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| 審決分類 |
審判 一部申し立て 4項(134条6項)独立特許用件 H05K 審判 一部申し立て ただし書き1号特許請求の範囲の減縮 H05K 審判 一部申し立て 特36条4項詳細な説明の記載不備 H05K |
|---|---|
| 管理番号 | 1406696 |
| 総通号数 | 26 |
| 発行国 | JP |
| 公報種別 | 特許決定公報 |
| 発行日 | 2024-02-22 |
| 種別 | 異議の決定 |
| 異議申立日 | 2023-02-08 |
| 確定日 | 2023-11-17 |
| 異議申立件数 | 1 |
| 訂正明細書 | true |
| 事件の表示 | 特許第７１１７０８４号発明「電磁波吸収体」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。 |
| 結論 | 特許７１１７０８４号の特許請求の範囲を、訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲（令和５年１０月１３日に提出された手続補正書により補正されたもの）及び訂正明細書のとおり、訂正後の請求項〔１〜１１〕について訂正することを認める。 本件特許異議の申立てを却下する。 |
| 理由 |
第１ 手続の経緯 特許第７１１７０８４号（以下「本件特許」という。）の請求項１〜１１に係る特許についての出願は、平成２９年 ６月１３日に特許出願され、令和 ４年 ８月 ３日にその特許権の設定登録がされ、令和 ４年 ８月１２日に特許掲載公報が発行された。その後、その請求項１及び１１に係る特許に対して、特許異議申立人林法子（以下、「申立人」という。）により特許異議の申立てがされたものである。 特許異議の申立ての経緯は次のとおりである。 令和 ５年 ２月 ８日 ：特許異議の申立て 令和 ５年 ５月１７日付け ：取消理由通知 令和 ５年 ７月２１日 ：訂正請求書・意見書（特許権者） 令和 ５年 ８月 ９日 ：手続補正書（特許権者） 令和 ５年 ９月１１日付け ：訂正拒絶理由通知 令和 ５年１０月１３日 ：意見書・手続補正書（特許権者） なお、令和 ５年 ７月２１日に提出され、令和 ５年 ８月 ９日提出の手続補正書による補正（「６ 請求の趣旨」の欄の記載を、「７ 訂正の理由」の欄の「（２） 訂正事項」の「サ 訂正事項１１」の記載に整合させるものであり、要旨を変更しないものと認める。）がされた訂正請求書（以下、「本件訂正請求書」という。）による訂正請求（以下、「本件訂正請求」といい、本件訂正請求による訂正を「本件訂正」という。）は、令和 ５年１０月１３日提出の手続補正書による補正（以下、「本件補正」という。）がされたところ、本件補正後の本件訂正請求は、特許法第120条の5第5項ただし書に規定する「特許異議申立人に意見書を提出する機会を与える必要がないと認められる特別の事情」がある場合に該当し、本件補正後の本件訂正請求後に、改めて、申立人に意見書を提出する機会を与えないこととした。すなわち、本件補正後の本件訂正請求に係る特許請求の範囲の訂正は、後記第２によれば、（ｉ）特許異議の申立ての対象である請求項１及び１１を含む請求項１、４〜１１を削除するとともに、（ｉｉ）特許異議の申立ての対象ではない請求項２を、請求項間の引用関係を解消して請求項１を引用しない形式とするものである。したがって、当審は、申立人に意見書を提出する機会を与えないこととした。 第２ 本件訂正について １ 訂正拒絶理由の概要 当審が令和５年９月１１日付けで特許権者に通知した訂正拒絶理由の概要は、以下のとおりである。 本件特許の願書に添付した発明の詳細な説明は、当業者が、本件訂正後の請求項４〜１０に係る発明の実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものではないから、特許法第36条第4項第1号に規定する要件を満たさないものである。したがって、本件訂正後の請求項４〜１０に係る発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、本件訂正後の請求項４〜１０についてされた訂正事項３〜９に係る訂正は、同法第120条の5第9項で読み替えて準用する同法第126条第7項の規定に適合していない。よって、一群の請求項である本件訂正後の請求項〔１〜１１〕についてされた訂正事項１〜１１に係る本件訂正を認めることはできない。 ２ 本件補正について 本件訂正請求書及びこれに添付した訂正特許請求の範囲は、本件補正により補正されたので、当該補正の適否について検討する。 （１）本件補正の内容 本件補正の内容は、本件訂正請求書の「７ 請求の理由」の「（２）訂正事項」のウ〜ケに記載された訂正事項３〜９を、以下のア〜キのとおり補正し、それに伴い同じく「（２）訂正事項」のシに記載された訂正前後の請求項の対応表を下記のクのとおり補正し、同じく「（３）訂正の理由」の（ウ）〜（ケ）を下記のケ〜ソのとおり補正し、さらに、本件訂正請求書に添付した訂正特許請求の範囲を下記タのとおり補正するものである。 ア 補正事項１ 本件訂正請求書の「７ 請求の理由」の「（２）訂正事項」の「ウ 訂正事項３」の項を、補正前の 「特許請求の範囲の請求項４に、「前記抵抗層は、５×１０−４Ω・ｃｍ以上の比抵抗を有する、請求項１〜３のいずれか１項に記載の電磁波吸収体。」とあるうち、請求項１を引用するものについて、独立形式に改め、「誘電体層と、前記誘電体層の一方の主面に配置された抵抗層と、前記誘電体層の他方の主面に配置され、前記抵抗層のシート抵抗より低いシート抵抗を有する導電層と、を備え、前記抵抗層は、２００〜６００Ω／□のシート抵抗を有し、前記抵抗層を４０℃及び５重量％のＮａＯＨ水溶液に５分間浸す浸漬処理を行った場合に、前記浸漬処理前の前記抵抗層のシート抵抗と前記浸漬処理後の前記抵抗層のシート抵抗との差の絶対値が３０Ω／□以下であり、前記抵抗層は、５×１０−４Ω・ｃｍ以上の比抵抗を有する、電磁波吸収体。」に訂正する。」 から、補正後の 「特許請求の範囲の請求項４を削除する。」 に補正する。 イ 補正事項２ 本件訂正請求書の「７ 請求の理由」の「（２）訂正事項」の「エ 訂正事項４」の項を、補正前の 「特許請求の範囲の請求項５に、「前記抵抗層は、１５〜５００ｎｍの厚みを有する、請求項１〜４のいずれか１項に記載の電磁波吸収体。」とあるうち、請求項１を引用するものについて、独立形式に改め、「誘電体層と、前記誘電体層の一方の主面に配置された抵抗層と、前記誘電体層の他方の主面に配置され、前記抵抗層のシート抵抗より低いシート抵抗を有する導電層と、を備え、前記抵抗層は、２００〜６００Ω／口のシート抵抗を有し、前記抵抗層を４０℃及び５重量％のＮａＯＨ水溶液に５分間浸す浸漬処理を行った場合に、前記浸漬処理前の前記抵抗層のシート抵抗と前記浸漬処理後の前記抵抗層のシート抵抗との差の絶対値が３０Ω／□以下であり、前記抵抗層は、１５〜５００ｎｍの厚みを有する、電磁波吸収体。」に訂正する。」 から、補正後の 「特許請求の範囲の請求項５を削除する。」 に補正する。 ウ 補正事項３ 本件訂正請求書の「７ 請求の理由」の「（２）訂正事項」の「オ 訂正事項５」の項を、補正前の 「特許請求の範囲の請求項６に、「前記抵抗層は、前記誘電体層に接している面と反対の面において高分子フィルムに積層されている、請求項１〜５のいずれか１項に記載の電磁波吸収体。」とあるうち、請求項１を引用するものについて、独立形式に改め、「誘電体層と、前記誘電体層の一方の主面に配置された抵抗層と、前記誘電体層の他方の主面に配置され、前記抵抗層のシート抵抗より低いシート抵抗を有する導電層と、を備え、前記抵抗層は、２００〜６００Ω／口のシート抵抗を有し、前記抵抗層を４０℃及び５重量％のＮａＯＨ水溶液に５分間浸す浸漬処理を行った場合に、前記浸漬処理前の前記抵抗層のシート抵抗と前記浸漬処理後の前記抵抗層のシート抵抗との差の絶対値が３０Ω／□以下であり、前記抵抗層は、前記誘電体層に接している面と反対の面において高分子フィルムに積層されている、電磁波吸収体。」に訂正する。」 から、補正後の 「特許請求の範囲の請求項６を削除する。」 に補正する。 エ 補正事項４ 本件訂正請求書の「７ 請求の理由」の「（２）訂正事項」の「カ 訂正事項６」の項を、補正前の 「特許請求の範囲の請求項７に、「前記誘電体層は、１〜１０の比誘電率を有する、請求項１〜６のいずれか１項に記載の電磁波吸収体。」とあるうち、請求項１を引用するものについて、独立形式に改め、「誘電体層と、前記誘電体層の一方の主面に配置された抵抗層と、前記誘電体層の他方の主面に配置され、前記抵抗層のシート抵抗より低いシート抵抗を有する導電層と、を備え、前記抵抗層は、２００〜６００Ω／□のシート抵抗を有し、前記抵抗層を４０℃及び５重量％のＮａＯＨ水溶液に５分間浸す浸漬処理を行った場合に、前記浸漬処理前の前記抵抗層のシート抵抗と前記浸漬処理後の前記抵抗層のシート抵抗との差の絶対値が３０Ω／□以下であり、前記誘電体層は、１〜１０の比誘電率を有する、電磁波吸収体。」に訂正する。」 から、補正後の 「特許請求の範囲の請求項７を削除する。」 に補正する。 オ 補正事項５ 本件訂正請求書の「７ 請求の理由」の「（２）訂正事項」の「キ 訂正事項７」の項を、補正前の 「特許請求の範囲の請求項８に、「前記誘電体層は、高分子材料でできている、請求項１〜７のいずれか１項に記載の電磁波吸収体。」とあるうち、請求項１を引用するものについて、独立形式に改め、「誘電体層と、前記誘電体層の一方の主面に配置された抵抗層と、前記誘電体層の他方の主面に配置され、前記抵抗層のシート抵抗より低いシート抵抗を有する導電層と、を備え、前記抵抗層は、２００〜６００Ω／□のシート抵抗を有し、前記抵抗層を４０℃及び５重量％のＮａＯＨ水溶液に５分間浸す浸漬処理を行った場合に、前記浸漬処理前の前記抵抗層のシート抵抗と前記浸漬処理後の前記抵抗層のシート抵抗との差の絶対値が３０Ω／□以下であり、前記誘電体層は、高分子材料でできている、電磁波吸収体。」に訂正する。」 から、補正後の 「特許請求の範囲の請求項８を削除する。」 に補正する。 カ 補正事項６ 本件訂正請求書の「７ 請求の理由」の「（２）訂正事項」の「ク 訂正事項８」の項を、補正前の 「特許請求の範囲の請求項９に、「前記導電層は、０．００１〜３０Ω／□のシート抵抗を有する、請求項１〜８のいずれか１項に記載の電磁波吸収体。」