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審決分類 審判 全部申し立て 特36条4項詳細な説明の記載不備  C30B
審判 全部申し立て 1項3号刊行物記載  C30B
審判 全部申し立て 判示事項別分類コード：857  C30B
審判 全部申し立て ただし書き1号特許請求の範囲の減縮  C30B
審判 全部申し立て ただし書き2号誤記又は誤訳の訂正  C30B
審判 全部申し立て 特36条6項1、2号及び3号 請求の範囲の記載不備  C30B
審判 全部申し立て 2項進歩性  C30B
管理番号 1393067
総通号数 13 
発行国 JP 
公報種別 特許決定公報 
発行日 2023-01-27 
種別 異議の決定 
異議申立日 2021-09-16 
確定日 2022-10-28 
異議申立件数 1 
訂正明細書 true 
事件の表示 特許第６８４５４１８号発明「炭化ケイ素単結晶ウェハ、インゴット及びその製造方法」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。 
結論 特許第６８４５４１８号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項１、２、〔３、４〕、５、〔６−１３〕、１４について訂正することを認める。 特許第６８４５４１８号の請求項１ないし１４に係る特許を維持する。 
理由 第１ 手続の経緯

特許第６８４５４１８号の請求項１〜１３に係る特許についての出願は、平成２９年１月１３日を出願日とする出願であり、令和３年３月２日にその特許権の設定登録がされ、同年同月１７日に特許掲載公報が発行され、その後、同年９月１６日に、その請求項１〜１３に係る特許を対象として特許異議申立人野尻文人（以下、「異議申立人」という。）により、特許異議の申立てがなされ、同年１２月１４日付けで取消理由が通知され、令和４年２月８日に新型コロナウイルスの影響による期間延長に関する上申書の提出があり、当審はこれを認容し、上記取消理由通知に対応する応答期間を職権により２０日間延長することとし、延長された指定期間内である同年３月４日に特許権者より意見書の提出及び訂正の請求があり、これに対し、同年５月１０日に異議申立人より、意見書の提出がなされたものである。

第２ 訂正の適否

１ 訂正事項
上記令和４年３月４日にされた訂正の請求（以下、その訂正を「本件訂正」という。）は、特許法第120条の5第4項に従い、一群の請求項を構成する請求項〔１、２〕、〔３−５〕、〔６−１３〕を訂正の単位として、本件特許請求の範囲を、訂正請求書に添付した訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項１、２、〔３、４〕、５、〔６−１３〕、１４について訂正することを求めるものであって、その具体的な訂正事項は次のとおりである（なお、訂正箇所に下線を付した。）。
（１）訂正事項１
特許請求の範囲の請求項１に「貫通転位密度が１００個／ｃｍ２未満であることを特徴とする」とあるのを、「貫通転位密度が１０個／ｃｍ２未満であり、当該貫通転位密度は、水酸化カリウムでエッチングを行うことで生じる前記領域内のエッチピットの数を測定することにより得られる転位密度であることを特徴とする」に訂正する。

（２）訂正事項２
特許請求の範囲の請求項２に「前記の円形の領域の外側の領域において、貫通転位密度が１００個／ｃｍ２以上であることを特徴とする請求項１に記載の炭化ケイ素単結晶ウェハ。」とあるのを、「円板状の炭化ケイ素単結晶ウェハであって、
前記ウェハの直径が、１５ｍｍ以上であり、
前記ウェハの平面が、炭化ケイ素単結晶の（０００１）面から±５度以下にあり、
少なくとも、直径がウェハの直径の１／３であり、中心がウェハの中心と同じである円形の領域において、貫通転位密度が１００個／ｃｍ２未満であり、
前記の円形の領域の外側の領域において、前記貫通転位密度が１００個／ｃｍ２以上であり、
当該貫通転位密度は、水酸化カリウムでエッチングを行うことで生じる前記円形の領域及び前記外側の領域内のエッチピットの数を測定することにより得られる転位密度であることを特徴とする、炭化ケイ素単結晶ウェハ。」に訂正する。

（３）訂正事項３
特許請求の範囲の請求項３に「貫通転位密度が１００個／ｃｍ２未満であり、」とあるのを、「貫通転位密度が１０個／ｃｍ２未満であり、当該貫通転位密度は、水酸化カリウムでエッチングを行うことで生じる前記領域内のエッチピットの数を測定することにより得られる転位密度であり、」に訂正する。
（請求項３を引用する請求項４についても同様に訂正する。）

（４）訂正事項４
特許請求の範囲の請求項５に「前記の円形の領域の外側の領域において、貫通転位密度が１００個／ｃｍ２以上であることを特徴とする請求項３又は４に記載の炭化ケイ素単結晶インゴット。」とあるのを、「略円柱状又は略多角柱状の炭化ケイ素単結晶インゴットであって、
結晶成長面が、炭化ケイ素単結晶の（０００−１）面から０．５度以上５度以下傾いたオフ角を有し、
結晶成長方向に対して垂直な平面内において、少なくとも、直径がインゴット断面の直径又は最遠頂点間距離の１／３であり、中心がインゴット断面の中心と同じである円形の領域において、貫通転位密度が１００個／ｃｍ２未満であり、かつ、前記の円形の領域の外側の領域において、前記貫通転位密度が１００個／ｃｍ２以上であり、
当該貫通転位密度は、水酸化カリウムでエッチングを行うことで生じる前記円形の領域及び前記外側の領域内のエッチピットの数を測定することにより得られる転位密度であり、
前記インゴットの、結晶成長方向に対して垂直な平面での断面の直径又は最遠頂点間距離が、１５ｍｍ以上であることを特徴とする炭化ケイ素単結晶インゴット。」に訂正する。

（５）訂正事項５
特許請求の範囲の請求項１４に、「略円柱状又は略多角柱状の炭化ケイ素単結晶インゴットであって、
結晶成長面が、炭化ケイ素単結晶の（０００−１）面から０．５度以上５度以下傾いたオフ角を有し、
結晶成長方向に対して垂直な平面内において、少なくとも、直径がインゴット断面の直径又は最遠頂点間距離の１／３であり、中心がインゴット断面の中心と同じである円形の領域において、貫通転位密度が１００個／ｃｍ２未満であり、かつ、前記の円形の領域の外側の領域において、前記貫通転位密度が１００個／ｃｍ２以上であり、
当該貫通転位密度は、水酸化カリウムでエッチングを行うことで生じる前記円形の領域及び前記外側の領域内のエッチピットの数を測定することにより得られる転位密度であり、
前記インゴットの、結晶成長方向に対して垂直な平面での断面の直径又は最遠頂点間距離が、１５ｍｍ以上であり、
結晶成長方向の長さが１０ｍｍ以上であることを特徴とする炭化ケイ素単結晶インゴット。」を追加する。

（６）訂正事項６
特許請求の範囲の請求項６に「種結晶の中心部に接触する上昇流を形成していることを特徴とする」とあるのを、「種結晶の中心部に接触する上昇流を形成し、
前記上昇流の速度は成長界面から１ｃｍ離れた位置で０．５ｃｍ／ｓ以上、５ｃｍ／ｓ以下であることを特徴とする」に訂正する。
（請求項６を直接又は間接的に引用する請求項７〜１３についても同様に訂正する。）

２ 訂正の目的の適否、新規事項の有無及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否
（１）訂正事項１及び３について
ア 訂正事項１及び３は、貫通転位密度の範囲を限定するものであると共に、貫通転位密度が、水酸化カリウムでエッチングを行うことで生じるエッチピットの数を測定することにより得られるものであることを限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。

イ 本件明細書の【００４７】〜【００５０】には、［実施例１−１］における炭化ケイ素単結晶ウェハが記載されているところ、同【００４９】には、「得られた、育成結晶の中央部を厚さ５００μｍにワイヤソーを用いて、（０００１）面でスライスし、その後Ｓｉ面側を鏡面研磨した後に、ＫＯＨでエッチングを行い、顕微鏡によりエッチピットの数を測定することにより貫通転位密度を評価した結果、スライスしたウェハの中心から半径５ｍｍ以内の領域において、貫通転位に由来するエッチピット密度は１０個／ｃｍ２未満であった。」との記載があり、上記箇所には、貫通転位密度が、水酸化カリウム（ＫＯＨ）でエッチングを行うことで生じるエッチピットの数を測定することにより得られるものであること、さらに、それにより測定される貫通転位密度が、「１０個／ｃｍ２未満」であることが記載されているといえるから、訂正事項１及び３は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正である。

ウ 訂正事項１及び３は、貫通転位密度をさらに限定するものであるから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。

（２）訂正事項２について
ア 訂正事項２は、訂正前の請求項１を引用していた訂正前の請求項２の記載を、独立形式に書き下した上で、訂正前の請求項１に記載されていた「貫通転位密度」と訂正前の請求項２に記載されていた「貫通転位密度」との関係を明確にするために、訂正前の請求項２に記載されていた「貫通転位密度」に「前記」との記載を付加すると共に、訂正事項１と同様に、貫通転位密度が、水酸化カリウムでエッチングを行うことで生じるエッチピットの数を測定することにより得られるものであることを限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮、明瞭でない記載の釈明及び他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすることを目的とするものである。

イ 訂正前の請求項１を引用していた訂正前の請求項２の記載を、独立形式に書き下す訂正、及び訂正前の請求項１に記載されていた「貫通転位密度」と訂正前の請求項２に記載されていた「貫通転位密度」の関係を明確にするために、訂正前の請求項２に記載されていた「貫通転位密度」に「前記」との記載を付加する訂正は、訂正前後で実質的にその内容が変わるものではないから、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではないことは明らかである。
また、貫通転位密度が、「水酸化カリウムでエッチングを行うことで生じる前記領域内のエッチピットの数を測定することにより得られる」ものであることを限定する訂正が、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではないことは、上記（１）イ及びウで述べたとおりである。
そうすると、訂正事項２は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であるし、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。

（３）訂正事項４について
ア 訂正事項４は、訂正前の請求項３を引用していた訂正前の請求項５の記載を、独立形式に書き下した上で、訂正前の請求項３に記載されていた「貫通転位密度」と訂正前の請求項５に記載されていた「貫通転位密度」との関係を明確にするために、訂正前の請求項５に記載されていた「貫通転位密度」に「前記」との記載を付加すると共に、訂正事項１と同様に、貫通転位密度が、水酸化カリウムでエッチングを行うことで生じるエッチピットの数を測定することにより得られるものであることを限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮、明瞭でない記載の釈明及び他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすることを目的とするものである。

イ 訂正事項４は、訂正事項２と同様の訂正であるから、上記（２）イで述べたのと同様に、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であるし、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。

（４）訂正事項５について
ア 訂正事項５は、訂正前の請求項３を引用していた訂正前の請求項４をさらに引用していた訂正前の請求項５の記載を、独立形式に書き下し新たに請求項１４にした上で、訂正前の請求項３に記載されていた「貫通転位密度」と訂正前の請求項５に記載されていた「貫通転位密度」との関係を明確にするために、訂正前の請求項５に記載されていた「貫通転位密度」に「前記」との記載を付加すると共に、訂正事項１と同様に、貫通転位密度が、水酸化カリウムでエッチングを行うことで生じるエッチピットの数を測定することにより得られるものであることを限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮、明瞭でない記載の釈明及び他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすることを目的とするものである。

イ 訂正事項５は、訂正事項２と同様の訂正であるから、上記（２）イで述べたのと同様に、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であるし、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。

（５）訂正事項６について
ア 訂正事項６は、種結晶の中心部に接触する上昇流の速度の範囲を限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。

イ 本件明細書の【００２８】には、「原料溶液５は、るつぼ３の中央部、るつぼ３内を下から上に移動する上昇流６が形成され、種結晶９の中心部に接触している。上昇流の速度は成長界面から１ｃｍ離れた位置で０．５ｃｍ／ｓ以上、５ｃｍ／ｓ以下であることが好ましい。」との記載があるから、訂正事項６は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正である。

ウ 種結晶の中心部に接触する上昇流が所定の速度を有していることは明らかであるところ、訂正事項６は、その上昇流の速度の範囲を限定するものであるから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。

なお、訂正後の請求項２、５、１４については、当該請求項についての訂正が認められる場合には、一群の他の請求項とは別の訂正単位とする求めがなされているので、これを認める。

３ 本件訂正に関する異議申立人の主張について
（１）異議申立人の主張の概要
異議申立人は、令和４年５月１０日に提出された意見書において、概略、以下のように主張している。
本件明細書には、貫通らせん転位と貫通刃状転位を合わせて「貫通転位」と定義付ける記載があると共に、「貫通転位」の他に、「基底面転位や積層欠陥」が存在することが記載されていることから、本件発明における、「貫通転位密度」とは、貫通らせん転位と貫通刃状転位を合わせた「貫通転位」の密度を意味するものであり、基底面転位や積層欠陥は含まれていないと解される。
これに対して、訂正事項１〜５は、いずれも「当該貫通転位密度は、水酸化カリウムでエッチングを行うことで生じる前記領域内のエッチピットの数を測定することにより得られる転位密度であり、」と転位密度の測定方法に関する記載を追加する訂正を含むところ、これらの訂正事項に関連し、意見書で「「貫通転位」という用語は、基板を貫通する転位をいい、本件特許発明における貫通転位密度は、エッチピットを生じさせる貫通転位のすべてを含みます」（特許権者意見書１０頁下から７〜６行）と主張すると共に、甲第８号証の記載に関し、「これらの基底面転位には、ＫＯＨが侵入してエッチピットを形成します。基底面転位（基底面の面内方向に走る転位）もエッチピットを形成することは、別紙２に示したとおり、乙第２号証にも明確に記載されております。」（特許権者意見書４１頁下から３〜１行）と主張し、本件訂正前の上記訂正事項に係る「貫通転位密度」に含まれる転位の種類が「貫通らせん転位、貫通刃状転位」であったものを、本件訂正により「貫通らせん転位、貫通刃状転位、基底面転位、積層欠陥」まで含めている。
そうすると、上記訂正事項１〜５は、実質的に特許請求の範囲を拡張または変更するものであるから、本件訂正は認められない。

（２）異議申立人の主張に対する判断
訂正の適否の判断は、あくまで、訂正事項と本件特許請求の範囲及び本件明細書に記載の事項との関係で判断すべきものであるところ、本件訂正には、「貫通転位密度」に含まれる転位の種類が、「貫通らせん転位、貫通刃状転位、基底面転位、積層欠陥」であることを示す訂正はなされていないし、本件特許請求の範囲及び本件明細書に記載の事項との関係で、本件訂正が、実質的に特許請求の範囲を拡張または変更するものではなく、認容できるものであることは、上記２（１）〜（４）で述べたとおりである。
そうすると、異議申立人の上記（１）の主張は、採用することができない。

４ 小括
本件訂正は、特許法第120条の5第4項の規定に従い、一群の請求項を構成する請求項〔１、２〕、〔３−５〕、〔６−１３〕について訂正することを求めるものであるところ、上記２のとおり、訂正事項１〜６は、特許法第120条の5第2項ただし書第１号、第３号及び第４号に掲げる事項を目的とするものに該当し、かつ、同条第９項において準用する同法第126条第5項及び第６項の規定に適合するものであるから、本件特許請求の範囲を訂正請求書に添付した訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項１、２、〔３、４〕、５、〔６−１３〕、１４について訂正することを認める。

第３ 本件発明

上記第２のとおり、本件訂正は認容し得るものであるから、本件訂正後の請求項１ないし１４に係る発明（以下、各請求項に係る発明及び特許を項番に対応させて「本件発明１」、「本件特許１」などといい、併せて「本件発明」、「本件特許」ということがある。）は、次のとおりである。
「【請求項１】
円板状の炭化ケイ素単結晶ウェハであって、
前記ウェハの直径が、１５ｍｍ以上であり、
前記ウェハの平面が、炭化ケイ素単結晶の（０００１）面から±５度以下にあり、
少なくとも、直径がウェハの直径の１／３であり、中心がウェハの中心と同じである円形の領域において、貫通転位密度が１０個／ｃｍ２未満であり、
当該貫通転位密度は、水酸化カリウムでエッチングを行うことで生じる前記領域内のエッチピットの数を測定することにより得られる転位密度であることを特徴とする、炭化ケイ素単結晶ウェハ。
【請求項２】
円板状の炭化ケイ素単結晶ウェハであって、
前記ウェハの直径が、１５ｍｍ以上であり、
前記ウェハの平面が、炭化ケイ素単結晶の（０００１）面から±５度以下にあり、
少なくとも、直径がウェハの直径の１／３であり、中心がウェハの中心と同じである円形の領域において、貫通転位密度が１００個／ｃｍ２未満であり、
前記の円形の領域の外側の領域において、前記貫通転位密度が１００個／ｃｍ２以上であり、
当該貫通転位密度は、水酸化カリウムでエッチングを行うことで生じる前記円形の領域及び前記外側の領域内のエッチピットの数を測定することにより得られる転位密度であることを特徴とする、炭化ケイ素単結晶ウェハ。
【請求項３】
略円柱状又は略多角柱状の炭化ケイ素単結晶インゴットであって、
結晶成長面が、炭化ケイ素単結晶の（０００−１）面から０．５度以上５度以下傾いたオフ角を有し、
結晶成長方向に対して垂直な平面内において、少なくとも、直径がインゴット断面の直径又は最遠頂点間距離の１／３であり、中心がインゴット断面の中心と同じである円形の領域において、貫通転位密度が１０個／ｃｍ２未満であり、
当該貫通転位密度は、水酸化カリウムでエッチングを行うことで生じる前記領域内のエッチピットの数を測定することにより得られる転位密度であり、
前記インゴットの、結晶成長方向に対して垂直な平面での断面の直径又は最遠頂点間距離が、１５ｍｍ以上であることを特徴とする、炭化ケイ素単結晶インゴット。
【請求項４】
結晶成長方向の長さが１０ｍｍ以上である請求項３に記載の炭化ケイ素単結晶インゴット。
【請求項５】
略円柱状又は略多角柱状の炭化ケイ素単結晶インゴットであって、
結晶成長面が、炭化ケイ素単結晶の（０００−１）面から０．５度以上５度以下傾いたオフ角を有し、
結晶成長方向に対して垂直な平面内において、少なくとも、直径がインゴット断面の直径又は最遠頂点間距離の１／３であり、中心がインゴット断面の中心と同じである円形の領域において、貫通転位密度が１００個／ｃｍ２未満であり、かつ、前記の円形の領域の外側の領域において、前記貫通転位密度が１００個／ｃｍ２以上であり、
当該貫通転位密度は、水酸化カリウムでエッチングを行うことで生じる前記円形の領域及び前記外側の領域内のエッチピットの数を測定することにより得られる転位密度であり、
前記インゴットの、結晶成長方向に対して垂直な平面での断面の直径又は最遠頂点間距離が、１５ｍｍ以上であることを特徴とする炭化ケイ素単結晶インゴット。
【請求項６】
炭化ケイ素の種結晶を、ケイ素及び炭素を含む原料溶液に上方より接触させながら結晶を成長させる炭化ケイ素単結晶の製造方法において、
前記種結晶の結晶成長面は（０００−１）面から０．５度以上５度以下傾いたオフ角を有し、
結晶成長中の原料溶液の溶液流れが、種結晶の中心部に接触する上昇流を形成し、
前記上昇流の速度は成長界面から１ｃｍ離れた位置で０．５ｃｍ／ｓ以上、５ｃｍ／ｓ以下であることを特徴とする、
炭化ケイ素単結晶の製造方法。
【請求項７】
前記種結晶の厚さが、０．３ｍｍ以上であることを特徴とする請求項６に記載の炭化ケイ素単結晶の製造方法。
【請求項８】
前記種結晶の厚さが、３ｍｍ以上であることを特徴とする請求項６に記載の炭化ケイ素単結晶の製造方法。
【請求項９】
前記種結晶が、回転中心が種結晶の中心と一致するように回転することを特徴とする請求項６〜８のいずれか１項に記載の炭化ケイ素単結晶の製造方法。
【請求項１０】
前記種結晶の回転方向が、周期的に反転することを特徴とする請求項９に記載の炭化ケイ素単結晶の製造方法。
【請求項１１】
原料溶液の側面より底面をより強く加熱することにより、原料溶液に上昇流を形成することを特徴とする請求項６〜１０のいずれか１項に記載の炭化ケイ素単結晶の製造方法。
【請求項１２】
炭化ケイ素単結晶を、１０ｍｍ以上成長させることを特徴とする請求項６〜１１のいずれか１項に記載の炭化ケイ素単結晶の製造方法。
【請求項１３】
前記炭化ケイ素単結晶の、結晶成長方向に対して垂直な平面での断面の直径又は最遠頂点間距離が、１５ｍｍ以上であることを特徴とする請求項６〜１２のいずれか１項に記載の炭化ケイ素単結晶の製造方法。
【請求項１４】
略円柱状又は略多角柱状の炭化ケイ素単結晶インゴットであって、
結晶成長面が、炭化ケイ素単結晶の（０００−１）面から０．５度以上５度以下傾いたオフ角を有し、
結晶成長方向に対して垂直な平面内において、少なくとも、直径がインゴット断面の直径又は最遠頂点間距離の１／３であり、中心がインゴット断面の中心と同じである円形の領域において、貫通転位密度が１００個／ｃｍ２未満であり、かつ、前記の円形の領域の外側の領域において、前記貫通転位密度が１００個／ｃｍ２以上であり、
当該貫通転位密度は、水酸化カリウムでエッチングを行うことで生じる前記円形の領域及び前記外側の領域内のエッチピットの数を測定することにより得られる転位密度であり、
前記インゴットの、結晶成長方向に対して垂直な平面での断面の直径又は最遠頂点間距離が、１５ｍｍ以上であり、
結晶成長方向の長さが１０ｍｍ以上であることを特徴とする炭化ケイ素単結晶インゴット。」

