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審決分類 審判 全部申し立て 特36条6項1、2号及び3号 請求の範囲の記載不備  C08L
審判 全部申し立て 2項進歩性  C08L
審判 全部申し立て 1項3号刊行物記載  C08L
管理番号 1413291
総通号数 32 
発行国 JP 
公報種別 特許決定公報 
発行日 2024-08-30 
種別 異議の決定 
異議申立日 2023-01-27 
確定日 2024-05-30 
異議申立件数 1 
訂正明細書 true 
事件の表示 特許第７１０８５６５号発明「導電性高分子組成物、被覆品、及びパターン形成方法」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。 
結論 特許第７１０８５６５号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１−７〕、〔８−１０〕、１１について訂正することを認める。 特許第７１０８５６５号の請求項１〜１１に係る特許を維持する。 
理由 第１ 手続の経緯
特許第７１０８５６５号（以下、「本件特許」という。）の請求項１ないし１１に係る特許についての出願は、平成３１年３月１１日を出願日とする特許出願であって、令和４年７月２０日にその特許権の設定登録（請求項の数１１）がされ、同年同月２８日に特許掲載公報が発行され、その後、その特許に対し、令和５年１月２７日に特許異議申立人 中川 賢治（以下、「申立人」という。）により特許異議の申立てがされたものである。
その後の経緯は、以下のとおりである。
令和５年 ４月２４日付け： 取消理由通知
同年 ６月１６日 ： 特許権者による意見書の提出及び訂正請求
同年 ６月２６日付け： 訂正請求があった旨の申立人への通知
同年 ７月２６日 ： 申立人による意見書の提出
同年 ９月２９日付け： 取消理由通知（決定の予告）
同年１１月２２日 ： 特許権者による意見書の提出及び訂正請求
同年１２月 ７日付け： 手続補正指令書（方式）（特許権者宛）
同年１２月２１日 ： 特許権者による手続補正書（方式）の提出 及び既納手数料返還請求
令和６年 １月１１日付け： 訂正請求があった旨の申立人への通知
同年 ２月１４日 ： 申立人による意見書の提出
同年 ３月２８日付け： 手続補正指令書（方式）（特許権者宛）
同年 ４月２４日 ： 特許権者による手続補正書（方式）の提出

なお、令和５年６月１６日提出の訂正請求書による訂正の請求は、特許法第120条の5第7項の規定により、取り下げられたものとみなす。

第２ 訂正の適否
１ 訂正請求書の補正について
令和６年４月２４日の手続補正書による令和５年１１月２２日提出の訂正請求書の補正は、特許法第120条の5第9項の規定によって準用する同法第133条第1項の規定により、当該請求書について補正をすべきことを命じられた場合において、当該命じられた事項についてしたものであるから、特許法120条の5第9項で準用する同法第131条の2第1項ただし書第３号に該当し、同法同条第１項の規定に違反するものではない。
よって、令和６年４月２４日の手続補正書による令和５年１１月２２日提出の訂正請求書の補正を認める。

２ 訂正の内容
令和６年４月２４日の手続補正書によって補正された、令和５年１１月２２日提出の訂正請求書による訂正（以下、「本件訂正」という。）の内容は、以下のとおりである（なお、下線は訂正箇所を示す。）。

（１）訂正事項１
特許請求の範囲の請求項１に、「前記導電性高分子組成物が、更に（Ｄ）水溶性高分子を含有するものであ」とあるのを、「前記導電性高分子組成物が、更に（Ｄ）水溶性高分子を含有するものであり、
かつ、
下記一般式（２）中のＸ＋が下記一般式（３）で示される窒素化合物であるとき前記（Ｄ）水溶性高分子はポリビニルピロリドンであり、」
に訂正する（請求項１の記載を引用する請求項２−７も同様に訂正する。）。

（２）訂正事項２
特許請求の範囲の請求項１において、訂正事項１に係る記載の直後に「前記導電性高分子組成物は、電子線レジスト描画用帯電防止膜に用いられるものであ」の文言を加える訂正を行う。（請求項１の記載を引用する請求項２−７も同様に訂正する。）

（３）訂正事項３
特許請求の範囲の請求項８において、
「前記導電性高分子組成物が、（Ａ）下記一般式（１）で表される繰り返し単位を少なくとも１種類以上有するポリアニリン系導電性高分子、及び（Ｂ）下記一般式（２）で表されるカルボン酸塩、を含むものであ」を、
「前記導電性高分子組成物が、（Ａ）下記一般式（１）で表される繰り返し単位を少なくとも１種類以上有するポリアニリン系導電性高分子、及び（Ｂ）下記一般式（２）で表されるカルボン酸塩、を含むものである導電性高分子組成物であって、
前記導電性高分子組成物が、更に（Ｄ）水溶性高分子を含有するものであり、」
に訂正する（請求項８の記載を引用する請求項９−１０も同様に訂正する。）。

（４）訂正事項４
特許請求の範囲の請求項８において、訂正事項３に係る記載の直後に
「かつ、
下記一般式（２）中のＸ＋が下記一般式（３）で示される窒素化合物であるとき前記（Ｄ）水溶性高分子はポリビニルピロリドンであ」
の文言を加える訂正を行う。（請求項８の記載を引用する請求項９−１０も同様に訂正する。）

（５）訂正事項５
特許請求の範囲の請求項１１において、
「前記導電性高分子組成物を、（Ａ）下記一般式（１）で表される繰り返し単位を少なくとも１種類以上有するポリアニリン系導電性高分子、及び（Ｂ）下記一般式（２）で表されるカルボン酸塩、を含むもの」を、
「前記導電性高分子組成物を、（Ａ）下記一般式（１）で表される繰り返し単位を少なくとも１種類以上有するポリアニリン系導電性高分子、及び（Ｂ）下記一般式（２）で表されるカルボン酸塩、を含むものである導電性高分子組成物とし、
前記導電性高分子組成物を、更に（Ｄ）水溶性高分子を含有するものとし、」
に訂正する。

（６）訂正事項６
特許請求の範囲の請求項１１において、訂正事項５に係る記載の直後に、
「かつ、
下記一般式（２）中のＸ＋を下記一般式（３）で示される窒素化合物とするとき前記（Ｄ）水溶性高分子をポリビニルピロリドン」
の文言を加える訂正を行う。

２ 一群の請求項について
訂正前の請求項１〜７について、請求項２〜７は、請求項１を引用するものであって、訂正事項１、２によって記載が訂正される請求項１に連動して訂正されるものである。
訂正前の請求項８〜１０について、請求項９，１０は請求項８を引用するものであって、訂正事項３、４によって記載が訂正される請求項８に連動して訂正されるものである。
また、訂正事項５、６は独立請求項である請求項１１を訂正するものである。
よって、訂正事項１〜６に係る訂正は、一群の請求項〔１−７〕、〔８−１０〕、１１についてするものである。

３ 訂正の目的の適否、新規事項の有無、及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否
（１）訂正事項２について
訂正事項２の訂正は、訂正前の請求項１の「導電性高分子組成物」について、本件特許の願書に添付した明細書（以下「本件明細書」という。）の［００１７］に記載された「・・・電子線レジスト描画用帯電防止膜に好適に用いることができる導電性高分子組成物を提供することを目的とする。」を根拠に、その用途を限定するものであるから、特許法第120条の5第2項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、新規事項を追加するものでもなく、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
よって、訂正事項２による訂正は、特許法第120条の5第9項で準用する第126条第5項及び第６項に適合するものである。

（２）訂正事項３，５について
訂正事項３、５の訂正は、訂正前の請求項８又は１１の「導電性高分子組成物」について、本件明細書の［００２８］における「また、前記導電性高分子組成物が、更に（Ｄ）水溶性高分子を含有するものであることが好ましい。」との記載、及び本件明細書の［００６７］における「また、本発明では、基板等の被加工体へ成膜した際の膜の均質性を向上するために、更に（Ｄ）水溶性高分子を添加してもよい。」との記載を根拠に、「（Ｄ）水溶性高分子」を含有するものに限定するものであるから、特許法第120条の5第2項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、新規事項を追加するものでもなく、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
よって、訂正事項３、５による訂正は、特許法第120条の5第9項で準用する第126条第5項及び第６項に適合するものである。

（３）訂正事項１、４、６について
訂正事項１、４、６の訂正は、訂正前の請求項１の「（Ｄ）水溶性高分子」、又は訂正前の請求項８、１０に訂正事項３、５による訂正によって追加された「（Ｄ）水溶性高分子」について、「一般式（２）中のＸ＋」が「下記一般式（３）で示される窒素化合物」であるとき「前記（Ｄ）水溶性高分子」が「ポリビニルピロリドン」であることを限定するものであるから、特許法第120条の5第2項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
そして、一般式（２）中のＸ＋の選択肢として「一般式（３）で示される窒素化合物」が含まれることは訂正前の請求項１、８、１１に記載され、水溶性高分子としてポリビニルピロリドンが用いられることは実施例２７〜３９に記載されており、実施例２７は「一般式（２）中のＸ＋」が「下記一般式（３）で示される窒素化合物」であるとき「前記（Ｄ）水溶性高分子」が「ポリビニルピロリドン」であるものに相当するから、訂正事項１、４、６による訂正は、新規事項を追加するものではない。
よって、訂正事項１、４、６による本件訂正は、特許法第120条の5第9項で準用する第126条第5項及び第６項に適合するものである。

４ 本件訂正後の独立特許要件について
特許異議の申立ては、訂正前の請求項１〜１１に対してされているので、当該請求項における訂正を認める要件として、特許法第120条の5第9項において読み替えて準用する同法第126条第7項に規定する独立特許要件は課されない。

５ まとめ
以上のとおり、本件訂正は、特許法120条の5第2項ただし書第１号に掲げる事項を目的とするものであり、また、同法同条第９項において準用する同法第126条第5項及び第６項の規定に適合する。
したがって、本件訂正は適法なものであり、結論のとおり、本件特許の特許請求の範囲を、訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１−７〕、〔８−１０〕、１１について訂正することを認める。

第３ 本件発明
上記第２のとおり本件訂正は認められたので、本件特許の請求項１〜１１に係る発明（以下、順に「本件発明１」のようにいい、本件発明１〜１１を総称して「本件発明」という。）は、それぞれ、訂正特許請求の範囲の請求項１〜１１に記載された事項により特定される以下のとおりのものである。

「【請求項１】
（Ａ）下記一般式（１）で表される繰り返し単位を少なくとも１種類以上有するポリアニリン系導電性高分子、及び（Ｂ）下記一般式（２）で表されるカルボン酸塩、を含むものである導電性高分子組成物であって、
前記導電性高分子組成物が、更に（Ｄ）水溶性高分子を含有するものであり、かつ、
下記一般式（２）中のＸ＋が下記一般式（３）で示される窒素化合物であるとき前記（Ｄ）水溶性高分子はポリビニルピロリドンであり、
前記導電性高分子組成物は、電子線レジスト描画用帯電防止膜に用いられるものであることを特徴とする導電性高分子組成物。
【化１】