とあるうち、請求項１を引用するものについて、独立形式に改め、「誘電体層と、前記誘電体層の一方の主面に配置された抵抗層と、前記誘電体層の他方の主面に配置され、前記抵抗層のシート抵抗より低いシート抵抗を有する導電層と、を備え、前記抵抗層は、２００〜６００Ω／□のシート抵抗を有し、前記抵抗層を４０℃及び５重量％のＮａＯＨ水溶液に５分間浸す浸漬処理を行った場合に、前記浸漬処理前の前記抵抗層のシート抵抗と前記浸漬処理後の前記抵抗層のシート抵抗との差の絶対値が３０Ω／口以下であり、前記導電層は、０．００１〜３０Ω／□のシート抵抗を有する、電磁波吸収体。」に訂正する。」 から、補正後の 「特許請求の範囲の請求項９を削除する。」 に補正する。 キ 補正事項７ 本件訂正請求書の「７ 請求の理由」の「（２）訂正事項」の「ケ 訂正事項９」の項を、補正前の 「特許請求の範囲の請求項１０に、「前記導電層は、アルミニウム、アルミニウム合金、アルミニウム窒化物、銅、銅合金、銅窒化物、及び酸化インジウムスズの少なくとも１つでできている、請求項１〜９のいずれか１項に記載の電磁波吸収体。」とあるうち、請求項１を引用するものについて、独立形式に改め、「誘電体層と、前記誘電体層の一方の主面に配置された抵抗層と、前記誘電体層の他方の主面に配置され、前記抵抗層のシート抵抗より低いシート抵抗を有する導電層と、を備え、前記抵抗層は、２００〜６００Ω／□のシート抵抗を有し、前記抵抗層を４０℃及び５重量％のＮａＯＨ水溶液に５分間浸す浸漬処理を行った場合に、前記浸漬処理前の前記抵抗層のシート抵抗と前記浸漬処理後の前記抵抗層のシート抵抗との差の絶対値が３０Ω／□以下であり、前記導電層は、アルミニウム、アルミニウム合金、アルミニウム窒化物、銅、銅合金、銅窒化物、及び酸化インジウムスズの少なくとも１つでできている、電磁波吸収体。」に訂正する。」 から、補正後の 「特許請求の範囲の請求項１０を削除する。」 に補正する。 ク 補正事項８ 本件訂正請求書の「７ 請求の理由」の「（２）訂正事項」の「シ 訂正前後の請求項の対応表」の項を、補正前の 「  」 から、補正後の 「  」 に補正する。 ケ 補正事項９ 本件訂正請求書の「７ 請求の理由」の「（３）訂正の理由」の「イ 訂正事項が全ての訂正要件に適合している事実の説明」の「（ウ）訂正事項３」の項を、補正前の 「ａ 訂正の目的について 訂正事項３は、訂正前の請求項４が請求項１〜３のいずれか１項を引用する記載であるところ、請求項２及び３を引用しないものとした上で、請求項１を引用するものについて請求項間の引用関係を解消して、独立形式請求項へ改めるための訂正であって、特許法第120条の5第2項ただし書第４号に規定する「他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすること」を目的とする訂正である。 ｂ 実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正ではないこと 訂正事項３は、何ら実質的な内容の変更を伴うものではないから、特許法第120条の5第9項で準用する特許法第126条第5項及び第６項に適合するものである。 ｃ 特許出願の際に独立して特許を受けることができること 訂正事項３は、第120条の5第2項ただし書第４号に規定する「他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすること」を目的とする訂正であって、同第１号又は第２号に掲げる事項を目的とする訂正ではないから、請求項４に係る訂正事項３に関して、特許法第120条の5第9項で読み替えて準用する特許法第126条第7項の独立特許要件は課されない。」 から、補正後の 「ａ 訂正の目的について 訂正事項３は、請求項４を削除するというものであるから、当該訂正事項３は、特許法第120条の5第2項ただし書第１号に規定する「特許請求の範囲の減縮」を目的とするものである。 ｂ 実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正ではないこと 訂正事項３は、請求項４を削除するというものであるから、特許法第120条の5第9項で準用する特許法第126条第5項及び第６項に適合するものである。 ｃ 特許出願の際に独立して特許を受けることができること 訂正事項３は、請求項４を削除するというものであるから、請求項４に係る訂正事項３に関して、特許法第120条の5第9項で読み替えて準用する特許法第126条第7項の独立特許要件は課されない。」 に補正する。 コ 補正事項１０ 本件訂正請求書の「７ 請求の理由」の「（３）訂正の理由」の「イ 訂正事項が全ての訂正要件に適合している事実の説明」の「（エ）訂正事項４」の項を、補正前の 「ａ 訂正の目的について 訂正事項４は、訂正前の請求項５が請求項１〜４のいずれか１項を引用する記載であるところ、請求項２〜４を引用しないものとした上で、請求項１を引用するものについて請求項間の引用関係を解消して、独立形式請求項へ改めるための訂正であって、特許法第120条の5第2項ただし書第４号に規定する「他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすること」を目的とする訂正である。 ｂ 実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正ではないこと 訂正事項４は、何ら実質的な内容の変更を伴うものではないから、特許法第120条の5第9項で準用する特許法第126条第5項及び第６項に適合するものである。 ｃ 特許出願の際に独立して特許を受けることができること 訂正事項４は、第120条の5第2項ただし書第４号に規定する「他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすること」を目的とする訂正であって、同第１号又は第２号に掲げる事項を目的とする訂正ではないから、請求項５に係る訂正事項３に関して、特許法第120条の5第9項で読み替えて準用する特許法第126条第7項の独立特許要件は課されない。」 から、補正後の 「ａ 訂正の目的について 訂正事項４は、請求項５を削除するというものであるから、当該訂正事項３は、特許法第120条の5第2項ただし書第１号に規定する「特許請求の範囲の減縮」を目的とするものである。 ｂ 実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正ではないこと 訂正事項４は、請求項５を削除するというものであるから、特許法第120条の5第9項で準用する特許法第126条第5項及び第６項に適合するものである。 ｃ 特許出願の際に独立して特許を受けることができること 訂正事項４は、請求項５を削除するというものであるから、請求項５に係る訂正事項４に関して、特許法第120条の5第9項で読み替えて準用する特許法第126条第7項の独立特許要件は課されない。」 に補正する。 サ 補正事項１１ 本件訂正請求書の「７ 請求の理由」の「（３）訂正の理由」の「イ 訂正事項が全ての訂正要件に適合している事実の説明」の「（オ）訂正事項５」の項を、補正前の 「ａ 訂正の目的について 訂正事項５は、訂正前の請求項６が請求項１〜５のいずれか１項を引用する記載であるところ、請求項２〜５を引用しないものとした上で、請求項１を引用するものについて請求項間の引用関係を解消して、独立形式請求項へ改めるための訂正であって、特許法第120条の5第2項ただし書第４号に規定する「他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすること」を目的とする訂正である。 ｂ 実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正ではないこと 訂正事項５は、何ら実質的な内容の変更を伴うものではないから、特許法第120条の5第9項で準用する特許法第126条第5項及び第６項に適合するものである。 ｃ 特許出願の際に独立して特許を受けることができること 訂正事項５は、第120条の5第2項ただし書第４号に規定する「他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすること」を目的とする訂正であって、同第１号又は第２号に掲げる事項を目的とする訂正ではないから、請求項６に係る訂正事項５に関して、特許法第120条の5第9項で読み替えて準用する特許法第126条第7項の独立特許要件は課されない。」 から、補正後の 「ａ 訂正の目的について 訂正事項５は、請求項６を削除するというものであるから、当該訂正事項３は、特許法第120条の5第2項ただし書第１号に規定する「特許請求の範囲の減縮」を目的とするものである。 ｂ 実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正ではないこと 訂正事項５は、請求項６を削除するというものであるから、特許法第120条の5第9項で準用する特許法第126条第5項及び第６項に適合するものである。 ｃ 特許出願の際に独立して特許を受けることができること 訂正事項５は、請求項６を削除するというものであるから、請求項６に係る訂正事項５に関して、特許法第120条の5第9項で読み替えて準用する特許法第126条第7項の独立特許要件は課されない。」 に補正する。 シ 補正事項１２ 本件訂正請求書の「７ 請求の理由」の「（３）訂正の理由」の「イ 訂正事項が全ての訂正要件に適合している事実の説明」の「（カ）訂正事項６」の項を、補正前の 「ａ 訂正の目的について 訂正事項６は、訂正前の請求項７が請求項１〜６のいずれか１項を引用する記載であるところ、請求項２〜６を引用しないものとした上で、請求項１を引用するものについて請求項間の引用関係を解消して、独立形式請求項へ改めるための訂正であって、特許法第120条の5第2項ただし書第４号に規定する「他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすること」を目的とする訂正である。 ｂ 実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正ではないこと 訂正事項６は、何ら実質的な内容の変更を伴うものではないから、特許法第120条の5第9項で準用する特許法第126条第5項及び第６項に適合するものである。 