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| 審決分類 |
審判 一部申し立て 2項進歩性 H01H |
|---|---|
| 管理番号 | 1393133 |
| 総通号数 | 13 |
| 発行国 | JP |
| 公報種別 | 特許決定公報 |
| 発行日 | 2023-01-27 |
| 種別 | 異議の決定 |
| 異議申立日 | 2022-09-21 |
| 確定日 | 2022-12-19 |
| 異議申立件数 | 1 |
| 事件の表示 | 特許第７０４０８８６号発明「保護素子」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。 |
| 結論 | 特許第７０４０８８６号の請求項１ないし６に係る特許を維持する。 |
| 理由 |
１ 手続の経緯 特許第７０４０８８６号の請求項１〜６に係る特許についての出願は、平成２８年７月２６日に出願され、令和４年３月１４日にその特許権の設定登録がされ、令和４年３月２３日に特許掲載公報が発行された。その後、請求項１に係る特許に対し、令和４年９月２１日に特許異議申立人赤松智信（以下「特許異議申立人」という。）は、特許異議の申立てを行った。 ２ 本件発明 特許第７０４０８８６号の請求項１の特許に係る発明（以下「本件発明」という。）は、その特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものである。 「【請求項１】 絶縁基板と、この絶縁基板に設けた複数の主電極と、この主電極同士の間隔部で前記絶縁基板に設けた絶縁被覆層と、前記主電極および前記絶縁被覆層の所定部分を膜状に覆った低抵抗材からなる複数の補助電極と、この補助電極の間を橋設しかつ所定の前記主電極の間を導通するヒューズエレメントと、前記絶縁基板の上面または下面の何れか片面にさらに抵抗発熱素子とを備え、前記補助電極は、前記ヒューズエレメントよりも溶融温度が高く、溶融した前記ヒューズエレメントに溶解性の金属材から構成され、かつ前記主電極および前記絶縁被覆層の所定表面に複数設けられており、なおかつ、それぞれの補助電極が前記絶縁被覆層上の空溝を挟んで設けられたことを特徴とする補助電極付き保護素子。」 ３ 申立理由の概要 特許異議申立人は、甲第１号証を提出し、請求項１に係る特許は、甲第１号証に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第29条第2項の規定に違反してされたものであるから、請求項１に係る特許を取り消すべきものである旨主張する。 甲第１号証：特許５６５６４６６号公報 ４ 甲第１号証の記載された事項及び発明 （１）甲第１号証に記載された事項 甲第１号証には次の記載がある。 「【技術分野】 【０００１】 本発明は、電気回路を過電流状態及び過電圧状態から保護する保護素子と、この保護素子の製造方法に関する。」 「【０００７】 そこで、本発明は、このような実情に鑑みて提案されたものであり、低融点金属体からなる半田を、過電圧などの異常に応じて通電することで抵抗体が発する熱や過電流による自己発熱のみによって溶融させ、溶融させた半田の浸食現象を利用して、電流経路を素早く且つ確実に遮断することが可能な保護素子、及び、保護素子の製造方法を提供することを目的とする。」 「【００２３】 すなわち、保護素子１００は、図２に示すように、加熱により溶断される低融点金属体からなるヒューズ１０１、１０２と、通電するとヒューズ１０１、１０２を溶融する熱を発する抵抗体１０３とを備える。」 「【００２９】 保護素子１００は、図３（Ａ）に示すような、セラミック基板１１１ａ上にガラス層１１１ｂを介して抵抗体１０３が形成され、更にその上にガラス層１１１ｃを介して第１の導電層１１２が積層されたものである。なお、本発明が適用された保護素子では、上述した積層構造に限定されず、ガラス以外の絶縁部材による積層構造を用いたり、また、セラミック基板１１１ａの表面に抵抗体１０３を直接積層して、ガラス層１１１ｂを形成しない構造を用いるようにしてもよい。セラミック基板１１ａとしては、たとえば、アルミナ基板、ガラスセラミックス基板等が用いられる。 