• ポートフォリオ機能


ポートフォリオを新規に作成して保存
既存のポートフォリオに追加保存

  • この表をプリントする
PDF PDFをダウンロード
審決分類 審判 一部申し立て 1項3号刊行物記載  H01L
審判 一部申し立て 2項進歩性  H01L
管理番号 1398269
総通号数 18 
発行国 JP 
公報種別 特許決定公報 
発行日 2023-06-30 
種別 異議の決定 
異議申立日 2022-07-08 
確定日 2023-03-22 
異議申立件数 1 
訂正明細書 true 
事件の表示 特許第６９９４９８１号発明「プラズマ処理装置及び載置台の製造方法」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。 
結論 特許第６９９４９８１号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された特許請求の範囲のとおり訂正後の請求項〔１〜５、８、９〕について訂正することを認める。 特許第６９９４９８１号の請求項１、３〜５、８、９に係る特許を維持する。 特許第６９９４９８１号の請求項２に係る特許についての特許異議の申立てを却下する。 
理由 第１ 手続の経緯
特許第６９９４９８１号の請求項１〜７に係る特許についての出願は、平成３０年２月２６日に出願され、令和３年１２月１６日にその特許権の設定登録がされ、令和４年１月１４日に特許掲載公報が発行された。その後、その請求項１〜５に係る特許について、同年７月８日に特許異議申立人茂木早苗（以下「申立人」という。）により特許異議の申立てがされ、当審は、同年９月１４日付けで取消理由を通知した。
特許権者は、その指定期間内である同年１１月２１日に意見書の提出及び訂正の請求を行い、その訂正の請求（以下「本件訂正請求」という。）に対して、申立人は、令和５年２月２日付けで意見書を提出した。

第２ 訂正の適否についての判断
１ 訂正の内容
本件訂正請求による訂正の内容は、以下のとおりである。
（１） 訂正事項１
特許請求の範囲の請求項１に「前記埋込部材は、前記第１の通孔に配置された第１の埋込部材と、前記第２の通孔に配置された第２の埋込部材とを有し、」と記載されているのを、「前記埋込部材は、前記第１の通孔の内壁と、伝熱ガス経路となる間隔を設けて前記第１の通孔内に配置された第１の埋込部材と、前記第２の通孔の内壁と、伝熱ガス経路となる間隔を設けて前記第２の通孔内に配置された第２の埋込部材とを有し、」に訂正する(請求項１の記載を直接的及び間接的に引用する請求項４及び請求項５も同様に訂正する)。

（２） 訂正事項２
特許請求の範囲の請求項２を削除する。

（３） 訂正事項３
特許請求の範囲の請求項３に「前記第２の埋込部材の上端部の周縁に凹部が形成される、請求項２に記載のプラズマ処理装置。」と記載されているのを、独立形式に改め、「被処理体が載置される載置面及び前記載置面に対する裏面を有し、前記載置面と前記裏面を貫通する第１の通孔が形成された板状部材と、前記板状部材を支持する支持面を有し、前記第１の通孔に連通する第２の通孔が形成された基台と、を有する載置台と、前記第１の通孔及び前記第２の通孔の内部に配置された埋込部材と、を備え、前記埋込部材は、前記第１の通孔に配置された第１の埋込部材と、前記第２の通孔に配置された第２の埋込部材とを有し、前記第１の埋込部材及び前記第２の埋込部材は、互いに固定されておらず、前記第１の埋込部材は、上端部の幅よりも下側に幅の広い部分を有し、前記第１の埋込部材及び前記第２の埋込部材は、前記第１の通孔及び前記第２の通孔の内部に伝熱ガス経路を通すように形成され、前記第２の埋込部材の上端部の周縁に凹部が形成される、プラズマ処理装置。」に訂正する(請求項３の記載を直接的及び間接的に引用する請求項８及び請求項９も同様に訂正する)。

（４） 訂正事項４
ア 訂正事項４−１
特許請求の範囲の請求項４に「前記第１の埋込部材の厚さは、前記板状部材の厚さ以下である、請求項１〜３のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。」とあるうち、請求項１を引用するものについて「前記第１の埋込部材の厚さは、前記板状部材の厚さ以下である、請求項１に記載のプラズマ処理装置。」に訂正する。
イ 訂正事項４−２
特許請求の範囲の請求項４に「前記第１の埋込部材の厚さは、前記板状部材の厚さ以下である、請求項１〜３のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。」とあるうち、請求項３を引用するものについて「前記第１の埋込部材の厚さは、前記板状部材の厚さ以下である、請求項３に記載のプラズマ処理装置。」に訂正し、新たに請求項８とする。

（５） 訂正事項５
ア 訂正事項５−１
特許請求の範囲の請求項５に「前記第１の埋込部材は、凸形状、下端部に近付く程幅が広くなる形状、上端部と下端部との間に最も幅の広い部分を有する形状、上端部と下端部との間に最も幅の狭い部分を有する形状のいずれかである、請求項１〜４のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。」とあるうち、請求項１及び請求項４を引用するものについて「前記第１の埋込部材は、凸形状、下端部に近付く程幅が広くなる形状、上端部と下端部との間に最も幅の広い部分を有する形状、上端部と下端部との間に最も幅の狭い部分を有する形状のいずれかである、請求項１又は４に記載のプラズマ処理装置。」に訂正する。
イ 訂正事項５−２
特許請求の範囲の請求項５に「前記第１の埋込部材は、凸形状、下端部に近付く程幅が広くなる形状、上端部と下端部との間に最も幅の広い部分を有する形状、上端部と下端部との間に最も幅の狭い部分を有する形状のいずれかである、請求項１〜４のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。」とあるうち、請求項３及び請求項４を引用するものについて「前記第１の埋込部材は、凸形状、下端部に近付く程幅が広くなる形状、上端部と下端部との間に最も幅の広い部分を有する形状、上端部と下端部との間に最も幅の狭い部分を有する形状のいずれかである、請求項３又は８に記載のプラズマ処理装置。」に訂正し、新たに請求項９とする。

（６） 一群の請求項、及び独立特許要件について
本件訂正請求は、一群の請求項［１〜５］に対して請求されたものである。
また、本件特許異議申立事件においては、訂正前の請求項１〜５が特許異議申立の請求の対象とされているので、訂正前の請求項１〜５に係る訂正事項１〜５に関して、特許法第120条の5第9項で読み替えて準用する特許法第126条第7項の独立特許要件は課されない。