第４ 特許異議の申立理由及び令和３年１２月１４日付けで通知した取消理由の概要

１ 特許異議の申立理由の概要
異議申立人が主張する特許異議申立理由は、概略、以下のとおりである。
ここで、異議申立人が提出した証拠方法は、次のものである。
甲第１号証：特開２０１６−５６０７１号公報
甲第２号証：特開２０１６−１５０８８２号公報
甲第３号証：Kanaparin Ariyawong et.al.,「Analysis of Macrostep Formation during Top Seeded Solution Growth of 4H-SiC」,CRYSTAL GROWTH & DESIGN,2016,16,p.3231〜3236
甲第４号証：国際公開第２０１６／０５１４８５号
甲第５号証：特開２００１−２９４４９９号公報
甲第６号証：科学研究費助成事業研究成果報告書 平成２６年５月３０日現在、研究代表者 宇治原 徹、研究課題名（和文）無転位ＳｉＣ結晶の実現、研究期間：2011〜2013
甲第７号証：特開２０１５−１６０７７２号公報
甲第８号証：恩田正一，「４Ｈ−ＳｉＣにおける結晶欠陥の微細構造とデバイス特性への影響に関する研究」，筑波大学大学院博士課程 数理物質科学研究科博士論文 博士（工学），２０１３年
（以下、甲第１号証等を略して、「甲１」などという。）

（１）特許法第29条第1項第3号所定の規定違反（新規性欠如）及び同法同条第２項所定の規定違反（進歩性欠如）
ア 訂正前の請求項１、３に係る発明は、甲８に記載された発明であって、特許法第29条第1項第3号に該当するから、その特許は、特許法第29条第1項第3号の規定に違反してされたものであり、また、訂正前の請求項１〜５に係る発明は、甲８に記載された発明及び甲１〜６に記載の事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、その特許は、特許法第29条第2項の規定に違反してされたものである（申立理由１）。

イ 訂正前の請求項１、３、４、６、９、１０、１３に係る発明は、甲１に記載された発明であって、特許法第29条第1項第3号に該当するから、その特許は、特許法第29条第1項第3号の規定に違反してされたものであり、また、訂正前の請求項１、３、４、６〜１３に係る発明は、甲１に記載された発明及び甲２、４、７に記載の事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、その特許は、特許法第29条第2項の規定に違反してされたものである（申立理由２）。

ウ 訂正前の請求項１、３、４、６に係る発明は、甲３に記載された発明であって、特許法第29条第1項第3号に該当するから、その特許は、特許法第29条第1項第3号の規定に違反してされたものであり、また、訂正前の請求項１、３、４、６に係る発明は、甲３に記載された発明及び甲１、２、４〜６、８に記載の事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、その特許は、特許法第29条第2項の規定に違反してされたものである（申立理由３）。

エ 訂正前の請求項６に係る発明は、甲２に記載された発明及び甲４〜６に記載の事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、その特許は、特許法第29条第2項の規定に違反してされたものである（申立理由４）。

（２）特許法第36条第6項第1号所定の規定違反（サポート要件違反）
本件特許は、訂正前の特許請求の範囲の請求項１、３、６の記載が後記第５の２（１）アの点で不備のため、特許法第36条第6項第1号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである（申立理由５）。

（３）特許法第36条第4項第1号所定の規定違反（実施可能要件違反）
本件特許は、訂正前の請求項６に係る発明に対応する、明細書の発明の詳細な説明の記載が後記第５の２（２）アの点で不備のため、特許法第36条第4項第1号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである（申立理由６）。

２ 令和３年１２月１４日付けで通知した取消理由の概要
（１）特許法第29条第1項第3号所定の規定違反（新規性欠如）及び同法同条第２項所定の規定違反（進歩性欠如）
ア 訂正前の請求項１、３、４に係る発明は、甲８に記載された発明であって、特許法第29条第1項第3号に該当するから、その特許は、特許法第29条第1項第3号の規定に違反してされたものであり、また、訂正前の請求項１、３、４に係る発明は、甲８に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、その特許は、特許法第29条第2項の規定に違反してされたものである（取消理由１）。

イ 訂正前の請求項６、９、１０、１３に係る発明は、甲１に記載された発明であって、特許法第29条第1項第3号に該当するから、その特許は、特許法第29条第1項第3号の規定に違反してされたものであり、また、訂正前の請求項６〜１３に係る発明は、甲１に記載された発明及び甲２、４、８に記載される周知の技術的事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、その特許は、特許法第29条第2項の規定に違反してされたものである（取消理由２）。

ウ 訂正前の請求項６、１３に係る発明は、甲３に記載された発明であって、特許法第29条第1項第3号に該当するから、その特許は、特許法第29条第1項第3号の規定に違反してされたものであり、また、訂正前の請求項６〜１３に係る発明は、甲３に記載された発明及び甲１、２、４、８に記載される周知の技術的事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、その特許は、特許法第29条第2項の規定に違反してされたものである（取消理由３）。

（２）特許法第36条第6項第1号所定の規定違反（サポート要件違反）
本件特許は、訂正前の特許請求の範囲の請求項６〜１３の記載が後記第５の２（３）アの点で不備のため、特許法第36条第6項第1号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである（取消理由４）。

第５ 当審の判断

本件発明１４は、本件訂正により、少なくとも訂正前の請求項３を引用していた訂正前の請求項４をさらに引用していた訂正前の請求項５の記載を、独立形式に書き下し新たな請求項にしたものであるところ、訂正前の請求項５に係る発明は、特許異議申立ての対象となっていた請求項であるから、訂正前の請求項５に係る発明を対象としていた取消理由及び申立理由の判断の対象に、本件発明１４も加える。
また、取消理由及び申立理由のうち、まず、新規性欠如及び進歩性欠如の理由について判断し、次に、記載不備に関する理由についての判断を行う。

１ 申立理由１〜４及び取消理由１〜３について
（１）甲１〜８に記載された事項
ア 甲１に記載された事項
（ア）「【請求項１】
炭化ケイ素の種結晶を、ケイ素及び炭素を含む原料溶液に接触させながら回転させる炭化ケイ素の結晶の製造方法において、
前記種結晶の結晶成長面はオフ角を有し、
前記種結晶の回転中心の位置が、前記種結晶の中心位置に対して、前記オフ角の形成方向であるステップフロー方向の下流側にあり、
前記種結晶の回転が、周期的に正回転と逆回転を繰り返すことを特徴とする炭化ケイ素の結晶の製造方法。」

（イ）「【０００５】
ＳｉＣ単結晶の高品質化に関して、液相成長法ではオフ角を有する種結晶基板（以下オフ基板と記す）上に結晶成長させた場合、成長方向に平行に伸びる貫通らせん転位や貫通刃状転位が基底面上の欠陥に変換されることで、成長に伴い欠陥が結晶の外部に掃きだされることで成長結晶内の転位密度を劇的に減少させることが可能であると報告されている（特許文献１、非特許文献１）。
【０００６】
一方、ＳｉＣ単結晶の大型化の課題として、結晶育成時の成長界面における表面荒れの発生が挙げられる。結晶成長中に一旦表面荒れが発生すると、その修復は極めて困難であることから、それ以上の結晶育成は実質不可能となる。この表面荒れの発生は特にオフ基板上への結晶成長時に顕著に現れる現象である。そこで、表面荒れの発生を防止する為に成長雰囲気中に添加成分を加える、成長界面近傍の温度勾配を低減する、或いは溶媒流れを制御するなどの手法が提案されている。(非特許文献２、３、４) ・・・
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上述のように、ＳｉＣ単結晶の高品質化、大口径化を両立させるためにはオフ基板上への結晶成長時に表面荒れが発生しない結晶育成技術の開発が望まれる。しかしながら、オフ基板上への結晶成長では成長界面の形状不安定が生じ、結晶成長の進行に伴い部分的にトレンチと呼ばれる窪みが発生するため、オフ基板上への結晶育成ではオン基板（オフ角を有しない種結晶基板）上への結晶育成と比べて表面荒れが生じやすいという問題がある。また、非特許文献２と非特許文献３では、いずれもオン基板を用いている。現在のＳｉＣバルク単結晶の育成では種結晶としてオン基板を使用せざるを得ない状況である。オフ基板上への結晶育成において表面荒れが発生しない成長技術が実現されれば、高品質な大型結晶が可能になるものと期待されている。
【００１０】
本発明は、オフ基板上への結晶成長において表面荒れが抑制可能な炭化ケイ素の結晶成長方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明者らは、表面荒れ発生の原因として結晶表面上へのトレンチの形成に着目した。トレンチ部では溶媒からの炭素供給が滞る為、結晶育成中に一旦トレンチが発生すると、その後の表面荒れの修復は極めて困難である。本発明者らは、種結晶としてオフ基板を用いても、オフ基板のステップフロー方向に対する溶媒の流れの方向を対向流となるようにすることにより、オフ基板上への結晶育成におけるトレンチ形成の抑制が可能であることを見出した。」

（ウ）「【００２４】
種結晶９は、４Ｈ−ＳｉＣおよび６Ｈ−ＳｉＣに代表される結晶多形を用いることができる。図２は種結晶９の表面の模式図である。種結晶９は（０００１）面に対して０．５〜２度傾斜して切断されて形成されており、種結晶９の表面と（０００１）面との角度をオフ角と呼ぶ。また、ステップフロー方向とは、オフ角が進展する方向である。例えば、［１１−２０］方向に向けてオフ角が形成されていれば、ステップフロー方向は［１１−２０］方向である。後述するとおり、原料溶液５を、ステップフロー方向と対向する方向１４に流動させることで、結晶成長時のトレンチの発生を抑制することができる。」

（エ）「【実施例】
【００３８】
［実施例１］
最大回転速度２０ｒｐｍで、３０秒周期で正回転と逆回転を入れ替えながら回転する黒鉛るつぼ内の１９００℃のＳｉ−４０ａｔ．％Ｃｒ溶媒中に直径１インチの４Ｈ−ＳｉＣ種結晶Ｃ面（１度オフ基板）を浸漬し、種結晶の最大回転速度１５０ｒｐｍ、２分周期で正回転と逆回転を入れ替えながら３時間成長させた。種結晶の回転中心位置は種結晶の中心位置から２．５ｃｍ離れた地点とし、種結晶中心からみた種結晶の回転中心の方向はステップフロー方向と同一、すなわち、回転中心から種結晶の中心に向けた方向と、ステップフロー方向との間をなす角度が１８０度であるように設定した。
【００３９】
得られた単結晶の成長表面のモフォロジーを観察した結果、図５に示すように、ほぼ全面に渡り成長表面でのトレンチ形成が抑制されていた。これは、実施例１での回転により、種結晶の成長表面のほぼ全面にステップフロー方向と対向する方向に原料溶液５が流れたため、得られた単結晶の表面の全面に渡ってトレンチの形成が抑制されたと考えられる。なお、図５中の得られた単結晶の中央部にある黒い点は、結晶成長中に混入した粒子が付着したもので、本発明で課題とする結晶成長中に生じるトレンチや表面荒れとは異なる原因により生じたものである。
・・・
【００４２】
［比較例１］
種結晶の回転中心位置を種結晶の中心位置とした以外は実施例１と同様にして結晶成長させた。
成長表面のモフォロジーを観察した結果、図７に示すように、図中右側にわずかにトレンチの形成が抑制された領域を有するが、種結晶のほぼすべての領域でトレンチが形成していた。
【００４３】
また、原料溶液の流れが、表面形状に与える影響を評価するため、三次元の数値計算シミュレーションを行った。図１０（ａ）、（ｂ）は、比較例１と実施例２において、種結晶の成長表面より０．２ｍｍ下に生じる原料溶液の流れの平均値を数値計算で求めた結果を示す。図１０（ａ）では、回転中心の位置と種結晶の中心の位置が同じであるため、回転中心（図１０中で「＋」で示された位置）を中心に外側に向かう流れができている。図１０（ａ）での、回転中心から右側に、流れがステップフロー方向と対抗する方向（図中右向き方向）に向いた領域がわずかに形成され、その領域は図７でトレンチの形成が抑制された領域と一致している。
【００４４】
一方、図１０（ｂ）は、回転中心が種結晶の中心位置から図中左側にずれているため、種結晶から右側に、流れがステップフロー方向と対抗する方向に向いた領域が形成され、その領域は図６でトレンチの形成が抑制された領域と一致している。また、図１０（ａ）、（ｂ）を比べると、回転中心をステップフロー方向の下流側に移動したことにより、原料溶液の流れがステップフロー方向と対抗する方向に向いた領域が拡大し、トレンチの形成が抑制された領域が拡大したことがわかる。」

（オ）「【００４７】
以上の実施例１〜２、比較例１〜３の回転中心と種結晶の中心との位置関係を図４（ａ）〜（ｅ）に示し、実験条件と結果を以下の表１にまとめた。なお、表１中ではステップフローをＳＦと略した。実施例１〜２では、種結晶の内部にトレンチの発生が抑制された、滑らかな表面を有する領域が得られた。
【００４８】
【表１】

」

（カ）「【図１】

」

（キ）「【図２】

」

（ク）「【図４】

」

（ケ）「【図１０】

」

イ 甲２に記載された事項
（ア）「【特許請求の範囲】
【請求項１】
坩堝内に入れられ、内部から液面に向けて温度低下する温度勾配を有するＳｉ−Ｃ溶液に、種結晶基板を接触させてＳｉＣ単結晶を結晶成長させる、ＳｉＣ単結晶の製造方法であって、
前記坩堝の底部内壁からの鉛直方向上方の高さｘの位置における、前記坩堝の内径位置を基準として内側方向且つ水平方向の底側面部の厚みｙが、前記高さｘに対して、式（１）：
-1.126×10-6x5+1.650×10-4x4-9.023×10-3x3+2.262×10-1x2-2.537x+10≦y （１）
（式中、ｘは０〜１０）、且つ式（２）：
y≦-9.86×10-7x5+1.525×10-4x4-9.060×10-3x3+2.590×10-1x2-3.599x+20 （２）
（式中、ｘは、０〜２０）
を満たす形状を有し、
前記坩堝内に入れる前記Ｓｉ−Ｃ溶液の深さを３０ｍｍ以上とし、
前記坩堝の周囲に配置された高周波コイルで、前記Ｓｉ−Ｃ溶液を加熱及び電磁撹拌することを含む、
ＳｉＣ単結晶の製造方法。」

（イ）「【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
溶液法によれば、他の方法よりも欠陥が少ないＳｉＣ単結晶を得られやすいものの、特許文献１に記載の方法では、結晶成長面に向かうＳｉ−Ｃ溶液の上昇流速が低く、溶質の供給が不十分となり、得られる結晶成長速度が未だ十分ではなかった。
【０００８】
本開示の方法は上記課題を解決するものであり、溶液法において、結晶成長面に向かうＳｉ−Ｃ溶液の、従来よりも大きな上昇流速を得ることができるＳｉＣ単結晶の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本開示は、坩堝内に入れられ、内部から液面に向けて温度低下する温度勾配を有するＳｉ−Ｃ溶液に、種結晶基板を接触させてＳｉＣ単結晶を結晶成長させる、ＳｉＣ単結晶の製造方法であって、
坩堝の底部内壁からの鉛直方向上方の高さｘの位置における、坩堝の内径位置を基準として内側方向且つ水平方向の底側面部の厚みｙが、高さｘに対して、式（１）：
-1.126×10-6x5+1.650×10-4x4-9.023×10-3x3+2.262×10-1x2-2.537x+10 ≦ y （１）
（式中、ｘは０〜１０）、且つ式（２）：
y ≦ -9.86×10-7x5+1.525×10-4x4-9.060×10-3x3+2.590×10-1x2-3.599x+20 （２）
（式中、ｘは、０〜２０）
を満たす形状を有し、
坩堝内に入れるＳｉ−Ｃ溶液の深さを３０ｍｍ以上とし、
坩堝の周囲に配置された高周波コイルで、Ｓｉ−Ｃ溶液を加熱及び電磁撹拌することを含む、
ＳｉＣ単結晶の製造方法を対象とする。
【発明の効果】
【００１０】
本開示の方法によれば、溶液法において、結晶成長面に向かうＳｉ−Ｃ溶液の、従来よりも大きな上昇流速を得ることが可能となる。」

（ウ）「【００１３】
溶液法によるＳｉＣ単結晶の成長は、熱平衡に近い状態での結晶成長のため、低欠陥化が期待できるものの、従来の方法では、結晶成長面に向かうＳｉ−Ｃ溶液の上昇流速が遅く、結晶成長面への溶質の供給が不十分となり、得られる結晶成長速度が十分ではなかった。
【００１４】
そこで、本発明者等は、結晶成長面に向かうＳｉ−Ｃ溶液の上昇流速の向上について鋭意研究を行い、高周波コイルによる電磁撹拌効果を大きくしてＳｉ−Ｃ溶液の上昇流速を向上することができるＳｉＣ単結晶の製造方法を見出した。坩堝の底側面部の形状を所定の形状にし、且つ坩堝内に収容するＳｉ−Ｃ溶液の深さを３０ｍｍ以上にすることにより高周波コイルによるＳｉ−Ｃ溶液の電磁撹拌効果を大きくして、結晶成長面の中央部へ向かうＳｉ−Ｃ溶液の上昇流速を向上することができる。
・・・
【００１６】
本開示の方法によれば、結晶成長面の中央部に向かうＳｉ−Ｃ溶液の上昇流速を大きくすることができる。」