【００３０】 まず、第１の積層工程において、基板１１１には、Ａｇ又はＰｔなどの良導体が、印刷処理などにより膜厚ｄ１の第１の導電層１１２が積層される。 【００３１】 次に、第２の積層工程において、第１の導電層１１２が形成された基板１１１上には、この基板１１１上の面方向に互いに離間した複数の位置に、Ａｇ又はＰｔなどの良導体が印刷処理などにより膜厚ｄ２の第２の導電層１１３がそれぞれ積層されることで、複数の電極１１４ａ、１１４ｂ、１１４ｃが形成される。ここで、電極１１４ａは、上述した図２に示す回路構成中の接続点Ａ１に相当する部位であり、電極１１４ｂは、上述した図２に示す回路構成中の接続点Ｐ１に相当する部位であり、電極１１４ｃは、上述した図２に示す回路構成中の接続点Ａ２に相当する部位である。便宜上、以下では電極１１４ａ、１１４ｂ、１１４ｃを総称した場合、電極１１４と呼ぶものとする。 【００３２】 なお、第１の導電層１１２及び第２の導電層１１３は、ともにＡｇ又はＰｔなどの良導体が用いられるが、後述するように半田による第１の導電層１１２の浸食作用を相対的に高めるため、第２の導電層１１３に対して第１の導電層１１２の材料を半田による浸食作用を起こしやすい物性に調整することが好ましい。 【００３３】 次に、第３の積層工程において、電極１１４が形成された基板１１１上には、低融点金属体として、例えばＳｎＡｇ系などの非鉛系の半田ペースト１１６を印刷処理することによって、図３（Ｂ）に示すように、第１の導電層１１２と第２の導電層１１３と接するようにして積層する。この工程により、電極１１４ａ、１１４ｂ間を橋渡しするように積層された半田ペースト１１６はヒューズ１０１として機能し、電極１１４ｂ、１１４ｃ間を橋渡しするように積層された半田ペースト１１６はヒューズ１０２として機能する。」 「【００４３】 また、本発明が適用された保護素子では、特に非鉛系のペースト状の半田を用いることで、半田素材の選択肢を広げつつ、印刷処理によって容易に上述した第３の積層処理を行うことができる点で好ましい。なお、本発明が適用された保護素子では、上記のような非鉛系のペースト状に限定されず、半田の材料として、Ｐｂを含んだものや、ペースト状でなく例えば半田箔などを用いてよい。 【００４４】 本発明が適用された保護素子の変形例として、保護素子１００は、図８及び図９に示すように、基板１１１上における電極１１４間に位置し、半田ペースト１１６が溶融することで浸食される第１の導電層１１２に、この第１の導電層１１２を互いに離間するスリット１１２ａが１以上形成されていることが、電流経路を素早く且つ確実に遮断する観点から好ましい。 【００４５】 すなわち、変形例に係る保護素子１００は、図８に示すように、基板１１１上における電極１１４間の第１の導電層１１２を互いに離間するスリット１１２ａを形成し、さらに、図９に示すように、第１の導電層１１２と第２の導電層１１３との両方に接するようにして、半田ペースト１１６を積層したものである。」 （２）甲第１号証に記載された発明 上記（１）の摘記事項から、次の事項が認められる。 ア 段落【００２９】の特に「保護素子１００は、図３（Ａ）に示すような、セラミック基板１１１ａ上にガラス層１１１ｂを介して抵抗体１０３が形成され、更にその上にガラス層１１１ｃを介して第１の導電層１１２が積層されたものである。」という記載と、 図３（Ａ）から看取される、「ガラス層１１１ｂ上に抵抗体１０３が形成され、この抵抗体１０３上と、ガラス層１１１ｂ上であって抵抗体１０３が存在しない部分についてはガラス層１１１ｂ上とに、ガラス層１１１ｃが設けられている。」という事項とから、 「セラミック基板１１１ａ及びガラス層１１１ｂからなる部材に少なくともガラス層１１１ｃ及び第１の導電層１１２が積層されている。」と認められる。 イ 上記ア及び段落【００３１】の特に「次に、第２の積層工程において、第１の導電層１１２が形成された基板１１１上には、この基板１１１上の面方向に互いに離間した複数の位置に、Ａｇ又はＰｔなどの良導体が印刷処理などにより膜厚ｄ２の第２の導電層１１３がそれぞれ積層されることで、複数の電極１１４ａ、１１４ｂ、１１４ｃが形成される。」という記載と、 図３（Ａ）から看取される、「ガラス層１１１ｃは、ガラス層１１１ｂと第１導電層１１２との間に介在し、ガラス層１１１ｃの上面に垂直な方向からみて、互いに離間した位置に積層される複数の第２の導電層１１３同士の間にも第２の導電層１１３と重なる部分にも存在する。」