２ 訂正の目的の適否、新規事項の有無、及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否
（１）訂正事項１について
ア 訂正の目的の適否
訂正事項１は、訂正前の請求項１の「前記第１の通孔に配置された」と規定される「第１の埋込部材」について、「前記第１の通孔の内壁と、伝熱ガス経路となる間隔を設けて」と、また、「前記第２の通孔に配置された」と規定される「第２の埋込部材」について、「前記第２の通孔の内壁と、伝熱ガス経路となる間隔を設けて」と、発明を特定するための事項を直列的に付加するものである。
よって、訂正事項１は、特許法第120条の5第2項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
イ 新規事項の有無
訂正事項１は、願書に添付した明細書の段落００３４の「第１の埋込部材２２１の径は、貫通孔２１０ａの孔径よりも小さい。第２の埋込部材２２０の径は、貫通孔２１０ｂの孔径よりも小さい。これにより、第１の埋込部材２２１及び第２の埋込部材２２０は、ガス供給管２１０の内壁と所定の間隔を設けて配置され、貫通孔２１０ａ及び貫通孔２１０ｂの内部に伝熱ガス経路が設けられる。」との記載に基づくものであるから、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入するものではない。
よって、訂正事項１は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であるから、特許法第１２０の５第９項で読み替えて準用する同法第126条第5項の規定に適合する。
ウ 特許請求の範囲の拡張・変更の存否
訂正事項１は、訂正前の発明特定事項の「第１の埋込部材」及び「第２の埋込部材」を、減縮するものであり、カテゴリーや対象、目的を変更するものではなく、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当しないから、特許法第１２０の５第９項で読み替えて準用する同法第126条第6項の規定に適合する。

（２） 訂正事項２について
訂正事項２は、請求項２を削除するものであるから、特許法第120条の5第2項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
また、訂正事項２は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当しない。

（３） 訂正事項３について
訂正事項３は、訂正前の請求項３を独立形式に改めるものであるから、特許法第120条の5第2項ただし書第４号に規定する「他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすること」を目的とするものである。
また、訂正事項３は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当しない。

（４） 訂正事項４について
ア 訂正事項４−１について
訂正事項４−１は、訂正前の請求項１〜３のいずれか一項を引用すると規定された請求項４を、請求項１のみを引用すると規定する訂正であって、多数項を引用している請求項の引用請求項数を削減するものであるから、特許法第120条の5第2項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
また、訂正事項４−１は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当しない。
イ 訂正事項４−２について
訂正事項４−２は、訂正前の請求項１〜３のいずれか一項を引用すると規定された請求項４を、請求項３のみを引用すると規定する訂正であって、多数項を引用している請求項の引用請求項数を削減するものであるから、特許法第120条の5第2項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
また、訂正事項４−２は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当しない。

（５） 訂正事項５について
ア 訂正事項５−１について
訂正事項５−１は、訂正前の請求項１〜４のいずれか一項を引用すると規定された請求項５を、請求項１、４のみを引用すると規定する訂正であって、多数項を引用している請求項の引用請求項数を削減するものであるから、特許法第120条の5第2項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
また、訂正事項５−１は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当しない。
イ 訂正事項５−２について
訂正事項５−２は、訂正前の請求項１〜４のいずれか一項を引用すると規定された請求項５を、請求項３、４のみを引用すると規定する訂正であって、多数項を引用している請求項の引用請求項数を削減するものであるから、特許法第120条の5第2項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
また、訂正事項４−２は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当しない。

３ まとめ
上記のとおり、訂正事項１〜５に係る訂正は、特許法第120条の5第2項ただし書第１、４号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第９項で準用する同法第126条第5項及び第６項の規定に適合する。
したがって、特許請求の範囲を、訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１〜５、８、９〕について訂正することを認める。

第３ 本件訂正請求による訂正後の本件発明
本件訂正請求により訂正された訂正後の請求項１〜５、８、９に係る発明（以下、順に「本件発明１」〜「本件発明５」、「本件発明８」、「本件発明９」という。）は、訂正特許請求の範囲の請求項１〜５、８、９に記載された次の事項により特定されるとおりのものである。（下線は、訂正特許請求の範囲の記載のとおり。）
「【請求項１】
被処理体が載置される載置面及び前記載置面に対する裏面を有し、前記載置面と前記裏面を貫通する第１の通孔が形成された板状部材と、前記板状部材を支持する支持面を有し、前記第１の通孔に連通する第２の通孔が形成された基台と、を有する載置台と、
前記第１の通孔及び前記第２の通孔の内部に配置された埋込部材と、を備え、
前記埋込部材は、前記第１の通孔の内壁と、伝熱ガス経路となる間隔を設けて前記第１の通孔内に配置された第１の埋込部材と、前記第２の通孔の内壁と、伝熱ガス経路となる間隔を設けて前記第２の通孔内に配置された第２の埋込部材とを有し、
前記第１の埋込部材及び前記第２の埋込部材は、互いに固定されておらず、
前記第１の埋込部材は、上端部の幅よりも下側に幅の広い部分を有する、
プラズマ処理装置。
【請求項２】
（削除）
【請求項３】
被処理体が載置される載置面及び前記載置面にする裏面を有し、前記載置面と前記裏面を貫通する第１の通孔が形成された板状部材と、前記板状部材を支持する支持面を有し、前起第１の通孔に連通する第２の通孔が形成された基台と、を有する載置台と、
前記第１の通孔及び前記第２の通孔の内部に配置された埋込部材と、を備え、
前記埋込部材は、前記第１の通孔に配置された第１の埋込部材と、前記第２の通孔に配置された第２の埋込部材とを有し、
前記第１の埋込部材及び前記第２の埋込部材は、互いに固定されておらず、
前記第１の埋込部材は、上端部の幅よりも下側に幅の広い部分を有し、
前記第１の埋込部材及び前記第２の埋込部材は、前記第１の通孔及び前起第２の通孔の内部に伝熱ガス経路を通すように形成され、
前記第２の埋込部材の上端部の周縁に凹部が形成される、
プラズマ処理装置。
【請求項４】
前記第１の埋込部材の厚さは、前記板状部材の厚さ以下である、
請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
前記第１の埋込部材は、凸形状、下端部に近付く程幅が広くなる形状、上端部と下端部との間に最も幅の広い部分を有する形状、上端部と下端部との間に最も幅の狭い部分を有する形状のいずれかである、
請求項１又は４に記載のプラズマ処理装置。

【請求項８】
前記第１の埋込部材の厚さは、前記板状部材の厚さ以下である、
請求項３に記載のプラズマ処理装置。
【請求項９】
前記第１の埋込部材は、凸形状、下端部に近付く程幅が広くなる形状、上端部と下端部との間に最も幅の広い部分を有する形状、上端部と下端部との間に最も幅の狭い部分を有する形状のいずれかである、
請求項３又は８に起載のプラズマ処理装置。」

第４ 取消理由通知に記載した取消理由について
１ 取消理由の概要
本件訂正前の請求項１、２、４、５に係る特許に対して、当審が令和４年９月１４日付けで特許権者に通知した取消理由の要旨は、次のとおりである。
（１） 取消理由１（新規性）
請求項１、２、４、５に係る発明は、本件特許出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の甲第１号証に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明であって、特許法第29条第1項第3号に該当するから、請求項１、２、４、５に係る特許は、特許法第29条第1項の規定に違反してされたものである。
（２） 取消理由２（進歩性）
請求項１、２、４、５に係る発明は、本件特許出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の甲第１号証に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、本件特許出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１、２、４、５に係る特許は、特許法第29条第2項の規定に違反してされたものである。