ｃ 特許出願の際に独立して特許を受けることができること 訂正事項６は、第120条の5第2項ただし書第４号に規定する「他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすること」を目的とする訂正であって、同第１号又は第２号に掲げる事項を目的とする訂正ではないから、請求項７に係る訂正事項６に関して、特許法第120条の5第9項で読み替えて準用する特許法第126条第7項の独立特許要件は課されない。」 から、補正後の 「ａ 訂正の目的について 訂正事項６は、請求項７を削除するというものであるから、当該訂正事項３は、特許法第120条の5第2項ただし書第１号に規定する「特許請求の範囲の減縮」を目的とするものである。 ｂ 実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正ではないこと 訂正事項６は、請求項７を削除するというものであるから、特許法第120条の5第9項で準用する特許法第126条第5項及び第６項に適合するものである。 ｃ 特許出願の際に独立して特許を受けることができること 訂正事項６は、請求項７を削除するというものであるから、請求項７に係る訂正事項６に関して、特許法第120条の5第9項で読み替えて準用する特許法第126条第7項の独立特許要件は課されない。」 に補正する。 ス 補正事項１３ 本件訂正請求書の「７ 請求の理由」の「（３）訂正の理由」の「イ 訂正事項が全ての訂正要件に適合している事実の説明」の「（キ）訂正事項７」の項を、補正前の 「ａ 訂正の目的について 訂正事項７は、訂正前の請求項８が請求項１〜７のいずれか１項を引用する記載であるところ、請求項２〜７を引用しないものとした上で、請求項１を引用するものについて請求項間の引用関係を解消して、独立形式請求項へ改めるための訂正であって、特許法第120条の5第2項ただし書第４号に規定する「他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすること」を目的とする訂正である。 ｂ 実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正ではないこと 訂正事項７は、何ら実質的な内容の変更を伴うものではないから、特許法第120条の5第9項で準用する特許法第126条第5項及び第６項に適合するものである。 ｃ 特許出願の際に独立して特許を受けることができること 訂正事項７は、第120条の5第2項ただし書第４号に規定する「他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすること」を目的とする訂正であって、同第１号又は第２号に掲げる事項を目的とする訂正ではないから、請求項８に係る訂正事項７に関して、特許法第120条の5第9項で読み替えて準用する特許法第126条第7項の独立特許要件は課されない。」 から、補正後の 「ａ 訂正の目的について 訂正事項７は、請求項８を削除するというものであるから、当該訂正事項３は、特許法第120条の5第2項ただし書第１号に規定する「特許請求の範囲の減縮」を目的とするものである。 ｂ 実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正ではないこと 訂正事項７は、請求項８を削除するというものであるから、特許法第120条の5第9項で準用する特許法第126条第5項及び第６項に適合するものである。 ｃ 特許出願の際に独立して特許を受けることができること 訂正事項７は、請求項８を削除するというものであるから、請求項８に係る訂正事項７に関して、特許法第120条の5第9項で読み替えて準用する特許法第126条第7項の独立特許要件は課されない。」 に補正する。 セ 補正事項１４ 本件訂正請求書の「７ 請求の理由」の「（３）訂正の理由」の「イ 訂正事項が全ての訂正要件に適合している事実の説明」の「（ク）訂正事項８」の項を、補正前の 「ａ 訂正の目的について 訂正事項８は、訂正前の請求項９が請求項１〜８のいずれか１項を引用する記載であるところ、請求項２〜８を引用しないものとした上で、請求項１を引用するものについて請求項間の引用関係を解消して、独立形式請求項へ改めるための訂正であって、特許法第120条の5第2項ただし書第４号に規定する「他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすること」を目的とする訂正である。 ｂ 実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正ではないこと 訂正事項８は、何ら実質的な内容の変更を伴うものではないから、特許法第120条の5第9項で準用する特許法第126条第5項及び第６項に適合するものである。 ｃ 特許出願の際に独立して特許を受けることができること 訂正事項８は、第120条の5第2項ただし書第４号に規定する「他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすること」を目的とする訂正であって、同第１号又は第２号に掲げる事項を目的とする訂正ではないから、請求項９に係る訂正事項８に関して、特許法第120条の5第9項で読み替えて準用する特許法第126条第7項の独立特許要件は課されない。」 から、補正後の 「ａ 訂正の目的について 訂正事項８は、請求項９を削除するというものであるから、当該訂正事項３は、特許法第120条の5第2項ただし書第１号に規定する「特許請求の範囲の減縮」を目的とするものである。 ｂ 実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正ではないこと 訂正事項８は、請求項９を削除するというものであるから、特許法第120条の5第9項で準用する特許法第126条第5項及び第６項に適合するものである。 ｃ 特許出願の際に独立して特許を受けることができること 訂正事項８は、請求項９を削除するというものであるから、請求項９に係る訂正事項８に関して、特許法第120条の5第9項で読み替えて準用する特許法第126条第7項の独立特許要件は課されない。」 に補正する。 ソ 補正事項１５ 本件訂正請求書の「７ 請求の理由」の「（３）訂正の理由」の「イ 訂正事項が全ての訂正要件に適合している事実の説明」の「（ケ）訂正事項９」の項を、補正前の 「ａ 訂正の目的について 訂正事項９は、訂正前の請求項１０が請求項１〜９のいずれか１項を引用する記載であるところ、請求項２〜９を引用しないものとした上で、請求項１を引用するものについて請求項間の引用関係を解消して、独立形式請求項へ改めるための訂正であって、特許法第120条の5第2項ただし書第４号に規定する「他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすること」を目的とする訂正である。 ｂ 実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正ではないこと 訂正事項９は、何ら実質的な内容の変更を伴うものではないから、特許法第120条の5第9項で準用する特許法第126条第5項及び第６項に適合するものである。 ｃ 特許出願の際に独立して特許を受けることができること 訂正事項９は、第120条の5第2項ただし書第４号に規定する「他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすること」を目的とする訂正であって、同第１号又は第２号に掲げる事項を目的とする訂正ではないから、請求項１０に係る訂正事項９に関して、特許法第120条の5第9項で読み替えて準用する特許法第126条第7項の独立特許要件は課されない。」 から、補正後の 「ａ 訂正の目的について 訂正事項９は、請求項１０を削除するというものであるから、当該訂正事項３は、特許法第120条の5第2項ただし書第１号に規定する「特許請求の範囲の減縮」を目的とするものである。 ｂ 実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正ではないこと 訂正事項９は、請求項１０を削除するというものであるから、特許法第120条の5第9項で準用する特許法第126条第5項及び第６項に適合するものである。 ｃ 特許出願の際に独立して特許を受けることができること 訂正事項９は、請求項１０を削除するというものであるから、請求項１０に係る訂正事項９に関して、特許法第120条の5第9項で読み替えて準用する特許法第126条第7項の独立特許要件は課されない。」 に補正する。 タ 補正事項１６ 本件訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲を、補正前の 「【請求項１】 （削除） 【請求項２】 誘電体層と、 前記誘電体層の一方の主面に配置された抵抗層と、 前記誘電体層の他方の主面に配置され、前記抵抗層のシート抵抗より低いシート抵抗を有する導電層と、を備え、 前記抵抗層は、２００〜６００Ω／□のシート抵抗を有し、 前記抵抗層を４０℃及び５重量％のＮａＯＨ水溶液に５分間浸す浸漬処理を行った場合に、前記浸漬処理前の前記抵抗層のシート抵抗と前記浸漬処理後の前記抵抗層のシート抵抗との差の絶対値が３０Ω／□以下であり、 前記抵抗層は、酸化スズ、酸化チタン、及び酸化インジウムのいずれか１つを主成分として含む、電磁波吸収体。 【請求項３】 前記抵抗層は、前記主成分の金属元素以外の少なくとも１つの元素を有するドーパントをさらに含む、請求項２に記載の電磁波吸収体。 【請求項４】 誘電体層と、 前記誘電体層の一方の主面に配置された抵抗層と、 前記誘電体層の他方の主面に配置され、前記抵抗層のシート抵抗より低いシート抵抗を有する導電層と、を備え、 前記抵抗層は、２００〜６００Ω／□のシート抵抗を有し、 前記抵抗層を４０℃及び５重量％のＮａＯＨ水溶液に５分間浸す浸漬処理を行った場合に、前記浸漬処理前の前記抵抗層のシート抵抗と前記浸漬処理後の前記抵抗層のシート抵抗との差の絶対値が３０Ω／□以下であり、 前記抵抗層は、５×１０‐４Ω・ｃｍ以上の比抵抗を有する、電磁波吸収体。 【請求項５】 誘電体層と、 前記誘電体層の一方の主面に配置された抵抗層と、 前記誘電体層の他方の主面に配置され、前記抵抗層のシート抵抗より低いシート抵抗を有する導電層と、を備え、 前記抵抗層は、２００〜６００Ω／□のシート抵抗を有し、 前記抵抗層を４０℃及び５重量％のＮａＯＨ水溶液に５分間浸す浸漬処理を行った場合に、前記浸漬処理前の前記抵抗層のシート抵抗と前記浸漬処理後の前記抵抗層のシート抵抗との差の絶対値が３０Ω／□以下であり、 前記抵抗層は、１５〜５００ｎｍの厚みを有する、電磁波吸収体。 