（式中、Ｒ１〜Ｒ４は、各々独立に、水素原子、酸性基、ヒドロキシ基、ニトロ基、ハロゲン原子、炭素数１〜２４の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、ヘテロ原子を含む炭素数１〜２４の直鎖状、分岐状、環状の炭化水素基、又はハロゲン原子で部分置換された炭素数１〜２４の直鎖状、分岐状、環状の炭化水素基を示す。）
【化２】


（式中、Ｘ＋はリチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、又は下記一般式（３）で示される窒素化合物を示す。Ｌは単結合又はヘテロ原子が介在してもよい炭素数１〜８の直鎖状、分岐状、環状の飽和又は不飽和の炭化水素鎖を示し、Ｌが単結合の場合にはｎ＝０であり、Ｌが単結合でない場合はｎ＝１である。Ｒ５とＲ６はそれぞれ独立に水素原子、ヘテロ原子、−ＣＯＯ−Ｘ＋基、ヒドロキシル基、ヘテロ原子が介在してもよい炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状、又は環状の１価炭化水素基、又は末端に−ＣＯＯ−Ｘ＋基をもつ炭素数１〜８の直鎖状、分岐状、又は環状の飽和又は不飽和炭化水素基を示す。Ｒ７は水素原子、ヒドロキシル基、又は−ＣＯＯ−Ｘ＋基を示す。）
【化３】



（式中、Ｒ１０１、Ｒ１０２、Ｒ１０３、Ｒ１０４は、それぞれ水素原子、炭素数１〜１２の直鎖状、分岐状、又は環状のアルキル基、アルケニル基、オキソアルキル基、又はオキソアルケニル基、炭素数６〜２０のアリール基、又は炭素数７〜１２のアラルキル基又はアリールオキソアルキル基を示し、これらの基の水素原子の一部又は全部がアルコキシ基によって置換されていてもよい。Ｒ１０１とＲ１０２、Ｒ１０１とＲ１０２とＲ１０４とは環を形成してもよく、環を形成する場合には、Ｒ１０１とＲ１０２及びＲ１０１とＲ１０２とＲ１０４は炭素数３〜１０のアルキレン基、又は式中の窒素原子を環の中に有する複素芳香族環を示す。）
【請求項２】
前記酸性基がスルホ基であることを特徴とする請求項１に記載の導電性高分子組成物。
【請求項３】
前記（Ｂ）成分の含有量が、前記（Ａ）成分１００質量部に対して、１質量部から７０質量部であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の導電性高分子組成物。
【請求項４】
前記導電性高分子組成物が、更に（Ｃ）ノニオン系界面活性剤を含有するものであることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の導電性高分子組成物。
【請求項５】
前記（Ｃ）成分の含有量が、前記（Ａ）成分１００質量部に対して、０．１質量部から１０質量部であることを特徴とする請求項４に記載の導電性高分子組成物。
【請求項６】
前記（Ｄ）成分の含有量が、前記（Ａ）成分１００質量部に対して、３０質量部から１５０質量部であることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の導電性高分子組成物。
【請求項７】
被加工体上に請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の導電性高分子組成物が成膜されたものであることを特徴とする被覆品。
【請求項８】
被加工体上に導電性高分子組成物が成膜されたものである被覆品であって、
前記被加工体は、化学増幅型レジスト膜を備える基板であり、かつ、
前記導電性高分子組成物が、（Ａ）下記一般式（１）で表される繰り返し単位を少なくとも１種類以上有するポリアニリン系導電性高分子、及び（Ｂ）下記一般式（２）で表されるカルボン酸塩、を含むものである導電性高分子組成物であって、
前記導電性高分子組成物が、更に（Ｄ）水溶性高分子を含有するものであり、かつ、
下記一般式（２）中のＸ＋が下記一般式（３）で示される窒素化合物であるとき前記（Ｄ）水溶性高分子はポリビニルピロリドンであることを特徴とする被覆品。
【化４】


（式中、Ｒ１〜Ｒ４は、各々独立に、水素原子、酸性基、ヒドロキシ基、ニトロ基、ハロゲン原子、炭素数１〜２４の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、ヘテロ原子を含む炭素数１〜２４の直鎖状、分岐状、環状の炭化水素基、又はハロゲン原子で部分置換された炭素数１〜２４の直鎖状、分岐状、環状の炭化水素基を示す。）
【化５】


（式中、Ｘ＋はリチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、又は下記一般式（３）で示される窒素化合物を示す。Ｌは単結合又はヘテロ原子が介在してもよい炭素数１〜８の直鎖状、分岐状、環状の飽和又は不飽和の炭化水素鎖を示し、Ｌが単結合の場合にはｎ＝０であり、Ｌが単結合でない場合はｎ＝１である。Ｒ５とＲ６はそれぞれ独立に水素原子、ヘテロ原子、−ＣＯＯ−Ｘ＋基、ヒドロキシル基、ヘテロ原子が介在してもよい炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状、又は環状の１価炭化水素基、又は末端に−ＣＯＯ−Ｘ＋基をもつ炭素数１〜８の直鎖状、分岐状、又は環状の飽和又は不飽和炭化水素基を示す。Ｒ７は水素原子、ヒドロキシル基、又は−ＣＯＯ−Ｘ＋基を示す。）
【化６】


（式中、Ｒ１０１、Ｒ１０２、Ｒ１０３、Ｒ１０４は、それぞれ水素原子、炭素数１〜１２の直鎖状、分岐状、又は環状のアルキル基、アルケニル基、オキソアルキル基、又はオキソアルケニル基、炭素数６〜２０のアリール基、又は炭素数７〜１２のアラルキル基又はアリールオキソアルキル基を示し、これらの基の水素原子の一部又は全部がアルコキシ基によって置換されていてもよい。Ｒ１０１とＲ１０２、Ｒ１０１とＲ１０２とＲ１０４とは環を形成してもよく、環を形成する場合には、Ｒ１０１とＲ１０２及びＲ１０１とＲ１０２とＲ１０４は炭素数３〜１０のアルキレン基、又は式中の窒素原子を環の中に有する複素芳香族環を示す。）
【請求項９】
前記被加工体は、電子線をパターン照射してレジストパターンを得るための基板であることを特徴とする請求項８に記載の被覆品。
【請求項１０】
前記被加工体は、２０μＣ／ｃｍ２以上の感度をもつ化学増幅型電子線レジスト膜を備える基板であることを特徴とする請求項８又は請求項９に記載の被覆品。
【請求項１１】
化学増幅型レジスト膜を備える基板の該レジスト膜上に、導電性高分子組成物を用いて帯電防止膜を形成する工程、電子線をパターン照射する工程、及びＨ２Ｏ又はアルカリ性現像液を用いて現像してレジストパターンを得る工程を含むパターン形成方法であって、
前記導電性高分子組成物を、（Ａ）下記一般式（１）で表される繰り返し単位を少なくとも１種類以上有するポリアニリン系導電性高分子、及び（Ｂ）下記一般式（２）で表されるカルボン酸塩、を含むものである導電性高分子組成物とし、
前記導電性高分子組成物を、更に（Ｄ）水溶性高分子を含有するものとし、かつ、
下記一般式（２）中のＸ＋を下記一般式（３）で示される窒素化合物とするとき前記（Ｄ）水溶性高分子をポリビニルピロリドンとすることを特徴とするパターン形成方法。
【化７】

（式中、Ｒ１〜Ｒ４は、各々独立に、水素原子、酸性基、ヒドロキシ基、ニトロ基、ハロゲン原子、炭素数１〜２４の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、ヘテロ原子を含む炭素数１〜２４の直鎖状、分岐状、環状の炭化水素基、又はハロゲン原子で部分置換された炭素数１〜２４の直鎖状、分岐状、環状の炭化水素基を示す。）
【化８】


（式中、Ｘ＋はリチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、又は下記一般式（３）で示される窒素化合物を示す。Ｌは単結合又はヘテロ原子が介在してもよい炭素数１〜８の直鎖状、分岐状、環状の飽和又は不飽和の炭化水素鎖を示し、Ｌが単結合の場合にはｎ＝０であり、Ｌが単結合でない場合はｎ＝１である。Ｒ５とＲ６はそれぞれ独立に水素原子、ヘテロ原子、−ＣＯＯ−Ｘ＋基、ヒドロキシル基、ヘテロ原子が介在してもよい炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状、又は環状の１価炭化水素基、又は末端に−ＣＯＯ−Ｘ＋基をもつ炭素数１〜８の直鎖状、分岐状、又は環状の飽和又は不飽和炭化水素基を示す。Ｒ７は水素原子、ヒドロキシル基、又は−ＣＯＯ−Ｘ＋基を示す。）
【化９】

（式中、Ｒ１０１、Ｒ１０２、Ｒ１０３、Ｒ１０４は、それぞれ水素原子、炭素数１〜１２の直鎖状、分岐状、又は環状のアルキル基、アルケニル基、オキソアルキル基、又はオキソアルケニル基、炭素数６〜２０のアリール基、又は炭素数７〜１２のアラルキル基又はアリールオキソアルキル基を示し、これらの基の水素原子の一部又は全部がアルコキシ基によって置換されていてもよい。Ｒ１０１とＲ１０２、Ｒ１０１とＲ１０２とＲ１０４とは環を形成してもよく、環を形成する場合には、Ｒ１０１とＲ１０２及びＲ１０１とＲ１０２とＲ１０４は炭素数３〜１０のアルキレン基、又は式中の窒素原子を環の中に有する複素芳香族環を示す。）」

第４ 特許異議申立理由の概要、証拠方法及び取消理由の概要
１ 申立人が提出した特許異議申立書に記載した申立ての理由の概要
令和５年１月２７日に申立人が提出した特許異議申立書（以下「申立書」という。）に記載した申立ての理由の概要は次のとおりである。
（１）申立理由１（甲第１号証による新規性）
本件特許の訂正前の請求項１，２，４，７〜９、１１に係る発明は、本件特許の出願前日本国内又は外国において、頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった下記の甲第１号証に記載された発明であり、特許法第29条第1項第3号に該当し特許を受けることができないものであるから、本件特許の上記請求項に係る特許は、同法第113条第2号に該当し取り消すべきものである。

（２）申立理由２（甲第１号証を主引用文献とする進歩性）
本件特許の訂正前の請求項１〜１１に係る発明は、本件特許の出願前日本国内又は外国において、頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった下記の甲第１号証に記載された発明に基づいて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下、「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであり、特許法第29条第2項の規定により特許を受けることができないものであるから、本件特許の上記請求項に係る特許は、同法第113条第2号に該当し取り消すべきものである。

（３）申立理由３（甲第３号証を主引用文献とする進歩性）
本件特許の訂正前の請求項１〜１１に係る発明は、本件特許の出願前日本国内又は外国において、頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった下記の甲第３号証に記載された発明及び甲第１，２号証に記載された事項に基づいて、その出願前に当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第29条第2項の規定により特許を受けることができないものであるから、本件特許の上記請求項に係る特許は、同法第113条第2号に該当し取り消すべきものである。