甲第１号証 米国特許出願公開第２０１７／３５２５６８号明細書

２ 甲第１号証（甲１）の記載と引用発明
（１） 甲第１号証（甲１）の記載
甲第１号証（以下「甲１」という。）には次の記載がある。（下線は、引用箇所を示すため当審において付加した。）
ア 「SUMMARY
[0008] An electrostatic chuck is described to carry a workpiece for processing such as high power plasma processing. In embodiments, the chuck includes a top plate to carry the workpiece, the top plate having an electrode to grip the workpiece, a cooling plate under the top plate to cool the top plate, a gas hole through the cooling plate and the top plate to feed a gas to the workpiece through the top plate, and an aperture-reducing plug in the cooling plate gas hole to conduct gas flow through the hole.
・・・（中略）・・・
[0021] FIG. 3 is a partial cross-sectional side view diagram of an ESC showing the top layer 208 and puck 206 of FIG. 2.
・・・（中略）・・・
[0023] The gas hole 213 extends through the top plate 208, the base plate 220, the insulation plate 222, the ground plate 224 and the support plate 226 to connect to a gas line 232 that supplies gas under pressure. The gas is supplied to the gas line by a regulated cooling gas source 236 such as a tank and pump or any other type of source. As mentioned above, the cooling gas may be helium, nitrogen, or any other suitable inert gas with a high thermal conductivity. Any of the gas holes whether central or peripheral may have the same or a similar appearance and the illustrated hole represents either type.」（当審訳：「概要
［０００８］ 大電力プラズマ処理などの処理のためにワークピースを支持する静電チャックが記載されている。実施形態において、チャックは、ワークピースを支持するための上部プレートであって、ワークピースを保持するための電極を有する上部プレートと、上部プレートの下の、上部プレートを冷却するための冷却プレートと、上部プレートを通ってワークピースにガスを供給するための、冷却プレートと上部プレートとを貫通するガス孔と、孔を通ってガス流を導くための、冷却プレートのガス孔内の開口縮小プラグとを、含む。
・・・（中略）・・・
［００２１］ 図３は、図２の上部層２０８及びパック２０６を示す、ＥＳＣの部分断面側面図である。
・・・（中略）・・・
［００２３］ ガス孔２１３は、加圧下でガスを供給するガスライン２３２に接続するために、上部プレート２０８、ベースプレート２２０、絶縁プレート２２２、接地プレート２２４、及び支持プレート２２６を貫通して延びる。ガスは、タンク及びポンプなどの調整された冷却ガス供給源２３６、又は他の任意の種類の供給源によって、ガスラインに供給される。上述のように、冷却ガスは、ヘリウム、窒素、又は、高い熱伝導性を有する他の任意の適切な不活性ガスであってよい。中央又は周辺のいずれのガス孔も、同一または類似の外観を有することができ、図示の孔は、いずれかのタイプを表す。」）

イ 「[0024] FIG. 4 is an enlarged partial cross-sectional side view diagram of the gas hole 213 in the base plate 222 or cooling plate and the top plate 208. The dielectric puck 208 is attached to the conductive cooling plate 220 using an adhesive 252. The base plate has a dielectric coating on the top surface between it and the adhesive. This reduces any arcing between the base plate and the top plate. The puck supports the workpiece (not shown) such as a wafer during plasma processing and other processes. In some embodiments, the cooling plate has a DC voltage applied to reduce the voltage potential between the puck and the cooling plate. The center of the cooling plate has a fitting for a gas line 232 which extends through a hole 233 in the cooling plate through which the cooling gas is provided from below the cooling plate into a gas channel 240 in the cooling plate. The gas channel is covered by a solid cover 260 that is attached over the channel. The cover may be aluminum like the cooling plate that is e-beam welded in place. The channel is open to a hole 258 through the cover 260 that feeds the gas into a first porous plug 242 in the cooling channel. The porous plug in the cooling channel conducts the gas into a second porous plug 246 in the puck. The porous plug in the puck couples the gas under pressure into a central hole 250 through the top of the puck toward the wafer back side. If there are more cooling gas holes, then the channel may extend to those holes with corresponding holes in the cover to pass gas through to corresponding porous plugs.」（当審訳：「［００２４］ 図４は、ベースプレート２２２又は冷却プレート、及び上部プレート２０８内のガス孔２１３の拡大部分断面側面図である。誘電体パック２０８が、接着剤２５２を用いて、導電性冷却プレート２２０に取り付けられている。ベースプレートは、上面に、それと接着剤との間において誘電体コーティングを有する。これにより、ベースプレートと上部プレートの間のアーク放電を減少させる。パックは、プラズマ処理、及び他の処理中にウエハなどのワークピース（図示せず）を支持する。いくつかの実施形態では、冷却プレートは、パックと冷却プレートとの間の電位差を下げるためにＤＣ電圧が印加されている。冷却プレートの中心は、冷却プレートの孔２３３を通って延びるガスライン２３２用の取り付け具を有し、それを通って冷却ガスが、冷却プレートの下方から冷却プレート内のガスチャネル２４０に供給される。ガスチャネルは、チャネルの上に取り付けられる、中実のカバー２６０によって覆われている。カバーは、冷却プレートのようにアルミニウムとすることができ、所定位置に電子ビーム溶接されている。チャネルは、冷却チャネル内の第１の多孔性プラグ２４２にガスを供給するように、孔２５８からカバー２６０を貫通するように開口している。冷却チャネル内の多孔性プラグは、パック内の第２の多孔性プラグ２４６にガスを導く。パック内の多孔性プラグは、加圧下のガスを、パックの頂部からウエハ裏側に向かって中央孔２５０に結合する。より多くの冷却ガス孔がある場合、チャネルは、対応する多孔性プラグを通してカバー内の対応する孔にガスを通過させるように、それらの孔まで拡張させることができる。」）

ウ 「[0029] The porous plug in the top plate has a tapered shape to guide the gas to the gas hole 213. The base 248 of the top plate plug 246 is narrower or about the same size as the top of the plug 242 in the cooling plate. The top 244 of the top plate plug is narrower than the base and it guides the gas into an upper central hole 250 through the top of the top plate that leads to the gas hole 213. The gas hole is placed close to the back side of the workpiece to promote thermal conduction between the workpiece and the top plate. While the plug 246 is shown as having a stepped shape with a narrower diameter after the step, the plug may have multiple steps, a narrowing conical diameter, or a combination or different tapering effects.」（当審訳：「［００２９］ 上部プレート内の多孔性プラグは、ガスをガス孔２１３に導くためのテーパー形状を有する。上部プレートプラグ２４６の基部２４８は、冷却プレート内のプラグ２４２の頂部よりも狭いか、又は、ほぼ同じサイズである。上部プレートプラグの頂部２４４は、基部よりも狭く、ガスを、ガス孔２１３に通じ、上部プレートの頂部を貫通する、上側中央孔２５０に導く。ガス孔は、ワークピースと上部プレートとの間の熱伝導を促進するために、ワークピースの裏側の近くに配置される。プラグ２４６は、段差の後に、より狭い直径を有する段差形状を有するように示されているが、プラグは、複数の段差、狭くなる円錐直径、又は、組み合わせ、もしくは、異なるテーパリング効果を有することができる。」）