（エ）「【００４５】
本開示の方法においては、ＳｉＣ単結晶の製造に一般に用いられる品質のＳｉＣ単結晶を種結晶基板として用いることができ、例えば昇華法で一般的に作成したＳｉＣ単結晶を種結晶基板として用いることができる。【００４６】 種結晶基板として、例えば、成長面がフラットであり（０００１）ジャスト面または（０００−１）ジャスト面を有するＳｉＣ単結晶、（０００１）ジャスト面または（０００−１）ジャスト面から０°よりも大きく例えば８°以下のオフセット角度を有するＳｉＣ単結晶、または成長面が凹形状を有し凹形状の成長面の中央部付近の一部に（０００１）面または（０００−１）面を有するＳｉＣ単結晶を用いることができる。」

（オ）「【実施例】
【００５７】
（結晶成長面に向かうＳｉ−Ｃ溶液の上昇流速のシミュレーション）
溶液法（Ｆｌｕｘ法）でＳｉＣ単結晶を成長させる際の結晶成長面に向かうＳｉ−Ｃ溶液の上昇流速について、ＣＧＳｉｍ（溶液からのバルク結晶成長シミュレーションソフトウェア、ＳＴＲ Ｊａｐａｎ製、Ｖｅｒ．１４．１）を用いて、シミュレーションを行った。
【００５８】
シミュレーション条件として、以下の標準条件を設定した。
【００５９】
（標準モデルの作成）
単結晶製造装置として、図１及び図２に示すような単結晶製造装置１００の構成の対称モデルを作成した。直径が９ｍｍ及び長さが１８０ｍｍの円柱の先端に厚み２ｍｍ及び直径２５ｍｍの円板を備えた黒鉛軸を種結晶保持軸１２とした。厚み１ｍｍ、直径２５ｍｍの円盤状４Ｈ−ＳｉＣ単結晶を種結晶基板１４とした。
・・・
【００６２】
種結晶基板１４の下面が、Ｓｉ−Ｃ溶液２４の液面位置に対して１．５ｍｍ上方に位置するように、種結晶保持軸に保持された種結晶基板１４を配置し、Ｓｉ−Ｃ溶液が種結晶基板１４の下面全体に濡れるように図５に示すようなメニスカスを形成した。Ｓｉ−Ｃ溶液２４の液面におけるメニスカス部分の直径を３０ｍｍとし、計算の簡略化のためにＳｉ−Ｃ溶液２４の液面と種結晶基板１４の下面との間のメニスカスの形状を直線形状にした。Ｓｉ−Ｃ溶液２４の表面における温度を２０００℃にし、Ｓｉ−Ｃ溶液の表面を低温側として、Ｓｉ−Ｃ溶液の表面における温度と、Ｓｉ−Ｃ溶液２４の表面から溶液内部に向けて鉛直方向の深さ１０ｍｍの位置における温度との温度差を２５℃とした。坩堝１０を５ｒｐｍで、種結晶保持軸１２の中心軸を中心として、回転させた。・・・
【００６４】
（実施例１〜９及び比較例１〜１４）
上記の条件に加えて、上段コイル２２Ａのパワーを０、及び下段コイル２２Ｂの周波数を５ｋＨｚとし、坩堝内径を１００ｍｍとして、坩堝の底側面部内壁の曲率形状をＲ０〜５０ｍｍの範囲、及びＳｉ−Ｃ溶液の坩堝底部内壁からの深さ（高さ）を２０〜７０ｍｍの範囲で変更して、Ｓｉ−Ｃ溶液の結晶成長面に向かう上昇流速のシミュレーションを行った。Ｓｉ−Ｃ溶液の上昇流速は、種結晶基板の下面の中央部の鉛直方向下方のＳｉ−Ｃ溶液の液面の位置、すなわち、種結晶基板の成長面の中央部から１．５ｍｍ鉛直方向下の位置における鉛直上方向に向かうＳｉ−Ｃ溶液の流速である。Ｓｉ−Ｃ溶液の上昇流速のシミュレーションシミュレーション結果を表１に示す。」

（カ）「【００６６】
【表１】

」

（キ）「【図１】

【図２】

【図５】

」

ウ 甲３に記載された事項（訳文は、異議申立人によるものである。）
（ア）「Analysis of Macrostep Formation during Top Seeded Solution Growth of 4H-SiC」
（３２３１頁表題）
（４Ｈ−ＳｉＣのトップシード溶液成長におけるマクロステップ形成の解析）

（イ）「ABSTRACT: We used numerical and analytical modeling to investigate fluid flow behaviors close to the growing 4H-SiC crystal surface in the top seeded solution growth process. First, we calculated the azimuthal and radial components of the fluid flow in front of the rotation disc. Second, we developed an analytical model describing the interaction between the step flow (of the vicinal crystal surface) and fluid flow components, considering the crystallography of 4H-SiC and introducing a phase parameter. The correlation of both models allows us to describe qualitatively the conditions for which macrosteps form and destabilize. This phenomenological description is in good agreement with the corresponding experimental observations that are also presented in this paper.」（３２３１頁要約）
（要約：トップシード溶液成長法において、成長中の４Ｈ−ＳｉＣ結晶表面付近の流体の流れの挙動を、数値および分析モデリングを用いて調査した。まず、回転円盤の前を流れる流体の方位角成分および半径成分を計算した。次に、４Ｈ−ＳｉＣの結晶学を考慮し、位相パラメータを導入して、（結晶表面近傍の）ステップフローと流体成分との間の相互作用を示す分析モデルを開発した。両モデルの相関関係から、マクロステップが形成される条件と不安定になる条件を定性的に記述することができた。この現象論的な記述は、本稿でも紹介される対応する実験的な観察結果ともよく一致している。）

（ウ）「■ EXPERIMENTAL DETAILS
The experimental setup was a Czochralski puller with medium frequency induction heating (around 15 kHz). Details about the growth chamber and crucible elements have already been described.6,7 Briefly, pure liquid silicon was used as solvent and placed in a high density graphite crucible, which acted both as a container and as the carbon source. The liquid volume was typically 5 cm in diameter and 2-3 cm in height. We used a TSSG geometry, meaning that a SiC seed of 10-30 mm diameter was mounted on a graphite rod and dipped into the liquid. The crucible is presented in Figure 1. The temperature at the top of the inner crucible was measured with an optical pyrometer. For this study, the temperature was kept constant, at about 1700℃. The seed crystals consisted of carbon face, 4H-SiC (0001) wafers, with a 4°off-cut toward the [11-20] direction. The crystal rotation rate was varied between 0 and 200 rpm.」（３２３２頁左欄６〜２０行）
（実験内容
実験装置は、中周波誘導加熱（約１５ｋHz）を備えたチョクラルスキー法引き上げ装置を用いた。成長チャンバとるつぼ要素の詳細については上述したとおりである。簡単に説明すると、純粋な液体シリコンを溶媒として使用し、高密度の黒鉛製るつぼに入れた。このるつぼは、容器としても炭素源としても機能する。液体の体積は、通常、直径５ｃｍ、高さ２〜３ｃｍであった。黒鉛棒に直径１０〜３０ｍｍのＳｉＣシードを取り付け、液体に浸すというＴＳＳＧ法を採用した。図１にるつぼを示す。内側のるつぼの上部の温度を光学式パイロメーターで測定した。この研究では、温度を約１７００℃で一定に保った。シード結晶は、［１１−２０］の方向に４゜のオフカットをつけた炭素面の４Ｈ−ＳｉＣ（０００１）ウェハを用いた。結晶の回転速度を０〜２００ｒｐｍの範囲で変化させた。）

（エ）「

Figure １・・・」（３２３２頁左欄）
（図１）

（オ）「■ RESULTS AND DISCUSSION
Figure 5 shows the distribution of a set of physical parameters,i.e. temperature, fluid velocity, carbon concentration, and carbon supersaturation, as obtained by numerical simulation. The hot point is located at the bottom corner of the crucible, while the cold point localizes to the seed crystal (Figure 5a). The axial temperature difference is around 4℃, corresponding to an axial temperature gradient of about 2℃/cm. This was designed on purpose as a small axial thermal gradient is most adapted to prevent parasitic crystallization within the liquid.18 As already pointed out in previous reports,6 the mixture of different convective flows contributes to a complex flow pattern, which is difficult both to describe and to control (Figure 5b). In front of the seed surface, there is a direct flow of fluid from the bottom of the crucible toward the seed around the symmetry axis. The highly turbulent flow near the crucible wall, caused by the strong electromagnetic convection due to the high Lorentz force density near the crucible wall, is also predicted. The distribution of carbon concentration results directly from the convection pattern, with the highest concentration close to the symmetry axis (Figure 5c). The supersaturation (S), calculated from the difference between the actual carbon concentration and the equilibrium value in liquid silicon is shown in Figure 5d. The carbon dissolves from the graphite crucible in the under-saturated area where S < 0, transports by convection, and crystallizes in the supersaturated area (S > 0), i.e., at the seed surface.」（３２３４頁左欄下から１７行〜右欄下から１８行）
（結果および考察
図５には、数値シミュレーションによって得られた一連の物理パラメータ（温度、流速、炭素濃度、炭素過飽和）の分布が示されている。ホットポイントはるつぼの底部の隅にあり、コールドポイントはシード結晶に局在している（図５ａ）。軸方向の温度差は約４℃で、約２℃／ｃｍの軸方向の温度勾配に対応している。これは、軸方向の温度勾配が小さいことが液体内の寄生結晶化を防ぐのに最も適していることから、意図的に設計されたものである。これまでの報告でも指摘されているように、異なる対流が混在しているため、複雑な流れのパターンとなっており、それを記述することも制御することも困難である（図５ｂ）。シード表面の手前では、るつぼの底部からシードに向かって、対称軸を中心とした流体の直接的な流れが生じている。また、るつぼの壁付近では、るつぼの壁付近のローレンツ力密度が高いために強い電磁対流が発生し、乱れの大きい流れが生じることも予測される。炭素濃度の分布は、対流パターンから直接得られるものであり、対称軸付近で濃度が最も高くなっている（図５ｃ）。実際の炭素濃度と液体シリコン中の平衡値との差から計算された過飽和（s）を図５ｄに示す。炭素は、Ｓ＜０の過少飽和領域で黒鉛製るつぼから溶解し、対流によって搬送され、過飽和領域（Ｓ＞０）、すなわちシード表面で結晶化する。）

エ 甲４に記載された事項
（ア）「請求の範囲
［請求項１］ 表面の基底面転位密度が１０００個／cm2以下、貫通螺旋転位密度が５００個／cm2以下、かつ、ラマン指数が０．２以下である、口径１５０ｍｍ以上の炭化珪素単結晶ウェハ。」

（イ）「［０００６］ 改良型のレーリー法では、成長中の単結晶インゴットに不可避的な内部応力が発生し、それは最終的に得られる単結晶ウェハ内部に、弾性歪、又は転位（塑性歪）の形で残留する。現在市販されているＳｉＣウェハには、基底面転位（以下、ＢＰＤ）が２×１０３〜２×１０４(個/cm2)、貫通螺旋転位（以下、ＴＳＤ）が８×１０２〜１０３(個/cm2)、貫通刃状転位（以下、ＴＥＤ）が５×１０３〜２×１０４(個/cm2)存在している（非特許文献３参照）。
［０００７］ 近年、結晶欠陥とデバイスに関する調査から、ＢＰＤがデバイスの酸化膜不良を生じ、絶縁破壊の原因となることが報告されている（非特許文献４参照）。また、バイポーラデバイスなどでは、ＢＰＤから積層欠陥が発生することが報告されており、デバイス特性の劣化の原因となることが知られている（非特許文献５参照）。また、ＴＳＤはデバイスのリーク電流の原因となり（非特許文献６参照）、また、ゲート酸化膜寿命を低下させることが報告されている（非特許文献７参照）。そのため、高性能ＳｉＣデバイスの作製のために、ＢＰＤ、及びＴＳＤの少ないＳｉＣ単結晶が求められている。」

（ウ）「［００１１］ 特許文献３には、種結晶を用いた昇華再結晶法において、ＳｉＣ単結晶を成長させ、これから種結晶を切り出して再度結晶成長を行い、これを何度か繰り返して、成長結晶の形状を成長方向に対して凸状となるようにすることで、モザイク性の小さなＳｉＣ単結晶ウェハを得る技術が報告されている。この技術は、転位の集合体である小傾角粒界が成長表面に垂直に伝播する性質を利用するものであり、成長結晶を成長方向に対して凸状となるようにすることで、転位の集合体である小傾角粒界を成長結晶の周辺部に移動させて、中央部に小傾角粒界密度の低い、すなわち転位密度の低い領域を形成するようにしたものである。」

（エ）「［００２７］ 以下、本発明について詳しく説明する。
先ず、本発明におけるＳｉＣ単結晶ウェハは、口径１００ｍｍ以上であって、そのＢＰＤ密度とＴＳＤ密度が低く、弾性歪も小さいために、高性能デバイスの作製が可能であり、工業的規模でデバイスを作製した場合でも、高い歩留りを確保できる。本発明におけるＳｉＣ単結晶ウェハのＢＰＤの密度は、ウェハ口径１５０ｍｍ以上の場合は１０００個/cm2以下、１００ｍｍ以上の場合は５００個/cm2以下であり、ＴＳＤ密度については、口径１５０ｍｍ以上の場合は５００個/cm2以下、口径１００ｍｍ以上の場合は３００個/cm2以下である。
・・・
［００３１］ ＢＰＤ密度が前述の値よりも低い場合には、さらに高いデバイス性能、歩留りが実現できるので、口径１５０ｍｍ以上のウェハに関しては、ＢＰＤが５００個/cm2以下となることが望ましく、何れの口径についても、３００個/cm2以下、さらには、１００個/cm2以下となることがより望ましい。また、ＴＳＤ密度に関しても同様であり、口径１５０ｍｍ以上のウェハに関しては、ＴＳＤ密度が３００個/cm2以下となることが望ましく、何れの口径についても、２００個/cm2以下、さらには、１００個/cm2以下となることがより望ましい。ＢＰＤ、ＴＳＤともに、その密度が１００個/cm2を下回るレベルにまで低下すれば、デバイスへの悪影響は実質的に皆無になるになると考えられる。」

（オ）「［００３３］ 上記の様なＳｉＣ単結晶ウェハを製造するための方法として、従来、温度勾配を極力小さくした環境でＳｉＣ単結晶インゴットを育成し、成長表面の応力を小さくするという考え方が主流であった。しかしながら、前述した通り、昇華再結晶法によるＳｉＣ単結晶インゴットの安定成長のためには、成長空間内に温度勾配を与えることは必須であり。無暗に温度勾配を小さくすれば、単一ポリタイプ成長の成功率や成長速度に悪影響し、生産性が低下することから、工業的には不利である。ちなみに、工業的な観点では、インゴットの高さは３０ｍｍ程度、もしくはそれ以上必要であると考えられる。」

オ 甲５に記載された事項
（ア）「【請求項１】 エピタキシャル薄膜成長用基板として用いられる口径５０ｍｍ以上の炭化珪素単結晶ウエハであって、ウエハ面内の任意の２点間での成長面方位のずれが６０秒／ｃｍ以下であることを特徴とするモザイク性の小さな炭化珪素単結晶ウエハ。」

（イ）「【０００３】ＳｉＣ単結晶ウエハを用いて発光デバイス、電子デバイスなどを作製する場合に、通常ウエハ上に薄膜（例えば、ＳｉＣ薄膜あるいはＧａＮ薄膜）をエピタキシャル成長させる必要がある。これらの薄膜は、ＧａＮの場合、一般にＭＯＣＶＤ法（有機金属化学蒸着法）やＭＢＥ法（分子線エピタキシー法）と呼ばれる薄膜成長法で、また、ＳｉＣの場合は、熱ＣＶＤ法（熱化学蒸着法）や液相エピタキシャル成長法と呼ばれる方法により、ＳｉＣ基板上に堆積される。この際、高品質なエピタキシャル薄膜を得るには、薄膜を成長させるＳｉＣ基板の面方位が重要なパラメータとなっている。例えば、Ｋｉｍｏｔｏらは、高品質のＳｉＣエピタキシャル薄膜を得るには、（０００１）面を有するＳｉＣ基板に特定のオフ角度を付ける必要のあること示している（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ，Ｖｏｌ．７５，ｐ．８５０−８５９（１９９４））。」

カ 甲６に記載された事項
（ア）「（４）転位変換現象を利用した高品質化
貫通転位の変換現象は高品質化において極めて重要な役割を果たす。Fig.８は結晶成長過程における貫通転位の挙動を模式的に示したものである。貫通転位はそのままでは成長方向に引き継がれることになるが、基底面の欠陥に変換すると、成長が進むに従って結晶の外部に掃き出されることになる。もし成長直後にすべての変換が生じるとすると、オフ角度１°で２インチ基板の成長を行う場合、１mmの成長を行えば、すべての欠陥が結晶外部に排出されることになる。」（４頁左欄〜右欄）

（イ）「

」（４頁右欄）

キ 甲７に記載された事項
（ア）「【請求項１】
上下に開口した筒状の加熱装置と、
該加熱装置の内側に配された、上面に開口した凹部を有した第１坩堝と、
該第１坩堝の前記凹部の底面上に配された第１保温部および前記凹部の内側面上に配された第２保温部からなる保温部材と、
該保温部材を介して前記第１坩堝の前記凹部内に配された、結晶を成長させる溶液を保持する第２坩堝とを備え、
前記第１保温部による熱伝導の熱量が前記第２保温部による熱伝導の熱量よりも大きい、溶液成長法によって結晶を成長させる結晶製造装置。」

（イ）「【図１】

」

ク 甲８に記載された事項
（ア）「２．高品質結晶成長法
本章では、はじめに我々が考案した高品質SiC単結晶成長法（RAF法）に関してその原理と結晶学的な考察を行い、最後にデバイスを作製した結果について述べる。
・・・
RAF法は、我々（デンソーと豊田中央研究所のグループ）が2004年に考案した転位欠陥を２〜３桁低減させる結晶成長手法である6）。SiC結晶成長においてｃ軸に垂直の方向であるａ面方向に成長7）することにより、原理的には結晶内の転位を無くすことが出来る手法であり、昇華法のみならず、１章で述べたガス法8)、溶液法9）等、その他の結晶成長法にも適用できる高品質化成長技術である。
・・・
２−１ RAF法による結晶成長
・・・
２−１−１ RAF法の原理
RAF成長はａ面成長を繰り返し行うことからRepeated-A-Face methodの頭文字を取りRAF法と名付けた。RAF成長の原理を一言で言えば、結晶内の欠陥の形態をａ面方向の成長を繰り返すことにより基底面内の欠陥に変換し、基底面内に閉じ込め、最後にその欠陥をｃ面成長により結晶外に掃き出す手法である。」（２１頁１〜２８行）

