ポートフォリオ機能
| ポートフォリオを新規に作成して保存 |
|
|
| 既存のポートフォリオに追加保存 |
|
PDFをダウンロード
|
| 審決分類 |
審判 一部申し立て 特36条4項詳細な説明の記載不備 H01L 審判 一部申し立て 2項進歩性 H01L 審判 一部申し立て 特36条6項1、2号及び3号 請求の範囲の記載不備 H01L |
|---|---|
| 管理番号 | 1392106 |
| 総通号数 | 12 |
| 発行国 | JP |
| 公報種別 | 特許決定公報 |
| 発行日 | 2022-12-28 |
| 種別 | 異議の決定 |
| 異議申立日 | 2022-09-09 |
| 確定日 | 2022-12-05 |
| 異議申立件数 | 1 |
| 事件の表示 | 特許第７０３３６６０号発明「金属セラミック基板および金属セラミック基板の製造方法」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。 |
| 結論 | 特許第７０３３６６０号の請求項１〜３、９に係る特許を維持する。 |
| 理由 |
第１ 手続の経緯 特許第７０３３６６０号の請求項１〜１０に係る特許についての出願は、２０１９年（平成３１年）２月１８日（パリ条約による優先権主張 外国庁受理 ２０１８年２月２８日（以下、「本件特許出願の優先日」という。） （ＤＥ）ドイツ連邦共和国）を国際出願日として出願され、令和４年３月２日にその特許権の設定登録がされ、同年同月１０日に特許掲載公報が発行された。その後、請求項１〜３、９に係る特許に対し、同年９月９日に特許異議申立人 青木 眞理（以下、「申立人」という。）により、特許異議の申立てがされたものである。 第２ 本件発明 特許第７０３３６６０号の請求項１〜３、９の特許に係る発明（以下、それぞれ「本件発明１〜３、９」という。）は、その特許請求の範囲の請求項１〜３、９に記載された事項により特定される次のとおりのものである。なお、分説の符号Ａ〜Ｑについては、当審で付したものである（以下、「構成Ａ」〜「構成Ｑ」ともいう。）。 「【請求項１】 Ａ 金属セラミック基板（１）であって、 Ｂ セラミックを含み第１の厚さ（Ｄ１）を有する絶縁層（１１）と、 Ｃ 前記絶縁層（１１）に接合され、第２の厚さ（Ｄ２）を有する金属被覆層（１２）とを備え、 Ｄ 前記金属被覆層（１２）は、ＤＣＢプロセス、ＤＡＢプロセス、またはアクティブはんだ付けプロセスによって、前記絶縁層（１１）に接合され、 Ｅ 前記第１の厚さ（Ｄ１）は２００μｍ未満であり、前記第２の厚さ（Ｄ２）は２００μｍよりも大きく、 Ｆ 前記第１の厚さ（Ｄ１）および前記第２の厚さ（Ｄ２）は、 前記金属被覆層（１２）の熱膨張係数と前記金属セラミック基板（１）の熱膨張係数との差の量の、 前記金属セラミック基板（１）の熱膨張係数に対する比が、 ０．２５未満の値を有するような寸法である、 Ｇ 金属セラミック基板（１）。 【請求項２】 Ｈ 請求項１に記載の金属セラミック基板（１）において、 前記第１の厚さ（Ｄ１）は３０μｍよりも大きい、金属セラミック基板（１）。 【請求項３】 Ｉ 請求項１または２に記載の金属セラミック基板（１）において、 前記金属被覆層（１２）とは反対の側で、第３の厚さ（Ｄ３）を有する更に別の金属被覆層（１３）が前記絶縁層（１１）に接合され、 Ｊ 前記第１の厚さ（Ｄ１）、前記第２の厚さ（Ｄ２）および／または前記第３の厚さ（Ｄ３）は、 前記更に別の金属被覆層（１３）および／または前記金属被覆層（１２）の熱膨張係数と前記金属セラミック基板（１）の熱膨張係数との差の量の、 前記金属セラミック基板（１）の熱膨張係数に対する比が、 ０．２５未満の値を有するような寸法である、金属セラミック基板（１）。」 「【請求項９】 Ｋ 金属セラミック基板（１）を製造する方法であって、 Ｌ セラミックを含み第１の厚さ（Ｄ１）を有する絶縁層（１１）を配置する工程であって、前記第１の厚さ（Ｄ１）は２００μｍ未満である工程と、 Ｍ 前記絶縁層（１１）に接合され、第２の厚さ（Ｄ２）を有する金属被覆層（１２）を配置する工程であって、 Ｎ 前記第２の厚さ（Ｄ２）は２００μｍよりも大きい工程と、 Ｏ 前記金属被覆層（１２）を前記絶縁層（１１）に接合する工程とを備え、 Ｐ 前記第１の厚さ（Ｄ１）および／または前記第２の厚さ（Ｄ２）は、 前記金属被覆層（１２）の熱膨張係数と前記金属セラミック基板（１）の熱膨張係数との差の量の、 前記金属セラミック基板（１）の熱膨張係数に対する比が、 ０．