エ 「[0031] The two porous plugs may be made from the same or a different porous dielectric material. A variety of different ceramics may be used, however, there may also be other suitable materials. As examples, the plugs may be made of porous ceramic materials, such as aluminum nitride (AlN) aluminum oxide (Al2O3), polyetheretherketone (PEEK), VELSEL(RTM.), or any other suitable material. The porosity of the material is selected to allow a desired gas flow rate during use. If the porosity is not enough to provide a sufficient gas flow rate, then one or more small vertical tubes may be drilled through the plug.」（当審訳：「［００３１］ ２つの多孔性プラグは、同一又は異なる多孔性誘電体材料で作製されてよい。様々な異なるセラミックスが使用されるが、他の適切な材料もあり得る。例として、プラグは、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸化アルミニウム（ＡＬ２Ｏ３）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ＶＥＬＳＥＬ（登録商標）の多孔性セラミック材料や、他の任意の適切な材料で作られてよい。材料の気孔率は、使用中に所望のガス流量を可能にするように選択される。気孔率が十分なガス流量を提供するのに十分でない場合は、１又はより多くの小さな垂直チューブが、プラグを通して掘削されてもよい。」）

オ 「ＦＩＧ．３（図３）

」
カ 「ＦＩＧ．４（図４）

」

（２） 引用発明
ア 甲１の段落００２３には、図３について「the base plate 220, the insulation plate 222」（ベースプレート２２０、絶縁プレート２２２）と記載されている。そして、甲１の図４には「２２２」が示されていないことからすると、甲１の段落００２４の「the base plate 222 or cooling plate」（ベースプレート２２２又は冷却プレート）との記載は、「the base plate 220 or cooling plate」（ベースプレート２２０又は冷却プレート）の誤記と認められる。
イ 甲１の図４によると、第２の多孔性プラグ２４６は誘電体パック（上部プレート）２０８を貫通するガス孔２１３に配置され、また、第１の多孔性プラグ２４２は、ベースプレート（導電性冷却プレート）２２０を貫通するガス孔２１３に配置されているといえる。
ウ 甲１の図４によると、第２の多孔性プラグ２４６、及び、第１の多孔性プラグ２４２は互いに固定されていないといえる。
エ 以上を踏まえると、甲１には次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているといえる。
「ガス孔２１３が貫通し、プラズマ処理中にウエハなどのワークピースを支持する誘電体パック（上部プレート）２０８（段落００２３、００２４）と、
ガス孔２１３が貫通し、誘電体パック２０８が接着剤２５２を用いて取り付けられているベースプレート（導電性冷却プレート）２２０（段落００２３、００２４）と、
第１の多孔性プラグ２４２、及び、パック内の第２の多孔性プラグ２４６（段落００２４）と、
を備えるＥＳＣ（段落００２１）であって、
第２の多孔性プラグ２４６は誘電体パック（上部プレート）２０８を貫通するガス孔２１３に配置され、また、第１の多孔性プラグ２４２は、ベースプレート（導電性冷却プレート）２２０を貫通するガス孔２１３に配置され（上記イ）、
第２の多孔性プラグ２４６、及び、第１の多孔性プラグ２４２は互いに固定されておらず（上記ウ）、
上部プレートプラグ２４６の頂部２４４は、基部よりも狭い（段落００２９）、
大電力プラズマ処理などの処理のためにワークピースを支持する静電チャック（段落０００８）。」