（イ）「２−１−２ RAFプロセス
RAF成長の基本プロセスを図2-5に示す。まず、はじめに通常通りｃ軸方向に結晶成長したインゴットからａ面に種結晶基板を切り出す。図2-5では、ａ面として{1-100}面で切り出した場合である。次にその{1-100}面に切り出した基板を種結晶にして<1-100>方向にａ面成長を行う（1回目のａ面成長）。さらに、その{1-100}面成長したインゴットから、{11-20}面の種結晶を切り出し、同様に<11-20>方向にａ面成長を行う（2回目のａ面成長）。この{1-100}面成長と{11-20}面成長を交互に繰り返した後、最後にｃ面成長を行いRAF法は完成する。RAF法で用いる{11-20}面と{1-100}面は、互いに垂直となる面を用いる。


・・・
(iii)最後のｃ面成長：原理的には、原子レベルで平坦なｃ面の種結晶を切り出すことができれば、表面は無欠陥となるが、実際には完全フラットに切り出すことは不可能である。そこで繰り返し成長したａ面成長によって発生した積層欠陥7)を除去しなければならない。この時点で結晶内に残る転位の大部分は{0001}面に平行であり、積層欠陥とそれに付随する部分的な転位はｃ軸に垂直な方向（ｃ面内）に継承するだけである。したがって種結晶面を{0001}面に対して数度のOFF角度をつけることにより低減することができる。図2-6に、ｃ面成長したインゴットを{11-20}面で切り出し、{0004}回折でトポグラフ観察した結果を示す。種結晶内の積層欠陥が成長と共にOFF角度に沿って流れ、結晶外に掃きだされている様子がわかる。


」（２３頁８行〜２４頁１７行）

（ウ）「２−１−３ RAF結晶の品質
図2-8は、このRAF法を用いて成長した4H-SiC結晶の{0001}面の平均のエッチピット密度(EPD)をプロットしたものである6)。ここで繰り返し回数ゼロは通常の結晶のｃ面成長を示している。繰り返し回数が１回の場合は{1-100}成長の後にｃ面成長したもの、２回の場合は{1-100}面成長→{11-20}面成長→ｃ面成長、３回の場合は{1-100}面成長→{11-20}面成長→{1-100}面成長→ｃ面成長したものである。ａ面の成長回数とともにEPDが低減していく様子がわかる。RAF法で3回ａ面成長し作製したシードを用いてｃ面成長したΦ20mm基板の平均EPD(Etch Pit Density)およびマイクロパイプ密度は、それぞれ75cm-2、0cm-2であった。・・・
しかしながら、品質が向上すればするほど、完全結晶に近づくほど、従来では問題とならなかった僅かな温度不均一に由来する新たな欠陥の発生、あるいは僅かな歪みの不均一から貫通型の欠陥に再変換されて結晶内に残存してしまう様な課題も見えてきた。同時に大口径成長、長尺成長の困難さも大きな課題となる。・・・

」（２４頁下から６行〜２５頁９行）

（エ）「２−２−２ 繰り返し成長とｃ軸ゆらぎ（ひずみと方向）
・・・
この項では、ｃ軸方向に歪みを持つ（<0001>方向に歪みを持つ）貰通らせん転位のａ面成長の繰り返しによる歪みの変化を調査した結果を示す。さらに次項では、ｃ面成長における欠陥の掃き出しについて議論する。
成長は図2-16に示すように７回まで繰り返した。結晶サイズはΦ1インチである。


・・・
２−２−３ ｃ面オフ成長における積層欠陥掃き出し
図2-18は、RAF法におけるc面OFF成長を行った結晶を(1-100)面で切り出しX線トポグラフにより転位の掃き出し状況を観察した結果を示している。いわゆるRAF-ｃ面成長の断面観察結果である。図2-18(a)は３回のRAF成長した後、ｃ面OFF成長をした結晶の断面観察結果である。RAF成長により種結晶中の基底面に集約された積層型の転位が成長と共に外部に掃き出されているのがわかる。写真の左上方向に走る黒い斜めのスジが、転位の掃き出しを示している。約4°の傾きで排出されるので、Φ２インチの結晶であれば、50ｍｍ×tan(4°)=約3ｍｍの長さ成長すれば、全ての領域で転位が掃き出されることになる。しかし、写真からもわかるように、掃き出し途中から、再度、上方に向かう貰通型の転位に変換されるものも存在する。この原因が前項で観察した成長方向からズレた歪み（基底面をｃ軸方向に跨ぐ転位）である。図2-18(b)は７回のRAF成長したものであるが、まったく貫通型の転位に変換されること無く、外部に掃き出されている様子が観察されている。このように、RAF成長はａ面成長を繰り返すことにより完全に転位を基底面に閉じ込め、外部に掃き出す成長技術である。



ここで、なぜ図2-17のような基底面を跨ぐ転位が存在すると、図2-18(a)のように積層型の転位が貫通型らせん転位に変換されるのか、そのメカニズムを推定した。
まず、通常のOFF成長を考えてみる。図2-19は(0001)面から<11-20>方向に4°または8°0FF角度を付けて切り出した種結晶表面を表す。原子ステップとテラスが一定の間隔で現れ、成長過程でこの原子ステップ上に降り積もった(deposition) 原子あるいは前駆体(SiC2、Si2Cなど）は、そのテラス上をマイグレーションし、ステップの壁に到達し固定（固着）することにより正しい結晶配列が維持される。いわゆる、下地の正確な配列情報をステップから得て結晶が成長するステップフローエピタキシー成長である。

」（３１頁１４行〜３２頁１１行）

（オ）「２−２−４ 繰り返しRAF成長の品質
図2-23にａ面成長を３回繰り返し後ｃ面成長して作製した結晶と７回繰り返して作製した結晶を比較したものである。図2-18で示したｃ面OFF成長による掃き出し処理をした結晶の(0001面)トポ像である。
結晶のサイズは、共にΦ1インチである。X線トポグラフ評価はSpring-8の強力な放射光を用いた。G＝(11-28)回折することにより、ｃ軸方向の転位、ａ面方向の転位も同時に観察した。この回折は、強度が落ちるので通常は使わないがSpring-8の放射光なので、非常に高分解能で鮮明なトポ像が得られた。７回RAF結晶像では、視野3mm×3mm中に丸印で囲んだ部分に１つ貫通らせんが観測される程度まで高品質な結果を得ることが出来た。Φ1インチ全域での平均の貫通らせん転位の密度は３回RAF結晶が72個/cm2、７回RAF結晶は1.3個/cm2であった。
・・・
さらに、７回RAFを詳細に観察した結果を図2-24に示す。
極めて興味深い結果を得た。スジ状の欠陥は刃状転位であるが、きれいに<11-20>方向にそろっている。これは、非常に純粋な刃状転位が観測されたものであり、いままでこのような報告はなく、RAF法ではじめて観測された結果である。
・・・
RAF法のａ面成長の繰り返し回数を増やす効果を図2-25に示す。RAF成長を７回繰り返すことによりEPD（全てのエッチピットの密度）は20個/cm2以下まで低減することが出来た。デバイスに大きく悪影響を及ぼすと考えられる貫通らせん転位は1.3個/cm2まで低減することができた。
飽和するかどうかについてパワーデバイスを作製することでリーク電流の低減等のウエハの高品質化の効果を検証していく。

」（３３頁１行〜３４頁末行）

（カ）「(iii)ステップ導入の効果（SiC単結晶成長の結果）
実際に種結晶の表面の一部にらせん転位であるステップを導入して成長した結晶の(a)断面模式図と(b)ウエハを切り出した結果（ウエハ写真）を図2-31 に示す。成長結晶とウエハは4H単ーポリタイプであった（ファセット跡の箇所は色が濃くなっているが、これはNが多くドーピングされるためである）。この結果により、RAFの高品質種結晶を使用してｃ面成長するときは、ファセットに人工的にステップを導入することが、異種ポリタイプ発生の抑制のために効果的であることが実証できた。


」（３７頁４〜９行）

（２）甲１〜３、８に記載された発明
ア 甲１に記載された発明
甲１には、上記（１）ア（ア）によれば、「炭化ケイ素の種結晶を、ケイ素及び炭素を含む原料溶液に接触させながら回転させる炭化ケイ素の結晶の製造方法において、
前記種結晶の結晶成長面はオフ角を有し、
前記種結晶の回転中心の位置が、前記種結晶の中心位置に対して、前記オフ角の形成方向であるステップフロー方向の下流側にあり、
前記種結晶の回転が、周期的に正回転と逆回転を繰り返すことを特徴とする炭化ケイ素の結晶の製造方法。」が記載され、この製造方法の具体例である実施例１として、上記同（エ）の【００３８】には、最大回転速度２０ｒｐｍで、３０秒周期で正回転と逆回転を入れ替えながら回転する黒鉛るつぼ内の１９００℃のＳｉ−４０ａｔ．％Ｃｒ溶媒中に直径１インチの４Ｈ−ＳｉＣ種結晶Ｃ面（１度オフ基板）を浸漬し、種結晶の最大回転速度１５０ｒｐｍ、２分周期で正回転と逆回転を入れ替えながら３時間成長させ、種結晶の回転中心位置は種結晶の中心位置から２．５ｃｍ離れた地点とし、種結晶中心からみた種結晶の回転中心の方向はステップフロー方向と同一、すなわち、回転中心から種結晶の中心に向けた方向と、ステップフロー方向との間をなす角度が１８０度であるように設定した炭化ケイ素の結晶の製造方法が記載されている。そして、この実施例１に対する比較例１は、同（エ）の【００４２】で、「種結晶の回転中心位置を種結晶の中心位置とした以外は実施例１と同様にして結晶成長させた」と記載されているから、甲１には、比較例１として、「最大回転速度２０ｒｐｍで、３０秒周期で正回転と逆回転を入れ替えながら回転する黒鉛るつぼ内の１９００℃のＳｉ−４０ａｔ．％Ｃｒ溶媒中に直径１インチの４Ｈ−ＳｉＣ種結晶Ｃ面（１度オフ基板）を浸漬し、種結晶の最大回転速度１５０ｒｐｍ、２分周期で正回転と逆回転を入れ替えながら３時間成長させ、種結晶の回転中心位置を種結晶の中心位置とした炭化ケイ素の結晶の製造方法」が記載されていることが理解できる。
また、上記同（エ）の【００４３】及び上記同（ケ）の【図１０】（ａ）の記載によれば、種結晶の成長表面より０．２ｍｍ下に生じる原料溶液の流れとして、回転中心（図１０中で「＋」で示された位置）を中心に外側に向かう流れができていることが理解できる。
そうすると、甲１には、上記比較例１に係る炭化ケイ素の結晶の製造方法として、以下の発明（以下、「甲１発明」という。）が記載されているといえる。

「最大回転速度２０ｒｐｍで、３０秒周期で正回転と逆回転を入れ替えながら回転する黒鉛るつぼ内の１９００℃のＳｉ−４０ａｔ．％Ｃｒ溶媒中に直径１インチの４Ｈ−ＳｉＣ種結晶Ｃ面（１度オフ基板）を浸漬し、種結晶の最大回転速度１５０ｒｐｍ、２分周期で正回転と逆回転を入れ替えながら３時間成長させ、種結晶の回転中心位置を種結晶の中心位置とした炭化ケイ素の結晶の製造方法であって、種結晶の成長表面より０．２ｍｍ下に生じる原料溶液の流れとして、回転中心を中心に外側に向かう流れができている炭化ケイ素の結晶の製造方法。」

イ 甲２に記載された発明
甲２の上記（１）イ（ア）には、「坩堝内に入れられ、内部から液面に向けて温度低下する温度勾配を有するＳｉ−Ｃ溶液に、種結晶基板を接触させてＳｉＣ単結晶を結晶成長させる、ＳｉＣ単結晶の製造方法であって、
前記坩堝の底部内壁からの鉛直方向上方の高さｘの位置における、前記坩堝の内径位置を基準として内側方向且つ水平方向の底側面部の厚みｙが、前記高さｘに対して、式（１）：
-1.126×10-6x5+1.650×10-4x4-9.023×10-3x3+2.262×10-1x2-2.537x+10≦y （１）
（式中、ｘは０〜１０）、且つ式（２）：
y≦-9.86×10-7x5+1.525×10-4x4-9.060×10-3x3+2.590×10-1x2-3.599x+20 （２）
（式中、ｘは、０〜２０）
を満たす形状を有し、
前記坩堝内に入れる前記Ｓｉ−Ｃ溶液の深さを３０ｍｍ以上とし、
前記坩堝の周囲に配置された高周波コイルで、前記Ｓｉ−Ｃ溶液を加熱及び電磁撹拌することを含む、
ＳｉＣ単結晶の製造方法。」が記載されている。そして、同（ウ）の【００１４】、【００１６】に記載されるように、坩堝の底側面部の形状を所定の形状、すなわち、上記製造方法における「前記坩堝の底部内壁からの鉛直方向上方の高さｘの位置における、前記坩堝の内径位置を基準として内側方向且つ水平方向の底側面部の厚みｙが、前記高さｘに対して、式（１）・・・且つ式（２）・・・を満たす形状」にし、且つ坩堝内に収容するＳｉ−Ｃ溶液の深さを３０ｍｍ以上にすることにより、「結晶成長面の中央部に向かうＳｉ−Ｃ溶液の上昇流速を大きくすることができる。」のであるから、甲２には、ＳｉＣ単結晶の製造方法として、以下の発明（以下、「甲２発明」という。）が記載されているといえる。

「坩堝内に入れられ、内部から液面に向けて温度低下する温度勾配を有するＳｉ−Ｃ溶液に、種結晶基板を接触させてＳｉＣ単結晶を結晶成長させる、ＳｉＣ単結晶の製造方法であって、
前記坩堝の底部内壁からの鉛直方向上方の高さｘの位置における、前記坩堝の内径位置を基準として内側方向且つ水平方向の底側面部の厚みｙが、前記高さｘに対して、式（１）：
-1.126×10-6x5+1.650×10-4x4-9.023×10-3x3+2.262×10-1x2-2.537x+10≦y （１）
（式中、ｘは０〜１０）、且つ式（２）：
y≦-9.86×10-7x5+1.525×10-4x4-9.060×10-3x3+2.590×10-1x2-3.599x+20 （２）
（式中、ｘは、０〜２０）
を満たす形状を有し、
前記坩堝内に入れる前記Ｓｉ−Ｃ溶液の深さを３０ｍｍ以上とし、
前記坩堝の周囲に配置された高周波コイルで、前記Ｓｉ−Ｃ溶液を加熱及び電磁撹拌することを含み、
結晶成長面の中央部に向かうＳｉ−Ｃ溶液の上昇流速を大きくすることができる、
ＳｉＣ単結晶の製造方法。」

ウ 甲３に記載された発明
甲３は、上記（１）ウ（イ）の記載によれば、「トップシード溶液成長法において、成長中の４Ｈ−ＳｉＣ結晶表面付近の流体の流れの挙動を、数値および分析モデリングを用いて調査した」結果が記載されているものであるが、上記同（ウ）及び同（エ）には、このトップシード溶液成長法を行う実験装置が記載され、この実験装置では、４Ｈ−ＳｉＣ結晶がトップシード溶液成長法により製造されることが理解できる。ここで、この実験装置は、上記同（ウ）の記載によれば、純粋な液体シリコンを溶媒として使用し、容器としても炭素源としても機能する高密度の黒鉛製るつぼに入れ、黒鉛棒に直径１０〜３０ｍｍのＳｉＣシード（結晶）を取り付け、液体に浸すというトップシード溶液成長法（ＴＳＳＧ法）を採用し、４Ｈ−ＳｉＣ結晶を製造するものであり、シード結晶は、［１１−２０］の方向に４゜のオフカットをつけた炭素面の４Ｈ−ＳｉＣ（０００１）ウェハであり、結晶の回転速度を０〜２００ｒｐｍの範囲で変化させるものであるから、甲３には、この実験装置を用いた、以下の「４Ｈ−ＳｉＣ結晶の製造方法」が記載されているということができる。
「純粋な液体シリコンを溶媒として使用し、容器としても炭素源としても機能する高密度の黒鉛製るつぼに入れ、黒鉛棒に直径１０〜３０ｍｍの、［１１−２０］の方向に４゜のオフカットをつけた炭素面の４Ｈ−ＳｉＣ（０００１）ウェハであるＳｉＣシード結晶を取り付け、液体に浸すというトップシード溶液成長法（ＴＳＳＧ法）を採用し、結晶の回転速度を０〜２００ｒｐｍの範囲で変化させる、４Ｈ−ＳｉＣ結晶の製造方法」
また、上記同（オ）には、（トップシード溶液成長法において、成長中の４Ｈ−ＳｉＣ結晶表面付近の流体の流れの挙動を、数値および分析モデリングを用いて調査した結果として、）「るつぼの底部からシードに向かって、対称軸を中心とした流体の直接的な流れが生じている」ことが記載されている。
以上を踏まえると、甲３には、以下の発明（以下、「甲３発明」という。）が記載されているといえる。

「純粋な液体シリコンを溶媒として使用し、容器としても炭素源としても機能する高密度の黒鉛製るつぼに入れ、黒鉛棒に直径１０〜３０ｍｍの、［１１−２０］の方向に４゜のオフカットをつけた炭素面の４Ｈ−ＳｉＣ（０００１）ウェハであるＳｉＣシード結晶を取り付け、液体に浸すというトップシード溶液成長法（ＴＳＳＧ法）を採用し、結晶の回転速度を０〜２００ｒｐｍの範囲で変化させ、るつぼの底部からシードに向かって、対称軸を中心とした流体の直接的な流れが生じている４Ｈ−ＳｉＣ結晶の製造方法。」

エ 甲８に記載された発明
甲８には、上記（１）ク（ア）の記載によれば、ＲＡＦ法を用いた高品質ＳｉＣ単結晶成長法が記載されているが、ＲＡＦ法とは、「結晶内の欠陥の形態をａ面方向の成長を繰り返すことにより基底面内の欠陥に変換し、基底面内に閉じ込め、最後にその欠陥をｃ面成長により結晶外に掃き出す手法である」。そして、上記同（オ）の「図2-23にａ面成長を３回繰り返し後ｃ面成長して作製した結晶と７回繰り返して作製した結晶を比較したものである。図2-18で示したｃ面OFF成長による掃き出し処理をした結晶の(0001面)トポ像である。
結晶のサイズは、共にΦ1インチである。X線トポグラフ評価はSpring-8の強力な放射光を用いた。G＝(11-28)回折することにより、ｃ軸方向の転位、ａ面方向の転位も同時に観察した。・・・７回RAF結晶像では、視野3mm×3mm中に丸印で囲んだ部分に１つ貫通らせんが観測される程度まで高品質な結果を得ることが出来た。Φ1インチ全域での平均の貫通らせん転位の密度は３回RAF結晶が72個/cm2、７回RAF結晶は1.3個/cm2であった。」との記載によれば、甲８には、ａ面成長を７回繰り返し後ｃ面成長して作成したΦ１インチの結晶であって、結晶の(0001面)トポ像により求められたΦ１インチ全域での平均貫通らせん転移の密度が１．３個／cm2である結晶が記載されていることが理解できる。
また、上記の「図2-18で示したｃ面OFF成長による掃き出し処理をした結晶」とは、上記同（エ）の図2-18に関する説明である「図2-18(a)は３回のRAF成長した後、ｃ面OFF成長をした結晶の断面観察結果である。RAF成長により種結晶中の基底面に集約された積層型の転位が成長と共に外部に掃き出されているのがわかる。写真の左上方向に走る黒い斜めのスジが、転位の掃き出しを示している。約4°の傾きで排出されるので、Φ２インチの結晶であれば、50ｍｍ×tan(4°)=約3ｍｍの長さ成長すれば、全ての領域で転位が掃き出されることになる。・・・図2-18(b)は７回のRAF成長したものであるが、まったく貫通型の転位に変換されること無く、外部に掃き出されている様子が観察されている。このように、RAF成長はａ面成長を繰り返すことにより完全に転位を基底面に閉じ込め、外部に掃き出す成長技術である。」との記載によれば、ｃ面OFF成長における傾きが４°であるものであることが理解できる。
さらに、同（オ）の「RAF成長を７回繰り返すことによりEPD（全てのエッチピットの密度）は20個/cm2以下まで低減することが出来た。デバイスに大きく悪影響を及ぼすと考えられる貫通らせん転位は1.3個/cm2まで低減することができた。」との記載によれば、Φ１インチ全域での平均貫通らせん転移の密度が１．３個／cm2であることに加え、EPD（全てのエッチピットの密度）は20個/cm2以下である結晶が記載されていることが理解できる。また、ｃ面方向に成長している結晶がΦ１インチとされ、Φが直径を表すことを考慮すると、結晶の形状は円柱形状であることが理解できる。
以上を踏まえると、甲８には、ＳｉＣ単結晶に関する以下の発明（以下、甲８結晶発明という。）が記載されているといえる。