２５未満の値を有するような寸法である、金属セラミック基板（１）を製造する方法において、 Ｑ 前記金属被覆層（１２）は、ＤＣＢプロセス、ＤＡＢプロセス、またはアクティブはんだ付けプロセスによって、前記絶縁層（１１）に接合される、方法。」 第３ 申立理由の概要 申立人は、証拠として甲第１号証〜甲第３号証を提出し、以下の理由により、請求項１〜３、９に係る特許を取り消すべきものである旨主張している。 １ 申立理由１（実施可能要件） 発明の詳細な説明の記載は、当業者が本件発明１〜３、９の実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載されたものではないから、請求項１〜３、９に係る特許は、特許法第36条第4項第1号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。 ２ 申立理由２（明確性要件） 本件発明１〜３、９は、特許請求の範囲の記載が明確でないから、請求項１〜３、９に係る特許は、特許法第36条第6項第2号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。 ３ 申立理由３（進歩性） 本件発明１〜３、９は、甲第１号証〜甲第３号証に記載された発明に基いて、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下、「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１〜３、９に係る特許は、特許法第29条第2項の規定に違反してされたものである。 ［証拠方法］ 甲第１号証：特開２００２−２０３９４２号公報 甲第２号証：特開２００３−１６８７７０号公報 甲第３号証：特開２０１７−２２４６５６号公報 第４ 申立理由１（実施可能要件） １ 本件発明１について （１）本件発明１の構成Ａ〜Ｄ、Ｇについて 本件発明１は、物の発明であるところ、構成Ａ〜Ｄ、Ｇについては、その構造からして、当業者が、本件特許の願書に添付した明細書（以下、「本件明細書」という。）の発明の詳細な説明の記載及び本件特許出願当時の技術常識に基づいて製造できるといえる。 （２）本件発明１の構成Ｅ、Ｆについて ア 本件明細書の発明の詳細な説明には、以下の記載がある（当審注：下線は当審が付与した。以下、同様である。）。 「【０００７】 ・・・本発明によれば、金属セラミック基板の熱膨張係数（すなわち、全層、特に絶縁層および金属被覆層を考慮に入れた総熱膨張係数）および金属被覆層の熱膨張係数は、第１の厚さおよび／または第２の厚さの寸法を決定する際に使用される。・・・」 「【００１４】 金属セラミック基板は、熱機械的に対称であることが好ましい。特に、金属被覆層、絶縁層、および更に別の金属被覆層は、主延長面に垂直な積層方向に沿って上下に配置されている。第３の厚さは、主延長面に垂直な方向に延びている。更に別の金属被覆層または金属被覆層の熱膨張係数は、金属セラミック基板の熱膨張係数に近いものが選択されることが好ましい。記載された要件が、３つを超える層から構成される金属セラミック基板に適用可能であることは、当業者には明らかである。好ましくは、３層を超えるような多層金属セラミック基板は、絶縁層、金属被覆層、および更に別の金属被覆層を有する金属セラミック基板、すなわち３層金属セラミック基板に適用可能である。・・・」 「【００３５】 以下の関係を使用して、金属セラミック基板１、第１の金属被覆層１２、および第２の金属被覆層１３の熱膨張係数をそれぞれ決定する。 【００３６】 【数２】  ここで、Ｄｉは、各ＣＴＥｉを持つｎ層のｉ番目の厚さである。さらに、ポアソン数ηｉにより、各層の形状およびその弾性係数Ｅｉが考慮される。」 イ 【式２】について 上記アの【００３６】には、ＣＴＥ（熱膨張係数）を求める【式２】が記載されている。 ここで【式２】に記載されている「ｎ層」について、上記アの【０００７】に「金属セラミック基板の熱膨張係数（すなわち、全層、特に絶縁層および金属被覆層を考慮に入れた総熱膨張係数）」と記載されており、同【００１４】には、「３層を超えるような多層金属セラミック基板は、絶縁層、金属被覆層、および更に別の金属被覆層を有する金属セラミック基板、すなわち３層金属セラミック基板に適用可能である」と記載されていることから、【式２】のＣＴＥは、金属セラミック基板の熱膨張係数であり、絶縁層及び金属被覆層を考慮に入れた総熱膨張係数であるといえる。 そうすると、上記「絶縁層、金属被覆層、および更に別の金属被覆層を有する金属セラミック基板」は、「３層」からなるものであるから、ｎ＝３である。 