３ 当審の判断
（１） 対比
本件発明１と引用発明とを対比する。
ア プラズマ処理装置
「大電力プラズマ処理などの処理のためにワークピースを支持する静電チャック」の発明である引用発明は、「プラズマ処理装置」といえる点で本件発明１と共通する。
イ 板状部材
（ア） 引用発明の、プラズマ処理における「ウエハなどのワークピース」は、本件発明１の「被処理体」に相当する。
（イ） 引用発明の、誘電体パック（上部プレート）２０８は、「ウエハなどのワークピース」を支持する載置面、及び、ベースプレート（導電性冷却プレート）２２０と取り付けられる、載置面に対する裏面を有する板状部材といえる。
（ウ） ガス孔２１３が貫通している引用発明の誘電体パック（上部プレート）２０８は、載置面と裏面を貫通する「第１の通孔」が形成されているといえる。
（エ） 以上を踏まえると、引用発明の「ガス孔２１３が貫通し、プラズマ処理中にウエハなどのワークピースを支持する誘電体パック（上部プレート）２０８」は、本件発明１の「被処理体が載置される載置面及び前記載置面に対する裏面を有し、前記載置面と前記裏面を貫通する第１の通孔が形成された板状部材」に相当する。
ウ 基台
（ア） 引用発明のベースプレート（導電性冷却プレート）２２０は誘電体パック２０８が接着剤２５２を用いて取り付けられる支持面を有しているといえる。
（イ） 引用発明のベースプレート（導電性冷却プレート）２２０を貫通するガス孔２１３は、誘電体パック（上部プレート）２０８を貫通するガス孔２１３と連通する「第２の通孔」といえる。
（ウ） 以上を踏まえると、引用発明の「ガス孔２１３が貫通し、誘電体パック２０８が接着剤２５２を用いて取り付けられているベースプレート（導電性冷却プレート）２２０」は、本件発明１の「前記板状部材を支持する支持面を有し、前記第１の通孔に連通する第２の通孔が形成された基台」に相当する。
エ 載置台
引用発明の誘電体パック（上部プレート）２０８とベースプレート（導電性冷却プレート）２２０が、プラズマ処理を施すウエハなどのワークピースの載置台として機能することは明らかである。
オ 埋込部材
（ア） 「第２の多孔性プラグ２４６は誘電体パック（上部プレート）２０８を貫通するガス孔２１３に配置され、また、第１の多孔性プラグ２４２は、ベースプレート（導電性冷却プレート）２２０を貫通するガス孔２１３に配置され」る引用発明の「第１の多孔性プラグ２４２」と「第２の多孔性プラグ２４６」は、それぞれ本件発明１の「前記第２の通孔に配置された第２の埋込部材」と「前記第１の通孔に配置された第１の埋込部材」に対応する。
また、引用発明の「第１の多孔性プラグ２４２」及び「第２の多孔性プラグ２４６」は、本件発明１の「前記第１の通孔及び前記第２の通孔の内部に配置された埋込部材」と対応する。
（イ） 引用発明において、互いに固定されていない「第２の多孔性プラグ２４６、及び、第１の多孔性プラグ２４２」は、「互いに固定されておらず」といえる点で本件発明１の「前記第１の埋込部材及び前記第２の埋込部材」と一致する。
（ウ） 「上部プレートプラグ２４６の頂部２４４は、基部よりも狭い」から、引用発明の上部プレートプラグ２４６は、「上端部の幅よりも下側に幅の広い部分を有する」点で、本件発明１の「前記第１の埋込部材」と一致する。
（エ） 以上により、引用発明は、
「前記第１の通孔及び前記第２の通孔の内部に配置された埋込部材と、を備え、
前記埋込部材は、前記第１の通孔に配置された第１の埋込部材と、前記第２の通孔に配置された第２の埋込部材とを有し、
前記第１の埋込部材及び前記第２の埋込部材は、互いに固定されておらず、
前記第１の埋込部材は、上端部の幅よりも下側に幅の広い部分を有する」点で本件発明１と一致する。
カ 一致点・相違点
以上を踏まえると、本件発明１と引用発明とは次の点で一致し、相違する。（以下、本件発明１と引用発明との相違点を「相違点１」という。）
（ア） 一致点
「被処理体が載置される載置面及び前記載置面に対する裏面を有し、前記載置面と前記裏面を貫通する第１の通孔が形成された板状部材と、前記板状部材を支持する支持面を有し、前記第１の通孔に連通する第２の通孔が形成された基台と、を有する載置台と、
前記第１の通孔及び前記第２の通孔の内部に配置された埋込部材と、を備え、
前記埋込部材は、前記第１の通孔に配置された第１の埋込部材と、前記第２の通孔に配置された第２の埋込部材とを有し、
前記第１の埋込部材及び前記第２の埋込部材は、互いに固定されておらず、
前記第１の埋込部材は、上端部の幅よりも下側に幅の広い部分を有する、
プラズマ処理装置。」
（イ） 相違点１
本件発明１が、「前記第１の通孔」と「第１の埋込部材」との関係、及び「前記第２の通孔」と「第２の埋込部材」との関係について、それぞれ「前記第１の通孔の内壁と、伝熱ガス経路となる間隔を設けて前記第１の通孔内に配置された」及び「前記第２の通孔の内壁と、伝熱ガス経路となる間隔を設けて前記第２の通孔内に配置された」と特定しているのに対し、引用発明の「第１の多孔性プラグ２４２」と「第２の多孔性プラグ２４６」が、それぞれ「ベースプレート（導電性冷却プレート）２２０を貫通するガス孔２１３」と「誘電体パック（上部プレート）２０８を貫通するガス孔２１３」の内壁と、ガス経路となる間隔を設けて配置される点が特定されていない点。
（２） 相違点１の検討
甲１の、２つの多孔性プラグについての「材料の気孔率は、使用中に所望のガス流量を可能にするように選択される。気孔率が十分なガス流量を提供するのに十分でない場合は、１又はより多くの小さな垂直チューブが、プラグを通して掘削されてもよい。」（段落００３１）との記載によると、引用発明は、「第１の多孔性プラグ２４２」及び「第２の多孔性プラグ２４６」の気孔、又は、プラグを通して掘削された垂直チューブをガス経路として、十分なガス流量を提供するものである。
そうすると、甲１には、「第１の多孔性プラグ２４２」と「ベースプレート（導電性冷却プレート）２２０を貫通するガス孔２１３」の内壁との間、及び「第２の多孔性プラグ２４６」と「誘電体パック（上部プレート）２０８を貫通するガス孔２１３」の内壁との間に新たなガス経路を設ける必要性が示唆されているとはいえない。
したがって、引用発明において、「ベースプレート（導電性冷却プレート）２２０を貫通するガス孔２１３」の内壁と、ガス経路となる間隔を設けて「第１の多孔性プラグ２４２」を配置すること、及び、「誘電体パック（上部プレート）２０８を貫通するガス孔２１３」の内壁と、ガス経路となる間隔を設けて「第２の多孔性プラグ２４６」を配置する動機付けがあるとはいえないから、相違点１に係る本件発明１の構成は、引用発明に基づいて当業者が容易に想到し得た事項とはいえない。
（３） 申立人の意見について
ア 申立人は令和５年２月２日付け意見書で次の主張をした。
「しかし、例えば、埋込部材の挿入を容易にするために、埋込部材と貫通孔との間にクリアランス（隙間）を設けることは、甲第１号証に基づいて当業者が適宜なしうる事項に過ぎません。そして、このようなクリアランス（隙間）は、訂正後の請求項１に記載された「伝熱ガス経路」に相当します。
つまり、「伝熱ガス経路」を設けることは、甲第１号証に基づいて当業者が適宜なしうる事項に過ぎません。
また、本件の明細書には、「伝熱ガス経路」を設けることによる効果について、記載されていません。
訂正事項１に関連する本件の明細書の記載は、以下の通りです。
「次に、図５（ｂ）に示すように、貫通孔２１０ａ及び貫通孔２１０ｂに埋込部材２１９を挿入する。埋込部材２１９は、貫通孔２１０ａ及び貫通孔２１０ｂとの間に伝熱ガス経路となる所定の隙間を有するように、ガス供給管２１０の内部に配置される。これにより、第１の埋込部材２２１は、貫通孔２１０ａに配置され、第２の埋込部材２２０は、貫通孔２１０ｂに配置される。」(本件の明細書の段落【００４９】)
このように「伝熱ガス経路」を設けることは、埋込部材を挿入するステップとして記載されているのみであって、「隙間」を設けることで部材挿入を容易とすることは当業者が適宜なしうる設計的な事項にすぎず、進歩性を有する技術的な特徴とは認められないと思料いたします。
（２）以上のことから、訂正後の請求項１及びこれに従属する請求項４、５は、取消理由通知書に記載された甲第１号証に記載の発明により進歩性を有さず、取り消されるべきものです。」（意見書２ページ６行〜３ページ４行）

イ 申立人の主張を検討する。
引用発明は、誘電体パック２０８が、接着剤２５２を用いて、導電性冷却プレート２２０に取り付けられるもの（甲１段落００２４）であって、甲１の図４によると、「第１の多孔性プラグ２４２」と「ベースプレート（導電性冷却プレート）２２０を貫通するガス孔２１３」との境界の上部（誘電体パック２０８側）には、接着剤２５２が存在する。
そうすると、引用発明において、「第１の多孔性プラグ２４２」を配置し易くするために、「ベースプレート（導電性冷却プレート）２２０を貫通するガス孔２１３」との間にクリアランス（間隔）を設けたとしても、当該クリアランス（間隔）の上部（誘電体パック２０８側）は、接着剤２５２で覆われガス経路とはならないから、相違点１に係る本件発明１の構成とはならない。
したがって、相違点１は容易想到とはいえず、申立人の主張は採用できない。

（４） 本件発明１、４、５についてのまとめ
以上のとおり、本件発明１は、引用発明とは同一でなく、また、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとはいえないから、本件発明１についての取消理由１（新規性）、取消理由２（進歩性）は理由がない。
また、本件発明４、５はいずれも本件発明１を引用し、その構成をすべて含む発明であり、本件発明１と同様に、引用発明とは同一でなく、また、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではないから、本件発明４、５についての取消理由１（新規性）、取消理由２（進歩性）も、本件発明１と同様に理由がない。

第５ 取消理由通知において採用しなかった特許異議申立理由について
１ 取消理由通知において採用しなかった特許異議申立理由
申立人は、当審において取消理由を通知しなかった訂正前の請求項３について、甲第１号証及び甲第２号証（特開２００６−３４４７６６号公報）の記載に基づいて容易に発明をすることができたという次の主張をした。
「これらの記載及び図３、図４、図５、図７Ｂによれば、甲第２号証には、プラズマ処理装置に使用される基板サセプタ６が、保持板２３と、電極板２４と、保持板２３を貫通する上側収容孔３１の内部に収容されたノズル部材４３と、電極板２４を貫通する下側収容孔３９の内部に収容された入口部材４７と、を備え、入口部材４７の高さ方向中央よりも下側には直径Ｄ４を僅かに大きくした拡径部４７ｃを設けることが記載されている。
上図に破線で示したように、入口部材４７は、拡径部４７ｃを設けることによって形成された段差を有する。この段差よりも上側の部分は、拡径部４７ｃの上端部の周縁に形成された凹部とみなすことができる。
つまり、甲第２号証には、以下の特徴が記載されている。
「Ｉ 前記第２の埋込部材の上端部の周縁に凹部が形成される、」
・・・（中略）・・・
(特許法第29条第2項)
(ア)本件特許発明３について説明する。
甲第２号証には、「Ｉ 前記第２の埋込部材の上端部の周縁に凹部が形成される、」が記載されている。
したがって、当業者であれば、甲第１号証及び甲第２号証の記載に基づいて、本件特許発明３を容易に発明することができる。」（特許異議申立書１３ページ１８行〜１４ページ１８行）

