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審決分類 |
審判 査定不服 5項独立特許用件 特許、登録しない。 H01L 審判 査定不服 2項進歩性 特許、登録しない。 H01L |
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管理番号 | 1316296 |
審判番号 | 不服2015-11221 |
総通号数 | 200 |
発行国 | 日本国特許庁(JP) |
公報種別 | 特許審決公報 |
発行日 | 2016-08-26 |
種別 | 拒絶査定不服の審決 |
審判請求日 | 2015-06-15 |
確定日 | 2016-06-20 |
事件の表示 | 特願2012- 28433「ダイボンディング装置、コレット、および、ダイボンディング方法」拒絶査定不服審判事件〔平成25年 8月22日出願公開、特開2013-165219〕について、次のとおり審決する。 |
結論 | 本件審判の請求は、成り立たない。 |
理由 |
第1 手続の経緯 本願は,平成24年2月13日の出願であって,その手続の経緯は以下のとおりである。 平成26年 2月10日 審査請求 平成26年 7月15日(発送日) 拒絶理由通知 平成26年 9月16日 意見書 平成27年 3月13日(発送日) 拒絶査定 平成27年 6月15日 審判請求・手続補正 第2 補正の却下の決定 [補正却下の決定の結論] 平成27年6月15日付けの手続補正(以下,「本件補正」という。)を却下する。 [理由] 1 本件補正の内容 本件補正は,特許請求の範囲の補正を含むものであって,本件補正前の特許請求の範囲の請求項10は,本件補正後の特許請求の範囲の請求項9へ補正された。 (1)本件補正前の特許請求の範囲 本件補正前の特許請求の範囲の請求項10の記載は次のとおりである。 「長方形の形状を有する第1の半導体素子を基板にダイボンディングするためのコレットであって, 長方形の断面を有し,前記断面の長辺に平行な線に沿って延在し且つ弾性的に変形可能な凸部を有し,前記第1の半導体素子の長辺方向が前記コレットの前記断面の長辺方向に平行になるように,前記第1の半導体素子の上面を前記コレットの前記凸部の表面に吸着する ことを特徴とするコレット。」 (2)本件補正後の特許請求の範囲 本件補正後の特許請求の範囲の請求項9の記載は次のとおりである。(下線は補正箇所を示し,当審で付加したもの。下記(3)において同じ。) 「長方形の形状を有する第1の半導体素子を基板にダイボンディングするためのコレットであって, 長方形の断面を有し,前記断面の長辺に平行な線に沿って延在し且つ弾性的に変形可能な凸部を有し,前記第1の半導体素子の長辺方向が前記コレットの前記断面の長辺方向に平行になるように,前記第1の半導体素子の上面を前記コレットの前記凸部の表面に吸着し, 前記凸部の段差は、0.200mm?0.300mmの範囲であることを特徴とするコレット。」 (3)補正事項 本件補正により,補正前請求項10の「コレット」に「前記凸部の段差は、0.200mm?0.300mmの範囲である」という限定が付加されて補正後請求項9に補正された(以下,「補正事項1」という。)。 2 補正の適否 本願の願書に最初に添付した明細書の段落【0039】及び図6の記載からみて,本件補正は,本願の願書に最初に添付した明細書,特許請求の範囲又は図面に記載された事項の範囲内においてされたものであることは明らかであるので,補正事項1は,特許法第17条の2第3項の規定に適合する。 そして,本件補正は前記1(3)のとおり,本件補正前の請求項10に記載された発明特定事項を限定的に減縮するものであるから,特許法第17条の2第4項の規定に適合することは明らかであり,また,同法第17条の2第5項第2号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。 