という事項とから、 「保護素子１００は、複数の第２の導電層１１３同士の間隔部を含んでガラス層１１１ｂに設けたガラス層１１１ｃを備える。」と認められる。 ウ 段落【００３２】の特に「第１の導電層１１２及び第２の導電層１１３は、ともにＡｇ又はＰｔなどの良導体が用いられる」という記載及び段落【００４４】の特に「本発明が適用された保護素子の変形例として、保護素子１００は、図８及び図９に示すように、基板１１１上における電極１１４間に位置し、半田ペースト１１６が溶融することで浸食される第１の導電層１１２に、この第１の導電層１１２を互いに離間するスリット１１２ａが１以上形成されている」という記載並びに図８及び９から、 「スリット１１２ａによって互いに離間された良導体からなる第１の導電層１１２は、第２の導電層１１３の下面及びガラス層１１１ｃの上面を膜状に覆い、ガラス層１１１ｃ上のスリット１１２ａを挟んで複数設けられる。」と認められる。 エ 段落【００３１】、【００３３】及び【００４３】ないし【００４５】の記載並びに図３（Ｂ）、８及び９から、「第１の導電層１１２及び第２の導電層１１３からなる電極１１４間を橋渡しするように積層された半田ペースト１１６」が開示されており、特に図９からは「スリット１１２ａにも半田ペースト１１６が存在し、第１の導電層１１２の間も橋渡しする。」ことが看取できるから、「半田ペースト１１６は、第１の導電層１１２の間を橋設しかつ所定の第２の導電層１１３の間を導通する。」と認められる。 オ 段落【００３２】の特に「第１の導電層１１２及び第２の導電層１１３は、ともにＡｇ又はＰｔなどの良導体が用いられるが、後述するように半田による第１の導電層１１２の浸食作用を相対的に高めるため、第２の導電層１１３に対して第１の導電層１１２の材料を半田による浸食作用を起こしやすい物性に調整することが好ましい。」という記載及び段落【００３３】の特に「第３の積層工程において、電極１１４が形成された基板１１１上には、低融点金属体として、例えばＳｎＡｇ系などの非鉛系の半田ペースト１１６を印刷処理する」という記載から、「第１の導電層１１２は、半田ペースト１１６よりも溶融温度が高く、溶融した前記半田ペースト１１６の浸食作用が高い金属材から構成される。」と認められる。 上記（１）の摘記事項及び（２）の認定事項から、甲第１号証には、次の発明（以下、「甲１発明」という。）が記載されているといえる。 ［甲１発明］ 「セラミック基板１１１ａ及びガラス層１１１ｂからなる部材（以下「絶縁板」という。）と、この絶縁板に少なくともガラス層１１１ｃ及び第１の導電層１１２を介して設けた複数の第２の導電層１１３と、この第２の導電層１１３同士の間隔部を含んで前記絶縁板に設けたガラス層１１１ｃと、前記第２の導電層１１３の下面および前記ガラス層１１１ｃの上面を膜状に覆った良導体からなる複数の第１の導電層１１２と、この第１の導電層１１２の間を橋設しかつ所定の前記第２の導電層１１３の間を導通する半田ペースト１１６と、前記絶縁板の上面にさらに抵抗体１０３とを備え、前記第１の導電層１１２は、前記半田ペースト１１６よりも溶融温度が高く、溶融した前記半田ペースト１１６の浸食作用が高い金属材から構成され、かつ前記第２の導電層１１３の下面および前記ガラス層１１１ｃの上面に複数設けられており、なおかつ、それぞれの第１の導電層１１２が前記ガラス層１１１ｃ上のスリット１１２ａを挟んで設けられた保護素子。」 ５ 当審の判断 （１）対比 本件発明と甲１発明とを対比する。 甲１発明の「絶縁板」は、本件発明の「絶縁基板」に相当し、以下同様に、「第２の導電層１１３」は「主電極」に、「ガラス層１１１ｃ」は「絶縁被覆層」に、「良導体からなる複数の第１の導電層１１２」は「低抵抗材からなる複数の補助電極」に、「半田ペースト１１６」は「ヒューズエレメント」に、「抵抗体１０３」は「抵抗発熱素子」に、それぞれ相当する。 また、甲１発明の「第１の導電層１１２」ないし本件発明の「補助電極」に関し、「溶融した前記半田ペースト１１６の浸食作用が高い金属材から構成され」は、金属材の性質からみて、「溶融した前記ヒューズエレメントに溶解性の金属材から構成され」に相当する。 さらに、甲１発明の「スリット１１２ａ」は本件発明の「空溝」に、「保護素子」は「補助電極付き保護素子」に、それぞれ相当する。 