２ 当審の判断
（１） 対比
本件発明３と引用発明とを対比する。
ア 訂正前の請求項１に係る発明特定事項について
上記「第４の３（１）ア〜オ」のとおり、引用発明は、
「被処理体が載置される載置面及び前記載置面にする裏面を有し、前記載置面と前記裏面を貫通する第１の通孔が形成された板状部材と、前記板状部材を支持する支持面を有し、前起第１の通孔に連通する第２の通孔が形成された基台と、を有する載置台と、
前記第１の通孔及び前記第２の通孔の内部に配置された埋込部材と、を備え、
前記埋込部材は、前記第１の通孔に配置された第１の埋込部材と、前記第２の通孔に配置された第２の埋込部材とを有し、
前記第１の埋込部材及び前記第２の埋込部材は、互いに固定されておらず、
前記第１の埋込部材は、上端部の幅よりも下側に幅の広い部分を有する、
プラズマ処理装置。」である点で本件発明３と一致する。
イ 訂正前の請求項２に係る発明特定事項について
甲１の「ガスは、タンク及びポンプなどの調整された冷却ガス供給源２３６、又は他の任意の種類の供給源によって、ガスラインに供給される。上述のように、冷却ガスは、ヘリウム、窒素、又は、高い熱伝導性を有する他の任意の適切な不活性ガスであってよい。」（段落００２３）との記載によると、引用発明のガス孔２１３は、伝熱ガスといえる冷却ガスを通すものである。
そうすると、引用発明は、「前記第１の埋込部材及び前記第２の埋込部材は、前記第１の通孔及び前起第２の通孔の内部に伝熱ガス経路を通すように形成され」る点で本件発明３と一致する。
ウ 一致点・相違点
以上を踏まえると、本件発明３と引用発明とは次の点で一致し、相違する。（以下、本件発明３と引用発明との相違点を「相違点３」という。）
（ア） 一致点
「被処理体が載置される載置面及び前記載置面にする裏面を有し、前記載置面と前記裏面を貫通する第１の通孔が形成された板状部材と、前記板状部材を支持する支持面を有し、前起第１の通孔に連通する第２の通孔が形成された基台と、を有する載置台と、
前記第１の通孔及び前記第２の通孔の内部に配置された埋込部材と、を備え、
前記埋込部材は、前記第１の通孔に配置された第１の埋込部材と、前記第２の通孔に配置された第２の埋込部材とを有し、
前記第１の埋込部材及び前記第２の埋込部材は、互いに固定されておらず、
前記第１の埋込部材は、上端部の幅よりも下側に幅の広い部分を有し、
前記第１の埋込部材及び前記第２の埋込部材は、前記第１の通孔及び前起第２の通孔の内部に伝熱ガス経路を通すように形成され、
プラズマ処理装置。」
（イ） 相違点３
本件発明３は「前記第２の埋込部材の上端部の周縁に凹部が形成される」点が特定されているのに対し、引用発明の「第１の多孔性プラグ２４２」は、その上端部の周縁に凹部が形成されていない点。

