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| 審決分類 |
審判 査定不服 5項独立特許用件 特許、登録しない。 H01L 審判 査定不服 2項進歩性 特許、登録しない。 H01L 審判 査定不服 1項3号刊行物記載 特許、登録しない。 H01L |
|---|---|
| 管理番号 | 1404551 |
| 総通号数 | 24 |
| 発行国 | JP |
| 公報種別 | 特許審決公報 |
| 発行日 | 2023-12-28 |
| 種別 | 拒絶査定不服の審決 |
| 審判請求日 | 2023-01-12 |
| 確定日 | 2023-11-02 |
| 事件の表示 | 特願２０２１−１２６９７０「酸化ガリウム薄膜及び積層構造体」拒絶査定不服審判事件〔令和 ４年 １月２１日出願公開、特開２０２２− １６４２７〕について、次のとおり審決する。 |
| 結論 | 本件審判の請求は、成り立たない。 |
| 理由 |
第１ 手続の経緯 本願は、令和３年１月４日（優先権主張 令和２年７月８日）に出願された特許出願（特願２０２１−２６５号、以下「原出願」という。）の一部を、令和３年８月２日に特許法第44条第1項の規定による新たな特許出願（特願２０２１−１２６９７０号）としたものであって、その手続の経緯は以下のとおりである。 令和 ３年 ８月 ３日 ：上申書の提出 令和 ４年 ５月３１日付け：拒絶理由通知書 令和 ４年 ７月２６日 ：意見書、手続補正書の提出 令和 ４年１０月１７日付け：拒絶査定（原査定） 令和 ５年 １月１２日 ：審判請求書、手続補正書の提出 第２ 令和５年１月１２日にされた手続補正についての補正の却下の決定 ［補正の却下の決定の結論］ 令和５年１月１２日にされた手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。 ［理由］ １ 本件補正について（補正の内容） （１）本件補正後の特許請求の範囲の記載 本件補正は、特許請求の範囲を補正するものであり、補正後の請求項１の記載は、次のとおりである。（下線部は、補正箇所である。） 「【請求項１】 酸化ガリウム薄膜であって、 該酸化ガリウム薄膜の膜厚の平均が２．４μｍ以上であり、膜厚の標準偏差が０．３μｍ以下であり、 前記膜厚の平均および標準偏差は、光干渉式の膜厚計による膜厚の測定値からの算出値であることを特徴とする酸化ガリウム薄膜。」 （２）本件補正前の特許請求の範囲の記載 本件補正前の、令和４年７月２６日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１の記載は、次のとおりである。 「【請求項１】 酸化ガリウム薄膜であって、 該酸化ガリウム薄膜の膜厚の平均が２．４μｍ以上であり、膜厚の標準偏差が０．３μｍ以下であることを特徴とする酸化ガリウム薄膜。」 ２ 補正の適否 本件補正は、本件補正前の請求項１に記載された発明を特定するために必要な事項である「酸化ガリウム薄膜」の「膜厚の平均」及び「膜厚の標準偏差」について、上記のとおり限定を付加するものであって、補正前の請求項１に記載された発明と補正後の請求項１に記載される発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるから、特許法第17条の2第5項第2号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。 そこで、本件補正後の請求項１に記載される発明（以下「本件補正発明」という。）が同条第６項において準用する同法第126条第7項の規定に適合するか（特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか）について、以下、検討する。 （１）本件補正発明 本件補正発明は、上記１（１）に記載したとおりのものである。 （２）引用文献の記載事項 ア 引用文献１ （ア）原査定の拒絶の理由で引用された本願の原出願の優先日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった引用文献である、特開２０２０−２３９６号公報（以下「引用文献１」という。）には、図面とともに、次の記載がある（下線は、合議体が付加した。以下、同じ。）