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| 審決分類 |
審判 全部申し立て 1項3号刊行物記載 H01L 審判 全部申し立て 2項進歩性 H01L |
|---|---|
| 管理番号 | 1395176 |
| 総通号数 | 15 |
| 発行国 | JP |
| 公報種別 | 特許決定公報 |
| 発行日 | 2023-03-31 |
| 種別 | 異議の決定 |
| 異議申立日 | 2021-07-16 |
| 確定日 | 2022-11-29 |
| 異議申立件数 | 1 |
| 訂正明細書 | true |
| 事件の表示 | 特許第６８１７１８７号発明「照明装置のアセンブリおよび焼き付けする方法、および照明装置」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。 |
| 結論 | 特許第６８１７１８７号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項１３、１４について訂正することを認める。 特許第６８１７１８７号の請求項１〜１２、１５〜５１に係る特許を取り消す。 特許第６８１７１８７号の請求項１３、１４に係る特許についての特許異議の申立てを却下する。 |
| 理由 |
当審は、令和 ４年 ２月２１日付けで請求項１３、１４の訂正を認めるとともに、請求項１〜１２、１５〜５１に対して取消理由（決定の予告）を通知し、期間を指定して意見書を提出する機会を与えたが、特許権者からは応答がなかった。 そして、上記の取消理由は妥当なものと認められるので、本件請求項１〜１２、１５〜５１に係る特許は、この取消理由によって取り消すべきものである。 また、上記訂正により、請求項１３、１４は、削除されたため、請求項１３、１４に係る申立ては、申立ての対象が存在しないものとなったので、特許法第120条の8第1項で準用する同法第135条の規定により却下する。 よって、結論のとおり決定する。 |
| 別掲 |
（行政事件訴訟法第４６条に基づく教示） この決定に対する訴えは、この決定の謄本の送達があった日から３０日（附加期間がある場合は、その日数を附加します。）以内に、特許庁長官を被告として、提起することができます。 審判長 瀬川 勝久 出訴期間として在外者に対し９０日を附加する。 |
| 発明の名称 |
（５７）【特許請求の範囲】 【請求項１】 照明装置のアセンブリおよび焼き付けする方法であって、 紫外（ＵＶ）線発光半導体ダイの表面全体に有機封止剤の層を与える工程と、 非化学量論的シリカ材料に前記封止剤の部分の少なくともいくらかを変換するために、封止剤の少なくとも一部を曝露する工程と、を備え 前記非化学量論的シリカ材料はケイ素、酸素、および炭素を含み、前記非化学量論的シリカ材料の炭素組成は、１ｐｐｍより大で、かつ４０原子パーセントより少なく、 前記封止剤の少なくとも一部が、前記半導体ダイによって放出される約２１０ｎｍ〜約２８０ｎｍの範囲から選択される波長を有するＵＶ光に曝露される、方法。 【請求項２】 前記非化学量論的シリカ材料の炭素組成が、１原子パーセントより大である、請求項１に記載の方法。 【請求項３】 前記非化学量論的シリカ材料の炭素組成が、３０原子パーセントより少ない、請求項１に記載の方法。 【請求項４】 前記非化学量論的シリカ材料の炭素組成が、２０原子パーセントより少ない、請求項１に記載の方法。 【請求項５】 前記半導体ダイの反対側の封止剤上に硬質レンズを配置する工程をさらに含む、請求項１に記載の方法。 【請求項６】 前記硬質レンズが無機化合物である、請求項５に記載の方法。 【請求項７】 前記硬質レンズが溶融シリカ、石英、またはサファイアの少なくとも１つを含む、請求項５に記載の方法。 【請求項８】 前記半導体ダイの少なくとも一部の周囲、および前記硬質レンズの少なくとも一部の周囲に取付け材料を配置する工程をさらに含む、請求項５に記載の方法。 【請求項９】 前記取付け材料が樹脂を含む、請求項８に記載の方法。 【請求項１０】 前記取付け材料がＵＶ光を不透過である、請求項８に記載の方法。 【請求項１１】 取付け材料の頂面が硬質レンズの底面の上０．５ｍｍ以下に配置される、請求項８に記載の方法。 【請求項１２】 取付け材料の頂面が硬質レンズの底面の上０．３ｍｍ以下に配置される、請求項８に記載の方法。 