（２） 相違点３の検討
ア 甲第２号証（甲２）の記載
甲第２号証（特開２００６−３４４７６６号公報、以下「甲２」という。）には次の記載がある。（下線は、引用箇所を示すために当審において付加した。）
「【０００１】
本発明は、ドライエッチング装置、スパッタ装置、及びＣＶＤ装置等のプラズマ処理装置に関する。
・・・（中略）・・・
【００１０】
本発明は、基板下面側に伝熱ガスを供給するプラズマ処理装置において、基板下面側での異常放電の発生を防止することを課題とする。
・・・（中略）・・・
【００２９】
（第１実施形態）
図１は本発明の第１実施形態に係るプラズマ処理装置である反応イオンエッチング型のドライエッチング装置１を示す。このドライエッチング装置１は、基板２上に形成されたプラチナ、金、インジウム、ニッケル等の貴金属のような難エッチング性の材料からなる層のエッチングに適している。
【００３０】
ドライエッチング装置１は、その内部に基板２が配置される真空容器ないしはチャンバ３を備える。チャンバ３内の上部には上部電極４が配設されている。また、チャンバ３内の下部には、高周波電圧が印加される下部電極及び基板２の保持台として機能する基板サセプタ６が配設されている。上部電極４とチャンバ３は接地されている。一方、基板サセプタ６が備える後述の電極板２４は、プラズマ発生のための高周波電源７に電気的に接続されている。難エッチング性の材料をエッチングするために、高周波電源７は高電圧を基板サセプタ６に印加する。詳細には、高周波電源７から基板サセプタ６に印加される電力の周波数は５００ｋＨｚ程度であり、印加される電圧は３〜４ｋＶ程度に達する。また、基板サセプタ６が備える後述の静電吸着用電極８Ａ，８Ｂは、直流電源９Ａ，９Ｂに電気的に接続されている。
・・・（中略）・・・
【００３４】
次に、図２から図５を参照して基板サセプタ６を説明する。図３に詳細に示すように、基板サセプタ６は、上面２３ａに基板２を静電吸着により保持する保持板（絶縁板部材）２３と、上面２４ａに保持板２３が固定された電極板（金属板部材）２４とを備える。また、基板サセプタ６は、チャンバ３の底部に配置され、その上に保持板２３及び電極板２４が載置される台座部材２６と、台座部材２６に対して保持板２３及び電極板２４を固定するための枠体２７，２８とを備える。さらに、基板サセプタ６は、平面視で保持板２３のみが露出するように電極板２４と枠体２７，２８の上部を覆う環状板２９を備える。
・・・（中略）・・・
【００３６】
図２から図５を参照すると、保持板２３には平面視での中心の位置、及びこの中心に対して点対称である４箇所に上面２３ａから下面２３ｂまで貫通する上側収容孔（第１の収容孔）３１が形成されている。従って、本実施形態では合計５個の上側収容孔３１が保持板２３に形成されている。図５に明瞭に示すように、上側収容孔３１は、保持板２３の上面２３ａ側に位置する孔本体３２と、下面２３ｂ側に位置する座ぐり部３３とを備える。孔本体３２は座ぐり部３３はいずれも平面視で円形である。孔本体３２の直径Ｄ１よりも座ぐり部３３の直径Ｄ２が大きい。詳細には、孔本体３２の直径Ｄ１が４ｍｍ以上６ｍｍ以下程度であるのに対して、座ぐり部３３の直径Ｄ２は８ｍｍ以上１０ｍｍ以下程度である。孔本体３２の直径Ｄ１は、後述するノズル部材４３の直径Ｄ３（図６Ｂ参照）に対応している。座ぐり部３３の直径Ｄ２は、後述する入口部材４７の直径Ｄ４（図７Ｂ参照）に対応している。
・・・（中略）・・・
【００３９】
電極板２４には保持板２３の上側収容孔３１と対応する位置に上面２４ａから下面２４ｂまで貫通する下側収容孔（第２の収容孔）３９が形成されている。本実施形態では、下側収容孔３９は平面視で円形であり、直径Ｄ５は保持板２３に形成された上側収容孔３１の座ぐり部３３の直径Ｄ２と同一である。座ぐり部３３と同様に、下側収容孔３９の直径Ｄ５は後述する入口部材４７の直径Ｄ４（図７Ｂ参照）に対応している。
・・・（中略）・・・
【００４２】
基板サセプタ６は、保持板２３の５個の上側収容孔３１にそれぞれ収容されたノズル部材（第１のガス供給部材）４３を備える。ノズル部材４３は、伝熱ガス給排装置１６から供給される伝熱ガスの隙間１４（図４参照）への供給口として機能する。
・・・（中略）・・・
【００４６】
基板サセプタ（下部電極）６は、電極板２４の５個の下側収容孔３９にそれぞれ収容された入口部材（第２のガス供給部材）４７を備える。入口部材４７は、伝熱ガス給排装置１６からの伝熱ガスがノズル部材４３へ向かう流路として機能する。
【００４７】
入口部材４７は絶縁性材料であるセラミック製である。図７Ａ及び図７Ｂを併せて参照すると、入口部材４７は全体として細長い円柱状である。入口部材４７は、座ぐり部３３及び下側収容孔３９の直径Ｄ２，Ｄ５と対応する直径Ｄ４を有する。入口部材４７の高さ方向中央よりも下側には直径Ｄ４を僅かに大きくした拡径部４７ｃが設けられている。
・・・（中略）・・・
【００５０】
図４を参照すると、ノズル部材４３は、上端面４３ａ及び高さ方向の中央部分を含む大部分が保持板２３に形成された上側収容孔３１の孔本体３２内に収容されている。しかし、ノズル部材４３の下端面４３ｂ付近は、座ぐり部３３内に突出している。入口部材４７は、下端面４７ｂ及び高さ方向の中央部分を含む大部分が電極板２４に形成された下側収容孔３９内に収容されている。しかし、入口部材４７の上端面４７ａ付近は座ぐり部３３に収容されている。入口部材４７の上端面４７ａに形成された嵌合孔４９に、ノズル部材４３の下端面４３ｂ付近が嵌め込まれている。
【００５１】
ノズル部材４３及び入口部材４７を保持板２３及び電極板２４に対して固定する絶縁性接着剤層５２が形成されている。詳細には、ノズル部材４３の外周面４３ｃと上側収容孔３１の孔本体３２の周壁３２ａとの空隙、入口部材４７の上端面４７ａと上側収容孔３１の座ぐり部３３の底壁３３ａとの空隙、入口部材４７の上端面４７ａ側の外周面４７ｄと座ぐり部３３の周壁３３ｂとの空隙、及び入口部材４７の外周面４７ｄと下側収容孔３９の周壁３９ａとの空隙に、絶縁性接着剤層５２が設けられている。本実施形態では、絶縁性接着剤層５２はシリコン系接着剤からなる。絶縁性接着剤層５２は、ノズル部材４３及び入口部材４７の固定に加え、後に詳述するように異常放電の発生を防止する絶縁材として機能を有する。
・・・（中略）・・・
【００６４】
前述のように、基板２に対する静電吸着力を高めること、第１ガス供給孔の孔壁間での異常放電防止すること等を考慮して、上端面４３ａ及び下端面４３ｂの面積が小さいノズル部材４３に微小な直径ｄ１の上側ガス供給孔４４を可能な限り多数設けている。そのため、複数の上側ガス供給孔４４のうち最もノズル部材４３の外周面４３ｃ側に形成されたものと、ノズル部材４３の外周面４３ｃとが近接する。図６Ｂを参照すると、本実施形態では最も外周面４３ｃに近接する上側ガス供給孔４４と外周面４３ｃとの距離αは０．６ｍｍ程度である。そのため、電極板２４に高周波電圧が印加されているプラズマ処理中は、ノズル部材４３の外周面４３ｃが帯電する。図４を参照すると、ノズル部材４３の外周面４３ｃのうち特に下端面４３ｂと隣接する部位７１が強く帯電する。この部位７１と、導電体である電極板２４とその上面２４ａに形成された金属系接着剤層４１が下側収容孔３９に臨む部位７２との間で異常放電が発生しやすい。特に、本実施形態では難エッチングの材料をエッチングするために電極板２４に高電圧を印加しているので、部位７１がより強く帯電し、部位７１，７２間の異常放電が発生しやすい。図４に示すように、部位７１，７２をつなぐ経路７３は、ノズル部材４３の外周面４３ｃと嵌合孔４９の周壁４９ａの間、入口部材４７の上端面４７ａと上側収容孔３１の座ぐり部３３の底壁３３ａとの空隙、入口部材４７の外周面４７ｄと座ぐり部３３の周壁３３ｂとの空隙、及び入口部材４７の外周面４７ｄと下側収容孔３９の周壁３９ａとの空隙を含む。
【００６５】
本実施形態では、部位７１，７２をつなぐ経路７３に含まれる入口部材４７の上端面４７ａと上側収容孔３１の座ぐり部３３の底壁３３ａとの空隙、入口部材４７の外周面４７ｄと座ぐり部３３の周壁３３ｂとの空隙、及び入口部材４７の外周面４７ｄと下側収容孔３９の周壁３９ａとの空隙に絶縁性接着剤層５２を設けている。この絶縁性接着剤層５２を設けたことにより部位７１，７２間の電位差が低減される。また、絶縁性着剤層５２で充填されているので、これらの部位７１，７２をつなぐ経路７３に含まれる空隙に伝熱ガスが侵入しない。従って、部位７１，７２との間での局所的な異常放電の発生を防止できる。」
「【図４】