。 「【技術分野】 【０００１】 本発明は、ミスト状の原料を用いて基板上に成膜を行う成膜装置及び成膜方法に関する。」 「【０００６】 本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、膜厚の面内均一性や成膜速度に優れミストＣＶＤ法が適用可能な成膜装置、及び、均一性や成膜速度に優れた成膜方法を提供することを目的とする。」 「【発明の効果】 【００２３】 以上のように、本発明の成膜装置によれば、簡便な装置構成により膜厚の面内均一性が高く、成膜速度を大きく改善することが可能なものとなる。また、本発明の成膜方法によれば、簡便な方法により膜厚の面内均一性を高く、成膜速度を大きく改善することが可能となる。」 「【００３７】 （成膜室） 成膜室１０７では、ミストを加熱し熱反応を生じさせて、基板１１０上に成膜を行う。基板１１０は、成膜室１０７内の載置部１１３に載置される。載置部１１３には、基板１１０を加熱するためのホットプレート１０８を備えることができる。ホットプレート１０８は、図１に示されるように成膜室１０７の外部に設けられていてもよいし、成膜室１０７の内部に設けられていてもよい。 ミストの供給手段１１１は、成膜室１０７の側面に設けられる。供給手段１１１については、後で詳述する。 また、排気口１１２は、成膜室１０７の上部であって載置部１１３（基板１１０）の上方に設けられることが好ましい。これにより、膜厚の均一性はさらに向上する。」 「【００４０】 （供給手段） 上述の通り、ミストの供給手段１１１は、成膜室１０７の側面に設けられるものであり、相対する方向にミストを供給する、少なくとも１対の供給手段である。図１は、載置部１１３（基板１１０）を挟んで左右１対の供給手段１１１が設けられている例である。 ここで、「相対する方向」とは、成膜室１０７の上方から基板１１０を見た場合に、１対の供給手段のうちの、一方のミスト供給方向と、他方のミスト供給方向とが、互いに反対方向であることを意味する。この場合、１対の相対する方向の供給手段は、完全に同軸上で向き合っている場合に限られない。また、供給方向は完全に反対向きとなっているものの、供給方向の軸は互いに偏芯していてもよい。ここで、一方の供給方向を基準の０°とした場合、他方の供給方向が１８０°の方向の場合だけでなく、１８０°±１０°の範囲内であればよい。 【００４１】 また、成膜室１０７を側方から見た場合のミスト供給方向を、基板表面と略平行な方向とし、成膜室１０７の側面における供給手段１１１の高さを基板表面と略同程度の高さとすることが好ましい。このようにすることで、基板１１０の表面に平行な方向の流れを作ることができ、その結果、膜厚の面内均一性をより改善し、成膜速度をより高くすることができる。 なお、供給手段１１１は、成膜室１０７の側面に設けられた開口部でも、成膜室１０７の側面に設けられた成膜室１０７内に挿入されるノズルでもよい。 【００４２】 図３は、ミストの供給手段として載置部１１３（基板１１０）を挟んで２対の開口部１１１ａ、１１１ｂが設けられている例、図４は、４対の開口部１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃ、１１１ｄが設けられている例である。なお、図中、ミスト供給方向１１４を一点鎖線矢印で示した（後述の図５、６も同様）。 ・・・ 【００４７】 以上詳述したように、供給手段が１つの開口（ノズル）のみの場合には、成膜室１０７の内部が加熱されているため、成膜室１０７の側面から内部に向けてミストが指数関数的に減少していく。一方、成膜室１０７の側面に設けられた、相対する方向にミストを供給する少なくとも１対の供給手段を用いる場合には、ミストの流れ（速度）が基板１１０上で相殺され、結果的に基板上の広範囲に渡って高密度のミストを導入することが可能となる。これにより、基板上に均一な膜厚かつ高い成膜速度で成膜することができる。」 「【実施例】 【００５３】 以下、実施例を挙げて本発明について詳細に説明するが、これは本発明を限定するものではない。 【００５４】 （実施例１） まず、図１を参照しながら、本実施例で用いた成膜装置１０１を説明する。