「ａ面成長を７回繰り返し後ｃ面成長して作成したΦ１インチのＳｉＣ単結晶であって、結晶の(0001面)トポ像により求められたΦ１インチ全域での平均貫通らせん転移の密度が１．３個／cm2、EPD（全てのエッチピットの密度）は20個/cm2以下であり、ｃ面OFF成長における傾きが４°である、円柱形状であるＳｉＣ単結晶。」

さらに、上記同（カ）の記載によれば、結晶は切り出されてウエハとされるものであると共に、上記同（カ）図２−３１の記載によれば、ウエハは結晶の成長方向に垂直な断面で切り出されることが理解できるから、甲８には、ウエハに関する以下の発明（以下、甲８ウエハ発明という。）も記載されているといえる。

「ａ面成長を７回繰り返し後ｃ面成長して作成したΦ１インチのＳｉＣ単結晶であって、結晶の(0001面)トポ像により求められたΦ１インチ全域での平均貫通らせん転移の密度が１．３個／cm2、EPD（全てのエッチピットの密度）は20個/cm2以下であり、ｃ面OFF成長における傾きが４°である、円柱形状であるＳｉＣ単結晶を、結晶の成長方向に垂直な断面で切り出したウエハ。」

（３）申立理由１及び取消理由１について
申立理由１と取消理由１は、共に甲８を主引用例とする理由であるので、まとめて判断する。

ア 本件発明１について
（ア）対比
本件発明１と甲８ウエハ発明を対比する。
甲８ウエハ発明の「ＳｉＣ単結晶」、「Φ」及び「(0001面)」は、それぞれ、本件発明１の「炭化ケイ素単結晶」、「直径」及び「（０００１）面」に相当する。
そして、甲８ウエハ発明の「円柱形状であるＳｉＣ単結晶を、結晶の成長方向に垂直な断面で切り出したウエハ」は、「炭化ケイ素単結晶ウェハ」に相当すると共に、円板状であることは明らかであるから、本件発明１の「円板状の炭化ケイ素単結晶ウェハ」にも相当する。
また、甲８ウエハ発明のウエハは、Φ１インチ（直径２５．４ｍｍ）の円柱形状であるＳｉＣ単結晶を、結晶の成長方向に垂直な断面で切り出したものであるから、本件発明１の「ウェハの直径が、１５ｍｍ以上であ」るとの条件を満たすものである。
さらに、甲８ウエハ発明のウエハは、「ｃ面OFF成長における傾きが４°である、円柱形状であるＳｉＣ単結晶を、結晶の成長方向に垂直な断面で切り出したウエハ」であり、このウエハは、ＳｉＣ単結晶のｃ面(0001面)に対し結晶の成長方向に垂直な断面（ウエハの平面方向）は４°の傾きを有しているものであるといえるから、本件発明１の「ウェハの平面が、炭化ケイ素単結晶の（０００１）面から±５度以下にあ」るとの条件を満たすものである。
そうすると、本件発明１と甲８ウエハ発明は、「円板状の炭化ケイ素単結晶ウェハであって、前記ウェハの直径が、１５ｍｍ以上であり、前記ウェハの平面が、炭化ケイ素単結晶の（０００１）面から±５度以下にある、炭化ケイ素単結晶ウェハ。」の点で一致し、以下の点で相違しているといえる。

＜相違点１＞
ウェハ中の貫通転移密度について、本件発明１では、少なくとも、直径がウェハの直径の１／３であり、中心がウェハの中心と同じである円形の領域において、貫通転位密度が１０個／ｃｍ２未満であり、当該貫通転位密度は、水酸化カリウムでエッチングを行うことで生じる前記領域内のエッチピットの数を測定することにより得られる転位密度であるのに対し、甲８ウエハ発明では、結晶の(0001面)トポ像により求められたΦ１インチ全域での平均貫通らせん転移の密度が１．３個／cm2、EPD（全てのエッチピットの密度）は２０個/cm2以下であるものの、少なくとも、直径がウェハの直径の１／３であり、中心がウェハの中心と同じである円形の領域における、結晶の成長方向に垂直な断面で切り出したウエハにおける貫通転位密度が明らかでない点。

（イ）上記相違点１に対する判断
ａ 本件明細書の【０００９】の「貫通刃状転位と基底面転位の存在を示すエッチピット」との記載によれば、甲８ウエハ発明における「EPD」のエッチピットには、少なくとも「貫通刃状転位」と「基底面転位」を含むものであるといえる。また、同【００４０】の「貫通らせん転位（ＴＳＤ）と貫通刃状転位（ＴＥＤ）を合わせた貫通転位の密度が１００個／ｃｍ２未満である」との記載によれば、本件発明１における貫通転位の密度とは、「貫通らせん転位（ＴＳＤ）」と「貫通刃状転位（ＴＥＤ）」の密度を合わせたものであるといえる。
ここで、甲８ウエハ発明において、貫通らせん転移の密度が１．３個／cm2であり、貫通刃状転位密度を含むといえるEPDが２０個/cm2以下であるとしても、貫通刃状転位の密度が不明であるから、貫通らせん転移の密度と貫通刃状転位の密度を合わせた貫通転位密度が１０個／ｃｍ２未満となるか不明である。
そうすると、上記相違点１は、実質的な相違点である。
ｂ 次に、貫通らせん転移の密度と貫通刃状転位の密度を合わせた貫通転位密度を１０個／ｃｍ２未満とすることが当業者に容易になし得るか否かについて検討する。まず、甲８には、刃状転位に関する記載はあるものの（上記（１）ク（オ））、貫通刃状転位に関する記載はなく、特に貫通刃状転位に着目してこれを低減することをうかがわせる記載は見当たらない。ここで、甲８発明では、EPDは２０個/cm2以下であるから、これをさらに低減して、結果として、貫通らせん転移の密度と貫通刃状転位の密度を合わせた貫通転位密度を１０個／ｃｍ２未満とすることができるか否かであるが、甲８の上記（１）ク（オ）の「７回RAF結晶像では、視野3mm×3mm中に丸印で囲んだ部分に１つ貫通らせんが観測される程度まで高品質な結果を得ることが出来た。Φ1インチ全域での平均の貫通らせん転位の密度は３回RAF結晶が72個/cm2、７回RAF結晶は1.3個/cm2であった。・・・RAF法のａ面成長の繰り返し回数を増やす効果を図2-25に示す。RAF成長を７回繰り返すことによりEPD（全てのエッチピットの密度）は20個/cm2以下まで低減することが出来た。デバイスに大きく悪影響を及ぼすと考えられる貫通らせん転位は1.3個/cm2まで低減することができた。」との記載によれば、「EPD（全てのエッチピットの密度）は20個/cm2以下まで低減することが出来た」としつつ、むしろデバイスに大きく悪影響を及ぼすとする貫通らせん転位密度に着目し、これを「1.3個/cm2まで低減することができた」とし、高品質な結晶を得ることができたとの認識を示しているといえることから、甲８からは、特にこれ以上のEPDの低減の必要性を読み取ることはできない。むしろ、上記同（ウ）の「品質が向上すればするほど、完全結晶に近づくほど、従来では問題とならなかった僅かな温度不均一に由来する新たな欠陥の発生、あるいは僅かな歪みの不均一から貫通型の欠陥に再変換されて結晶内に残存してしまう様な課題も見えてきた。」との記載によれば、RAF成長を７回繰り返すことでも相当の手間を必要としているところ、さらに単純にRAF成長の繰り返し数を増やしたとしても、それに見合うEPDの減少を図ることができるのか明らかでないないから、甲８ウエア発明には、EPDを、このEPDに含まれる貫通らせん転移の密度と貫通刃状転位の密度を合わせた貫通転位密度が、１０個／ｃｍ２未満となるまで低減しようとする動機付けがあるとはいえない。
さらに、甲１〜６にも、貫通転位密度を１０個／ｃｍ２未満にする記載はないから、甲１〜６を考慮したとしても、上記相違点１は、当業者が容易に想到し得るものではない。

（ウ）小括
以上のとおり、上記相違点１は、実質的な相違点であるから、本件発明１は、甲８ウエハ発明ではないし、上記相違点１に係る本件発明１の構成は、当業者が容易に想到し得るものであるとはいえないから、本件発明１は、甲８ウエハ発明及び甲１〜６に記載の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。

（エ）令和４年５月１０日提出の意見書における異議申立人の主張に対する当審の判断
異議申立人は、上記意見書で以下の主張をしている。
甲第８号証の第３３頁〜３４頁には、ＲＡＦ法により得られる成長結晶面において、そのＥＰＤ（全てのエッチピットの密度）が２０個／ｃｍ２以下であること、ＲＡＦ法の回数によって微細欠陥密度（上記ＥＰＤ）が指数関数的に低減できていること（図２−２５の白丸（○）、第１１０頁には「＜成果１＞ 原理的には転位密度をゼロにすることが可能なＲＡＦ法を考案した」こと、が記載されている。
以上の記載から、甲第８号証には、貫通転位を含む全てのエッチピットの密度をゼロにし得ることが記載または示唆されており、訂正請求発明１は甲８結晶発明と相違がない（４頁１４行〜５頁５行）。
しかしながら、仮に、甲８に記載されるＲＡＦ法が、原理的には転位密度をゼロにすることが可能であるとしても、実際には、上記（イ）ｂで述べたように、甲８の上記（１）ク（ウ）には、「品質が向上すればするほど、完全結晶に近づくほど、従来では問題とならなかった僅かな温度不均一に由来する新たな欠陥の発生、あるいは僅かな歪みの不均一から貫通型の欠陥に再変換されて結晶内に残存してしまう様な課題も見えてきた。」との記載があり、単純にRAF成長を繰り返したとしても、それに見合う欠陥の減少を図ることができるのか明らかでないから、甲８には、貫通転位を含む全てのエッチピットの密度をゼロにし得ることが記載または示唆されているとはいえない。
そうすると、異議申立人の上記の主張を採用することはできない。

イ 本件発明２について
（ア）対比
上記ア（ア）で述べた本件発明１と甲８ウエハ発明の構成間の対応関係も考慮すると、本件発明２と甲８ウエハ発明は、「円板状の炭化ケイ素単結晶ウェハであって、前記ウェハの直径が、１５ｍｍ以上であり、前記ウェハの平面が、炭化ケイ素単結晶の（０００１）面から±５度以下にある、炭化ケイ素単結晶ウェハ。」の点で一致し、以下の点で相違しているといえる。

＜相違点２＞
ウェハ中の貫通転移密度について、本件発明２では、少なくとも、直径がウェハの直径の１／３であり、中心がウェハの中心と同じである円形の領域において、貫通転位密度が１００個／ｃｍ２未満であり、前記の円形の領域の外側の領域において、前記貫通転位密度が１００個／ｃｍ２以上であり、当該貫通転位密度は、水酸化カリウムでエッチングを行うことで生じる前記円形の領域及び前記外側の領域内のエッチピットの数を測定することにより得られる転位密度であるのに対し、甲８ウエハ発明では、結晶の(0001面)トポ像により求められたΦ１インチ全域での平均貫通らせん転移の密度が１．３個／cm2、EPD（全てのエッチピットの密度）は２０個/cm2以下であるものの、少なくとも、直径がウェハの直径の１／３であり、中心がウェハの中心と同じである円形の領域における、結晶の成長方向に垂直な断面で切り出したウエハにおける貫通転位密度、及びその外側の領域における貫通転位密度が明らかでない点。

（イ）上記相違点２に対する判断
上記相違点２に係る事項は、ウエハ中央の円形の領域内に対し、１００個／ｃｍ２を境にその外側の領域で貫通転位密度を高くするということであるが、甲８には、ウエハ内の領域において、貫通らせん転移の密度やEPDが異なる領域が存在することに関する何らの記載もないし、ウエハ全域の貫通らせん転移密度やEPDを低減するとの要請はあるとしても、ウエハ内に他の領域に比べ、貫通らせん転移密度やEPDが高い領域が存在させることが普通であるとはいえないから、甲８ウエハ発明には、上記相違点２に関し、ウエハ中央の円形の領域内に対し、１００個／ｃｍ２を境にその外側の領域で貫通転位密度を高くする動機付けがあるとはいえない。
そして、甲８ウエハ発明には、ウエハ中央の円形の領域内に対し、１００個／ｃｍ２を境にその外側の領域で貫通転位密度を高くする動機付けがないのであるから、他の証拠の記載事項にかかわらず、上記相違点２に係る本件発明２の構成は、当業者が容易に想到し得るものではないが、念のため他の証拠についても検討すると、甲４には、甲４の上記（１）エ（ウ）に「特許文献３には、種結晶を用いた昇華再結晶法において、ＳｉＣ単結晶を成長させ、これから種結晶を切り出して再度結晶成長を行い、これを何度か繰り返して、成長結晶の形状を成長方向に対して凸状となるようにすることで、モザイク性の小さなＳｉＣ単結晶ウェハを得る技術が報告されている。この技術は、転位の集合体である小傾角粒界が成長表面に垂直に伝播する性質を利用するものであり、成長結晶を成長方向に対して凸状となるようにすることで、転位の集合体である小傾角粒界を成長結晶の周辺部に移動させて、中央部に小傾角粒界密度の低い、すなわち転位密度の低い領域を形成するようにしたものである。」との記載があるが、甲８ウエハ発明に係るウエハの製造方法は、甲８の上記（１）ク（ア）及び（イ）に記載されるＲＡＦ法によるものであり、甲４に記載されるように、ＳｉＣ単結晶を成長させ、これから種結晶を切り出して再度結晶成長を行い、これを何度か繰り返して、成長結晶の形状を成長方向に対して凸状となるようにすることで、モザイク性の小さなＳｉＣ単結晶ウェハを得るものではないから、単に、甲４に記載される「転位の集合体である小傾角粒界を成長結晶の周辺部に移動させて、中央部に小傾角粒界密度の低い、すなわち転位密度の低い領域を形成する」ことだけを、甲８ウエハ発明に適用することができるとはいえない。
さらに、他の甲１〜３、５、６には、上記相違点２に係る本件発明２の構成に関する記載はないから、甲１〜６を考慮したとしても、上記相違点２に係る本件発明２の構成は、当業者が容易に想到し得るものではない。

（ウ）小括
以上のとおり、上記相違点２に係る本件発明２の構成は、当業者が容易に想到し得るものであるとはいえないから、本件発明２は、甲８ウエハ発明及び甲１〜６に記載の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。

ウ 本件発明３について
（ア）対比
本件発明３と甲８結晶発明を対比する。
甲８結晶発明の「ＳｉＣ単結晶」、「Φ」及び「(0001面)」は、それぞれ、本件発明３の「炭化ケイ素単結晶」、「直径」及び「（０００−１）面」に相当する。
そして、甲８結晶発明の「円筒形状であるＳｉＣ単結晶」は、本件発明３の「略円柱状又は略多角柱状の炭化ケイ素単結晶インゴット」に相当する。
また、甲８結晶発明の単結晶は、結晶の成長方向に沿って形成された「Φ１インチ（直径２５．４ｍｍ）の円柱形状」であるから、本件発明３の「インゴットの、結晶成長方向に対して垂直な平面での断面の直径又は最遠頂点間距離が、１５ｍｍ以上である」との条件を満たすものである。
さらに、甲８結晶発明の単結晶は、「ｃ面OFF成長における傾きが４°である」ものであり、この単結晶は、ＳｉＣ単結晶のｃ面(0001面)に対し結晶の成長方向に垂直な断面（結晶成長面）が４°の傾きを有しているものであるといえるから、本件発明３の「結晶成長面が、炭化ケイ素単結晶の（０００−１）面から０．５度以上５度以下傾いたオフ角を有し」との条件を満たすものである。
そうすると、本件発明３と甲８結晶発明は、「略円柱状又は略多角柱状の炭化ケイ素単結晶インゴットであって、結晶成長面が、炭化ケイ素単結晶の（０００−１）面から０．５度以上５度以下傾いたオフ角を有し、前記インゴットの、結晶成長方向に対して垂直な平面での断面の直径又は最遠頂点間距離が、１５ｍｍ以上である、炭化ケイ素単結晶インゴット。」の点で一致し、以下の点で相違しているといえる。

＜相違点３＞
結晶成長方向に対して垂直な平面内の貫通転移密度について、本件発明３では、少なくとも、直径がインゴット断面の直径又は最遠頂点間距離の１／３であり、中心がインゴット断面の中心と同じである円形の領域において、貫通転位密度が１０個／ｃｍ２未満であり、当該貫通転位密度は、水酸化カリウムでエッチングを行うことで生じる前記領域内のエッチピットの数を測定することにより得られる転位密度であるのに対し、甲８結晶発明では、結晶の(0001面)トポ像により求められたΦ１インチ全域での平均貫通らせん転移の密度が１．３個／cm2、EPD（全てのエッチピットの密度）は20個/cm2以下であるものの、少なくとも、直径がインゴット断面の直径又は最遠頂点間距離の１／３であり、中心がインゴット断面の中心と同じである円形の領域における、結晶成長方向に対して垂直な平面内における貫通転位密度が明らかでない点。

（イ）上記相違点３に対する判断
上記相違点３に係る「結晶成長方向に対して垂直な平面」とは、甲８ウエハ発明において、ウエハが切り出される面と同じであり、上記ア（イ）で述べたように、本件発明１の「少なくとも、直径がウェハの直径の１／３であり、中心がウェハの中心と同じである円形の領域において、貫通転位密度が１０個／ｃｍ２未満である」ことが、甲８には記載されていないし、甲８ウエハ発明及び甲１〜６に記載の事項から、当業者が容易に想到し得るものではない以上、上記相違点３に係る「少なくとも、直径がインゴット断面の直径又は最遠頂点間距離の１／３であり、中心がインゴット断面の中心と同じである円形の領域において、貫通転位密度が１０個／ｃｍ２未満である」ことも、同様に、甲８には記載されていないし、甲８結晶発明及び甲１〜６に記載の事項から、当業者が容易に想到し得るものではない。