そこで,本件補正後の特許請求の範囲に記載された事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かにつき,更に検討する。 (1)本願補正発明 本件補正後の請求項9に係る発明(以下,「本願補正発明」という。)は,本件補正後の請求項9に記載された,次のとおりのものと認める。(再掲) 「長方形の形状を有する第1の半導体素子を基板にダイボンディングするためのコレットであって, 長方形の断面を有し,前記断面の長辺に平行な線に沿って延在し且つ弾性的に変形可能な凸部を有し,前記第1の半導体素子の長辺方向が前記コレットの前記断面の長辺方向に平行になるように,前記第1の半導体素子の上面を前記コレットの前記凸部の表面に吸着し, 前記凸部の段差は、0.200mm?0.300mmの範囲であることを特徴とするコレット。」 (2)引用文献1の記載と引用発明 ア 引用文献1 原査定の拒絶の理由に引用された,本願の出願日前に日本国内において頒布された刊行物である,特開2003-203964号公報(以下,「引用文献1」という。)には,図面とともに,次の記載がある。(下線は当審において付加した。以下同じ。) (ア)「【発明の詳細な説明】 【0001】 【発明の属する技術分野】本発明は、半導体チップを実装するためのピックアップツールに関する。このようなピックアップツールは、『ダイコレット』または『ダイボンディングツール』の名称で知られている。 【0002】 【従来の技術】半導体チップを実装する場合、ウェーハから切り分けられフォイルに付着された半導体チップは、ピックアップツールにより捕捉され、基板に配置される。このようなピックアップツールは、基本的に、金属シャフトと、それに取り付けられた吸引手段とを備える。吸引手段は、捕捉する半導体チップの方向に向いたキャビティを有し、そこにドリルホールを介して真空が付与される。半導体チップ上に吸引手段が載ると、真空により半導体チップが吸引手段に固着する。吸引手段は、市場でピックアップツールまたはゴムチップと呼ばれている。 ・・・ 【0005】省スペース化を図るために、ますます半導体チップの薄型化がなされている。しかしながら、ピックアップツールで捕捉される半導体チップは、厚みが約150μmの場合、真空により生じる圧力により半導体チップが吸引開口部に押圧されることが原因で屈曲することがある。これは、厚みが100μmの場合、事実上、例外なく起こる。半導体チップを下側の半導体チップに配置すると、屈曲したチップがまず第1半導体チップ上に縁端部で載り、2つの半導体チップ間に形成された空洞が密閉されて、閉じ込められた空気の逃げ道がなくなるため、第2半導体チップの下方に望ましくない気泡が生じる。 【0006】 【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、薄型の半導体チップを問題なく実装できるピックアップツールを開発することである。」 (イ)「【0007】 【課題を解決するための手段】本発明は、請求項1および請求項6に記載の特徴を備える。好適なデザインは、従属請求項から得られる。 【0008】上述した課題を解決するために、半導体チップを捕捉するために表面が凸状の弾性的に変形可能な材料からなる吸引手段を有するピックアップツールが提供される。真空を供給するために、半導体チップを捕捉するための吸引手段の表面は、例えば、表面の中心には開口部がないが、真空が付与される縁端部の領域に開口部が配設される。この代わりとして、吸引手段は、多孔材料で充填された少なくとも1つの空洞を有し、その上の凸状表面に真空が供給される。半導体チップをすでに実装された半導体チップに配置すると、凸状表面は、その表面および捕捉された半導体チップが平らになるまで、圧力が増大して次第に変形される。圧力は、吸引手段の中心から外向きに増大する。これを行うさい、半導体チップは、下側の半導体チップに転がされることにより、空気を継続的に逃がすことができる。 【0009】したがって、この実装プロセスの場合、吸引手段により捕捉される半導体チップは、すでに実装された半導体チップに配置される前に凸状にされた後、配置の最終段階で通常の形状に戻される。 