成膜装置１０１は、キャリアガスを供給するキャリアガス源１０２ａと、キャリアガス源１０２ａから送り出されるキャリアガスの流量を調節するための流量調節弁１０３ａと、希釈用キャリアガスを供給する希釈用キャリアガス源１０２ｂと、希釈用キャリアガス源１０２ｂから送り出される希釈用キャリアガスの流量を調節するための流量調節弁１０３ｂと、原料溶液１０４ａが収容されるミスト発生源１０４と、水１０５ａが収容された容器１０５と、容器１０５の底面に取り付けられた超音波振動子１０６と、成膜室１０７と、ミスト発生源１０４から成膜室１０７までをつなぐ石英管の供給管１０９と、成膜室１０７の外部に設けたホットプレート１０８とを備えている。基板１１０は成膜室１０７内の載置部１１３に設置され、ホットプレート１０８で加熱される。 【００５５】 本実施例では、供給手段１１１として、成膜室１０７の側面の基板１１０の表面と略同じ高さの位置に、基板１１０表面と略平行な流れを形成するように、１対の開口部を設け、成膜室１０７の上部であって載置部１１３の上方に排気口１１２を設けた成膜装置を用いた。 【００５６】 成膜は、以下のようにして行った。 まず、原料溶液の作製を行った。臭化ガリウム０．１ｍｏｌ／Ｌの水溶液を調整し、さらに４８％臭化水素酸溶液を体積比で１０％となるように含有させ、これを原料溶液１０４ａとした。 【００５７】 上述のようにして得た原料溶液１０４ａをミスト発生源１０４内に収容した。次に、基板１１０として直径８インチ（２００ｍｍ）のｃ面サファイア基板を、成膜室１０７内のホットプレート１０８に隣接する載置部１１３に設置し、ホットプレート１０８を作動させて温度を５００℃に昇温した。 次に、流量調節弁１０３ａ、１０３ｂを開いてキャリアガス源１０２ａ、１０２ｂからキャリアガスを成膜室１０７内に供給し、成膜室１０７の雰囲気をキャリアガスで十分に置換した後、キャリアガスの流量を２０Ｌ／ｍｉｎに、希釈用キャリアガスの流量を６０Ｌ／ｍｉｎにそれぞれ調節した。なお、キャリアガスとして酸素を用いた。 【００５８】 次に、超音波振動子１０６を２．４ＭＨｚで振動させ、その振動を、水１０５ａを通じて原料溶液１０４ａに伝播させることによって、原料溶液１０４ａをミスト化してミストを生成した。このミストを、キャリアガスによって供給管１０９を経て成膜室１０７内に導入した。そして、大気圧下、５００℃の条件で、成膜室１０７内でミストを熱反応させて、基板１１０上にコランダム構造を有する酸化ガリウム（α-Ｇａ２Ｏ３）の薄膜を形成した。成膜時間は３０分とした。 【００５９】 基板１１０上に形成した薄膜について、測定箇所を基板１１０上の面内の１７点として、段差計を用いて膜厚を測定し、平均膜厚、成膜速度、標準偏差を算出した。 その結果、平均膜厚５．２μｍ、成膜速度１０．４μｍ／ｈｒ、標準偏差０．４μｍであった。 【００６０】 （実施例２） 供給手段１１１として、図３に示すように成膜室１０７の側面に２対の開口部１１１ａ、１１１ｂを設けたこと以外は、実施例１と同じ条件で成膜を行った。 その結果、平均膜厚５．４μｍ、成膜速度１０．８μｍ／ｈｒ、標準偏差０．２μｍであった。 ・・・ 【００６２】 実施例１、２及び比較例の結果を、表１にまとめた。 【００６３】 【表１】  【００６４】 実施例１、２と比較例との比較より、成膜室の側面に、相対する方向にミストを供給する１対又は２対の供給手段を設けることにより、膜厚の標準偏差が大幅に改善し、膜厚の面内分布の飛躍的な改善がみられた。また、平均膜厚も実施例１、２の方が大きくなっており、成膜速度を高くでき、原材料の利用効率の改善効果もみられることがわかった。」 図１、３は、以下のとおりのものである。   （イ）上記記載から、引用文献１には、次の技術的事項が記載されているものと認められる。 ａ 実施例１、２は、基板上に形成した酸化ガリウムの薄膜に関する技術であること（【００５８】〜【００６３】）。 ｂ 実施例１、２において、基板上に形成した薄膜について、段差計を用いて膜厚を測定し、平均膜厚、標準偏差を算出したこと（【００５９】〜【００６３】）。 ｃ 実施例２では、薄膜の平均膜厚は５．４μｍ、標準偏差は０．２μｍであったこと（【００６０】、【００６３】）。 （ウ）上記（ア）、（イ）から、引用文献１には、実施例２で形成された薄膜として、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。 「酸化ガリウムの薄膜であって、 該酸化ガリウムの薄膜の平均膜厚が５．