ポートフォリオを新規に作成して保存 |
|
|
既存のポートフォリオに追加保存 |
|
PDFをダウンロード |
審決分類 |
審判 査定不服 2項進歩性 特許、登録しない。 G03F 審判 査定不服 5項独立特許用件 特許、登録しない。 G03F |
---|---|
管理番号 | 1281866 |
審判番号 | 不服2012-23770 |
総通号数 | 169 |
発行国 | 日本国特許庁(JP) |
公報種別 | 特許審決公報 |
発行日 | 2014-01-31 |
種別 | 拒絶査定不服の審決 |
審判請求日 | 2012-11-30 |
確定日 | 2013-11-21 |
事件の表示 | 特願2005-376072「階調マスクの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成19年 7月12日出願公開、特開2007-178649〕について、次のとおり審決する。 |
結論 | 本件審判の請求は、成り立たない。 |
理由 |
第1 手続の経緯 本願は、平成17年12月27日の出願であって、平成23年3月30日付けで拒絶理由が通知され、同年5月31日付けで意見書が提出されるとともに、同日付けで手続補正書が提出され、さらに、同年8月29日付けで拒絶理由(最後)が通知され、同年11月4日付けで意見書が提出され、平成24年3月30日付けで拒絶理由(最後)が通知され、同年6月1日付けで意見書が提出され、その後、同年8月31日付けで拒絶査定がなされた。本件は、これに対して、同年11月30日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同時に手続補正がなされたものである。 その後、平成25年4月11日付けで、審判請求人に前置報告の内容を示し意見を求めるための審尋を行ったところ、同年6月14日付けで回答書が提出された。 第2 平成24年11月30日付けの手続補正についての補正の却下の決定 [補正の却下の決定の結論] 平成24年11月30日付けの手続補正を却下する。 [理由] 1.補正後の請求項に記載された発明 平成24年11月30日付けの手続補正(以下「本件補正」という。)により、本願の特許請求の範囲の請求項1は、平成18年法律第55号改正附則第3条第1項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法(以下、単に「特許法」という。)第17条の2第4項第2号に掲げられた特許請求の範囲の減縮を目的として、補正された。 よって、本件補正後の特許請求の範囲の請求項1に係る発明(以下「本願補正発明」という。)は、本件補正後の特許請求の範囲の請求項1に記載された、次のとおりのものである。 「透明基板と、遮光膜と、透過率調整機能を有する半透明膜とが順不同に積層され、前記透明基板上に前記遮光膜が設けられた遮光領域と、前記透明基板上に前記半透明膜のみが設けられた半透明領域と、前記透明基板上に前記遮光膜および前記半透明膜のいずれも設けられていない透過領域とを有し、前記半透明膜が金属膜である階調マスクの製造方法であって、 前記階調マスクは、表示装置の製造に用いられるものであり、 前記透明基板上に前記遮光膜を成膜したマスクブランクを準備するマスクブランク準備工程と、 前記遮光膜の一部をパターニングする第1パターニング工程と、 パターニングされた遮光膜が形成された透明基板の全面に半透明膜を成膜することにより、前記遮光膜がパターニングされて除去された領域に半透明領域を形成する半透明膜成膜工程と、 前記遮光膜および前記半透明膜をパターニングすることにより、透過領域を形成する第2パターニング工程と、を有し、 エッチングストッパー膜を形成するエッチングストッパー膜形成工程を有さないことを特徴とする階調マスクの製造方法。」 そこで、上記本願補正発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か(特許法第17条の2第5項において準用する同法第126条第5項の規定に違反するか否か)について、以下に検討する。 2.引用刊行物 (1)本願の出願前に頒布された刊行物である、特開2005-181827号公報(以下「引用文献1」という。)には、以下の事項が記載されている。(下線は当審が付した。) (a)「【発明の詳細な説明】 【技術分野】 【0001】 本発明は、反射型又は半透過反射型の液晶装置において、反射層の表面を粗面とすることによって反射光を散乱させる散乱構造を形成する技術に関する。」 (b)「【発明の開示】 【発明が解決しようとする課題】 【0007】 本発明は上記の問題点に鑑みてなされたものであり、高精度なアライメントを要することなく、反射膜の散乱構造の形成に適した多階調の大判露光用マスクを製造する方法及びその露光用マスク、並びにその露光用マスクを用いた液晶装置の製造方法を提供することを課題とする。 