（ウ）小括
以上のとおり、上記相違点３は、実質的な相違点であるから、本件発明３は、甲８結晶発明ではないし、上記相違点３に係る本件発明３の構成は、当業者が容易に想到し得るものであるとはいえないから、本件発明３は、甲８結晶発明及び甲１〜６に記載の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。

エ 本件発明４について
本件発明４は、少なくとも本件発明３の構成をすべて具備するものであるから、本件発明３と同様に、本件発明４は、甲８結晶発明ではないし、甲８結晶発明及び甲１〜６に記載の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。

オ 本件発明５について
（ア）対比
上記ウ（ア）で述べた本件発明３と甲８結晶発明の構成間の対応関係も考慮すると、本件発明５と甲８結晶発明は、「略円柱状又は略多角柱状の炭化ケイ素単結晶インゴットであって、結晶成長面が、炭化ケイ素単結晶の（０００−１）面から０．５度以上５度以下傾いたオフ角を有し、前記インゴットの、結晶成長方向に対して垂直な平面での断面の直径又は最遠頂点間距離が、１５ｍｍ以上である、炭化ケイ素単結晶インゴット。」の点で一致し、以下の点で相違しているといえる。

＜相違点４＞
結晶成長方向に対して垂直な平面内の貫通転移密度について、本件発明５では、少なくとも、直径がインゴット断面の直径又は最遠頂点間距離の１／３であり、中心がインゴット断面の中心と同じである円形の領域において、貫通転位密度が１００個／ｃｍ２未満であり、かつ、前記の円形の領域の外側の領域において、前記貫通転位密度が１００個／ｃｍ２以上であり、当該貫通転位密度は、水酸化カリウムでエッチングを行うことで生じる前記円形の領域及び前記外側の領域内のエッチピットの数を測定することにより得られる転位密度であるのに対し、甲８結晶発明では、結晶の(0001面)トポ像により求められたΦ１インチ全域での平均貫通らせん転移の密度が１．３個／cm2、EPD（全てのエッチピットの密度）は20個/cm2以下であるものの、少なくとも、直径がインゴット断面の直径又は最遠頂点間距離の１／３であり、中心がインゴット断面の中心と同じである円形の領域における、結晶成長方向に対して垂直な平面内における貫通転位密度、及びその外側の領域における貫通転位密度が明らかでない点。

（イ）上記相違点４に対する判断
上記相違点４に係る「結晶成長方向に対して垂直な平面」とは、甲８ウエハ発明において、ウエハが切り出される面と同じであり、上記イ（イ）で述べたように、本件発明２の「少なくとも、直径がウェハの直径の１／３であり、中心がウェハの中心と同じである円形の領域において、貫通転位密度が１００個／ｃｍ２未満であり、前記の円形の領域の外側の領域において、前記貫通転位密度が１００個／ｃｍ２以上であ」ることが、甲８ウエハ発明及び甲１〜６に記載の事項から、当業者が容易に想到し得るものではない以上、上記相違点４に係る「少なくとも、直径がインゴット断面の直径又は最遠頂点間距離の１／３であり、中心がインゴット断面の中心と同じである円形の領域において、貫通転位密度が１００個／ｃｍ２未満であり、かつ、前記の円形の領域の外側の領域において、前記貫通転位密度が１００個／ｃｍ２以上であ」ることも、同様に、甲８結晶発明及び甲１〜６に記載の事項から、当業者が容易に想到し得るものではない。

（ウ）小括
以上のとおり、上記相違点４に係る本件発明５の構成は、当業者が容易に想到し得るものであるとはいえないから、本件発明５は、甲８結晶発明及び甲１〜６に記載の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。

カ 本件発明１４について
本件発明１４は、本件発明５に、さらに、「結晶成長方向の長さが１０ｍｍ以上である」との限定が付加された発明であるから、本件発明５と同様に、本件発明１４は、甲８結晶発明及び甲１〜６に記載の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。

キ 申立理由１及び取消理由１に関するまとめ
以上のとおり、本件特許１〜５、１４は、特許法第29条第1項及び同条第２項の規定に違反してされたものではないから、申立理由１及び取消理由１には、理由がない。

（４）申立理由２及び取消理由２について
申立理由２と取消理由２は、共に甲１を主引用例とする理由であるので、まとめて判断する。
また、事案にかんがみ、まず、製造方法に係る発明である本件発明６〜１３について判断し、その後、物の発明である本件発明１、３、４について判断を行う。

ア 本件発明６について
（ア）対比
本件発明６と甲１発明を対比する。
甲１発明の「４Ｈ−ＳｉＣ種結晶」、「種結晶の成長表面」及び「炭化ケイ素の結晶の製造方法」は、それぞれ、本件発明６の「炭化ケイ素の種結晶」、「種結晶の成長面」及び「炭化ケイ素単結晶の製造方法」に相当する。
そして、甲１発明の「Ｃ面（１度オフ基板）」とは、上記（１）ア（キ）の【図２】によれば、種結晶の成長表面が、（０００１）面（Ｃ面）から１度傾いたオフ角を有しているということであり、この（０００１）面は、（０００−１）面と同じであるから、甲１発明の「４Ｈ−ＳｉＣ種結晶Ｃ面（１度オフ基板）」は、本件発明１の「種結晶の結晶成長面は（０００−１）面から０．５度以上５度以下傾いたオフ角を有し」との条件を満たすものである。
また、甲１発明における「黒鉛るつぼ内の１９００℃のＳｉ−４０ａｔ．％Ｃｒ溶媒」は、上記同（ア）の【請求項１】の「炭化ケイ素の種結晶を、ケイ素及び炭素を含む原料溶液に接触させながら回転させる炭化ケイ素の結晶の製造方法において」等の記載によれば、「ケイ素及び炭素を含む原料溶液」であることが理解でき、甲１発明における炭化ケイ素の結晶の製造は、上記同（カ）の【図１】に記載される装置により行われるものであり、ＳｉＣ種結晶を、Ｓｉ−４０ａｔ．％Ｃｒ溶媒中に上方より接触させながら結晶を成長させているといえるから、甲１発明の「黒鉛るつぼ内の１９００℃のＳｉ−４０ａｔ．％Ｃｒ溶媒中に直径１インチの４Ｈ−ＳｉＣ種結晶Ｃ面（１度オフ基板）を浸漬し」「３時間成長させ」は、本件発明６の「炭化ケイ素の種結晶を、ケイ素及び炭素を含む原料溶液に上方より接触させながら結晶を成長させ」に相当する。
そうすると、本件発明６と甲１発明は、「炭化ケイ素の種結晶を、ケイ素及び炭素を含む原料溶液に上方より接触させながら結晶を成長させる炭化ケイ素単結晶の製造方法において、前記種結晶の結晶成長面は（０００−１）面から０．５度以上５度以下傾いたオフ角を有している、炭化ケイ素単結晶の製造方法。」の点で一致し、以下の点で相違しているといえる。

＜相違点５＞
結晶成長中の原料溶液の溶液流れについて、本件発明６では、種結晶の中心部に接触する上昇流を形成し、前記上昇流の速度は成長界面から１ｃｍ離れた位置で０．５ｃｍ／ｓ以上、５ｃｍ／ｓ以下であるのに対し、甲１発明では、種結晶の成長表面より０．２ｍｍ下に生じる原料溶液の流れとして、回転中心を中心に外側に向かう流れができているものの、種結晶の中心部に接触する上昇流であって、前記上昇流の速度は成長界面から１ｃｍ離れた位置で０．５ｃｍ／ｓ以上、５ｃｍ／ｓ以下であるのか明らかでない点。

（イ）上記相違点５に対する判断
ａ 甲１発明における炭化ケイ素の結晶の製造方法は、甲１の上記（１）ア（カ）に記載される結晶成長装置で行われるものであるが、甲１発明で特定されているように、種結晶の成長表面より０．２ｍｍ下に生じる原料溶液の流れとして、回転中心を中心に外側に向かう流れができるには、その原料溶液の流れの起点である回転中心に対して原料溶液が供給されなければならないこと、そして、その原料溶液の供給は、回転中心に対し上向きの流れであることは、当業者にとって明らかな事項であるから、甲１発明において、種結晶（４Ｈ−ＳｉＣ種結晶）の中心部（回転中心）に接触する上昇流が存在していることは、明らかである。
しかしながら、甲１には、その上昇流の速度が、成長界面から１ｃｍ離れた位置で０．５ｃｍ／ｓ以上、５ｃｍ／ｓ以下であることは記載されていないから、上記相違点５は、実質的な相違点である。
ｂ 次に、上記相違点５に係る本件発明６の構成が当業者が容易に想到し得るものであるか否かについて検討する。
上記（２）アで述べたように、甲１発明は、甲１の請求項１に係る発明の対する比較例１（甲１の上記（１）ア（エ）の【００４２】）に基づくものであるから、甲１発明にさらに何らかの改良を加えようとする動機付けは生じない。
さらに、甲１に記載される技術的事項について以下検討する。
ＳｉＣ単結晶のオフ基板上への結晶成長では成長界面の形状不安定が生じ、結晶成長の進行に伴い部分的にトレンチと呼ばれる窪みが発生するため、オフ基板上への結晶育成ではオン基板（オフ角を有しない種結晶基板）上への結晶育成と比べて表面荒れが生じやすいという問題があったところ（上記（１）ア（イ）の【０００９】）、前記技術的事項は、オフ基板上への結晶成長において表面荒れが抑制可能な炭化ケイ素の結晶成長方法を提供することを課題とし（同（イ）の【００１０】）、この課題を、オフ基板のステップフロー方向に対する溶媒の流れの方向を対向流となるようにすることにより、オフ基板上への結晶育成におけるトレンチ形成の抑制し、解決している（同（イ）の【００１１】）。
これによれば、上記技術的事項は、オフ基板のステップフロー方向に対する溶媒の流れの方向、すなわち、オフ基板の表面に対して平行な方向の溶媒の流れに着目するものであり、結果的に、オフ基板に対して上向きの流れが生じるとしても、この流れに何ら着目するものではないから、甲１の技術的事項を考慮したとしても、甲１には、オフ基板に対する上昇流の速度を、成長界面から１ｃｍ離れた位置で０．５ｃｍ／ｓ以上、５ｃｍ／ｓ以下とする動機付けはない。
ｃ 上述のように、甲１発明は、比較例に基づくものであり、甲１発明にさらに何らかの改良を加えようとする動機付けが生じるものではないから、他の証拠の記載事項にかかわらず、上記相違点５に係る本件発明６の構成は、当業者が容易に想到し得ないものであるが、念のため他の証拠についても検討する。
甲２に記載される技術的事項は、以下のとおりである。
従来、溶液法において、結晶成長面に向かうＳｉ−Ｃ溶液の上昇流速が低く、溶質の供給が不十分となり、得られる結晶成長速度が未だ十分ではなかった（上記（１）イ（イ）の【０００７】）のに対し、上記技術的事項は、溶液法において、結晶成長面に向かうＳｉ−Ｃ溶液の、従来よりも大きな上昇流速を得ることができるものである（同（イ）の【００１０】）。そして、具体的な実施例における、種結晶基板の成長面の中央部から１．５ｍｍ鉛直方向下の位置における鉛直上方向に向かうＳｉ−Ｃ溶液の流速である、Ｓｉ−Ｃ溶液の上昇流速のシミュレーション結果（上記（１）イ（オ）の【００６４】）として、Ｓｉ−Ｃ溶液の上昇流速が、本件発明６の「０．５ｃｍ／ｓ以上、５ｃｍ／ｓ以下」の範囲内の例（実施例１等）が記載されている（同（カ）の【表１】）。
ここで、上記技術的事項は、溶液法において、結晶成長面に向かうＳｉ−Ｃ溶液の上昇流速が低く、溶質の供給が不十分となり、得られる結晶成長速度が未だ十分ではなかった（【０００７】）のに対し、結晶成長面に向かうＳｉ−Ｃ溶液の、従来よりも大きな上昇流速を得るものであるから、結晶成長面全面に向かうＳｉ−Ｃ溶液の上昇流を生じているものであるといえる。
一方、甲１に記載される技術的事項は、結晶成長面に対して平行な原料溶液の流れを生じさせるものであるから、結晶成長面全面に原料溶液の上昇流が発生しているのか明らかでなく、甲１に記載される原料溶液の流れ方と甲２に記載されるＳｉ−Ｃ溶液の流れ方が同じであるとはいえない。そうすると、甲２に記載されるＳｉ−Ｃ溶液の上昇流の速度を、単純に甲１発明に適応できるとはいえない。
さらに、甲４、７、８には、上記相違点５に係る本件発明６の構成に関係する事項は、記載されていないから、甲２、４、７、８を考慮したとしても、上記相違点５に係る本件発明６の構成は、当業者が容易に想到し得るものではない。

（ウ）小括
以上のとおり、上記相違点５は、実質的な相違点であるから、本件発明６は、甲１発明ではないし、上記相違点５に係る本件発明６の構成は、当業者が容易に想到し得るものであるとはいえないから、本件発明６は、甲１発明及び甲２、４、７、８に記載の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。

イ 本件発明７〜１３について
本件発明７〜１３は、少なくとも本件発明６の構成をすべて具備するものであるから、本件発明６と同様に、本件発明９、１０、１３は、甲１発明ではないし、本件発明７〜１３は、甲１発明及び甲２、４、７、８に記載の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。

ウ 本件発明１、３、４について
甲１には、本件発明１、３、４で特定される貫通転位密度に関する何らの記載もないから、少なくとも、この点は、本件発明１、３、４との相違点になるものであるところ、この相違点を実質的なものではないとするのに、申立理由２は、特許異議申立書１９頁２６行〜２０頁３行に記載される「上述したように、請求項６に係る発明（炭化ケイ素単結晶の製造方法）は、新規性を有しない蓋然性が高く、公知の製造方法と考えられる。したがって、公知の製造方法で製造された製造物も公知であると言うことができる結果、請求項６に係る製造方法で製造された製造物である炭化ケイ素単結晶ウェハも公知であり、請求項１に係る発明は新規性を有しないものである。」とされる理由を前提としている。すなわち、本件発明６が、甲１発明であるのであれば、本件発明１、３、４は、それぞれ甲１発明で製造された製造物であるということであるが、本件発明６が、甲１発明ではないことは、上記ア（イ）で述べたとおりであるから、本件発明１、３、４は、甲１発明により製造された製造物ではない。
また、甲１発明は、貫通転位密度に何ら着目するものではないから、甲２、４、７、８の記載事項を考慮したとしても、本件発明１、３、４との間の貫通転位密度に関する相違点を容易に想到し得るとはいえない。
そうすると、本件発明１、３、４は、甲１発明ではないし、甲１発明及び甲２、４、７、８に記載の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。

エ 申立理由２及び取消理由２に関するまとめ
以上のとおり、本件特許１、３、４、６〜１３は、特許法第29条第1項及び同条第２項の規定に違反してされたものではないから、申立理由２及び取消理由２には、理由がない。

（５）申立理由３及び取消理由３について
申立理由３と取消理由３は、共に甲３を主引用例とする理由であるので、まとめて判断する。
また、事案にかんがみ、まず、製造方法に係る発明である本件発明６〜１３について判断し、その後、物の発明である本件発明１、３、４について判断を行う。

ア 本件発明６について
（ア）対比
本件発明６と甲３発明を対比する。
甲３発明の「流体」、「ＳｉＣシード結晶」、「（０００１）」、「オフカット」、「対称軸」及び「４Ｈ−ＳｉＣ結晶の製造方法」は、それぞれ、本件発明６の「原料溶液」、「炭化ケイ素の種結晶」、「（０００−１）」、「オフ角」、「（種結晶の）中心部」及び「炭化ケイ素単結晶の製造方法」に相当する。
そして、甲３発明では、「［１１−２０］の方向に４゜のオフカットをつけた炭素面の４Ｈ−ＳｉＣ（０００１）ウェハであるＳｉＣシード結晶を取り付」けているところ、ＳｉＣシード結晶から結晶が成長することから、「［１１−２０］の方向に４゜のオフカットをつけた炭素面」が本件発明６の「結晶成長面」に相当することは明らかであり、さらに、この「炭素面」が、（０００１）面に対して４°傾いたオフ角を有するものであることも明らかであるから、甲３発明は、本件発明６の「種結晶の結晶成長面は（０００−１）面から０．５度以上５度以下傾いたオフ角を有し」との条件を満たすものである。
また、甲３発明の「純粋な液体シリコンを溶媒として使用し、容器としても炭素源としても機能する高密度の黒鉛製るつぼ」において、「炭素源としても機能する高密度の黒鉛製るつぼ」とは、成長するＳｉＣ結晶の炭素が黒鉛製るつぼから供給されるということであるから、黒鉛製るつぼ内の流体は、ＳｉとＣを含有しているといえ、甲３発明における「黒鉛製るつぼ」内の流体は、「ケイ素及び炭素を含む原料溶液」であることが理解できる。
さらに、上記（１）ウ（ウ）の記載によれば、甲３発明では、結晶の成長をチョクラルスキー法引き上げ装置を用いて行っていること、上記同（エ）の図１によれば、黒鉛製るつぼ内の流体の上方にｓｅｅｄ（ＳｉＣシード結晶）が位置していることが読み取れることから、甲３発明は、黒鉛棒に取り付けられたＳｉＣシード結晶は、黒鉛製るつぼ内の流体に上方から接し、ＳｉＣ種結晶に結晶が成長しているものであるといえ、本件発明６の「炭化ケイ素の種結晶を、ケイ素及び炭素を含む原料溶液に上方より接触させながら結晶を成長させる」に相当する構成を有しているといえる。
また、甲３発明の「るつぼの底部からシードに向かって、対称軸を中心とした流体の直接的な流れが生じている」とは、本件発明６の「（結晶成長中の）原料溶液の溶液流れが、種結晶の中心部に接触する上昇流を形成している」に相当する。
そうすると、本件発明６と甲３発明は、「炭化ケイ素の種結晶を、ケイ素及び炭素を含む原料溶液に上方より接触させながら結晶を成長させる炭化ケイ素単結晶の製造方法において、前記種結晶の結晶成長面は（０００−１）面から０．５度以上５度以下傾いたオフ角を有し、結晶成長中の原料溶液の溶液流れが、種結晶の中心部に接触する上昇流を形成している、炭化ケイ素単結晶の製造方法。」の点で一致し、以下の点で相違している。

＜相違点６＞
種結晶の中心部に接触する上昇流の速度について、本件発明６では、成長界面から１ｃｍ離れた位置で０．５ｃｍ／ｓ以上、５ｃｍ／ｓ以下であるのに対し、甲３発明では、上昇流の速度が明らかでない点。