４μｍであり、標準偏差が０．２μｍであり、 前記平均膜厚及び標準偏差は、段差計を用いて測定された膜厚から算出されたものである酸化ガリウムの薄膜。」 イ 引用文献Ａ （ア）原査定の拒絶の理由で引用された本願の原出願の優先日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった周知技術を示す文献である、特開２０１４−１５７９８２号公報（原査定における「引用文献３」。以下「引用文献Ａ」という。）には、次の記載がある。 「【００３６】 接合膜１２は、支持基板１１とＩＩＩ族窒化物膜１３とを接合できるものであれば特に制限されないが、支持基板１１とＩＩＩ族窒化物膜１３との接合性が高い観点から、ＳｉＯ2膜、Ｓｉ3Ｎ4膜、ＴｉＯ2膜、Ｇａ2Ｏ3膜などが好ましい。接合膜１２の平均厚さは、特に制限されないが、たとえば、１００ｎｍ〜４μｍ程度とすることができる。」 「【００３９】 なお、接合膜の厚さは、従来公知の光干渉式膜厚計や段差計などにより測定することができる。また、該厚さは接合膜１２の主面に対する垂直断面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ（Scanning Electron Microscope））などにより観察することによっても測定することができる。」 ウ 引用文献Ｂ （ア）原査定の拒絶の理由で引用された本願の原出願の優先日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった周知技術を示す文献である、国際公開第２０１７／０６５２５１号（原査定における「引用文献４」。以下「引用文献Ｂ」という。）には、次の記載がある。 「[0016] ＜有機光電変換素子１＞ 図１は、本発明の一実施形態における有機光電変換素子１の構成を模式的に示す断面図である。有機光電変換素子１は、透明基板２と、アンダーコート層３と、第１透明導電層４、金属層５及び第２透明導電層６とが順次積層された下部透明電極７と、有機活性層８と、上部電極９とが順次積層されている。・・・」 「[0019] 有機光電変換素子１の透明基板２に対して垂直方向に光が入射すると、透明基板２と、金属層５との間の距離（膜厚）ｄ及び屈折率ｎで表される、透明基板２と、金属層５との間の光路長（ｎ×ｄ）を、以下の式（ａ）に代入して算出される波長λの反射光が光干渉条件により増強されることになる。・・・」 [0025] 式（１）中の膜厚ｄは、例えば、分光エリプソメーター、光干渉式膜厚計、触針式段差計、原子間力顕微鏡、透過型電子顕微鏡、走査型電子顕微鏡等により測定することができる。・・・」 エ 引用文献Ｃ （ア）原査定の拒絶の理由で引用された本願の原出願の優先日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった周知技術を示す文献である、特開２０１９−５４１６７号公報（原査定における「引用文献５」。以下「引用文献Ｃ」という。）には、次の記載がある。 「【００６１】 光電変換モジュールを製造する方法は、透明電極層２４，２５のシート抵抗、膜厚又は透過率を測定する工程を有していてよい。透明電極層２４，２５のシート抵抗は、例えば４端子法による抵抗測定器、又はホール効果を利用した抵抗測定器によって測定することができる。透明電極層２４，２５の膜厚は、例えば、分光光度計、光干渉式膜厚計、ＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）、段差計又はレーザ顕微鏡によって測定することができる。透明電極層の透過率は、例えば分光光度計によって測定することができる。」 （３）引用発明との対比 ア 本件補正発明と引用発明とを対比する。 （ア）引用発明の「酸化ガリウムの薄膜」、「平均膜厚」、「標準偏差」は、それぞれ本件補正発明の「酸化ガリウム薄膜」、「膜厚の平均」、「膜厚の標準偏差」に相当する。 （イ）引用発明において、「前記平均膜厚及び標準偏差は、段差計を用いて測定された膜厚から算出されたものである」ところ、「段差計」は膜厚計の一種であるから、本件補正発明と引用発明とは、「前記膜厚の平均および標準偏差は」、「膜厚計による膜厚の測定値からの算出値である」点で一致する。 イ 以上のことから、本件補正発明と引用発明との一致点及び相違点は、次のとおりである。 ＜一致点＞ 「酸化ガリウム薄膜であって、 該酸化ガリウム薄膜の膜厚の平均が２．４μｍ以上であり、膜厚の標準偏差が０．３μｍ以下であり、 前記膜厚の平均および標準偏差は、膜厚計による膜厚の測定値からの算出値である酸化ガリウム薄膜。」 ＜相違点＞ 本件補正発明では、「該酸化ガリウム薄膜の膜厚の平均が２．４μｍ以上であり、膜厚の標準偏差が０．３μｍ以下であり、前記膜厚の平均および標準偏差は、光干渉式の膜厚計による膜厚からの測定値からの算出値」であるのに対し、引用発明は、「該酸化ガリウムの薄膜の平均膜厚が５．４μｍであり、標準偏差が０．２μｍであり、前記平均膜厚及び標準偏差は、段差計を用いて測定された膜厚から算出されたものである」点。 （４）判断 ア 以下、上記相違点について検討する。 薄膜の膜厚を測定する方法として、光干渉式の膜厚計や段差計を用いて測定することは、例えば、引用文献Ａ〜引用文献Ｃに記載されているように、本願の原出願の優先日前に周知技術であり、引用文献Ａには、平均厚さが、たとえば、１００ｎｍ（０．１μｍ）から４μｍ程度である、Ｇａ２Ｏ３膜などの接合膜の厚さを、従来公知の光干渉式膜厚計や段差計などにより測定することができる旨が記載されている。 したがって、引用発明において、引用文献Ａ〜引用文献Ｃに記載された周知技術に基づき、膜厚を測定するために用いる膜厚計を、段差計から光干渉形式のものに代えることは、当業者であれば、適宜なし得たことと認められる。 次に、そのように、引用発明において、膜厚計を段差計から光干渉形式のものに代えた場合の「膜厚の平均」と「膜厚の標準偏差」の数値範囲について検討する。 段差計による膜厚の測定点それぞれの測定値と、光干渉形式の膜厚計による膜厚の測定点それぞれの測定値は、完全に同一の数値とはならないと考えるのが自然である。しかしながら、それらの測定値からの算出された数値、すなわち、段差計による測定値からの算出値と、光干渉形式の膜厚計による測定値からの算出値は、測定方法は異なるものの、同じ薄膜の膜厚の測定結果から求められた「膜厚の平均」と「標準偏差」である以上、これらの「膜厚の平均」および「標準偏差」は、いずれも、真の値からある程度の誤差があるとしても、段差計によるものと、光干渉形式の膜厚計によるものとで、膜厚の測定値が大きく異なるようでは膜厚の測定値として意味が無くなるので、ほぼ近い数値となる蓋然性が高いはずである。 しかも、引用文献１には、膜厚の面内均一性に優れた成膜方法を提供することを目的とする旨が記載されている（段落【０００６】）ので、引用発明において、「酸化ガリウムの薄膜」の膜厚測定は、面内均一性に優れた薄膜を測定するものであり、精度が高い測定結果を得ることが求められるものといえる。 そうすると、引用発明において、膜厚計を段差計から光干渉形式の膜厚計に代えたとしても、測定される「平均膜厚」と「標準偏差」は、無視できないほどに変わることはなく、ほぼ同じ数値となる蓋然性が高いと認められる。 したがって、引用発明において、膜厚計を段差計から光干渉形式のものに代えた場合に、「平均膜厚」「５．４μｍ」と「標準偏差」「０．２μｍ」は、それぞれ、「２．４μｍ以上」と「０．３μｍ以下」の数値範囲内に収まるものと認められる。仮にそうでないとしても、引用発明において、「平均膜厚」を「２．４μｍ以上」、「標準偏差」を「０．３μｍ以下」の数値範囲とすることは、当業者であれば適宜なし得たことと認められる。 イ また、本件補正発明が奏する作用効果は、引用発明が奏する作用効果と同様であるから、引用発明が奏する作用効果から予測される範囲内のものにすぎず、格別顕著なものということもできない。 したがって、引用発明において、引用文献Ａ〜引用文献Ｃに記載された周知技術に基づき、上記相違点に係る本件補正発明の構成とすることは、当業者であれば、適宜なし得たことと認められる。 ウ よって、本件補正発明は、引用発明及び引用文献Ａ〜引用文献Ｃに記載された周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第29条第2項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 ３ 本件補正についてのむすび よって、本件補正は、特許法第17条の2第6項において準用する同法第126条第7項の規定に違反するので、同法第159条第1項の規定において読み替えて準用する同法第53条第1項の規定により却下すべきものである。 