【課題を解決するための手段】 【0008】 本発明の1つの観点では、露光用マスクの製造方法は、基材上に遮光層を形成する第1工程と、前記遮光層を選択的に除去して遮光部を形成する第2工程と、前記遮光部が形成されている前記基材上に半透過層を形成する第3工程と、前記半透過層を選択的に除去して半透過部及び透光部を形成する第4工程と、によりマスクパターンを形成することを特徴とする。 【0009】 上記の露光用マスクは、電気光学装置用のマスクとして好適に使用することができる。具体的には、上記の露光用マスクは、例えば半透過反射型又は反射型の液晶表示装置などの電気光学装置の反射膜に散乱構造を形成するのに好適であり、遮光部と半透過部と透光部を備えることにより、基板上に形成された樹脂材料を選択的に除去して散乱構造を形成する。この露光用マスクは、まずガラスなどの透光性の基板上に遮光層を形成し、その遮光層を選択的に除去して遮光部を形成する。次に、遮光部が形成された基材上に半透過性材料により半透過層を形成し、それを選択的に除去することにより、半透過部及び透光部を形成する。こうして、基材上に遮光部と半透過部と透光部とを備える多階調の露光用マスクが形成される。この方法で1枚の基材上に複数の液晶表示装置に対応する単位マスク構造を複数形成することにより、いわゆる大判の露光用マスクを製造することができる。好適な例では、前記マスクパターンは、前記基材上に複数形成することができる。」 (c)「【0035】 [露光用マスクの構成] 次に、図4(b)の露光工程(以下では単に「露光工程」という)において用いられる露光用マスク70の構成を説明する。図5は露光用マスク70の平面図であり、図5(a)は完成状態の平面図であり、図5(b)は製造途中の平面図である。 【0036】 まず、完成状態の露光マスク70の構成について図5(a)を参照して説明する。図示のように、露光用マスク70はいわゆる大判マスクであり、複数個の液晶表示装置に対応する。図5では、各液晶表示装置に対応する単位マスク構造80を破線で示している。なお、単位マスク構造80は、1つの液晶表示装置100に対応する部分を説明の便宜上図示したものであり、実際に露光用マスク70上に単位マスク構造80に対応する線や境界が形成されているわけではない。 【0037】 露光用マスク70は、縦方向及び横方向に整列された複数個の液晶表示装置に対応する大判ガラス基板(図示せず)と対向配置される。即ち、前述の液晶表示装置の製造方法にて説明したように、1枚の大判ガラス基板上に感光性の樹脂材料により下地層21を形成し、これに大判の露光用マスク70を対向配置して下地層21の散乱構造を形成するための露光を行う。 【0038】 各単位マスク構造80の内部には加工対象領域511が存在する。加工対象領域511は、液晶表示装置100側において下地層21の散乱構造を形成すべき領域、つまり液晶表示装置100の表示領域(画素が形成される領域)に対応する領域である。 【0039】 また、露光用マスク70上において、複数の単位マスク構造80の外側には複数個のマーク84が形成されている。マーク84は、主として液晶表示装置100の製造工程中に露光用マスク70を前述の大判ガラス基板に対して位置決めするためのアライメントマークであるが、液晶表示装置100の製造工程中に必要となる、アライメントマーク以外の用途のマークを含んでいてもよい。 【0040】 図6は露光用マスク70の一部と、それに対応して形成される液晶表示装置100側の下地層21の散乱構造との対応関係を示す断面図である。即ち、図6は、露光用マスク70を大判ガラス基板と対向配置して感光性の樹脂材料層である下地層21を露光するときの状態を示している。但し、図6に示すのは、1つの液晶表示装置100内の一部であり、露光用マスク70側は図5(a)に示す単位マスク構造80内の一部である。 【0041】 前述のように、液晶表示装置100の第2基板20上には樹脂材料からなる下地層21に散乱構造が形成されている。また、各サブ画素Gs内には開口部211が設けられている。これに対し、露光用マスク70は、ガラスなどの透光性の基材72に形成され、遮光部74と、半透過部76と、透光部78とを有する。遮光部74は遮光材料により構成され、例えばクロム(Cr)及び酸化クロム(CrOx)の2層のクロムなどが好適である。この場合、クロムは遮光層として機能し、酸化クロムは低反射層として機能する。半透過層76は半透過材料により構成され、例えば酸化クロムが好適である。透光部78は、他の層が形成されておらず、透光性の基材78が露出している。透光部78は、前述の周辺領域513に対応する透光部78aと、下地層21の開口部211に対応する透光部78bとを含む。 【0042】 遮光部74及び半透過部76は液晶表示装置100の加工対象領域511のうち、下地層21に散乱構造を形成すべき領域に対向配置される。一方、透光部78は液晶表示装置100の加工対象領域511外の周辺領域513、及び、加工対象領域511内の下地層の開口部211に対応する領域511に対向配置される(図4を参照)。 