【請求項６】 誘電体層と、 前記誘電体層の一方の主面に配置された抵抗層と、 前記誘電体層の他方の主面に配置され、前記抵抗層のシート抵抗より低いシート抵抗を有する導電層と、を備え、 前記抵抗層は、２００〜６００Ω／□のシート抵抗を有し、 前記抵抗層を４０℃及び５重量％のＮａＯＨ水溶液に５分間浸す浸漬処理を行った場合に、前記浸漬処理前の前記抵抗層のシート抵抗と前記浸漬処理後の前記抵抗層のシート抵抗との差の絶対値が３０Ω／□以下であり、 前記抵抗層は、前記誘電体層に接している面と反対の面において高分子フィルムに積層されている、電磁波吸収体。 【請求項７】 誘電体層と、 前記誘電体層の一方の主面に配置された抵抗層と、 前記誘電体層の他方の主面に配置され、前記抵抗層のシート抵抗より低いシート抵抗を有する導電層と、を備え、 前記抵抗層は、２００〜６００Ω／□のシート抵抗を有し、 前記抵抗層を４０℃及び５重量％のＮａＯＨ水溶液に５分間浸す浸漬処理を行った場合に、前記浸漬処理前の前記抵抗層のシート抵抗と前記浸漬処理後の前記抵抗層のシート抵抗との差の絶対値が３０Ω／□以下であり、 前記誘電体層は、１〜１０の比誘電率を有する、電磁波吸収体。 【請求項８】 誘電体層と、 前記誘電体層の一方の主面に配置された抵抗層と、 前記誘電体層の他方の主面に配置され、前記抵抗層のシート抵抗より低いシート抵抗を有する導電層と、を備え、 前記抵抗層は、２００〜６００Ω／□のシート抵抗を有し、 前記抵抗層を４０℃及び５重量％のＮａＯＨ水溶液に５分間浸す浸漬処理を行った場合に、前記浸漬処理前の前記抵抗層のシート抵抗と前記浸漬処理後の前記抵抗層のシート抵抗との差の絶対値が３０Ω／□以下であり、 前記誘電体層は、高分子材料でできている、電磁波吸収体。 【請求項９】 誘電体層と、 前記誘電体層の一方の主面に配置された抵抗層と、 前記誘電体層の他方の主面に配置され、前記抵抗層のシート抵抗より低いシート抵抗を有する導電層と、を備え、 前記抵抗層は、２００〜６００Ω／□のシート抵抗を有し、 前記抵抗層を４０℃及び５重量％のＮａＯＨ水溶液に５分間浸す浸漬処理を行った場合に、前記浸漬処理前の前記抵抗層のシート抵抗と前記浸漬処理後の前記抵抗層のシート抵抗との差の絶対値が３０Ω／□以下であり、 前記導電層は、０．００１〜３０Ω／□のシート抵抗を有する、電磁波吸収体。 【請求項１０】 誘電体層と、 前記誘電体層の一方の主面に配置された抵抗層と、 前記誘電体層の他方の主面に配置され、前記抵抗層のシート抵抗より低いシート抵抗を有する導電層と、を備え、 前記抵抗層は、２００〜６００Ω／□のシート抵抗を有し、 前記抵抗層を４０℃及び５重量％のＮａＯＨ水溶液に５分間浸す浸漬処理を行った場合に、前記浸漬処理前の前記抵抗層のシート抵抗と前記浸漬処理後の前記抵抗層のシート抵抗との差の絶対値が３０Ω／□以下であり、 前記導電層は、アルミニウム、アルミニウム合金、アルミニウム窒化物、銅、銅合金、銅窒化物、及び酸化インジウムスズの少なくとも１つでできている、電磁波吸収体。 【請求項１１】 （削除)」 から、補正後の 「【請求項１】 （削除） 【請求項２】 誘電体層と、 前記誘電体層の一方の主面に配置された抵抗層と、 前記誘電体層の他方の主面に配置され、前記抵抗層のシート抵抗より低いシート抵抗を有する導電層と、を備え、 前記抵抗層は、２００〜６００Ω／□のシート抵抗を有し、 前記抵抗層を４０℃及び５重量％のＮａＯＨ水溶液に５分間浸す浸漬処理を行った場合に、前記浸漬処理前の前記抵抗層のシート抵抗と前記浸漬処理後の前記抵抗層のシート抵抗との差の絶対値が３０Ω／□以下であり、 前記抵抗層は、酸化スズ、酸化チタン、及び酸化インジウムのいずれか１つを主成分として含む、電磁波吸収体。 【請求項３】 前記抵抗層は、前記主成分の金属元素以外の少なくとも１つの元素を有するドーパントをさらに含む、請求項２に記載の電磁波吸収体。 【請求項４】 （削除） 【請求項５】 （削除） 【請求項６】 （削除） 【請求項７】 （削除） 【請求項８】 （削除） 【請求項９】 （削除） 【請求項１０】 （削除） 【請求項１１】 （削除）」 に補正する。 （２）本件補正の適否及び訂正拒絶理由について 上記補正事項１〜７は、請求項についての訂正事項を、当該請求項の削除という訂正事項に変更する補正であり、また、上記補正事項８〜１５は、本件訂正請求書の「７ 請求の理由」の「（２）訂正事項」の「シ 訂正前後の請求項の対応表」の記載、同じく「（３）訂正の理由」の「イ 訂正事項が全ての訂正要件に適合している事実の説明」の記載、及び本件訂正請求書に添付した訂正特許請求の範囲の記載を、上記補正事項１〜７に係る補正に整合させるための補正である。 したがって、本件補正は訂正請求書の請求の趣旨の要旨を変更するものではない。 よって、本件補正は、特許法第120条の5第9項で準用する特許法第131条の2第1項の規定に適合するから、本件補正を認める。 そして、本件補正後の本件訂正請求は、請求項４〜１０を削除するものであるから、上記１で示した令和５年９月１１日付け訂正拒絶理由通知書での訂正拒絶理由は解消した。 （３）本件補正後の本件訂正の内容 本件補正後の本件訂正請求は、本件特許の特許請求の範囲及び本件特許明細書を、本件補正後の本件訂正請求書に添付した訂正特許請求の範囲及び訂正明細書のとおり、本件補正後の本件訂正後の請求項１〜１１及び明細書について訂正することを求めるものであり、その訂正の内容は次のとおりである。 ア 訂正事項１ 特許請求の範囲の請求項１を削除する。 イ 訂正事項２ 特許請求の範囲の請求項２の「前記抵抗層は、酸化スズ、酸化チタン、及び酸化インジウムのいずれか１つを主成分として含む、請求項１に記載の電磁波吸収体。」との記載を独立形式に改め、「誘電体層と、前記誘電体層の一方の主面に配置された抵抗層と、前記誘電体層の他方の主面に配置され、前記抵抗層のシート抵抗より低いシート抵抗を有する導電層と、を備え、前記抵抗層は、２００〜６００Ω／□のシート抵抗を有し、前記抵抗層を４０℃及び５重量％のＮａＯＨ水溶液に５分間浸す浸漬処理を行った場合に、前記浸漬処理前の前記抵抗層のシート抵抗と前記浸漬処理後の前記抵抗層のシート抵抗との差の絶対値が３０Ω／□以下であり、前記抵抗層は、酸化スズ、酸化チタン、及び酸化インジウムのいずれか１つを主成分として含む、電磁波吸収体。」に訂正する。 請求項２を引用する請求項３も同様に訂正する。 ウ 訂正事項３ 特許請求の範囲の請求項４を削除する。 エ 訂正事項４ 特許請求の範囲の請求項５を削除する。 オ 訂正事項５ 特許請求の範囲の請求項６を削除する。 カ 訂正事項６ 特許請求の範囲の請求項７を削除する。 キ 訂正事項７ 特許請求の範囲の請求項８を削除する。 ク 訂正事項８ 特許請求の範囲の請求項９を削除する。 ケ 訂正事項９ 特許請求の範囲の請求項１０を削除する。 コ 訂正事項１０ 特許請求の範囲の請求項１１を削除する。 サ 訂正事項１１ 願書に添付した明細書の発明の名称に記載された「電磁波吸収体及び電磁波吸収体付成形品」を「電磁波吸収体」に訂正する。 なお、本件補正後の本件訂正前の請求項１〜１１は、請求項２〜１１が請求項１を直接又は間接的に引用する関係にあるから、訂正事項１〜１１は一群の請求項〔１〜１１〕について請求されている。 （４）本件補正後の本件訂正の適否 ア 訂正の目的、新規事項追加の有無及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否について （ア）訂正事項１、３〜１０は、請求項１、４〜１１を削除するというものであるから、特許法第120条の5第2項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。 （イ）訂正事項２は、請求項２について、請求項間の引用関係を解消して、請求項１を引用しないものとし、独立形式請求項へ改めるための訂正であるから、特許法第120条の5第2項ただし書第４号に規定する他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすることを目的とするものであり、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。 （ウ）訂正事項１１は、上記訂正事項１０に係る訂正に伴い特許請求の範囲の記載と明細書の記載との整合を図るための訂正であるから、特許法第120条の5第2項ただし書第３号に規定する明瞭でない記載の釈明を目的とするものであり、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。 イ 独立特許要件について 訂正事項１及び１０は、請求項１及び１１について異議申立がされているので、独立特許要件は課されない。また、訂正事項２は、他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすることを目的とするものであるから、独立特許要件は課されない。さらに、訂正事項３〜９は、請求項を削除する訂正であるから、独立特許要件は課されない。 ウ 小括 上記ア及びイより、訂正事項１〜１１は、特許法第120条の5第2項ただし書き第１号、第３号及び第４号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同法同条第９項で準用する同法第126条第5項及び第６項の規定に適合する。 よって、特許請求の範囲を、本件補正後の本件訂正請求書に添付した訂正特許請求の範囲及び訂正明細書のとおり、訂正後の請求項〔１〜１１〕について訂正することを認める。 第３ 本件補正後の本件訂正後の本件発明 本件補正後の本件訂正後の請求項１〜１１に係る発明（以下、順に「本件発明１」〜「本件発明１１」という。また、本件発明１〜本件発明１１をまとめて「本件発明」という。）は、上記第２の２（１）のタの補正後の訂正特許請求の範囲に記載された事項により特定されるとおりのものである。 第４ 特許異議申立理由及び取消理由 １ 特許異議申立理由の概要 申立人は、本件特許異議の申立てにおいて、次の理由を主張している。 