（４）申立理由４（サポート要件違反）
本件特許の訂正前の請求項１〜１１に係る特許は、以下の理由により特許法第36条第6項第1号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであるから、同法第113条第4号に該当し取り消すべきものである。
具体的理由の概略は以下のとおり。

本件発明１に係る（Ｄ）水溶性高分子について、特定の化合物（ポリビニルピロリドン）を用いた場合以外について課題を解決し得ると認識することができないから、本件発明１〜１１は発明の詳細な説明に記載したものではない。

２ 証拠方法
（１）特許異議申立書に添付した証拠方法
甲第１号証：特開平８−１０９３５１号公報
甲第２号証：特開２０１６−８０９６４号公報
甲第３号証：国際公開第２０１２／１４４６０８号

（２）令和５年７月２６日に提出した意見書（申立人）に添付した証拠方法
甲第４号証：国際公開第２０１５／０６０２３１号
甲第５号証：特開２０１７−０３９９２７号公報
甲第６号証：特開２０１４−００９３４２号公報

以下、順に「甲１」ないし「甲６」という。

３ 取消理由の概要
当審が令和５年９月２９日付けで通知した取消理由（決定の予告）の概要は、次のとおりである。

取消理由１（甲３を主引用文献とする進歩性）
本件特許の請求項１〜７に係る発明は、本件特許の出願前日本国内又は外国において、頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった甲３に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第29条第2項の規定により特許を受けることができないものであるから、本件特許の上記請求項に係る特許は、同法第113条第2号に該当し取り消すべきものである。

第５ 当審の判断
当審は、取消理由１及び特許異議申立書に記載した申立理由１〜４によっては、本件発明１〜１１についての特許を取り消すことはできないものと判断する。
その理由は、以下のとおりである。

１ 取消理由１（甲３を主引用文献とする進歩性）、申立理由３（甲３を主引用文献とする進歩性）について

取消理由１及び申立理由３は、いずれも甲３を主引用文献とするものであるから、併せて検討する。

（１）甲３に記載された事項及び甲３に記載された発明
甲３には、「スルホン酸基及び／又はカルボキシ基を有する導電性高分子（Ａ）並びにアルカリ金属及び／又はアルカリ土類金属の酢酸塩、炭酸塩、リン酸塩及びハロゲン化物より選択される少なくとも一種の化合物（Ｃ）を含む導電性組成物。」が記載されており（請求項２）、「前記導電性高分子（Ａ）が下記一般式（１）で表される繰り返し単位を有する導電性高分子である請求項１〜５の何れか１項に記載の導電性組成物。

式（１）中、Ｒ１〜Ｒ４は、各々独立に、水素原子、炭素数１〜２４の直鎖もしくは分岐のアルキル基、炭素数１〜２４の直鎖もしくは分岐のアルコキシ基、酸性基、ヒドロキシ基、ニトロ基又はハロゲン原子である。またＲ１〜Ｒ４のうちの少なくとも一つは酸性基又はその塩である。」（請求項６）も記載されている。
そして、その具体的な例として、実施例２−１には、製造例Ｂ１で得た導電性高分子（Ａ２）溶液を用い、導電性高分子の繰り返し単位１モルに対して、０．２５モルの「酢酸リチウム」を添加し、導電性組成物溶液を調製したことが記載されている（［０１８７］〜［０１９５］）。
そして、「製造例Ｂ１で得た導電性高分子（Ａ２）溶液」の詳細については［０１７０］に記載される以下の通りのものである。
「［製造例Ｂ１；導電性高分子（Ａ２）の製造）］
水／アセトニトリル（体積比１／１）混合液１５０ｍｌにペルオキソ二硫酸アンモニウム２００ｍｍｏｌと硫酸１.０ｇを溶解させた溶液をエチレングリコールを用いたバスで０℃に冷却し、撹拌動力０．７ｋｗ／ｍ３下、２−アミノアニソール−４−スルホン酸２００ｍｍｏｌとトリエチルアミン２００ｍｍｏｌを水／アセトニトリル（体積比１／１）混合液１５０ｍｌに溶解させた溶液を２００ｍｍｏｌ／ｈｒで滴下した。
滴下終了後、撹拌下２時間冷却を保持したのち、反応生成物を冷却下で減圧濾過装置にて濾別し、メチルアルコールにて洗浄後乾燥し、導電性高分子の粗ポリマーを得た。
得られた粗ポリマー２０ｇを４００ｍｌの水で溶解し、酸性陽イオン交換樹脂（オルガノ株式会社製、「アンバーライト」）１００ｍｌをカラムに充填し、該カラムに前記粗ポリマー溶液をＳＶ＝０．３の流量で通過させて陽イオン交換処理を行い、精製された導電性高分子（Ａ２）溶液を得た。
得られた導電性高分子（Ａ２）溶液において、導電性高分子（Ａ２）の割合は４．５質量％であった。また、得られた導電性高分子中に含まれる塩を形成している塩基性化合物の含有量は０．１質量％以下であった。
また、分子量（Ｍ）は、３４９００であり、Ｘ／Ｙ＝１．２４であった。」
上記「製造例Ｂ１で得た導電性高分子（Ａ２）」は、「２−アミノアニソール−４−スルホン酸」を重合して得られたものであり、かつ、「得られた導電性高分子中に含まれる塩を形成している塩基性化合物の含有量は０．１質量％以下」（［０１７０］）、すなわちほぼ塩を形成していないことから、甲３の請求項６の一般式（１）で表される繰り返し単位を有し、Ｒ１，Ｒ４が水素原子、Ｒ２が炭素数１のアルコキシ基、Ｒ３がスルホン酸基（酸性基）である導電性高分子に相当する。
また、実施例２−１の「酢酸リチウム」は、請求項２の「アルカリ金属・・・の酢酸塩」に相当する。
したがって、実施例２−１で製造された導電性組成物溶液に着目し、それを請求項２を引用する請求項６にならって記載すると、甲３には次の発明（以下「甲３発明１」という。）が記載されている。

「下記一般式（１）で表される繰り返し単位を有する導電性高分子（Ａ）並びに酢酸リチウムを含む導電性組成物。

式（１）中、Ｒ１，Ｒ４は水素原子であり、Ｒ２は炭素数１のアルコキシ基であり、Ｒ３はスルホン酸基である。」

また、甲３の［０１８７］には、甲３発明１の組成物をガラス基板上に塗布して導電体を形成したことが記載されているから、甲３には次の発明（以下「甲３発明２」という。）が記載されている。

「ガラス基板上に甲３発明１の組成物が塗布されて形成された導電体を有する、ガラス基板。」

さらに、甲３発明２のガラス基板の製造方法に着目すると、甲３には次の発明（以下「甲３発明３」という。）が記載されている。

「ガラス基板上に甲３発明１の組成物を塗布して導電体を形成する方法。」

（２）本件発明１について
ア 本件発明１と甲３発明１との対比
本件発明１と甲３発明１を対比すると、甲３発明１の「導電性高分子（Ａ）」は、本件発明１の一般式（１）において、Ｒ１，Ｒ４が水素原子、Ｒ２がヘテロ原子（酸素原子）を含む炭素数１の炭化水素基、Ｒ３が酸性基であるものに相当する。
また、甲３発明１の「酢酸リチウム」は、本件発明１の「一般式（２）で表されるカルボン酸塩」であって、Ｒ７が水素原子、Ｌが炭素数１の炭化水素鎖、Ｒ５，Ｒ６が水素原子、Ｘ＋がリチウムイオンであるものに相当する。
そして、甲３発明１の「酢酸リチウム」は、本件発明１の「一般式（２）で表されるカルボン酸塩」には相当するものの、「Ｘ＋が下記一般式（３）で示される窒素化合物」であるものには相当しない。

したがって、両者は、
「（Ａ）下記一般式（１）で表される繰り返し単位を少なくとも１種類以上有するポリアニリン系導電性高分子、及び（Ｂ）下記一般式（２）で表されるカルボン酸塩、を含むものである導電性高分子組成物。
【化１】


（式中、Ｒ１〜Ｒ４は、各々独立に、水素原子、酸性基、ヒドロキシ基、ニトロ基、ハロゲン原子、炭素数１〜２４の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、ヘテロ原子を含む炭素数１〜２４の直鎖状、分岐状、環状の炭化水素基、又はハロゲン原子で部分置換された炭素数１〜２４の直鎖状、分岐状、環状の炭化水素基を示す。）
【化２】


（式中、Ｘ＋はリチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、又は下記一般式（３）で示される窒素化合物を示す。Ｌは単結合又はヘテロ原子が介在してもよい炭素数１〜８の直鎖状、分岐状、環状の飽和又は不飽和の炭化水素鎖を示し、Ｌが単結合の場合にはｎ＝０であり、Ｌが単結合でない場合はｎ＝１である。Ｒ５とＲ６はそれぞれ独立に水素原子、ヘテロ原子、−ＣＯＯ−Ｘ＋基、ヒドロキシル基、ヘテロ原子が介在してもよい炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状、又は環状の１価炭化水素基、又は末端に−ＣＯＯ−Ｘ＋基をもつ炭素数１〜８の直鎖状、分岐状、又は環状の飽和又は不飽和炭化水素基を示す。Ｒ７は水素原子、ヒドロキシル基、又は−ＣＯＯ−Ｘ＋基を示す。）
【化３】



（式中、Ｒ１０１、Ｒ１０２、Ｒ１０３、Ｒ１０４は、それぞれ水素原子、炭素数１〜１２の直鎖状、分岐状、又は環状のアルキル基、アルケニル基、オキソアルキル基、又はオキソアルケニル基、炭素数６〜２０のアリール基、又は炭素数７〜１２のアラルキル基又はアリールオキソアルキル基を示し、これらの基の水素原子の一部又は全部がアルコキシ基によって置換されていてもよい。Ｒ１０１とＲ１０２、Ｒ１０１とＲ１０２とＲ１０４とは環を形成してもよく、環を形成する場合には、Ｒ１０１とＲ１０２及びＲ１０１とＲ１０２とＲ１０４は炭素数３〜１０のアルキレン基、又は式中の窒素原子を環の中に有する複素芳香族環を示す。）」

である点において一致し、以下の点で相違する。

＜相違点１−１＞
導電性高分子組成物が、本件発明１は「更に（Ｄ）水溶性高分子を含有する」ものであるのに対し、甲３発明１はそのような特定がない点

＜相違点１−２＞
導電性高分子組成物が、本件発明１では「電子線レジスト描画用帯電防止膜に用いられる」ものであるのに対し、甲３発明１ではそのような特定がない点

イ 相違点についての判断
事案に鑑み、相違点１−２について検討する。

甲３には、甲３発明１の組成物が、導電性、耐熱性、成膜性に優れた導電性組成物であり、静電容量が高く、耐熱性に優れた高導電率の導電性高分子層を備えた固体電解コンデンサの製造に用いられることは記載されているが（［００３２］）、電子線レジスト描画用帯電防止膜に用いられることについては、記載も示唆もされていない。
よって、相違点１−１について検討するまでもなく、甲３発明１において、相違点１−２の構成を採用することは、当業者が容易に想到することではない。