【0043】 露光時に露光用マスク70の背面側から光65を照射すると、遮光部74では光は完全に遮断され、透光部78では光が完全に透過する。半透過部76では透光部78より低い光透過率で光が透過する。よって、液晶表示装置100の製造方法の欄で説明したように、ポジ型の感光性材料からなる樹脂材料で下地層21を基板20上に形成し、露光用マスク70で露光を行った後現像することにより、露光用マスク70の遮光部74及び半透過部76に対応する領域では下地層21が部分的に除去されて散乱構造が形成される。一方、露光用マスク70の透光部78に対応する領域では下地層21が完全に除去される。こうして、図4及び図6に示すように、第2基板20側において加工対象領域511外の周辺領域513、及び、加工対象領域511内の下地層21の開口部211に対応する領域515では下地層21が除去される。また、加工対象領域511内であって下地層21の開口部211以外の領域には微細な凹凸を有する散乱構造が形成される。 【0044】 [露光用マスクの製造方法] 次に、上述の露光用マスク70の製造方法について図7乃至図9を参照して説明する。図7(a)?(c)は図5に示した単位マスク構造80の拡大図であり、露光用マスク70の各製造過程における状態を示す。図7(d)?(f)は露光用マスク70上に設けられたマーク84の各製造過程における状態を示す。図8(a)は図7(a)?(c)に示した単位マスク構造80の領域A1の拡大図であり、図8(b)及び(c)はそれぞれ図8(a)におけるX-X’断面及びY-Y’断面の断面図である。また、図9(a)は露光用マスク70の製造工程を示し、図9(b)及び(c)はその各工程における図8(a)のX-X’断面及びY-Y’断面の層構造をそれぞれ示す。 【0045】 まず、図9(a)及び(b)を参照して、露光用マスク70の製造工程全体を説明する。露光用マスク70の製造は、基本的に2段階の成膜工程により実行される。1回目の成膜工程は遮光材料により遮光部74を形成する工程であり、2回目の成膜工程は半透過材料により半透過部76を形成するとともに透光部78を形成する工程である。 【0046】 以下、図9(a)の工程図、及び図8(a)に示す単位マスク構造82の領域A1のX-X’断面図を参照して説明する。なお、図8(a)に示すように、X-X’断面は、周辺領域513に対応する透光部78aと、下地層21の開口部211に対応する透光部78bと、3つの遮光部74a?74cを含む。 【0047】 まず、ガラスなどの透光性の基材72上の全面にクロム及び酸化クロムの遮光層74xをスパッタリングにより形成する(工程S1)。次に、この遮光層74xを部分的に除去し、複数の遮光部74a?74cを形成する(工程S2)。具体的には、遮光層74x上にレジストを塗布し、レーザビーム又は電子ビームなど(以下、「ビーム」と呼ぶ)により遮光部のパターンに対応してレジスト上に描画を行う。そして、遮光層の材料に応じたエッチング液を使用してエッチングを行うことにより、遮光層を部分的に除去して複数の遮光部74a?74cを形成する。なお、ポジレジストを塗布した場合には、遮光部74a?74c以外の領域をビームで描画し、描画した領域をその後のエッチングで除去して遮光部74a?74cを残す。一方、ネガレジストを塗布した場合は、遮光部74a?74cの領域をビームで描画し、描画しなかった領域をその後のエッチングで除去して遮光部74a?74cの領域を残す。こうして第1回目の成膜工程が終了する。 【0048】 次に、遮光部74a?74cが形成された基材72上の全面に酸化クロムの半透過層76xをスパッタリングにより形成する(工程S3)。そして、半透過層7上にレジストを塗布し、ビームにより描画を行う。このときには、透光部78a及び78bの領域を除去し、それ以外の領域を残すように描画を行い、その後エッチングを行う。これにより、透光部78a及び78bは半透過層76xが除去される。なお、半透過層76xは透光部78a及び78bのみで除去されるので遮光部74a?74c上に半透過層76xが残ることになるが、半透過層76xがあっても無くても露光時の光は遮光部74a?74cにより遮光されるので、遮光部74a?74c上の半透過層76xを除去する必要はない。 【0049】 こうして、2回の成膜工程により、遮光部74、半透過部76及び透光部78を有する多階調の露光用マスク70が製造される。図9(c)に示すY-Y’断面も基本的に同様に形成される。但し、図8(a)に示すように、Y-Y’断面には下地層21の開口部211に対応する透光部78bは含まれず、周辺領域513に対応する透光部78aのみが含まれている。 【0050】 次に、上述の露光用マスクの製造工程において成膜を行う領域について図7(a)?(c)を参照して説明する。図7(a)?(c)は図5に示す単位マスク構造80の各工程における状態を示す。図7(a)は工程S2により複数の遮光部74を形成した状態を示し、図7(b)は工程S3により半透過膜76xを形成した状態を示し、図7(c)は工程S4により半透過膜76xを除去した状態を示す。