申立理由１（実施可能要件）本件特許の発明の詳細な説明は、当業者が、抵抗層の材料として一般的な材料を用いた場合に、本件発明１及び１１を実施できる程度に明確かつ十分に記載したものではないから、本件特許は、特許法第36条第4項第1号に規定する要件を満たしていないものであり、本件発明１及び１１は同法第113条第1項第4号に該当し取消されるべきものである。 申立理由２（サポート要件）本件特許の発明の詳細な説明には、特定の材料を使い、特定の方法で形成した抵抗層が特定の物性を有することが記載されているのみであるのに対し、本件発明１及び１１は抵抗層の材料として種々の金属・合金や炭素材料を用いるものであるから、本件特許は、特許法第36条第6項第1号に規定する要件を満たしていないものであり、本件発明１及び１１は同法第113条第1項第4号に該当し取消されるべきものである。 申立理由３（進歩性）本件発明１及び１１は、甲１及び１１に記載された発明、ならびに、甲２〜１０に記載された本件特許の出願時の技術常識に基づき、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件特許は、特許法第29条第2項の規定により特許を受けることができないものであり、同法第113条第1項第2号に該当し取消されるべきものである。 ２ 取消理由の概要 令和５年５月１７日付け取消理由通知書に記載した取消理由は以下のとおりである。 取消理由１（実施可能要件）本件特許の発明の詳細な説明は、当業者が、抵抗層が酸化スズ、酸化チタン、及び酸化インジウムのいずれか１つを主成分として含むことが特定されない本件発明１及び１１を実施できる程度に明確かつ十分に記載したものではないから、本件特許は、特許法第36条第4項第1号に規定する要件を満たしていない特許出願についてされたものである。 第５ 当審の判断 申立人による本件特許異議の申立理由及び取消理由は、請求項１及び１１に係る特許についてのものであるが、前記「第２ 本件訂正について」で説示したように、本件補正後の本件訂正により、請求項１及び１１は削除されたため、特許異議の申立理由及び取消理由の対象となる請求項が存在しないものとなった。 第６ むすび したがって、本件特許異議の申立ては、不適法な申立てであって、その補正をすることができないものとなったから、特許法第120条の8第1項において準用する同法第135条の規定により、却下すべきものである。 よって、結論のとおり決定する。 |
| 発明の名称 |
（５４）【発明の名称】電磁波吸収体 【技術分野】 【０００１】 本発明は、電磁波吸収体及び電磁波吸収体付成形品に関する。 【背景技術】 【０００２】 近年、１〜１０ｍｍ程度の波長及び３０〜３００ＧＨｚの周波数を有するミリ波や準ミリ波の領域の電磁波が情報通信媒体として利用されている。このような電磁波を衝突予防システムに利用することが検討されている。衝突予防システムは、例えば、車両において障害物を検知して自動でブレーキをかけ、又は、周辺車両の速度や車間距離を測定して自車の速度や車間距離を調節するシステムである。衝突予防システムが正常に動作するには、誤認防止のため、不要な電磁波をできるだけ受信しないようにすることが重要である。従って、不要な電磁波を吸収する電磁波吸収体を衝突予防システムに利用することが考えられる。 【０００３】 電磁波吸収体には、電磁波吸収の原理により様々なタイプがある。例えば、電磁波反射層と、λ／４（λは吸収対象とする電磁波の波長）の厚みを有する誘電体層と、抵抗薄膜層とを設けた電磁波吸収体（「λ／４型電磁波吸収体」ということがある）は、材料が比較的安価であり、設計が容易であるので、低コストで作製できる。例えば、特許文献１には、λ／４型電磁波吸収体として、入射角度の広い領域にわたって機能するという特性を発揮する電磁波吸収体が提案されている。 【先行技術文献】 【特許文献】 【０００４】 【特許文献１】特開２００３−１９８１７９号公報 【発明の概要】 【発明が解決しようとする課題】 【０００５】 特許文献１において、電磁波吸収体の使用環境に特有の耐久性（例えば、耐薬品性）については具体的に検討されていない。 【０００６】 そこで、本発明は、良好な耐薬品性を発揮するために有利な抵抗層を備えた電磁波吸収体を提供する。また、本発明は、このような電磁波吸収体を備えた電磁波吸収体付成形品を提供する。 【課題を解決するための手段】 【０００７】 本発明は、 誘電体層と、 前記誘電体層の一方の主面に配置された抵抗層と、 前記誘電体層の他方の主面に配置され、前記抵抗層のシート抵抗より低いシート抵抗を有する導電層と、を備え、 前記抵抗層は、２００〜６００Ω／□のシート抵抗を有し、 前記抵抗層を５重量％のＮａＯＨ水浴夜に５分間浸す浸漬処理を行った場合に、前記浸漬処理前の前記抵抗層のシート抵抗と前記浸漬処理後の前記抵抗層のシート抵抗との差の絶対値が１００Ω／□未満である、 電磁波吸収体を提供する。 【０００８】 また、本発明は、 成形品と、 前記成形品に取り付けられた上記の電磁波吸収体と、を備えた、 電磁波吸収体付成形品を提供する。 【発明の効果】 【０００９】 上記の電磁波吸収体において抵抗層が良好な耐薬品性を有する。 【図面の簡単な説明】 【００１０】 【図１】図１は、本発明の電磁波吸収体の一例を示す断面図である。 【図２】図２は、本発明の電磁波吸収体付成形品の一例を示す側面図である。 【発明を実施するための形態】 【００１１】 以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、下記の説明は、本発明を例示的に説明するものであり、本発明は以下の実施形態に限定されるわけではない。 【００１２】 本発明者らは、衝突防止システムへの電磁波吸収体の利用を検討する過程において、以下の課題を新たに見出した。例えば、電磁波吸収体が衝突防止システムに用いられる場合、電磁波吸収体は、自動車等の車両に配置される。車両のメンテナンスのために洗剤などの薬品が使用されることがある。例えば、アルカリ性の溶液が車両の洗浄に使用されることがある。このため、車両に配置された電磁波吸収体は、車両の洗浄時にこのような薬品に触れる可能性が高い。特に、λ／４型電磁波吸収体における抵抗層は、電磁波吸収体の表面近くに位置するので、このような薬品の影響を受けやすい。このため、電磁波吸収体の抵抗層が良好な耐薬品性を有していれば、高付加価値のλ／４型電磁波吸収体を提供できる。 【００１３】 そこで、本発明者らは、試行錯誤を何度も重ねて、抵抗層に良好な耐薬品性をもたらすことができる材料を特定した。このような新たな知見に基づいて、本発明者らは、本発明に係る電磁波吸収体を案出した。なお、本発明者らは、フラットパネルディスプレイ及び太陽電池などの技術分野において使用されているＩＴＯを用いてλ／４型電磁波吸収体の抵抗層に良好な耐薬品性をもたらすことができるか否か検討した。検討の結果、このようなＩＴＯによって良好な耐薬品性を抵抗層にもたらすことは難しいことが分かった。 【００１４】 図１に示す通り、電磁波吸収体１は、誘電体層１０と、抵抗層２０と、導電層３０とを備えている。抵抗層２０は、誘電体層１０の一方の主面に配置されている。導電層３０は、誘電体層１０の他方の主面に配置され、抵抗層２０のシート抵抗より低いシート抵抗を有する。抵抗層２０は、２００〜６００Ω／□のシート抵抗を有する。電磁波吸収体１において、抵抗層２０を５重量％のＮａＯＨ水溶液に５分間浸す浸漬処理を行った場合に、浸漬処理前の抵抗層２０のシート抵抗と浸漬処理後の抵抗層２０のシート抵抗との差の絶対値が１００Ω／□未満である。これにより、抵抗層２０がアルカリ性の洗剤等の薬品に触れても抵抗層２０のシート抵抗が変化しにくく、電磁波吸収体１が薬品に触れた後でも所望の電磁波吸収特性を保つことができる。このように、抵抗層２０が良好な耐薬品性を有し、ひいては電磁波吸収体１が良好な耐薬品性を有する。 【００１５】 電磁波吸収体１は、λ／４型電磁波吸収体である。λ／４型電磁波吸収体において、吸収対象とする波長（λｏ）の電磁波が入射すると、抵抗層２０の表面での反射（表面反射）による電磁波と、導電層３０における反射（裏面反射）による電磁波とが干渉するように設計される。なお、λ／４型電磁波吸収体においては、下記の式（１）に示す通り、誘電体層１０の厚み（ｔ）及び誘電体層１０の比誘電率（εｒ）によって吸収対象の電磁波の波長（λｏ）が決定される。すなわち、誘電体層１０の材料及び厚みを適宜調節することにより、吸収対象の波長の電磁波を設定できる。式（１）においてｓｑｒｔ（εｒ）は、比誘電率（εｒ）の平方根を意味する。 λｏ＝４ｔ×ｓｑｒｔ（εｒ） 式（１） 【００１６】 λ／４型電磁波吸収体において、抵抗層のシート抵抗が空気の特性インピーダンス（約３７７Ω／□）に近いほど、良好な電磁波吸収特性が得られやすい。このため、抵抗層２０が薬品に触れても抵抗層２０のシート抵抗が変化しにくいことは、電磁波吸収体１が薬品に触れた後でも所望の電磁波吸収特性を保つうえで極めて重要である。 【００１７】 抵抗層２０は、例えば、酸化スズ、酸化チタン、及び酸化インジウムのいずれか１つを主成分として含んでいる。なお、本明細書において、「主成分」とは、重量基準で最も多く含まれる成分を意味する。 【００１８】 抵抗層２０は、酸化スズ、酸化チタン、及び酸化インジウムのいずれか１つを主成分として含む場合、酸化スズ、酸化チタン、及び酸化インジウムのいずれか１つのみを含んでいてもよい。また、抵抗層２０は、酸化スズ、酸化チタン、及び酸化インジウムのいずれか１つを主成分として含む場合、主成分の金属元素以外の少なくとも１つの元素を有するドーパントをさらに含んでいてもよい。これにより、抵抗層２０を形成する材料の比抵抗を望ましい範囲に調節しやすい。なお、抵抗層２０を形成する材料の比抵抗を望ましい範囲に調節することにより、所望のシート抵抗を抵抗層２０にもたらすための抵抗層２０の厚みが望ましい範囲に収まり、抵抗層２０の耐薬品性及び抵抗層２０の容易性を両立できる。 【００１９】 上記のドーパントに含まれる元素は、例えば、スズ、ケイ素、マグネシウム、チタン、窒素、フッ素、アンチモン、及びニオブからなる群から選ばれる少なくとも１つの元素である。 【００２０】 抵抗層２０の主成分が酸化スズである場合、ドーパントに含まれる元素は、例えば、フッ素又はアンチモンである。抵抗層２０の主成分が酸化チタンである場合、ドーパントに含まれる元素は、例えば、ニオブである。抵抗層２０の主成分が酸化インジウムである場合、ドーパントに含まれる元素は、例えば、スズ、ケイ素、マグネシウム、チタン、又は窒素である。