【請求項１３】（削除） 【請求項１４】（削除） 【請求項１５】 前記硬質レンズの取付け後に、前記封止剤の厚さが約１０μｍ以下である、請求項５に記載の方法。 【請求項１６】 前記硬質レンズが少なくとも部分的に半球状である、請求項５に記載の方法。 【請求項１７】 前記硬質レンズが実質的に半球状である、請求項１６に記載の方法。 【請求項１８】 前記硬質レンズが実質的に半球状の部分、およびその下に配置される実質的に円筒状の部分を有する、請求項１６に記載の方法。 【請求項１９】 前記硬質レンズが平坦な板である、請求項５に記載の方法。 【請求項２０】 少なくとも前記硬質レンズの頂面の部分が、そこからの発光を促進するために、少なくともパターン化されたか、またはテクスチャ加工された、のいずれか１つである、請求項５に記載の方法。 【請求項２１】 前記封止剤が、ＵＶ光曝露前のケイ素を含む、請求項１に記載の方法。 【請求項２２】 前記封止剤は、ＵＶ光曝露前のシリコーンオイルまたはシリコーン樹脂を含む、請求項１の方法。 【請求項２３】 （ｉ）ＵＶ光に曝露する前に、封止剤が４０原子パーセントを超える炭素含有量を有し、（ｉｉ）ＵＶ光に曝露した後、非化学量論的シリカ材料が３０原子パーセント未満の炭素含有量を有する、請求項１に記載の方法。 【請求項２４】 前記半導体ダイと前記封止剤の少なくとも一部との間にバリアを配置するステップをさらに含み、前記バリアは、ＵＶ光に対して不透明な材料を含む、請求項１に記載の方法。 【請求項２５】 前記バリアがＵＶ光に対して不透明の樹脂を含む、請求項２４に記載の方法。 【請求項２６】 前記バリアがＵＶ光を反射する材料を含む、請求項２４に記載の方法。 【請求項２７】 前記バリアがアルミニウムまたはポリ四フッ化エチレンの少なくとも１つを含む、請求項２４に記載の方法。 【請求項２８】 前記半導体ダイが、発光ダイオードダイである、請求項１に記載の方法。 【請求項２９】 前記半導体ダイが、レーザーダイである、請求項１に記載の方法。 【請求項３０】 前記封止剤の少なくとも部分が、約１００時間〜約３００時間ＵＶ光に曝露される、請求項１に記載の方法。 【請求項３１】 紫外（ＵＶ）線発光半導体ダイと、 前記半導体ダイから光を取出しするための硬質レンズと、 硬質レンズと前記半導体ダイとの間に配置され、１０μｍ未満の厚みを有する封止剤の層とを含み、 前記封止剤の層の少なくとも一部が、前記半導体ダイにより放出されるＵＶ光の暴露によって非化学量論的シリカ材料へ変換された有機材料を含み、前記非化学量論的シリカ材料がケイ素、酸素、および炭素を含み、前記非化学量論的シリカ材料の炭素含有量が１ｐｐｍより大であり、かつ４０原子パーセントより少なく、 前記ＵＶ光は、約２１０ｎｍ〜約２８０ｎｍの範囲から選択される波長を有し、かつ前記半導体ダイによって放出される、照明装置。 【請求項３２】 前記非化学量論的シリカ材料の炭素含有量が１原子パーセントより大である、請求項３１に記載の照明装置。 【請求項３３】 前記非化学量論的シリカ材料の炭素含有量が３０原子パーセントより少ない、請求項３１に記載の照明装置。 【請求項３４】 前記非化学量論的シリカ材料の炭素含有量が２０原子パーセントより少ない、請求項３１に記載の照明装置。 【請求項３５】 紫外（ＵＶ）線発光半導体ダイと、 前記半導体ダイから光を取り出すための硬質レンズと、 前記硬質レンズと前記半導体ダイとの間に配置され、１０μｍ未満の厚みを有する非化学量論的シリカ材料の層とを含み、 前記非化学量論的シリカ材料がケイ素、酸素および炭素を含み、前記非化学量論的シリカ材料の炭素含有量は１ｐｐｍより大きく、かつ３０原子パーセントより少ない、照明装置。 【請求項３６】 前記非化学量論的シリカ材料の炭素含有量が１原子パーセントより大である、請求項３５に記載の照明装置。 【請求項３７】 前記非化学量論的シリカ材料の炭素含有量が２０原子パーセントより少ない、請求項３５に記載の照明装置。 【請求項３８】 紫外（ＵＶ）線発光半導体ダイと、 前記半導体ダイの上および／または周囲に配置された封止剤の層とを含み、 前記封止剤の層の少なくとも一部が、前記半導体ダイにより放出されるＵＶ光の暴露によって非化学量論的シリカ材料へ変換された有機材料を含み、前記非化学量論的シリカ材料はケイ素、酸素、および炭素を含み、前記非化学量論的シリカ材料の炭素含有量が１ｐｐｍより大であり、かつ４０原子パーセントより少なく、 前記ＵＶ光は、約２１０ｎｍ〜約２８０ｎｍの範囲から選択される波長を有し、かつ前記半導体ダイによって放出される、照明装置。 