【0010】接着フィルムで背面を被覆した第2半導体チップを第1半導体チップに実装するための方法は、 -第2半導体チップを凸状に変形させるための凸状表面を有するピックアップツールを用いて第2半導体チップを捕捉するステップと、 -第2半導体チップを第1半導体チップに配置させるためにピックアップツールを下降させ、最初に第2半導体チップの中心が第1半導体チップに衝突するステップと、 -通常は凸状の表面が平らになるように、吸引手段を変形させるために圧力を増大させるステップと、 -第2半導体チップを伴わずにピックアップツールを持ち上げるステップとを含む。」 (ウ)「【0013】 【実施例】実施例1 この実施形態では、半導体チップ2に面する吸引手段4の凸状表面6は、真空を供給可能な開口部8を有する。開口部8は、表面6の縁端部付近に配設されるのに対して、表面6の中心には開口部がない。図2(A)および図2(B)は、表面6の平面図を示す。開口部8は、例えば、図2(A)に示されているように、吸引手段4の縁端部9に沿って延びるスリット10に平行であるか、または、図2(B)に示されているように、縁端部9の領域に配設された多数のドリルホール11からなる。 【0014】また、図2(A)は、座標軸をxとyで示したデカルト座標系を示す。表面6は、単一の方向、例えば、x方向に対して凸状に形成されるか、または、x方向およびy方向に対して凸状に形成される。」 (エ)「【0019】吸引手段4の表面6の凸状の程度は、接着フィルム15の厚みのほぼ半分であることが好ましい。したがって、接着フィルム15の厚みが60μmの場合、表面6の中心と縁端部との高低差H(図1)は、例えば、約30μmになる。」 (オ)「【0021】半導体チップ2が半導体チップ14に衝突する図5に示された状態から、半導体チップ2が半導体チップ14上に平らに載る図6に示された状態への移行段階中、ピックアップツール1は、例えば、一定の速度、または圧力または力の所望の増大曲線に適応させた速度プロファイルで下降される。」 (カ)吸引手段の凸状表面の平面図を示す図2(A)には,吸引手段が長方形の断面を有すること,及び吸引手段の断面における縁端部9の長辺がx方向であり,4つのスリット10が前記縁端部に沿って長方形に配置されることが記載されている。 イ 前記(2)アより,引用文献1には,次の発明(以下,「引用発明」という。)が記載されていると認められる。 「第2半導体チップを第1半導体チップに接着フィルムを介して実装するための吸引手段であって, 長方形の断面を有し, 第2半導体チップを捕捉するために表面が凸状の弾性的に変形可能な材料からなる吸引手段。」 (3)本願補正発明と引用発明との対比 引用発明において,第2半導体チップ(ダイ)を第1半導体チップに接着(ボンディング)するということは,すなわちダイボンディングするということであり,引用発明の「吸着手段」はダイボンディングするために半導体チップを吸着するものであるから,下記相違点を除いて,本願補正発明の「コレット」に相当するものと認められる。 また,引用発明における「第1半導体チップ」は,「第2半導体チップ」が接着される基礎となる板状のものであるから,本願補正発明の「基板」に相当する。なお,本願明細書【0019】には「基板4は,・・・第1の半導体素子5とは別の第2の半導体素子である」と記載されており,本願補正発明の「基板」は半導体素子を含むものであると認められる。 そして,引用発明における「第2半導体チップ」は本願補正発明の「第1の半導体素子」に相当するものと認められる。 さらに,本願補正発明の「長方形の断面を有し,前記断面の長辺に平行な線に沿って延在し且つ弾性的に変形可能な凸部」を有することと,引用発明における「長方形の断面を有し,第2半導体チップを捕捉するために表面が凸状の弾性的に変形可能な材料からなる」こととは,長方形の断面を有し,弾性的に変形可能な凸部を有する点で共通すると認められる。 してみると,本願補正発明と引用発明とは,下記アの点で一致し,下記イの点で相違する。 