【図５】

」
イ 甲２発明
（ア） 段落００２９，００３０、００４６によると、甲２には プラズマ処理装置であるドライエッチング装置１に配設された、基板２の保持台として機能する基板サセプタ（下部電極）６が備える入口部材（第２のガス供給部材）４７であって、伝熱ガス給排装置１６からの伝熱ガスがノズル部材４３へ向かう流路として機能する入口部材（第２のガス供給部材）４７が記載されているといえる。
（イ） 甲２の段落００４７には、「入口部材４７の高さ方向中央よりも下側には直径Ｄ４を僅かに大きくした拡径部４７ｃが設けられている」ことが記載されている。
そして、図４及び図５において、拡径部４７ｃに対する「入口部材４７の外周面４７ｄの部分」は、上端部の周縁に形成された凹部といい得る。
（ウ） 図４及び段落００５１、００６４、００６５によると、甲２に記載された拡径部４７ｃに対する「入口部材４７の外周面４７ｄの部分」は、座ぐり部３３の周壁３３ｂとの空隙、及び、下側収容孔３９の周壁３９ａとの空隙に、絶縁性接着剤層５２を設けることによって異常放電の発生を防止するための構成であるといえる。
（エ） そうすると、甲２には次の発明（以下「甲２発明」という。）が記載されているといえる。
「プラズマ処理装置であるドライエッチング装置１に配設された、基板２の保持台として機能する基板サセプタ（下部電極）６が備える入口部材（第２のガス供給部材）４７であって、
伝熱ガス給排装置１６からの伝熱ガスがノズル部材４３へ向かう流路として機能し、
座ぐり部３３の周壁３３ｂとの空隙、及び、下側収容孔３９の周壁３９ａとの空隙に、絶縁性接着剤層５２を設けることによって異常放電の発生を防止するための凹部が上端部の周縁に形成された入口部材４７。」
ウ 相違点３の検討
相違点３に係る、第２の埋込部材の上端部の周縁に形成される凹部は、「第２の埋込部材２２０の切欠き２２０ａにより、第１の埋込部材２２１と第２の埋込部材２２０とがずれた状態においても、ガス供給管２１０内の伝熱ガス経路が確保される。これにより、ウェハＷの裏面に伝熱ガスを十分に供給することができる。」（本件明細書段落００４３）との機能を実現する構成である。
それに対して、甲２発明の、入口部材４７の上端部の周縁に形成された凹部は、座ぐり部３３の周壁３３ｂとの空隙、及び、下側収容孔３９の周壁３９ａとの空隙に、絶縁性接着剤層５２を設けることによって異常放電の発生を防止するための構成であるから、引用発明の第１の多孔性プラグ２４２の構成として甲２発明の事項を採用したとしても、凹部は絶縁性接着剤層５２で塞がれることになるから、本件発明３の上記機能を実現することはできない。
また、甲２発明のうち、絶縁性接着剤層５２を省いた入口部材４７の形状のみを採用することは、本件発明３を見た上での後知恵といわざるを得ない。
したがって、相違点３は、引用発明及び甲２発明に基づいて、当業者が容易に想到し得るものではないから、取消理由通知において採用しなかった特許異議申立理由は理由がない。
また、本件発明８、９は、いずれも本件発明３を引用し、その構成をすべて含む発明であるから、本件発明３と同様に、引用発明及び甲２発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。

第６ むすび
以上のとおりであるから、取消理由通知に記載した取消理由及び特許異議申立書に記載した特許異議申立理由によっては、本件請求項１、３〜５、８、９に係る特許を取り消すことはできない。
また、他に本件請求項１、３〜５、８、９に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
また、本件請求項２に係る特許は、上記のとおり、訂正により削除された。これにより、異議申立人による特許異議の申立てについて、本件請求項２に係る申立ては、申立ての対象が存在しないものとなったため、特許法第120条の8第1項で準用する135条の規定により却下する。
よって、結論のとおり決定する。
 
発明の名称 （５７）【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理体が載置される載置面及び前記載置面に対する裏面を有し、前記載置面と前記裏面を貫通する第１の通孔が形成された板状部材と、前記板状部材を支持する支持面を有し、前記第１の通孔に連通する第２の通孔が形成された基台と、を有する載置台と、
前記第１の通孔及び前記第２の通孔の内部に配置された埋込部材と、を備え、
前記埋込部材は、前記第１の通孔の内壁と、伝熱ガス経路となる間隔を設けて前記第１の通孔内に配置された第１の埋込部材と、前記第２の通孔の内壁と、伝熱ガス経路となる間隔を設けて前記第２の通孔内に配置された第２の埋込部材とを有し、
前記第１の埋込部材及び前記第２の埋込部材は、互いに固定されておらず、
前記第１の埋込部材は、上端部の幅よりも下側に幅の広い部分を有する、
プラズマ処理装置。
【請求項２】
（削除）
【請求項３】
被処理体が載置される載置面及び前記載置面に対する裏面を有し、前記載置面と前記裏面を貫通する第１の通孔が形成された板状部材と、前記板状部材を支持する支持面を有し、前記第１の通孔に連通する第２の通孔が形成された基台と、を有する載置台と、
前記第１の通孔及び前記第２の通孔の内部に配置された埋込部材と、を備え、
前記埋込部材は、前記第１の通孔に配置された第１の埋込部材と、前記第２の通孔に配置された第２の埋込部材とを有し、
前記第１の埋込部材及び前記第２の埋込部材は、互いに固定されておらず、
前記第１の埋込部材は、上端部の幅よりも下側に幅の広い部分を有し、
前記第１の埋込部材及び前記第２の埋込部材は、前記第１の通孔及び前記第２の通孔の内部に伝熱ガス経路を通すように形成され、
前記第２の埋込部材の上端部の周縁に凹部が形成される、
プラズマ処理装置。
【請求項４】
前記第１の埋込部材の厚さは、前記板状部材の厚さ以下である、
請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
前記第１の埋込部材は、凸形状、下端部に近付く程幅が広くなる形状、上端部と下端部との間に最も幅の広い部分を有する形状、上端部と下端部との間に最も幅の狭い部分を有する形状のいずれかである、
請求項１又は４に記載のプラズマ処理装置。
【請求項６】
上端部の幅よりも下側に幅の広い部分を有する第１の埋込部材の下端部に形成された凸部を第２の埋込部材の上端部に形成された凹部に嵌め込んだ埋込部材を用意し、
被処理体が載置される載置面及び前記載置面に対する裏面を有し、前記載置面と前記裏面を貫通する第１の通孔が形成された板状部材と、前記板状部材を支持する支持面を有し、
前記第１の通孔に連通する第２の通孔が形成された基台と、を有する載置台に前記埋込部材を挿入し、
前記埋込部材を、前記第１の通孔及び前記第２の通孔の内部に伝熱ガス経路を設けるように配置し、
前記埋込部材を配置後に前記載置台からの応力により前記凸部を前記第１の埋込部材から分断させて前記第１の埋込部材及び前記第２の埋込部材を互いに固定されていない状態にする、
載置台の製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載の載置台の製造方法により製造された前記載置台を有するプラズマ処理装置。
【請求項８】
前記第１の埋込部材の厚さは、前記板状部材の厚さ以下である、
請求項３に記載のプラズマ処理装置。
【請求項９】
前記第１の埋込部材は、凸形状、下端部に近付く程幅が広くなる形状、上端部と下端部との間に最も幅の広い部分を有する形状、上端部と下端部との間に最も幅の狭い部分を有する形状のいずれかである、
請求項３又は８に記載のプラズマ処理装置。
 
訂正の要旨 審決（決定）の【理由】欄参照。
異議決定日 2023-03-07 
出願番号 P2018-032364
審決分類 P 1 652・ 121- YAA (H01L)
P 1 652・ 113- YAA (H01L)
最終処分 07   維持
特許庁審判長 瀧内 健夫
特許庁審判官 鈴木 聡一郎
松永 稔
登録日 2021-12-16 
登録番号 6994981
権利者 東京エレクトロン株式会社
発明の名称 プラズマ処理装置及び載置台の製造方法  
代理人 伊東 忠重  
代理人 伊東 忠重  
代理人 伊東 忠彦  
代理人 伊東 忠彦  

プライバシーポリシー   セキュリティーポリシー   運営会社概要   サービスに関しての問い合わせ