これにより、抵抗層２０を形成する材料の比抵抗を望ましい範囲により調節しやすい。 【００２１】 上記の通り、抵抗層２０は、２００〜６００Ω／□のシート抵抗を有する。これにより、抵抗層２０のシート抵抗が空気の特性インピーダンスに近く、電磁波吸収体１が良好な電磁波吸収性能を発揮できる。例えば、ミリ波レーダ又は準ミリ波レーダにおいて汎用される波長の電磁波を選択的に吸収しやすくなる。例えば、電磁波吸収体１は、ミリ波レーダに用いられる５０〜１００ＧＨｚ、特に６０〜９０ＧＨｚの周波数の電磁波を効果的に減衰させることができる。 【００２２】 抵抗層２０は、望ましくは、２６０〜５００Ω／□のシート抵抗を有する。これにより、電磁波吸収体１がより確実に良好な電磁波吸収性能を発揮できる。 【００２３】 抵抗層２０は、例えば、５×１０−４Ω・ｃｍ以上の比抵抗を有する。これにより、抵抗層２０が所定値（例えば、１５ｎｍ）以上の厚みを有していても、抵抗層２０が所望のシート抵抗を有する。その結果、抵抗層２０が良好な耐薬品性を有する。 【００２４】 抵抗層２０は、例えば、１００×１０−４Ω・ｃｍ以下の比抵抗を有する。この場合、所望のシート抵抗をもたらすための抵抗層２０の厚みを所定値（例えば、５００ｎｍ）以下に調節でき、抵抗層２０を形成するために必要な時間を短くできる。抵抗層２０の比抵抗は、望ましくは、５０×１０−４Ω・ｃｍ以下であり、より望ましくは３０×１０−４Ω・ｃｍ以下である。 【００２５】 抵抗層２０は、例えば、１５〜５００ｎｍの厚みを有する。これにより、抵抗層２０が良好な耐薬品性を有しつつ、抵抗層２０を形成するのに必要な時間を短くできる。抵抗層２０は、望ましくは１５〜２００ｎｍの厚みを有する。 【００２６】 抵抗層２０が酸化インジウムのみを含んでいる場合、又は、抵抗層２０が酸化インジウムを主成分として含みつつ１３重量％未満の酸化スズを含有しているＩＴＯである場合、抵抗層２０は、望ましくは多結晶構造を有する。これにより、抵抗層２０が、比較的小さい厚みを有していても良好な耐薬品性を有する。抵抗層２０が、５重量％以上かつ１３重量％未満の酸化スズを含有しているＩＴＯである場合、抵抗層２０は、望ましくは、ケイ素、マグネシウム、チタン、又は窒素であるドーパントをさらに含んでいる。これにより、抵抗層２０が多結晶構造を有していても、抵抗層２０の比抵抗が５×１０−４Ω・ｃｍ以上になりやすい。抵抗層２０が酸化インジウムを主成分として含みつつ２５重量％以上の酸化スズを含有しているＩＴＯである場合、抵抗層２０は典型的には非晶質構造を有する。この場合、ＩＴＯの非晶質構造は極めて安定であり、抵抗層２０がこのようなＩＴＯでできていると、抵抗層２０が良好な耐薬品性を有する。 【００２７】 抵抗層２０は、例えば、抵抗層２０の材料に応じて、ＤＣマグネトロンスパッタリング等のスパッタリング、真空蒸着法、イオンプレーティング法、パルスレーザー堆積法等の物理気相成長法、熱ＣＶＤ法等の化学気相成長法、又はスプレー熱分解法によって形成できる。 【００２８】 抵抗層２０が、多結晶構造を有するＩＴＯである場合、スパッタリングによって形成された非晶質構造の膜に加熱処理（アニール処理）を行って多結晶構造を有する抵抗層２０を形成してもよい。なお、成膜温度などのスパッタリングの条件を調節することにより、スパッタリングの後に加熱処理を行うことなく多結晶構造を有するＩＴＯでできた抵抗層２０を形成することも可能である。 【００２９】 図１に示す通り、抵抗層２０は、例えば、誘電体層１０に接している面と反対の面において高分子フィルム２５に積層されている。高分子フィルム２５は、抵抗層２０の支持体として機能する。高分子フィルム２５は、例えばスパッタリングによって抵抗層２０を製造する場合に、成膜時又はその後のアニール処理時の加熱に耐えうる耐熱性を有し、平滑な表面を提供する材料でできていることが望ましい。加えて、高分子フィルム２５は、抵抗層２０を覆うように配置されているので、高分子フィルム２５が高い耐薬品性を有していれば、電磁波吸収体１も高い耐薬品性を有する。このため、高分子フィルム２５の材料は、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）及びポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）等のアクリル樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）、又はシクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）等の芳香族ポリエーテルケトン、芳香族ポリアミド（アラミド）、又はポリイミドである。良好な耐薬品性と、寸法安定性と、コストとのバランスの観点から、抵抗層２０の支持体の材料は望ましくはＰＥＴである。 【００３０】 高分子フィルム２５の厚みは、例えば１０〜１５０μｍであり、望ましくは２０〜１００μｍであり、より望ましくは３０〜８０μｍの厚みを有する。これにより、高分子フィルム２５の曲げ剛性が低く、かつ、高分子フィルム２５に抵抗層２０を形成する場合において皺の発生又は変形を抑制できる。 【００３１】 誘電体層１０は、例えば、１〜１０の比誘電率を有する。これにより、電磁波吸収体１は広帯域幅（例えば、５０〜１００ＧＨｚの周波数帯域に含まれる２ＧＨｚ以上の帯域幅）において良好な電磁波吸収性能を発揮できる。誘電体層１０の比誘電率は、例えば、空洞共振器摂動法によって測定できる。 【００３２】 誘電体層１０は、単一の層であってもよいし、複数の層の積層体であってもよい。誘電体層１０が複数の層の積層体である場合、誘電体層１０の比誘電率は、各層の比誘電率を測定し、得られた各層の比誘電率に誘電体層１０の全体の厚みに対する各層の厚みの割合を乗じ、これらを加算することにより算出できる。 【００３３】 誘電体層１０は、特に制限されないが、例えば、高分子材料でできている。例えば、誘電体層１０の高分子材料は、アクリル樹脂、エチレン酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）、ポリ塩化ビニル、ポリウレタン、アクリルウレタン樹脂、ポリオレフィン、ポリプロピレン、ポリエチレン、シリコーン樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリエステル、ポリスチレン、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリサルフォン、ポリエーテルサルフォン、及びエポキシ樹脂等の合成樹脂（熱可塑性エラストマーを含む）、又は、ポリイソプレンゴム、ポリスチレン・ブタジエンゴム、ポリブタジエンゴム、クロロプレンゴム、アクリロニトリルブタジエンゴム、ブチルゴム、アクリルゴム、エチレンプロピレンゴム、及びシリコーンゴム等の合成ゴムである。これらは単独で又は２種以上を組み合せて誘電体層１０の高分子材料として使用される。 【００３４】 誘電体層１０は、場合によっては発泡体であってもよい。この場合、誘電体層１０の比誘電率が低くなりやすい。加えて、誘電体層１０を軽量化できる。発泡体は、例えば、オレフィン系発泡体又はポリエステル系発泡体である。 【００３５】 誘電体層１０の厚みは、例えば５０〜２０００μｍであり、望ましくは１００〜１０００μｍである。これにより、高い寸法精度と低コストとを両立させやすい。 【００３６】 導電層３０は、電磁波吸収体１において吸収対象である電磁波を電磁波吸収体の裏面近傍で反射させる。導電層３０のシート抵抗は、例えば、０．００１〜３０Ω／□のシート抵抗を有する。これにより、電磁波吸収体１が所望の電磁波吸収性能を発揮しやすい。例えば、ミリ波レーダに用いられる５０〜１００ＧＨｚ、特に６０〜９０ＧＨｚの周波数の電磁波を効果的に減衰させることができる。 【００３７】 導電層３０の材料は、例えばアルミニウム、アルミニウム合金、アルミニウム窒化物、銅、銅合金、銅窒化物、及び酸化インジウムスズの少なくとも１つを含む。これにより、電磁波吸収体１が所望の電磁波吸収性能を発揮しやすい。導電層３０がＩＴＯを含む場合、導電層３０は、酸化スズの含有量が５〜１５重量％のＩＴＯであることが望ましい。 【００３８】 図１に示す通り、導電層３０は、高分子フィルム３５に積層されていてもよい。高分子フィルム３５は、導電層３０を支持する支持体として機能する。この場合、高分子フィルム３５の材料は、高分子フィルム２５の材料として例示した材料であってもよいし、ポリエステル、ポリプロピレン、ポリウレタン、ウレタンアクリル樹脂、二軸延伸ポリプロピレン（ＣＰＰ）、又は塩化ビニリデン樹脂であってもよい。高分子フィルム３５は、場合によっては省略可能である。 【００３９】 抵抗層２０及び導電層３０のいずれかの層の誘電体層１０を向いている主面には、所定のコーティングが施されていてもよい。これにより、誘電体層１０に含まれる成分が抵抗層２０又は導電層３０に拡散して抵抗層２０又は導電層３０の特性に影響が及ぶことを防止できる。このようなコーティングの材料は、例えば、ＳｉＯ２等の酸化ケイ素、窒化ケイ素、Ａｌ２Ｏ３等の酸化アルミニウム、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、Ｎｂ２Ｏ５等の酸化ニオブ、チタン酸ストロンチウム（ＳＴＯ）、又は酸化アルミニウム亜鉛（ＡＺＯ）である。中でも、コーティングの材料がＡｌＮ又はＡＺＯであると、抵抗層２０又は導電層３０の耐久性を有利に高めることができる。 【００４０】 図１に示す通り、電磁波吸収体１は、例えば、粘着層４０と、セパレータ５０とをさらに備えている。粘着層４０は、導電層３０の外側に配置されている。セパレータ５０は、粘着層４０に接して配置されている。セパレータ５０を剥がして粘着層４０を露出させ、粘着層４０を成形品等の物品に押し付けることにより、電磁波吸収体１を物品に容易に取り付けることができる。また、電磁波吸収体１を物品に取り付ける前に粘着層４０をセパレータ５０によって保護できる。 【００４１】 粘着層４０は、例えば、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤、シリコーン系粘着剤、及びウレタン系粘着剤等の粘着剤を含む。 【００４２】 図２に示す通り、電磁波吸収体１を用いて、例えば、電磁波吸収体付成形品１００を製造できる。電磁波吸収体付成形品１００は、成形品７０と、成形品７０に取り付けられた電磁波吸収体１とを備えている。