ア 一致点 「第1の半導体素子を基板にダイボンディングするためのコレットであって, 長方形の断面を有し, 弾性的に変形可能な凸部を有し, 前記第1の半導体素子の上面を前記コレットの前記凸部の表面に吸着する ことを特徴とするコレット。」 イ 相違点 (ア)相違点1 本願補正発明の「第1の半導体素子」は長方形の形状を有するのに対し,引用発明の「第1の半導体素子」はその形状が明示されていない点。 (イ)相違点2 本願補正発明の「凸部」は「前記断面の長辺に平行な線に沿って延在する」のに対し,引用発明においては「前記断面の長辺に平行な線に沿って延在する」ことが明示されていない点。 (ウ)相違点3 本願補正発明においては「前記第1の半導体の長辺方向が前記コレットの前記断面の長辺方向に平行」であるのに対し,引用発明においては第1の半導体の長辺方向とコレットの長辺方向の関係については明示されていない点。 (エ)相違点4 本願補正発明においては凸部の段差が「0.200mmから0.300mmの範囲」であるのに対し,引用発明においては凸部の段差について「0.200mmから0.300mmの範囲」が明示されていない点。 (4)相違点についての検討 ア 相違点1及び3について はじめに,相違点1及び3についてまとめて検討する。 引用文献1の図2(A)では,4つのスリット10が長方形の吸引手段の縁端部に沿って長方形に配置されており(前記(2)ア(カ)参照。),また,同文献には真空を供給可能な開口部を表面の縁端部付近に配設することが記載されている(前記(2)ア(ウ)参照。)から,この4つのスリットにおいて半導体素子を吸引するものと認められ,してみると,長方形に配置された4つのスリットで長方形の半導体素子を吸引することは,引用文献1の前記の記載に接した当業者が普通に行い得るものと認められる。 そして,その際に長方形の半導体素子の長辺方向と長方形のコレット(吸引手段)の長辺方向とを平行にすることも,当業者が普通に行い得るものと認められる。 以上のとおりであるから,相違点1及び3にかかる構成は,引用発明において当業者が普通に行い得るものである。 イ 相違点2について 引用文献1には,「図2(A)は,座標軸をxとyで示したデカルト座標系を示す。表面6は,単一の方向,例えば,x方向に対して凸状に形成される」と記載されており(前記(2)ア(ウ)参照。),その直後にx,y両方向に対して凸状に形成される旨が記載されていることとの対比からみて,前記記載は,単一の方向に対して凸状とすることを意味しているのであって,x方向は単に2方向のうちの一方の例示にすぎず,y方向を排除する趣旨ではない,と当業者ならば解すると認められる。してみると,y方向に対して凸状とすること,すなわち同文献の図2(A)からみて,凸部が長方形の長辺に平行な線に沿って延在することも実質的には開示されているに等しい。 以上のとおりであるから,相違点2は実質的な相違点ではない。 ウ 相違点4について 引用文献1には,吸引手段4の表面6の凸状の程度,すなわち凸部の段差は,例えば,約30μmとすることが記載されている(前記(2)ア(エ)参照。)が,引用文献1には半導体チップの下方の接着面に生じる気泡を防ぐべきことが課題として示されている(前記(2)ア)から,気泡を防ぐべく凸部の形状やその硬度を適宜設定することは,当業者の設計事項にすぎない。 してみると,引用発明において,吸引手段の表面の凸状を0.200mm?0.300mmの範囲の段差とすること(相違点4に係る構成とすること)は,当業者が適宜なしえたものである。 (5)本願補正発明の効果について 本願補正発明の効果,より詳説すると,コレットの凸部からチップ端の距離が短いため,より小さい荷重で,チップ端まで加圧し圧着できる(本願明細書段落【0036】参照。)点や凸部の段差を0.200mm?0.300mmの範囲とすると荷重が20Nにできる(本願図6参照。)点について検討すると,コレットないしチップへの荷重は,弾性的に変形可能な凸部の弾性力により生じることから,凸部の体積及び硬度に依存するものと認められる一方,本願補正発明は凸部の硬度について何ら規定するものではないから,本願補正発明の効果は格別のものとはいえない。