そして、本件発明１の「金属セラミック基板（１）」は、「セラミックを含み第１の厚さ（Ｄ１）を有する絶縁層（１１）と、前記絶縁層（１１）に接合され、第２の厚さ（Ｄ２）を有する金属被覆層（１２）とを備え」るものであるから、２層からなるものであり、ｎ＝２である。 また、【式２】において、絶縁層（１１）の熱膨張係数をＣＴＥ１、ポアソン数をη１、弾性係数をＥ１、金属被覆層（１２）の熱膨張係数をＣＴＥ２、ポアソン数をη２、弾性係数をＥ２と表すことができるから、それぞれの値を【式２】に代入すると、本件発明１の「金属セラミック基板（１）」の熱膨張係数ＣＴＥは、絶縁層（１１）の厚さＤ１及び金属被覆層（１２）の厚さＤ２を変数とする式（以下、「ＣＴＥ（Ｄ１，Ｄ２）」という。）となる。 ウ 構成Ｆについて 構成Ｆは、「前記第１の厚さ（Ｄ１）および前記第２の厚さ（Ｄ２）は、前記金属被覆層（１２）の熱膨張係数と前記金属セラミック基板（１）の熱膨張係数との差の量の、前記金属セラミック基板（１）の熱膨張係数に対する比が、 ０．２５未満の値を有するような寸法である」であり、この構成を式に表すと｜ＣＴＥ２−ＣＴＥ｜／ＣＴＥ＜０．２５となる。 そして、この式のＣＴＥに上記イにおけるＣＴＥ（Ｄ１，Ｄ２）を代入するとともに、金属被覆層（１２）の熱膨張係数であるＣＴＥ２の値を代入すると、この式もＤ１とＤ２を変数とする不等式（以下、「Ｆ（Ｄ１，Ｄ２）」という。）となる。 エ 構成Ｅについて 構成Ｅは、「前記第１の厚さ（Ｄ１）は２００μｍ未満であり、前記第２の厚さ（Ｄ２）は２００μｍよりも大きく」であり、この構成を式で表すと、Ｄ１＜２００μｍ、Ｄ２＞２００μｍとなり、この式もＤ１とＤ２を変数とする不等式（以下、「Ｅ（Ｄ１，Ｄ２）」という。）である。 オ 上記ウ及びエから、本件発明１の構成Ｅ及び構成Ｆは、いずれもＥ（Ｄ１，Ｄ２）、Ｆ（Ｄ１，Ｄ２）という、Ｄ１とＤ２を変数とする不等式で表されるものである。 そうすると、本件発明１における「絶縁層（１１）」の「第１の厚さ（Ｄ１）」及び「金属被覆層（１２）」の「第２の厚さ（Ｄ２）」は、不等式であるＥ（Ｄ１，Ｄ２）及びＦ（Ｄ１，Ｄ２）を満たす値を選択すれば良いことが理解できる。 したがって、構成Ｅ、Ｆについても、当業者が本件明細書の発明の詳細な説明の記載及び本件特許出願当時の技術常識に基づいて製造できるといえる。 （３）以上によれば、本件発明１の構成Ａ〜Ｄ、Ｇ及び構成Ｅ、Ｆについては、いずれも、当業者が本件明細書の発明の詳細な説明の記載及び本件特許出願当時の技術常識に基づいて製造できるものである。 したがって、本件発明１は、当業者が本件明細書の発明の詳細な説明の記載及び本件特許出願当時の技術常識に基づいて製造し、使用することができるものである。 ２ 本件発明２について 本件発明２の構成Ｈは、その構造からして、当業者が本件明細書の発明の詳細な説明の記載及び本件特許出願当時の技術常識に基づいて製造できるといえる。 そして、本件発明２は、請求項１の記載を引用する発明であるから、上記１の検討を参酌すると、当業者が本件明細書の発明の詳細な説明の記載及び本件特許出願当時の技術常識に基づいて製造し、使用することができるものである。 ３ 本件発明３について 本件発明３の構成Ｉは、その構造からして、当業者が本件明細書の発明の詳細な説明の記載及び本件特許出願当時の技術常識に基づいて製造できるといえる。 また、本件発明３の構成Ｊは、上記１（２）イで検討したｎ＝３の場合に該当するものであるから、上記１（２）イ〜オで検討した本件発明１の構成Ｆと同様に、当業者が本件明細書の発明の詳細な説明の記載及び本件特許出願当時の技術常識に基づいて製造できるといえる。 したがって、本件発明３は、当業者が本件明細書の発明の詳細な説明の記載及び本件特許出願当時の技術常識に基づいて製造し、使用することができるものである。 ４ 本件発明９について 本件発明９は、物を製造する方法の発明であるところ、本件発明１に対応する方法の発明であり、本件発明１の構成Ａ〜Ｇに対応する構成Ｋ〜Ｑを備えるものである。 そうすると、本件発明９は、本件発明１と同様に、当業者が本件明細書の発明の詳細な説明の記載及び本件特許出願当時の技術常識に基づいて使用することができるといえる。 ５ 小括 以上のとおりであるから、本件明細書の発明の詳細な説明は、当業者が本件発明１〜３、９の実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載されたものである。 ６ 申立人の主張について （１）申立人は、特許異議申立書において、以下の主張をしている。 ア 特許異議申立書の１０ページ１１〜１９行の主張 本件明細書の【００２２】には「金属被覆層は、ＤＣＢプロセスまたはアクティブはんだ付けプロセスによって、絶縁層に接合される」と記載されている。