成形品７０は、例えば、バンパーなどの自動車部品である。 【００４３】 電磁波吸収体１の製造方法の一例を説明する。高分子フィルム２５にスパッタリング等の成膜方法により抵抗層２０を形成する。また、高分子フィルム３５に導電層３０が形成された積層体を準備する。 【００４４】 次に、導電層３０の一方の主面に、所定の厚みに成形された誘電体層１０を形成する樹脂組成物を載せる。その後、誘電体層１０を形成する樹脂組成物に、抵抗層２０の一方の主面を重ねる。必要に応じて、樹脂組成物を硬化させる。これにより、電磁波吸収体１を製造できる。この方法によれば、誘電体層１０の厚みの制御が容易であるので、吸収対象とする波長の電磁波を効果的に吸収できるように電磁波吸収体１を製造できる。また、抵抗層２０および導電層３０を別々に形成するので、電磁波吸収体１の製造に要する時間が短く、電磁波吸収体１の製造コストが低い。なお、誘電体層１０と導電層３０又は抵抗層２０とをくっつけるために接着剤又は粘着剤を用いてもよい。 【実施例】 【００４５】 以下、実施例により本発明をより詳細に説明する。なお、本発明は以下の実施例に限定されない。まず、各実施例及び各比較例に係る抵抗層の特性の測定方法及びサンプルの評価方法について説明する。 【００４６】 ［Ｘ線回折］ 各実施例及び各比較例において、Ｘ線回折装置（リガク社製、製品名：ＲＩＮＴ２２００）を用いて、Ｘ線反射率法により抵抗層の厚みを測定した。また、Ｘ線回折装置を用いて、抵抗層に対するＸ線回折パターンを得た。Ｘ線としてはＣｕＫα線を用いた。得られたＸ線回折パターンから抵抗層が多結晶構造であるか非晶質構造であるか確認した。結果を表１に示す。 【００４７】 ［シート抵抗］ 非接触式抵抗測定装置（ナプソン社製、製品名：ＮＣ−８０ＭＡＰ）を用いて、日本工業規格（ＪＩＳ）Ｚ ２３１６に準拠して、渦電流測定法によって各実施例及び各比較例の薬品浸漬処理されていない抵抗層のシート抵抗を測定した。結果を表１に示す。また、薬品浸漬処理された抵抗層についても同様にシート抵抗を測定した。 【００４８】 ［比抵抗］ 各実施例及び各比較例において、上記のように測定した抵抗層の厚みと、上記のように測定した薬品浸漬処理されていない抵抗層のシート抵抗から、両者の積を求めることにより、比抵抗を決定した。結果を表１に示す。 【００４９】 ［比誘電率］ ネットワークアナライザー（アジレント・テクノロジー社製、製品名：Ｎ５２３０Ｃ）及び空洞共振器（関東電子応用開発社製 空洞共振器ＣＰ５３１）を用いて、実施例及び比較例における誘電体層の１０ＧＨｚにおける比誘電率を空洞共振器摂動法によって測定した。 【００５０】 ［電磁波吸収特性］ ＪＩＳ Ｒ １６７９に準拠して、各実施例及び各比較例に係るサンプルＡ（薬品浸漬処理なし）及びサンプルＢ（薬品浸漬処理あり）の表面に対し、７６ＧＨｚのミリ波を垂直に入射させた場合の反射減衰量を測定した。結果を表１に示す。また、下記の指標に従って、各実施例及び各比較例について総合評価を行った。結果を表１に示す。 ａ：サンプルＡ及びサンプルＢの両方において反射減衰量が２０ｄＢ以上である。 ｂ：サンプルＡ及びサンプルＢのいずれか又はサンプルＡ及びサンプルＢの両方において反射減衰量が１０ｄＢ以上２０ｄＢ未満である。 ｘ：サンプルＡ及びサンプルＢのいずれか又はサンプルＡ及びサンプルＢの両方において反射減衰量が１０ｄＢ未満である。 【００５１】 〈実施例１〉 ３８μｍの厚みを有するＰＥＴフィルム（三菱ケミカル社製、ダイアホイル）の上に、Ｉｎ２Ｏ３からなるターゲット材を用いて、ＤＣマグネトロンスパッタ法により、非晶質のＩｎ２Ｏ３からなる膜を形成し、その膜を大気中で１５０℃の温度で３時間加熱処理してＩｎ２Ｏ３を結晶化させた。このようにして、実施例１に係る抵抗層を形成した。実施例１に係る抵抗層の厚み、シート抵抗、及び比抵抗を表１に示す。２．６の比誘電率を有するアクリル樹脂を５６０μｍの厚みに押し出し成形して、実施例１に係る誘電体層を作製した。また、実施例１に係る導電層として、０．００２Ω／□のシート抵抗を有するアルミニウム箔を準備した。実施例１に係る誘電体層の一方の主面に薬品浸漬処理されていない実施例１に係る抵抗層が接触するように実施例１に係る抵抗層を貼り付けた。また、実施例１に係る誘電体層の他方の主面に実施例１に係る導電層を接触させて貼り付けた。このようにして、実施例１に係るサンプルＡを作製した。 【００５２】 実施例１に係る抵抗層が形成されたＰＥＴフィルムを５重量％のＮａＯＨ水溶液に５分間浸漬させて薬品浸漬処理を行い、その後風乾させて薬品浸漬処理がされた抵抗層を作製した。薬品浸漬処理におけるＮａＯＨ水溶液の温度は４０℃に調節した。薬品浸漬処理されていない実施例１に係る抵抗層の代わりに、薬品浸漬処理がされた抵抗層を用いた以外は、サンプルＡと同様にして、実施例１に係るサンプルＢを作製した。 【００５３】 〈実施例２及び３〉 抵抗層の厚み及び抵抗層のシート抵抗が表１に示す値になるようにスパッタリングの条件を変更した以外は、実施例１と同様にして、Ｉｎ２Ｏ３からなる実施例２及び３に係る抵抗層を形成した。実施例２及び３に係る抵抗層の形成において、スパッタリングにより得られた非晶質のＩｎ２Ｏ３からなる膜を実施例１と同様の条件で加熱処理して結晶化させた。実施例１に係る抵抗層の代わりに実施例２又は３に係る抵抗層を用いた以外は、実施例１と同様にして、実施例２及び３に係るサンプルＡ（薬品浸漬処理なし）及びサンプルＢ（薬品浸漬処理あり）を作製した。 【００５４】 〈実施例４〉 ＩＴＯをターゲット材として用い、抵抗層の厚み及び抵抗層のシート抵抗が表１に示す値になるように、スパッタリングの条件を変更した以外は、実施例１と同様にして、２．５重量％の酸化スズを含むＩＴＯでできた実施例４に係る抵抗層を形成した。実施例４に係る抵抗層の形成において、スパッタリングにより得られた非晶質のＩＴＯの膜を実施例１と同様の条件で加熱処理して結晶化させた。実施例１に係る抵抗層の代わりに実施例４に係る抵抗層を用いた以外は、実施例１と同様にして、実施例４に係るサンプルＡ（薬品浸漬処理なし）及びサンプルＢ（薬品浸漬処理あり）を作製した。 【００５５】 〈実施例５〉 ＩＴＯをターゲット材として用い、抵抗層の厚み及び抵抗層のシート抵抗が表１に示す値になるように、スパッタリングの条件を変更した以外は、実施例１と同様にして、３．３重量％の酸化スズを含むＩＴＯでできた実施例５に係る抵抗層を形成した。実施例５に係る抵抗層の形成において、スパッタリングにより得られた非晶質のＩＴＯの膜を実施例１と同様の条件で加熱処理して結晶化させた。実施例１に係る抵抗層の代わりに実施例５に係る抵抗層を用いた以外は、実施例１と同様にして、実施例５に係るサンプルＡ（薬品浸漬処理なし）及びサンプルＢ（薬品浸漬処理あり）を作製した。 【００５６】 〈実施例６〉 Ｉｎ２Ｏ３、ＳｎＯ２、及びＳｉＯ２を含むターゲット材を用い、抵抗層の厚み及び抵抗層のシート抵抗が表１に示す値になるように、スパッタリングの条件を変更した以外は、実施例１と同様にして、Ｉｎ２Ｏ３に加えて、７．５重量％のＳｎＯ２及び２．５重量％のＳｉＯ２を含む材料でできた実施例６に係る抵抗層を形成した。実施例６に係る抵抗層の形成において、スパッタリングにより得られた非晶質の膜を実施例１と同様の条件で加熱処理して結晶化させた。実施例１に係る抵抗層の代わりに実施例６に係る抵抗層を用いた以外は、実施例１と同様にして、実施例６に係るサンプルＡ（薬品浸漬処理なし）及びサンプルＢ（薬品浸漬処理あり）を作製した。 【００５７】 〈実施例７〉 Ｉｎ２Ｏ３、ＳｎＯ２、及びＭｇＯを含むターゲット材を用い、抵抗層の厚み及び抵抗層のシート抵抗が表１に示す値になるように、スパッタリングの条件を変更した以外は、実施例１と同様にして、Ｉｎ２Ｏ３に加えて、７．５重量％のＳｎＯ２及び２．５重量％のＭｇＯを含む材料でできた実施例７に係る抵抗層を形成した。実施例７に係る抵抗層の形成において、スパッタリングにより得られた非晶質の膜を実施例１と同様の条件で加熱処理して結晶化させた。実施例１に係る抵抗層の代わりに実施例７に係る抵抗層を用いた以外は、実施例１と同様にして、実施例７に係るサンプルＡ（薬品浸漬処理なし）及びサンプルＢ（薬品浸漬処理あり）を作製した。 【００５８】 〈実施例８〉 Ｉｎ２Ｏ３、ＳｎＯ２、及びＴｉＯ２を含むターゲット材を用い、抵抗層の厚み及び抵抗層のシート抵抗が表１に示す値になるように、スパッタリングの条件を変更した以外は、実施例１と同様にして、Ｉｎ２Ｏ３に加えて、７．５重量％のＳｎＯ２及び２．５重量％のＴｉＯ２を含む材料でできた実施例８に係る抵抗層を形成した。実施例８に係る抵抗層の形成において、スパッタリングにより得られた非晶質の膜を実施例１と同様の条件で加熱処理して結晶化させた。実施例１に係る抵抗層の代わりに実施例８に係る抵抗層を用いた以外は、実施例１と同様にして、実施例８に係るサンプルＡ（薬品浸漬処理なし）及びサンプルＢ（薬品浸漬処理あり）を作製した。 【００５９】 〈実施例９〉 Ｉｎ２Ｏ３及びＳｎＯ２を含むターゲット材及び窒素ガスを含む反応ガスを用い、抵抗層の厚み及び抵抗層のシート抵抗が表１に示す値になるように、スパッタリングの条件を変更した以外は、実施例１と同様にして、Ｉｎ２Ｏ３に加えて、７．５重量％のＳｎＯ２及び３原子％の窒素を含む材料でできた実施例９に係る抵抗層を形成した。実施例９に係る抵抗層の形成において、スパッタリングにより得られた非晶質の膜を実施例１と同様の条件で加熱処理して結晶化させた。実施例１に係る抵抗層の代わりに実施例９に係る抵抗層を用いた以外は、実施例１と同様にして、実施例９に係るサンプルＡ（薬品浸漬処理なし）及びサンプルＢ（薬品浸漬処理あり）を作製した。 【００６０】 〈実施例１０〉 Ｉｎ２Ｏ３、ＳｎＯ２、及びＳｉＯ２を含むターゲット材を用い、抵抗層の厚み及び抵抗層のシート抵抗が表１に示す値になるように、スパッタリングの条件を変更した以外は、実施例１と同様にして、Ｉｎ２Ｏ３に加えて、１０重量％のＳｎＯ２及び５重量％のＳｉＯ２を含む材料でできた実施例１０に係る抵抗層を形成した。実施例１０に係る抵抗層の形成において、スパッタリングにより得られた非晶質の膜を実施例１と同様の条件で加熱処理して結晶化させた。実施例１に係る抵抗層の代わりに実施例１０に係る抵抗層を用いた以外は、実施例１と同様にして、実施例１０に係るサンプルＡ（薬品浸漬処理なし）及びサンプルＢ（薬品浸漬処理あり）を作製した。 