そうすると、本件発明と甲１発明とは、次の一致点で一致し、相違点で相違する。 ＜一致点＞ 「絶縁基板と、複数の主電極と、前記絶縁基板に設けた絶縁被覆層と、低抵抗材からなる複数の補助電極と、この補助電極の間を橋設しかつ所定の前記主電極の間を導通するヒューズエレメントと、前記絶縁基板の上面にさらに抵抗発熱素子とを備え、前記補助電極は、前記ヒューズエレメントよりも溶融温度が高く、溶融した前記ヒューズエレメントに溶解性の金属材から構成され、かつ、それぞれの補助電極が前記絶縁被覆層上の空溝を挟んで設けられた補助電極付き保護素子。」 ＜相違点１＞ 「主電極」が、本件発明では、「絶縁基板に設け」られているのに対し、甲１発明では、「少なくともガラス層１１１ｃ及び第１の導電層１１２を介して設け」られている点。 ＜相違点２＞ 「絶縁被覆層」に関し、本件発明では、「この主電極同士の間隔部で前記絶縁基板に設け」られているのに対し、甲１発明では、ガラス層１１１ｃが第２の導電層１１３同士の間隔部を含んで絶縁板に設けられている点。 ＜相違点３＞ 「補助電極」が、本件発明では、「前記主電極および前記絶縁被覆層の所定部分を膜状に覆」っており、「前記主電極および前記絶縁被覆層の所定表面に複数設け」られているのに対し、甲１発明では、第２の導電層１１３の下面およびガラス層１１１ｃの上面を膜状に覆っており、第２の導電層１１３の下面およびガラス層１１１ｃの上面に複数設けられている点。 ＜相違点４＞ 「抵抗発熱素子」が、本件発明では、「前記絶縁基板の上面または下面の何れか片面にさらに」備えられているのに対し、甲１発明では、前記絶縁基板の上面にさらに備えられている点。 （２）判断 相違点１ないし３は、主電極、絶縁被覆層及び補助電極の配置の点で相互に関連する相違点なので、あわせて検討する。 特許異議申立人は、「補助電極としての第１の導電層１１２が、絶縁被覆層１１１ｃの上面（所定部分）を膜状に覆いつつ、主電極としての第２の導電層１１３の下面（所定部分）を膜状に覆っていることが記載されている。」（特許異議申立書第１０ページ第３３行〜第３６行）と主張する。 通常、「覆う」とは「下の物が隠れるように上からかぶせる」（「広辞苑」参照。）という意味であるから、甲１発明におけるガラス層１１１ｃ、第１の導電層１１２及び第２の導電層１１３はこの順で積層されているのであって、第１の導電層１１２が第２の導電層１１３及びガラス層１１１ｃの所定部分を覆っているとはいえない。 続いて、甲１発明において、「第１の導電層１１２」が上から「第２の導電層１１３及びガラス層１１１ｃの所定部分を覆」う構成とすることについて、検討する。 甲第１号証には、上記４（１）に摘記したとおり、「セラミック基板１１１ａ上にガラス層１１１ｂを介して抵抗体１０３が形成され、更にその上にガラス層１１１ｃを介して第１の導電層１１２が積層されたものである。・・・（中略）・・・まず、第１の積層工程において、基板１１１には、Ａｇ又はＰｔなどの良導体が、印刷処理などにより膜厚ｄ１の第１の導電層１１２が積層される。・・・（中略）・・・次に、第２の積層工程において、第１の導電層１１２が形成された基板１１１上には、この基板１１１上の面方向に互いに離間した複数の位置に、Ａｇ又はＰｔなどの良導体が印刷処理などにより膜厚ｄ２の第２の導電層１１３がそれぞれ積層されることで、複数の電極１１４ａ、１１４ｂ、１１４ｃが形成される。」（段落【００２９】ないし【００３１】）と記載されており、絶縁板の上に抵抗体１０３を形成し、その上に絶縁被覆層としてのガラス層１１１ｃを積層し、次いで印刷処理等によって第１の導電層１１２を、さらに印刷処理等によって基板１１１の面方向に互いに離間した複数の位置に第２の導電層１１３を積層している。 そうすると、甲１発明において相違点１及び２に係る本件発明の構成とするためには、少なくとも絶縁板上面であって抵抗体１０３が存在しない面について、まず、絶縁板をなすガラス層１１１ｂに基板１１１の面方向に互いに離間した複数の位置に第２の導電層１１３を印刷処理等によって積層し、絶縁板をなすガラス層１１１ｂ上における第２の導電層１１３同士の間隔部にのみガラス層１１１ｃを設けることとし、次いで第１の導電層１１２を印刷処理等によって積層することになる。