ウ 本件発明１の効果について
本件発明１の組成物は、本件発明１の構成を有することによって、「濾過性ならびに電子線レジスト上への平坦膜の成膜性が良好で、低体積抵抗率（Ω・ｃｍ）の性質により電子線描画工程においても優良な耐電防止能を示し、かつ、当該膜より拡散する酸の影響を最小限としてリソグラフィーへの影響を低減し、さらに描画後のＨ２Ｏ又はアルカリ現像液による剥離性にも優れ」る（本件明細書の【００１７】）という顕著な効果を奏するものであり、このことは、本件明細書の【表２】〜【表１１】の記載からも理解できることである。
そして、上記効果のうち、特に「当該膜より拡散する酸の影響を最小限としてリソグラフィーへの影響を低減し、さらに描画後のＨ２Ｏ又はアルカリ現像液による剥離性にも優れ」るという効果は、導電性、耐熱性、成膜性に優れた導電性組成物であり、静電容量が高く、耐熱性に優れた高導電率の導電性高分子層を備えた固体電解コンデンサの製造に用いられることしか記載のない甲３からは、当業者が予測できることではない。

エ 申立人の主張について
申立人は、令和６年２月１４日提出の意見書において、高い導電性、すなわち表面抵抗が十分に小さいことを特徴とするポリアニリン系導電性高分子組成物によって形成される導電体膜が「電子線レジスト描画用帯電防止膜」として好適に用いられることは甲１、甲２に記載されるように当該技術分野における技術常識であるから、甲３発明１の組成物を本件発明１の用途に用いることは十分に動機付けられること、また、本件明細書の【表２】によれば（Ｄ）水溶性高分子を添加したものはそれを添加しないものと比較して体積抵抗率が悪化しているし、拡散する酸の影響についての結果を示した【表８】〜【表１１】からは、（Ｄ）水溶性高分子の添加による改善はほとんどなく、剥離性に関しても（Ｄ）水溶性高分子を含有させることで塗膜の強度が向上することは甲４〜甲６に記載された周知技術から予測できる程度にすぎないことを主張する（意見書５〜６頁の項目「エ 相違点についての判断」）。

上記主張について検討する。上記イで述べたように、甲３には、甲３発明１の組成物を電子線レジスト描画用帯電防止膜に用いられることについては、記載も示唆もされていないから、当業者が動機付けられるとはいえない。
そして、高い導電性を有するという甲３の記載からは、「当該膜より拡散する酸の影響を最小限としてリソグラフィーへの影響を低減し、さらに描画後のＨ２Ｏ又はアルカリ現像液による剥離性にも優れ」るという本件発明１の効果を予測することはできない。
また、【表８】〜【表１１】からは、（Ｄ）水溶性高分子の添加による改善の効果がほとんどないとしても、本件発明１の組成物を「電子線レジスト描画用帯電防止膜」という特定の用途に用いたときに、（水溶性高分子の添加の有無にかかわらず）良好なリソグラフィー結果が得られることは理解することができるし、その効果が甲３から予測できないことは上記ウで述べたとおりである。
そして、甲１、甲２には、ポリアニリン系導電性高分子を含む組成物を「電子線レジスト描画用帯電防止膜」に用いることが記載されているが、これらは甲３発明１の酢酸リチウムを含むものではなく、甲３発明１の組成物を「電子線レジスト描画用帯電防止膜」の用途に用いたときに良好なリソグラフィー結果が得られることを示すものではない。

したがって、申立人の主張は採用することができない。

オ 本件発明１についてのまとめ
以上のとおりであるから、本件発明１は甲３に記載された発明及び甲１、甲２に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではなく、取消理由１及び申立理由３によっては、本件発明１についての特許を取り消すことはできない。

（３）本件発明２〜７について
本件発明２〜７は、いずれも本件発明１を直接又は間接的に引用するものであり、本件発明１が甲３発明１に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものでない以上、本件発明２〜７についても、甲３発明１に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。

（４）本件発明８について
ア 本件発明８と甲３発明２との対比
甲３発明２の「ガラス基板」、「甲３発明１の組成物」、「塗布されて形成された」、「導電体を有する、ガラス基板」は、それぞれ、本件発明８の「被加工体」、「導電性高分子組成物」、「成膜された」、「被覆品」に相当するから、上記（２）アで検討した点を踏まえて、本件発明８と甲３発明２を対比すると、両者は

「被加工体上に導電性高分子組成物が成膜されたものである被覆品であって、
かつ、
前記導電性高分子組成物が、（Ａ）下記一般式（１）で表される繰り返し単位を少なくとも１種類以上有するポリアニリン系導電性高分子、及び（Ｂ）下記一般式（２）で表されるカルボン酸塩、を含むものである導電性高分子組成物である、
被覆品。」（当審注：一般式（１）〜（３）については省略。以下も同様。）
である点において一致し、以下の点で相違する。

＜相違点１−３＞
被加工体が、本件発明８では「化学増幅型レジスト膜を備える基板」であるのに対し、甲３発明２では「ガラス基板」であって、化学増幅型レジスト膜を備えるものではない点

＜相違点１−４＞
導電性高分子組成物が、本件発明１は「更に（Ｄ）水溶性高分子を含有する」ものであるのに対し、甲３発明２はそのような特定がない点

イ 相違点についての判断
相違点１−３について検討すると、「化学増幅型レジスト膜を備える基板」である被加工体上に、導電性高分子組成物を成膜することは、本件明細書の【００３３】〜【００３７】、及び【００４０】の記載からみて、実質的に、その導電性高分子が（電子線による）化学増幅型レジスト描画用の帯電防止膜として用いられることを意味するものと認められる。
そうすると、相違点１−４について検討するまでもなく、上記（２）イにおいて、相違点１−２について述べたのと同様の理由により、甲３発明２において、相違点１−３の構成を採用することは当業者が容易に想到することではない。

ウ 申立人の主張について
申立人は、令和６年２月１４日提出の意見書において、上記（２）エで示したのと同様の主張をしているが、その主張については、上記（２）エで述べたとおり、採用することはできない。

エ 本件発明８についてのまとめ
よって、本件発明８は、甲３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。

（５）本件発明９、１０について
本件発明９、１０は、いずれも本件発明８を直接又は間接的に引用するものであり、本件発明８が甲３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものでない以上、本件発明９、１０についても、甲３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。

（６）本件発明１１について
ア 本件発明１１と甲３発明３との対比
甲３発明３の「ガラス基板」、「甲３発明１の組成物」、「塗布して導電体を形成する」は、それぞれ、本件発明１１の「基板」、「導電性高分子組成物」、「膜を形成する」に相当するから、上記（２）ア、上記（４）アで検討した点を踏まえて、本件発明１１と甲３発明３を対比すると、両者は

「基板上に、導電性高分子組成物を用いて膜を形成する工程を含む方法であって、
前記導電性高分子組成物を、（Ａ）下記一般式（１）で表される繰り返し単位を少なくとも１種類以上有するポリアニリン系導電性高分子、及び（Ｂ）下記一般式（２）で表されるカルボン酸塩、を含むものである導電性高分子組成物とする、方法。」
である点において一致し、以下の点で相違する。

＜相違点１−５＞
本件発明１１では、「基板」が「化学増幅型レジスト膜を備える」ものであり、「膜」が「帯電防止膜」であり、かつ、「方法」が「電子線をパターン照射する工程、及びＨ２Ｏ又はアルカリ性現像液を用いて現像してレジストパターンを得る工程を含むパターン形成方法」であるのに対し、甲３発明３ではそのような特定がない点

＜相違点１−６＞
本件発明１１では、「導電性高分子組成物を、更に（Ｄ）水溶性高分子を含有するもの」とするのに対し、甲３発明３ではそのような特定がない点

イ 相違点についての判断
相違点１−５について検討する。「化学増幅型レジスト膜を備える基板の該レジスト膜上に、導電性高分子組成物を用いて帯電防止膜を形成する工程、電子線をパターン照射する工程、及びＨ２Ｏ又はアルカリ性現像液を用いて現像してレジストパターンを得る工程を含むパターン形成方法」というのは、実質的に、その導電性高分子組成物を用いて化学増幅型レジスト描画用の帯電防止膜を形成することを意味するものと認められる。
そうすると、相違点１−６について検討するまでもなく、上記（２）イにおいて、相違点１−２について述べたのと同様の理由により、甲３発明３において、相違点１−５の構成を採用することは当業者が容易に想到することではない。

ウ 申立人の主張について
申立人は、令和６年２月１４日提出の意見書において、上記（２）エで示したのと同様の主張をしているが、その主張については、上記（２）エで述べたとおり、採用することはできない。

エ 本件発明１１についてのまとめ
よって、本件発明１１は、甲３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。

（７）取消理由１及び申立理由３についてのまとめ
以上のとおりであるから、取消理由１及び申立理由３によっては、本件発明１〜１１についての特許を取り消すことはできない。

２ 申立理由１（甲１による新規性）、申立理由２（甲１による進歩性）について
申立理由１、２は、いずれも甲１を主引用文献とするものであるから、併せて検討する。

（１）甲１に記載された発明
甲１には、
「（ａ）下記一般式（１）及び（２）で表わされる繰り返し単位を有する重量平均分子量１万以上であり常温固体である可溶性アニリン系ポリマ０．０１〜３０重量部及び（ｂ）溶媒１００重量部を含むことを特徴とする電離放射線照射用組成物。
【化１】


（式中、Ｒ1 〜Ｒ4 は電子供与基を表し、Ｙ1 〜Ｙ4 は−ＳＯ3 −又は−ＣＯＯ−を表し、Ｍ1 〜Ｍ4 は水素イオン、アンモニウムイオン、アルキルアンモニウムイオン（炭素数１〜８）、芳香族アンモニウムイオン、又は芳香族複素環の四級イオンを表わす。）」が記載されており（請求項１）、「一般式（１）及び（２）のＹ1 〜Ｙ4 がスルホン基である」こと（請求項３）、「更に、（ｃ）成分としてアンモニア、脂肪族アミン（炭素数１〜８）、芳香族アミン、複素環化合物又はこれらの四級塩を０．０１〜１５重量部含むこと（請求項４）、「更に、成分（ｄ）として（Ａ）酸性基を含有する化合物及び／又は（Ｂ）酸性基を含有する重合体を０．００１〜３０重量部含」み（請求項５）、その「（ｄ）成分の酸性基がスルホン基又はカルボキシル基である」こと（請求項６）も記載されている。
そうすると、請求項６（請求項５において請求項４を引用し、請求項４において請求項１を引用する部分）に記載された発明のうち、Ｙ1 〜Ｙ4がスルホン基（−ＳＯ3 −）であり、成分（ｄ）が「（Ａ）酸性基を含有する化合物」であって、その酸性基が「カルボキシル基」であるものに着目すると、甲１には次の発明が記載されている。

