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| 審決分類 |
審判 査定不服 2項進歩性 取り消して特許、登録 G06F |
|---|---|
| 管理番号 | 1393016 |
| 総通号数 | 13 |
| 発行国 | JP |
| 公報種別 | 特許審決公報 |
| 発行日 | 2023-01-27 |
| 種別 | 拒絶査定不服の審決 |
| 審判請求日 | 2022-07-21 |
| 確定日 | 2023-01-10 |
| 事件の表示 | 特願２０１８− ３９９４３「検出装置」拒絶査定不服審判事件〔令和 １年 ９月１２日出願公開、特開２０１９−１５３２３１、請求項の数（２０）〕について、次のとおり審決する。 |
| 結論 | 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。 |
| 理由 |
第１ 手続の経緯 本願は、平成３０年３月６日の出願であって、その手続の経緯は以下のとおりである。 令和３年１１月２２日付け：拒絶理由通知書 令和３年１２月２２日 ：意見書、手続補正書の提出 令和４年 ４月１５日付け：拒絶査定 令和４年 ７月２１日 ：審判請求書の提出 第２ 原査定の概要 原査定（令和４年４月１５日付け拒絶査定）の概要は次のとおりである。 本願請求項１−４、９−１３、１８−２０に係る発明は、以下の引用文献１−２に記載された発明に基づいて、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下、「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第29条第2項の規定により特許を受けることができない。また、本願請求項５に係る発明は、以下の引用文献１−３に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第29条第2項の規定により特許を受けることができない。さらに、本願請求項６−８、１４−１７に係る発明は、以下の引用文献１−２、４に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第29条第2項の規定により特許を受けることができない。 ＜引用文献等一覧＞ １．特開２００６−１７８０３１号公報 ２．特開２０１７−０２７３９４号公報 ３．米国特許出願公開第２０１７／０２７１３７８号明細書 ４．特開２０１６−２１２８７１号公報（周知技術を示す文献） 第３ 本願発明 本願請求項１−２０に係る発明（以下、それぞれ「本願発明１」−「本願発明２０」という。）は、令和３年１２月２２日提出の手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１−２０に記載された事項により特定される発明であり、本願発明１は以下のとおりの発明である。 「【請求項１】 基板と、 前記基板の上に設けられた駆動電極と、 前記基板の上に設けられ、前記駆動電極と容量結合された検出電極と、 前記駆動電極と電気的に接続された第１薄膜トランジスタ及び第２薄膜トランジスタと、 を備え、 前記基板上にはセンサ領域が設けられ、前記駆動電極は当該センサ領域の一側から他側に亘って第１方向に延在して設けられると共に前記検出電極は当該センサ領域を前記第１方向に交差する第２方向に延在して設けられており、 前記第１薄膜トランジスタは、前記駆動電極に供給される駆動信号の供給回路に含まれ、当該センサ領域外で前記駆動電極の端部に接続されており、 前記第２薄膜トランジスタは、前記駆動電極を選択するための選択回路に含まれ、前記センサ領域外で前記第１薄膜トランジスタを介して前記駆動電極の端部に接続されており、 前記第１薄膜トランジスタの耐圧は、前記第２薄膜トランジスタの耐圧より大きい、検出装置。」 また、本願発明２−２０は、本願発明１を減縮した発明である。 第４ 引用文献、引用発明等 １ 引用文献１について 原査定の拒絶の理由に引用された引用文献１には、図面とともに次の事項が記載されている（下線は、当審で付した。以下同じ。）。 「【００１３】 図示を省略したが、ＴＦＴアレイ基板１０には、データ線駆動回路２０１や走査線駆動回路２０４，２０４以外にも種々の回路が形成されている。例えば、走査線駆動回路２０４と表示領域１１との間にはトランスファーゲートが形成されている。また、ＴＦＴアレイ基板１０の角部には、レベルシフタやＤＣ／ＤＣコンバータ等の回路が形成されている。