しかし、このような積層方法とすることについては、甲第１号証には記載も示唆もなく、ガラス層１１１ｂ上への第２の導電層１１３とガラス層１１１ｃの適切な配置や、ガラス層１１１ｂと第２の導電層１１３という異なる材質や構造を対象とした第１の導電層１１２の適切な積層といった新たな課題の発生が想定されるため、積極的な動機も存在しないというべきである。 そして、本件発明は、相違点１ないし３に係る本件発明の構成によって、「補助電極は、・・・（中略）・・・さらには絶縁被覆層の膜厚を変えることで補助電極の幅や厚みを変更でき、これにより保護素子の電気抵抗値、耐リフロー性も調整できる。」（本件特許明細書の段落【００１０】）という格別の効果を奏するものである。 したがって、相違点４について検討するまでもなく、本件発明は、甲１発明及び甲第１号証に記載の技術的事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （３）特許異議申立人の主張について 特許異議申立人は、相違点１ないし３に関し、本件発明の絶縁被覆層は主電極の表面に補助電極を膜状に薄く形成するためだけに絶縁基板上に嵩上げして平坦化する目的で設けたものであるところ、甲１発明では基板１１１の表面、すなわち、ガラス層１１１ｃの表面はそもそも平坦であるから、絶縁被覆層は不要である旨を主張する（特許異議申立書第１１ページ第１０ないし１６行）。しかし、当該主張は、甲１発明に基づいて本件発明を想到することが容易であることを主張するものではなく、むしろ本件発明の絶縁被覆層を備える動機がないことを示すものといえる。 また、特許異議申立人は、補助電極としての第１の導電層１１２を主電極としての第２の導電層１１３の下部に形成する構成の場合は、絶縁基板の表面はそもそも平坦であるから、補助電極の幅や厚みは絶縁被覆層を設けることなく変更し得る旨を主張する（特許異議申立書第１１ページ第１７ないし２２行）。しかし、当該主張も、甲１発明に基づいて本件発明を想到することが容易であることを主張するものではなく、むしろ本件発明の絶縁被覆層を備える動機がないことを示すものといえる。 また、特許異議申立人は、絶縁基板の上面に抵抗発熱素子を備える場合であっても、甲１発明のガラス層１１１ｃの表面は平坦であるから、絶縁被覆層は不要である旨を主張する（特許異議申立書第１１ページ第２３ないし３０行）。しかし、当該主張も、甲１発明に基づいて本件発明を想到することが容易であることを主張するものではなく、むしろ本件発明の絶縁被覆層を備える動機がないことを示すものといえる。 さらに、特許異議申立人は、基板上で補助電極が主電極の上面を覆うか下面を覆うかは、仕様等に合わせて単に補助電極と主電極の形成順を入れ替えることによって適宜容易に変更し得ると主張する（特許異議申立書第１２ページ第１ないし３行）。しかし、甲１発明において、第１の導電層１１２と第２の導電層１１３の形成順を入れ替えるためには、ガラス層１１１ｃに第２の導電層１１３を積層した結果、第１の導電層１１２を積層する表面は平坦ではなくなり、平坦なガラス層１１１ｃに第１の導電層１１２を積層する場合とは違った技術的課題が生じることになる。したがって、第１の導電層１１２と第２の導電層１１３の形成順を入れ替えることは、単なる積層順の入れ替え以上の工夫を要することであり、入れ替える動機は存在しないというべきである。 以上のとおりであるから、特許異議申立人の上記主張には理由がない。 ６ むすび 上記４及び５のとおり、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、請求項１に係る特許を取り消すことはできない。 また、他に請求項１に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり決定する。 |
| 異議決定日 | 2022-12-07 |
| 出願番号 | P2016-146283 |
| 審決分類 |
P
1
652・
121-
Y
(H01H)
|
| 最終処分 | 07 維持 |
| 特許庁審判長 |
平田 信勝 |
| 特許庁審判官 |
久島 弘太郎 岡本 健太郎 |
| 登録日 | 2022-03-14 |
| 登録番号 | 7040886 |
| 権利者 | ショット日本株式会社 |
| 発明の名称 | 保護素子 |