なお、説明の便宜上、下地層21の開口部211に対応する透光部78bは図示を省略している。 【0051】 前述のように、工程S2では基材72の全面に形成した遮光層74xを選択的に除去して複数の遮光部74を形成する。遮光部74として残す部分と、除去する部分は工程S2における描画により規定される。ここで、遮光部74は下地層21に散乱構造を形成するために必要な部分であるので、本来は遮光部74は加工対象領域511内にのみ残し、周辺領域513には残す必要はない。しかし、本発明では、工程S2においては、最終的に遮光部74を残すべき加工対象領域511より広い領域520に遮光部74を残し、それより外側の領域で遮光層74を除去するように描画を行う。このときの露光用マスク70の状態を図5(b)に示す。図5(a)と比較するとわかるように、加工対象領域511よりも広い領域520にわたって遮光部74を形成している。 【0052】 そして、工程S3では全面に半透過層76xを形成し(図7(b)参照)、工程S4で半透過層76xを除去するのと同時に、本来の加工対象領域511外に存在する遮光部74も除去する。こうして、最終的に完成した露光用マスク(図7(c)参照)では、遮光部74は加工対象領域511内のみに残っている。 【0053】 このように、本発明による露光用マスクの製造方法では、1回目の成膜工程、即ち遮光部の形成工程では最終的に遮光部を残すべき加工対象領域511より広い領域に遮光部を残し、2回目の成膜工程、即ち半透過部76及び透光部78を規定する工程で同時に加工対象領域511を規定する。このようにする理由は、大判の露光用マスク製造において複数回の描画を行う際に描画機のアライメント精度に限界があるからである。即ち、仮に1回目の成膜工程(即ち工程S2)で加工対象領域511の外縁まで描画を行って加工対象領域511外の遮光膜を全て除去したとすると、遮光部74の位置は1回目の成膜工程における描画機の位置を基準にして規定されることになる。そして、2回目の成膜工程(即ち工程S4)で半透過膜76xを除去して半透過部76及び透光部78を規定する。すると、1回目の成膜工程と2回目の成膜工程とで描画機のアライメント精度が確保できない場合、遮光部74と、半透過部76及び透光部78(特に透光部78)との相対位置にず れが生じてしまう。 【0054】 そこで、本発明の露光用マスクの製造方法では、1回目の成膜工程では本来の加工対象領域511よりも広い領域520内に遮光部74を残しておき、2回目の成膜工程で加工対象領域511内の遮光部74のみを残す(即ち、加工対象領域511外の遮光部74を、半透過膜と同時に除去する)。こうすれば、加工対象領域511に対応する遮光部74の形成領域と、半透過部76と、透光部78とが全て2回目の描画機の位置に依存して決定されることとなり、それらの領域の位置が相対的にずれることが防止できる。よって、露光用マスク製造機における描画機のアライメント精度が十分でない場合でも、遮光部74、半透過部76及び透光部78を正確に形成した露光用マスク70を製造することができる。 従って、本発明による露光用マスクの製造方法では、1回目の成膜工程S2で本来の加工対象領域511外に残した遮光部74を、2回目の成膜工程S4で除去する必要があるので、遮光層74xを構成する遮光材料と半透過層76xを構成する半透過性材料が同一のエッチング液で除去できることが必要となる。このため、本実施例では、遮光部74の材料としてクロムと酸化クロムを使用し、半透過部76の材料として酸化クロムを使用している。但し、2回目の成膜工程で同一のエッチング液を用いて除去できる材料であれば、遮光部と半透過部の材料は上記の例には限られない。 【0055】 なお、これまでは加工対象領域511と遮光部74の関係について説明したが、下地層21の開口部211に対応する透光部78bも同様に形成される。即ち、1回目の成膜工程S2では本来の透光部78b(図8(a)参照)内まで遮光部74を形成しておき、2回目の成膜工程S4で本来の透光部78bの内部に存在する遮光部74を除去すればよい。これにより、透光部78bの位置が半透過膜76や透光部78aと相対的にずれることはない。」 (d)「 」 してみると、上記記載事項から、引用文献1には、以下の発明(以下「引用発明」という。)が記載されている。 