このように、本実施形態の液晶装置１００は、ＴＦＴアレイ基板１０上に、走査線駆動回路２０４やデータ線駆動回路２０１等の表示領域１１を駆動するための周辺駆動回路を内蔵した駆動回路内蔵型の液晶装置となっている。これら周辺駆動回路は、多結晶半導体であるポリシリコン（ｐ−Ｓｉ）によって、画素回路（すなわち、画素スイッチング用のトランジスタ）と同時に形成される。」 「【００２０】 次に、図５はＴＦＴアレイ基板の部分断面構成図であって、図５（ａ）は図４のＡ−Ａ’線に対応する図、図５（ｂ）は周辺駆動回路の一部を図５（ａ）に対応させて示す断面図である。なお、本実施形態では、図５（ｂ）をデータ線駆動回路２０１の構成を示す図とするが、走査線駆動回路２０４等の他の周辺駆動回路においても同様の構成とすることができる。 【００２１】 図５に示す断面構造をみると、ガラスや石英、プラスチック等の透光性を有する基板１０Ａの内面側（液晶層５０側）に、酸化シリコン等からなる下地絶縁膜２１が形成され、下地絶縁膜２１上に電極３２ｇ（ゲート電極），７３，８０が形成されている。電極７３は保持容量の容量電極（第３の電極）を構成するものであり、電極８０はＴＦＴ３０の遮光膜を構成するものである。電極３１ｇ，７３，８０を覆って酸化シリコン等からなる第１の絶縁膜２６が形成されている。第１の絶縁膜２６上には、所定平面形状にパターニングされたｐ−Ｓｉ薄膜からなる半導体層３０ｓ，３２ｓ，７１が形成されている。半導体層３０ｓ，３２ｓ，７０は、ａ−Ｓｉ薄膜をレーザ結晶化法により結晶化した低温ｐ−Ｓｉ薄膜である。半導体層３２ｓは周辺駆動回路のＴＦＴ３２を構成するものであり、半導体層３０ｓは画素駆動用のＴＦＴ３０を構成するものであり、半導体層７１は保持容量７０の容量電極（第１の電極）を構成するものである。 【００２２】 半導体層３２ｓは第１の絶縁膜２６を介してゲート電極３２ｇと対向する位置に形成されている。第１の絶縁膜２６においてゲート電極３２ｇと対向する部分はＴＦＴ３２のゲート絶縁膜２６ａを構成する。半導体層３２ｓにおいてゲート電極２５と対向する領域にチャネル領域３２ａが形成されており、チャネル領域３２ａを挟んで両側にそれぞれ低濃度ソース領域３２ｄ、低濃度ドレイン領域３２ｅが形成されている。低濃度ソース領域３２ｄの外側に高濃度ソース領域３２ｂが形成され、低濃度ドレイン領域３２ｅの外側に高濃度ドレイン領域３２ｃが形成されている。 【００２３】 半導体層３０は、遮光膜８０と対向する位置に形成されている。半導体層３０ｓ，３１ｓ，３２ｓを覆って酸化シリコン等からなる第２の絶縁膜２２が形成されている。第２の絶縁膜２２を介して前記半導体層３０ｓ，７１とそれぞれ対向する電極３０ｇ（ゲート電極），７２が形成されている。 【００２４】 第２の絶縁膜２２において半導体層３０ｓと対向する部分はＴＦＴ３０のゲート絶縁膜２２ａを構成する。ゲート絶縁膜２２ａはゲート絶縁膜２６ａよりも厚く形成されている。半導体層３０ｓの表面（基板１０Ａとは反対側の面）はレーザ結晶化によって凸凹した面となっているため、ゲート絶縁膜２２を薄く形成するとＴＦＴ３０の電気的特性が安定しなくなるからである。また、画素回路は周辺駆動回路に比べて高い電圧が印加されるため、ゲート絶縁膜２２ａを厚くして耐圧を稼ぐ意味もある。一方、半導体層３０ｓ，３２ｓの裏面は、一般的に表面に比べて平坦性の良い面となる。このため、ゲート絶縁膜２６ａを薄くしてもＴＦＴ３２の安定性には影響しない、また、周辺駆動回路は画素回路に比べて高速動作が要求されるため、ゲート絶縁膜２６ａをなるべく薄くすることによってＴＦＴ３２の駆動能力を高めることが望ましい。」 「【図５】（ａ）  」 「【図５】（ｂ）  」 ここで、上記【００１３】の「このように、本実施形態の液晶装置１００は、ＴＦＴアレイ基板１０上に、走査線駆動回路２０４やデータ線駆動回路２０１等の表示領域１１を駆動するための周辺駆動回路を内蔵した駆動回路内蔵型の液晶装置となっている。これら周辺駆動回路は、多結晶半導体であるポリシリコン（ｐ−Ｓｉ）によって、画素回路（すなわち、画素スイッチング用のトランジスタ）と同時に形成される。」との記載、上記【００２０】の「図５はＴＦＴアレイ基板の部分断面構成図であって、図５（ａ）は図４のＡ−Ａ’線に対応する図、図５（ｂ）は周辺駆動回路の一部を図５（ａ）に対応させて示す断面図である。」