５に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
よって、結論のとおり決定する。
 
発明の名称 （５７）【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、ｎ型半導体層、発光層、ｐ型ＡｌＧａＮ電子ブロック層く（Ｓｉがドープされたものを除く）、ｐ型コンタクト層（Ｓｉがドープされたものを除く）及びｐ側反射電極を順次備えるＩＩＩ族窒化物半導体発光素子であって、
前記ｐ型コンタクト層は、前記型ＡｌＧａＮ電子ブロック層の直上に接し、
前記発光層からの発光の発光中心波長が２６５ｎｍ以上２８０ｎｍ以下であり、
前記ｐ型ＡｌＧａＮ電子ブロック層のＡｌ組成比は０．４０以上０．６８以下であり、
前記ｐ型コンタクト層の膜厚は１５ｎｍ以上５０ｎｍ以下であり、かつ、該ｐ型コンタクト層は、Ａｌ組成比が０．０８以上０．２５以下であるｐ型ＡｌＧａＮコンタクト層を有することを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体発光素子。
【請求項２】
前記ｐ型コンタクト層は、前記ｐ型ＡｌＧａＮコンタクト層のみからなる、請求項１に記載のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子。
【請求項３】
前記ｐ型コンタクト層は、前記ｐ型ＡｌＧａＮコンタクト層と前記ｐ側反射電極との間にｐ型ＧａＮコンタクト層を有する、請求項１に記載のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子。
【請求項４】
前記ｐ型ＡｌＧａＮコンタクト層の膜厚が１５ｎｍ以上２５ｎｍ以下である、請求項１〜３のいずれか１項に記載のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子。
【請求項５】
基板上に、ｎ型半導体層を形成する工程と、
前記ｎ型半導体層上に発光層を形成する工程と、
前記発光層上にｐ型ＡｌＧａＮ電子ブロック層（Ｓｉをドープする場合を除く）を形成する工程と、
前記ｐ型ＡｌＧａＮ電子ブロック層の直上に接してｐ型コンタクト層（Ｓｉをドープする場合を除く）を形成する工程と、
前記ｐ型コンタクト層上にｐ側反射電極を形成する工程と、を含むＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法であって、
前記発光層からの発光中心波長は２６５ｎｍ以上２８０ｎｍ以下であり、
前記ｐ型ＡｌＧａＮ電子ブロック層のＡｌ組成比は０．４０以上０．６８以下であり、
前記ｐ型コンタクト層の膜厚が１５ｎｍ以上５０ｎｍ以下であり、
前記ｐ型コンタクト層はＡｌ組成比が０．０８以上０．２５以下であるｐ型ＡｌＧａＮコンタクト層を有すること特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法。
 
訂正の要旨 審決（決定）の【理由】欄参照。
異議決定日 2022-09-26 
出願番号 P2019-223516
審決分類 P 1 651・ 55- YAA (H01L)
P 1 651・ 113- YAA (H01L)
P 1 651・ 121- YAA (H01L)
P 1 651・ 537- YAA (H01L)
最終処分 07   維持
特許庁審判長 山村 浩
特許庁審判官 野村 伸雄
吉野 三寛
登録日 2020-08-24 
登録番号 6753995
権利者 ＤＯＷＡエレクトロニクス株式会社
発明の名称 ＩＩＩ族窒化物半導体発光素子及びその製造方法  
代理人 福井 敏夫  
代理人 杉村 憲司  
代理人 塚中 哲雄  
代理人 塚中 哲雄  
代理人 杉村 憲司  
代理人 福井 敏夫  

プライバシーポリシー   セキュリティーポリシー   運営会社概要   サービスに関しての問い合わせ