「（ａ）下記一般式（１）及び（２）で表わされる繰り返し単位を有する重量平均分子量１万以上であり常温固体である可溶性アニリン系ポリマ０．０１〜３０重量部及び（ｂ）溶媒１００重量部を含み、更に（ｃ）成分としてアンモニア、脂肪族アミン（炭素数１〜８）、芳香族アミン、複素環化合物又はこれらの四級塩を０．０１〜１５重量部含み、成分（ｄ）として（Ａ）カルボキシル基を含有する化合物を０．００１〜３０重量部含むことを特徴とする電離放射線照射用組成物。
【化１】


（式中、Ｒ1 〜Ｒ4 は電子供与基を表し、Ｙ1 〜Ｙ4 はスルホン基（−ＳＯ3 −）を表し、Ｍ1 〜Ｍ4 は水素イオン、アンモニウムイオン、アルキルアンモニウムイオン（炭素数１〜８）、芳香族アンモニウムイオン、又は芳香族複素環の四級イオンを表わす。）」（以下「甲１発明１」という。）

また、甲１の請求項７には
「被加工物上のレジスト膜上に請求項１〜６のいずれかに記載の電離放射線照射用組成物を塗布してコート膜を形成する工程と、
露光によりパターンを形成するために電離放射線を用いて該被加工物を照射する工程と、
該コート膜の剥離を行なった後レジスト膜を現像してパターンを形成する工程、又は該コート膜の剥離とレジストの現像を同時に行なってパターンを形成する工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法。」
が記載されており、【０００１】には「本発明は、電子線、イオン線などの電離放射線を用いた電離放射線照射用組成物・・・に係る。」と記載されているから、その方法及びコート膜を形成する工程によって得られたものに着目すると、甲１には次の発明も記載されているといえる。

「被加工物上のレジスト膜上に甲１発明１の電離放射線照射用組成物を塗布してコート膜が形成された、露光によりパターンを形成するために電子線などの電離放射線を用いて照射するための積層体。」（以下「甲１発明２」という。）

「被加工物上のレジスト膜上に甲１発明１の電離放射線照射用組成物を塗布してコート膜を形成する工程と、
露光によりパターンを形成するために電子線などの電離放射線を用いて該被加工物を照射する工程と、
該コート膜の剥離を行なった後レジスト膜を現像してパターンを形成する工程、又は該コート膜の剥離とレジストの現像を同時に行なってパターンを形成する工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法。」（以下「甲１発明３」という。）

（２）本件発明１について
ア 対比
本件発明１と甲１発明１を対比する。
甲１発明１の「（ａ）下記一般式（１）及び（２）で表わされる繰り返し単位を有する重量平均分子量１万以上であり常温固体である可溶性アニリン系ポリマ」は、本件発明１の「（Ａ）下記一般式（１）で表される繰り返し単位を少なくとも１種類以上有するポリアニリン系」の「高分子」に相当する。
甲１発明１の「電離放射線照射用組成物」は、（ａ）の可溶性アニリン系ポリマを含むものであるから、本件発明１の「高分子組成物」に相当する。

そうすると、両者は
「（Ａ）下記一般式（１）で表される繰り返し単位を少なくとも１種類以上有するポリアニリン系高分子を含むものである高分子組成物。
【化１】


（式中、Ｒ１〜Ｒ４は、各々独立に、水素原子、酸性基、ヒドロキシ基、ニトロ基、ハロゲン原子、炭素数１〜２４の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、ヘテロ原子を含む炭素数１〜２４の直鎖状、分岐状、環状の炭化水素基、又はハロゲン原子で部分置換された炭素数１〜２４の直鎖状、分岐状、環状の炭化水素基を示す。）」
である点において一致し、以下の３点において相違する。

＜相違点２−１＞
「ポリアニリン系高分子」及び「高分子組成物」が、本件発明１ではそれぞれ「ポリアニリン系導電性高分子」及び「導電性高分子組成物」であるのに対し、甲１発明１では「導電性」であるか否かが不明な点。

＜相違点２−２＞
「高分子組成物」が、本件発明１では「（Ｂ）下記一般式（２）で表されるカルボン酸塩
【化２】


（式中、Ｘ＋はリチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、又は下記一般式（３）で示される窒素化合物を示す。Ｌは単結合又はヘテロ原子が介在してもよい炭素数１〜８の直鎖状、分岐状、環状の飽和又は不飽和の炭化水素鎖を示し、Ｌが単結合の場合にはｎ＝０であり、Ｌが単結合でない場合はｎ＝１である。Ｒ５とＲ６はそれぞれ独立に水素原子、ヘテロ原子、−ＣＯＯ−Ｘ＋基、ヒドロキシル基、ヘテロ原子が介在してもよい炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状、又は環状の１価炭化水素基、又は末端に−ＣＯＯ−Ｘ＋基をもつ炭素数１〜８の直鎖状、分岐状、又は環状の飽和又は不飽和炭化水素基を示す。Ｒ７は水素原子、ヒドロキシル基、又は−ＣＯＯ−Ｘ＋基を示す。）
【化３】



（式中、Ｒ１０１、Ｒ１０２、Ｒ１０３、Ｒ１０４は、それぞれ水素原子、炭素数１〜１２の直鎖状、分岐状、又は環状のアルキル基、アルケニル基、オキソアルキル基、又はオキソアルケニル基、炭素数６〜２０のアリール基、又は炭素数７〜１２のアラルキル基又はアリールオキソアルキル基を示し、これらの基の水素原子の一部又は全部がアルコキシ基によって置換されていてもよい。Ｒ１０１とＲ１０２、Ｒ１０１とＲ１０２とＲ１０４とは環を形成してもよく、環を形成する場合には、Ｒ１０１とＲ１０２及びＲ１０１とＲ１０２とＲ１０４は炭素数３〜１０のアルキレン基、又は式中の窒素原子を環の中に有する複素芳香族環を示す。）」
を含むものであるのに対し、甲１発明１では
「（ｃ）成分としてアンモニア、脂肪族アミン（炭素数１〜８）、芳香族アミン、複素環化合物又はこれらの四級塩を０．０１〜１５重量部含み、成分（ｄ）として（Ａ）カルボキシル基を含有する化合物を０．００１〜３０重量部」を含むものである点

＜相違点２−３＞
「高分子組成物」が、本件発明１では「（Ｄ）水溶性高分子」を含有するものであり、かつ、「下記一般式（２）中のＸ＋が下記一般式（３）で表される窒素化合物であるとき前記（Ｄ）水溶性高分子はポリビニルピロリドン」であるのに対し、甲１発明１ではそのような特定がない点

＜相違点２−４＞
「高分子組成物」が、本件発明１では「電子線レジスト描画用帯電防止膜に用いられる」ものであるのに対し、甲１発明１ではそのような特定がない点

イ 相違点についての判断
事案に鑑み、相違点２−２及び２−３についてまとめて検討する。

甲１発明１において、組成物中に（ｃ）成分であるアンモニア、脂肪族アミン（炭素数１〜８）、芳香族アミン、複素環化合物等と（ｄ）成分である「カルボキシル基を含有する化合物」が存在すると、両者が反応したカルボン酸アミン塩も存在するものと認められる。
そのようなカルボン酸アミン塩は、本件発明１の成分（Ｂ）と実質的に区別することはできないし、たとえそうでないとしても、甲１の【００３５】に記載されているカルボキシル基を含有する化合物の具体例、例えば安息香酸と、甲１の【００２７】〜【００３３】に記載されている（ｃ）成分の具体例、例えばアンモニア、炭素数１〜８の脂肪族アミン、アニリン（芳香族アミン）、ピペリジン（複素環化合物）等が反応すれば、本件発明１の成分（Ｂ）になることは明らかである。

そうすると、甲１発明１の（ｃ）成分であるアンモニア、脂肪族アミン（炭素数１〜８）、芳香族アミン、複素環化合物等と（ｄ）成分である「カルボキシル基を含有する化合物」の反応生成物であるカルボン酸アミン塩が、本件発明１の成分（Ｂ）に相当するところ、そのカルボン酸アミン塩は、本件発明１でいう「一般式（２）中のＸ＋が下記一般式（３）で示される窒素化合物であるとき」に相当するものであるから、相違点２−３は、「高分子組成物」が、本件発明１では「（Ｄ）ポリビニルピロリドン」を含有するものであるのに対し、甲１発明１はそのような特定がない点、と言い換えることができる。

そこで検討すると、甲１の【００４３】には、「本発明に用いられる組成物にバインダポリマを用いることができる。具体的には水溶性高分子化合物および水系でエマルジョンを形成する高分子化合物が好ましく用いられる。水溶性高分子の具体例としては、ポリビニルアルコール、ポリビニルホルマール、・・・ポリビニルピロリドン類・・・などが挙げられる。」と記載されているが、ポリビニルピロリドン類を積極的に採用する記載はなく、ポリビニルピロリドンを配合した実施例の記載もない。
したがって、相違点２−３は実質的な相違点であるといえるから、本件発明１は甲１に記載された発明ではない。

そして、本件明細書の【００６７】に、
「このような水溶性高分子としては、親水性繰り返し単位のホモポリマーまたはコポリマーが望ましい。また、このような親水性繰り返し単位は重合性官能基にビニル基をもったものが好ましく、さらには（Ａ）の成分から発生する酸の拡散を制御する意味でも分子内に窒素原子を含む化合物であることが好ましい。このとき、分子内窒素原子が求核性を持たなければ、前述の様にレジスト組成物中のレジストポリマーや酸発生剤に含まれるエステル基などの被求核攻撃官能基への副反応が生じるおそれがないのでより好ましい。そのため、上記繰り返し単位としては、アクリルアミド類などの様に末端に窒素原子をもつものよりも含窒素複素環状化合物が望ましい。また、その時、窒素原子は環状構造の主鎖を形成するビニル基に結合しているものがより好ましい。このような繰り返し単位としては、Ｎ−ビニル−２−ピロリドン、Ｎ−ビニルカプロラクタム等が挙げられる。」
と記載されるように、水溶性高分子として「ポリビニルピロリドン」を用いることの技術上の意義は、単に「基板等の被加工体へ成膜した際の膜の均一性を向上する」という、一般的な水溶性高分子の役割に加えて、「（Ａ）の成分から発生する酸の拡散制御」し、「レジスト組成物中のレジストポリマーや酸発生剤に含まれるエステル基などの被求核攻撃官能基への副反応」が生じないようにすることであると認められ、このことは、本件明細書の【表３】においても、水溶性高分子として「ポリビニルピロリドン」を用いた実施例２７〜３９が、水溶性高分子を含まない実施例１〜２６と比較して膜減り変化率が少なくなっていることによっても理解することができる。
一方、甲１には、ポリビニルピロリドンが単に多数の水溶性高分子化合物と共に列挙されているだけで実施例の記載もなく、本件発明１のような観点からポリビニルピロリドンを採用する動機付けはない。