（イ）上記相違点６に対する判断
甲３には、上昇流の速度が、成長界面から１ｃｍ離れた位置で０．５ｃｍ／ｓ以上、５ｃｍ／ｓ以下であることは記載されていないから、上記相違点６は、実質的な相違点である。
次に、上記相違点６に係る本件発明６の構成が当業者が容易に想到し得るものであるか否かについて検討する。
甲３の上記（１）ウ（イ）の甲３における記載内容の要約である「トップシード溶液成長法において、成長中の４Ｈ−ＳｉＣ結晶表面付近の流体の流れの挙動を、数値および分析モデリングを用いて調査した。まず、回転円盤の前を流れる流体の方位角成分および半径成分を計算した。次に、４Ｈ−ＳｉＣの結晶学を考慮し、位相パラメータを導入して、（結晶表面近傍の）ステップフローと流体成分との間の相互作用を示す分析モデルを開発した。両モデルの相関関係から、マクロステップが形成される条件と不安定になる条件を定性的に記述することができた。この現象論的な記述は、本稿でも紹介される対応する実験的な観察結果ともよく一致している。」との記載によれば、甲３発明においては、成長中の４Ｈ−ＳｉＣ結晶表面付近の流体の流れについては、その挙動の数値および分析モデリングを用いた調査にとどまり、何ら、種結晶の中心部に接触する上昇流の速度に着目するものではないから、甲３発明には、種結晶の中心部に接触する上昇流の速度を、成長界面から１ｃｍ離れた位置で０．５ｃｍ／ｓ以上、５ｃｍ／ｓ以下とする動機付けはない。
そして、甲３発明は、上述のように、何ら、種結晶の中心部に接触する上昇流の速度に着目するものではないから、他の証拠の記載にかかわらず、上記相違点６に係る本件発明６の構成は、当業者が容易に想到し得ないものであるが、念のため他の証拠についても検討する。
甲２には、上記（４）ア（イ）ｃで述べたように、Ｓｉ−Ｃ溶液の上昇流速のシミュレーション結果として、Ｓｉ−Ｃ溶液の上昇流速が、本件発明６の「０．５ｃｍ／ｓ以上、５ｃｍ／ｓ以下」の範囲内の例（実施例１等）が記載されている。しかしながら、甲３発明は、甲２に記載される技術的事項のように、溶液法において、結晶成長面に向かうＳｉ−Ｃ溶液の上昇流速が低く、溶質の供給が不十分となり、得られる結晶成長速度が未だ十分ではなかったという問題に着目するものではないから、甲２に記載されるＳｉ−Ｃ溶液の上昇流速を甲３発明に適用することができるとはいえない。
さらに、甲１、４〜６、８には、上記相違点６に係る本件発明６の構成に関係する事項は、記載されていない。
そうすると、甲１、２、４〜６、８を考慮したとしても、上記相違点６に係る本件発明６の構成は、当業者が容易に想到し得るものではない。

（ウ）小括
以上のとおり、上記相違点６は、実質的な相違点であるから、本件発明６は、甲３発明ではないし、上記相違点６に係る本件発明６の構成は、当業者が容易に想到し得るものであるとはいえないから、本件発明６は、甲３発明及び甲１、２、４〜６、８に記載の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。

イ 本件発明７〜１３について
本件発明７〜１３は、少なくとも本件発明６の構成をすべて具備するものであるから、本件発明６と同様に、本件発明１３は、甲３発明ではないし、本件発明７〜１３は、甲３発明及び甲１、２、４〜６、８に記載の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。

ウ 本件発明１、３、４について
甲３には、本件発明１、３、４で特定される貫通転位密度に関する何らの記載もないから、少なくとも、この点は、本件発明１、３、４との相違点になるものであるところ、上記（４）ウで述べたのと同様に、この相違点を実質的なものではないとするのに、申立理由３は、本件発明６が、甲３発明であるのであれば、本件発明１、３、４は、それぞれ甲３発明で製造された製造物であることを前提としているが、本件発明６が、甲３発明ではないことは、上記ア（イ）で述べたとおりであるから、本件発明１、３、４は、甲３発明により製造された製造物ではない。
また、甲３発明は、貫通転位密度に何ら着目するものではないから、甲１、２、４〜６、８の記載事項を考慮したとしても、本件発明１、３、４との間の貫通転位密度に関する相違点を容易に想到し得るとはいえない。
そうすると、本件発明１、３、４は、甲３発明ではないし、甲３発明及び甲１、２、４〜６、８に記載の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。

エ 申立理由３及び取消理由３に関するまとめ
以上のとおり、本件特許１、３、４、６〜１３は、特許法第29条第1項及び同条第２項の規定に違反してされたものではないから、申立理由３及び取消理由３には、理由がない。

（６）申立理由４について
ア 本件発明６について
（ア）対比
本件発明６と甲２発明を対比する。
甲２発明の「Ｓｉ−Ｃ単結晶」、「Ｓｉ−Ｃ溶液」、（Ｓｉ−Ｃ単結晶の製造方法に用いる）「種結晶基板」及び「結晶成長面の中央部」は、それぞれ、本件発明６の「炭化ケイ素単結晶」、「ケイ素及び炭素を含む原料溶液」、「炭化ケイ素の種結晶」及び「種結晶の中心部」に相当する。
そして、甲２発明において、「結晶成長面の中央部に向かうＳｉ−Ｃ溶液の上昇流速を大きくすることができる」とは、結晶成長面の中央部に向かうＳｉ−Ｃ溶液の上昇流が形成されていることが前提となるから、甲２発明は、本件発明６の「結晶成長中の原料溶液の溶液流れが、種結晶の中心部に接触する上昇流を形成している」に相当する構成を有している。また、結晶成長面の中央部に向かうＳｉ−Ｃ溶液の上昇流が形成されているということは、Ｓｉ−Ｃ溶液に対し種結晶基板が上方から接触されているということであるから、甲２発明は、本件発明６の「炭化ケイ素の種結晶を、ケイ素及び炭素を含む原料溶液に上方より接触させながら結晶を成長させる」に相当する構成を有しているといえる。
そうすると、本件発明６と甲２発明は、「炭化ケイ素の種結晶を、ケイ素及び炭素を含む原料溶液に上方より接触させながら結晶を成長させる炭化ケイ素単結晶の製造方法において、結晶成長中の原料溶液の溶液流れが、種結晶の中心部に接触する上昇流を形成している、炭化ケイ素単結晶の製造方法。」の点で一致し、以下の点で相違している。

＜相違点７＞
種結晶の結晶成長面について、本件発明６では、（０００−１）面から０．５度以上５度以下傾いたオフ角を有しているのに対し、甲２発明では、その点が明らかでない点。

＜相違点８＞
種結晶の中心部に接触する上昇流の速度について、本件発明６では、成長界面から１ｃｍ離れた位置で０．５ｃｍ／ｓ以上、５ｃｍ／ｓ以下であるのに対し、甲２発明では、上昇流の速度が明らかでない点。

（イ）相違点に関する判断
上記相違点７について検討する。
まず、本件発明６で、種結晶の結晶成長面が（０００−１）面から０．５度以上５度以下傾いたオフ角を有していることの技術的意義を検討すると、本件明細書の【００１６】の「本発明者らは、液相成長法で、（０００−１）面に対して所定のオフ角を有するオフ基板を使用して結晶成長させる際に、溶液が結晶成長面に対して上昇流となるようにすると、結晶成長時に欠陥が減少し、従来になく高品質の単結晶が得られることを見出した。このような効果は、オフ角がないオン基板や、オフ角が８度の基板では確認されず、オフ角が０．５〜５度の間にあり、結晶成長面に上昇流が接触する場合に欠陥が減少する現象が見られた。」との記載や、同【００４７】〜【００６３】に記載される実施例、比較例において、オフ角が０度である基板やオフ角が８度である基板で成長界面に対して上昇流が形成される条件とした比較例１−３、比較例１−７等で、中央部転位密度が１００個／ｃｍ２以上（×）であるのに対し、オフ角が１度である基板やオフ角が４度である基板で成長界面に対して上昇流が形成されるような条件とした実施例１−１、実施例１−３等で、中央部転位密度が１０個／ｃｍ２未満（◎）であることからすると、本件発明６における（０００−１）面からのオフ角の０．５度以上５度以下という範囲には、中央部における転位密度を低減する上で、重要な技術的意義かあることが理解できる。
一方、上記（４）ア（イ）で述べたように、甲２発明は、従来、溶液法において、結晶成長面に向かうＳｉ−Ｃ溶液の上昇流速が低く、溶質の供給が不十分となり、得られる結晶成長速度が未だ十分ではなかったのに対し、結晶成長面に向かうＳｉ−Ｃ溶液の、従来よりも大きな上昇流速を得ようとするものであるから、種結晶の結晶成長面の（０００−１）面からのオフ角に何ら着目するものではない。実際、甲２の上記（１）イ（エ）の【００４６】に種結晶基板の成長面について「種結晶基板として、例えば、成長面がフラットであり（０００１）ジャスト面または（０００−１）ジャスト面を有するＳｉＣ単結晶、（０００１）ジャスト面または（０００−１）ジャスト面から０°よりも大きく例えば８°以下のオフセット角度を有するＳｉＣ単結晶、または成長面が凹形状を有し凹形状の成長面の中央部付近の一部に（０００１）面または（０００−１）面を有するＳｉＣ単結晶を用いることができる。」と記載されるように、甲２発明においては、面については（０００１）面でも（０００−１）面でも良く、オフ角については、無くても良いし、８°以下の範囲であっても良いといった程度のものであり、本件発明６における上記技術的意義におけるように、貫通転位密度との関係で（０００−１）面のオフ角度に着目することをしていないから、甲２発明には、（０００−１）面からのオフ角を０．５度以上５度以下の範囲とする動機付けはない。
ここで、甲４の上記（１）エ（イ）の［０００７］には、高性能ＳｉＣデバイスの作製のために、ＢＰＤ（基底面転位）、及びＴＳＤ（貫通螺旋転位）の少ないＳｉＣ単結晶が求められていることが記載され、甲５の上記（１）オ（イ）には、「例えば、Ｋｉｍｏｔｏらは、高品質のＳｉＣエピタキシャル薄膜を得るには、（０００１）面を有するＳｉＣ基板に特定のオフ角度を付ける必要のあること示している」ことが記載され、甲６の上記（１）カ（ア）には、「オフ角度１°で２インチ基板の成長を行う場合、１mmの成長を行えば、すべての欠陥が結晶外部に排出されることになる。」ことが記載されていることから、溶液法において、貫通転位を減少させるためにＳｉＣ基板に特定のオフ角度を付けることは公知であるといえるが、上述のように、結晶成長面に向かうＳｉ−Ｃ溶液の、従来よりも大きな上昇流速を得ることを主眼とし、特に、貫通転位を減少することを意図しているとはいえない甲２発明に、上記公知の事項を適用することができるとはいえないし、また、結晶成長面に向かうＳｉ−Ｃ溶液の、従来よりも大きな上昇流速を生じている甲２発明において、仮に、ＳｉＣ単結晶に特定のオフ角度を付けたとしても、貫通転位密度を、本件発明６の上記技術的意義で述べた程度まで減少させることができるのかも明らかでない。
そうすると、甲４〜６を考慮したとしても、上記相違点７に係る本件発明６の構成は、当業者が容易に想到し得るものではない。

（ウ）小括
以上のとおり、上記相違点７に係る本件発明６の構成は、当業者が容易に想到し得るものであるとはいえないから、上記相違点８を検討するまでもなく、本件発明６は、甲２発明及び甲４〜６に記載の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。

イ 申立理由４に関するまとめ
以上のとおり、本件特許６は、特許法第29条第2項の規定に違反してされたものではないから、申立理由４には、理由がない。

２ 申立理由５、６及び取消理由４について
（１）申立理由５について
ア 具体的な指摘事項
（ア）本件発明１、３について
訂正前の請求項１に係る発明から把握される技術的思想は、直径が１５ｍｍ以上のウェハにおいて、ウェハの直径の１／３であり、中心がウェハの中心と同じである円形の領域（以下、「円形領域」と呼ぶ。）における貫通転位密度が１００個／ｃｍ２未満である思想である。
そして、ウェハの直径が大きくなればなるほど、「円形領域」の絶対面積が大きくなることを考慮すると、上述した技術的思想からは、ウェハの直径が大きくなればなるほど、貫通転位密度が１００個／ｃｍ２未満の領域が大きくなることが導き出される。すなわち、訂正前の請求項１に係る発明には、ウェハの直径が大きくなればなるほど、貫通転位密度が１００個／ｃｍ２未満の領域が大きくなる思想が含まれていることになる。
この点に関し、本件明細書には、直径１５ｍｍのみの実施例及び同じく直径１５ｍｍのみの比較例しか記載されていない。一方、上述した思想を裏付けるためには、少なくとも、直径の異なるウェハに関する実施例が必要とされることは明らかである。なぜなら、互いに直径の異なる実施例が記載されて初めて、ウェハの直径が大きくなればなるほど、貫通転位密度が１００個／ｃｍ２未満の領域面積が大きくなる思想を裏付けることができるからである。言い換えれば、本件明細書には、直径１５ｍｍの実施例及び比較例しか記載されていないことから、本件明細書の記載では、上述した思想をサポートするには不十分である。
また、訂正前の請求項３に係る発明のインゴットについても同様の問題がある。
したがって、訂正前の請求項１及び３に係る発明は、サポート要件違反という瑕疵を有している（特許異議申立書２０頁４〜２４行、２３頁７〜９行）。

（イ）本件発明６について
本件明細書の【００５９】には、「実施例と比較例を対比すると、オフ角が０．５〜５度の範囲にあり、種結晶下部の流れが上昇流である場合に、中央部転位密度が良好であった。」と記載されている。
一方、本件明細書の【００６０】には、「一方で、オフ角が０．５〜５度の範囲にあっても、種結晶下部の流れが下降流である場合、中央部転位密度の低減効果は見られなかった。」と記載されている。
したがって、上述した本件明細書の【００５９】及び【００６０】の記載を考慮すると、本件明細書の発明の詳細な説明には、「オフ角が０．５〜５度の範囲にあり、結晶成長中の原料溶液の溶液流れが、種結晶の中心部に接触する上昇流のみを形成している」という構成を採用すると、中央部転位密度を低減できることが記載されているに過ぎない。
この点に関し、請求項６には、「結晶成長中の原料溶液の溶液流れが、種結晶の中心部に接触する上昇流を形成している」とだけ記載されており、種結晶の中心部に接触する上昇流のみを形成する構成を超える記載となっている。
以上のことから、訂正前の請求項６に係る発明は、発明の詳細な説明を超えて記載されたものであり、サポート要件違反という瑕疵を有している（特許異議申立書１３頁１９行〜１４頁８行）。

イ 申立理由５に対する判断
（ア）上記ア（ア）の申立理由に対する判断
本件明細書の【００１４】及び【００１５】の記載によれば、従来の技術では、貫通らせん転位と貫通刃状転位を合わせて１０００個／ｃｍ２を超えており、（０００１）面をＳｉ−Ｃ溶液に接触させる液相成長法で、より転位欠陥を減少させることが可能なＳｉＣ単結晶の製造技術が望まれ、更に、欠陥を減少させた上で単結晶を直径１０ｍｍ以上に大型化し、安定して厚さ１０ｍｍ以上に成長させることが望まれていたとの状況を受け、本件発明は、物の発明に対応する発明の課題として、「大面積かつ高品質な炭化ケイ素単結晶ウェハ及び炭化ケイ素単結晶インゴットを提供すること」を発明の課題とするものであるといえる。ここで、大面積とは、同【００１４】の「欠陥を減少させた上で単結晶を直径１０ｍｍ以上に大型化し」との記載によれば、「直径１０ｍｍ以上」を目安とし、高品質とは、同【００１５】に記載される１００個／ｃｍ２以下の転位欠陥密度を目安としているといえる。
そうすると、本件発明１及び本件発明３の課題を解決しているとするには、少なくとも直径１０ｍｍ以上の炭化ケイ素単結晶ウェハ及び炭化ケイ素単結晶インゴットにおいて、１００個／ｃｍ２以下の転位欠陥密度が達成されていることが示されているとともに、本件出願時の技術常識からみて、ウェハの直径が、常識的に大型と考えられる範囲で同様な結果が得られることを当業者が認識できれば良く、ウェハの直径が大きくなればなるほど、貫通転位密度が１００個／ｃｍ２未満の領域が大きくなる、すなわち、直径１０ｍｍを超えて相当大きいものであっても、その少なくとも１／３の領域で１００個／ｃｍ２以下の転位欠陥密度が達成されていることまでを示す必要はない。
そして、本件明細書の【００４７】〜【００５０】に記載の実施例１等には、直径が１５ｍｍの結晶において、半径５ｍｍ（直径１０ｍｍ）の領域において、貫通転位に由来するエッチピット密度が少なくとも１００個／ｃｍ２未満であったことが示されている。また、大型であるとしても常識的なの範囲の大きさであれば同様な結果が得られることは、当業者が認識できる範囲内のことであるといえるし、これに反する証拠もない。
そうすると、上記ア（ア）の理由では、本件発明１、３に係る請求項１、３の記載は、サポート要件に違反しているとすることはできない。

（イ）上記ア（イ）の申立理由に対する判断
上記理由は、要するに、本件発明６は、「結晶成長中の原料溶液の溶液流れが、種結晶の中心部に接触する上昇流を形成している」とのみ特定されているところ、中央部転位密度を低減するには、「オフ角が０．５〜５度の範囲にあり、結晶成長中の原料溶液の溶液流れが、種結晶の中心部に接触する上昇流のみを形成している」と特定されていなければならないというものであるところ、種結晶の中心部に接触する位置において、この位置での原料溶液の溶液流れが上昇流であれば、その流れしか存在しないことは明らかであるから、本件発明６において、「種結晶の中心部に接触する上昇流のみを形成している」とまで特定しなくても良いことは明らかである。
そうすると、上記ア（イ）の理由では、本件発明６に係る請求項６の記載は、サポート要件に違反しているとすることはできない。

（ウ）小括
上記（ア）及び（イ）によれば、本件特許は、特許請求の範囲の請求項１、３、６の記載が不備のため、特許法第36条第6項第1号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものではないから、上記申立理由５には、理由がない。

（２）申立理由６について
ア 具体的な指摘事項
本件明細書の【００２８】には、「上昇流の速度は成長界面から１ｃｍ離れた位置で０．５ｃｍ／ｓ以上、５ｃｍ／ｓ以下であることが好ましい。」ことが記載されている。
しかしながら、上昇流の速度が「０．５ｃｍ／ｓ以上、５ｃｍ／ｓ以下」という範囲は、広すぎて、この範囲に含まれるすべての速度の上昇流であれば、中央部転位密度を低減できるかは明らかでない。この点に関し、実施例に関する記載のある同【００４７】には、「・・・その条件制御により所望の上昇流を調整した。」と記載されているだけであり、上昇流の速度に関する具体的条件は全く記載されておらず、例えば、同【００５９】に記載されている「実施例と比較例を対比すると、オフ角が０．５〜５度の範囲にあり、種結晶下部の流れが上昇流である場合に、中央部転位密度が良好であった。」という効果を得るための具体的な上昇流の速度は、実施例において不明である。
そこで、当業者が、同【表１】および同【表２】の結果を検証することを考えると、本件明細書には、上昇流の速度を「０．５ｃｍ／ｓ以上、５ｃｍ／ｓ以下」にする技術的意義や、この範囲の速度を有する上昇流による中央部転位密度を低減できるメカニズムが記載されていない。そして、上昇流の速度が「０．５ｃｍ／ｓ以上、５ｃｍ／ｓ以下」という範囲は、広すぎて、実質的が限定になっていないことも考慮すると、当業者には、実施例における効果を再現することができるかを見出すために、当業者に期待し得る程度を超える「過度の試行錯誤」が必要とされる。
このことから、当業者は、本件明細書に記載された発明の実施についての説明と出願時の技術常識に基づいて、訂正前の請求項６に係る発明を実施しようとした場合に、どのように実施するかを理解することができず、本件明細書の発明の詳細な説明の記載は、実施可能要件を満たしていない（特許異議申立書１２頁１３行〜１３頁１８行）。