「多階調の大判露光用マスクを製造する方法であって、 露光用マスクは、半透過反射型又は反射型の液晶表示装置などの電気光学装置の反射膜に散乱構造を形成するのに好適であり、ガラスなどの透光性の基材72に形成され、遮光部74と、半透過部76と、透光部78とを有し、遮光部74は遮光材料により構成され、例えばクロム(Cr)及び酸化クロム(CrOx)の2層のクロムなどが好適であり、この場合、クロムは遮光層として機能し、酸化クロムは低反射層として機能し、半透過層76は半透過材料により構成され、例えば酸化クロムが好適であり、透光部78は、他の層が形成されておらず、透光性の基材78が露出しており、透光部78は、周辺領域513に対応する透光部78aと、下地層21の開口部211に対応する透光部78bとを含むものであって、 まず、ガラスなどの透光性の基材72上の全面にクロム及び酸化クロムの遮光層74xをスパッタリングにより形成(工程S1)し、次に、この遮光層74xを部分的に除去し、複数の遮光部74a?74cを形成(工程S2)し、次に、遮光部74a?74cが形成された基材72上の全面に酸化クロムの半透過層76xをスパッタリングにより形成(工程S3)し、そして、透光部78a及び78bは半透過層76xが除去(工程S4)されるが、このとき、遮光部74a?74c上の半透過層76xを除去する必要はなく、 さらに、工程S2においては、最終的に遮光部74を残すべき加工対象領域511より広い領域520に遮光部74を残し、それより外側の領域で遮光層74を除去し、加工対象領域511よりも広い領域520にわたって遮光部74を形成し、そして、工程S4で半透過層76xを除去するのと同時に、本来の加工対象領域511外に存在する遮光部74も除去する、 多階調の大判露光用マスクを製造する方法。」 (2)本願の出願前に頒布された刊行物である、特開2002-189281号公報(以下「引用文献2」という。)には、以下の事項が記載されている。 (a)「【発明の詳細な説明】 【0001】 【発明の属する技術分野】本発明は、グレートーンマスク及びその製造方法等に関する。」 (b)「【0016】構成3によれば、遮光膜及び半透光膜が、クロムを含む材料からなることによって、遮光膜及び半透光膜を同一エッチング液又は同一エッチングガスで同時加工できる。このような例としては、同一材料の膜(例えば半透光膜:Cr、遮光膜:Cr)や主成分が同じ膜(例えば半透光膜:クロム化合物、遮光膜:Cr)などが挙げられる。」 (c)「【0033】なお、上記実施の形態において、グレートーンマスクを作製するためのマスクブランクは、例えば、石英基板などの透明基板上に、Cr又はクロム化合物(例えばCrOなど)等の透過率を制御した厚さの半透光膜をスパッタ法等により成膜し、SiO_(2)膜(スパッタ法もしくは蒸着法などで形成)、もしくはSOG(スピン・オン・グラス)によりエッチングストッパー層(バリアー層)を形成し、Cr等の遮光性を有する厚さの遮光膜をスパッタ法等により成膜し、この遮光膜上にレジストを5000?10000オングストロームの範囲で塗布して作製する。このように遮光膜及び半透光膜をCr系材料とし、エッチングストッパー層をSiO_(2)系材料とすることにより、Cr系材料は例えば硝酸第2セリウムアンモニウムに過塩素酸を加えた水溶液によるウエットエッチング又は塩素系ガスによるドライエッチングによりエッチングすることができ、SiO_(2)系材料はフッ素系水溶液によるウエットエッチング又はフッ素系ガスによるドライエッチングによりエッチングすることが可能であり、これらは互いのエッチング液又はエッチングガスに対する選択性が高いため、互いのエッチングに対してエッチングされにくい。」 3.対比 (1)本願補正発明と引用発明とを対比する。 (a)引用発明の「ガラスなどの透光性の基材72」、「遮光層」、「半透過層76x」、「遮光部74」、「半透過部76」、「透光部78」及び「多階調の大判露光用マスク」が、それぞれ、本願補正発明の「透明基板」、「遮光膜」、「半透明膜」、「遮光領域」、「半透明領域」、「透過領域」及び「階調マスク」に相当する。 (b)引用発明の「露光用マスクは、半透過反射型又は反射型の液晶表示装置などの電気光学装置の反射膜に散乱構造を形成するのに好適であ」ることから、引用発明の「露光用マスク」が表示装置の製造に用いられることは明らかである。 すると、引用発明の 「多階調の大判露光用マスクを製造する方法であって、 露光用マスクは、半透過反射型又は反射型の液晶表示装置などの電気光学装置の反射膜に散乱構造を形成するのに好適であり、ガラスなどの透光性の基材72に形成され、遮光部74と、半透過部76と、透光部78とを有し、遮光部74は遮光材料により構成され、例えばクロム(Cr)及び酸化クロム(CrOx)の2層のクロムなどが好適であり、この場合、クロムは遮光層として機能し、酸化クロムは低反射層として機能し、半透過層76は半透過材料により構成され、例えば酸化クロムが好適であり、透光部78は、他の層が形成されておらず、透光性の基材78が露出しており、透光部78は、周辺領域513に対応する透光部78aと、下地層21の開口部211に対応する透光部78bとを含むものであ」る構成と、本願補正発明の 「透明基板と、遮光膜と、透過率調整機能を有する半透明膜とが順不同に積層され、前記透明基板上に前記遮光膜が設けられた遮光領域と、前記透明基板上に前記半透明膜のみが設けられた半透明領域と、前記透明基板上に前記遮光膜および前記半透明膜のいずれも設けられていない透過領域とを有し、前記半透明膜が金属膜である階調マスクの製造方法であって、 前記階調マスクは、表示装置の製造に用いられるものであ」る構成とは、 「透明基板と、遮光膜と、透過率調整機能を有する半透明膜とが順不同に積層され、前記透明基板上に前記遮光膜が設けられた遮光領域と、前記透明基板上に前記半透明膜のみが設けられた半透明領域と、前記透明基板上に前記遮光膜および前記半透明膜のいずれも設けられていない透過領域とを有する階調マスクの製造方法であって、 前記階調マスクは、表示装置の製造に用いられるものであ」る構成で一致する。 (c)引用発明の「ガラスなどの透光性の基材72上の全面にクロム及び酸化クロムの遮光層74xをスパッタリングにより形成(工程S1)」することが、本願補正発明の「前記透明基板上に前記遮光膜を成膜したマスクブランクを準備するマスクブランク準備工程と、」「を有」することに相当する。 (d)引用発明の「この遮光層74xを部分的に除去し、複数の遮光部74a?74cを形成(工程S2)」することが、本願補正発明の「前記遮光膜の一部をパターニングする第1パターニング工程と、」「を有」することに相当する。 (e)引用発明の「遮光部74a?74cが形成された基材72上の全面に酸化クロムの半透過層76xをスパッタリングにより形成(工程S3)」することが、本願補正発明の「パターニングされた遮光膜が形成された透明基板の全面に半透明膜を成膜することにより、前記遮光膜がパターニングされて除去された領域に半透明領域を形成する半透明膜成膜工程と、」「を有」することに相当する。 (f)引用発明の「透光部78a及び78bは半透過層76xが除去(工程S4)される」ことにおいて、「半透過層76xを除去するのと同時に、本来の加工対象領域511外に存在する遮光部74も除去する」のであるから、引用発明の「透光部78a及び78bは半透過層76xが除去(工程S4)される」「さらに、工程S2においては、最終的に遮光部74を残すべき加工対象領域511より広い領域520に遮光部74を残し、それより外側の領域で遮光層74を除去し、加工対象領域511よりも広い領域520にわたって遮光部74を形成し、そして、工程S4で半透過層76xを除去するのと同時に、本来の加工対象領域511外に存在する遮光部74も除去する」ことが、本願補正発明の「前記遮光膜および前記半透明膜をパターニングすることにより、透過領域を形成する第2パターニング工程と、を有」することに相当する。 (g)引用発明には、エッチングストッパー膜形成工程を有さないという明示的な構成は含まれないが、引用文献1には、引用発明として認定した工程を有する製造方法が開示されているのみであって、エッチングストッパー膜形成工程についての記述は全くないこと、及び、引用発明の 「まず、ガラスなどの透光性の基材72上の全面にクロム及び酸化クロムの遮光層74xをスパッタリングにより形成(工程S1)し、次に、この遮光層74xを部分的に除去し、複数の遮光部74a?74cを形成(工程S2)し、次に、遮光部74a?74cが形成された基材72上の全面に酸化クロムの半透過層76xをスパッタリングにより形成(工程S3)し、そして、透光部78a及び78bは半透過層76xが除去されるが、このとき、遮光部74a?74c上の半透過層76xを除去する必要はなく、 さらに、工程S2においては、最終的に遮光部74を残すべき加工対象領域511より広い領域520に遮光部74を残し、それより外側の領域で遮光層74を除去し、加工対象領域511よりも広い領域520にわたって遮光部74を形成し、そして、工程S4で半透過層76xを除去するのと同時に、本来の加工対象領域511外に存在する遮光部74も除去する」という製造方法が有する、2つの除去工程は、それぞれ、「遮光層」のみが形成された状態で、該「遮光層」を除去する工程S3、及び、「遮光層」とその上に「半透過層」が形成された状態で、該「遮光層」及び「半透過層」を同時に除去する工程S4であって、さらに、「遮光部74a?74c上の半透過層76xを除去する必要はな」いという構成を有していることから、引用発明では、「遮光層」と「半透過層」との間に、「半透過層」のみを除去し、その下の「遮光層」を残すための、エッチングストッパー膜が不要であるということは、当業者には自明のことであるから、引用発明は、実質的に、エッチングストッパー膜形成工程を有さないと解するのが相当である。 すると、引用発明は、本願補正発明の「エッチングストッパー膜を形成するエッチングストッパー膜形成工程を有さない」という構成を含むと認められる。 (2)一致点 してみると、両者は、 「透明基板と、遮光膜と、透過率調整機能を有する半透明膜とが順不同に積層され、前記透明基板上に前記遮光膜が設けられた遮光領域と、前記透明基板上に前記半透明膜のみが設けられた半透明領域と、前記透明基板上に前記遮光膜および前記半透明膜のいずれも設けられていない透過領域とを有する階調マスクの製造方法であって、 前記階調マスクは、表示装置の製造に用いられるものであり、 前記透明基板上に前記遮光膜を成膜したマスクブランクを準備するマスクブランク準備工程と、 前記遮光膜の一部をパターニングする第1パターニング工程と、 パターニングされた遮光膜が形成された透明基板の全面に半透明膜を成膜することにより、前記遮光膜がパターニングされて除去された領域に半透明領域を形成する半透明膜成膜工程と、 前記遮光膜および前記半透明膜をパターニングすることにより、透過領域を形成する第2パターニング工程と、を有し、 エッチングストッパー膜を形成するエッチングストッパー膜形成工程を有さない階調マスクの製造方法。」