また、甲２は、甲１と同様に、「レジスト層の表面に、導電性組成物を塗布して帯電防止膜を形成する」（請求項１）技術に関するものであり、その導電性組成物が「水溶性ポリマー（ｃ）」（請求項１１）を含むものであるところ、その【００７１】には、「水溶性ポリマー（ｃ）の含有量が前記範囲の下限値以上であれば、界面活性剤としての効果（すなわち、塗布性の向上効果など）が十分に得られる。」と記載されており、水溶性ポリマーを配合することで、導電性組成物の塗布性が向上することが記載されており、水溶性ポリマーを構成するビニルモノマーの例として「Ｎ−ビニル−２−ピロリドン」も記載されている（【００６５】）が、水溶性ポリマーとしてＮ−ビニル−２−ピロリドンを含んでいても、（甲１発明１のように）甲２の請求項１１で特定される特定の塩基性化合物を含まない場合には、レジスト製造時の減膜率が大きく、評価が劣ることが示されている（比較例２〜５）。
よって、甲２の記載からポリビニルピロリドンのみを取り出して、それを甲１発明１に適用することが動機付けられるとはいえない。

よって、相違点２−１及び２−４について検討するまでもなく、甲１発明１において、相違点２−３に係る構成を採用することは当業者が容易に想到することではない。

ウ 本件発明１の効果について
本件発明１の組成物は、本件発明１の構成を有することによって、「濾過性ならびに電子線レジスト上への平坦膜の成膜性が良好で、低体積抵抗率（Ω・ｃｍ）の性質により電子線描画工程においても優良な耐電防止能を示し、かつ、当該膜より拡散する酸の影響を最小限としてリソグラフィーへの影響を低減し、さらに描画後のＨ２Ｏ又はアルカリ現像液による剥離性にも優れ」る（本件明細書の【００１７】）という顕著な効果を奏するものであり、このことは、本件明細書の【表２】〜【表１１】の記載からも理解できることである。
そして、上記効果のうち、特に「当該膜より拡散する酸の影響を最小限としてリソグラフィーへの影響を低減」するという効果は、ポリビニルピロリドンが単に多数の水溶性高分子化合物と共に列挙されているだけで実施例の記載もない甲１や、水溶性ポリマーとしてＮ−ビニル−２−ピロリドンを含んでいても、甲２の請求項１１で特定される特定の塩基性化合物を含まない場合には、レジスト製造時の減膜率が大きく、評価が劣ることしか示されていない甲２からは、当業者が予測できることではない。

エ 申立人の主張について
申立人は、相違点２−３に関連して、甲１の【００４２】に水溶性高分子化合物が用いられることが記載されていることを主張しているが（申立書１３頁項目（ウ）及び１４頁項目イ（ア））、この点は上記イで述べたとおりである。

オ 本件発明１についてのまとめ
よって、本件発明１は甲１に記載された発明であるとも、また、甲１、甲２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるともいえない。

（３）本件発明２〜７について
本件発明２〜７は、いずれも本件発明１を直接又は間接的に引用するものであり、本件発明１が甲１に記載された発明であるとも、また、甲１、甲２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるともいえない以上、本件発明２、４、７は甲１に記載された発明であるとはいえないし、本件発明２〜７は甲１、甲２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。

（４）本件発明８について
ア 本件発明８と甲１発明２との対比
甲１発明２の「被加工物上のレジスト膜」、「電離放射線照射用組成物を塗布してコート膜が形成された」、「積層体」は、それぞれ本件発明８の「化学増幅型レジスト膜を備える基板」である「被加工体」、「高分子組成物が成膜された」、「被覆品」に相当する。なお、甲１発明３の「レジスト膜」が直ちに「化学増幅型レジスト膜」とはいえないとしても、甲１の実施例１では「ポジ型化学増幅レジスト」が用いられているから、この点は実質的な相違点とはいえない。
したがって、上記（２）アで検討した点も考慮すると、本件発明８と甲１発明２とは、

「被加工体上に高分子組成物が成膜されたものである被覆品であって、
前記被加工体は、化学増幅型レジスト膜を備える基板であり、かつ、
前記導電性高分子組成物が、（Ａ）下記一般式（１）で表される繰り返し単位を少なくとも１種類以上有するポリアニリン系高分子を含むものである高分子組成物である、
被覆品。」
である点において一致し、以下の点で相違する。

＜相違点２−５＞
「ポリアニリン系高分子」及び「高分子組成物」が、本件発明１ではそれぞれ「ポリアニリン系導電性高分子」及び「導電性高分子組成物」であるのに対し、甲１発明２では「導電性」であるか否かが不明な点。

＜相違点２−６＞
「高分子組成物」が、本件発明１では「（Ｂ）下記一般式（２）で表されるカルボン酸塩
【化５】


（式中、Ｘ＋はリチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、又は下記一般式（３）で示される窒素化合物を示す。Ｌは単結合又はヘテロ原子が介在してもよい炭素数１〜８の直鎖状、分岐状、環状の飽和又は不飽和の炭化水素鎖を示し、Ｌが単結合の場合にはｎ＝０であり、Ｌが単結合でない場合はｎ＝１である。Ｒ５とＲ６はそれぞれ独立に水素原子、ヘテロ原子、−ＣＯＯ−Ｘ＋基、ヒドロキシル基、ヘテロ原子が介在してもよい炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状、又は環状の１価炭化水素基、又は末端に−ＣＯＯ−Ｘ＋基をもつ炭素数１〜８の直鎖状、分岐状、又は環状の飽和又は不飽和炭化水素基を示す。Ｒ７は水素原子、ヒドロキシル基、又は−ＣＯＯ−Ｘ＋基を示す。）
【化６】



（式中、Ｒ１０１、Ｒ１０２、Ｒ１０３、Ｒ１０４は、それぞれ水素原子、炭素数１〜１２の直鎖状、分岐状、又は環状のアルキル基、アルケニル基、オキソアルキル基、又はオキソアルケニル基、炭素数６〜２０のアリール基、又は炭素数７〜１２のアラルキル基又はアリールオキソアルキル基を示し、これらの基の水素原子の一部又は全部がアルコキシ基によって置換されていてもよい。Ｒ１０１とＲ１０２、Ｒ１０１とＲ１０２とＲ１０４とは環を形成してもよく、環を形成する場合には、Ｒ１０１とＲ１０２及びＲ１０１とＲ１０２とＲ１０４は炭素数３〜１０のアルキレン基、又は式中の窒素原子を環の中に有する複素芳香族環を示す。）」
を含むものであるのに対し、甲１発明２では
「（ｃ）成分としてアンモニア、脂肪族アミン（炭素数１〜８）、芳香族アミン、複素環化合物又はこれらの四級塩を０．０１〜１５重量部含み、成分（ｄ）として（Ａ）カルボキシル基を含有する化合物を０．００１〜３０重量部」を含むものである点

＜相違点２−７＞
「高分子組成物」が、本件発明８では「（Ｄ）水溶性高分子」を含有するものであり、かつ、「下記一般式（２）中のＸ＋が下記一般式（３）で表される窒素化合物であるとき前記（Ｄ）水溶性高分子はポリビニルピロリドン」であるのに対し、甲１発明３ではそのような特定がない点

イ 相違点についての判断
相違点２−５〜２−７は、上記（２）アで示した相違点２−１〜２−３と同じであり、上記（２）イで示したのと同様の理由により、相違点２−７は実質的な相違点であり、また、甲１、甲２の記載に基づいて当業者が容易に想到することではない。

ウ 本件発明８についてのまとめ
よって、本件発明８は、甲１に記載された発明であるとも、また甲１、甲２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものでもない。

（５）本件発明９、１０について
本件発明９、１０は、いずれも本件発明８を直接又は間接的に引用するものであり、本件発明８が甲１に記載された発明であるとも、また甲１、甲２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものでもない以上、本件発明９は甲１に記載された発明であるとはいえないし、本件発明９、１０は甲１、甲２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものでもない。

（６）本件発明１１について
ア 本件発明１１と甲１発明３との対比
甲１発明３の「被加工物上のレジスト膜上」は、上記（４）アで指摘した点も考慮すると、本件発明１１の「化学増幅型レジスト膜を備える基板の該レジスト膜上」に相当する。
甲１発明３の「甲１発明１の電離放射線照射用組成物を塗布してコート膜を形成する」は、本件発明１１の「高分子組成物を用いて」「膜を形成する」に相当する。
甲１発明３の「露光によりパターンを形成するために電子線などの電離放射線を用いて該被加工物を照射する工程」は、本件発明１１の「電子線をパターン照射する工程」に相当する。
甲１発明３の「レジスト膜を現像してパターンを形成する工程、又は該コート膜の剥離とレジストの現像を同時に行なってパターンを形成する工程」は、甲１の実施例１においてアルカリ性現像液である「テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液」が用いられていることから、本件発明１１の「Ｈ２Ｏ又はアルカリ性現像液を用いて現像してレジストパターンを得る工程」に相当する。

したがって、上記（２）アで検討した点も考慮すると、両者は
「化学増幅型レジスト膜を備える基板の該レジスト膜上に、高分子組成物を用いて膜を形成する工程、電子線をパターン照射する工程、及びＨ２Ｏ又はアルカリ性現像液を用いて現像してレジストパターンを得る工程を含むパターン形成方法であって、
前記高分子組成物を、（Ａ）下記一般式（１）で表される繰り返し単位を少なくとも１種類以上有するポリアニリン系高分子を含むものである高分子組成物とすることを特徴とするパターン形成方法。」
である点において一致し、以下の点で相違する。

＜相違点２−８＞
「ポリアニリン系高分子」、「高分子組成物」、及び（高分子組成物によって形成される）「膜」が、本件発明１１ではそれぞれ「ポリアニリン系導電性高分子」、「導電性高分子組成物」、「帯電防止膜」であるのに対し、甲１発明３では「導電性」又は「帯電防止」であるか否かが不明な点。

＜相違点２−９＞
「高分子組成物」が、本件発明１１では「（Ｂ）下記一般式（２）で表されるカルボン酸塩
【化７】


（式中、Ｘ＋はリチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、又は下記一般式（３）で示される窒素化合物を示す。Ｌは単結合又はヘテロ原子が介在してもよい炭素数１〜８の直鎖状、分岐状、環状の飽和又は不飽和の炭化水素鎖を示し、Ｌが単結合の場合にはｎ＝０であり、Ｌが単結合でない場合はｎ＝１である。Ｒ５とＲ６はそれぞれ独立に水素原子、ヘテロ原子、−ＣＯＯ−Ｘ＋基、ヒドロキシル基、ヘテロ原子が介在してもよい炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状、又は環状の１価炭化水素基、又は末端に−ＣＯＯ−Ｘ＋基をもつ炭素数１〜８の直鎖状、分岐状、又は環状の飽和又は不飽和炭化水素基を示す。Ｒ７は水素原子、ヒドロキシル基、又は−ＣＯＯ−Ｘ＋基を示す。）
【化８】