【００６１】 〈実施例１１〉 ３８μｍの厚みを有するＰＥＴフィルム（三菱ケミカル社製、ダイアホイル）の上に、ＩＴＯをターゲット材として用い、ＤＣマグネトロンスパッタリング法により、３０重量％のＳｎＯ２を含む非晶質構造のＩＴＯでできた実施例１１に係る抵抗層を形成した。実施例１１に係る抵抗層の形成においてスパッタリング後の加熱処理は行わなかった。２．５の比誘電率を有するアクリル樹脂を５６０μｍの厚みに押し出し成形して、実施例１１に係る誘電体層を作製した。実施例１に係る抵抗層及び実施例１に係る誘電体層の代わりに、実施例１１に係る抵抗層及び実施例１１に係る誘電体層をそれぞれ用いた以外は実施例１と同様にして、実施例１１に係るサンプルＡ（薬品浸漬処理なし）及びサンプルＢ（薬品浸漬処理あり）を作製した。 【００６２】 〈実施例１２〉 ＩＴＯをターゲット材として用い、抵抗層の厚み及び抵抗層のシート抵抗が表１に示す値になるように、スパッタリングの条件を変更した以外は、実施例１１と同様にして、５０重量％の酸化スズを含む非晶質構造のＩＴＯでできた実施例１２に係る抵抗層を形成した。実施例１１に係る抵抗層の代わりに実施例１２に係る抵抗層を用いた以外は、実施例１１と同様にして、実施例１２に係るサンプルＡ（薬品浸漬処理なし）及びサンプルＢ（薬品浸漬処理あり）を作製した。 【００６３】 〈実施例１３〉 ３８μｍの厚みを有するＰＥＴフィルム（三菱ケミカル社製、ダイアホイル）の上に、ＤＣマグネトロンスパッタ法によって、１０重量％の酸化スズを含む非晶質のＩＴＯでできた膜を形成し、その膜を大気中で１５０℃の温度で３時間加熱処理して結晶化させた。このようにして、実施例１３に係る導電層を形成した。実施例１３に係る導電層の厚みは１２０ｎｍであった。実施例１３に係る導電層のシート抵抗は２０Ω／□であった。実施例１に係る導電層の代わりに実施例１３に係る導電層を用いた以外は、実施例１と同様にして、実施例１３に係るサンプルＡ（薬品浸漬処理なし）及びサンプルＢ（薬品浸漬処理あり）を作製した。 【００６４】 〈実施例１４〉 ５０μｍの厚みを有するポリイミドフィルム（宇部興産社製、ユーピレックス）の上に、ＳｎＯ２をターゲット材として用いて、ＲＦマグネトロンスパッタ法（基板温度：室温）により、ＳｎＯ２からなる膜を形成した。この膜を３００℃で１時間加熱処理（アニール処理）して結晶化させた。このようにして、ＳｎＯ２からなる実施例１４に係る抵抗層を形成した。実施例１１に係る抵抗層の代わりに実施例１４に係る抵抗層を用いた以外は、実施例１１と同様にして、実施例１１に係るサンプルＡ（薬品浸漬処理なし）及びサンプルＢ（薬品浸漬処理あり）を作製した。 【００６５】 〈実施例１５〉 ５０μｍの厚みを有するポリイミドフィルム（宇部興産社製、ユーピレックス）の上に、ＳｎＦ２粉末とＳｎＯ２粉末との混合物をターゲット材として用いて、ＲＦマグネトロンスパッタ法（基板温度：２００℃）により、フッ素ドーブ酸化スズ（フッ素含有量：５原子％）でできた実施例１５に係る抵抗層を形成した。実施例１１に係る抵抗層の代わりに実施例１５に係る抵抗層を用いた以外は、実施例１１と同様にして、実施例１５に係るサンプルＡ（薬品浸漬処理なし）及びサンプルＢ（薬品浸漬処理あり）を作製した。 【００６６】 〈実施例１６〉 ５０μｍの厚みを有するポリイミドフィルム（宇部興産社製、ダイアホイル）の上に、Ｓｎ−Ｓｂ合金をターゲット材として用い、反応性ガスとして酸素ガスを用いて、反応性ＭＦ−ＡＣマグネトロンスパッタ法（電源の周波数：２００ｋＨｚ、基板温度：２００℃）アンチモンドープ酸化スズ（アンチモン含有量：４原子％）でできた実施例１６に係る抵抗層を形成した。実施例１１に係る抵抗層の代わりに実施例１６に係る抵抗層を用いた以外は、実施例１１と同様にして、実施例１６に係るサンプルＡ（薬品浸漬処理なし）及びサンプルＢ（薬品浸漬処理あり）を作製した。 【００６７】 〈実施例１７〉 ５０μｍの厚みを有するポリイミドフィルム（宇部興産社製、ダイアホイル）の上に、Ｎｂ含有ＴｉＯ２をターゲット材に用いて、ＲＦマグネトロンスパッタ法（基板温度：室温）により、ニオブドープ酸化チタン（ニオブ含有量：８原子％）でできた実施例１７に係る抵抗層を形成した。実施例１１に係る抵抗層の代わりに実施例１７に係る抵抗層を用いた以外は、実施例１１と同様にして、実施例１７に係るサンプルＡ（薬品浸漬処理なし）及びサンプルＢ（薬品浸漬処理あり）を作製した。 【００６８】 〈比較例１〉 ３８μｍの厚みを有するＰＥＴフィルム（三菱ケミカル社製、ダイアホイル）の上に、ＺｎＯ及びＧａ２Ｏ３を含むターゲット材を用い、ＤＣマグネトロンスパッタ法により、抵抗層の厚み及び抵抗層のシート抵抗が表１に示す値になるように、スパッタリングの条件を調節して、ＺｎＯを主成分としつつ、３重量％のＧａ２Ｏ３を含む多結晶構造の材料でできた比較例１に係る抵抗層を形成した。なお、比較例１に係る抵抗層の形成において、スパッタリングの後に加熱処理は行わなかった。実施例１に係る抵抗層の代わりに比較例１に係る抵抗層を用いた以外は、実施例１と同様にして、比較例１に係るサンプルＡ（薬品浸漬処理なし）及びサンプルＢ（薬品浸漬処理あり）を作製した。 【００６９】 〈比較例２〉 ３８μｍの厚みを有するＰＥＴフィルム（三菱ケミカル社製、ダイアホイル）の上に、ＩＴＯをターゲット材として用い、ＤＣマグネトロンスパッタ法により、抵抗層の厚み及び抵抗層のシート抵抗が表１に示す値になるようにスパッタリングの条件を調節して、１０重量％の酸化スズを含む非晶質のＩＴＯでできた比較例２に係る抵抗層を形成した。実施例１に係る抵抗層の代わりに比較例２に係る抵抗層を用いた以外は、実施例１と同様にして、比較例２に係るサンプルＡ（薬品浸漬処理なし）及びサンプルＢ（薬品浸漬処理あり）を作製した。 【００７０】 〈比較例３〉 ＩＴＯをターゲット材として用い、抵抗層の厚み及び抵抗層のシート抵抗が表１に示す値になるようにスパッタリングの条件を変更した以外は、比較例２と同様にして、７．５重量％の酸化スズを含む非晶質のＩＴＯでできた比較例３に係る抵抗層を形成した。実施例１に係る抵抗層の代わりに比較例３に係る抵抗層を用いた以外は、実施例１と同様にして、比較例３に係るサンプルＡ（薬品浸漬処理なし）及びサンプルＢ（薬品浸漬処理あり）を作製した。 【００７１】 〈比較例４〉 ＩＴＯをターゲット材として用い、抵抗層の厚み及び抵抗層のシート抵抗が表１に示す値になるように、スパッタリングの条件を変更した以外は、実施例１と同様にして、２．５重量％の酸化スズを含むＩＴＯでできた比較例４に係る抵抗層を形成した。比較例４に係る抵抗層の形成において、スパッタリングにより得られた非晶質のＩＴＯの膜を実施例１と同様の条件で加熱処理して結晶化させた。実施例１に係る抵抗層の代わりに比較例４に係る抵抗層を用いた以外は、実施例１と同様にして、比較例４に係るサンプルＡ（薬品浸漬処理なし）及びサンプルＢ（薬品浸漬処理あり）を作製した。 【００７２】 〈比較例５〉 ＩＴＯをターゲット材として用い、抵抗層の厚み及び抵抗層のシート抵抗が表１に示す値になるように、スパッタリングの条件を変更した以外は、実施例１と同様にして、７．５重量％の酸化スズを含むＩＴＯでできた比較例５に係る抵抗層を形成した。比較例５に係る抵抗層の形成において、スパッタリングにより得られた非晶質のＩＴＯの膜を実施例１と同様の条件で加熱処理して結晶化させた。実施例１に係る抵抗層の代わりに比較例５に係る抵抗層を用いた以外は、実施例１と同様にして、比較例５に係るサンプルＡ（薬品浸漬処理なし）及びサンプルＢ（薬品浸漬処理あり）を作製した。 【００７３】 〈比較例６〉 ＺｎＯ及びＡｌ２Ｏ３を含むターゲット材を用い、抵抗層の厚み及び抵抗層のシート抵抗が表１に示す値になるように、スパッタリングの条件を変更した以外は、比較例１と同様にして、ＺｎＯを主成分としつつ、３重量％のＡｌ２Ｏ３を含む多結晶構造の材料でできた比較例６に係る抵抗層を形成した。なお、比較例６に係る抵抗層の形成において、スパッタリングの後に加熱処理は行わなかった。実施例１に係る抵抗層の代わりに比較例６に係る抵抗層を用いた以外は、実施例１と同様にして、比較例６に係るサンプルＡ（薬品浸漬処理なし）及びサンプルＢ（薬品浸漬処理あり）を作製した。 【００７４】 表１に示す通り、抵抗層が所定の材料でできていると、良好な耐薬品性を発揮できることが示唆された。 【００７５】 【表１】  【符号の説明】 【００７６】 １ 電磁波吸収体 １０ 誘電体層 ２０ 抵抗層 ２５ 高分子フィルム ３０ 導電層 ７０ 成形品 １００ 電磁波吸収体付成形品 （５７）【特許請求の範囲】 【請求項１】（削除） 【請求項２】 誘電体層と、 前記誘電体層の一方の主面に配置された抵抗層と、 前記誘電体層の他方の主面に配置され、前記抵抗層のシート抵抗より低いシート抵抗を有する導電層と、を備え、 前記抵抗層は、２００〜６００Ω／□のシート抵抗を有し、 前記抵抗層を４０℃及び５重量％のＮａＯＨ水溶液に５分間浸す浸漬処理を行った場合に、前記浸漬処理前の前記抵抗層のシート抵抗と前記浸漬処理後の前記抵抗層のシート抵抗との差の絶対値が３０Ω／□以下であり、 前記抵抗層は、酸化スズ、酸化チタン、及び酸化インジウムのいずれか１つを主成分として含む、電磁波吸収体。 【請求項３】 前記抵抗層は、前記主成分の金属元素以外の少なくとも１つの元素を有するドーパントをさらに含む、請求項２に記載の電磁波吸収体。 【請求項４】（削除） 【請求項５】（削除） 【請求項６】（削除） 【請求項７】（削除） 【請求項８】（削除） 【請求項９】（削除） 【請求項１０】（削除） 【請求項１１】（削除） |
| 訂正の要旨 |
審決（決定）の【理由】欄参照。 |
| 異議決定日 | 2023-11-08 |
| 出願番号 | P2017-116297 |
| 審決分類 |
P
1
652・
856-
XA
(H05K)
P 1 652・ 536- XA (H05K) P 1 652・ 851- XA (H05K) |
| 最終処分 | 10 決定却下(不適法な申立に |
| 特許庁審判長 |
恩田 春香 |
| 特許庁審判官 |
中野 浩昌 棚田 一也 |
| 登録日 | 2022-08-03 |
| 登録番号 | 7117084 |
| 権利者 | 日東電工株式会社 |
| 発明の名称 | 電磁波吸収体 |
| 代理人 | 鎌田 耕一 |
| 代理人 | 鎌田 耕一 |
| 代理人 | 西尾 光彦 |
| 代理人 | 西尾 光彦 |