との記載、上記【００２１】の「図５に示す断面構造をみると、ガラスや石英、プラスチック等の透光性を有する基板１０Ａの内面側（液晶層５０側）に、酸化シリコン等からなる下地絶縁膜２１が形成され、下地絶縁膜２１上に電極３２ｇ（ゲート電極），７３，８０が形成されている。」、「半導体層３２ｓは周辺駆動回路のＴＦＴ３２を構成するものであり、半導体層３０ｓは画素駆動用のＴＦＴ３０を構成するものであり」との記載、上記【図５】（ａ）及び上記【図５】（ｂ）の記載から、「基板１０Ａと、画素駆動用のＴＦＴ３０及び周辺駆動回路のＴＦＴ３２とを備える液晶装置１００」が記載されていると認められる。 したがって、引用文献１には次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。 「基板１０Ａと、画素駆動用のＴＦＴ３０及び周辺駆動回路のＴＦＴ３２とを備え、 第１の絶縁膜２６においてゲート電極３２ｇと対向する部分は周辺駆動回路のＴＦＴ３２のゲート絶縁膜２６ａを構成し、 第２の絶縁膜２２において半導体層３０ｓと対向する部分は画素駆動用のＴＦＴ３０のゲート絶縁膜２２ａを構成し、ゲート絶縁膜２２ａはゲート絶縁膜２６ａよりも厚く形成され、 画素回路は周辺駆動回路に比べて高い電圧が印加されるため、ゲート絶縁膜２２ａを厚くして耐圧を稼ぐ意味もある、液晶装置１００。」 ２ 引用文献２について 原査定の拒絶の理由に引用された引用文献２には、図面とともに次の事項が記載されている。 「【００４２】 図５に示すように、本実施の形態１におけるタッチ検出機能付き表示デバイス１０は、基板２１と、基板３１と、複数の駆動電極ＤＲＶと、複数の検出電極ＴＤＬと、を有する。基板２１は、主面としての上面２１ａを有し、基板３１は、一方の主面としての下面３１ａ（後述する図６参照）と、下面と反対側の他方の主面としての上面３１ｂと、を有する。ここで、基板３１の上面３１ｂ内で、互いに交差、好適には直交する２つの方向を、Ｘ軸方向およびＹ軸方向とする。このとき、複数の駆動電極ＤＲＶは、平面視において、Ｘ軸方向にそれぞれ延在し、かつ、Ｙ軸方向に配列されている。また、複数の検出電極ＴＤＬは、平面視において、Ｙ軸方向にそれぞれ延在し、かつ、Ｘ軸方向に配列されている。」 「【図５】  」 したがって、「基板上にはタッチ検出領域が設けられ、駆動電極は当該タッチ検出領域のＸ方向に延在して設けられると共に検出電極は当該タッチ検出領域をＸ方向に交差するＹ方向に延在して設けられること」は、本願の出願前に周知技術であったと認められる。 第５ 対比・判断 １ 本願発明１について （１）対比 本願発明１と引用発明とを対比すると、次のことがいえる。 ア 引用発明の「基板１０Ａ」は、本願発明１の「基板」に相当する。 イ 引用発明の「画素駆動用のＴＦＴ３０」及び「周辺駆動回路のＴＦＴ３２」は、「ＴＦＴ」が「薄膜トランジスタ」を意味するから、本願発明１の「第１薄膜トランジスタ」及び「第２薄膜トランジスタ」に相当する。 ウ 引用発明の「液晶装置１００」は、本願発明１の「検出装置」と、「装置」である点で共通する。また、引用発明において、「液晶装置１００」は、「基板１０Ａと、画素駆動用のＴＦＴ３０及び周辺駆動回路のＴＦＴ３２とを備え」るから、上記ア、イを踏まえると、本願発明１と引用発明は、「基板と」、「第１薄膜トランジスタ及び第２薄膜トランジスタと、を備え」る「装置」である点で共通する。 エ 引用発明において、「第１の絶縁膜２６においてゲート電極３２ｇと対向する部分は周辺駆動回路のＴＦＴ３２のゲート絶縁膜２６ａを構成し」、「第２の絶縁膜２２において半導体層３０ｓと対向する部分は画素駆動用のＴＦＴ３０のゲート絶縁膜２２ａを構成し、ゲート絶縁膜２２ａはゲート絶縁膜２６ａよりも厚く形成され」、「画素回路は周辺駆動回路に比べて高い電圧が印加されるため、ゲート絶縁膜２２ａを厚くして耐圧を稼ぐ意味もある」ことから、画素駆動用のＴＦＴ３０の耐圧が周辺駆動回路のＴＦＴ３２の耐圧より大きいことは明らかである。そうすると、上記イを踏まえると、本願発明１と引用発明は、「前記第１薄膜トランジスタの耐圧は、前記第２薄膜トランジスタの耐圧より大きい」点で一致する。 したがって、本願発明１と引用発明との間には、次の一致点、相違点があるといえる。 （一致点） 「基板と、 第１薄膜トランジスタ及び第２薄膜トランジスタと、 を備え、 前記第１薄膜トランジスタの耐圧は、前記第２薄膜トランジスタの耐圧より大きい、装置。」 （相違点１） 本願発明１では、「前記基板の上に設けられた駆動電極と」、「前記基板の上に設けられ、前記駆動電極と容量結合された検出電極」を備えるのに対し、引用発明では、このような構成について特定されていない点。 （相違点２） 第１薄膜トランジスタ及び第２薄膜トランジスタにおいて、本願発明１では、「前記駆動電極と電気的に接続され」ているのに対し、引用発明では、このような構成について特定されていない点。。 （相違点３） 本願発明１では、「前記基板上にはセンサ領域が設けられ、前記駆動電極は当該センサ領域の一側から他側に亘って第１方向に延在して設けられると共に前記検出電極は当該センサ領域を前記第１方向に交差する第２方向に延在して設けられて」いるのに対し、引用発明では、このような構成について特定されていない点。 （相違点４） 本願発明１では、「前記第１薄膜トランジスタは、前記駆動電極に供給される駆動信号の供給回路に含まれ、当該センサ領域外で前記駆動電極の端部に接続されて」いるのに対し、引用発明では、このような構成について特定されていない点。 （相違点５） 本願発明１では、「前記第２薄膜トランジスタは、前記駆動電極を選択するための選択回路に含まれ、前記センサ領域外で前記第１薄膜トランジスタを介して前記駆動電極の端部に接続されて」いるのに対し、引用発明では、このような構成について特定されていない点。 （相違点６） 本願発明１では、「検出装置」であるのに対し、引用発明では、「液晶装置１００」である点。 （２）相違点についての判断 事案に鑑みて、相違点４、５について先に検討する。また、相違点４、５は、「駆動電極の端部」に関するものである点で互いに関連しているので、まとめて検討する。 上記第４の２に記載のとおり、「基板上にはタッチ検出領域が設けられ、駆動電極は当該タッチ検出領域のＸ方向に延在して設けられると共に検出電極は当該タッチ検出領域をＸ方向に交差するＹ方向に延在して設けられること」は、本願の出願前に周知技術であったと認められる。また、タッチ検出回路分野の技術常識に照らすと、駆動電極の端部に接続される、「駆動電極に供給される駆動信号の供給回路」及び「駆動電極を選択するための選択回路」を備えることも、本願の出願前に周知技術であったと認められる。 しかしながら、引用文献２には、上記相違点４、５に係る本願発明１の構成について記載も示唆もなく、このような構成が本願の出願前に周知技術であったともいえない。そして、本願発明１は、相違点４、５に係る構成により、「薄膜トランジスタの耐圧性を確保し、且つ、狭額縁化が可能な検出装置を提供する」という格別の効果を奏するものであるから、このような構成とすることが単なる設計的事項であるともいえない。 また、引用文献３−４には、上記相違点４、５に係る本願発明１の構成について記載も示唆もない。 したがって、相違点４、５に係る本願発明１の構成は、引用文献２−４に記載されたものではなく、周知技術であったともいえないから、当業者といえども、引用発明及び引用文献２−４に記載された技術的事項から、相違点４、５に係る本願発明１の構成を容易に想到することはできない。 したがって、上記相違点１−３、６について判断するまでもなく、本願発明１は、当業者であっても、引用発明及び引用文献２−４に記載された技術的事項に基づいて容易に発明できたものとはいえない。 ２ 本願発明２−２０について 本願発明２−２０は、本願発明１と同一の構成を備えるものであるから、本願発明１と同じ理由により、当業者であっても、引用発明及び引用文献２−４に記載された技術的事項に基づいて容易に発明できたものとはいえない。 第６ むすび 以上のとおり、本願発明１−２０は、当業者が引用発明及び引用文献２−４に記載された技術的事項に基づいて容易に発明をすることができたものではない。 したがって、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。 また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり審決する。 |
| 審決日 | 2022-12-13 |
| 出願番号 | P2018-039943 |
| 審決分類 |
P
1
8・
121-
WY
(G06F)
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| 最終処分 | 01 成立 |
| 特許庁審判長 |
▲吉▼田 耕一 |
| 特許庁審判官 |
野崎 大進 中野 裕二 |
| 発明の名称 | 検出装置 |
| 代理人 | 弁理士法人スズエ国際特許事務所 |