（式中、Ｒ１０１、Ｒ１０２、Ｒ１０３、Ｒ１０４は、それぞれ水素原子、炭素数１〜１２の直鎖状、分岐状、又は環状のアルキル基、アルケニル基、オキソアルキル基、又はオキソアルケニル基、炭素数６〜２０のアリール基、又は炭素数７〜１２のアラルキル基又はアリールオキソアルキル基を示し、これらの基の水素原子の一部又は全部がアルコキシ基によって置換されていてもよい。Ｒ１０１とＲ１０２、Ｒ１０１とＲ１０２とＲ１０４とは環を形成してもよく、環を形成する場合には、Ｒ１０１とＲ１０２及びＲ１０１とＲ１０２とＲ１０４は炭素数３〜１０のアルキレン基、又は式中の窒素原子を環の中に有する複素芳香族環を示す。）」
を含むものであるのに対し、甲１発明３では
「（ｃ）成分としてアンモニア、脂肪族アミン（炭素数１〜８）、芳香族アミン、複素環化合物又はこれらの四級塩を０．０１〜１５重量部含み、成分（ｄ）として（Ａ）カルボキシル基を含有する化合物を０．００１〜３０重量部」を含むものである点

＜相違点２−１０＞
「高分子組成物」が、本件発明１１では「（Ｄ）水溶性高分子」を含有するものであり、かつ、「下記一般式（２）中のＸ＋を下記一般式（３）で表される窒素化合物とするとき前記（Ｄ）水溶性高分子をポリビニルピロリドン」とするのに対し、甲１発明３ではそのような特定がない点

イ 相違点についての判断
相違点２−１０は、上記（２）アで示した相違点２−３と実質的に同じであるから、上記（２）イで示したのと同様の理由により、相違点２−８、２−９について検討するまでもなく、相違点２−１０は実質的な相違点であり、また、甲１、甲２の記載に基づいて当業者が容易に想到することでもない。

ウ 本件発明１１についてのまとめ
よって、本件発明１１は、甲１に記載された発明であるとも、また甲１、甲２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものでもない。

３ 申立理由４（サポート要件違反）について
（１）サポート要件の考え方
特許請求の範囲の記載が、サポート要件に適合するか否かは、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載とを対比し、特許請求の範囲に記載された発明が、発明の詳細な説明に記載された発明で、発明の詳細な説明の記載により当業者が当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであるか否か、また、その記載や示唆がなくとも当業者が出願時の技術常識に照らし当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであるか否かを検討して判断すべきものである（知財高裁、平成１７年（行ケ）１００４２号判決参照）。

（２）本件発明が解決しようとする課題
本件発明が解決しようとする課題は、本件明細書の【００１７】の記載からみて、「濾過性ならびに電子線レジスト上への平坦膜の成膜性が良好で、低体積抵抗率（Ω・ｃｍ）の性質により電子線描画工程においても優良な帯電防止能を示し、かつ、当該膜より拡散する酸の影響を最小限としてリソグラフィーへの影響を低減し、さらに描画後のＨ２Ｏ又はアルカリ性現像液による剥離性にも優れた電子線レジスト描画用帯電防止膜に好適に用いることができる導電性高分子組成物を提供すること」であると認められる。

（３）サポート要件の判断
本件発明１では、「下記一般式（２）中のＸ＋が下記一般式（３）で示される窒素化合物であるとき前記（Ｄ）水溶性高分子はポリビニルピロリドンであり」と規定されており、本件発明２〜１１においても同様である。
すなわち、本件発明においては、「下記一般式（２）中のＸ＋が下記一般式（３）で示される窒素化合物」でない場合には、（Ｄ）水溶性高分子はポリビニルピロリドンに限られるものではない。
そこで、このような本件発明が、上記（２）で示した本件発明の課題を解決できるといえるかどうか、検討する。

本件明細書には、次の記載がある。
「【００４９】
本発明者らは、上記課題について鋭意検討した結果、一般式（１）で表される繰り返し単位を含む（Ａ）成分のポリアニリン系導電性高分子と、一般式（２）で表される（Ｂ）成分のカルボン酸塩を含む組成物を電子線レジストへの電子線照射時のレジスト上に塗布することにより、成膜性、膜質および膜平坦性が良好で、低い表面抵抗率（Ω／□）即ち高導電率を示し、Ｈ２Ｏ又はアルカリ性水溶液による剥離性が良好で、かつ（Ａ）成分から発生する酸のレジストへの拡散が制御された膜帯電防止膜を形成することを見出した。
【００５０】
また、上記導電性高分子分散液に（Ｃ）ノニオン系界面活性剤および（Ｄ）水溶性高分子あるいはいずれか一方を添加することで、一般式（１）で表される繰り返し単位を含む（Ａ）成分のポリアニリン系導電性高分子と、一般式（２）で表される（Ｂ）成分のカルボン酸塩を含む組成物の被加工体表面への濡れ性がさらに良好となって成膜性が向上し、膜均質性も向上することを見出した。」

上記記載からみて、（Ａ）成分のポリアニリン系導電性高分子と、（Ｂ）成分のカルボン酸塩を含むことで、本件発明の課題である「成膜性が良好」、「低体積抵抗率（Ω・ｃｍ）の性質により電子線描画工程においても優良な帯電防止能を示し」、「膜より拡散する酸の影響を最小限としてリソグラフィーへの影響を低減し」、「描画後のＨ２Ｏ又はアルカリ性現像液による剥離性にも優れた」電子線レジスト描画用帯電防止膜となり、さらに（Ｄ）成分の水溶性高分子を含むことで、組成物の被加工体表面への濡れ性がさらに良好になり、より成膜性や膜均質性が向上することが理解できる。

そして、本件明細書の実施例及び比較例の結果、特に【表２】〜【表１１】の結果からも、上記の事項を具体的に理解することができる。
これらの結果から、（Ａ）成分と（Ｂ）成分を含んでいれば、本件発明の課題を解決できることを当業者は認識することができるといえる。

そうすると、（Ａ）成分と（Ｂ）成分を含んでいれば、本件発明の課題を解決することができるのであるから、本件発明において、（Ｄ）成分が必ずしもポリビニルピロリドンに限られないとしても、当業者は本件発明の課題を解決できると認識できるといえる。

なお、仮に、（Ｄ）水溶性高分子化合物が必須とされた本件発明においては、本件発明の課題である「描画後のＨ２Ｏ又はアルカリ性現像液による剥離性にも優れた」の「剥離性」が、【表２】の実施例２７〜３８に示されるような高い水洗剥離性（評価が「◎」）を意味するものであるとしても、水溶性高分子化合物は水に溶解するものであるから、そのようなものが含まれていれば、「ポリビニルピロリドン」でなくても高い水洗剥離性が得られることは当業者が予測できることであり、当業者は本件発明の要件を満たすものが本件発明の課題を解決できると認識するといえる。

よって、本件発明１〜１１は、当業者が本件発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであるから、発明の詳細な説明に記載したものであり、特許請求の範囲の記載は特許法第36条第6項第1号に規定される要件を満たすものである。

（４）申立人の主張について
申立人は、本件明細書の【００６７】に以下のとおり記載され、かつ、実施例２７〜３９において（Ｄ）成分としてポリビニルピロリドンを含むものが、それを含まないものに比して、水洗剥離性、膜減り変化率に優れることが看取できるから、（Ｄ）成分として、本件発明の課題を解決していると理解し得るのは、【００６７】において望ましいとされている、複素環を構成する窒素原子がビニル基に結合している化合物であるポリビニルピロリドンのみであり、他の官能基を有する水溶性高分子を含む場合であっても同様に課題を解決し得るものと認識することはできないことを主張する。
「【００６７】
（水溶性高分子）
また、本発明では、基板等の被加工体へ成膜した際の膜の均質性を向上するために、更に（Ｄ）水溶性高分子を添加してもよい。このような水溶性高分子としては、親水性繰り返し単位のホモポリマーまたはコポリマーが望ましい。また、このような親水性繰り返し単位は重合性官能基にビニル基をもったものが好ましく、さらには（Ａ）の成分から発生する酸の拡散を制御する意味でも分子内に窒素原子を含む化合物であることが好ましい。このとき、分子内窒素原子が求核性を持たなければ、前述の様にレジスト組成物中のレジストポリマーや酸発生剤に含まれるエステル基などの被求核攻撃官能基への副反応が生じるおそれがないのでより好ましい。そのため、上記繰り返し単位としては、アクリルアミド類などの様に末端に窒素原子をもつものよりも含窒素複素環状化合物が望ましい。また、その時、窒素原子は環状構造の主鎖を形成するビニル基に結合しているものがより好ましい。このような繰り返し単位としては、Ｎ−ビニル−２−ピロリドン、Ｎ−ビニルカプロラクタム等が挙げられる。」

しかし、【００６７】の記載は、「基板等の被加工体へ成膜した際の膜の均質性を向上するため」に水溶性高分子が添加されるが、その中でも、「（Ａ）の成分から発生する酸の拡散を制御する」ことや、「レジスト組成物中のレジストポリマーや酸発生剤に含まれるエステル基などの被求核攻撃官能基への副反応が生じるおそれがない」ことから、Ｎ−ビニル−２−ピロリドン等の、環状構造の主鎖を形成するビニル基に窒素原子が結合した含窒素環状化合物がより好ましいことをいうものにすぎず、水溶性高分子であれば少なくとも「基板等の被加工体へ成膜した際の膜の均質性を向上する」ことはできると認められるから、【００６７】の記載により、本件発明が上記課題を解決できないとはいえない。
また、本件明細書の【表３】では「膜減り変化率」が測定され、それは「導電性高分子膜からレジスト膜への酸の拡散」や「添加剤のレジスト膜への拡散」の影響に関するものであるところ（【０１６７】）、その結果によれば、水溶性高分子としてポリビニルピロリドンを配合した実施例２７〜３９において膜減り変化率がより小さくなっており良好な結果が示されているものの、ポリビニルピロリドンを配合していない実施例１〜１３においても、比較例１〜９よりは膜減り変化率が少なくなっており、本件発明の課題を解決できることが示されているから、特に（Ｄ）水溶性高分子としてポリビニルピロリドンを用いることが本件発明の課題の解決に必須であるとまではいえない。

よって、申立人の主張は採用することができない。

（５）申立理由４についてのまとめ
以上のとおりであるから、申立理由４によっては本件発明１〜１１についての特許を取り消すことはできない。

第６ むすび
上記第５のとおり、本件特許の請求項１〜１１に係る特許は、当審が取消理由通知（決定の予告）で通知した取消理由及び申立書に記載した申立ての理由によっては、取り消すことはできない。
また、他に本件特許の請求項１〜１１に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。