イ 申立理由６に対する判断
発明の詳細な説明の記載が実施可能要件に適合するか否かは、明細書の発明の詳細な説明に、当業者が、明細書の発明の詳細な説明の記載及び出願時の技術常識に基づいて、過度の試行錯誤を要することなく、その発明を実施することができる程度に発明の構成等の記載があるか否かを検討して判断すべきものである。
ここで、本件においては、その発明とは、「炭化ケイ素の種結晶を、ケイ素及び炭素を含む原料溶液に上方より接触させながら結晶を成長させる炭化ケイ素単結晶の製造方法において、
前記種結晶の結晶成長面は（０００−１）面から０．５度以上５度以下傾いたオフ角を有し、
結晶成長中の原料溶液の溶液流れが、種結晶の中心部に接触する上昇流を形成し、
前記上昇流の速度は成長界面から１ｃｍ離れた位置で０．５ｃｍ／ｓ以上、５ｃｍ／ｓ以下であることを特徴とする炭化ケイ素単結晶の製造方法。」である本件発明６であるところ、炭化ケイ素の種結晶を、ケイ素及び炭素を含む原料溶液に上方より接触させながら結晶を成長させる炭化ケイ素単結晶の製造方法において、前記種結晶の結晶成長面を（０００−１）面から０．５度以上５度以下傾いたオフ角を有するものとすることは、従来技術の記載である本件明細書の【０００９】等の記載によれば、従来でも実施されていたことであるから、オフ角の範囲が明示されている本件発明６については、当業者であれば、過度の試行錯誤なく実施できる事項であるといえる。
そうすると、本件発明６を実施できるか否かは、結晶成長中の原料溶液の溶液流れを、種結晶の中心部に接触する上昇流を形成するようにし、前記上昇流の速度は成長界面から１ｃｍ離れた位置で０．５ｃｍ／ｓ以上、５ｃｍ／ｓ以下とすることが実施できる否かということになる。
これに対し、本件明細書の【００２８】には、「原料溶液５は、るつぼ３の中央部、るつぼ３内を下から上に移動する上昇流６が形成され、種結晶９の中心部に接触している。上昇流の速度は成長界面から１ｃｍ離れた位置で０．５ｃｍ／ｓ以上、５ｃｍ／ｓ以下であることが好ましい。上昇流６の形成方法は特に限定されないが、側面のヒーター４ａと底面のヒーター４ｂの出力を調整する方法や、るつぼ３内に流れを制御可能な突起部や板部を設ける方法、又は、外部からの高周波コイルによる電磁場により生じたローレンツ力により上昇流を形成する方法が考えられる。例えば、底面のヒーター４ｂの出力を高くすれば、ヒーター４ｂから上に向かうような対流が生じ、上昇流６が形成される。」との記載があり、側面のヒーター４ａと底面のヒーター４ｂの出力を調整する方法等で、成長界面から１ｃｍ離れた位置で０．５ｃｍ／ｓ以上、５ｃｍ／ｓ以下である上昇流を形成することができることが理解できる。加熱された溶液が上昇流を形成することは技術常識であり、側面のヒーター４ａと底面のヒーター４ｂの出力を調整する方法であれば、側面のヒーター４ａに対して底面のヒーター４ｂの出力を大きくすれば、底面中央部を中心とした結晶成長面に向かう上昇流が形成されること、また、加熱の程度と上昇流の速度は通常相関するといえるから、側面のヒーター４ａと底面のヒーター４ｂの出力を調整して、成長界面から１ｃｍ離れた位置で０．５ｃｍ／ｓ以上、５ｃｍ／ｓ以下である上昇速度を形成するようにすることは、当業者であれば本件明細書の記載に基づいて過度の試行錯誤なく実施できる事項であるといえる。
なお、本件発明６についての実施可能要件の判断においては、中央部転位密度の値と上昇流の条件との関係の厳密な記載までを求めるものではないが、念のため、同【００５９】に記載されている「実施例と比較例を対比すると、オフ角が０．５〜５度の範囲にあり、種結晶下部の流れが上昇流である場合に、中央部転位密度が良好であった。」という効果を達成することも、実施可能要件を満たすか否かの判断に加えて以下検討する。この様な場合であっても、同【００１６】の「本発明者らは、液相成長法で、（０００−１）面に対して所定のオフ角を有するオフ基板を使用して結晶成長させる際に、溶液が結晶成長面に対して上昇流となるようにすると、結晶成長時に欠陥が減少し、従来になく高品質の単結晶が得られることを見出した。このような効果は、オフ角がないオン基板や、オフ角が８度の基板では確認されず、オフ角が０．５〜５度の間にあり、結晶成長面に上昇流が接触する場合に欠陥が減少する現象が見られた。」との記載や、同【００４７】〜【００５６】の記載で、所定のオフ角を設けた基板において、溶液に上昇流を発生させている実施例と、下降流を発生させている比較例との比較で、前者では少なくとも中央部転位密度が１００個／ｃｍ２未満の範囲になることが示されていること（【表１】【表２】で◎又は○）を考慮すると、本件発明６において、上昇流の大きさを適宜調整することにより、少なくとも、中央部転位密度を従来より低減することができるという効果も、当業者であれば、本件明細書の記載に基づいて過度の試行錯誤なく達成できるといえる。
そうすると、本件発明６に対応する本件明細書の発明の詳細な説明の記載は、実施可能要件を満たし、本件特許は、本件発明６に対応する、明細書の発明の詳細な説明の記載が不備のため、特許法第36条第4項第1号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものではないから、申立理由６には理由がない。

ウ 令和４年５月１０日提出の意見書における異議申立人の主張に対する当審の判断
異議申立人は、上記意見書で以下の主張をしている。
「訂正事項６は、上記の通り、上昇流について「成長界面から１ｃｍ離れた位置で０．５ｃｍ／ｓ以上、５ｃｍ／ｓ以下」である点を限定する訂正である。
ところが、本件特許明細書の実施例および宣誓書（乙第６号証）の記載において、この流速をどのように測定したのかについても明示されていない。
Ｓｉ−Ｃ溶液を用いた溶液法によるＳｉＣ単結晶の製造では、通常、その溶液温度は、１９００℃程度の高温となる。このような高温溶液の流速を測定するために、測定プローブのような測定器具を溶液中に挿入した場合には、一般的には、測定プローブが溶融してしまい測定を行うことができない。また、仮に、測定プローブが溶融しないとしても、このような測定プローブを挿入することにより溶液の流れが乱れるため、流速を正確に測定することができなくなる。
この点、特許権者は、どのようにその流速を測定し得たかを明らかにしておらず、本件特許は、どのような条件（どのように測定された流速）で実施すれば・・・よいのか全く理解できない。」（９頁９行〜１０頁１２行）
しかしながら、仮に、１９００℃程度の高温では、測定プローブのような測定器具を溶液中に挿入する測定ができないとしても、例えば甲２の上記（１）イ（オ）の【００５７】に「（結晶成長面に向かうＳｉ−Ｃ溶液の上昇流速のシミュレーション） 溶液法（Ｆｌｕｘ法）でＳｉＣ単結晶を成長させる際の結晶成長面に向かうＳｉ−Ｃ溶液の上昇流速について、ＣＧＳｉｍ（溶液からのバルク結晶成長シミュレーションソフトウェア、ＳＴＲ Ｊａｐａｎ製、Ｖｅｒ．１４．１）を用いて、シミュレーションを行った。」との記載があるように、Ｓｉ−Ｃ溶液の上昇流速は、シミュレーションによっても求めることもでき、測定プローブのような測定器具を溶液中に挿入する測定でなければ求めることができないというものではない。
そうすると、本件発明６における原料溶液の上昇流の流速を測定できないということはないから、異議申立人の上記の主張は採用することができない。

（３）取消理由４について
ア 具体的な指摘事項
訂正前の請求項６〜１３に係る発明の課題は、本件明細書の【００１４】及び【００１５】の記載によれば、「転位欠陥密度を１００個／ｃｍ２以下に減少させることが可能な炭化ケイ素単結晶の製造方法を提供すること」であるといえる。
この課題に対応して、同【００２８】に、「原料溶液５は、るつぼ３の中央部、るつぼ３内を下から上に移動する上昇流６が形成され、種結晶９の中心部に接触している。上昇流の速度は成長界面から１ｃｍ離れた位置で０．５ｃｍ／ｓ以上、５ｃｍ／ｓ以下であることが好ましい。」と記載されている。
そして、訂正前の請求項６〜１３に係る発明の具体例である同【００４７】に記載される［実施例１−１］の同【００５８】に記載される結果によれば、中央部転位密度が、１０個／ｃｍ２未満であるとされ、種結晶厚さの条件を変えた同【００５１】に記載される［実施例１−２］では、中央部転位密度が、１０個／ｃｍ２以上１００個／ｃｍ２未満であるとされている。しかしながら、上記実施例において、上昇流の条件が明らかにされていないため、上昇流が存在しさえすれば、中央部転位密度が、１００個／ｃｍ２未満であることが実現できるのか、さらには、「上昇流の速度は成長界面から１ｃｍ離れた位置で０．５ｃｍ／ｓ以上、５ｃｍ／ｓ以下」の範囲であれば、中央部転位密度が、１００個／ｃｍ２未満であることが実現できるのか明らかでない。
一方、訂正前の請求項６〜１３に係る発明では、上昇流について「結晶成長中の原料溶液の溶液流れが、種結晶の中心部に接触する上昇流を形成している」としか特定されていないから、訂正前の請求項６〜１３に係る発明は、発明の詳細な説明の記載又はその示唆により当業者が本件発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであるということはできないし、また、その記載や示唆がなくとも当業者が出願時の技術常識に照らし本件発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであるということはできない。

イ 取消理由４に対する判断
まず、本件訂正により、本件発明６における原料溶液の流れについて、「前記上昇流の速度は成長界面から１ｃｍ離れた位置で０．５ｃｍ／ｓ以上、５ｃｍ／ｓ以下である」ことが特定された。そして、本件発明６〜１３の具体例である【００４７】に記載される［実施例１−１］、同【００５１】に記載される［実施例１−２］等の結果を示す同【００５８】の【表１】には、種結晶下部の流れについて、上昇流としか記載されていないものの、この上昇流の条件は、同【００２８】に、好ましい条件として記載され、本件訂正でも特定された「成長界面から１ｃｍ離れた位置で０．５ｃｍ／ｓ以上、５ｃｍ／ｓ以下」の範囲にあるとするのが合理的であるし、また、令和４年３月４日に提出された意見書に乙第６号証として添付された本件発明の発明者の一人である梅崎智典の宣誓書において、上記［実施例１−１］、［実施例１−２］等の原料溶液の上昇流の条件が、「成長界面から１ｃｍ離れた位置で０．５ｃｍ／ｓ以上、５ｃｍ／ｓ以下」であることが釈明されていることを考慮すると、［実施例１−１］及び［実施例１−２］等の記載からも、原料溶液の上昇流の条件が、「成長界面から１ｃｍ離れた位置で０．５ｃｍ／ｓ以上、５ｃｍ／ｓ以下」であれば、中央部転位密度が、１００個／ｃｍ２未満となることが理解できるといえる。
そうすると、本件訂正により「上昇流の速度は成長界面から１ｃｍ離れた位置で０．５ｃｍ／ｓ以上、５ｃｍ／ｓ以下である」と特定された本件発明６〜１３は、本件明細書の記載に基づいて、「転位欠陥密度を１００個／ｃｍ２以下に減少させることが可能な炭化ケイ素単結晶の製造方法を提供する」との本件発明６〜１３の課題を解決できると当業者において認識できる範囲内のものとなったということができるから、本件発明６〜１３に係る請求項６〜１３の記載は、サポート要件を満たしている。
よって、本件特許は、特許請求の範囲の請求項６〜１３の記載が不備のため、特許法第36条第6項第1号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものではないから、上記取消理由４には、理由がない。

第６ むすび

上記第５で検討したとおり、本件特許１〜１４は、特許法第29条第1項及び同法同条第２項の規定に違反してされたものであるということはできないし、同法第36条第4項第1号及び同法同条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであるということもできず、同法第113条第2号又は第４号に該当するものではないから、上記申立理由１〜６及び上記取消理由１〜４では、本件特許１〜１４を取り消すことはできない。
また、他に本件特許１〜１４を取り消すべき理由を発見しない。

よって、結論のとおり決定する。
 
発明の名称 （５７）【特許請求の範囲】
【請求項１】
円板状の炭化ケイ素単結晶ウェハであって、
前記ウェハの直径が、１５ｍｍ以上であり、
前記ウェハの平面が、炭化ケイ素単結晶の（０００１）面から±５度以下にあり、
少なくとも、直径がウェハの直径の１／３であり、中心がウェハの中心と同じである円形の領域において、貫通転位密度が１０個／ｃｍ２未満であり、
当該貫通転位密度は、水酸化カリウムでエッチングを行うことで生じる前記領域内のエッチピットの数を測定することにより得られる転位密度であることを特徴とする、炭化ケイ素単結晶ウェハ。
【請求項２】
円板状の炭化ケイ素単結晶ウェハであって、
前記ウェハの直径が、１５ｍｍ以上であり、
前記ウェハの平面が、炭化ケイ素単結晶の（０００１）面から±５度以下にあり、
少なくとも、直径がウェハの直径の１／３であり、中心がウェハの中心と同じである円形の領域において、貫通転位密度が１００個／ｃｍ２未満であり、
前記の円形の領域の外側の領域において、前記貫通転位密度が１００個／ｃｍ２以上であり、
当該貫通転位密度は、水酸化カリウムでエッチングを行うことで生じる前記円形の領域及び前記外側の領域内のエッチピットの数を測定することにより得られる転位密度であることを特徴とする、炭化ケイ素単結晶ウェハ。
【請求項３】
略円柱状又は略多角柱状の炭化ケイ素単結晶インゴットであって、
結晶成長面が、炭化ケイ素単結晶の（０００−１）面から０．５度以上５度以下傾いたオフ角を有し、
結晶成長方向に対して垂直な平面内において、少なくとも、直径がインゴット断面の直径又は最遠頂点間距離の１／３であり、中心がインゴット断面の中心と同じである円形の領域において、貫通転位密度が１０個／ｃｍ２未満であり、
当該貫通転位密度は、水酸化カリウムでエッチングを行うことで生じる前記領域内のエッチピットの数を測定することにより得られる転位密度であり、
前記インゴットの、結晶成長方向に対して垂直な平面での断面の直径又は最遠頂点間距離が、１５ｍｍ以上であることを特徴とする、炭化ケイ素単結晶インゴット。
【請求項４】
結晶成長方向の長さが１０ｍｍ以上である請求項３に記載の炭化ケイ素単結晶インゴット。
【請求項５】
略円柱状又は略多角柱状の炭化ケイ素単結晶インゴットであって、
結晶成長面が、炭化ケイ素単結晶の（０００−１）面から０．５度以上５度以下傾いたオフ角を有し、
結晶成長方向に対して垂直な平面内において、少なくとも、直径がインゴット断面の直径又は最遠頂点間距離の１／３であり、中心がインゴット断面の中心と同じである円形の領域において、貫通転位密度が１００個／ｃｍ２未満であり、かつ、前記の円形の領域の外側の領域において、前記貫通転位密度が１００個／ｃｍ２以上であり、
当該貫通転位密度は、水酸化カリウムでエッチングを行うことで生じる前記円形の領域及び前記外側の領域内のエッチピットの数を測定することにより得られる転位密度であり、
前記インゴットの、結晶成長方向に対して垂直な平面での断面の直径又は最遠頂点間距離が、１５ｍｍ以上であることを特徴とする炭化ケイ素単結晶インゴット。
【請求項６】
炭化ケイ素の種結晶を、ケイ素及び炭素を含む原料溶液に上方より接触させながら結晶を成長させる炭化ケイ素単結晶の製造方法において、
前記種結晶の結晶成長面は（０００−１）面から０．５度以上５度以下傾いたオフ角を有し、
結晶成長中の原料溶液の溶液流れが、種結晶の中心部に接触する上昇流を形成し、
前記上昇流の速度は成長界面から１ｃｍ離れた位置で０．５ｃｍ／ｓ以上、５ｃｍ／ｓ以下であることを特徴とする、
炭化ケイ素単結晶の製造方法。
【請求項７】
前記種結晶の厚さが、０．３ｍｍ以上であることを特徴とする請求項６に記載の炭化ケイ素単結晶の製造方法。
【請求項８】
前記種結晶の厚さが、３ｍｍ以上であることを特徴とする請求項６に記載の炭化ケイ素単結晶の製造方法。
【請求項９】
前記種結晶が、回転中心が種結晶の中心と一致するように回転することを特徴とする請求項６〜８のいずれか１項に記載の炭化ケイ素単結晶の製造方法。
【請求項１０】
前記種結晶の回転方向が、周期的に反転することを特徴とする請求項９に記載の炭化ケイ素単結晶の製造方法。
【請求項１１】
原料溶液の側面より底面をより強く加熱することにより、原料溶液に上昇流を形成することを特徴とする請求項６〜１０のいずれか１項に記載の炭化ケイ素単結晶の製造方法。
【請求項１２】
炭化ケイ素単結晶を、１０ｍｍ以上成長させることを特徴とする請求項６〜１１のいずれか１項に記載の炭化ケイ素単結晶の製造方法。
【請求項１３】
前記炭化ケイ素単結晶の、結晶成長方向に対して垂直な平面での断面の直径又は最遠頂点間距離が、１５ｍｍ以上であることを特徴とする請求項６〜１２のいずれか１項に記載の炭化ケイ素単結晶の製造方法。
【請求項１４】
略円柱状又は略多角柱状の炭化ケイ素単結晶インゴットであって、
結晶成長面が、炭化ケイ素単結晶の（０００−１）面から０．５度以上５度以下傾いたオフ角を有し、
結晶成長方向に対して垂直な平面内において、少なくとも、直径がインゴット断面の直径又は最遠頂点間距離の１／３であり、中心がインゴット断面の中心と同じである円形の領域において、貫通転位密度が１００個／ｃｍ２未満であり、かつ、前記の円形の領域の外側の領域において、前記貫通転位密度が１００個／ｃｍ２以上であり、
当該貫通転位密度は、水酸化カリウムでエッチングを行うことで生じる前記円形の領域及び前記外側の領域内のエッチピットの数を測定することにより得られる転位密度であり、
前記インゴットの、結晶成長方向に対して垂直な平面での断面の直径又は最遠頂点間距離が、１５ｍｍ以上であり、
結晶成長方向の長さが１０ｍｍ以上であることを特徴とする炭化ケイ素単結晶インゴット。
 
訂正の要旨 審決（決定）の【理由】欄参照。
異議決定日 2022-10-18 
出願番号 P2017-004293
審決分類 P 1 651・ 537- YAA (C30B)
P 1 651・ 113- YAA (C30B)
P 1 651・ 851- YAA (C30B)
P 1 651・ 857- YAA (C30B)
P 1 651・ 536- YAA (C30B)
P 1 651・ 121- YAA (C30B)
P 1 651・ 852- YAA (C30B)
最終処分 07   維持
特許庁審判長 宮澤 尚之
特許庁審判官 関根 崇
原 賢一
登録日 2021-03-02 
登録番号 6845418
権利者 セントラル硝子株式会社
発明の名称 炭化ケイ素単結晶ウェハ、インゴット及びその製造方法  
代理人 速水 進治  
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