なお,凸部の体積は,その形状に依存するので,例えば,凸部の形状がその延在方向に垂直な断面において三角形状であるとすると,延在方向をコレットの長方形断面の長辺に平行にしても短辺に平行にしても体積は等しく,この点からみても,本願補正発明の効果は格別のものとはいえない。 (6)まとめ よって,本願補正発明は,引用発明に基づいて,当業者が容易に発明をすることができたものであるから,特許法第29条第2項の規定により,特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 3 むすび したがって,本件補正は,特許法第17条の2第6項において準用する同法第126条第7項の規定に違反するので,同法第159条第1項の規定において読み替えて準用する同法第53条第1項の規定により却下すべきものである。 第3 本願発明の特許性の有無について 1 本願発明について 平成27年6月15日付けの手続補正は前記のとおり却下された。 そして,本願の請求項10に係る発明(以下,「本願発明」という。)は,願書に最初に添付された特許請求の範囲の請求項10に記載された,次のとおりのものと認める。(再掲) 「長方形の形状を有する第1の半導体素子を基板にダイボンディングするためのコレットであって, 長方形の断面を有し,前記断面の長辺に平行な線に沿って延在し且つ弾性的に変形可能な凸部を有し,前記第1の半導体素子の長辺方向が前記コレットの前記断面の長辺方向に平行になるように,前記第1の半導体素子の上面を前記コレットの前記凸部の表面に吸着する ことを特徴とするコレット。」 2 引用文献1の記載と引用発明 引用文献1の記載は,前記第2の2(2)アのとおりであり,引用発明は,前記第2の2(2)イで認定したとおりである。 3 本願発明と引用発明との対比 前記第2の1から明らかなように,本願発明は,本願補正発明から平成27年6月15日付けの手続補正による補正事項1に係る技術的限定(前記第2の1(3)参照。)を取り除いたものである。 そして,補正事項1に係る技術的限定は,本願補正発明と引用発明との相違点4に係る構成を含むものである。 そうすると,本願発明と引用発明とを対比すると,前記第2の2(3)より,両者は,本願補正発明と引用発明との相違点1ないし3の点で相違し,その余の点で一致すると認められる。 4 相違点についての検討 前記第2の2(4)で検討したとおり,引用発明において相違点1及び3に係る構成とすることは,当業者が普通に行い得るものであり,相違点2は実質的な相違点ではなく,また,前記第2の2(5)と同様の理由により,本願発明が奏する効果は,格別のものとはいえない。 5 まとめ 以上のとおり,本願発明は,引用発明に基づいて,当業者が容易に発明をすることができたものであるから,特許法第29条第2項の規定により,特許を受けることができないものである。 第4 結言 したがって,本願の請求項10に係る発明は,特許法第29条第2項の規定により特許を受けることができないから,その余の請求項について検討するまでもなく,本願は拒絶されるべきものである。 よって,結論のとおり審決する。 |
審理終結日 | 2016-04-20 |
結審通知日 | 2016-04-22 |
審決日 | 2016-05-09 |
出願番号 | 特願2012-28433(P2012-28433) |
審決分類 |
P
1
8・
575-
Z
(H01L)
P 1 8・ 121- Z (H01L) |
最終処分 | 不成立 |
前審関与審査官 | 堀江 義隆、井出 和水 |
特許庁審判長 |
飯田 清司 |
特許庁審判官 |
深沢 正志 河口 雅英 |
発明の名称 | ダイボンディング装置、コレット、および、ダイボンディング方法 |
代理人 | 原 拓実 |
代理人 | 高橋 拓也 |
代理人 | 大西 邦幸 |
代理人 | 野木 新治 |
代理人 | 黒田 久美子 |
代理人 | 渡邊 実 |
代理人 | 石川 隆史 |