よって、結論のとおり決定する。

 
発明の名称 （５７）【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）下記一般式（１）で表される繰り返し単位を少なくとも１種類以上有するポリアニリン系導電性高分子、及び（Ｂ）下記一般式（２）で表されるカルボン酸塩、を含むものである導電性高分子組成物であって、
前記導電性高分子組成物が、更に（Ｄ）水溶性高分子を含有するものであり、かつ、
下記一般式（２）中のＸ＋が下記一般式（３）で示される窒素化合物であるとき前記（Ｄ）水溶性高分子はポリビニルピロリドンであり、
前記導電性高分子組成物は、電子線レジスト描画用帯電防止膜に用いられるものであることを特徴とする導電性高分子組成物。
【化１】

（式中、Ｒ１〜Ｒ４は、各々独立に、水素原子、酸性基、ヒドロキシ基、ニトロ基、ハロゲン原子、炭素数１〜２４の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、ヘテロ原子を含む炭素数１〜２４の直鎖状、分岐状、環状の炭化水素基、又はハロゲン原子で部分置換された炭素数１〜２４の直鎖状、分岐状、環状の炭化水素基を示す。）
【化２】

（式中、Ｘ＋はリチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、又は下記一般式（３）で示される窒素化合物を示す。Ｌは単結合又はヘテロ原子が介在してもよい炭素数１〜８の直鎖状、分岐状、環状の飽和又は不飽和の炭化水素鎖を示し、Ｌが単結合の場合にはｎ＝０であり、Ｌが単結合でない場合はｎ＝１である。Ｒ５とＲ６はそれぞれ独立に水素原子、ヘテロ原子、−ＣＯＯ−Ｘ＋基、ヒドロキシル基、ヘテロ原子が介在してもよい炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状、又は環状の１価炭化水素基、又は末端に−ＣＯＯ−Ｘ＋基をもつ炭素数１〜８の直鎖状、分岐状、又は環状の飽和又は不飽和炭化水素基を示す。Ｒ７は水素原子、ヒドロキシル基、又は−ＣＯＯ−Ｘ＋基を示す。）
【化３】

（式中、Ｒ１０１、Ｒ１０２、Ｒ１０３、Ｒ１０４は、それぞれ水素原子、炭素数１〜１２の直鎖状、分岐状、又は環状のアルキル基、アルケニル基、オキソアルキル基、又はオキソアルケニル基、炭素数６〜２０のアリール基、又は炭素数７〜１２のアラルキル基又はアリールオキソアルキル基を示し、これらの基の水素原子の一部又は全部がアルコキシ基によって置換されていてもよい。Ｒ１０１とＲ１０２、Ｒ１０１とＲ１０２とＲ１０４とは環を形成してもよく、環を形成する場合には、Ｒ１０１とＲ１０２及びＲ１０１とＲ１０２とＲ１０４は炭素数３〜１０のアルキレン基、又は式中の窒素原子を環の中に有する複素芳香族環を示す。）
【請求項２】
前記酸性基がスルホ基であることを特徴とする請求項１に記載の導電性高分子組成物。
【請求項３】
前記（Ｂ）成分の含有量が、前記（Ａ）成分１００質量部に対して、１質量部から７０質量部であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の導電性高分子組成物。
【請求項４】
前記導電性高分子組成物が、更に（Ｃ）ノニオン系界面活性剤を含有するものであることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の導電性高分子組成物。
【請求項５】
前記（Ｃ）成分の含有量が、前記（Ａ）成分１００質量部に対して、０．１質量部から１０質量部であることを特徴とする請求項４に記載の導電性高分子組成物。
【請求項６】
前記（Ｄ）成分の含有量が、前記（Ａ）成分１００質量部に対して、３０質量部から１５０質量部であることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の導電性高分子組成物。
【請求項７】
被加工体上に請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の導電性高分子組成物が成膜されたものであることを特徴とする被覆品。
【請求項８】
被加工体上に導電性高分子組成物が成膜されたものである被覆品であって、
前記被加工体は、化学増幅型レジスト膜を備える基板であり、かつ、
前記導電性高分子組成物が、（Ａ）下記一般式（１）で表される繰り返し単位を少なくとも１種類以上有するポリアニリン系導電性高分子、及び（Ｂ）下記一般式（２）で表されるカルボン酸塩、を含むものである導電性高分子組成物であって、
前記導電性高分子組成物が、更に（Ｄ）水溶性高分子を含有するものであり、かつ、
下記一般式（２）中のＸ＋が下記一般式（３）で示される窒素化合物であるとき前記（Ｄ）水溶性高分子はポリビニルピロリドンであることを特徴とする被覆品。
【化４】

（式中、Ｒ１〜Ｒ４は、各々独立に、水素原子、酸性基、ヒドロキシ基、ニトロ基、ハロゲン原子、炭素数１〜２４の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、ヘテロ原子を含む炭素数１〜２４の直鎖状、分岐状、環状の炭化水素基、又はハロゲン原子で部分置換された炭素数１〜２４の直鎖状、分岐状、環状の炭化水素基を示す。）
【化５】

（式中、Ｘ＋はリチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、又は下記一般式（３）で示される窒素化合物を示す。Ｌは単結合又はヘテロ原子が介在してもよい炭素数１〜８の直鎖状、分岐状、環状の飽和又は不飽和の炭化水素鎖を示し、Ｌが単結合の場合にはｎ＝０であり、Ｌが単結合でない場合はｎ＝１である。Ｒ５とＲ６はそれぞれ独立に水素原子、ヘテロ原子、−ＣＯＯ−Ｘ＋基、ヒドロキシル基、ヘテロ原子が介在してもよい炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状、又は環状の１価炭化水素基、又は末端に−ＣＯＯ−Ｘ＋基をもつ炭素数１〜８の直鎖状、分岐状、又は環状の飽和又は不飽和炭化水素基を示す。Ｒ７は水素原子、ヒドロキシル基、又は−ＣＯＯ−Ｘ＋基を示す。）
【化６】

（式中、Ｒ１０１、Ｒ１０２、Ｒ１０３、Ｒ１０４は、それぞれ水素原子、炭素数１〜１２の直鎖状、分岐状、又は環状のアルキル基、アルケニル基、オキソアルキル基、又はオキソアルケニル基、炭素数６〜２０のアリール基、又は炭素数７〜１２のアラルキル基又はアリールオキソアルキル基を示し、これらの基の水素原子の一部又は全部がアルコキシ基によって置換されていてもよい。Ｒ１０１とＲ１０２、Ｒ１０１とＲ１０２とＲ１０４とは環を形成してもよく、環を形成する場合には、Ｒ１０１とＲ１０２及びＲ１０１とＲ１０２とＲ１０４は炭素数３〜１０のアルキレン基、又は式中の窒素原子を環の中に有する複素芳香族環を示す。）
【請求項９】
前記被加工体は、電子線をパターン照射してレジストパターンを得るための基板であることを特徴とする請求項８に記載の被覆品。
【請求項１０】
前記被加工体は、２０μＣ／ｃｍ２以上の感度をもつ化学増幅型電子線レジスト膜を備える基板であることを特徴とする請求項８又は請求項９に記載の被覆品。
【請求項１１】
化学増幅型レジスト膜を備える基板の該レジスト膜上に、導電性高分子組成物を用いて帯電防止膜を形成する工程、電子線をパターン照射する工程、及びＨ２O又はアルカリ性現像液を用いて現像してレジストパターンを得る工程を含むパターン形成方法であって、
前記導電性高分子組成物を、（Ａ）下記一般式（１）で表される繰り返し単位を少なくとも１種類以上有するポリアニリン系導電性高分子、及び（Ｂ）下記一般式（２）で表されるカルボン酸塩、を含むものである導電性高分子組成物とし、
前記導電性高分子組成物を、更に（Ｄ）水溶性高分子を含有するものとし、かつ、
下記一般式（２）中のＸ＋を下記一般式（３）で示される窒素化合物とするとき前記（Ｄ）水溶性高分子をポリビニルピロリドンとすることを特徴とするパターン形成方法。
【化７】

（式中、Ｒ１〜Ｒ４は、各々独立に、水素原子、酸性基、ヒドロキシ基、ニトロ基、ハロゲン原子、炭素数１〜２４の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、ヘテロ原子を含む炭素数１〜２４の直鎖状、分岐状、環状の炭化水素基、又はハロゲン原子で部分置換された炭素数１〜２４の直鎖状、分岐状、環状の炭化水素基を示す。）
【化８】

（式中、Ｘ＋はリチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、又は下記一般式（３）で示される窒素化合物を示す。Ｌは単結合又はヘテロ原子が介在してもよい炭素数１〜８の直鎖状、分岐状、環状の飽和又は不飽和の炭化水素鎖を示し、Ｌが単結合の場合にはｎ＝０であり、Ｌが単結合でない場合はｎ＝１である。Ｒ５とＲ６はそれぞれ独立に水素原子、ヘテロ原子、−ＣＯＯ−Ｘ＋基、ヒドロキシル基、ヘテロ原子が介在してもよい炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状、又は環状の１価炭化水素基、又は末端に−ＣＯＯ−Ｘ＋基をもつ炭素数１〜８の直鎖状、分岐状、又は環状の飽和又は不飽和炭化水素基を示す。Ｒ７は水素原子、ヒドロキシル基、又は−ＣＯＯ−Ｘ＋基を示す。）
【化９】

（式中、Ｒ１０１、Ｒ１０２、Ｒ１０３、Ｒ１０４は、それぞれ水素原子、炭素数１〜１２の直鎖状、分岐状、又は環状のアルキル基、アルケニル基、オキソアルキル基、又はオキソアルケニル基、炭素数６〜２０のアリール基、又は炭素数７〜１２のアラルキル基又はアリールオキソアルキル基を示し、これらの基の水素原子の一部又は全部がアルコキシ基によって置換されていてもよい。Ｒ１０１とＲ１０２、Ｒ１０１とＲ１０２とＲ１０４とは環を形成してもよく、環を形成する場合には、Ｒ１０１とＲ１０２及びＲ１０１とＲ１０２とＲ１０４は炭素数３〜１０のアルキレン基、又は式中の窒素原子を環の中に有する複素芳香族環を示す。）
 
訂正の要旨 審決（決定）の【理由】欄参照。
異議決定日 2024-05-20 
出願番号 P2019-043968
審決分類 P 1 651・ 113- YAA (C08L)
P 1 651・ 121- YAA (C08L)
P 1 651・ 537- YAA (C08L)
最終処分 07   維持
特許庁審判長 細井 龍史
特許庁審判官 松本 直子
小出 直也
登録日 2022-07-20 
登録番号 7108565
権利者 信越化学工業株式会社
発明の名称 導電性高分子組成物、被覆品、及びパターン形成方法  
代理人 好宮 幹夫  
代理人 小林 俊弘  
代理人 好宮 幹夫  
代理人 小林 俊弘  

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