【請求項３９】 前記非化学量論的シリカ材料の炭素含有量が１原子パーセントより大である、請求項３８に記載の照明装置。 【請求項４０】 前記非化学量論的シリカ材料の炭素含有量が３０原子パーセントより少ない、請求項３８に記載の照明装置。 【請求項４１】 前記非化学量論的シリカ材料の炭素含有量が２０原子パーセントより少ない、請求項３８に記載の照明装置。 【請求項４２】 前記封止剤の層が前記半導体ダイの頂面上に配置され、さらに前記半導体ダイの側壁に近接して配置されたバリア材料を含み、前記バリア材料がＵＶ光に不透明である、請求項３８に記載の照明装置。 【請求項４３】 紫外（ＵＶ）線発光半導体ダイと、 前記半導体ダイの上および／または周囲に配置された非化学量論的シリカ材料の層とを含み、 前記非化学量論的シリカ材料はケイ素、酸素、および炭素を含み、前記非化学量論的シリカ材料の炭素含有量が１原子パーセントより大で、かつ４０原子パーセントより少なく、 前記非化学量論的シリカ材料は、約２１０ｎｍ〜約２８０ｎｍの範囲から選択される波長を有するＵＶ光であって前記半導体ダイによって放出されるＵＶ光に曝露することによって有機材料から変換されたものである、照明装置。 【請求項４４】 前記非化学量論的シリカ材料の炭素含有量が１原子パーセントより大である、請求項４３に記載の照明装置。 【請求項４５】 前記非化学量論的シリカ材料の炭素含有量が３０原子パーセントより少ない、請求項４３に記載の照明装置。 【請求項４６】 前記非化学量論的シリカ材料の炭素含有量が２０原子パーセントより少ない、請求項４３に記載の照明装置。 【請求項４７】 前記封止剤の層が前記半導体ダイの頂面上に配置され、さらに前記半導体ダイの側壁に近接して配置されたバリア材料を含み、前記バリア材料がＵＶ光に不透明である、請求項４３に記載の照明装置。 【請求項４８】 紫外（ＵＶ）線発光半導体ダイと、 前記半導体ダイの上および／またはその周囲に配置された封止剤の層と、 前記半導体ダイの側壁と前記封止剤の層の第２の部分との間にバリア材料であって、ＵＶ光に不透明であり、アルミニウム、ポリ四フッ化エチレン、および／または不透明樹脂を含むバリア材料とを含み、 （ｉ）前記封止剤の層の第１の部分は前記半導体ダイにより放出されるＵＶ光の暴露により少なくとも部分的に非化学量論的シリカ材料へ変換された有機材料を含み、（ｉｉ）前記封止剤の層の第２の部分はシリコーンを含み、（ｉｉｉ）前記非化学量論的シリカ材料はケイ素、酸素、および炭素を含み、前記非化学量論的シリカ材料の炭素含有量は１ｐｐｍより大きく、かつ４０原子パーセントより小であり、 前記封止剤の層の第１の部分が前記半導体ダイの頂面上に配置され、前記封止剤の層の第２の部分が前記半導体ダイの側壁に近接して配置された、照明装置。 【請求項４９】 前記非化学量論的シリカ材料の炭素含有量が１原子パーセントより大である、請求項４８に記載の照明装置。 【請求項５０】 前記非化学量論的シリカ材料の炭素含有量が３０原子パーセントより少ない、請求項４８に記載の照明装置。 【請求項５１】 前記非化学量論的シリカ材料の炭素含有量が２０原子パーセントより少ない、請求項４８に記載の照明装置。 |
| 訂正の要旨 |
審決（決定）の【理由】欄参照。 |
| 異議決定日 | 2022-07-21 |
| 出願番号 | P2017-503159 |
| 審決分類 |
P
1
651・
113-
ZAA
(H01L)
P 1 651・ 121- ZAA (H01L) |
| 最終処分 | 06 取消 |
| 特許庁審判長 |
瀬川 勝久 |
| 特許庁審判官 |
加々美 一恵 野村 伸雄 |
| 登録日 | 2020-12-28 |
| 登録番号 | 6817187 |
| 権利者 | クリスタル アイエス，インコーポレーテッド |
| 発明の名称 | 照明装置のアセンブリおよび焼き付けする方法、および照明装置 |
| 代理人 | 田中 秀▲てつ▼ |
| 代理人 | 山田 勇毅 |
| 代理人 | 山田 勇毅 |
| 代理人 | 田中 秀▲てつ▼ |
| 代理人 | 森 哲也 |
| 代理人 | 小林 龍 |
| 代理人 | 小林 龍 |
| 代理人 | 森 哲也 |