また、【００２２】〜【００２４】に記載のように、複数の金属の混合物である金属セラミック基板１は、絶縁層１１と金属被覆層１２、１３との間に、金属、銅、合金の層（第３の層）が存在するのであり、その場合において、第３の層の存在を無視して複数の金属の混合物である金属セラミック基板１の熱膨張係数をいかにして求めることができるのか、発明の詳細な説明からは不明瞭である。 イ 特許異議申立書の１０ページ２０〜２７行の主張 本件明細書の【００３６】に記載される式から、具体的にどのような絶縁層１１の厚さ、金属被覆層１２の厚さが求められるものか不明瞭である。言い換えれば、【００３６】に記載される式への具体的な数値の当てはめと、その結果である金属セラミック基板の熱膨張係数やそれに基づく第１の厚さ（Ｄ１）及び第２の厚さ（Ｄ２）の具体的な記載がないので当業者は請求項１に係る金属セラミック基板を生成することができない。とすれば、どのようにすれば請求項１に入る程度で金属セラミック基板を生産することができるのか、発明の詳細な説明からは不明瞭である。 （２）検討 申立人の上記（１）ア及びイの主張について、まとめて検討する。 上記１（２）イで検討したとおり、【式２】のＣＴＥは、金属セラミック基板の熱膨張係数であり、絶縁層及び金属被覆層を考慮に入れた総熱膨張係数であるから、【式２】において、絶縁層１１と金属被覆層１２、１３との間に存在する、金属、銅、合金の層（第３の層）は考慮しないといえる。 そして、上記１で検討したとおり、【式２】から、本件発明１における「絶縁層（１１）」の「第１の厚さ（Ｄ１）」及び「金属被覆層（１２）」の「第２の厚さ（Ｄ２）」を求めることができ、また、本件発明１は、当業者が本件明細書の発明の詳細な説明の記載及び本件特許出願当時の技術常識に基づいて製造し、使用することができるものである。 したがって、申立人の上記（１）ア及びイの主張はいずれも採用できない。 ７ まとめ 以上のとおりであるから、請求項１〜３、９に係る特許は、特許法第36条第4項第1号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものではない。 したがって、申立理由１は、理由がない。 第５ 申立理由２（明確性要件） １ 申立人は、本件発明１〜３、９について、以下の主張をしている。 （１）特許異議申立書１１ページ１１〜１９行の主張 上記第４ ６（１）アで説明したように、本件発明１の構成Ｆの「金属セラミック基板（１）の熱膨張係数」において、複数の金属の混合物である金属セラミック基板の絶縁層と金属被覆層との間の第３の層をどのように取り扱うのかが不明であり、その結果、本件発明１は明確ではない。 以上のように、本件発明１は構成Ｆの記載が不明であり、その結果、本件発明１は明確でない。請求項２、３は、上述した請求項１に従属するものであり、かつ、本件発明１を明確にするものでもない。そのため本件発明２、３もまた本件発明１と同様に明確でない。請求項９に係る製造法の発明についても同様である。 （２）特許異議申立書１１ページ２０行〜１２ページ７行の主張 本件発明１は、「金属セラミック基板（１）」という物の発明であるが、その物の発明に係る請求項１に、構成Ｆという「金属セラミック基板（１）」の製造方法が記載されている。つまり、請求項１は、いわゆるプロダクトバイプロセスクレームである。金属セラミック基板（１）の絶縁層（１１）と金属被覆層（１２）との製造に関して、技術的な条件（熱膨張係数の比）が付された記載があるからである。そのため、第１の厚さ（Ｄ１）および第２の厚さ（Ｄ２）をどのような値とすると本件発明１に入るのか不明瞭である。なお、本件発明１には、出願時において金属セラミック基板（１）の絶縁層（１１）と金属被覆層（１２）とをその構造（例えば、厚さ）又は特性により直接特定することが不可能な事情も、非実際的な事情も見当たらない。 以上のように、本件発明１は構成Ｆの記載が不明であり、その結果、本件発明１は明確でない。請求項２、３は、上述した請求項１に従属するものであり、かつ、本件発明１を明確にするものでもない。そのため本件発明２、３もまた本件発明１と同様に明確でない。 ２ 検討 （１）構成Ｆについて 上記第４ ６（２）で検討したとおり、【式２】において、絶縁層１１と金属被覆層１２、１３との間に存在する、金属、銅、合金の層（第３の層）は考慮しない。 また、構成Ｆは、「絶縁層（１１）」の「第１の厚さ（Ｄ１）」及び「金属被覆層（１２）」の「第２の厚さ（Ｄ２）」が、「前記金属被覆層（１２）の熱膨張係数と前記金属セラミック基板（１）の熱膨張係数との差の量の、前記金属セラミック基板（１）の熱膨張係数に対する比が、０．