で一致し、次の点で相違する。 (3)相違点 「半透明膜」が、本願補正発明では「金属膜である」のに対して、引用発明では「半透過材料により構成され、例えば酸化クロムが好適であ」る点。 4.判断 (1)上記相違点について検討する。 引用文献1には、引用発明について、「本発明による露光用マスクの製造方法では、1回目の成膜工程S2で本来の加工対象領域511外に残した遮光部74を、2回目の成膜工程S4で除去する必要があるので、遮光層74xを構成する遮光材料と半透過層76xを構成する半透過性材料が同一のエッチング液で除去できることが必要となる。このため、本実施例では、遮光部74の材料としてクロムと酸化クロムを使用し、半透過部76の材料として酸化クロムを使用している。但し、2回目の成膜工程で同一のエッチング液を用いて除去できる材料であれば、遮光部と半透過部の材料は上記の例には限られない。」(【0054】)と、「遮光層」と「半透過層」とを構成する材料が、同一のエッチング液で除去できることが必要であるという技術事項が記載されている。 そして、引用文献2には、グレートーンマスクにおいて、遮光膜及び半透光膜が同一エッチング液で同時加工できるような材料の例として、同一材料の膜(半透光膜:Cr、遮光膜:Cr)や主成分が同一の膜(半透光膜:クロム化合物、遮光膜:Cr)が挙げられている。 すると、引用発明において、「遮光層」と「半透過層」の材料がクロム(Cr)と酸化クロムである構成に換えて、両材料をともにCrとして、上記相違点に係る本願補正発明の発明特定事項を得ることは当業者が容易に想到し得ることである。 (2)効果について 本願補正発明が奏し得る効果は、引用発明及び引用文献2に記載された技術事項が既に奏し得ていたものであって格別なものではない。 (3)請求人の主張について 請求人は、平成25年1月9日付けの手続補正により補正した【請求の理由】(以下、単に「【請求の理由】という。)において、 「引用文献2に記載された発明は、クロム膜を半透明膜とするためには、エッチングストッパー層が必須のものであり、これらの二つの技術的事項は引用文献2に記載された発明におきましては、一体不可分の関係にあるものであります。 このようにクロム膜を半透明膜とするに際してエッチングストッパー層形成工程が必須である、引用文献2に記載された発明に接した当業者が、本発明が開示されていない状態で、半透明膜がクロム膜であるといった技術的事項のみを取出して引用文献1に記載された発明に組み合わせることには、困難性があるものと考えます。」 と主張している。 しかし、一般に、マスクの製造方法において、エッチングストッパー膜形成工程が必須であるか否かは、積層される各層の材料だけで決まるものではなく、製造方法によっても左右されることが当業者の技術常識である(例えば、引用発明では、遮光層はクロムで、半透過層は酸化クロムで形成されているが、引用発明の製造方法ではエッチングストッパー膜は不要である。)から、引用文献2に接した当業者は、遮光膜及び半透光膜が同一の材料の膜や主成分が同じ膜で形成されることのみによってエッチングストッパー膜が必要になったのではなく、遮光膜及び半透光膜が同一の材料の膜や主成分が同じ膜で形成されること及び引用文献2に記載された方法で製造されることによってエッチングストッパー膜が必要になったことを理解することは明らかである。 すると、当業者であれば、引用文献2の記載から、遮光膜及び半透光膜を同一のエッチング液で同時加工できる例として、両者を同一材料の膜(例えば半透光膜:Cr、遮光膜:Cr)や主成分が同じ膜(例えば半透光膜:クロム化合物、遮光膜:Cr)で形成するという技術事項を、エッチングストッパー膜形成工程の有無とは別に取り出すことができるものと認められる。 したがって、請求人の上記主張は失当である。 (4)結論 本願補正発明は、引用発明及び引用文献2に記載された技術事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第29条第2項の規定により特許を受けることができない。 5.小括 以上のとおり、本件補正は、特許法第17条の2第5項において準用する同法第126条第5項の規定に違反するので、同法第159条第1項の規定において読み替えて準用する同法第53条第1項の規定により却下すべきものである。 なお、本件補正のうち、「エッチングストッパー膜を形成するエッチングストッパー膜形成工程を有さない」を追加する補正について、請求人は、【請求の理由】において、 「3.補正について 本願出願人は、上記拒絶査定に対しまして、平成24年11月30日付けで拒絶査定不服審判を請求し、同日付けで補正書を提出しております。 ・・・中略・・・ また、引用文献2に記載された発明と本願発明とがたまたま一致しているため、この一致部分を取り除くことを目的として「エッチングストッパー膜を形成するエッチングストッパー膜形成工程を有さない」旨の発明特定事項を加える補正を行いました。 したがって、今回の補正は適法であると考えます。」と主張している。 この主張は、上記補正が、いわゆる「除くクレーム」とする補正のうちの「(i)請求項に係る発明が、先行技術と重なるために新規性等(第29条第1項第3号、第29条の2又は第39条)を失う恐れがある場合に、補正前の請求項に記載した事項の記載表現を残したままで、当該重なりのみを除く補正。」(審査基準 第III部 第I節 4.2(4)除くクレーム参照)に該当するので、上記補正は許されるとの主張であると解される。 しかし、本願発明(下記「第3」「1.」参照)と引用文献2に記載されたグレートーンマスクの製造方法が全く異なることは明らかであり、本願発明は引用文献2に記載された技術と重ならないから、上記主張は、上記補正が「除くクレーム」とする補正であるとする前提を欠くものであって、失当である。 そして、本願の願書に最初に添付された特許請求の範囲、明細書及び図面には、「エッチングストッパー膜を形成するエッチングストッパー膜形成工程を有さない」という技術事項は記載されていないから、上記補正を含む本件補正は、いわゆる新規事項の追加であると判断され得るものである。 第3 本願発明について 1.本願発明 平成24年11月30日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の特許請求の範囲の請求項1に係る発明(以下「本願発明」という。)は、平成23年5月31日付けの手続補正により補正された、本願の特許請求の範囲の請求項1に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。 「透明基板と、遮光膜と、透過率調整機能を有する半透明膜とが順不同に積層され、前記透明基板上に前記遮光膜が設けられた遮光領域と、前記透明基板上に前記半透明膜のみが設けられた半透明領域と、前記透明基板上に前記遮光膜および前記半透明膜のいずれも設けられていない透過領域とを有し、前記半透明膜が金属膜である階調マスクの製造方法であって、 前記透明基板上に前記遮光膜を成膜したマスクブランクを準備するマスクブランク準備工程と、 前記遮光膜の一部をパターニングする第1パターニング工程と、 パターニングされた遮光膜が形成された透明基板の全面に半透明膜を成膜することにより、前記遮光膜がパターニングされて除去された領域に半透明領域を形成する半透明膜成膜工程と、 前記遮光膜および前記半透明膜をパターニングすることにより、透過領域を形成する第2パターニング工程とを有することを特徴とする階調マスクの製造方法。」 2.引用刊行物 原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に頒布された刊行物、その記載内容および引用発明は、前記「第2」「[理由]」「2.」に記載したとおりである。 3.対比・判断 本願発明は、前記「第2」で検討した本願補正発明から、「前記階調マスクは、表示装置の製造に用いられるものであり」及び「エッチングストッパー膜を形成するエッチングストッパー膜形成工程を有さない」という事項を削除することにより拡張したものである。 そうすると、本願発明の発明特定事項をすべて含み、更に限定したものに相当する本願補正発明は、前記「第2」「3.」および「4.」に記載したとおり、引用発明及び引用文献2に記載された技術事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も引用発明及び引用文献2に記載された技術事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。 してみると、本願発明は、引用発明及び引用文献2に記載された技術事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第29条第2項の規定により特許を受けることができない。 第4 むすび 以上のとおり、本願発明は、特許法第29条第2項の規定により特許を受けることができないから、本願の他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。 よって、結論のとおり審決する。 |
審理終結日 | 2013-09-20 |
結審通知日 | 2013-09-24 |
審決日 | 2013-10-07 |
出願番号 | 特願2005-376072(P2005-376072) |
審決分類 |
P
1
8・
121-
Z
(G03F)
P 1 8・ 575- Z (G03F) |
最終処分 | 不成立 |
前審関与審査官 | 久保田 創 |
特許庁審判長 |
伊藤 昌哉 |
特許庁審判官 |
神 悦彦 土屋 知久 |
発明の名称 | 階調マスクの製造方法 |
代理人 | 山下 昭彦 |