よって、上記補正の却下の決定の結論のとおり決定する。 第３ 本願発明について １ 本願発明 令和５年１月１２日にされた手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、令和４年７月２６日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１〜６に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、その請求項１に記載された事項により特定される、前記第２［理由］１（２）に記載のとおりのものである。 ２ 原査定の拒絶の理由 原査定の拒絶の理由は、この出願の請求項１〜３、５、６に係る発明は、その原出願の優先日前に日本国内又は外国において、頒布された下記の引用文献１に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明であり、請求項１、３、５、６に係る発明は、その原出願の優先日前に日本国内又は外国において、頒布された下記の引用文献２に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明であるから、特許法第29条第1項第3号に該当し、特許を受けることができない、また、請求項１〜３、５、６に係る発明は、引用文献１に記載された発明に基いて、請求項１〜３、５、６に係る発明は、引用文献２に記載された発明に基いて、請求項４に係る発明は、引用文献１または引用文献２に記載された発明及び引用文献３〜５に記載された周知技術に基いて、その原出願の優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第29条第2項の規定により特許を受けることができない、というものである。 １．特開２０２０−２３９６号公報（上記第２［理由］２（２）アの「引用文献１」） ２．特開２０１６−１４６４４２号公報 ３．特開２０１４−１５７９８２号公報（周知技術を示す文献。上記第２［理由］２（２）イの「引用文献Ａ」） ４．国際公開第２０１７／０６５２５１号（周知技術を示す文献。上記第２［理由］２（２）ウの「引用文献Ｂ」） ５．特開２０１９−５４１６７号公報（周知技術を示す文献。上記第２［理由］２（２）エの「引用文献Ｃ」） ３ 引用文献 原査定の拒絶の理由で引用された引用文献１及びその記載事項は、前記第２［理由］２（２）に記載したとおりである。 ４ 対比・判断 本願発明は、前記第２［理由］２で検討した本件補正発明から、「前記膜厚の平均および標準偏差」に係る限定事項を削除したものである。 本願発明と引用文献１に記載された発明（引用発明）とを対比すると、前記第２［理由］２（３）ア（ア）に記載したとおりであるから、本願発明の構成は全て引用文献１に示されているものであって、本願発明は引用文献１に記載された発明ということとなる。 第４ むすび 以上のとおりであるから、本願発明は、特許法第29条第1項第3号に掲げる発明に該当し、特許を受けることができない。 したがって、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。 よって、結論のとおり審決する。 |
| 別掲 |
（行政事件訴訟法第４６条に基づく教示） この審決に対する訴えは、この審決の謄本の送達があった日から３０日（附加期間がある場合は、その日数を附加します。）以内に、特許庁長官を被告として、提起することができます。 |
| 審理終結日 | 2023-08-30 |
| 結審通知日 | 2023-09-05 |
| 審決日 | 2023-09-20 |
| 出願番号 | P2021-126970 |
| 審決分類 |
P
1
8・
121-
Z
(H01L)
P 1 8・ 113- Z (H01L) P 1 8・ 575- Z (H01L) |
| 最終処分 | 02 不成立 |
| 特許庁審判長 |
瀧内 健夫 |
| 特許庁審判官 |
市川 武宜 恩田 春香 |
| 発明の名称 | 酸化ガリウム薄膜及び積層構造体 |
| 代理人 | 小林 俊弘 |
| 代理人 | 大塚 徹 |
| 代理人 | 好宮 幹夫 |