２５未満の値を有するような寸法である」ことを特定するものであり、すなわち、「絶縁層（１１）」の「第１の厚さ（Ｄ１）」及び「金属被覆層（１２）」の「第２の厚さ（Ｄ２）」の値を特定するものであり、「金属セラミック基板（１）」の製造方法についての記載ではないから、請求項１は、プロダクトバイプロセスクレームではない。 したがって、本件発明１の構成Ｆの記載は、不明確であるとはいえない。 （２）本件発明１の構成Ａ〜Ｅ、Ｇについて、不明確な記載は見当たらない。また、上記（１）で検討したとおり、本件発明１の構成Ｆの記載は、不明確であるとはいえない。 したがって、請求項１の記載は明確である。 （３）本件発明２、３には不明確な記載は見当たらないから、請求項２、３の記載は明確である。 （４）本件発明９は、本件発明１に対応する方法の発明であり、本件発明１の構成Ａ〜Ｇに対応する構成Ｋ〜Ｑを備えるものであるから、上記（１）及び（２）で検討したのと同様の理由により、請求項９の記載は明確である。 ３ まとめ 以上のとおりであるから、請求項１〜３、９に係る特許は、特許法第36条第6項第2号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものではない。 したがって、申立理由２は、理由がない。 第６ 申立理由３（進歩性）について １ 甲号証の記載事項、甲号証に記載された発明等 （１） 甲第１号証（特開２００２−２０３９４２号公報） ア 本件特許出願の優先日前に公知となった甲第１号証には、以下の記載がある。 「【請求項１】ヒートシンクとしての金属ベースと、セラミック基板に半導体チップを実装して前記金属ベースの上に搭載した回路組立体と、端子一体形の外囲ケースを組合せて構成したパワー半導体モジュールであり、前記セラミック基板がセラミック板の表，裏両面に金属からなる表回路板および裏板を接合した構造になり、かつ金属ベースとセラミック基板の裏板との間を半田接合したものにおいて、 金属ベースは、材質が熱伝導率が２５０Ｗ／ｍＫ以上の銅もしくは銅合金で、その板厚を３．９mm以上６mm以下とし、 セラミック基板は、セラミック板の厚さを０．１mm以上０．６５mm以下、表回路板および裏板の厚さを０．１mm以上０．５mm以下として、該基板の外形サイズを最大５０mm×５０mm、その縦横比を１：１〜１：１．２の範囲に規定し、 半田には融点が１８３〜２５０℃の半田を用い、かつ半田層の厚さを０．１mm以上０．３mm以下にして金属ベースとセラミック基板とを半田接合して組立てたことを特徴とするパワー半導体モジュール。 ・・・ 【請求項３】請求項１記載のパワー半導体モジュールにおいて、セラミック基板のセラミック板が窒化珪素、表回路板および裏板が銅であることを特徴とするパワー半導体モジュール。 【請求項４】請求項１記載のパワー半導体モジュールにおいて、セラミック基板のセラミック板がアルミナ、表回路板および裏板が銅であることを特徴とするパワー半導体モジュール。」 「【０００３】ここで、パワー回路ブロック５は、横長な矩形状のセラミック基板８にＩＧＢＴなどのパワー半導体チップ９，フリーホイーリングダイオード１０が６個ずつ実装されている。また、セラミック基板８は、図４の模式図で表すようにアルミナ，窒化アルミニウム，窒化珪素などで作られたセラミック板８ａの表，裏両面に銅箔の表回路板８ｂ，裏板８ｃを直接接合し、表回路板８ｂで導体パターンを形成したDirect Copper Bonding 基板であり、表回路板８ｂに半導体チップ９が半田マウント（その半田接合層を１１で表す）されている。一方、制御回路６は前記のパワー回路ブロック５を取り囲むようにしたコ字形のプリント基板６ａにパワー回路素子を駆動するための駆動用ＩＣ６ｂ，およびその付属回路部品を実装した構成になる。」 「【０００９】(1) セラミック基板／金属ベースの熱膨張差に起因する熱的応力：セラミック基板の熱膨張率は、アルミナの場合に７ｐｐｍ／Ｋ，窒化アルミニウムは４．５ｐｐｍ／Ｋ，窒化珪素は３ｐｐｍ／Ｋであるのに対し、金属ベース（銅ベース）の熱膨張率は１６．５ｐｐｍ／Ｋであって両者の熱膨張率の差は大である。」 「【００２２】ここで、金属ベース１は、材質が熱伝導率が２５０Ｗ／ｍＫ以上の銅もしくは銅合金であり、その板厚ｔ1 は３．９mm〜６mmとする。また、セラミック基板８は、セラミック板８ａの板厚ｔ2 を０．１mm〜０．６５mm、表回路板８ｂおよび裏板８ｃの厚さを０．１mm〜０．５mmとして、セラミック基板８の外形サイズ（ａ×ｂ）を最大で５０mm×５０mm、その縦横比を１：１〜１：１．２の範囲に規定する。そして、半田には融点が１８３〜２５０℃のＳｎ−Ｐｂ半田を用い、かつ半田接合層１２の厚さが０．１mm〜０．３mmになるようにして金属ベース１とセラミック基板８との間を半田接合して組立てる。」 「【図１】  」 イ 甲第１号証に記載された発明 （ア）上記アの【請求項１】には、セラミック基板は、セラミック板の表，裏両面に金属からなる表回路板および裏板を接合した構造であること、及び、セラミック板の厚さは０．１mm以上０．６５mm以下、表回路板及び裏板の厚さは０．１mm以上０．５mm以下であることが記載されている。 （イ）上記アの【請求項３】には、セラミック板は窒化珪素、表回路板及び裏板は銅であること、同【請求項４】には、セラミック板はアルミナ、表回路板及び裏板は銅であることが記載されている。 （ウ）上記アの【０００３】には、セラミック基板は、セラミック板の表，裏両面に銅箔の表回路板，裏板を直接接合し、表回路板で導体パターンを形成したDirect Copper Bonding 基板であることが記載されている。 （エ）上記アの【０００９】には、セラミック基板の熱膨張率は、アルミナの場合に７ｐｐｍ／Ｋ、窒化珪素は３ｐｐｍ／Ｋであることが記載されている。 （オ）以上から、甲第１号証には、以下の発明（以下、「甲１発明」という。）が記載されていると認められる。 「セラミック板の表，裏両面に金属からなる表回路板及び裏板を接合した構造であるセラミック基板であって、 セラミック板の厚さは０．１mm以上０．６５mm以下、表回路板及び裏板の厚さは０．１mm以上０．５mm以下であり、 セラミック板は窒化珪素、表回路板及び裏板は銅、又は、セラミック板はアルミナ、表回路板及び裏板は銅であり、 セラミック板の表，裏両面に銅箔の表回路板，裏板を直接接合し、表回路板で導体パターンを形成したDirect Copper Bonding 基板であり、 セラミック基板の熱膨張率は、アルミナの場合に７ｐｐｍ／Ｋ、窒化珪素は３ｐｐｍ／Ｋであるセラミック基板。」 （２）甲第２号証（特開２００３−１６８７７０号公報） ア 本件特許出願の優先日前に公知となった甲第２号証には、以下の記載がある。 「【請求項１】 窒化ケイ素基板の少なくとも一方の表面に厚さ１ｍｍ以上の金属クラッド材を接合したことを特徴とする窒化ケイ素回路基板。 【請求項２】 該金属クラッド材の厚さが１ｍｍ以上３ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の窒化ケイ素回路基板。 ・・・ 【請求項５】 該窒化ケイ素基板の板厚が０．１〜０．７ｍｍの範囲内であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の窒化ケイ素回路基板。」 「【００２４】 【表２】  」 イ 甲第２号証に記載された発明 上記アの記載から、甲第２号証には、以下の発明（以下、「甲２発明」という。）が記載されていると認められる。 「窒化ケイ素基板の少なくとも一方の表面に厚さ１ｍｍ以上の金属クラッド材を接合した窒化ケイ素回路基板であって、 該金属クラッド材の厚さが１ｍｍ以上３ｍｍ以下であり、 該窒化ケイ素基板の板厚が０．１〜０．７ｍｍの範囲内である窒化ケイ素回路基板。」 （３）甲第３号証（特開２０１７−２２４６５６号公報） ア 本件特許出願の優先日前に公知となった甲第３号証には、以下の記載がある。 「【実施例１】 【００１８】 はじめに、図１を参照しながら本発明の実施例１に係る金属−セラミックス複合基板について説明する。 図１は本発明の実施例１に係る金属−セラミックス複合基板の側面図である。 図１に示すように、実施例１に係る金属−セラミックス複合基板１Ａは、平板状のセラミックス基板２（例えば、矩形状）と、このセラミックス基板２の主面側に直接接合される金属板３とにより構成されるものである。また、実施例１に係る金属−セラミックス複合基板１Ａにおいて金属板３は、一対の銅層３ａ，３ｃと、この一対の３ａ，３ｃの間に介設される銅とモリブデンとからなる複合金属材層３ｂとからなる三層積層体である。また、このような金属板３は、４０〜８００℃における金属板３の平均線熱膨張係数が７.０〜１０（×１０−６／℃）の範囲内となるよう各金属層３ａ〜３ｃの厚みや、複合金属材層３ｂにおける銅とモリブデンの配合割合が調整されている。 さらに、この金属−セラミックス複合基板１Ａにおけるセラミックス基板２は、主成分のアルミナと、副成分のジルコニアと、ジルコニアの安定化剤とを少なくとも含有してなるものである。より具体的には、セラミックス基板２におけるアルミナの含有率は５０ｗｔ％以上であり、かつ、セラミックス基板２におけるジルコニア及び安定化剤の含有率は１〜５０ｗｔ％の範囲内である。 そして、実施例１に係るセラミックス基板２におけるアルミナ、ジルコニア及び安定化剤の含有率を上述のように設定することで、４０〜８００℃におけるセラミックス基板２の平均線熱膨張係数を、７.３〜９.５（×１０−６／℃）の範囲内にすることができる。 なお、このセラミックス基板２の平均線熱膨張係数は、セラミックス基板２の主面側に接合される金属板３の平均線熱膨張係数と同じ又は近似している。」 「【００３１】 なお、実施例１に係る金属−セラミックス複合基板１Ａでは、セラミックス基板２の厚みを０.２〜０.８ｍｍに設定する場合は、その主面２ａ側に接合される金属板３の厚みを０.１〜０.５ｍｍに設定することができる。 なお、セラミックス基板２と金属板３の４０〜８００℃における平均線熱膨張係数の実質的な差を限りなく小さくすることで、セラミックス基板２の厚みを０.２ｍｍ以下にできる可能性がある。」 「【図１】  」 イ 甲第３号証に記載された発明 上記アの記載から、甲第３号証には、以下の発明（以下、「甲３発明」という。）が記載されていると認められる。 「平板状のセラミックス基板と、このセラミックス基板の主面側に直接接合される金属板とにより構成される金属−セラミックス複合基板であって、 セラミックス基板と金属板の４０〜８００℃における平均線熱膨張係数の実質的な差を限りなく小さくすることで、セラミックス基板の厚みを０.２ｍｍ以下にできる金属−セラミックス複合基板。」 ２ 本件発明１について （１）対比 本件発明１と甲１発明とを対比する。 ア 甲１発明の「セラミック板」は、セラミックを含む絶縁層であるといえ、また、「セラミック板の厚さは０．１mm以上０．６５mm以下」であるから、当該「セラミック板」は、第１の厚さを有しているといえる したがって、甲１発明の「セラミック板」は、本件発明１の「セラミックを含み第１の厚さ（Ｄ１）を有する絶縁層（１１）」に相当する。 イ 甲１発明の「金属からなる表回路板」は、「セラミック板」に「接合」されているから金属被覆層であるといえ、また、「表回路板」の「厚さは０．１mm以上０．５mm以下」であるから、当該「表回路板」は第２の厚さを有しているといえる。 したがって、甲１発明の「金属からなる表回路板」は、本件発明１の「前記絶縁層（１１）に接合され、第２の厚さ（Ｄ２）を有する金属被覆層（１２）」に相当する。 ウ 甲１発明の「セラミック基板」は、「セラミック板の表，裏両面に銅箔の表回路板，裏板を直接接合し、表回路板で導体パターンを形成したDirect Copper Bonding 基板である」から、「表回路板」は、「Direct Copper Bonding」により「セラミック板」に「直接接合」されているといえる。 そうすると、甲１発明の「Direct Copper Bonding」は、本件発明１の「ＤＣＢプロセス」に相当し、甲１発明と本件発明１とは、「前記金属被覆層（１２）は、ＤＣＢプロセス」によって、「前記絶縁層（１１）に接合され」る点で一致する。 エ 甲１発明の「セラミック板の表，裏両面に金属からなる表回路板及び裏板を接合した構造であるセラミック基板」は、本件発明１の「セラミックを含み第１の厚さ（Ｄ１）を有する絶縁層（１１）と、前記絶縁層（１１）に接合され、第２の厚さ（Ｄ２）を有する金属被覆層（１２）とを備え」る「金属セラミック基板（１）」に相当する。 オ 以上から、本件発明１と甲１発明との一致点と相違点は以下のとおりとなる。 ＜一致点＞ 「金属セラミック基板（１）であって、 セラミックを含み第１の厚さ（Ｄ１）を有する絶縁層（１１）と、 前記絶縁層（１１）に接合され、第２の厚さ（Ｄ２）を有する金属被覆層（１２）とを備え、 前記金属被覆層（１２）は、ＤＣＢプロセスによって、前記絶縁層（１１）に接合される、金属セラミック基板（１）。」 ＜相違点＞ 相違点１：本件発明１は、「絶縁層（１１）」の「前記第１の厚さ（Ｄ１）は２００μｍ未満」であり、「金属被覆層（１２）」の「前記第２の厚さ（Ｄ２）は２００μｍよりも大き」いのに対し、甲１発明は、「セラミック板の厚さは０．１mm以上０．６５mm以下、表回路板」「の厚さは０．１mm以上０．５mm以下」である点。 相違点２：本件発明１は、「絶縁層（１１）」の「前記第１の厚さ（Ｄ１）」および「金属被覆層（１２）」の「前記第２の厚さ（Ｄ２）」が、「前記金属被覆層（１２）の熱膨張係数と前記金属セラミック基板（１）の熱膨張係数との差の量の、前記金属セラミック基板（１）の熱膨張係数に対する比が、０．２５未満の値を有するような寸法である」のに対し、甲１発明は、そのような構成を有していない点。 （２）相違点についての判断 事案に鑑み相違点２から検討する。 相違点２に係る本件発明１の構成、すなわち、「絶縁層（１１）」の「前記第１の厚さ（Ｄ１）」および「金属被覆層（１２）」の「前記第２の厚さ（Ｄ２）」を、「前記金属被覆層（１２）の熱膨張係数と前記金属セラミック基板（１）の熱膨張係数との差の量の、前記金属セラミック基板（１）の熱膨張係数に対する比が、０．２５未満の値を有するような寸法」とすることについては、甲第１号証〜甲第３号証のいずれにも記載も示唆もされていない。 したがって、甲１発明に甲２発明及び甲第３発明を適用しても、相違点２に係る本件発明１の構成は得られない。 したがって、相違点１について判断するまでもなく、本件発明１は、甲１発明〜甲３発明に基づいて、当業者が容易に想到し得たものとはいえない。 （３）申立人の主張について ア 申立人は、相違点２に係る本件発明１の構成（構成Ｆ）について、特許異議申立書の１５ページ下から８行〜１６ページ１行において、以下の主張をしている。 甲１発明の構成ｆは、前記第１の厚さが０．ｌｍｍ〜０．７ｍｍであり、前記第２の厚さが１ｍｍ以上３ｍｍ以下であり、前記セラミック基板の熱膨張率は７ｐｐｍ／Ｋ，３ｐｐｍ／Ｋである。このように、セラミック基板の信頼性を向上させるという課題において熱膨張率を調整しながら金属被覆層と絶縁層とのサイズを決定することは本件特許の出願時より一般的になされていることであり、本件発明１の構成Ｆは、セラミック基板の信頼性を向上させるという一定の課題を解決するための数値範囲の最適化又は好適化にすぎない。そのため、構成Ｆは、甲１発明の構成ｆの単なる設計変更にすぎない。 イ 検討 甲第１号証には、セラミック板の厚さを０．１mm以上０．６５mm以下、表回路板及び裏板の厚さを０．１mm以上０．５mm以下とすること（【請求項１】、セラミック基板の熱膨張率は、アルミナの場合に７ｐｐｍ／Ｋ、窒化珪素は３ｐｐｍ／Ｋであること（【０００９】）は、それぞれ記載されているものの、「セラミック基板の信頼性を向上させるという課題において熱膨張率を調整しながら金属被覆層と絶縁層とのサイズを決定すること」は、記載も示唆もされていない。 したがって、申立人の「セラミック基板の信頼性を向上させるという課題において熱膨張率を調整しながら金属被覆層と絶縁層とのサイズを決定することは本件特許の出願時より一般的になされていることであり」との主張は、甲第１号証の記載に基づくものではない。 したがって、本件発明１の構成Ｆは、セラミック基板の信頼性を向上させるという一定の課題を解決するための数値範囲の最適化又は好適化にすぎないとはいえない。 よって、申立人の上記アの主張は採用できない。 （４）小括 以上から、本件発明１は、甲１発明〜甲３発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 ２ 本件発明２、３〜９について 本件発明２、３は、いずれも本件発明１の全ての構成を有するものであるから、本件発明１と同様の理由により、甲１発明〜甲３発明に基づいて、当業者が容易に発明できたものではない。 また、本件発明９は、本件発明１に対応する方法の発明であり、相違点２に係る本件発明１の構成Ａ〜Ｇに対応する構成Ｋ〜Ｑを備えるものであるから、本件発明１と同様の理由により、甲１発明〜甲３発明に基づいて、当業者が容易に発明できたものではない。 ３ まとめ 以上のとおりであるから、請求項１〜３、９に係る特許は、特許法第29条第2項の規定に違反してされたものではない。 したがって、申立理由３は、理由がない。 第７ むすび 以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、請求項１〜３、９に係る特許を取り消すことはできない。 また、他に請求項１〜３、９に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり決定する。 |
| 異議決定日 | 2022-11-24 |
| 出願番号 | P2020-536790 |
| 審決分類 |
P
1
652・
537-
Y
(H01L)
P 1 652・ 536- Y (H01L) P 1 652・ 121- Y (H01L) |
| 最終処分 | 07 維持 |
| 特許庁審判長 |
瀧内 健夫 |
| 特許庁審判官 |
河本 充雄 鈴木 聡一郎 |
| 登録日 | 2022-03-02 |
| 登録番号 | 7033660 |
| 権利者 | ロジャーズ ジャーマニー ゲーエムベーハー |
| 発明の名称 | 金属セラミック基板および金属セラミック基板の製造方法 |
| 代理人 | 桑垣 衛 |